CN109307964A - 断线修复方法、基板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种断线修复方法、基板和显示装置，属于显示器领域。所述方法包括：在导电线的断线区域形成导电聚合物前驱体薄膜，断线区域包括至少一对导电点，每对导电点包括彼此断开的两个导电点，导电聚合物前驱体薄膜与至少一对导电点接触；对导电聚合物前驱体薄膜进行光照处理，使每对导电点之间的导电聚合物前驱体薄膜发生光致聚合，形成导电聚合物。通过光照使得该导电聚合物前驱体薄膜发生光致聚合，形成导电聚合物，从而在每对导电点之间产生导电聚合物线路，将每对导电点接通，实现电路修复，无需采用激光化学气相沉积，修复成本低、修复时间短，不会影响断线区域周边像素单元的性能。

Description

断线修复方法、基板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示器领域，特别涉及一种断线修复方法、基板和显示装置。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD)是利用加载在上下两个基板之间的液晶分子层上电场强度的变化，改变液晶分子的取向，从而控制透光的强弱来显示图像的显示器件。液晶显示面板一般包括阵列基板、彩膜(Color Filter，CF)基板以及填充在这两个基板组成的液晶盒中的液晶分子层。阵列基板上阵列布置有大量的像素单元，每个像素单元均包括一个TFT；通常，每行像素单元的TFT与一条横向布置的栅线连接，栅线用于控制TFT的通断，每列像素单元的TFT与一条纵向布置的数据线连接，数据线用于在TFT导通时，将数据信号写入像素单元。
在阵列基板制作过程中，由于工艺或设备的问题可能会导致栅线或数据线等出现断线，当出现断线时往往会导致阵列基板的功能在一定区域内的发生不良，严重影响阵列基板的整体性能。现有的阵列基板修复技术主要有激光化学气相沉积、激光熔接等。在采用激光化学气相沉积进行断线修复时，通常是采用钨粉通过激光化学气相沉积设备将断线架桥进行连接，而采用激光熔接进行断线修复时，需要通过激光熔接机将断线和修复线熔接到一起，由于上述修复过程需要使用激光化学气相沉积设备或激光熔接机，导致修复成本高、修复时间长，并且采用激光化学气相沉积、激光熔接等工艺，沉积和熔接的过程会影响断线区域周边像素单元的性能。
发明内容
为了解决现有技术存在着修复成本高、修复时间长，并且影响断线区域周边像素单元的性能的问题，本发明实施例提供了一种断线修复方法、基板和显示装置。所述技术方案如下：
第一方面，本发明实施例提供了一种断线修复方法，所述方法包括：在导电线的断线区域形成导电聚合物前驱体薄膜，所述断线区域包括至少一对导电点，每对导电点包括彼此断开的两个导电点，所述导电聚合物前驱体薄膜与所述至少一对导电点接触；对所述导电聚合物前驱体薄膜进行光照处理，使所述每对导电点之间的导电聚合物前驱体薄膜发生光致聚合，形成导电聚合物。
在本发明实施例的一种实现方式中，所述导电聚合物前驱体薄膜包括导电聚合物前驱体材料，所述导电聚合物前驱体材料包括混合在一起的苯丙噻吩单体、四氯化碳、四丁基溴化铵和溶剂。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述导电聚合物前驱体薄膜包括导电聚合物前驱体材料，所述导电聚合物前驱体材料包括混合在一起的光引发剂和噻吩单体。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述导电聚合物前驱体薄膜还包括与所述导电聚合物前驱体材料混合在一起的有机树脂。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述导电聚合物前驱体材料与有机树脂的质量比例为1：2～2：1。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述对所述导电聚合物前驱体薄膜进行光照处理，包括：将点光源照射在所述导电聚合物前驱体薄膜上的光斑沿所述每对导电点之间的连线移动，对所述导电聚合物前驱体薄膜进行照射。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述点光源为紫外光源或激光光源。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述方法还包括：将未被照射的导电聚合物前驱体薄膜去除。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述将未被照射的导电聚合物前驱体薄膜去除，包括：采用有机物剥除液清洗光照处理后的导电聚合物前驱体薄膜，除掉未被照射的导电聚合物前驱体薄膜。
