CN109326732A - 有机发光二极管结构及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种有机发光二极管结构及其制造方法，其包括阳极层设置于基板上；电洞传输层设置于阳极层上；电洞传输辅助层设置于电洞传输层上，并进行黄光微影制程，电洞传输辅助层对电洞传输层的表面进行保护；至少一发光区块设置于电洞传输辅助层上，电洞传输辅助层电性导通于至少一发光区块与电洞传输层间；电子传输辅助层设置于至少一发光区块上，并进行黄光微影制程，电子传输辅助层对至少一发光区块的表面进行保护；电子传输层设置于电子传输辅助层上，电子传输辅助层电性导通于电子传输层与至少一发光区块间；以及阴极层设置于电子传输层上。本发明于有机发光二极管结构之制造方法中，更增加蒸镀电洞传输辅助层或/及电子传输辅助层的步骤，其有利于使用黄光微影制程进行有机发光二极管结构的制造。

Description

有机发光二极管结构及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种发光二极管，尤其涉及一种有机发光二极管结构及其制 造方法。
背景技术
随着电子产业的高速发展，电子产品的普及率更是越来越高，如计算机、 平板或手机等等。上述的电子产品已变成人们日常生活的必需品。有机发光 二极管(OLED)为一种高色度、高对比度、宽视角、自发光与可柔性显示等等 优点，其已经被广泛的应用。
当前有机发光二极管的制造方法中，其透过目前产业界最为广用的黄光 微影制程的技术去制作，会造成有机发光二极管的发光效率不佳，其原因在 于制作机发光二极管的材料大多为敏感性材料制成。黄光微影制程中，其使 用的溶剂与蚀刻溶液(或气体)会直接接触到敏感性材料，如此会使制作发 光二极管的敏感性材料发生化学变化，而有可能改变原有材料的特性。
现有技术中，于有机发光二极管的结构层进行黄光微影制程前，将保护 层设置于有机发光二极管的结构层的表面，保护层对有机发光二极管的结构 层的表面进行保护，如此降低黄光微影制程对于结构层表面的影响。其中保 护层的厚薄度会影响对于溶剂与蚀刻溶液(或气体)的阻隔性、导电性以及 透光性的问题，若保护层的厚度太薄，则对于溶剂与蚀刻溶液(或气体)的 阻隔性差，结构层易于受到损害。若保护层的厚度太厚，则影响电洞传输或 /及电子传输的导电性，也同时影响有机发光二极管对外发光的透光性。故， 通过现有技术的黄光微影制程制造出来的有机发光二极管的实际发光效率 不佳。
另外，若使用黄光微影制程之外的技术去制造有机发光二极管，则可能 会造成有机发光二极管的制造过程耗时且步骤繁杂、有机发光二极管的制造 过程不够完善等问题。
发明内容
有鉴于此，本发明所要解决的技术问题为无法通过现有技术解决。现有 技术于制作机发光二极管的材料大多为敏感性材料制成，而黄光微影制程会 使用到的溶剂与蚀刻溶液(或气体)会直接接触敏感性材料，如此可能会对 于发光二极管的敏感性材料产生化学变化，而改变原有敏感性材料的特性， 于现有技术中，有机发光二极管的结构层进行黄光微影制程前，将保护层设 置于有机发光二极管的结构层的表面，保护层对有机发光二极管的结构层的 表面进行保护，如此降低黄光微影制程对于结构层表面的影响﹐但是，保护层会影响有机发光二极管的电洞传输或/及电子传输，而导致有机发光二极 管的发光效率不佳。
为了解决上述问题，本发明提供一种有机发光二极管结构，其包括基板、 阳极层、电洞传输层、电洞传输辅助层、至少一发光区块、电子传输层与阳 极层。阳极层设置于基板上；电洞传输层设置于阳极层上；电洞传输辅助层 设置于电洞传输层上，并进行黄光微影制程，电洞传输辅助层对电洞传输层 的表面进行保护；至少一发光区块设置于电洞传输辅助层，电洞传输辅助层 电性导通于至少一发光区块与电洞传输层间；电子传输层设置于至少一发光 区块；以及阴极层设置于电子传输层。
