CN109317160B - 一种半导体异质结光催化材料及其制备方法和应用 - Google Patents
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- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 title claims abstract description 54
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 35
- 238000013033 photocatalytic degradation reaction Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000010842 industrial wastewater Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims description 72
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 44
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 44
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 38
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 36
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 34
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 24
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 21
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 19
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 19
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 19
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 17
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 claims description 16
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 15
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 claims description 15
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 15
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 13
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- 229910003893 H2WO4 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011609 ammonium molybdate Substances 0.000 claims description 10
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 10
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 10
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 9
- 229910001453 nickel ion Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910001414 potassium ion Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 9
- -1 tungsten ion Chemical class 0.000 claims description 9
- NPYPAHLBTDXSSS-UHFFFAOYSA-N Potassium ion Chemical compound [K+] NPYPAHLBTDXSSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- APUPEJJSWDHEBO-UHFFFAOYSA-P ammonium molybdate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-][Mo]([O-])(=O)=O APUPEJJSWDHEBO-UHFFFAOYSA-P 0.000 claims description 8
- 235000018660 ammonium molybdate Nutrition 0.000 claims description 8
- 229940010552 ammonium molybdate Drugs 0.000 claims description 8
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Inorganic materials [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000005303 weighing Methods 0.000 claims description 7
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 6
- CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N potassium oxide Chemical compound [O-2].[K+].[K+] CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims description 5
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 claims description 5
- KBJMLQFLOWQJNF-UHFFFAOYSA-N nickel(ii) nitrate Chemical compound [Ni+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O KBJMLQFLOWQJNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- CMPGARWFYBADJI-UHFFFAOYSA-L tungstic acid Chemical compound O[W](O)(=O)=O CMPGARWFYBADJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 4
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001950 potassium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 3
- 239000012856 weighed raw material Substances 0.000 claims description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Inorganic materials O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BFDHFSHZJLFAMC-UHFFFAOYSA-L nickel(ii) hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ni+2] BFDHFSHZJLFAMC-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004323 potassium nitrate Substances 0.000 claims description 2
- PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N tungstate Chemical compound [O-][W]([O-])(=O)=O PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 claims 4
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 abstract description 5
- 239000002957 persistent organic pollutant Substances 0.000 abstract description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 27
- CXKWCBBOMKCUKX-UHFFFAOYSA-M methylene blue Chemical compound [Cl-].C1=CC(N(C)C)=CC2=[S+]C3=CC(N(C)C)=CC=C3N=C21 CXKWCBBOMKCUKX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 14
- 229960000907 methylthioninium chloride Drugs 0.000 description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 7
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 description 7
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000007146 photocatalysis Methods 0.000 description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 4
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 4
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 238000002371 ultraviolet--visible spectrum Methods 0.000 description 4
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 description 3
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000282414 Homo sapiens Species 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000013032 photocatalytic reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 2
