CN109321976A - 制备13n超高纯锗单晶的方法及设备 - Google Patents
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Abstract
一种制备13N超高纯锗单晶的方法及设备,涉及高纯半导体材料制备技术领域,尤其是一种探测器用13N超高纯度的锗单晶的制备方法和设备。本发明的制备13N超高纯锗单晶的设备,其特征在于该设备包括石英舟、石英管、区熔线圈和区熔小车,石英舟放置在石英管内,区熔线圈设至在支架上,石英管固定在支架上且位于区熔线圈之间,进气管与排气管分别设置在石英管两端,区熔小车设置在石英管下方。本发明的制备13N超高纯锗单晶的方法及设备,结构简单,设计科学,使用方便,制备出的锗锭,纯度高,能够得到13N纯度的锗单晶,满足高精探测器使用。
Description
技术领域
本发明涉及高纯半导体材料制备技术领域,尤其是一种探测器用13N超高纯度的锗单晶的制备方法和设备。
背景技术
超高纯锗单晶作为高纯锗核辐射探测器的材料,一个最重要的性能是具有电活性的净杂质浓度要小于2x1010cm。采用通常的半导体材料工艺,把从化学提纯到5-6个9纯度的材料再用常规的区熔 提纯只能到9-10个9的纯度,因为在复杂的化学环境中各种材料和器材的杂质难以避免再次掺人。因此从理论上要想达到12-13个9,只有采用物理提纯特殊工艺的区熔提纯和特殊的拉制单晶手段。
水平区熔法是电子级单晶硅生长的主要方法,产出的硅单晶纯度达到10N以上。该方法利用热能在半导体棒料的一端产生一个熔化区域,再熔接单晶籽晶,调节温度,让熔化区域缓慢地向棒料的另一端移动,通过整根棒料,生长成一根单晶,晶向与籽晶的相同。
水平区熔法制备低位错掺碲砷化稼单晶,是由中国科学院半导体研究所砷化稼单晶研 究组研制的。用通常的水平区熔法,采用接籽晶定向生长砷化稼单晶,所采用的籽晶为<100>,晶体生长速度为1-1.2厘米/小时。
现有的区熔设备,经过多年的研发完善,可以比较稳定的得到10N级别纯度的高纯度锗多晶,采用水平区熔法,并用高纯的籽晶来制备出高纯度的锗单晶。用此法制备高纯锗单晶时,可与区熔多晶提纯过程同时进行,可避免出炉后二次装料过程及直拉单晶炉的二次污染。
通常在晶体提纯领域,10N表示该晶体纯度达到99.99999999%,而13N则表示纯度为99.99999999999%。
发明内容
本发明所要解决的就是现有区熔设备不能满足13N超高纯晶体制备的问题,提供一种制备纯度高,制备过程简便的制备13N超高纯锗单晶的方法及设备。
本发明的制备13N超高纯锗单晶的设备,其特征在于该设备包括石英舟、石英管、区熔线圈和区熔小车,石英舟放置在石英管内,区熔线圈设至在支架上,石英管固定在支架上且位于区熔线圈之间,进气管与排气管分别设置在石英管两端,区熔小车设置在石英管下方。
所述的石英舟包含籽晶段、变径段以及等径段,籽晶段、变径段以及等径段顺序连接,变径段呈锥状为45°;变径段的尾部为封闭状;籽晶段内径为15mm,长度为50mm;变径段长度为30mm;等径段内径为60mm,长度为400mm,等径段顶部设置有一开口。
制备13N超高纯锗单晶的方法,其特征在于该方法在上述设备中进行制备,具体步骤如下:
1)操作前准备
(1)金属锗料清洗:配置浸泡溶液,将金属锗料放入浸泡溶液中浸泡3-5分钟,浸泡溶液漫过金属锗料,取出并用去离子水反复冲洗至少5次,浸泡溶液用电子级HNO3和HF以体积比3:1进行混合得到;再将金属锗料放入清洁溶液中浸泡5分钟,浸泡时,清洁溶液漫过金属锗料取出后用去离子水反复冲洗至少5次;清洁溶液用电子级HCL、H2O2和H2O按体积比1:1:4进行混合得到;最后用甲醇喷淋金属锗料,进行脱水,去除金属锗料表面水分,之后放入超净工作台里使用浴霸灯进行烘干处理,烘干30分钟;
