JPH09146121A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH09146121A JPH09146121A JP16595696A JP16595696A JPH09146121A JP H09146121 A JPH09146121 A JP H09146121A JP 16595696 A JP16595696 A JP 16595696A JP 16595696 A JP16595696 A JP 16595696A JP H09146121 A JPH09146121 A JP H09146121A
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- Japan
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- signal lines
- source signal
- signal line
- gate signal
- insulating film
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136259—Repairing; Defects
- G02F1/136263—Line defects
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136259—Repairing; Defects
- G02F1/136272—Auxiliary lines
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 信号遅延を抑制し、かつ、コスト上有利な断
線修復が可能な液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 本発明の液晶表示装置は、透明絶縁性基
板１上に平行かつ等間隔に配設された複数のゲート信号
線２と、前記ゲート信号線に直交し、平行かつ等間隔に
配設された複数のソース信号線３と、前記両信号線の交
点部に設けられた薄膜トランジスタ４と、前記両信号線
の一方の端部に設けられた端子５と、前記ゲート信号線
および前記端子周辺部とを覆うように形成された絶縁膜
と、表示領域の周辺部に配設された複数の補助配線９と
からなり、前記ソース信号線は複数本づつの群に区分け
され、該群ごとに、該群に属するソース信号線が特定の
補助配線と交差するように、表示領域の外側のソース信
号線の外延長さと補助配線の周回長さとが決定され、ソ
ース信号線と補助配線とが形成される。
線修復が可能な液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 本発明の液晶表示装置は、透明絶縁性基
板１上に平行かつ等間隔に配設された複数のゲート信号
線２と、前記ゲート信号線に直交し、平行かつ等間隔に
配設された複数のソース信号線３と、前記両信号線の交
点部に設けられた薄膜トランジスタ４と、前記両信号線
の一方の端部に設けられた端子５と、前記ゲート信号線
および前記端子周辺部とを覆うように形成された絶縁膜
と、表示領域の周辺部に配設された複数の補助配線９と
からなり、前記ソース信号線は複数本づつの群に区分け
され、該群ごとに、該群に属するソース信号線が特定の
補助配線と交差するように、表示領域の外側のソース信
号線の外延長さと補助配線の周回長さとが決定され、ソ
ース信号線と補助配線とが形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯テレビ、壁掛
けテレビ、携帯用ＯＡ機器に搭載される液晶ディスプレ
イとしての液晶表示装置に関するものである。
けテレビ、携帯用ＯＡ機器に搭載される液晶ディスプレ
イとしての液晶表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示パネルは、通常２枚の対向する
基板のあいだに液晶材料が挟持され、この液晶材料に選
択的に電圧を印加するように構成されている。たとえば
前記基板の少なくとも一方に、マトリクス状に配列した
透明性導電膜からなる画素電極を設け、これらの画素電
極ごとに選択的に電圧を印加するためのトランジスタな
どのスイッチング素子を設けて透過率を各画素ごとに制
御している。
基板のあいだに液晶材料が挟持され、この液晶材料に選
択的に電圧を印加するように構成されている。たとえば
前記基板の少なくとも一方に、マトリクス状に配列した
透明性導電膜からなる画素電極を設け、これらの画素電
極ごとに選択的に電圧を印加するためのトランジスタな
どのスイッチング素子を設けて透過率を各画素ごとに制
御している。
【０００３】近年、ディスプレイの高精細化にともない
線欠陥による歩留まりの低下が問題となっており、この
線欠陥救済技術の確立が重要となっている。
線欠陥による歩留まりの低下が問題となっており、この
線欠陥救済技術の確立が重要となっている。
【０００４】図５はたとえば特開平０５−２０３９８６
号公報に記載の従来の液晶表示装置を示す平面図、図６
は図５中Ｂ−Ｂ線断面における、Ｑ点およびその周辺部
を示す断面図である。図５および図６において１は透明
絶縁性基板、２はゲート信号線、２３はソース信号線、
４は薄膜トランジスタ、５は端子、６は交差部、７は絶
縁膜、８は表示領域、１０は断線欠陥、２９は補助配線
である。補助配線２９は表示領域８周辺部を周回するよ
うに配設され、ソース信号線２３と絶縁膜７を介した直
交部として交差部６を形成している。
号公報に記載の従来の液晶表示装置を示す平面図、図６
は図５中Ｂ−Ｂ線断面における、Ｑ点およびその周辺部
を示す断面図である。図５および図６において１は透明
絶縁性基板、２はゲート信号線、２３はソース信号線、
４は薄膜トランジスタ、５は端子、６は交差部、７は絶
縁膜、８は表示領域、１０は断線欠陥、２９は補助配線
である。補助配線２９は表示領域８周辺部を周回するよ
うに配設され、ソース信号線２３と絶縁膜７を介した直
交部として交差部６を形成している。
【０００５】かかる液晶表示装置では、断線部１０が発
生したソース信号線２３の両端部に形成されている交差
部６にレーザを照射することによって絶縁膜７を破壊し
ソース信号線２３と補助配線２９を電気的に接続するこ
とにより断線を修復する。