- FVIGODVHAVLZOO-UHFFFAOYSA-N Dixanthogen Chemical compound CCOC(=S)SSC(=S)OCC FVIGODVHAVLZOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001125671 Eretmochelys imbricata Species 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 150000004074 biphenyls Chemical class 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910017053 inorganic salt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 1
- 230000004083 survival effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000870 ultraviolet spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
- B01J23/70—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of the iron group metals or copper
- B01J23/76—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of the iron group metals or copper combined with metals, oxides or hydroxides provided for in groups B01J23/02 - B01J23/36
- B01J23/84—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of the iron group metals or copper combined with metals, oxides or hydroxides provided for in groups B01J23/02 - B01J23/36 with arsenic, antimony, bismuth, vanadium, niobium, tantalum, polonium, chromium, molybdenum, tungsten, manganese, technetium or rhenium
- B01J23/85—Chromium, molybdenum or tungsten
- B01J23/888—Tungsten
- B01J23/8885—Tungsten containing also molybdenum
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J35/00—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties
- B01J35/30—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties characterised by their physical properties
- B01J35/39—Photocatalytic properties
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
- C02F1/30—Treatment of water, waste water, or sewage by irradiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F2101/00—Nature of the contaminant
- C02F2101/30—Organic compounds
- C02F2101/308—Dyes; Colorants; Fluorescent agents
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Catalysts (AREA)
Abstract
本发明公开了一种半导体异质结光催化材料及其制备方法和应用。本发明提供的K6NiW5Mo4O31/WO3半导体异质结，以K6NiW5Mo4O31为前驱体基底材料，K6NiW5Mo4O31与WO3的摩尔比为100:(5～50)。本发明提供的半导体异质结光催化材料可采用高温固相法或化学溶液法合成，制备方法简单易行，材料的化学稳定性好，能有效吸收紫外‑可见光，并能在可见光下实现高效光催化活性。与单相前驱体基底材料K6NiW5Mo4O31相比，异质结复合而成的催化剂能更好地吸收可见光，有效地实现电子‑空穴的分离，提高催化效率，可用于对有机污染物的光催化降解，尤其是对有机染料工业废水的可见光催化降解处理。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体异质结光催化材料及其制备方法和应用，属于无机光催化材料领域。
背景技术
随着现代社会和工业的高速发展，三大化石燃料的大量使用，带来了严重的资源短缺和环境污染，严重限制和威胁着人类社会的发展，因此，对付这些难题的相关研究也日益得到重视。其中，以半导体氧化物为主的光催化技术因其无污染、工艺简单、对太阳光反应迅速等优异性质成为治理环境污染的重要手段。光催化技术是在20世纪70年代诞生的基础光化学技术，日本科学家Fujishma和Honda于1972年报道了二氧化钛作为光阳极在紫外光光照条件下，可以实现分解H2O为H2和O2。美国科学家Carey于1976年报道了关于光催化分解联苯及氧化联苯的技术，被认为是光催化在消除环境污染物方面的首创性研究工作。光催化剂的实际应用一旦获得突破，人类面临的环境污染和能源紧缺这两个重大生存问题得以缓解。