(2)石英管清洁:在腐蚀间内,用上述浸泡溶液清洗石英管内壁2分钟,再用去离子水冲洗5次,用电子级甲醇喷淋脱水,去除石英管内、外表面的水分,最后用纯度为99.999%且经过纯化器净化的高纯氮气吹干10分钟,放入在超净工作台里静置待用;
(3)石英舟清洁:在腐蚀间内,用清洗溶液浸泡石英舟15分钟,期间清洗溶液漫过石英舟,取出后用去离子水反复清洗5次,然后用甲醇喷淋,进行脱水,最后用高纯氮气吹干,至石英舟表面无水渍,清洗溶液用电子级H2O2和HCL按体积比1:3混合得到,放入超净工作台待用;
(4)石英舟镀层:在超净工作台中,用三层同心管从内至外分别通入硅氢混合气、氧气和氩气,点燃硅氢混合气,使火焰附着在石英舟表面,在石英舟表面涂上一层无晶形硅层,氧气纯度为99.9999%,氩气纯度为99.999%,硅氢混合气为硅烷和氢气混合,其中硅烷为5%;
(5)装舟:在超净工作台内将清洗好的金属锗料放入石英舟内,放入时避免损坏镀层,石英舟放入石英管内,并将石英管两端用无尘纸封住;
(6)封管:石英管放入区熔线圈里,再用石英封装的石墨环套在石英管上置于区熔线圈和进气端之间,取走石英管头部的无尘纸,封上石英管头部,取走石英管尾部的无尘纸,封上石英管尾部;
(7)区熔系统抽真空,真空度≤2.0×10-3Pa时,通入纯度为99.999%的氢气,通过流量计控制,先将流量计从0调至0.5L/min,保持3分钟,后调至1.0L/min,保持5分钟,再调至2.0L/min,待压力表数值为-1刻度时,将流量计调至1.0L/min,直至压力表数值达到0刻度线时,打开排气阀,氢气流量为0.5L/min,吹扫20分钟;
2)制备方法
区熔提纯及水平单晶生长:用纯度为99.999%的氢气吹扫20分钟,吹扫5分钟后,高频炉灯丝预热15分钟,流量计流量调至0.5L/min,开高频炉高压,调节输出的高压为4-5Kv,用石英封装的石墨作为料的预热器,根据锗料的熔区情况,调节高压调节器,使熔区达到最佳效果;在晶体生长过程中,通过高频感应加热器,在区熔锗锭上得到一个熔化区,启动区熔小车,向籽晶方向移动,直至已熔固体与籽晶端面相熔为止,停留5-10分钟,使籽晶与熔体完全相熔接;启动移动小车,向未熔固体方向移动,从而达到晶体生长的目的;熔化区宽度为3cm以下,且熔区固液界面平齐,流量计流量0.5L/min,区熔小车的速度为1mm/min。
检测结果:将得到的锗单晶锭去头尾,取单晶片做成样片,在液氮温度下做霍尔检测,得出锗单晶片的载流子浓度及导电类型;测试结果表明,高纯锗单晶材料为载流子浓度为1010cm-3量级的P型锗材料;由于受水平法区熔石英舟的限制,得到的锗单晶锭直径近似于30mm、长度为100mm的半圆形锗锭。
本发明的制备13N超高纯锗单晶的方法及设备,结构简单,设计科学,使用方便,制备出的锗锭,纯度高,能够得到13N纯度的锗单晶,满足高精探测器使用。
附图说明
图1为制备13N超高纯锗单晶设备结构示意图。
图2为石英舟结构示意图。
其中,石英舟1、石英管2,区熔线圈3,区熔小车4,支架5,籽晶段6,变径段7,等径段8。
具体实施方式
实施例1:一种制备13N超高纯锗单晶的设备,包括石英舟1、石英管2、区熔线圈3和区熔小车4,石英舟1放置在石英管2内,区熔线圈3设至在支架5上,石英管2固定在支架5上且位于区熔线圈3之间,进气管与排气管分别设置在石英管2两端,区熔小车4设置在石英管2下方。
石英舟1包含籽晶段6、变径段7以及等径段8,籽晶段6、变径段7以及等径段8顺序连接,变径段7呈锥状为45°;变径段7的尾部为封闭状;籽晶段6内径为15mm,长度为50mm;变径段7长度为30mm;等径段8内径为60mm,长度为400mm,等径段8顶部设置有一开口。