根据本发明的一实施方式，上述的有机发光二极管结构更包括电子传输 辅助层，电子传输辅助层设置于至少一发光区块与电子传输层间，并进行黄 光微影制程，电子传输辅助层对至少一发光区块的表面进行保护，电子传输 辅助层电性导通于至少一发光区块与电子传输层间。
根据本发明的一实施方式，上述的电子传输辅助层包括有机物、金属、 金属化合物或上述任选至少两种组合。
根据本发明的一实施方式，上述的有机物为碳氢化合物与其他含碳或氢 的有机物，金属为锂、钠、钾、铷或铯，金属化合物为氟化锂、氟化钾、氟 化铯、氟化钠、氟化铷、碳酸锂、碳酸钠、碳酸钾、碳酸铷或碳酸铯。
根据本发明的一实施方式，上述的电洞传输辅助层包括有机物与金属氧 化物。
根据本发明的一实施方式，上述的有机物为碳氢化合物与其他含碳或氢 的有机物，金属氧化物为氧化铁、氧化钨、氧化铟、氧化锡、氧化铟锡、氧 化锌、氧化钛、氧化锆、氧化钼、氧化银或氧化金。
本发明提供另一种有机发光二极管结构，其包括基板、阳极层、电洞传 输层、至少一发光区块、电子传输辅助层、电子传输层与阳极层。阳极层设 置于基板上；电洞传输层设置于阳极层上；至少一发光区块设置于电洞传输 层上；电子传输辅助层设置于至少一发光区块上，并进行黄光微影制程，所 述电子传输辅助层对至少一发光区块的表面进行保护；电子传输层设置于所 述电子传输辅助层上，电子传输辅助层电性导通于电子传输层与至少一发光 区块间；以及阴极层设置于电子传输层。
根据本发明的一实施方式，上述的有机发光二极管结构更包括电洞传输 辅助层，电洞传输辅助层设置于电洞传输层与至少一发光区块间，并进行黄 光微影制程，电洞传输辅助层对电洞传输层的表面进行保护，电洞传输辅助 层电性导通于至少一发光区块与电洞传输层间。
根据本发明的一实施方式，上述的电洞传输辅助层包括有机物与金属氧 化物。
根据本发明的一实施方式，上述的有机物为碳氢化合物与其他含碳或氢 的有机物，金属氧化物为氧化铁、氧化钨、氧化铟、氧化锡、氧化铟锡、氧 化锌、氧化钛、氧化锆、氧化钼、氧化银或氧化金。
根据本发明的一实施方式，上述的电子传输辅助层包括有机物、金属、 金属化合物或上述任选至少两种组合。
根据本发明的一实施方式，上述的有机物为碳氢化合物与其他含碳或氢 的有机物，金属为锂、钠、钾、铷或铯，金属化合物为氟化锂、氟化钾、氟 化铯、氟化钠、氟化铷、碳酸锂、碳酸钠、碳酸钾、碳酸铷或碳酸铯。
本发明提供一种有机发光二极管结构的制造方法，包括以下步骤：蒸镀 有机层于基板上；蒸镀导电保护层于有机层上，并进行黄光微影制程，导电 保护层对有机层的表面进行保护，导电保护层为有机层的电性导接体。
根据本发明的一实施方式，上述的有机层包括阳极层与电洞传输层，导 电保护层为电洞传输辅助层，其步骤更包括：蒸镀阳极层于基板；蒸镀电洞 传输层于阳极层；蒸镀电洞传输辅助层于电洞传输层；涂布光阻层于电洞传 输辅助层；用光罩屏蔽光阻层，进行曝光；以及显影经曝光后的光阻层，除 去部分的光阻层，而形成显露出部分的电洞传输辅助层的多个色光区域。
根据本发明的一实施方式，上述的有机层更包括至少一发光区块，导电 保护层为电子传输辅助层，其于显影经曝光后的光阻层，除去部分的光阻层 的步骤后，还包括以下步骤：蒸镀至少一发光区块于多个色光区域；蒸镀电 子传输辅助层于至少一发光区块；以及剥离光阻层，而显露电子传输辅助层。
根据本发明的一实施方式，上述的有机层包括阳极层、电洞传输层、至 少一发光区块，导电保护层为电子传输辅助层，其步骤更包括：蒸镀阳极层 于基板上；蒸镀电洞传输层于阳极层上；蒸镀至少一发光区块于电洞传输层 上；涂布光阻层于电洞传输层上；用光罩屏蔽光阻层，进行曝光；显影经曝 光后的光阻层，除去部分的光阻层，而形成显露出部分的电洞传输层的多个 色光区域；蒸镀至少一发光区块于色光区域；蒸镀电子传输辅助层于至少一 发光区块上；以及剥离光阻层，而显露电子传输辅助层。
根据本发明的一实施方式，上述的于剥离光阻层，而显露电子传输辅助 层的步骤之后，还包括以下步骤：蒸镀电子传输层于电子传输辅助层上；以 及蒸镀阴极层于电子传输层上。