近年来，以氧化物为主的催化剂材料已经得到广泛的研究和应用，例如典型的光催化剂代表：二氧化钛(TiO2)，氧化锌(ZnO)，硫化镉(CdS)，氧化铋(Bi2O3)，氧化钨(WO3)等等，作为潜在的光催化材料，虽然光催化研究已进行了若干年，但这些材料还存在着一些不足，例如：光谱相应范围窄、稳定性差、光转换效率低等，因此急需研究开发新型的光催化剂。研究发现，目前在研究的很多氧化物光催化剂材料，最重要的缺点是电子和空穴的复合速度太快，使得参与光催化的活性载流子大大减少，结果使光催化能力的效率降低。近年来发展的半导体异质结可以很好地解决这个问题，当两个或者两个以上的半导体结合成为异质结的时候，由于不同半导体的能带的能级位置有差别，形成的异质结光催化材料的禁带宽度被扩宽，大大增加光吸收的范围和效率，最重要的是还可以使光催化剂材料的光生载流子分离效率有效提高，电子-空穴对的寿命被延长，增强光催化效率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种制备方法简单、绿色环保、光催化活性好、应用前景广阔的K6NiW5Mo4O31/WO3半导体异质结光催化材料、制备方法及应用，
为达到上述发明目的，本发明采用的技术方案是提供一种半导体异质结光催化材料，它是一种K6NiW5Mo4O31/WO3半导体异质结光催化材料，其中， K6NiW5Mo4O31与WO3的摩尔比为100:( 5～50)。
本发明技术方案还包括如上所述的一种半导体异质结光催化材料的制备方法，第一步，先制备前驱体K6NiW5Mo4O31，第二步，采用烧结或浸渍工艺中的一种，制备K6NiW5Mo4O31/WO3 。
采用高温固相法合成前驱体K6NiW5Mo4O31包括如下步骤：
（1）以含钾离子K+的化合物、含镍离子Ni2+的化合物、含钨离子W6+的化合物、含钼离子Mo6+的化合物为原料，按分子式K6NiW5Mo4O31中各元素的化学计量比称取各原料，研磨并混合均匀；
（2）将得到的混合物在空气气氛下预煅烧，煅烧温度为550～850℃，煅烧时间为1～10小时，自然冷却后，研磨使其混合均匀；
（3）将预煅烧后得到的混合物在空气气氛中煅烧，煅烧温度为850～950℃，煅烧时间为1～10小时，自然冷却，研磨均匀后，得到K6NiW5Mo4O31前驱体。
采用湿化学溶液法合成前驱体K6NiW5Mo4O31包括如下步骤：
（1）以含有钾离子K+的化合物、含有镍离子Ni2+的化合物、含有钨离子W6+的化合物、含有钼离子Mo6+的化合物为原料，按化学式K6NiW5Mo4O31中各元素的化学计量比分别称取各原料；将称取的原料分别溶解于稀硝酸中，再按各原料中反应物质量的10～50 wt%分别添加络合剂，得到各原料的混合液；所述的络合剂为柠檬酸、草酸中的一种；
（2）将各原料的混合液缓慢混合，在温度为50～90℃的条件下搅拌1～10小时，静置、烘干后得到蓬松的粉末，将粉末在空气气氛中第一次煅烧，煅烧温度为300～550℃，煅烧时间为1～10小时；
（3）将第一次煅烧后得到的粉末再在空气气氛中第二次煅烧，煅烧温度为800～900℃，煅烧时间为1～10小时，研磨均匀后，得到前驱体K6NiW5Mo4O31。
采用烧结工艺制备K6NiW5Mo4O31/WO3 的方法为：按摩尔比100:(5～50)，将K6NiW5Mo4O31前驱体与WO3球磨混合，球磨得到的混合物在空气气氛中煅烧，煅烧温度为600～750℃，煅烧时间为1～10小时，自然冷却，研磨均匀后，得到一种K6NiW5Mo4O31/WO3半导体异质结光催化材料；
采用浸渍工艺制备K6NiW5Mo4O31/WO3 的方法为：将K6NiW5Mo4O31前驱体浸渍于含有钨酸铵(NH4)6W7O24·6H2O或钨酸H2WO4的水溶液中，得到混合液，K6NiW5Mo4O31前驱体与(NH4)6W7O24·6H2O的摩尔比为100:(0.713～7.15)，K6NiW5Mo4O31前驱体与H2WO4的摩尔比为100:(5～50)；在搅拌加热条件下将混合液干燥，得到的混合物在空气气氛中煅烧，煅烧温度为600～650℃，煅烧时间为1～10小时，自然冷却，研磨均匀后，得到一种K6NiW5Mo4O31/WO3半导体异质结光催化材料。
本发明所述的含有钾离子K+的化合物为氧化钾K2O、碳酸钾K2CO3中的一种；所述的含有镍离子Ni2+的化合物为氧化镍NiO、硝酸镍Ni(NO3)2·6H2O中的一种；所述的含有钨离子W6+的化合物为氧化钨WO3，钨酸铵(NH4)6W7O24·6H2O；所述的含有钼离子Mo6+的化合物为氧化钼MoO3，钼酸铵(NH4)6Mo7O24·4H2O。
本发明技术方案还包括所述半导体异质结光催化材料的应用，将其用于对有机污染物的光催化降解。尤其是可用于对有机染料工业废水的可见光催化降解处理。
本发明提供的半导体异质结K6NiW5Mo4O31/WO3为一种新型的光催化材料，与现有技术相比，它的优点在于：
1. 本发明提供的K6NiW5Mo4O31/WO3半导体异质结，其前驱体基底材料是K6NiW5Mo4O31，具有光催化的活性，它与WO3复合进一步形成异质结，可见光吸收效率高，并对有机污染物具有有效的催化降解效率，可见光催化降解有机染料活性效率明显提高，可广泛用于对染料工业废水的光催化降解处理。
2. 本发明所制备的K6NiW5Mo4O31/WO3半导体异质结为无机盐类催化剂，性能稳定，回收容易，不会造成二次污染。
3. 本发明所提供的制备K6NiW5Mo4O31/WO3半导体异质结的方法，原材料来源广泛，价格低廉，能耗低，成本低，绿色环保。
附图说明
图1是本发明实施例1所制备K6NiW5Mo4O31/WO3半导体异质结样品的X射线粉末衍射图谱；