生したソース信号線２３の両端部に形成されている交差
部６にレーザを照射することによって絶縁膜７を破壊し
ソース信号線２３と補助配線２９を電気的に接続するこ
とにより断線を修復する。
【０００６】このような液晶表示装置では、ゲート信号
線２やソース信号線２３の断線やゲート信号線２３とソ
ース信号線２３の短絡が発生しやすい。断線または短絡
は、ゲート信号線２やソース信号線２３の金属膜の内部
応力や、パターン形成時の欠陥導入、ソース信号線２３
によって高くなっている表面とその他の部分とのレベル
差を有する部分における段のような、図６に示す段差部
での金属膜の段差被覆性などの不良に起因する。そのま
まではいずれのばあいも線欠陥となり、線欠陥を有する
表示パネルは製品として使用に耐えない。前記欠陥のう
ち、短絡欠陥についてはたとえばソース信号線２３を短
絡個所の前後でレーザで切断することにより短絡は修復
できる。しかし、切断した信号線は断線欠陥となる。結
局、以上から断線欠陥が問題となることが理解できる。
これを修復する手段としてレーザービームを用いる前記
方法が提案されている。
線２やソース信号線２３の断線やゲート信号線２３とソ
ース信号線２３の短絡が発生しやすい。断線または短絡
は、ゲート信号線２やソース信号線２３の金属膜の内部
応力や、パターン形成時の欠陥導入、ソース信号線２３
によって高くなっている表面とその他の部分とのレベル
差を有する部分における段のような、図６に示す段差部
での金属膜の段差被覆性などの不良に起因する。そのま
まではいずれのばあいも線欠陥となり、線欠陥を有する
表示パネルは製品として使用に耐えない。前記欠陥のう
ち、短絡欠陥についてはたとえばソース信号線２３を短
絡個所の前後でレーザで切断することにより短絡は修復
できる。しかし、切断した信号線は断線欠陥となる。結
局、以上から断線欠陥が問題となることが理解できる。
これを修復する手段としてレーザービームを用いる前記
方法が提案されている。
【０００７】また、前記方式は補助配線２９がパネル内
部に形成されているので、付加価値の高い外部回路を実
装する前に線欠陥が修復されているか否かを確認できる
点でコスト上有利である。
部に形成されているので、付加価値の高い外部回路を実
装する前に線欠陥が修復されているか否かを確認できる
点でコスト上有利である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら図５に示
すような液晶表示装置では、補助配線２９はすべてのソ
ース配線２３と交差部６を形成している。この交差部６
では寄生容量（大きさは０．２ｐＦ程度）が発生するの
で、断線を修復したソース信号線２３は断線のないソー
ス信号線にくらべて容量が増大する。
すような液晶表示装置では、補助配線２９はすべてのソ
ース配線２３と交差部６を形成している。この交差部６
では寄生容量（大きさは０．２ｐＦ程度）が発生するの
で、断線を修復したソース信号線２３は断線のないソー
ス信号線にくらべて容量が増大する。
【０００９】近年、ディスプレイの高精細化およびカラ
ー化が進んでいる結果、信号線の数が増加している。た
とえばＳＶＧＡ（super video graphic array）級では
ゲート信号線２の本数は６００本、ソース信号線２３の
本数は２４００本である。画面中央部付近で断線が発生
したばあい、修復した信号線の容量の合計は７００ｐＦ
にもなり、ソース信号線２３単独の容量１００ｐＦ程度
の７倍にもなる。端子５を通して信号を入力する外部回
路の出力抵抗を含めた抵抗は修復した信号線も修復して
いない信号線も１０ｋΩ程度である。したがって、結局
修復したばあいの信号時定数は７倍（７μｓ）となる。
その結果、信号遅延が著しくなって実際の表示では線欠
陥として見える（すなわち線欠陥は修復できない）。
ー化が進んでいる結果、信号線の数が増加している。た
とえばＳＶＧＡ（super video graphic array）級では
ゲート信号線２の本数は６００本、ソース信号線２３の
本数は２４００本である。画面中央部付近で断線が発生
したばあい、修復した信号線の容量の合計は７００ｐＦ
にもなり、ソース信号線２３単独の容量１００ｐＦ程度
の７倍にもなる。端子５を通して信号を入力する外部回
路の出力抵抗を含めた抵抗は修復した信号線も修復して
いない信号線も１０ｋΩ程度である。したがって、結局
修復したばあいの信号時定数は７倍（７μｓ）となる。
その結果、信号遅延が著しくなって実際の表示では線欠
陥として見える（すなわち線欠陥は修復できない）。
【００１０】前述の修復した信号時定数、すなわち修復
した信号線の寄生容量を抑制するために、たとえば図７
のように特開平３−８５５２５号公報に記載の構成が提
案されている。図７は、従来例を示す平面図である。図
７において、符号１から８、２３、および２９は図５に
示した符号と同じ部分を示す。符号５１はダミー端子を
示す。図８は、従来の液晶ディスプレイにおける断線欠
陥を修復する方法を示す説明図である。図８において符
号１から１０、２３、２９および５１は図７に示した符
号と同じ部分を示す。符号２１はドライバＩＣ用回路基
板を示し、符号２２は制御回路用回路基板を示し、５２
は配線を示し、９１は配線を示す。前述の従来例におい
ては、ソース信号線２３を一群の本数のグループにわ
け、補助配線２９はこの一群のソース信号線２３とのみ
交差部６を形成するようにし、一群のソース信号線２３
の両端に設けられたダミー端子５１に接続される構成と
なっている。そして、図８に示すようにパネルに実装さ
れるドライバＩＣ基板２１と制御回路基板２２にそれぞ
れ設けられたダミー配線５２および配線９１を通じて電
気的導通をとるようにしている。
した信号線の寄生容量を抑制するために、たとえば図７
のように特開平３−８５５２５号公報に記載の構成が提
案されている。図７は、従来例を示す平面図である。図
７において、符号１から８、２３、および２９は図５に
示した符号と同じ部分を示す。符号５１はダミー端子を
示す。図８は、従来の液晶ディスプレイにおける断線欠
陥を修復する方法を示す説明図である。図８において符
号１から１０、２３、２９および５１は図７に示した符
号と同じ部分を示す。符号２１はドライバＩＣ用回路基
板を示し、符号２２は制御回路用回路基板を示し、５２
は配線を示し、９１は配線を示す。前述の従来例におい
