CN109943889A - 超高纯度锗多晶的制备方法 - Google Patents
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Abstract
超高纯度锗多晶的制备方法,提供一种通过多次区熔,有效提高锗多晶纯度的锗多晶超高纯度的制备方法。本发明的制备方法应用于锗多晶制备装置,该制备装置包括石英舟、石英管、区熔线圈、支架、进气管、排气管以及区熔小车,石英舟放置在石英管内,区熔线圈设置在支架上,石英管固定在支架上且位于区熔线圈之间,进气管与排气管分别设置在石英管两端,区熔小车设置在石英管下方,石英舟内表面上涂有硅烟涂层,区熔线圈采用直径为12mm的紫铜管绕制成内三圈、外两圈的线圈,区熔线圈宽度为3cm。本发明通过新型的锗多晶制备装置进行区熔提纯,经过反复区熔提纯后,得到的高纯锗多晶纯度比较稳定,有效提高了锗多晶纯度。
Description
技术领域
本发明涉及锗多晶的制备,尤其是一种通过多次区熔,有效提高锗多晶纯度的锗多晶超高纯度的制备方法。
背景技术
锗可作为半导体材料,广泛应用于制造二极管、三极管和集成电路,锗也可以制作红外光学器件和太阳能电池。作为高纯锗核辐射探测器的材料,一个最重要的性能是具有电活性的净杂质浓度要小于2x1010cm-3。采用通常的半导体材料工艺,把从化学提纯到5-6个9纯度的材料再用常规的区熔提纯只能达到9-10个9的纯度,因为在复杂的化学环境中各种材料和器材的杂质难以避免再次掺人。因此从理论上要想达到12-13个9 ,只有采用物理提纯和特殊工艺的区熔提纯手段。区熔提纯是一种在正常凝固基础上发展起来的技术。它利用液态物质当其凝固时液相杂质浓度的不同,最终将杂质集中到凝固状态时的前部和后部 (这称为分凝现象),从而使其中间部分达到提纯的目的。
区域熔炼提纯是深度纯化锗的有效方法,通过此方法,可以获得99.9999999999%(13N)以上纯的超纯锗。当锗晶体与熔化物平衡时,杂质的分配系数值远离1,说明区域熔炼是纯化锗的一个好方法,但是,锗的区域熔炼是高温过程,锗与仪器材料和气体介质的相互作用限制了纯化的深度,在无法对仪器和气体介质进行颠覆式改变前,唯有调整区熔方式,才能有效提高锗多晶的纯度,但现有的区熔方式,并不能有效提高锗多晶的纯度。
发明内容
本发明所要解决的就是在现有仪器和气体介质前提下,所采用的区熔方式不能有效提高锗多晶纯度的问题,提供一种通过多次区熔,有效提高锗多晶纯度的锗多晶超高纯度的制备方法。
本发明的锗多晶超高纯度的制备方法,其特征在于该制备方法应用于锗多晶制备装置,该制备装置包括石英舟、石英管、区熔线圈、支架、进气管、排气管以及区熔小车,石英舟放置在石英管内,区熔线圈设置在支架上,石英管固定在支架上且位于区熔线圈之间,进气管与排气管分别设置在石英管两端,区熔小车设置在石英管下方,石英舟内表面上涂有硅烟涂层,区熔线圈采用直径为12mm的紫铜管绕制成内三圈、外两圈的线圈,区熔线圈宽度为3cm;具体制备方法如下:
一、区熔前准备
1、石英管清洗:超净工作台里用电子级HNO3和HF以体积比3:1配置清洗溶液,用清洗溶液清洗石英管1-3分钟,然后用去离子水冲洗至少5次,用电子级甲醇喷淋进行脱水,去除石英管内、外表面的水分,最后用纯度为99.999%且经过纯化器净化的高纯氮气吹干,至石英舟表面无水渍;
2、石英舟清洗:在腐蚀间用电子级H2O2和HCL以体积比1:3配置清洁溶液,用清洁溶液清洗石英舟5-10分钟,之后用去离子水冲洗至少5次,然后用甲醇喷淋脱水,去除石英舟表面水分,最后放入超净工作台里使用浴霸灯进行烘干处理,烘干30分钟;
3、石英舟镀硅:在超净工作台中,用三层同心管从内至外分别通入硅氢混合气、氧气和氩气,点燃硅氢混合气,使火焰附着在石英舟表面,在石英舟表面涂上一层无晶形硅层,氧气纯度为99.9999%,氩气纯度为99.999%,硅氢混合气为硅烷和氢气混合,其中硅烷为5%;