在本发明实施例的另一种实现方式中，当断线上方覆盖有绝缘层时，所述在导电线的断线区域形成导电聚合物前驱体薄膜，包括：在所述绝缘层上开设至少一对过孔，所述至少一对过孔与所述至少一对导电点一一对应布置，每对过孔用于露出对应的一对导电点；在所述绝缘层上形成导电聚合物前驱体薄膜，所述导电聚合物前驱体薄膜通过所述至少一对过孔与所述至少一对导电点接触。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述导电线为栅线、数据线、公共线、栅极或源漏极。
第二方面，本发明实施例还提供了一种基板，所述基板包括：导电线，所述导电线包括至少一对导电点，每对导电点包括两个导电点，所述每对导电点均通过导电聚合物相连。
在本发明实施例的一种实现方式中，所述导电聚合物由以下材料混合后经过光照得到：苯丙噻吩单体、四氯化碳、四丁基溴化铵和溶剂。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述导电聚合物由以下材料混合后经过光照得到：光引发剂、环氧化物、烷基乙烯基醚和噻吩单体。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述导电线为栅线、数据线、公共线、栅极或源漏极。
第二方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括如第二方面任一可能的实现方式所述的基板。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
在进行断线修复时，先形成导电聚合物前驱体薄膜，导电聚合物前驱体是形成导电聚合物前的物质，该薄膜与断线的至少一对导电点相连，然后通过光照使得该导电聚合物前驱体薄膜发生光致聚合，形成导电聚合物，从而在每对导电点之间产生导电聚合物线路，将每一对导电点接通，实现电路修复，该方法无需采用激光化学气相沉积，修复成本低、修复时间短，并且由于修复过程只需要进行光照，不需要进行激光化学气相沉积、激光熔接等工艺，不会影响断线区域周边像素单元的性能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种断线修复方法的流程图；
图2是本发明实施例提供的一种断线修复过程示意图；
图3是本发明实施例提供的一种断线修复过程示意图；
图4是本发明实施例提供的一种断线修复过程示意图；
图5是本发明实施例提供的一种断线修复过程示意图；
图6是本发明实施例提供的一种断线修复过程示意图；
图7是本发明实施例提供的另一种断线修复过程示意图；
图8是本发明实施例提供的另一种断线修复过程示意图；
图9是本发明实施例提供的另一种断线修复过程示意图；
图10是本发明实施例提供的另一种断线修复过程示意图；
图11是本发明实施例提供的另一种断线修复过程示意图；
图12是本发明实施例提供的另一种断线修复过程示意图；
图13是本发明实施例提供的另一种断线修复过程示意图；
图14是本发明实施例提供的另一种断线修复过程示意图；
图15是本发明实施例提供的另一种断线修复过程示意图；
图16是本发明实施例提供的另一种断线修复过程示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
图1是本发明实施例提供的一种断线修复方法的流程图，参见图1，该方法包括：
步骤101：在导电线的断线区域形成导电聚合物前驱体薄膜，断线区域包括至少一对导电点，每对导电点包括彼此断开的两个导电点，导电聚合物前驱体薄膜与至少一对导电点接触。