图2是本发明实施例1所制备样品的扫描电子显微镜（SEM）图谱
图3是本发明实施例1所制备样品的紫外-可见光吸收光谱图；
图4本发明实施例1所制备样品与现有光催化材料对有机染料亚甲基蓝的降解曲线对比图；
图5本发明实施例5所制备K6NiW5Mo4O31/WO3半导体异质结样品的SEM图谱；
图6是本发明实施例5所制备样品的紫外-可见光吸收光谱图；
图7是本发明实施例5所制备样品与现有光催化材料对有机染料亚甲基蓝的降解曲线对比图。
具体实施方式
为了得到本发明所述的复合氧化物，可采用固相合成法制备粉末，即把原料按照目标组成化学计量比进行混合，再在常压下于空气气氛中合成。为了能够有效利用光，本发明中的光催化剂的尺寸最好在微米级别，甚至是纳米粒子，且比表面积较大。用固相合成法制备的氧化物粉末，其粒子较大而表面积较小，可通过改用化学溶液法制备光催化剂使粒子直径变小。下面结合附图和实施例对本发明技术方案作进一步描述。
实施例1：
根据化学式K6NiW5Mo4O31中各元素的化学计量比，分别称取氧化钾K2O：0.942克，氧化镍NiO：0.2490克，钨酸铵(NH4)6W7O24·6H2O：7.24克，钼酸铵(NH4)6Mo7O24·4H2O：2.352克，在玛瑙研钵中研磨并混合均匀后，在空气气氛下预煅烧，煅烧温度为550℃，煅烧时间为10小时，自然冷却后，研磨使其混合均匀再次在空气气氛中煅烧，煅烧温度为950℃，煅烧时间为1小时，自然冷却，研磨均匀后即得到前驱体K6NiW5Mo4O31。
将得到的K6NiW5Mo4O31前驱体和氧化钨1.16克WO3球磨混合，球磨时间20小时。将球磨得到的混合物在空气气氛中煅烧，煅烧温度为750℃，煅烧时间为1小时，自然冷却，研磨均匀后即得到K6NiW5Mo4O31/WO3半导体异质结。
参见附图1，它是按本实施例技术方案所制备样品的X射线粉末衍射图谱，XRD测试结果显示，前驱体K6NiW5Mo4O31结晶较好，得到的K6NiW5Mo4O31/WO3半导体异质结包含有两者的单一物相，无其他杂相。
参见附图2，它是按本实施例技术方案所制备K6NiW5Mo4O31/WO3半导体异质结的扫描电子显微镜（SEM）图谱，从图中可以看出，所得样品颗粒存在一些团聚现象，其平均粒径为1～2微米。
参见附图3，它是按本实施例技术方案所制备样品的紫外-可见光吸收光谱图，从图中可以看出，与K6NiW5Mo4O31和WO3相比，K6NiW5Mo4O31/WO3半导体异质结的吸收大幅度红移。
本实施例采用光催化降解亚甲基蓝活性方法对材料的光催化效果进行评价。采用的光催化反应实验装置：光源灯为500瓦圆柱形形氙灯，反应槽使用硼硅酸玻璃制成的圆柱形光催化反应仪器，将光源灯插入到反应槽中，并通入冷凝水降温，反应时温度为室温；实验条件：催化剂用量100毫克，溶液体积250毫升，亚甲基蓝的浓度为10毫克/升；实验方法：催化剂置于反应液中，催化时间设定为240分钟，打开冷凝水后开始光照，光照后每隔一段时间取一次样，离心，取其上清液，用紫外-可见分光光度计在波长664～666纳米处测定亚甲基蓝溶液的吸光度。实验依据：根据朗伯-比尔定律，溶液的吸光度与浓度成正比，因此，可用吸光度代替浓度计算去除率，以此为亚甲基蓝溶液的去除率。计算公式：降解率=(1-C/C0)×100％=(1-A/A0)×100％，其中C0、C分别为光催化降解前后的浓度，A0、A分别是降解前后的吸光度值。
参见附图4，它是按本实施例技术方案所制备样品与现有光催化材料对有机染料亚甲基蓝的降解曲线对比图。从图中可以看出，与现有光催化材料K6NiW5Mo4O31和WO3相比，K6NiW5Mo4O31/WO3半导体异质结具有良好的光催化活性。
实施例2：
根据化学式K6NiW5Mo4O31中各元素的化学计量比，分别称取碳酸钾K2CO3：2.76克，氧化镍NiO：0.497克，氧化钨WO3：7.73克，钼酸铵(NH4)6Mo7O24·4H2O：4.69克，在玛瑙研钵中研磨并混合均匀后，在空气气氛下预煅烧，煅烧温度为850℃，煅烧时间为1小时，自然冷却后，研磨使其混合均匀再次在空气气氛中煅烧，煅烧温度为850℃，煅烧时间为5小时，自然冷却，研磨均匀后即得到前驱体K6NiW5Mo4O31。
将得到的K6NiW5Mo4O31前驱体与氧化钨0.25克WO3球磨混合，球磨时间1小时。将球磨得到的混合物在空气气氛中煅烧，煅烧温度为600℃，煅烧时间为10小时，自然冷却，研磨均匀后即得到K6NiW5Mo4O31/WO3半导体异质结。得到样品的结构、形貌、光吸收谱、对亚甲基蓝的降解与实施例1相似。
实施例3：
根据化学式K6NiW5Mo4O31中各元素的化学计量比，分别称取碳酸钾K2CO3：1.38克，硝酸镍Ni(NO3)2·6H2O：0.97克，钨酸铵(NH4)6W7O24·6H2O：8.69克，钼酸铵(NH4)6Mo7O24·4H2O：2.822克，在玛瑙研钵中研磨并混合均匀后，在空气气氛下预煅烧，煅烧温度为700℃，煅烧时间为3小时，自然冷却后，研磨使其混合均匀再次在空气气氛中煅烧，煅烧温度为850℃，煅烧时间为7小时，自然冷却，研磨均匀后即得到前驱体K6NiW5Mo4O31。
称取钨酸铵7.61克(NH4)6W7O24·6H2O溶解于50毫升蒸馏水，将得到的K6NiW5Mo4O31前驱体加入该溶液中，于80℃加热并搅拌，蒸发水溶剂，将混合粉末在空气气氛中煅烧，煅烧温度为650℃，煅烧时间为6小时，自然冷却，研磨均匀后即得到K6NiW5Mo4O31/WO3半导体异质结。得到样品的结构、形貌、光吸收谱、对亚甲基蓝的降解与实施例1相似。
实施例4：
根据化学式K6NiW5Mo4O31中各元素的化学计量比，分别称取氧化钾K2O：1.13克，硝酸镍Ni(NO3)2·6H2O：1.16克，钨酸铵(NH4)6W7O24·6H2O：8.69克，钼酸铵(NH4)6Mo7O24·4H2O：2.822克，在玛瑙研钵中研磨并混合均匀后，在空气气氛下预煅烧，煅烧温度为700℃，煅烧时间为3小时，自然冷却后，研磨使其混合均匀再次在空气气氛中煅烧，煅烧温度为850℃，煅烧时间为7小时，自然冷却，研磨均匀后即得到前驱体K6NiW5Mo4O31。