ては、ソース信号線２３を一群の本数のグループにわ
け、補助配線２９はこの一群のソース信号線２３とのみ
交差部６を形成するようにし、一群のソース信号線２３
の両端に設けられたダミー端子５１に接続される構成と
なっている。そして、図８に示すようにパネルに実装さ
れるドライバＩＣ基板２１と制御回路基板２２にそれぞ
れ設けられたダミー配線５２および配線９１を通じて電
気的導通をとるようにしている。
【００１１】前記従来例においては、補助配線２９に交
差するソース信号線２３の本数すなわち寄生容量が減少
する。したがって、信号遅延は問題のないレベルとな
る。しかし、ドライバＩＣ基板２１と制御回路基板を実
装するまでは修復の確認ができない。したがって接続部
の導通が不充分なばあいは、高価なこれらの基板も一緒
に廃棄することになり、コスト上極めて不利である。
差するソース信号線２３の本数すなわち寄生容量が減少
する。したがって、信号遅延は問題のないレベルとな
る。しかし、ドライバＩＣ基板２１と制御回路基板を実
装するまでは修復の確認ができない。したがって接続部
の導通が不充分なばあいは、高価なこれらの基板も一緒
に廃棄することになり、コスト上極めて不利である。
【００１２】本発明は、かかる問題を解決するためにな
されたもので、信号遅延を抑制し、しかもコスト上有利
な断線修復が可能な液晶表示装置を実現することを目的
とする。
されたもので、信号遅延を抑制し、しかもコスト上有利
な断線修復が可能な液晶表示装置を実現することを目的
とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、透明絶縁性基板上に平行かつ等間隔に配設された複
数のゲート信号線と、前記ゲート信号線に直交し、か
つ、平行かつ等間隔に配設された複数のソース信号線
と、前記ゲート信号線と前記ソース信号線の各交点部に
それぞれ設けられた薄膜トランジスタと、前記ゲート信
号線のそれぞれの一方の端部および前記ソース信号線の
それぞれの一方の端部にそれぞれ設けられた端子と、前
記ゲート信号線および前記端子周辺部を覆うように形成
された絶縁膜と、前記薄膜トランジスタが配設されてな
る表示領域の周辺部を周回するように配設された複数の
補助配線とからなり、前記複数のソース信号線は、互い
に隣接する複数本ずつの群に区分けされ、前記群ごと
に、該群に属するソース信号線が前記絶縁膜を介して特
定の補助配線と交差部を有しうるように、表示領域の外
側におけるソース信号線の外延長さが決定されるととも
に補助配線の周回長さが決定され、それによりソース信
号線と補助配線とが形成される。
は、透明絶縁性基板上に平行かつ等間隔に配設された複
数のゲート信号線と、前記ゲート信号線に直交し、か
つ、平行かつ等間隔に配設された複数のソース信号線
と、前記ゲート信号線と前記ソース信号線の各交点部に
それぞれ設けられた薄膜トランジスタと、前記ゲート信
号線のそれぞれの一方の端部および前記ソース信号線の
それぞれの一方の端部にそれぞれ設けられた端子と、前
記ゲート信号線および前記端子周辺部を覆うように形成
された絶縁膜と、前記薄膜トランジスタが配設されてな
る表示領域の周辺部を周回するように配設された複数の
補助配線とからなり、前記複数のソース信号線は、互い
に隣接する複数本ずつの群に区分けされ、前記群ごと
に、該群に属するソース信号線が前記絶縁膜を介して特
定の補助配線と交差部を有しうるように、表示領域の外
側におけるソース信号線の外延長さが決定されるととも
に補助配線の周回長さが決定され、それによりソース信
号線と補助配線とが形成される。
【００１４】前記絶縁膜が、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＯ2および
Ｔａ2Ｏ5のうちのいずれかからなることが、レーザ照射
による溶射により補助配線とソース信号線とを電気的に
接続できるため好ましい。
Ｔａ2Ｏ5のうちのいずれかからなることが、レーザ照射
による溶射により補助配線とソース信号線とを電気的に
接続できるため好ましい。
【００１５】本発明の液晶表示装置は、透明絶縁性基板
上に平行かつ等間隔に配設された複数のゲート信号線
と、前記ゲート信号線に直交し、かつ、平行かつ等間隔
に配設された複数のソース信号線と、前記ゲート信号線
と前記ソース信号線の各交点部にそれぞれ設けられた薄
膜トランジスタと、前記ゲート信号線のそれぞれの一方
の端部および前記ソース信号線のそれぞれの一方の端部
にそれぞれ設けられた端子と、前記ゲート信号線を覆う
ように形成された第１絶縁膜と、前記端子周辺部を覆う
ように形成された第２絶縁膜と、前記薄膜トランジスタ
が配設されてなる表示領域の周辺部を周回するように配
設された複数の補助配線とからなり、前記複数のソース
信号線は、互いに隣接する複数本づつの群に区分けさ
れ、前記群ごとに、該群に属するソース信号線が前記絶
縁膜を介して特定の補助配線と交差部を有しうるよう
に、表示領域の外側におけるソース信号線の外延長さが
決定されるとともに補助配線の周回長さが決定され、そ
れによりソース信号線と補助配線とが形成されることを
特徴とする。
上に平行かつ等間隔に配設された複数のゲート信号線
と、前記ゲート信号線に直交し、かつ、平行かつ等間隔
に配設された複数のソース信号線と、前記ゲート信号線
と前記ソース信号線の各交点部にそれぞれ設けられた薄
膜トランジスタと、前記ゲート信号線のそれぞれの一方
の端部および前記ソース信号線のそれぞれの一方の端部
にそれぞれ設けられた端子と、前記ゲート信号線を覆う
ように形成された第１絶縁膜と、前記端子周辺部を覆う
ように形成された第２絶縁膜と、前記薄膜トランジスタ
が配設されてなる表示領域の周辺部を周回するように配
設された複数の補助配線とからなり、前記複数のソース
信号線は、互いに隣接する複数本づつの群に区分けさ
れ、前記群ごとに、該群に属するソース信号線が前記絶
縁膜を介して特定の補助配線と交差部を有しうるよう
に、表示領域の外側におけるソース信号線の外延長さが
決定されるとともに補助配線の周回長さが決定され、そ
れによりソース信号線と補助配線とが形成されることを
特徴とする。
【００１６】前記第２絶縁膜が、Ｓｉ3Ｎ4およびＳｉＯ
2のうちのいずれかからなることが、レーザ照射による
溶射により補助配線とソース信号線とを電気的に接続で
きるため好ましい。