4、锗料清洗:用上述清洗溶液浸泡锗料3-5分钟,浸泡时,清洗溶液漫过锗料,然后用去离子水反复冲洗锗料至少5次;再用电子级HCL、H2O2和H2O以体积比1:1:4混合后浸泡锗料5分钟,浸泡时,溶液漫过锗料;再用去离子水反复冲洗锗料至少5次;最后用甲醇喷淋脱水,去除锗料表面的水分,最后放入超净工作台里使用浴霸灯进行烘干处理,烘干30分钟;
5、装舟:清洗好的锗料放入石英舟,轻放以避免损坏镀层,然后将石英舟放入石英管,并将石英管两端用无尘纸封住;
6、石英管封装:石英管放入区熔小车的线圈里,两端固定,石英封装的石墨加热环套在石英管上置于线圈和进气端之间,取走石英管头部的无尘纸,封上石英管头部,取走石英管尾部的无尘纸,封上石英管尾部;
7、抽系统真空:利用真空泵抽真空,待石英管内真空度≤5Pa时,打开分子泵,直至真空度≤5.0×10-3Pa;
8、通高纯氢气:当真空度≤5.0×10-3Pa时,通过流量计控制,将流量计从0调至0.5L/min,利用压力表读取石英管内气压压力,当压力表数值到达0刻线中间时,打开排气阀,利用氢气吹扫20分钟;
二、区熔过程
先用纯度为99.999%的氢气吹扫30分钟,高频炉灯丝预热15分钟,启动高压前,流量计流量调至0.3L/min,启动高压后,调节输出的高压为4-5KV,用感应加热环作为锗料的预热器;通过调节高压输出,调节熔区宽度为3cm-4cm,且固液交界面平齐;
1、第一次区熔:第一次的第一趟区熔,流量计流量为0.3L/min,区熔小车的速度为5mm/min,高频炉的输出高压为5KV左右;开始第二趟区熔后,将流量计流量调低至0.1L/min,区熔小车的速度为2mm/min,高频炉的输出高压调至4.4KV;按第二趟的条件反复区熔至15趟;
2、第二次区熔:将第一次区熔15趟后的锗多晶出炉,并对区熔锗锭头尾进行切除,区熔锗锭头端切除50mm,区熔锗锭尾端切除120mm,重复区熔前准备,完成后再重复第一次的区熔过程;
3、第三次区熔:将第二次区熔15趟后锗多晶出炉,并对区熔锗锭头尾再次进行切除,区熔锗锭头端切除50mm,区熔锗锭尾端切除120mm,重复区熔前准备,完成后再重复第一次区熔过程;
4、经过三次区熔以后,区熔次数达到45次,即完成超高纯度的锗多晶制备;
三、检测结果
经过这种反复区熔提纯后的锗多晶锭,去头尾后,每隔45mm切片,经过腐蚀,取多晶片中的小单晶颗粒做成样片,在液氮温度下,做低温霍尔检测,得出单晶晶粒的载流子浓度及导电类型,其载流子浓度能达到13N的比例有大幅提升,并且得到的高纯锗多晶纯度比较稳定。
本发明的超高纯度锗多晶的制备方法,通过新型的锗多晶制备装置进行区熔提纯,经过反复区熔提纯后,得到的高纯锗多晶纯度比较稳定,其载流子浓度能达到13N的比例有大幅提升,有效提高了锗多晶纯度。
附图说明
图1为锗多晶制备装置结构示意图。
图2为区熔锗锭头尾切除示意图。
图3为CS-Q-3号区熔锗锭的载流子浓度的测量值的对数折线分布图。
其中,石英舟1,石英管2,区熔线圈3,支架4,进气管5,排气管6,区熔小车7。
具体实施方式
实施例1:一种锗多晶超高纯度的制备方法,应用于锗多晶制备装置,该制备装置包括石英舟1、石英管2、区熔线圈3、支架4、进气管5、排气管6以及区熔小车7,石英舟1放置在石英管2内,区熔线圈3设置在支架4上,石英管2固定在支架4上且位于区熔线圈3之间,进气管5与排气管6分别设置在石英管2两端,区熔小车7设置在石英管2下方,石英舟1内表面上涂有硅烟涂层,区熔线圈3采用直径为12mm的紫铜管绕制成内三圈、外两圈的线圈,区熔线圈3宽度为3cm;具体制备方法如下:
一、区熔前准备