称取钨酸铵1.24克H2WO4溶解于30毫升蒸馏水，将得到的K6NiW5Mo4O31前驱体加入该溶液中，于90℃加热并搅拌，蒸发水溶剂，将混合粉末在空气气氛中煅烧，煅烧温度为720℃，煅烧时间为5小时，自然冷却，研磨均匀后即得到K6NiW5Mo4O31/WO3半导体异质结。得到样品的结构、形貌、光吸收谱、对亚甲基蓝的降解与实施例1相似。
实施例5：
根据化学式K6NiW5Mo4O31中各元素的化学计量比，分别称取碳酸钾K2CO3：2.07克，氢氧化镍Ni(HO3)2：0.464克，钨酸铵(NH4)6W7O24·6H2O：10.86克，钼酸铵(NH4)6Mo7O24·4H2O：3.19克，将它们溶解在稀硝酸中再加入8.3克柠檬酸作为络合剂，搅拌络合得到原料的混合液，在90℃下搅拌1小时，静置、烘干后得到蓬松的粉末；将前驱体粉末在空气气氛中煅烧，煅烧温度为550℃，煅烧时间为1小时，然后冷却至室温，取出样品，再次充分混合研磨均匀，在空气气氛中进行第二次煅烧，煅烧温度900℃，煅烧时间为1小时，然后冷至室温；即得到前驱体K6NiW5Mo4O31。
将得到的K6NiW5Mo4O31前驱体和氧化钨1.16克WO3球磨混合，球磨时间10小时。将球磨得到的混合物在空气气氛中煅烧，煅烧温度为600℃，煅烧时间为6小时，自然冷却，研磨均匀后即得到K6NiW5Mo4O31/WO3半导体异质结。所得样品的XRD与实施例1一致。
参见附图5，它是按本实施例技术方案所制备K6NiW5Mo4O31/WO3半导体异质结的SEM图谱，从图中可以看出，所得样品颗粒存在一些团聚现象，其平均粒径为200纳米。
参见附图6，它是按本实施例技术方案所制备样品的紫外-可见光吸收光谱图，从图中可以看出，与K6NiW5Mo4O31和WO3相比，K6NiW5Mo4O31/WO3半导体异质结的吸收大幅度红移。
采用实施例1提供的实验装置和实验条件，采用光催化降解亚甲基蓝活性方法对对所制备的样品材料的光催化效果进行评价。
参见附图7，它是按本实施例技术方案所制备样品与现有光催化材料对有机染料亚甲基蓝的降解曲线对比图。从图中可以看出，与K6NiW5Mo4O31和WO3相比，K6NiW5Mo4O31/WO3半导体异质结具有良好的光催化活性。
实施例6：
根据化学式K6NiW5Mo4O31中各元素的化学计量比，分别称取硝酸钾KNO3：2.022克，硝酸镍Ni(NO3)2·6H2O：0.97克，钨酸铵(NH4)6W7O24·6H2O：7.24克，钼酸铵(NH4)6Mo7O24·4H2O：2.13克，将它们溶解在稀硝酸中再加入6.18克草酸作为络合剂，搅拌络合得到原料的混合液，在50℃下搅拌5小时，静置、烘干后得到蓬松的粉末；将前驱体粉末在空气气氛中煅烧，煅烧温度为300℃，煅烧时间为10小时，然后冷却至室温，取出样品，再次充分混合研磨均匀，在空气气氛中进行第二次煅烧，煅烧温度800℃，煅烧时间为6小时，然后冷至室温；即得到前驱体K6NiW5Mo4O31。
称取钨酸铵1.52克(NH4)6W7O24·6H2O溶解于40毫升蒸馏水，将得到的K6NiW5Mo4O31前驱体加入该溶液中，于80℃加热并搅拌，蒸发水溶剂，将混合粉末在空气气氛中煅烧，煅烧温度为630℃，煅烧时间为4小时，自然冷却，研磨均匀后即得到K6NiW5Mo4O31/WO3半导体异质结。得到样品的结构、形貌、光吸收谱、对亚甲基蓝的降解与实施例5相似。
实施例7：
根据化学式K6NiW5Mo4O31中各元素的化学计量比，分别称取氢氧化钾KOH：1.122克，硝酸镍Ni(NO3)2·6H2O：0.97克，钨酸铵(NH4)6W7O24·6H2O：7.24克，钼酸铵(NH4)6Mo7O24·4H2O：2.13克，将它们溶解在稀硝酸中再加入5.16克柠檬酸作为络合剂，搅拌络合得到原料的混合液，在70℃下搅拌4小时，静置、烘干后得到蓬松的粉末；将前驱体粉末在空气气氛中煅烧，煅烧温度为500℃，煅烧时间为3小时，然后冷却至室温，取出样品，再次充分混合研磨均匀，在空气气氛中进行第二次煅烧，煅烧温度850℃，煅烧时间为4小时，然后冷至室温；即得到前驱体K6NiW5Mo4O31。
称取钨酸铵12.17克(NH4)6W7O24·6H2O溶解于50毫升蒸馏水，将得到的K6NiW5Mo4O31前驱体加入该溶液中，于80℃加热并搅拌，蒸发水溶剂，将混合粉末在空气气氛中煅烧，煅烧温度为680℃，煅烧时间为3小时，自然冷却，研磨均匀后即得到K6NiW5Mo4O31/WO3半导体异质结。得到样品的结构、形貌、光吸收谱、对亚甲基蓝的降解与实施例5相似。
Claims (7)
1.一种半导体异质结光催化材料，其特征在于：它是一种K6NiW5Mo4O31/WO3半导体异质结光催化材料，其中， K6NiW5Mo4O31与WO3的摩尔比为100:( 5～50)；采用下列方法之一制备而成：
方法一包括如下步骤：
第一步，采用高温固相法合成前驱体K6NiW5Mo4O31
（1）以含钾离子K+的化合物、含镍离子Ni2+的化合物、含钨离子W6+的化合物、含钼离子Mo6+的化合物为原料，按分子式K6NiW5Mo4O31中各元素的化学计量比称取各原料，研磨并混合均匀；
（2）将得到的混合物在空气气氛下预煅烧，煅烧温度为550～850℃，煅烧时间为1～10小时，自然冷却后，研磨使其混合均匀；
（3）将预煅烧后得到的混合物在空气气氛中煅烧，煅烧温度为850～950℃，煅烧时间为1～10小时，自然冷却，研磨均匀后，得到K6NiW5Mo4O31前驱体；
第二步，采用烧结或浸渍工艺中的一种，制备K6NiW5Mo4O31/WO3
所述的烧结工艺为：按摩尔比100:(5～50)，将K6NiW5Mo4O31前驱体与WO3球磨混合，球磨得到的混合物在空气气氛中煅烧，煅烧温度为600～750℃，煅烧时间为1～10小时，自然冷却，研磨均匀后，得到一种K6NiW5Mo4O31/WO3半导体异质结光催化材料；