通过此种有机发光二极管结构及其制造方法改良现有技术的缺点，本发 明通过增加蒸镀导电保护层(即电洞传输辅助层或/及电子传输辅助层)的方 式，而去改良黄光微影制程。导电保护层可阻隔黄光微影制程会使用到的溶 剂与蚀刻溶液(或气体)去直接接触到敏感性材料(即有机发光二极管的电 洞传输层、发光区块与电子传输层)的问题。同时，有机发光二极管结构增 加导电保护层后，因导电保护层具有导电性，其不会对发光二极管结构内的 电洞传输或/及电子传输传输效率造成不良影响，故，导电保护层对有机发光 二极管结构的发光效率的影响是非常微小的。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部 分，本发明的示意性实施方式及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明 的不当限定。在附图中：
图1为本发明第一实施方式的有机发光二极管结构的剖面图。
图2为本发明第二实施方式的有机发光二极管结构的剖面图。
图3为本发明第三实施方式的有机发光二极管结构的剖面图。
图4为本发明的有机发光二极管结构的制造方法的步骤流程图。
图5A为本发明的有机发光二极管结构的制造方法的另一步骤流程上图。
图5B为本发明的有机发光二极管结构的制造方法的另一步骤流程下图。
图6A为本发明的有机发光二极管结构的制造方法的步骤示意图一。
图6B为本发明的有机发光二极管结构的制造方法的步骤示意图二。
图6C为本发明的有机发光二极管结构的制造方法的步骤示意图三。
图6D为本发明的有机发光二极管结构的制造方法的步骤示意图四。
图6E为本发明的有机发光二极管结构的制造方法的步骤示意图五。
图6F为本发明的有机发光二极管结构的制造方法的步骤示意图六。
图6G为本发明的有机发光二极管结构的制造方法的步骤示意图七。
图6H为本发明的有机发光二极管结构的制造方法的步骤示意图八。
图6I为本发明的有机发光二极管结构的制造方法的步骤示意图九。
具体实施方式
以下将以图式揭露本发明的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务 上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不 应用以限制本发明。也就是说，在本发明的部分实施方式中，这些实务上的 细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些惯用的结构与组件在图式中 将以简单的示意的方式绘示的。
请参阅图1，其为本发明第一实施方式的有机发光二极管结构的示意图。 如图所示，本实施方式提供一种有机发光二极管结构1，其于结构上增加至 少一层结构层，此结构层同时具有可导电性与保护(或阻隔)性质的功能， 此结构层可阻绝制造过程所使用的溶液、溶剂或气体等直接接触于有机发光 二极管结构的敏感性材料，其可避免材料于制造过程中受到影响，而改变原 有材料性质，如此得以利用黄光微影制程(photolithographyprocess)进 行制造有机发光二极管结构。于本实施方式中，有机发光二极管结构1包括 基板11、阳极层13、电洞传输层15、电洞传输辅助层17(即导电保护层)、 至少一发光区块19、电子传输层21与阴极层23。
承上所述，阳极层13设置于基板11上。电洞传输层15设置于阳极层 13。电洞传输辅助层17设置于电洞传输层15上，并进行黄光微影制程，电 洞传输辅助层17对电洞传输层15的表面进行保护。至少一发光区块19设置 于电洞传输辅助层17，电洞传输辅助层17电性导通于至少一发光区块19与 电洞传输层15之间。电子传输层21设置于至少一发光区块19。阴极层23 设置于电子传输层21。