在本发明实施例中，导电线可以是显示面板中的基板上的信号线或者电极，通常由金属或氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)制成，例如阵列基板(包括顶栅型和底栅型)上的栅线、数据线、公共线，或者栅极、源漏极。上述导电线在出现断线时，均可以采用本发明实施例提供的断线修复方法进行修复。
在步骤101中，断开是指没有电连接，本发明实施例通过在断开的两个导电点间布置导电聚合物前驱体薄膜，并通过光照使其发生光致聚合反应，产生能够导电的导电聚合物，从而使两个导电点之间电连接。
具体地，导电线的每一处断开都会产生两个导电点，这两个导电点为一对。而一个断线区域既可以只包括一对导电点，也可以包括多对导电点。当断线区域包括多对导电点时，这多对导电点既可以是一条导电线上的导电点，也可以是两条或多条导电线上的导电点。
在形成导电聚合物前驱体薄膜时，导电聚合物前驱体薄膜既可以只覆盖断线区域，具体可以只覆盖导电点以及每对导电点之间的区域(如长条形区域)，此时，该导电聚合物前驱体薄膜既可以是一整块，也可以是由多个相互独立的部分构成，这种实现方式能够节省导电聚合物前驱体薄膜材料。导电聚合物前驱体薄膜也可以覆盖整个基板，这种实现方式能够保证导电聚合物前驱体薄膜的制作足够简单。
在本发明实施例中，在导电线的断线区域形成导电聚合物前驱体薄膜包括以下两种情况：第一种情况，直接在导电线上制作导电聚合物前驱体薄膜，这种情况通常是导电线制作完成后，检查发现导电线存在断线，此时进行导电线断线修复，既可以直接在导电线上制作导电聚合物前驱体薄膜。
第二种情况，在绝缘层上形成导电聚合物前驱体薄膜，该绝缘层覆盖在导电线上，这种情况通常方式在导电线以及导电线上方的绝缘层制作完成后，检查发现导电线存在断线，此时只能在绝缘层上制作导电聚合物前驱体薄膜。具体地，当断线上方覆盖有绝缘层时，在导电线的断线区域形成导电聚合物前驱体薄膜，包括：在绝缘层上开设至少一对过孔，至少一对过孔与至少一对导电点一一对应布置，每对过孔用于露出对应的一对导电点；在绝缘层上形成导电聚合物前驱体薄膜，导电聚合物前驱体薄膜通过至少一对过孔与至少一对导电点接触。当断线上存在绝缘层时，可以通过制作过孔来连接断线和导电聚合物前驱体薄膜，使得直接在绝缘层上制作该薄膜即可实现断线修复。
其中，在绝缘层上开设过孔可以通过对绝缘层进行刻蚀来实现，刻蚀工艺为现有成熟工艺，这里不做赘述。
在上述两种情况中，导电聚合物前驱体薄膜均可以采用刮涂法、旋涂法或其他常见的薄膜制作方法形成。
在本发明实施例的一种实现方式中，导电聚合物前驱体薄膜包括导电聚合物前驱体材料，导电聚合物前驱体材料可以包括混合在一起的苯丙噻吩单体、四氯化碳、四丁基溴化铵和溶剂。其中，苯丙噻吩单体为形成聚合物的主要成分，四氯化碳是分散剂，四丁基溴化铵是表面活性剂，该组分的导电聚合物前驱体材料不需要光引发剂就能够发生光致聚合反应，但是需要较长时间的光照才能发生反应，反应过程比较缓慢，在该组分中加入表面活性剂是为了避免光致聚合反应产生的噻吩聚合物团聚，从而获得厚度为微米级别的薄膜。其中，溶剂可以为乙腈(MeCN)。在上述导电聚合物前驱体材料中，苯丙噻吩单体、四氯化碳和四丁基溴化铵的摩尔比可以是10:0.1:1。
在本发明实施例的另一种实现方式中，导电聚合物前驱体薄膜包括导电聚合物前驱体材料，导电聚合物前驱体材料可以包括混合在一起的光引发剂、环氧化物、烷基乙烯基醚和噻吩单体。其中，噻吩单体为形成聚合物的主要成分，环氧化物和烷基乙烯基醚一起起到溶剂和分散剂的作用，使得反应能够充分进行。
其中，光引发剂通常可以为二芳基碘鎓盐(Ar2I+X-)、三芳基硫鎓盐(Ar3S+X-)和烷氧基吡啶盐(EMP+X-)，其中，X-＝SbF6 -,PF6 -,AsF6 -等。
这种组分的导电聚合物前驱体材料发生光致聚合反应的过程如下：
其中，Monomer指单体，Solvent指溶剂。
前述组分中环氧化物和烷基乙烯基醚是光致聚合反应的助剂，它们的氧化性有助于光致聚合反应的进行，但环氧化物和烷基乙烯基醚不是必须组分，例如也可以将噻吩单体和光引发剂以10：1的摩尔比混合在二氯乙烯溶剂中，然后在氮气气氛下使用300nm波长的紫外光进行辐照，就能获得聚噻吩薄膜。