2のうちのいずれかからなることが、レーザ照射による
溶射により補助配線とソース信号線とを電気的に接続で
きるため好ましい。
【００１７】本発明の液晶表示装置は、透明絶縁性基板
上に平行かつ等間隔に配設された複数のゲート信号線
と、前記ゲート信号線に直交し、かつ、平行かつ等間隔
に配設された複数のソース信号線と、前記ゲート信号線
と前記ソース信号線の各交点部にそれぞれ設けられた薄
膜トランジスタと、前記ゲート信号線のそれぞれの一方
の端部および前記ソース信号線のそれぞれの一方の端部
にそれぞれ設けられた端子と、前記ゲート信号線および
前記端子周辺部を覆うように形成され絶縁膜と、前記薄
膜トランジスタが配設されてなる表示領域の周辺部を周
回するように配設された複数の補助配線とからなり、前
記複数のソース信号線は、互いに隣接する複数本ずつの
群に区分けされ、前記群ごとに、該群に属するソース信
号線が特定の補助配線と前記絶縁膜を介して交差部を有
しうるように、表示領域の外側におけるソース信号線の
外延長さが決定されるとともに補助配線の周回長さが決
定され、それによりソース信号線と補助配線とが形成さ
れており、かつ、金属パターン膜が、前記複数の補助配
線と直交するように補助配線にまたがるとともに当該金
属パターン膜が前記群ごとの境界線上に位置するように
して、前記絶縁膜を介して形成される。
上に平行かつ等間隔に配設された複数のゲート信号線
と、前記ゲート信号線に直交し、かつ、平行かつ等間隔
に配設された複数のソース信号線と、前記ゲート信号線
と前記ソース信号線の各交点部にそれぞれ設けられた薄
膜トランジスタと、前記ゲート信号線のそれぞれの一方
の端部および前記ソース信号線のそれぞれの一方の端部
にそれぞれ設けられた端子と、前記ゲート信号線および
前記端子周辺部を覆うように形成され絶縁膜と、前記薄
膜トランジスタが配設されてなる表示領域の周辺部を周
回するように配設された複数の補助配線とからなり、前
記複数のソース信号線は、互いに隣接する複数本ずつの
群に区分けされ、前記群ごとに、該群に属するソース信
号線が特定の補助配線と前記絶縁膜を介して交差部を有
しうるように、表示領域の外側におけるソース信号線の
外延長さが決定されるとともに補助配線の周回長さが決
定され、それによりソース信号線と補助配線とが形成さ
れており、かつ、金属パターン膜が、前記複数の補助配
線と直交するように補助配線にまたがるとともに当該金
属パターン膜が前記群ごとの境界線上に位置するように
して、前記絶縁膜を介して形成される。
【００１８】前記絶縁膜がＳｉ3Ｎ4、ＳｉＯ2およびＴ
ａ2Ｏ5のうちのいずれかからなることがレーザ照射によ
る溶射により補助配線とソース信号線または補助配線と
金属パターン膜とを電気的に接続できるため好ましい。
ａ2Ｏ5のうちのいずれかからなることがレーザ照射によ
る溶射により補助配線とソース信号線または補助配線と
金属パターン膜とを電気的に接続できるため好ましい。
【００１９】本発明の液晶表示装置は、透明絶縁性基板
上に平行かつ等間隔に配設された複数のゲート信号線
と、前記ゲート信号線に直交し、かつ、平行かつ等間隔
に配設された複数のソース信号線と、前記ゲート信号線
と前記ソース信号線の各交点部にそれぞれ設けられた薄
膜トランジスタと、前記ゲート信号線のそれぞれの一方
の端部および前記ソース信号線のそれぞれの一方の端部
にそれぞれ設けられた端子と、前記ゲート信号線を覆う
ように形成された第１絶縁膜と、前記端子周辺部を覆う
ように形成された第２絶縁膜と、前記薄膜トランジスタ
が配設されてなる表示領域の周辺部を周回するように配
設された複数の補助配線とからなり、前記複数のソース
信号線は、互いに隣接する複数本づつの群に区分けさ
れ、前記群ごとに、該群に属するソース信号線が前記絶
縁膜を介して特定の補助配線と交差部を有しうるよう
に、表示領域の外側におけるソース信号線の外延長さが
決定されるとともに補助配線の周回長さが決定され、そ
れによりソース信号線と補助配線とが形成されており、
かつ、金属パターン膜が、前記複数本の補助配線と直交
するように補助配線にまたがるとともに当該金属パター
ン膜が前記群ごとの境界線上に位置するようにして、前
記絶縁膜を介して形成されることを特徴とする。
上に平行かつ等間隔に配設された複数のゲート信号線
と、前記ゲート信号線に直交し、かつ、平行かつ等間隔
に配設された複数のソース信号線と、前記ゲート信号線
と前記ソース信号線の各交点部にそれぞれ設けられた薄
膜トランジスタと、前記ゲート信号線のそれぞれの一方
の端部および前記ソース信号線のそれぞれの一方の端部
にそれぞれ設けられた端子と、前記ゲート信号線を覆う
ように形成された第１絶縁膜と、前記端子周辺部を覆う
ように形成された第２絶縁膜と、前記薄膜トランジスタ
が配設されてなる表示領域の周辺部を周回するように配
設された複数の補助配線とからなり、前記複数のソース
信号線は、互いに隣接する複数本づつの群に区分けさ
れ、前記群ごとに、該群に属するソース信号線が前記絶
縁膜を介して特定の補助配線と交差部を有しうるよう
に、表示領域の外側におけるソース信号線の外延長さが
決定されるとともに補助配線の周回長さが決定され、そ
れによりソース信号線と補助配線とが形成されており、
かつ、金属パターン膜が、前記複数本の補助配線と直交
するように補助配線にまたがるとともに当該金属パター
ン膜が前記群ごとの境界線上に位置するようにして、前
記絶縁膜を介して形成されることを特徴とする。
【００２０】前記第２絶縁膜が、Ｓｉ3Ｎ4およびＳｉＯ
2のうちのいずれかからなることがレーザ照射による溶
射により補助配線とソース信号線または補助配線と金属
パターン膜とを電気的に接続できるため好ましい。
2のうちのいずれかからなることがレーザ照射による溶
射により補助配線とソース信号線または補助配線と金属
パターン膜とを電気的に接続できるため好ましい。
【００２１】
【発明の実施の形態】つぎに、本発明の一実施例を図１
および図２を用いて説明する。図１は本発明の一実施例
を示す液晶表示装置の平面図、図２は図１のＡ−Ａ線断
面における、Ｐ点およびその周辺部を示す断面図であ
る。図１および図２において、１は透明絶縁性基板、２
は、透明絶縁性基板上に等間隔かつ平行に配列されたゲ
ート信号線、３は、透明絶縁性基板上に等間隔かつ平行
に配列され、ゲート信号線に直交しているソース信号