于本实施方式中，基板11可为玻璃、硅、高分子、金属或其他常用基板 材料，熟悉此项技术者，可依照实际需求选择最适合的基板材料，并不以本 实施方式所列举的材质为限。阳极层13(铟锡氧化物，ITO)设置于基板11 上，阳极层13电性连接于正极，而阳极层13向至少一发光区块19提供正电 荷。电洞传输层15包括电洞注入层151(hole injectionlayer,HIL)和电 洞传导层153(hole transporting layer,HTL)。电洞注入层151设置于阳极层13上，电洞传导层153设置于电洞注入层151上。至少一发光区块19 设置于电洞传导层153。电洞传输层15设置于阳极层13与至少一发光区块 19间。电洞传输层15是阳极层13电性导通于发光区块19的电洞传输通道。 发光区块19包括红、绿或/及蓝(RGB)三种颜色的像素所构成，并利用黄光 微影制程将其图案形成像素。黄光微影制程所使用的溶液、溶剂或气体等直 接接触于有机发光二极管结构1的敏感性材料，上述制程皆会对于材料产生 影响，甚至于改变原有材料性质，故，设置电洞传输辅助层17(即导电保护 层)设置于电洞传输层15上，电洞传输辅助层17作为电洞传输层15进行黄 光微影制程的表面保护。
本实施方式的电洞传输辅助层17(即导电保护层)设置于电洞传输层15 上，除了电洞传输辅助层17本身材料的特性与厚度，其可作为阻隔黄光微影 制程中所使用到的溶液、溶剂或气体等直接接触于有机发光二极管结构1的 敏感性材料，作为阻隔防护功效外，电洞传输辅助层17的材料是选择容易传 输电洞的材料，电洞传输辅助层17的材料包括有机物与金属氧化物，其中有 机物选用碳氢化合物与其他含碳或氢的有机物。所述金属氧化物选用氧化铁、 氧化钨、氧化铟、氧化锡、氧化铟锡、氧化锌、氧化钛、氧化锆、氧化钼、 氧化银或氧化金等材料，上述材料为具有导电性的材质。电洞传输辅助层17 的材料可增进电洞传输层15的电性传导，即增加电洞传输层15的导电性。 若黄光微影制程的溶液、溶剂或气体对于电洞传输层15与电洞传输辅助层 17的导电性造成损害，其也因为先透过电洞传输辅助层17来提高电洞传输 层15与电洞传输辅助层17组合的导电性，如此电洞传输层15的导电性相较 于未增设电洞传输辅助层17的电洞传输层15的导电性也相差不多。另外， 电洞传输辅助层17具有提高导电性的功能，所以电洞传输辅助层17的厚薄 度可接受的范围较大，也不太会因为厚薄度的问题造成导电性的影响，因此 本发明的电洞传输辅助层17的厚度是控制在以上的尺寸为佳。电洞传输 辅助层17结构的限制条件较少，且制程简单，方便使用者依据需求进行制造 使用。
再者，电子传输层21包括电子传导层211(electron transporting layer,HTL)和电子注入层213(electron injection layer,EIL)。电子传 导层211设置于至少一发光区块19上，电子注入层213设置于电子传导层 211上。阳极层23设置于电子注入层213。阴极层23连接于负极，而阴极层 23向至少一发光区块19提供负电荷。
请参阅图2，其为本发明第二实施方式的有机发光二极管结构的示意图。 如图所示，本实施方式与第一实施方式的差异在于，省略电洞传输辅助层17， 而增加电子传输辅助层25。电子传输辅助层25设置于至少一发光区块19与 电子传输层21间。于本实施方式中，发光区块19利用黄光微影制程将其图 样形成像素，黄光微影制程所使用的溶液、溶剂或气体等直接接触于有机发 光二极管结构1的敏感性材料，上述制程皆会对于材料产生影响，甚至于改 变原有材料性质。当发光区块19于制造完成后，设置电子传输辅助层25(即导电保护层)设置于至少一发光区块19上，并进行黄光微影制程，电子传输 辅助层25对至少一发光区块19的表面进行保护。