在上述两种实现方式中，导电聚合物前驱体薄膜还可以包括与导电聚合物前驱体材料混合在一起的有机树脂。有机树脂经过光照发生碳化，能够增强连接线路的导电性能。
其中，导电聚合物前驱体材料与有机树脂的质量比例可以为1：2～2：1。树脂含量过低，对导电效果的增强不明显，树脂含量过高，会造成导电聚合物前驱体材料与有机树脂的混合物过稀，影响薄膜形成，所以本发明实施例采用上述比例的导电聚合物前驱体材料与有机树脂混合。
步骤102：对导电聚合物前驱体薄膜进行光照处理，使每对导电点之间的导电聚合物前驱体薄膜发生光致聚合，形成导电聚合物。
在本发明实施例中，对导电聚合物前驱体薄膜进行光照处理，可以包括：将点光源照射在导电聚合物前驱体薄膜上的光斑沿每对导电点之间的连线移动，对导电聚合物前驱体薄膜进行照射，也即照射每对导电点之间的连线。只对每对导电点之间的连线进行光照，保证形成的导电线路不会影响周边像素单元的性能。
需要说明的是，当导电聚合物前驱体薄膜形成的情况是前述第二种情况，也即在绝缘层上形成导电聚合物前驱体薄膜时，沿一对导电点之间的连线移动光斑实际也就是沿着一对导电点对应的过孔一对光斑。
具体地，当存在多对导电点时，可以通过分次照射的方式实现，例如在照射完一对导电点之间的连线时，关闭点光源，然后照射另一对导电点之间的连线，重复上述步骤，直到每对导电点之间的连线均经过了照射。
其中，点光源可以为紫外光源或激光光源。采用紫外光源或激光光源，消耗的能量少、对环境友好、聚合速度快。
导电聚合物前驱体薄膜被光照射后，其中的苯丙噻吩单体或者噻吩单体逐渐发生聚合，其导电性能和溶解性能将发生极大的转变：由不导电的单体转变为导电的长链状结构，由溶解性好的单体转变为不溶解的聚合物。因此，在光照射、聚合反应发生后，可以将未被光照射、无导电性、溶解性好的导电聚合物前驱体薄膜去掉，仅留下被光照射过、导电性好、不溶解的导电聚合物，从而生成特定的导电线路，将两个导电点连通。
可选地，该方法还可以包括：将未被照射的导电聚合物前驱体薄膜去除。由于未被照射的导电聚合物前驱体薄膜未发生光致聚合，因而这部分无导电性、溶解性好，可以除掉。
进一步地，将未被照射的导电聚合物前驱体薄膜去除，可以包括：采用有机物剥除液清洗光照处理后的导电聚合物前驱体薄膜，除掉未被照射的导电聚合物前驱体薄膜。由于未被照射的导电聚合物前驱体薄膜未发生光致聚合，因而这部分溶解性好，可以通过有机物剥除液清洗掉。
图2～图6是本发明实施例提供的一种断线修复过程示意图(图中是以一对导电点为例进行说明的)，下面结合图2～图6对本发明实施例提供的断线修复方法做进一步说明：
如图2所示，基板10上的导电线11存在一处断开12；在进行断线修复时，先形成导电聚合物前驱体薄膜20，该导电聚合物前驱体薄膜20与断开12的两个导电点接触，如图3所示；然后采用光源30沿着两个导电点连线13方向照射导电聚合物前驱体薄膜20，如图4所示；导电聚合物前驱体薄膜20经过光源30照射的部分发生光致聚合，形成导电聚合物21，如图5所示，该导电聚合物21导电，从而可以将断线连通；最后，将导电聚合物前驱体薄膜20中未被光源30照射的部分除去，只留下导电聚合物21，如图6所示。
图7～图16是本发明实施例提供的另一种断线修复过程示意图(图中是以一对导电点为例进行说明的)，与图2～图6的断线修复过程的区别在于，导电线上存在绝缘层，下面结合图7～图16对本发明实施例提供的断线修复方法做进一步说明：
如图7所示，基板10上的导电线11存在一处断开12，导电线11上覆盖有绝缘层15；在进行断线修复时，先在绝缘层15上开设两个过孔16，两个过孔16处正好露出断开12的两个导电点，如图8和9所示；在开设有过孔16的绝缘层15上形成导电聚合物前驱体薄膜20，导电聚合物前驱体薄膜20与通过两个过孔16与断开12的两个导电点接触，如图10和11所示；然后采用光源30沿着两个导电点连线13方向照射导电聚合物前驱体薄膜20，如图12所示；导电聚合物前驱体薄膜20经过光源30照射的部分发生光致聚合，形成导电聚合物21，如图13和14所示，该导电聚合物21导电，从而可以将断线连通；最后，将导电聚合物前驱体薄膜20中未被光源30照射的部分除去，只留下导电聚合物21，如图15和16所示。