線、４は、ゲート信号線とソース信号線の各交点部にそ
れぞれ設けられた薄膜トランジスタ、５は、ゲート信号
線の各一端およびソース信号線の各一端に設けられた端
子、６は交差部、７ｂは前記端子の周辺部を覆って形成
される第２絶縁膜、８は、薄膜トランジスタが設けられ
ている表示領域、９は補助配線、１０は断線欠陥であ
る。図１は平面図であるので、絶縁膜７は図示されな
い。ソース信号線はいくつかのソース信号線の群に分け
られる。各群において、各群は、ソース信号線が、互い
に隣接する、複数のソース信号線からなるように配列さ
れる。前記絶縁膜７において、前記表示領域内に形成さ
れる部分を第１絶縁膜７ａ（図示せず）とし、前記表示
領域の外側に形成される部分を第２絶縁膜７ｂとする。
２つの絶縁膜７ａと７ｂをあわせて絶縁膜７という。前
記補助配線９は表示領域８周辺部を周回するように複数
本配設され、ソース信号線３と第２絶縁膜７ｂを介して
直交し交差部６を形成している。
および図２を用いて説明する。図１は本発明の一実施例
を示す液晶表示装置の平面図、図２は図１のＡ−Ａ線断
面における、Ｐ点およびその周辺部を示す断面図であ
る。図１および図２において、１は透明絶縁性基板、２
は、透明絶縁性基板上に等間隔かつ平行に配列されたゲ
ート信号線、３は、透明絶縁性基板上に等間隔かつ平行
に配列され、ゲート信号線に直交しているソース信号
線、４は、ゲート信号線とソース信号線の各交点部にそ
れぞれ設けられた薄膜トランジスタ、５は、ゲート信号
線の各一端およびソース信号線の各一端に設けられた端
子、６は交差部、７ｂは前記端子の周辺部を覆って形成
される第２絶縁膜、８は、薄膜トランジスタが設けられ
ている表示領域、９は補助配線、１０は断線欠陥であ
る。図１は平面図であるので、絶縁膜７は図示されな
い。ソース信号線はいくつかのソース信号線の群に分け
られる。各群において、各群は、ソース信号線が、互い
に隣接する、複数のソース信号線からなるように配列さ
れる。前記絶縁膜７において、前記表示領域内に形成さ
れる部分を第１絶縁膜７ａ（図示せず）とし、前記表示
領域の外側に形成される部分を第２絶縁膜７ｂとする。
２つの絶縁膜７ａと７ｂをあわせて絶縁膜７という。前
記補助配線９は表示領域８周辺部を周回するように複数
本配設され、ソース信号線３と第２絶縁膜７ｂを介して
直交し交差部６を形成している。
【００２２】図１に示したように、ゲート信号線、ソー
ス信号線、薄膜トランジスタ、補助配線が透明絶縁基板
上に形成され、表示領域の内側の領域の絶縁膜の部分が
第１絶縁膜であり、表示領域の外側の領域の絶縁膜の部
分が第２絶縁膜である配置は従来例と同様の構成であ
る。本発明では、表示領域８の左右両端付近の一群のソ
ース信号線３はそれぞれの端子５とは反対側の端部が外
側の補助配線９と交差しないように形成されている。し
たがって、補助配線９との接続部が形成されないことが
大きな特徴である。一方、表示領域８の中央部付近の一
群のソース信号線３はそれぞれの端部５とは反対側の端
部が外側の補助配線９と交差している。
ス信号線、薄膜トランジスタ、補助配線が透明絶縁基板
上に形成され、表示領域の内側の領域の絶縁膜の部分が
第１絶縁膜であり、表示領域の外側の領域の絶縁膜の部
分が第２絶縁膜である配置は従来例と同様の構成であ
る。本発明では、表示領域８の左右両端付近の一群のソ
ース信号線３はそれぞれの端子５とは反対側の端部が外
側の補助配線９と交差しないように形成されている。し
たがって、補助配線９との接続部が形成されないことが
大きな特徴である。一方、表示領域８の中央部付近の一
群のソース信号線３はそれぞれの端部５とは反対側の端
部が外側の補助配線９と交差している。
【００２３】さらに、内側の補助配線９は外側の補助配
線とは逆に、表示領域８の中央部付近の一群のソース信
号線３はそれぞれの端部５とは反対側の端部が交差しな
いよう、前記左右両端付近の一群のソース信号線３と交
差するのに必要な配線長さＬだけで終端した構成とし
た。
線とは逆に、表示領域８の中央部付近の一群のソース信
号線３はそれぞれの端部５とは反対側の端部が交差しな
いよう、前記左右両端付近の一群のソース信号線３と交
差するのに必要な配線長さＬだけで終端した構成とし
た。
【００２４】前記補助配線９の長さを周回長さとし、前
記ソース信号線３の表示領域８より外側の長さＤまたは
Ｅを外延長さとする。補助配線は、このようにして設け
られるので、各群のソース信号線は、特定の補助配線と
の交差部を有する。
記ソース信号線３の表示領域８より外側の長さＤまたは
Ｅを外延長さとする。補助配線は、このようにして設け
られるので、各群のソース信号線は、特定の補助配線と
の交差部を有する。
【００２５】この端子５と反対側の端部が補助配線９と
直交する、またはしない、というようなソース信号線の
一群の本数は、表示領域８の外側に形成される補助配線
９の本数によって異なる（図１では表示領域８を左右に
振り分けてそれぞれ２本としている）。多数の補助配線
９が平行して形成可能であれば、群数を多くすることが
でき、一群内のソース信号線の本数が少なくなるので補
助配線の寄生容量も小さくできる。
直交する、またはしない、というようなソース信号線の
一群の本数は、表示領域８の外側に形成される補助配線
９の本数によって異なる（図１では表示領域８を左右に
振り分けてそれぞれ２本としている）。多数の補助配線
９が平行して形成可能であれば、群数を多くすることが
でき、一群内のソース信号線の本数が少なくなるので補
助配線の寄生容量も小さくできる。
【００２６】ＳＶＧＡ級を例にとると、補助配線が表示
領域８の左右に振り分けてそれぞれ設けられ、それぞれ
５本ずつ補助配線９が形成されれば充分である。このば
あい一群内のソース信号線３の本数は２４０本である。
表示領域中央部のソース信号線３の修復には、一番外側
の補助配線９を用いることになるが、このばあい交差部
６の数は１４４０まで減少する（従来例では２４０
０）。ゲート信号線２との交差部を加えたとしても時定
数は従来例の２／３まで低減できる。この構成で実際に
中央部のソース信号線３に断線部１０を形成し、前記断
線部１０を有するソース信号線３を修復して駆動したと
ころ表示上全く問題のないレベルであった。
領域８の左右に振り分けてそれぞれ設けられ、それぞれ
５本ずつ補助配線９が形成されれば充分である。このば
