CN111326530A - 阵列基板和长膜修补方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种阵列基板和长膜修补方法，该阵列基板包括衬底、阵列设置的像素单元、数据线以及修补膜层，像素单元包括通孔，数据线包括缺陷区域，修补膜层覆盖缺陷区域，其中，修补膜层设置有至少一个隔断，隔断将数据线和像素单元断开；通过在修补膜层设置隔断，阻断了数据信号传递到像素单元的导电通路。

Description

阵列基板和长膜修补方法
技术领域
本发明涉及金属线修补技术领域，尤其涉及一种阵列基板和长膜修补方法。
背景技术
阵列基板工艺的金属线成膜过程中，金属线容易形成缺陷区域，导致垂直断线或暗线等异常发生，现有技术通过长膜修补方法可以有效的减少缺陷区域，但是在长膜修补的过程中，在长膜起始点位置，溅射形成的钨层容易连接导通缺陷区域处的数据线和相邻的像素单元，导致数据信号传递到像素单元，引起像素单元异常，因此，现有长膜修补方法存在缺陷区域的相邻像素单元异常的技术问题。
发明内容
本发明提供一种阵列基板和长膜修补方法，用于解决现有长膜修补方法存在缺陷区域的相邻像素单元异常的技术问题。
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
本发明实施例提供一种阵列基板，其包括：
衬底；
阵列分布于所述衬底上的多个像素单元，所述像素单元包括像素电极、源漏极以及位于源漏极上方的绝缘层，所述像素电极通过一贯穿所述绝缘层的通孔与所述源漏极电连接；
数据线，所述数据线沿着所述像素单元的两侧纵向排列设置，所述数据线和所述源漏极同层设置，所述数据线包括缺陷区域；
修补膜层，所述修补膜层覆盖所述缺陷区域；
其中，所述通孔设置在所述数据线的侧部，所述修补膜层设置有至少一个隔断，所述隔断将所述数据线和所述像素单元断开。
在本发明提供的阵列基板中，所述缺陷区域的所述数据线与一侧的相邻所述像素单元的所述通孔之间设置有所述修补膜层，所述通孔处设置有所述隔断，所述通孔上方未设置所述修补膜层。
在本发明提供的阵列基板中，所述缺陷区域的所述数据线与所述通孔之间设置有所述隔断。
在本发明提供的阵列基板中，所述缺陷区域的所述数据线与一侧的相邻所述像素单元的所述通孔之间设置有所述修补膜层，所述缺陷区域的所述数据线与所述通孔之间设置有所述隔断。
在本发明提供的阵列基板中，所述修补膜层的材料包括钨。
在本发明提供的阵列基板中，所述缺陷区域的所述数据线与两侧的相邻所述像素单元的所述通孔之间均设置有所述修补膜层，所述通孔上方未设置所述修补膜层。
本发明实施例提供一种长膜修补方法，包括：
提供一金属线；
提供检测装置，所述检测装置检测所述金属线得到缺陷区域；
在所述缺陷区域内，由所述金属线起始端向所述金属线终止端逐步溅射形成修补膜层，所述修补膜层连续设置，所述修补膜层用于连接所述金属线起始端和所述金属线终止端；
将所述起始端的所述修补膜层断开。
在本发明提供的长膜修补方法中，所述金属线为数据线。
在本发明提供的长膜修补方法中，将所述起始端的所述修补膜层断开的步骤还包括：通过镭射的方式切断所述通孔上方的所述修补膜层。
在本发明提供的长膜修补方法中，将所述起始端的所述修补膜层断开的步骤还包括：在不影响所述缺陷区域的数据信号沿着所述数据线传输的前提下，通过镭射的方式切断所述缺陷区域与所述像素单元连接位置的所述修补膜层。