所述的浸渍工艺为：将K6NiW5Mo4O31前驱体浸渍于含有钨酸铵(NH4)6W7O24·6H2O或钨酸H2WO4的水溶液中，得到混合液，K6NiW5Mo4O31前驱体与(NH4)6W7O24·6H2O的摩尔比为100:(0.713～7.15)，K6NiW5Mo4O31前驱体与H2WO4的摩尔比为100:(5～50)；在搅拌加热条件下将混合液干燥，得到的混合物在空气气氛中煅烧，煅烧温度为600～650℃，煅烧时间为1～10小时，自然冷却，研磨均匀后，得到一种K6NiW5Mo4O31/WO3半导体异质结光催化材料；
方法二包括如下步骤：
第一步，采用湿化学溶液法合成前驱体K6NiW5Mo4O31
（1）以含有钾离子K+的化合物、含有镍离子Ni2+的化合物、含有钨离子W6+的化合物、含有钼离子Mo6+的化合物为原料，按化学式K6NiW5Mo4O31中各元素的化学计量比分别称取各原料；将称取的原料分别溶解于稀硝酸中，再按各原料中反应物质量的10～50 wt%分别添加络合剂，得到各原料的混合液；所述的络合剂为柠檬酸、草酸中的一种；
（2）将各原料的混合液缓慢混合，在温度为50～90℃的条件下搅拌1～10小时，静置、烘干后得到蓬松的粉末，将粉末在空气气氛中第一次煅烧，煅烧温度为300～550℃，煅烧时间为1～10小时；
（3）将第一次煅烧后得到的粉末再在空气气氛中第二次煅烧，煅烧温度为800～900℃，煅烧时间为1～10小时，研磨均匀后，得到前驱体K6NiW5Mo4O31；
第二步，采用烧结或浸渍工艺中的一种，制备K6NiW5Mo4O31/WO3
所述的烧结工艺为：按摩尔比100:(5～50)，将K6NiW5Mo4O31前驱体与WO3球磨混合，球磨得到的混合物在空气气氛中煅烧，煅烧温度为600～750℃，煅烧时间为1～10小时，自然冷却，研磨均匀后，得到一种K6NiW5Mo4O31/WO3半导体异质结光催化材料；
所述的浸渍工艺为：将K6NiW5Mo4O31前驱体浸渍于含有钨酸铵(NH4)6W7O24·6H2O或钨酸H2WO4的水溶液中，得到混合液，K6NiW5Mo4O31前驱体与(NH4)6W7O24·6H2O的摩尔比为100:(0.713～7.15)，K6NiW5Mo4O31前驱体与H2WO4的摩尔比为100:(5～50)；在搅拌加热条件下将混合液干燥，得到的混合物在空气气氛中煅烧，煅烧温度为600～650℃，煅烧时间为1～10小时，自然冷却，研磨均匀后，得到一种K6NiW5Mo4O31/WO3半导体异质结光催化材料。
2.一种如权利要求1所述的半导体异质结光催化材料的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
第一步，采用高温固相法合成前驱体K6NiW5Mo4O31
（1）以含钾离子K+的化合物、含镍离子Ni2+的化合物、含钨离子W6+的化合物、含钼离子Mo6+的化合物为原料，按分子式K6NiW5Mo4O31中各元素的化学计量比称取各原料，研磨并混合均匀；
（2）将得到的混合物在空气气氛下预煅烧，煅烧温度为550～850℃，煅烧时间为1～10小时，自然冷却后，研磨使其混合均匀；
（3）将预煅烧后得到的混合物在空气气氛中煅烧，煅烧温度为850～950℃，煅烧时间为1～10小时，自然冷却，研磨均匀后，得到K6NiW5Mo4O31前驱体；
第二步，采用烧结或浸渍工艺中的一种，制备K6NiW5Mo4O31/WO3
所述的烧结工艺为：按摩尔比100:(5～50)，将K6NiW5Mo4O31前驱体与WO3球磨混合，球磨得到的混合物在空气气氛中煅烧，煅烧温度为600～750℃，煅烧时间为1～10小时，自然冷却，研磨均匀后，得到一种K6NiW5Mo4O31/WO3半导体异质结光催化材料；
所述的浸渍工艺为：将K6NiW5Mo4O31前驱体浸渍于含有钨酸铵(NH4)6W7O24·6H2O或钨酸H2WO4的水溶液中，得到混合液，K6NiW5Mo4O31前驱体与(NH4)6W7O24·6H2O的摩尔比为100:(0.713～7.15)，K6NiW5Mo4O31前驱体与H2WO4的摩尔比为100:(5～50)；在搅拌加热条件下将混合液干燥，得到的混合物在空气气氛中煅烧，煅烧温度为600～650℃，煅烧时间为1～10小时，自然冷却，研磨均匀后，得到一种K6NiW5Mo4O31/WO3半导体异质结光催化材料。
3.根据权利要求2所述的一种半导体异质结光催化材料的制备方法，其特征在于：所述的含有钾离子K+的化合物为氧化钾K2O、碳酸钾K2CO3中的一种；所述的含有镍离子Ni2+的化合物为氧化镍NiO、硝酸镍Ni(NO3)2·6H2O中的一种；所述的含有钨离子W6+的化合物为氧化钨WO3，钨酸铵(NH4)6W7O24·6H2O；所述的含有钼离子Mo6+的化合物为氧化钼MoO3，钼酸铵(NH4)6Mo7O24·4H2O。
4.一种如权利要求1所述的半导体异质结光催化材料的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
第一步，采用湿化学溶液法合成前驱体K6NiW5Mo4O31
（1）以含有钾离子K+的化合物、含有镍离子Ni2+的化合物、含有钨离子W6+的化合物、含有钼离子Mo6+的化合物为原料，按化学式K6NiW5Mo4O31中各元素的化学计量比分别称取各原料；将称取的原料分别溶解于稀硝酸中，再按各原料中反应物质量的10～50 wt%分别添加络合剂，得到各原料的混合液；所述的络合剂为柠檬酸、草酸中的一种；
（2）将各原料的混合液缓慢混合，在温度为50～90℃的条件下搅拌1～10小时，静置、烘干后得到蓬松的粉末，将粉末在空气气氛中第一次煅烧，煅烧温度为300～550℃，煅烧时间为1～10小时；
（3）将第一次煅烧后得到的粉末再在空气气氛中第二次煅烧，煅烧温度为800～900℃，煅烧时间为1～10小时，研磨均匀后，得到前驱体K6NiW5Mo4O31；
第二步，采用烧结或浸渍工艺中的一种，制备K6NiW5Mo4O31/WO3