本发明实施例在进行断线修复时，先形成导电聚合物前驱体薄膜，导电聚合物前驱体是形成导电聚合物前的物质，该薄膜与断线的至少一对导电点相连，然后通过光照使得该导电聚合物前驱体薄膜发生光致聚合，形成导电聚合物，从而在每对导电点之间产生导电聚合物线路，将每对导电点接通，实现电路修复，能够快速修复因为导电线断开导致的基板功能故障，该方法无需采用激光化学气相沉积，修复成本低、修复时间短，并且由于修复过程只需要进行光照，不需要进行激光化学气相沉积、激光熔接等工艺，不会影响断线区域周边像素单元的性能。
本发明实施例还提供了一种基板，该基板包括：导电线，导电线包括至少一对导电点，每对导电点包括两个导电点，每对导电点通过导电聚合物相连。
本发明实施例提供的基板断线采用导电聚合物相连，由于导电聚合物可以由导电聚合物前驱体通过光照发生光致聚合形成，使得该基板在发生断线时可以采用前述导电聚合物前驱体的光致聚合实现电路修复，能够快速修复因为导电线断开导致的基板功能故障，无需采用激光化学气相沉积，修复成本低、修复时间短，并且由于修复过程只需要进行光照，不需要进行激光化学气相沉积、激光熔接等工艺，不会影响断线区域周边像素单元的性能。
在本发明实施例中，导电聚合物的位置包括以下两种：第一种，导电线和导电聚合物布置在同一层，导电聚合物位于导电线的导电点之间。第二种，导电线和导电聚合物布置在不同层，例如导电聚合物布置在导电线上的绝缘层之上，此时绝缘层上布置有与导电线的导电点对应的过孔，导电聚合物通过过孔与导电线的导电点相连。
在本发明实施例的一种实现方式中，导电聚合物可以由以下材料混合后经过光照得到：苯丙噻吩单体、四氯化碳、四丁基溴化铵和溶剂。其中，苯丙噻吩单体为形成聚合物的主要成分，四氯化碳是分散剂，四丁基溴化铵是表面活性剂，该组分的导电聚合物前驱体材料不需要光引发剂就能够发生光致聚合反应，但是需要较长时间的光照才能发生反应，反应过程比较缓慢，在该组分中加入表面活性剂是为了避免光致聚合反应产生的噻吩聚合物团聚，从而获得厚度为微米级别的薄膜。其中，溶剂可以为乙腈(MeCN)。在上述导电聚合物前驱体材料中，苯丙噻吩单体、四氯化碳和四丁基溴化铵的摩尔比可以是10:0.1:1。
在本发明实施例的另一种实现方式中，导电聚合物可以由以下材料混合后经过光照得到：光引发剂、环氧化物、烷基乙烯基醚和噻吩单体。其中，噻吩单体为形成聚合物的主要成分，环氧化物和烷基乙烯基醚一起起到溶剂和分散剂的作用，使得反应能够充分进行。
其中，光引发剂通常可以为二芳基碘鎓盐(Ar2I+X-)、三芳基硫鎓盐(Ar3S+X-)和烷氧基吡啶盐(EMP+X-)，其中，X-＝SbF6 -,PF6 -,AsF6 -等。
当然，前述组分中环氧化物和烷基乙烯基醚不是必须组分，例如也可以将噻吩单体和光引发剂以10：1的摩尔比混合在二氯乙烯溶剂中，然后在氮气气氛下使用300nm波长的紫外光进行辐照，就能获得聚噻吩薄膜。
在上述两种实现方式中，导电聚合物前驱体薄膜还可以包括与导电聚合物前驱体材料混合在一起的有机树脂。有机树脂经过光照发生碳化，能够增强连接线路的导电性能。
其中，导电聚合物前驱体材料与有机树脂的质量比例可以为1：2～2：1。树脂含量过低，对导电效果的增强不明显，树脂含量过高，会造成导电聚合物前驱体材料与有机树脂的混合物过稀，影响薄膜形成，所以本发明实施例采用上述比例的导电聚合物前驱体材料与有机树脂混合。
在本发明实施例中，导电线可以是基板上的信号线或者电极，通常由金属或ITO制成，例如阵列基板(包括顶栅型和底栅型)上的栅线、数据线、公共线，或者栅极、源漏极。
本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括前述基板。
在具体实施时，本发明实施例提供的显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本发明实施例提供的基板断线采用导电聚合物相连，由于导电聚合物可以由导电聚合物前驱体通过光照发生光致聚合形成，使得该基板在发生断线时可以采用前述导电聚合物前驱体的光致聚合实现电路修复，能够快速修复因为导电线断开导致的基板功能故障，无需采用激光化学气相沉积，修复成本低、修复时间短，并且由于修复过程只需要进行光照，不需要进行激光化学气相沉积、激光熔接等工艺，不会影响断线区域周边像素单元的性能。