本实施方式的电子传输辅助层25的功能也与电洞传输辅助层17类似， 电子传输辅助层25设置于至少一发光区块19上，除了电子传输辅助层25 本身材料的厚度(本发明的电子传输辅助层25的厚度是控制在以上的尺 寸为佳)，其可作为阻隔黄光微影制程中所使用到的溶液、溶剂或气体等直 接接触于有机发光二极管结构1的敏感性材料，作为阻隔防护功效之外，电 子传输辅助层25的材料是选择容易传输电子的材料，电子传输辅助层25的 材料包括有机物、金属、金属化合物或上述任选至少两种组合，上述任选至 少两种组合的组合包括：有机物与金属的组合、金属与金属化合物的组合、 有机物与金属化合物的组合或有机物、金属与金属化合物的组合，其中有机 物可选用碳氢化合物与其他含碳或氢的有机物。金属可选用锂、钠、钾、铷 或铯，上述元素的电子传输游离能低，电子易于被分离出来。金属化合物为 氟化锂、氟化钾、氟化铯、氟化钠、氟化铷、碳酸锂、碳酸钠、碳酸钾、碳酸铷或碳酸铯。电子传输辅助层25的材料可增进诱导电子传输层21的电性 传导，其相同于电洞传输辅助层17的功效，故不再赘述。
请参阅图3，其为本发明第三实施方式的有机发光二极管结构的示意图。 如图所示，本实施方式为第一实施方式与第二实施方式的组合应用，本实施 方式的有机发光二极管结构1同时具有电洞传输辅助层17与电子传输辅助层 25。电洞传输辅助层17与电子传输辅助层25的结构位置与功效皆相同于第 一实施方式与第二实施方式所述，故不再赘述。
请一并参阅图4，其为本发明的有机发光二极管结构的制造方法的步骤 流程图。如图所示，于本实施方式中，其通过步骤S100:蒸镀有机层于基板 11上。有机层可为阳极层13、电洞传输层15、至少一发光区块19、电子传 输层21或/及阴极层23的结构层。于步骤S200:蒸镀导电保护层(电洞传输 辅助层17或电子传输辅助层25)于有机层上，并进行黄光微影制程，导电 保护层对有机层的表面进行保护，导电保护层为有机层的电性导接体(传输 电洞或传输电子)。上述说明于有机发光二极管结构1于每次进行黄光微影 制程前，使用者可透过于结构层表面蒸镀导电保护层(电洞传输辅助层17 或电子传输辅助层25)作为保护与增加导电性的功能。
请参阅图5A与图5B,其为本发明的有机发光二极管结构的制造方法的 另一步骤流程上图与下图。如图所示，于本实施方式的图示为图5A下方箭 头B1接续图5B上方箭头B1进行说明，并同时参阅图6A到图6I,其为本发 明的有机发光二极管结构的制造方法的步骤示意图一到图九。如图所示，于 本实施方式中，请参阅图6A，于步骤S1:蒸镀阳极层13于基板11。其中多 个像素界定层(PDL)111间隔设置于基板11上，阳极层13设置于基板11 上，并位于多个像素界定层(PDL)111间。于步骤S3:蒸镀电洞传输层15 于阳极层13。其中电洞传输层15覆盖于多个像素界定层111与阳极层13 上。于步骤S5:蒸镀电洞传输辅助层17(即导电保护层)于电洞传输层15。 其中电洞传输辅助层17覆盖于电洞传输层15的表面。
请参阅图6B,于本实施方式中，其开始进行黄光微影制程的步骤，于步 骤S7:涂布光阻层171于电洞传输辅助层17。于步骤S9:用光罩屏蔽光阻 层171，进行曝光。于步骤S11:显影经曝光后的光阻层171，除去部分的光 阻层171，而形成显露出部分的电洞传输辅助层17的多个色光区域173。其 中于图6B表示的光阻层171的缺口为色光区域173。本实施方式透过黄光微 影制程可一次性于光阻层171开设多个色光区域173，于此多个色光区域173蒸镀一种颜色，如此方式可大量生产制造，且黄光微影制程对于有机发光二 极管结构的图样分辨率很高。其中透过显影除去光阻后，其形成色光区域 173。
请参阅图6C，于步骤S13:蒸镀至少一发光区块19于多个色光区域173。 其中至少一发光区块19为一种颜色，其覆盖于光阻层171表面与电洞传输 辅助层17的表面。于步骤S15:蒸镀电子传输辅助层25于至少一发光区块 19。其中电子传输辅助层25覆盖于前一步骤所覆盖的至少一发光区块19上。 请参阅6D，于步骤S17:剥离光阻层171,而显露电子传输辅助层25。至少一 发光区块19与电子传输辅助层25依序堆叠于电洞传输辅助层17上，并位于相邻的像素界定层(PDL)111间。请参阅图6E与图6F，其为重复黄光微 影制程的步骤S7到S17，以形成第二种颜色的发光区块19，不再赘述。