所述的烧结工艺为：按摩尔比100:(5～50)，将K6NiW5Mo4O31前驱体与WO3球磨混合，球磨得到的混合物在空气气氛中煅烧，煅烧温度为600～750℃，煅烧时间为1～10小时，自然冷却，研磨均匀后，得到一种K6NiW5Mo4O31/WO3半导体异质结光催化材料；
所述的浸渍工艺为：将K6NiW5Mo4O31前驱体浸渍于含有钨酸铵(NH4)6W7O24·6H2O或钨酸H2WO4的水溶液中，得到混合液，K6NiW5Mo4O31前驱体与(NH4)6W7O24·6H2O的摩尔比为100:(0.713～7.15)，K6NiW5Mo4O31前驱体与H2WO4的摩尔比为100:(5～50)；在搅拌加热条件下将混合液干燥，得到的混合物在空气气氛中煅烧，煅烧温度为600～650℃，煅烧时间为1～10小时，自然冷却，研磨均匀后，得到一种K6NiW5Mo4O31/WO3半导体异质结光催化材料。
5.根据权利要求4所述的一种半导体异质结光催化材料的制备方法，其特征在于：所述的含有钾离子K+的化合物为碳酸钾K2CO3、硝酸钾KNO3和氢氧化钾KOH中的一种；所述的含有镍离子Ni2+的化合物为氢氧化镍Ni(OH)2、硝酸镍Ni(NO3)2·6H2O中的一种；所述的含有钨离子W6+的化合物为钨酸铵(NH4)6W7O24·6H2O；所述的含有钼离子Mo6+的化合物为钼酸铵(NH4)6Mo7O24·4H2O。
6.一种如权利要求1所述的半导体异质结光催化材料的应用，用于对有机污染物的光催化降解。
7.根据权利要求6所述的半导体异质结光催化材料的应用，其特征在于：用于对有机染料工业废水的可见光催化降解处理。
Priority Applications (1)
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| CN201811393835.2A CN109317160B (zh) | 2018-11-21 | 2018-11-21 | 一种半导体异质结光催化材料及其制备方法和应用 |
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|---|---|---|---|
| CN201811393835.2A CN109317160B (zh) | 2018-11-21 | 2018-11-21 | 一种半导体异质结光催化材料及其制备方法和应用 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109317160A CN109317160A (zh) | 2019-02-12 |
| CN109317160B true CN109317160B (zh) | 2021-07-20 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811393835.2A Active CN109317160B (zh) | 2018-11-21 | 2018-11-21 | 一种半导体异质结光催化材料及其制备方法和应用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109317160B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113731439B (zh) * | 2021-10-11 | 2023-06-16 | 山东理工职业学院 | 一种一维氧化镍/钼钨酸铋固溶体光催化材料及其制备方法与应用 |
| CN116532159A (zh) * | 2022-01-25 | 2023-08-04 | 海南师范大学 | 一种Keggin型过渡金属杂多酸盐修饰的光催化剂的制备方法及应用 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101559371A (zh) * | 2009-05-08 | 2009-10-21 | 武汉理工大学 | 对可见光响应的含钼半导体光催化材料及其制备方法和用途 |
| CN105107519A (zh) * | 2015-09-11 | 2015-12-02 | 辽宁石油化工大学 | 一种原位合成钨酸盐/氧化钨异质结光催化剂的方法 |
| CN105217720A (zh) * | 2015-09-18 | 2016-01-06 | 河海大学 | 钴镍水滑石表面负载溴氧化铋纳米材料的制备方法 |
| CN105664920A (zh) * | 2016-01-30 | 2016-06-15 | 苏州大学 | 一种钨酸铯粉体、制备方法及其应用 |
-
2018
- 2018-11-21 CN CN201811393835.2A patent/CN109317160B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101559371A (zh) * | 2009-05-08 | 2009-10-21 | 武汉理工大学 | 对可见光响应的含钼半导体光催化材料及其制备方法和用途 |
| CN105107519A (zh) * | 2015-09-11 | 2015-12-02 | 辽宁石油化工大学 | 一种原位合成钨酸盐/氧化钨异质结光催化剂的方法 |
| CN105217720A (zh) * | 2015-09-18 | 2016-01-06 | 河海大学 | 钴镍水滑石表面负载溴氧化铋纳米材料的制备方法 |
| CN105664920A (zh) * | 2016-01-30 | 2016-06-15 | 苏州大学 | 一种钨酸铯粉体、制备方法及其应用 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109317160A (zh) | 2019-02-12 |
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