あい一群内のソース信号線３の本数は２４０本である。
表示領域中央部のソース信号線３の修復には、一番外側
の補助配線９を用いることになるが、このばあい交差部
６の数は１４４０まで減少する（従来例では２４０
０）。ゲート信号線２との交差部を加えたとしても時定
数は従来例の２／３まで低減できる。この構成で実際に
中央部のソース信号線３に断線部１０を形成し、前記断
線部１０を有するソース信号線３を修復して駆動したと
ころ表示上全く問題のないレベルであった。
【００２７】交差部６の導通および、パネルの駆動の良
否をドライバＩＣ基板および制御回路基板の実装前に検
査装置で検査したのはいうまでもない。
否をドライバＩＣ基板および制御回路基板の実装前に検
査装置で検査したのはいうまでもない。
【００２８】なお、本構成では一群のソース信号線に割
当てられている補助配線９の本数は実質１本であり、断
線修復可能なソース信号線３の本数も一群あたり１本に
限定されている。したがって、可能性は低いものの、図
３に示すように一群あたり２本断線が発生したばあいに
は、ソース信号線３の一群あたり補助配線９が１本とい
う前述の構成では、そのパネルは修復不可能となる。こ
の問題を解決するには単純に一群のソース信号線３に割
り当てる補助配線９の本数を増やせば（たとえば２倍と
すれば）よい。本発明にかかわる第２の実施例を、図３
および図４を参照しつつ説明する。図３は、本発明を具
現する液晶ディスプレイの他の実施例を示す平面図であ
る。図３および図４において符号１から９は、図１およ
び図２における符号と同一の部分を示す。符号３ａおよ
び３ｂはソース信号線を示し、符号１０ａおよび１０ｂ
は断線欠陥を示し、符号１１は金属パターン膜を示し、
符号１２ａおよび１２ｂは交点部を示す。
当てられている補助配線９の本数は実質１本であり、断
線修復可能なソース信号線３の本数も一群あたり１本に
限定されている。したがって、可能性は低いものの、図
３に示すように一群あたり２本断線が発生したばあいに
は、ソース信号線３の一群あたり補助配線９が１本とい
う前述の構成では、そのパネルは修復不可能となる。こ
の問題を解決するには単純に一群のソース信号線３に割
り当てる補助配線９の本数を増やせば（たとえば２倍と
すれば）よい。本発明にかかわる第２の実施例を、図３
および図４を参照しつつ説明する。図３は、本発明を具
現する液晶ディスプレイの他の実施例を示す平面図であ
る。図３および図４において符号１から９は、図１およ
び図２における符号と同一の部分を示す。符号３ａおよ
び３ｂはソース信号線を示し、符号１０ａおよび１０ｂ
は断線欠陥を示し、符号１１は金属パターン膜を示し、
符号１２ａおよび１２ｂは交点部を示す。
【００２９】しかし、実際のパネル上においては、配設
できるスペースの余裕に限界がある。そこで、図３に示
すように金属パターン膜１１を絶縁膜を介して、平行な
２本の補助配線９にまたがってそれぞれに直交するよう
に配置する構成が考えられる。ここで、金属パターン膜
１１をたとえばソース信号線３と同じ層に同じ材質で形
成しておけば、金属パターン膜１１と補助配線９とのあ
いだの絶縁膜は前記第２絶縁膜７ｂを兼用でき、図１の
構成に比べて新たな工程を必要とせずに本構成が実現可
能である。
できるスペースの余裕に限界がある。そこで、図３に示
すように金属パターン膜１１を絶縁膜を介して、平行な
２本の補助配線９にまたがってそれぞれに直交するよう
に配置する構成が考えられる。ここで、金属パターン膜
１１をたとえばソース信号線３と同じ層に同じ材質で形
成しておけば、金属パターン膜１１と補助配線９とのあ
いだの絶縁膜は前記第２絶縁膜７ｂを兼用でき、図１の
構成に比べて新たな工程を必要とせずに本構成が実現可
能である。
【００３０】図４は、図３の部分拡大説明図である。前
記実施例によれば、表示領域８の両側付近のソース信号
線３ａ、３ｂにおいて、断線部１０ａ、１０ｂで示され
る断線が２本発生したばあいでも、レーザ照射により、
黒丸で示される交差部１２ａ、１２ｂにおいて、金属パ
ターン膜１１と補助配線９とを導通させ、さらに適当な
個所で（たとえば１３で示される個所）で補助配線９を
レーザ照射して切断すれば、図４中に矢印で示すように
ソース信号線３ａ、３ｂに信号が伝わる。
記実施例によれば、表示領域８の両側付近のソース信号
線３ａ、３ｂにおいて、断線部１０ａ、１０ｂで示され
る断線が２本発生したばあいでも、レーザ照射により、
黒丸で示される交差部１２ａ、１２ｂにおいて、金属パ
ターン膜１１と補助配線９とを導通させ、さらに適当な
個所で（たとえば１３で示される個所）で補助配線９を
レーザ照射して切断すれば、図４中に矢印で示すように
ソース信号線３ａ、３ｂに信号が伝わる。
【００３１】図４のように表示領域８の両側付近のソー
ス信号線３ａ、３ｂについて、２本修復したばあいは表
示領域８中央部での修復は不可能であるが、修復可能な
ケースが増加する結果、総合的にみて更なる歩留まりの
向上が期待できる。
ス信号線３ａ、３ｂについて、２本修復したばあいは表
示領域８中央部での修復は不可能であるが、修復可能な
ケースが増加する結果、総合的にみて更なる歩留まりの
向上が期待できる。
【００３２】前述の絶縁膜７として、たとえば一般的な
絶縁膜の材料である窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）を用い
る。たとえば酸化シリコン（ＳｉＯ2）で形成してもよ
い。酸化シリコンで形成されるばあい一般的な絶縁膜の
材料である窒化シリコンの比誘電率が７程度であるのに
対して、酸化シリコンの比誘電率は４程度であるため、
前記交差部６における寄生容量を低減することができ
る。また、前記絶縁膜７を酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）で
形成したばあい、この比誘電率は２０程度と窒化シリコ
ンに比べて非常に大きく、膜厚を厚くしても液晶表示装
置の表示特性を損なうことがない。したがって前記交差
部６の絶縁膜の膜厚を厚くできるため、前記交差部６に
おいて異物等による層間短絡欠陥の発生を抑えることが
できる。
絶縁膜の材料である窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）を用い
る。たとえば酸化シリコン（ＳｉＯ2）で形成してもよ