本发明的有益效果为：本发明提供一种阵列基板和长膜修补方法，该阵列基板包括衬底、阵列分布于所述衬底上的多个像素单元、数据线以及修补膜层，所述像素单元包括像素电极、源漏极以及位于源漏极上方的绝缘层，所述像素电极通过一贯穿所述绝缘层的通孔与所述源漏极电连接，所述数据线沿着所述像素单元的两侧纵向排列设置，所述数据线和所述源漏极同层设置，所述数据线包括缺陷区域，所述修补膜层覆盖所述缺陷区域，其中，所述通孔设置在所述数据线的侧部，所述修补膜层设置有至少一个隔断，所述隔断将所述数据线和所述像素单元断开；通过在所述像素单元的所述通孔与缺陷区域的所述数据线之间设置所述隔断，断开将数据信号传递到所述像素单元的导电通路，解决了现有长膜修补方法存在缺陷区域的相邻像素单元异常的技术问题。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的阵列基板的像素单元的截面示意图；
图2为本发明实施例提供的阵列基板的第一种透视示意图；
图3为本发明实施例提供的阵列基板的第二种透视示意图；
图4为本发明实施例提供的阵列基板的第三种透视示意图；
图5为本发明实施例提供的阵列基板的第四种透视示意图；
图6为本发明实施例提供的长膜修补方法的流程图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
针对现有长膜修补方法存在缺陷区域的相邻像素单元异常的技术问题，本发明实施例可以解决这个问题。
如图1、图2所示，图2为像素单元20的截面膜层示意图，表示像素单元20内像素电极201、源漏极202、绝缘层203和过孔204的空间位置关系；本发明提供的阵列基板包括衬底10、阵列分布于所述衬底上的多个像素单元20、数据线30以及修补膜层40，所述像素单元20包括像素电极201、源漏极202以及位于源漏极202上方的绝缘层203，所述像素电极201通过一贯穿所述绝缘层203的通孔204与所述源漏极202电连接，所述数据线30沿着所述像素单元20的两侧纵向排列设置，所述数据线30和所述源漏极202同层设置，所述数据线30包括缺陷区域301，所述修补膜层40覆盖所述缺陷区域301，其中，所述通孔204设置在所述数据线30的侧部，所述修补膜层40设置有至少一个隔断401，所述隔断401将所述数据线30和所述像素单元20断开。
在本实施例中，阵列基板包括衬底10、阵列分布于所述衬底10上的多个像素单元20、数据线30以及修补膜层40，所述像素单元20包括像素电极201、源漏极202以及位于源漏极202上方的绝缘层203，所述像素电极201通过一贯穿所述绝缘层203的通孔204与所述源漏极202电连接，所述数据线30沿着所述像素单元20的两侧纵向排列设置，所述数据线30和所述源漏极202同层设置，所述数据线30包括缺陷区域301，所述修补膜层40覆盖所述缺陷区域301，其中，所述通孔204设置在所述数据线30的侧部，所述修补膜层40设置有至少一个隔断401，所述隔断401将所述数据线30和所述像素单元20断开；通过在所述像素单元20的所述通孔204与缺陷区域301的所述数据线30之间设置所述隔断401，断开将数据信号传递到所述像素单元20的导电通路，解决了现有长膜修补方法存在缺陷区域301的相邻像素单元20异常的技术问题。
在本实施例中，所述缺陷区域301包括所述数据线30断开、所述数据线30接触不良等，通过修补膜层40覆盖所述缺陷区域301设置，缺陷区域301能沿着数据线30正常传递数据信号，即从缺陷区域301的所述起始端传递数据信号到缺陷区域301的所述终止端。
在本实施例中，阵列基板还包括沿着所述像素单元20的两侧横向排列设置的扫描线。
在本实施例中，至少一个所述隔断401用于断开所述数据信号传递到所述像素单元20的通孔204的导电通道，防止所述数据信号传递到所述像素单元20，从而影响像素单元20的正常显示。
在本实施例中，所述修补膜层40的形状为多个圆形重叠形成的几何形状。
在本实施例中，所述修补膜层40的形状为圆形。
在一种实施例中，所述缺陷区域301的所述数据线30与一侧的相邻所述像素单元20的所述通孔204之间设置有所述修补膜层40。