制备13N超高纯锗单晶的方法,在上述设备中进行制备,具体步骤如下:
1)操作前准备
(1)金属锗料清洗:配置浸泡溶液,将金属锗料放入浸泡溶液中浸泡3-5分钟,浸泡溶液漫过金属锗料,取出并用去离子水反复冲洗至少5次,浸泡溶液用电子级HNO3和HF以体积比3:1进行混合得到;再将金属锗料放入清洁溶液中浸泡5分钟,浸泡时,清洁溶液漫过金属锗料取出后用去离子水反复冲洗至少5次;清洁溶液用电子级HCL、H2O2和H2O按体积比1:1:4进行混合得到;最后用甲醇喷淋金属锗料,进行脱水,去除金属锗料表面水分,之后放入超净工作台里使用浴霸灯进行烘干处理,烘干30分钟;
(2)石英管2清洁:在腐蚀间内,用上述浸泡溶液清洗石英管2内壁2分钟,再用去离子水冲洗5次,用电子级甲醇喷淋脱水,去除石英管2内、外表面的水分,最后用纯度为99.999%且经过纯化器净化的高纯氮气吹干10分钟,放入在超净工作台里静置待用;
(3)石英舟1清洁:在腐蚀间内,用清洗溶液浸泡石英舟115分钟,期间清洗溶液漫过石英舟1,取出后用去离子水反复清洗5次,然后用甲醇喷淋,进行脱水,最后用高纯氮气吹干,至石英舟1表面无水渍,清洗溶液用电子级H2O2和HCL按体积比1:3混合得到,放入超净工作台待用;
(4)石英舟1镀层:在超净工作台中,用三层同心管从内至外分别通入硅氢混合气、氧气和氩气,点燃硅氢混合气,使火焰附着在石英舟1表面,在石英舟1表面涂上一层无晶形硅层,氧气纯度为99.9999%,氩气纯度为99.999%,硅氢混合气为硅烷和氢气混合,其中硅烷为5%;
(5)装舟:在超净工作台内将清洗好的金属锗料放入石英舟1内,放入时避免损坏镀层,石英舟1放入石英管2内,并将石英管2两端用无尘纸封住;
(6)封管:石英管2放入区熔线圈3里,再用石英封装的石墨环套在石英管2上置于区熔线圈3和进气端之间,取走石英管2头部的无尘纸,封上石英管2头部,取走石英管2尾部的无尘纸,封上石英管2尾部;
(7)区熔系统抽真空,真空度≤2.0×10-3Pa时,通入纯度为99.999%的氢气,通过流量计控制,先将流量计从0调至0.5L/min,保持3分钟,后调至1.0L/min,保持5分钟,再调至2.0L/min,待压力表数值为-1刻度时,将流量计调至1.0L/min,直至压力表数值达到0刻度线时,打开排气阀,氢气流量为0.5L/min,吹扫20分钟;
2)制备方法
区熔提纯及水平单晶生长:用纯度为99.999%的氢气吹扫20分钟,吹扫5分钟后,高频炉灯丝预热15分钟,流量计流量调至0.5L/min,开高频炉高压,调节输出的高压为4-5Kv,用石英封装的石墨作为料的预热器,根据锗料的熔区情况,调节高压调节器,使熔区达到最佳效果;在晶体生长过程中,通过高频感应加热器,在区熔锗锭上得到一个熔化区,启动区熔小车4,向籽晶方向移动,直至已熔固体与籽晶端面相熔为止,停留5-10分钟,使籽晶与熔体完全相熔接;启动移动小车,向未熔固体方向移动,从而达到晶体生长的目的;熔化区宽度为3cm以下,且熔区固液界面平齐,流量计流量0.5L/min,区熔小车4的速度为1mm/min。
Claims (3)
1.一种制备13N超高纯锗单晶的设备,其特征在于该设备包括石英舟(1)、石英管(2)、区熔线圈(3)和区熔小车(4),石英舟(1)放置在石英管(2)内,区熔线圈(3)设至在支架(5)上,石英管(2)固定在支架(5)上且位于区熔线圈(3)之间,进气管与排气管分别设置在石英管(2)两端,区熔小车(4)设置在石英管(2)下方。