请参阅图6G与图6H，其同样重复黄光微影制程的步骤S7到S17，以形 成最后一种颜色的发光区块1。其中电子传输辅助层25覆盖于各色光区域173的顶面，电洞传输辅助层17则覆盖于最外层的表面，换言之，电洞传输 辅助层17与电子传输辅助层25覆盖于有机发光二极管结构的最外层表面。
请参阅图6I，于步骤S19:蒸镀电子传输层21于电子传输辅助层25。 其中电子传输层21更蒸镀于电洞传输辅助层17。于步骤S21:再蒸镀阴极层 23于电子传输层21。本实施方式透过上述步骤完成有机发光二极管结构 1(如图3所示)。
另外，以图1结构为例，其相较于图5A与图5B有机发光二极管结构的 制造方法的另一步骤流程，其差异在于省略步骤S15，即省略不蒸镀电子传 输辅助层25，而直接将电子传输层21蒸镀于至少一发光区块19上。以图2 结构为例，其差异在于省略步骤S5，即省略不蒸镀电洞传输辅助层17，而 直接进行发光微影制程，而涂布光阻层于电洞传输层15上。
综上所述，本实施方式提供一种有机发光二极管结构及其制造方法，其 增加蒸镀导电保护层(即电洞传输辅助层或/及电子传输辅助层)的方式，而 去改良黄光微影制程。除了导电保护层本身材料的厚度，其可作为阻隔黄光 微影制程中所使用到的溶液、溶剂或气体等直接接触于有机发光二极管结构 的敏感性材料，作为阻隔防护功效之外，导电保护层可增加导电性，若黄光 微影制程的溶液、溶剂或气体对有机发光二极管结构的导电性造成损害，其 也因为先透过导电保护层已提高有机发光二极管结构的导电性，如此达到原先预期有机发光二极管结构的导电性。另外，导电保护层具有提高导电性的 功能，所以导电保护层的厚薄度可接受的范围较大，也不太会因为厚薄度的 问题造成导电性的影响，故，导电保护层的制程简单，方便使用者实施。
上述说明示出并描述了本发明的若干优选实施方式，但如前所述，应当 理解本发明并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施方式的排 除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述发明构想范围 内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行 的改动和变化不脱离本发明的精神和范围，则都应在本发明所附权利要求的 保护范围内。

Claims (17)

1.一种有机发光二极管结构，其特征在于，所述有机发光二极管结构包括：
基板；
阳极层，其设置于所述基板上；
电洞传输层，其设置于所述阳极层上；
电洞传输辅助层，其设置于所述电洞传输层上，并进行黄光微影制程，所述电洞传输辅助层对所述电洞传输层的表面进行保护；
至少一发光区块，其设置于所述电洞传输辅助层上，所述电洞传输辅助层电性导通于所述至少一发光区块与所述电洞传输层间；
电子传输层，其设置于所述至少一发光区块上；以及
阴极层，其设置于所述电子传输层上。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管结构，其特征在于，更包括电子传输辅助层，所述电子传输辅助层设置于所述至少一发光区块与所述电子传输层间，并进行黄光微影制程，所述电子传输辅助层对所述至少一发光区块的表面进行保护，所述电子传输辅助层电性导通于所述至少一发光区块与所述电子传输层间。
3.如权利要求2所述的有机发光二极管结构，其特征在于，所述电子传输辅助层包括有机物、金属、金属化合物或上述任选至少两种组合。
4.如权利要求3所述的有机发光二极管结构，其特征在于，所述有机物为碳氢化合物与其他含碳或氢的有机物，所述金属为锂、钠、钾、铷或铯，所述金属化合物为氟化锂、氟化钾、氟化铯、氟化钠、氟化铷、碳酸锂、碳酸钠、碳酸钾、碳酸铷或碳酸铯。
5.如权利要求1或2所述的有机发光二极管结构，其特征在于，所述电洞传输辅助层包括有机物与金属氧化物。
6.如权利要求5所述的有机发光二极管结构，其特征在于，所述有机物为碳氢化合物与其他含碳或氢的有机物，所述金属氧化物为氧化铁、氧化钨、氧化铟、氧化锡、氧化铟锡、氧化锌、氧化钛、氧化锆、氧化钼、氧化银或氧化金。