い。酸化シリコンで形成されるばあい一般的な絶縁膜の
材料である窒化シリコンの比誘電率が７程度であるのに
対して、酸化シリコンの比誘電率は４程度であるため、
前記交差部６における寄生容量を低減することができ
る。また、前記絶縁膜７を酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）で
形成したばあい、この比誘電率は２０程度と窒化シリコ
ンに比べて非常に大きく、膜厚を厚くしても液晶表示装
置の表示特性を損なうことがない。したがって前記交差
部６の絶縁膜の膜厚を厚くできるため、前記交差部６に
おいて異物等による層間短絡欠陥の発生を抑えることが
できる。
【００３３】前述の形成工程は、絶縁膜７の形成工程に
おいて、第１絶縁膜７ａと第２絶縁膜７ｂを同一の工程
で形成することに対応するが、第１絶縁膜７ａと第２絶
縁膜７ｂとを、それぞれ別の工程に分けて形成してもよ
い。このばあい、第２絶縁膜７ｂは一般的な絶縁膜の材
料である窒化シリコンを用いてもよいが、ほかの異なる
材料である、酸化シリコンを用いることもでき、前述と
同様、交差部６での寄生容量を低減することができる。
おいて、第１絶縁膜７ａと第２絶縁膜７ｂを同一の工程
で形成することに対応するが、第１絶縁膜７ａと第２絶
縁膜７ｂとを、それぞれ別の工程に分けて形成してもよ
い。このばあい、第２絶縁膜７ｂは一般的な絶縁膜の材
料である窒化シリコンを用いてもよいが、ほかの異なる
材料である、酸化シリコンを用いることもでき、前述と
同様、交差部６での寄生容量を低減することができる。
【００３４】
【発明の効果】本発明の液晶表示装置によれば、補助信
号線とソース信号線との交差部の数を減少できるため、
寄生容量の増大をおさえることができる。したがって、
信号遅延による表示不良が発生することがない。その結
果、断線の修復の確認がドライバＩＣ基板、制御回路基
板を実装する前に可能であるので、低コスト、高歩留ま
りな液晶表示装置が実現できる。
号線とソース信号線との交差部の数を減少できるため、
寄生容量の増大をおさえることができる。したがって、
信号遅延による表示不良が発生することがない。その結
果、断線の修復の確認がドライバＩＣ基板、制御回路基
板を実装する前に可能であるので、低コスト、高歩留ま
りな液晶表示装置が実現できる。
【図１】本発明の一実施例による液晶表示装置の平面図
である。
である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面におけるＰ点およびその周
辺部を示す断面図である。
辺部を示す断面図である。
【図３】本発明の他の実施例による液晶表示装置の平面
図である。
図である。
【図４】本発明の他の実施例による液晶表示装置の断線
修復の方法の説明図である。
修復の方法の説明図である。
【図５】従来の液晶表示装置の平面図である。
【図６】図５のＢ−Ｂ線断面におけるＱ点およびその周
辺部を示す断面図である。
辺部を示す断面図である。
【図７】図５に示された従来の液晶表示装置の問題点を
解決するための他の従来の液晶表示装置の平面図であ
る。
解決するための他の従来の液晶表示装置の平面図であ
る。
【図８】図７に示された他の従来の液晶表示装置の断線
修復の方法の説明図である。
修復の方法の説明図である。
１ 透明絶縁性基板 ２ ゲート信号線 ３ ソース信号線 ４ 薄膜トランジスタ ５ 端子 ９ 補助配線
Claims (8)
- 【請求項１】 透明絶縁性基板上に平行かつ等間隔に配
設された複数のゲート信号線と、前記ゲート信号線に直
交し、かつ、平行かつ等間隔に配設された複数のソース
信号線と、前記ゲート信号線と前記ソース信号線の各交
点部にそれぞれ設けられた薄膜トランジスタと、前記ゲ
ート信号線のそれぞれの一方の端部および前記ソース信
号線のそれぞれの一方の端部にそれぞれ設けられた端子
と、前記ゲート信号線および前記端子周辺部を覆うよう
に形成された絶縁膜と、前記薄膜トランジスタが配設さ
れてなる表示領域の周辺部を周回するように配設された
複数の補助配線とからなる液晶表示装置であって、前記
複数のソース信号線は、互いに隣接する複数本ずつの群
に区分けされ、前記群ごとに、該群に属するソース信号
線が前記絶縁膜を介して特定の補助配線と交差部を有し
うるように、表示領域の外側におけるソース信号線の外
延長さが決定されるとともに補助配線の周回長さが決定
され、それによりソース信号線と補助配線とが形成され
ることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記絶縁膜がＳｉ3Ｎ4、ＳｉＯ2、およ
びＴａ2Ｏ5のいずれかからなる請求項１記載の液晶表示
装置。 - 【請求項３】 透明絶縁性基板上に平行かつ等間隔に配
設された複数のゲート信号線と、前記ゲート信号線に直
交し、かつ、平行かつ等間隔に配設された複数のソース
信号線と、前記ゲート信号線と前記ソース信号線の各交
点部にそれぞれ設けられた薄膜トランジスタと、前記ゲ
ート信号線のそれぞれの一方の端部および前記ソース信
号線のそれぞれの一方の端部にそれぞれ設けられた端子
と、前記ゲート信号線を覆うように形成された第１絶縁
膜と、前記端子周辺部を覆うように形成された第２絶縁
膜と、前記薄膜トランジスタが配設されてなる表示領域
の周辺部を周回するように配設された複数の補助配線と
からなる液晶表示装置であって、前記複数のソース信号
線は、互いに隣接する複数本づつの群に区分けされ、前
記群ごとに、該群に属するソース信号線が前記第２絶縁
膜を介して特定の補助配線と交差部を有しうるように、
表示領域の外側におけるソース信号線の外延長さが決定
されるとともに補助配線の周回長さが決定され、それに
よりソース信号線と補助配線とが形成されることを特徴
とする液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記第２絶縁膜が、Ｓｉ3Ｎ4およびＳｉ
Ｏ2のうちのいずれかからなる請求項３記載の液晶表示
装置。 - 【請求項５】 透明絶縁性基板上に平行かつ等間隔に配
設された複数のゲート信号線と、前記ゲート信号線に直
交し、かつ、平行かつ等間隔に配設された複数のソース
信号線と、前記ゲート信号線と前記ソース信号線の各交
点部にそれぞれ設けられた薄膜トランジスタと、前記ゲ
ート信号線のそれぞれの一方の端部および前記ソース信