1、石英管2清洗:超净工作台里用电子级HNO3和HF以体积比3:1配置清洗溶液,用清洗溶液清洗石英管21-3分钟,然后用去离子水冲洗至少5次,用电子级甲醇喷淋进行脱水,去除石英管2内、外表面的水分,最后用纯度为99.999%且经过纯化器净化的高纯氮气吹干,至石英舟1表面无水渍;
2、石英舟1清洗:在腐蚀间用电子级H2O2和HCL以体积比1:3配置清洁溶液,用清洁溶液清洗石英舟15-10分钟,之后用去离子水冲洗至少5次,然后用甲醇喷淋脱水,去除石英舟1表面水分,最后放入超净工作台里使用浴霸灯进行烘干处理,烘干30分钟;
3、石英舟1镀硅:在超净工作台中,用三层同心管从内至外分别通入硅氢混合气、氧气和氩气,点燃硅氢混合气,使火焰附着在石英舟1表面,在石英舟1表面涂上一层无晶形硅层,氧气纯度为99.9999%,氩气纯度为99.999%,硅氢混合气为硅烷和氢气混合,其中硅烷为5%;
4、锗料清洗:用上述清洗溶液浸泡锗料3-5分钟,浸泡时,清洗溶液漫过锗料,然后用去离子水反复冲洗锗料至少5次;再用电子级HCL、H2O2和H2O以体积比1:1:4混合后浸泡锗料5分钟,浸泡时,溶液漫过锗料;再用去离子水反复冲洗锗料至少5次;最后用甲醇喷淋脱水,去除锗料表面的水分,最后放入超净工作台里使用浴霸灯进行烘干处理,烘干30分钟;
5、装舟:清洗好的锗料放入石英舟1,轻放以避免损坏镀层,然后将石英舟1放入石英管2,并将石英管2两端用无尘纸封住;
6、石英管2封装:石英管2放入区熔小车7的线圈里,两端固定,石英封装的石墨加热环套在石英管2上置于线圈和进气端之间,取走石英管2头部的无尘纸,封上石英管2头部,取走石英管2尾部的无尘纸,封上石英管2尾部;
8、抽系统真空:利用真空泵抽真空,待石英管2内真空度≤5Pa时,打开分子泵,直至真空度≤5.0×10-3Pa;
9、通高纯氢气:当真空度≤5.0×10-3Pa时,通过流量计控制,将流量计从0调至0.5L/min,利用压力表读取石英管2内气压压力,当压力表数值到达0刻线中间时,打开排气阀,利用氢气吹扫20分钟;
二、区熔过程
先用纯度为99.999%的氢气吹扫30分钟,高频炉灯丝预热15分钟,启动高压前,流量计流量调至0.3L/min,启动高压后,调节输出的高压为4-5KV,用感应加热环作为锗料的预热器;通过调节高压输出,调节熔区宽度为3cm-4cm,且固液交界面平齐;
1、第一次区熔:第一次的第一趟区熔,流量计流量为0.3L/min,区熔小车7的速度为5mm/min,高频炉的输出高压为5KV左右;开始第二趟区熔后,将流量计流量调低至0.1L/min,区熔小车7的速度为2mm/min,高频炉的输出高压调至4.4KV;按第二趟的条件反复区熔至15趟;
2、第二次区熔:将第一次区熔15趟后的锗多晶出炉,并对区熔锗锭头尾进行切除,区熔锗锭头端切除50mm,区熔锗锭尾端切除120mm,重复区熔前准备,完成后再重复第一次的区熔过程;
3、第三次区熔:将第二次区熔15趟后锗多晶出炉,并对区熔锗锭头尾再次进行切除,区熔锗锭头端切除50mm,区熔锗锭尾端切除120mm,重复区熔前准备,完成后再重复第一次区熔过程;
4、经过三次区熔以后,区熔次数达到45次,即完成超高纯度的锗多晶制备;
三、检测结果
经过这种反复区熔提纯后的锗多晶锭,去头尾后,每隔45mm切片,经过腐蚀,取多晶片中的小单晶颗粒做成样片,在液氮温度下,做低温霍尔检测,得出单晶晶粒的载流子浓度及导电类型,其载流子浓度能达到13N的比例有大幅提升,并且得到的高纯锗多晶纯度比较稳定。
Claims (1)
1.一种锗多晶超高纯度的制备方法,其特征在于该制备方法应用于锗多晶制备装置,该制备装置包括石英舟(1)、石英管(2)、区熔线圈(3)、支架(4)、进气管(5)、排气管(6)以及区熔小车(7),石英舟(1)放置在石英管(2)内,区熔线圈(3)设置在支架(4)上,石英管(2)固定在支架(4)上且位于区熔线圈(3)之间,进气管(5)与排气管(6)分别设置在石英管(2)两端,区熔小车(7)设置在石英管(2)下方,石英舟(1)内表面上涂有硅烟涂层,区熔线圈(3)采用直径为12mm的紫铜管绕制成内三圈、外两圈的线圈,区熔线圈(3)宽度为3cm;具体制备方法如下:
一、区熔前准备
1)、石英管(2)清洗:超净工作台里用电子级HNO3和HF以体积比3:1配置清洗溶液,用清洗溶液清洗石英管(2)1-3分钟,然后用去离子水冲洗至少5次,用电子级甲醇喷淋进行脱水,去除石英管(2)内、外表面的水分,最后用纯度为99.999%且经过纯化器净化的高纯氮气吹干,至石英舟(1)表面无水渍;
2)、石英舟(1)清洗:在腐蚀间用电子级H2O2和HCL以体积比1:3配置清洁溶液,用清洁溶液清洗石英舟(1)5-10分钟,之后用去离子水冲洗至少5次,然后用甲醇喷淋脱水,去除石英舟(1)表面水分,最后放入超净工作台里使用浴霸灯进行烘干处理,烘干30分钟;
3)、石英舟(1)镀硅:在超净工作台中,用三层同心管从内至外分别通入硅氢混合气、氧气和氩气,点燃硅氢混合气,使火焰附着在石英舟(1)表面,在石英舟(1)表面涂上一层无晶形硅层,氧气纯度为99.9999%,氩气纯度为99.999%,硅氢混合气为硅烷和氢气混合,其中硅烷为5%;
4)、锗料清洗:用上述清洗溶液浸泡锗料3-5分钟,浸泡时,清洗溶液漫过锗料,然后用去离子水反复冲洗锗料至少5次;再用电子级HCL、H2O2和H2O以体积比1:1:4混合后浸泡锗料5分钟,浸泡时,溶液漫过锗料;再用去离子水反复冲洗锗料至少5次;最后用甲醇喷淋脱水,去除锗料表面的水分,最后放入超净工作台里使用浴霸灯进行烘干处理,烘干30分钟;
5)、装舟:清洗好的锗料放入石英舟(1),轻放以避免损坏镀层,然后将石英舟(1)放入石英管(2),并将石英管(2)两端用无尘纸封住;
6)、石英管(2)封装:石英管(2)放入区熔小车(7)的线圈里,两端固定,石英封装的石墨加热环套在石英管(2)上置于线圈和进气端之间,取走石英管(2)头部的无尘纸,封上石英管(2)头部,取走石英管(2)尾部的无尘纸,封上石英管(2)尾部;
8)、抽系统真空:利用真空泵抽真空,待石英管(2)内真空度≤5Pa时,打开分子泵,直至真空度≤5.0×10-3Pa;
9)、通高纯氢气:当真空度≤5.0×10-3 Pa时,通过流量计控制,将流量计从0调至0.5L/min,利用压力表读取石英管(2)内气压压力,当压力表数值到达0刻线中间时,打开排气阀,利用氢气吹扫20分钟;
二、区熔过程
先用纯度为99.999%的氢气吹扫30分钟,高频炉灯丝预热15分钟,启动高压前,流量计流量调至0.3L/min,启动高压后,调节输出的高压为4-5KV,用感应加热环作为锗料的预热器;通过调节高压输出,调节熔区宽度为3cm-4cm,且固液交界面平齐;
1)、第一次区熔:第一次的第一趟区熔,流量计流量为0.3L/min,区熔小车(7)的速度为5mm/min,高频炉的输出高压为5KV左右;开始第二趟区熔后,将流量计流量调低至0.1L/min,区熔小车(7)的速度为2mm/min,高频炉的输出高压调至4.4KV;按第二趟的条件反复区熔至15趟;
2)、第二次区熔:将第一次区熔15趟后的锗多晶出炉,并对区熔锗锭头尾进行切除,区熔锗锭头端切除50mm,区熔锗锭尾端切除120mm,重复区熔前准备,完成后再重复第一次的区熔过程;
3)、第三次区熔:将第二次区熔15趟后锗多晶出炉,并对区熔锗锭头尾再次进行切除,区熔锗锭头端切除50mm,区熔锗锭尾端切除120mm,重复区熔前准备,完成后再重复第一次区熔过程;
4)、经过三次区熔以后,区熔次数达到45次,即完成超高纯度的锗多晶制备。
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