以上仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (16)

1.一种断线修复方法，其特征在于，所述方法包括：
在导电线的断线区域形成导电聚合物前驱体薄膜，所述断线区域包括至少一对导电点，每对导电点包括彼此断开的两个导电点，所述导电聚合物前驱体薄膜与所述至少一对导电点接触；
对所述导电聚合物前驱体薄膜进行光照处理，使所述每对导电点之间的导电聚合物前驱体薄膜发生光致聚合，形成导电聚合物。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导电聚合物前驱体薄膜包括导电聚合物前驱体材料，所述导电聚合物前驱体材料包括混合在一起的苯丙噻吩单体、四氯化碳、四丁基溴化铵和溶剂。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导电聚合物前驱体薄膜包括导电聚合物前驱体材料，所述导电聚合物前驱体材料包括混合在一起的光引发剂和噻吩单体。
4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述导电聚合物前驱体薄膜还包括与所述导电聚合物前驱体材料混合在一起的有机树脂。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述导电聚合物前驱体材料与有机树脂的质量比例为1：2～2：1。
6.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述对所述导电聚合物前驱体薄膜进行光照处理，包括：
将点光源照射在所述导电聚合物前驱体薄膜上的光斑沿所述每对导电点之间的连线移动，对所述导电聚合物前驱体薄膜进行照射。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述点光源为紫外光源或激光光源。
8.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
将未被照射的导电聚合物前驱体薄膜去除。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述将未被照射的导电聚合物前驱体薄膜去除，包括：
采用有机物剥除液清洗光照处理后的导电聚合物前驱体薄膜，除掉未被照射的导电聚合物前驱体薄膜。
10.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，当断线上方覆盖有绝缘层时，所述在导电线的断线区域形成导电聚合物前驱体薄膜，包括：
在所述绝缘层上开设至少一对过孔，所述至少一对过孔与所述至少一对导电点一一对应布置，每对过孔用于露出对应的一对导电点；
在所述绝缘层上形成导电聚合物前驱体薄膜，所述导电聚合物前驱体薄膜通过所述至少一对过孔与所述至少一对导电点接触。
11.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述导电线为栅线、数据线、公共线、栅极或源漏极。
12.一种基板，其特征在于，所述基板包括：
导电线，所述导电线包括至少一对导电点，每对导电点包括两个导电点，所述每对导电点均通过导电聚合物相连。
13.根据权利要求12所述的基板，其特征在于，所述导电聚合物由以下材料混合后经过光照得到：苯丙噻吩单体、四氯化碳、四丁基溴化铵和溶剂。
14.根据权利要求12所述的基板，其特征在于，所述导电聚合物由以下材料混合后经过光照得到：光引发剂、环氧化物、烷基乙烯基醚和噻吩单体。
15.根据权利要求12-14任一项所述的基板，其特征在于，所述导电线为栅线、数据线、公共线、栅极或源漏极。
16.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求12-15任一项所述的基板。
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