号線のそれぞれの一方の端部にそれぞれ設けられた端子
と、前記ゲート信号線および前記端子周辺部を覆うよう
に形成された絶縁膜と、前記薄膜トランジスタが配設さ
れてなる表示領域の周辺部を周回するように配設された
複数の補助配線とからなる液晶表示装置であって、前記
複数のソース信号線は、互いに隣接する複数本ずつの群
に区分けされ、前記群ごとに、該群に属するソース信号
線が特定の補助配線と前記絶縁膜を介して交差部を有し
うるように、表示領域の外側におけるソース信号線の外
延長さが決定されるとともに補助配線の周回長さが決定
され、それによりソース信号線と補助配線とが形成され
ており、かつ、金属パターン膜が、前記複数の補助配線
と直交するように補助配線にまたがるとともに当該金属
パターン膜が前記群ごとの境界線上に位置するようにし
て、前記絶縁膜を介して形成されることを特徴とする液
晶表示装置。 - 【請求項６】 前記絶縁膜がＳｉ3Ｎ4、ＳｉＯ2および
Ｔａ2Ｏ5のうちのいずれかからなる請求項５記載の液晶
表示装置。 - 【請求項７】 透明絶縁性基板上に平行かつ等間隔に配
設された複数のゲート信号線と、前記ゲート信号線に直
交し、かつ、平行かつ等間隔に配設された複数のソース
信号線と、前記ゲート信号線と前記ソース信号線の各交
点部にそれぞれ設けられた薄膜トランジスタと、前記ゲ
ート信号線のそれぞれの一方の端部および前記ソース信
号線のそれぞれの一方の端部にそれぞれ設けられた端子
と、前記ゲート信号線を覆うように形成された第１絶縁
膜と、前記端子周辺部を覆うように形成された第２絶縁
膜と、前記薄膜トランジスタが配設されてなる表示領域
の周辺部を周回するように配設された複数の補助配線と
からなる液晶表示装置であって、前記複数のソース信号
線は、互いに隣接する複数本づつの群に区分けされ、前
記群ごとに、該群に属するソース信号線が前記第２絶縁
膜を介して特定の補助配線と交差部を有しうるように、
表示領域の外側におけるソース信号線の外延長さが決定
されるとともに補助配線の周回長さが決定され、それに
よりソース信号線と補助配線とが形成されており、か
つ、金属パターン膜が、前記複数本の補助配線と直交す
るように補助配線にまたがるとともに当該金属パターン
膜が前記群ごとの境界線上に位置するようにして、前記
絶縁膜を介して形成されることを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項８】 前記第２絶縁膜が、Ｓｉ3Ｎ4およびＳｉ
Ｏ2のうちのいずれかからなる請求項７記載の液晶表示
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16595696A JP3066569B2 (ja) | 1995-09-21 | 1996-06-26 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24298395 | 1995-09-21 | ||
| JP7-242983 | 1995-09-21 | ||
| JP16595696A JP3066569B2 (ja) | 1995-09-21 | 1996-06-26 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09146121A true JPH09146121A (ja) | 1997-06-06 |
| JP3066569B2 JP3066569B2 (ja) | 2000-07-17 |
Family
ID=26490501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16595696A Expired - Fee Related JP3066569B2 (ja) | 1995-09-21 | 1996-06-26 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3066569B2 (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000004398A (ko) * | 1998-06-30 | 2000-01-25 | 김영환 | 액정 표시 패널의 리페어 방법 |
| KR20000040701A (ko) * | 1998-12-19 | 2000-07-05 | 윤종용 | 데이터선 리페어 |
| KR20010004900A (ko) * | 1999-06-30 | 2001-01-15 | 김영환 | 리던던시 라인을 구비하는 액정 표시 소자 |
| US6429910B1 (en) | 1999-09-28 | 2002-08-06 | Nec Corporation | Liquid crystal display device and method for repairing breakage of circuit lines thereof |
| KR20020088449A (ko) * | 2001-05-17 | 2002-11-29 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 액정표시장치 |
| KR100315920B1 (ko) * | 1998-12-18 | 2002-12-26 | 삼성전자 주식회사 | 수리선을가지고있는액정표시장치용박막트랜지스터기판및그수리방법 |
| KR100535358B1 (ko) * | 2000-07-04 | 2005-12-09 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정표시소자 |
| KR100646784B1 (ko) * | 1999-12-09 | 2006-11-17 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR100777697B1 (ko) * | 2001-04-23 | 2007-11-21 | 삼성전자주식회사 | 수리선을 가지는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터어레이 기판 |
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