2.如权利要求1所述的制备13N超高纯锗单晶的设备,其特征在于所述的石英舟(1)包含籽晶段(6)、变径段(7)以及等径段(8),籽晶段(6)、变径段(7)以及等径段(8)顺序连接,变径段(7)呈锥状为45°;变径段(7)的尾部为封闭状;籽晶段(6)内径为15mm,长度为50mm;变径段(7)长度为30mm;等径段(8)内径为60mm,长度为400mm,等径段(8)顶部设置有一开口。
3.一种制备13N超高纯锗单晶的方法,其特征在于该方法在上述设备中进行制备,具体步骤如下:
1)操作前准备
(1)金属锗料清洗:配置浸泡溶液,将金属锗料放入浸泡溶液中浸泡3-5分钟,浸泡溶液漫过金属锗料,取出并用去离子水反复冲洗至少5次,浸泡溶液用电子级HNO3和HF以体积比3:1进行混合得到;再将金属锗料放入清洁溶液中浸泡5分钟,浸泡时,清洁溶液漫过金属锗料取出后用去离子水反复冲洗至少5次;清洁溶液用电子级HCL、H2O2和H2O按体积比1:1:4进行混合得到;最后用甲醇喷淋金属锗料,进行脱水,去除金属锗料表面水分,之后放入超净工作台里使用浴霸灯进行烘干处理,烘干30分钟;
(2)石英管(2)清洁:在腐蚀间内,用上述浸泡溶液清洗石英管(2)内壁2分钟,再用去离子水冲洗5次,用电子级甲醇喷淋脱水,去除石英管(2)内、外表面的水分,最后用纯度为99.999%且经过纯化器净化的高纯氮气吹干10分钟,放入在超净工作台里静置待用;
(3)石英舟(1)清洁:在腐蚀间内,用清洗溶液浸泡石英舟(1)15分钟,期间清洗溶液漫过石英舟(1),取出后用去离子水反复清洗5次,然后用甲醇喷淋,进行脱水,最后用高纯氮气吹干,至石英舟(1)表面无水渍,清洗溶液用电子级H2O2和HCL按体积比1:3混合得到,放入超净工作台待用;
(4)石英舟(1)镀层:在超净工作台中,用三层同心管从内至外分别通入硅氢混合气、氧气和氩气,点燃硅氢混合气,使火焰附着在石英舟(1)表面,在石英舟(1)表面涂上一层无晶形硅层,氧气纯度为99.9999%,氩气纯度为99.999%,硅氢混合气为硅烷和氢气混合,其中硅烷为5%;
(5)装舟:在超净工作台内将清洗好的金属锗料放入石英舟(1)内,放入时避免损坏镀层,石英舟(1)放入石英管(2)内,并将石英管(2)两端用无尘纸封住;
(6)封管:石英管(2)放入区熔线圈(3)里,再用石英封装的石墨环套在石英管(2)上置于区熔线圈(3)和进气端之间,取走石英管(2)头部的无尘纸,封上石英管(2)头部,取走石英管(2)尾部的无尘纸,封上石英管(2)尾部;
(7)区熔系统抽真空,真空度≤2.0×10-3Pa时,通入纯度为99.999%的氢气,通过流量计控制,先将流量计从0调至0.5L/min,保持3分钟,后调至1.0L/min,保持5分钟,再调至2.0L/min,待压力表数值为-1刻度时,将流量计调至1.0L/min,直至压力表数值达到0刻度线时,打开排气阀,氢气流量为0.5L/min,吹扫20分钟;
2)制备方法
区熔提纯及水平单晶生长:用纯度为99.999%的氢气吹扫20分钟,吹扫5分钟后,高频炉灯丝预热15分钟,流量计流量调至0.5L/min,开高频炉高压,调节输出的高压为4-5Kv,用石英封装的石墨作为料的预热器,根据锗料的熔区情况,调节高压调节器,使熔区达到最佳效果;在晶体生长过程中,通过高频感应加热器,在区熔锗锭上得到一个熔化区,启动区熔小车(4),向籽晶方向移动,直至已熔固体与籽晶端面相熔为止,停留5-10分钟,使籽晶与熔体完全相熔接;启动移动小车,向未熔固体方向移动,从而达到晶体生长的目的;熔化区宽度为3cm以下,且熔区固液界面平齐,流量计流量0.5L/min,区熔小车(4)的速度为1mm/min。