7.一种有机发光二极管结构，其特征在于，所述有机发光二极管结构包括：
基板；
阳极层，其设置于所述基板上；
电洞传输层，其设置于所述阳极层上；
至少一发光区块，其设置于所述电洞传输层上；
电子传输辅助层，其设置于所述至少一发光区块上，并进行黄光微影制程，所述电子传输辅助层对所述至少一发光区块的表面进行保护；
电子传输层，其设置于所述电子传输辅助层上，所述电子传输辅助层电性导通于所述电子传输层与所述至少一发光区块间；以及
阴极层，其设置于所述电子传输层上。
8.如权利要求7所述的有机发光二极管结构，其特征在于，更包括电洞传输辅助层，所述电洞传输辅助层设置于所述电洞传输层与所述至少一发光区块间，并进行黄光微影制程，所述电洞传输辅助层对所述电洞传输层的表面进行保护，所述电洞传输辅助层电性导通于所述至少一发光区块与所述电洞传输层间。
9.如权利要求8所述的有机发光二极管结构，其特征在于，所述电洞传输辅助层包括有机物与金属氧化物。
10.如权利要求9所述的有机发光二极管结构，其特征在于，所述有机物为碳氢化合物与其他含碳或氢的有机物，所述金属氧化物为氧化铁、氧化钨、氧化铟、氧化锡、氧化铟锡、氧化锌、氧化钛、氧化锆、氧化钼、氧化银或氧化金。
11.如权利要求7或8所述的有机发光二极管结构，其特征在于，所述电子传输辅助层包括有机物、金属、金属氧化物或上述任选至少两种组合。
12.如权利要求11所述的有机发光二极管结构，其特征在于，所述有机物为碳氢化合物与其他含碳或氢的有机物，所述金属为锂、钠、钾、铷或铯，所述金属化合物为氟化锂、氟化钾、氟化铯、氟化钠、氟化铷、碳酸锂、碳酸钠、碳酸钾、碳酸铷或碳酸铯。
13.一种有机发光二极管结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
蒸镀有机层于基板上；以及
蒸镀导电保护层于所述有机层上，并进行黄光微影制程，所述导电保护层对所述有机层的表面进行保护，所述导电保护层为所述有机层的电性导接体。
14.如权利要求13所述的有机发光二极管结构的制造方法，其特征在于，其中所述有机层包括阳极层与电洞传输层，所述导电保护层为电洞传输辅助层，其步骤更包括：
蒸镀所述阳极层于所述基板；
蒸镀所述电洞传输层于所述阳极层；
蒸镀所述电洞传输辅助层于所述电洞传输层；
涂布光阻层于所述电洞传输辅助层；
用光罩屏蔽所述光阻层，进行曝光；以及
显影经曝光后的所述光阻层，除去部分的所述光阻层，而形成显露出部分的所述电洞传输辅助层的多个色光区域。
15.如权利要求14所述的有机发光二极管结构的制造方法，其特征在于，其中所述有机层更包括至少一发光区块，所述导电保护层为电子传输辅助层，其于显影经曝光后的所述光阻层，除去部分的所述光阻层步骤之后，还包括以下步骤：
蒸镀所述至少一发光区块于所述多个色光区域；
蒸镀所述电子传输辅助层于所述至少一发光区块；以及
剥离所述光阻层，而显露所述电子传输辅助层。
16.如权利要求13所述的有机发光二极管结构的制造方法，其特征在于，其中所述有机层包括阳极层、电洞传输层、至少一发光区块，所述导电保护层为电子传输辅助层，其步骤更包括：
蒸镀所述阳极层于所述基板上；
蒸镀所述电洞传输层于所述阳极层上；
蒸镀所述至少一发光区块于所述电洞传输层上；
涂布光阻层于所述电洞传输层上；
用光罩屏蔽所述光阻层，进行曝光；
显影经曝光后的所述光阻层，除去部分的所述光阻层，而形成显露出部分的所述电洞传输层的多个色光区域；
蒸镀所述至少一发光区块于所述色光区域；
蒸镀所述电子传输辅助层于所述至少一发光区块上；以及
剥离所述光阻层，而显露所述电子传输辅助层。
17.如权利要求15或16所述的有机发光二极管结构的制造方法，其特征在于，于剥离所述光阻层，而显露所述电子传输辅助层的步骤之后，还包括以下步骤：
蒸镀电子传输层于所述电子传输辅助层上；以及
蒸镀阴极层于所述电子传输层上。
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