在本实施例中，由于长膜修补同常在数据线30的一侧进行，因此所述数据线30与一侧的相邻像素单元20的通孔204之间设置有隔断401，所述数据线30与另一侧的相邻像素单元20的通孔204之间未设置修补膜层40，所述数据线30与另一侧的相邻像素单元20的通孔204之间不形成导电通道，因此所述数据线30与另一侧的相邻像素单元20的通孔204之间未设置隔断401，本实施例中的修补膜层40设置位置较为常见，适用于大多数阵列基板。
在一种实施例中，如图2所示，所述缺陷区域301的所述数据线30与一侧的相邻所述像素单元20的所述通孔204之间设置有所述修补膜层40，所述通孔204处设置有所述隔断401，所述通孔204上方未设置所述修补膜层40。
在本实施例中，所述像素单元20包括绝缘层203，所述数据信号通过通孔204传递到像素单元20内，因此，只需要将通孔204处的修补膜层40去除，缺陷区域301的数据线30和相邻像素单元20的导电通路就会被断开。
在本实施例中，去除的修补膜层40面积较小，耗时短，操作方便。
在一种实施例中，如图3所示，所述缺陷区域301的所述数据线30与一侧的相邻所述像素单元20的所述通孔204之间设置有所述修补膜层40，所述通孔204处设置有所述隔断401，所述通孔204上方未设置所述修补膜层40，所述缺陷区域301的所述数据线30与所述通孔204之间设置有所述隔断401。
在本实施例中，与只在通孔204上方设置隔断401相比较，本实施例的方案更完善、更有保障，本实施例通过在通孔204上方以及通孔204与缺陷区域301的数据线30之间均设置隔断401。
在本实施例中，在通孔204上方设置隔断401可以断开数据线30到像素单元20的所述导电通道，起到防止数据信号传递到像素单元20的作用；在通孔204与缺陷区域301的数据线30之间设置隔断401也可以起到防止数据信号传递到像素单元20的作用；同时在通孔204上方以及通孔204与缺陷区域301的数据线30之间均设置隔断401，效果会更好，如果一个所述隔断401失效，另一个隔断401也可以防止数据信号传递到像素单元20，本方案为优选方案。
在一种实施例中，如图4示，所述缺陷区域301的所述数据线30与一侧的相邻所述像素单元20的所述通孔204之间设置有所述修补膜层40，所述缺陷区域301的所述数据线30与所述通孔204之间设置有所述隔断401。
在本实施例中，在垂直于所述衬底10的方向上，将缺陷区域301的数据线30和像素单元20之间的修补膜层40做整层的隔断401，操作方便。
在一种实施例中，所述修补膜层40的材料包括钨。
在一种实施例中，如图5所示，所述缺陷区域301的所述数据线30与两侧的相邻所述像素单元20的所述通孔204之间均设置有所述修补膜层40，所述通孔204上方未设置所述修补膜层40。
如图6所示，本发明提供的长膜修补方法包括：
S1:提供一金属线；
S2:提供检测装置，所述检测装置检测所述金属线得到缺陷区域301；
S3:在所述缺陷区域301内，由所述金属线起始端向所述金属线终止端逐步溅射形成修补膜层40，所述修补膜层40连续设置，所述修补膜层40用于连接所述金属线起始端和所述金属线终止端；
S4:将所述起始端的所述修补膜层40断开。
在一种实施例中，所述金属线为数据线30。
在本实施例中，将所述起始端的所述修补膜层40断开的步骤，所述步骤是将数据线30起始端到像素单元20的导电通路断开，防止数据信号干扰到数据线30起始端相邻的像素单元20。
在一种实施例中，所述S4步骤还包括：提供一测试装置，所述测试装置用于测试衬底10上的像素单元20是否经过修补膜层40与数据线30形成导电通路。
在本实施例中，通过所述测试装置可以找到需要被断开处的修补膜层40。
在一种实施例中，所述修补膜层40的材料包括钨。
在一种实施例中，将所述起始端的所述修补膜层40断开的步骤还包括：通过镭射的方式切断所述通孔204上方的所述修补膜层40。