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CN (1) | CN109321976A (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110303164A (zh) * | 2019-06-26 | 2019-10-08 | 有研光电新材料有限责任公司 | 球形锗颗粒的制备装置及制备方法 |
CN113699591A (zh) * | 2021-08-31 | 2021-11-26 | 安徽光智科技有限公司 | 超高纯锗单晶的制备方法 |
CN113774489A (zh) * | 2021-07-30 | 2021-12-10 | 合肥天曜新材料科技有限公司 | 一种磷化铟单晶的生长装置及生长方法 |
CN115572982A (zh) * | 2022-10-19 | 2023-01-06 | 安徽光智科技有限公司 | 锗锭表面处理方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4165249A (en) * | 1976-02-26 | 1979-08-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Method of purifying germanium bodies |
CN201942732U (zh) * | 2010-11-23 | 2011-08-24 | 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 | 锗区熔提纯设备 |
CN102206858A (zh) * | 2011-06-30 | 2011-10-05 | 白尔隽 | 高纯锗多晶制备工艺及专用设备 |
-
2018
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4165249A (en) * | 1976-02-26 | 1979-08-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Method of purifying germanium bodies |
CN201942732U (zh) * | 2010-11-23 | 2011-08-24 | 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 | 锗区熔提纯设备 |
CN102206858A (zh) * | 2011-06-30 | 2011-10-05 | 白尔隽 | 高纯锗多晶制备工艺及专用设备 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
蔡枢等: "《大学物理:当代物理前沿专题部分》", 30 June 1996 * |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110303164A (zh) * | 2019-06-26 | 2019-10-08 | 有研光电新材料有限责任公司 | 球形锗颗粒的制备装置及制备方法 |
CN113774489A (zh) * | 2021-07-30 | 2021-12-10 | 合肥天曜新材料科技有限公司 | 一种磷化铟单晶的生长装置及生长方法 |
CN113699591A (zh) * | 2021-08-31 | 2021-11-26 | 安徽光智科技有限公司 | 超高纯锗单晶的制备方法 |
CN115572982A (zh) * | 2022-10-19 | 2023-01-06 | 安徽光智科技有限公司 | 锗锭表面处理方法 |
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