在一种实施例中，将所述起始端的所述修补膜层40断开的步骤还包括：在不影响所述缺陷区域301的数据信号沿着所述数据线30传输的前提下，通过镭射的方式切断所述缺陷区域301与所述像素单元20的通孔204之间的所述修补膜层40。
根据上述实施例可知：
本发明提供一种阵列基板和长膜修补方法，该阵列基板包括衬底、阵列分布于所述衬底上的多个像素单元、数据线以及修补膜层，所述像素单元包括像素电极、源漏极以及位于源漏极上方的绝缘层，所述像素电极通过一贯穿所述绝缘层的通孔与所述源漏极电连接，所述数据线沿着所述像素单元的两侧纵向排列设置，所述数据线和所述源漏极同层设置，所述数据线包括缺陷区域，所述修补膜层覆盖所述缺陷区域，其中，所述通孔设置在所述数据线的侧部，所述修补膜层设置有至少一个隔断，所述隔断将所述数据线和所述像素单元断开；通过在所述像素单元的所述通孔与缺陷区域的所述数据线之间设置所述隔断，断开将数据信号传递到所述像素单元的导电通路，解决了现有长膜修补方法存在缺陷区域的相邻像素单元异常的技术问题。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底；
阵列分布于所述衬底上的多个像素单元，所述像素单元包括像素电极、源漏极以及位于源漏极上方的绝缘层，所述像素电极通过一贯穿所述绝缘层的通孔与所述源漏极电连接；
数据线，所述数据线沿着所述像素单元的两侧纵向排列设置，所述数据线和所述源漏极同层设置，所述数据线包括缺陷区域；
修补膜层，所述修补膜层覆盖所述缺陷区域；
其中，所述通孔设置在所述数据线的侧部，所述修补膜层设置有至少一个隔断，所述隔断将所述数据线和所述像素单元断开。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述缺陷区域的所述数据线与一侧的相邻所述像素单元的所述通孔之间设置有所述修补膜层，所述通孔处设置有所述隔断，所述通孔上方未设置所述修补膜层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述缺陷区域的所述数据线与所述通孔之间设置有所述隔断。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述缺陷区域的所述数据线与一侧的相邻所述像素单元的所述通孔之间设置有所述修补膜层，所述缺陷区域的所述数据线与所述通孔之间设置有所述隔断。
5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述修补膜层的材料包括钨。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述缺陷区域的所述数据线与两侧的相邻所述像素单元的所述通孔之间均设置有所述修补膜层，所述通孔上方未设置所述修补膜层。
7.一种长膜修补方法，其特征在于，包括：
提供一金属线；
提供检测装置，所述检测装置检测所述金属线得到缺陷区域；
在所述缺陷区域内，由所述金属线起始端向所述金属线终止端逐步溅射形成修补膜层，所述修补膜层连续设置，所述修补膜层用于连接所述金属线起始端和所述金属线终止端；
将所述起始端的所述修补膜层断开。
8.根据权利要求7所述的长膜修补方法，其特征在于，所述金属线为数据线。
9.根据权利要求8所述的长膜修补方法，其特征在于，将所述起始端的所述修补膜层断开的步骤还包括：通过镭射的方式切断所述通孔上方的所述修补膜层。
10.根据权利要求8所述的长膜修补方法，其特征在于，将所述起始端的所述修补膜层断开的步骤还包括：在不影响所述缺陷区域的数据信号沿着所述数据线传输的前提下，通过镭射的方式切断所述缺陷区域与所述像素单元连接位置的所述修补膜层。
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