CN109302793A - 一种PCB用mark点修补方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种PCB用mark点修补方法，包括以下步骤：S1：将光铜片和微贴膜通过过塑机过塑，形成复合片；S2：按照所需mark点图案的菲林，将过塑完的复合片经过显影液显影；S3：将显影之后的复合片用蚀刻液进行蚀刻；S4：将蚀刻之后的复合片用退膜液进行退膜，形成粘附于微贴膜上的铜点，用去离子水洗净复合片；S5：在铜点表面喷涂镀液化上镍金，形成mark点，镀液包括(Ni2+：0.082mol/L、Au：0.3‑1.0 g/L，用去离子水洗净复合片；S6：将mark点从微粘膜上挑下，用胶水将mark点粘合于待修补的mark点；采用mark点修补连片出货的PCB，能提升PCB整体良率，特别是柔性电路板，容易折皱，板边MARK经常会破损，采用此方法，大约能提升FPC良率2%。

Description

一种PCB用mark点修补方法
技术领域
本发明涉及线路板领域，具体涉及一种PCB用mark点修补方法。
背景技术
PCB（ Printed Circuit Board），中文名称为印制电路板，又称印刷线路板，是重要的电子部件，是电子元器件的支撑体，是电子元器件电气连接的载体。由于它是采用电子印刷术制作的，故被称为“印刷”电路板。
PCB为方便SMT组装，一般采用连板出货方式，连板四角放4个用于自动贴片机上的位置识别mark点，方便客户印刷锡膏及贴片机贴元器件前CCD定位用，但是在PCB制造过程中，mark点难免发生破损等不良，一旦有其中一个mark破损，会导致整个连板都报废。如何针对破损mark点修补方法，避免连板报废，提升良率，是现在PCB连板出货亟需解决的问题。
发明内容
有鉴于此，本发明旨在提供一种PCB用mark点修补方法。
本发明的目的通过以下技术方案实现：一种PCB用mark点修补方法，包括以下步骤：S1：将光铜片和微贴膜通过过塑机过塑，形成复合片；S2：按照所需mark点图案的菲林，将过塑完的复合片经过显影液显影；S3：将显影之后的复合片用蚀刻液进行蚀刻；S4：将蚀刻之后的复合片用退膜液进行退膜，形成粘附于微贴膜上的铜点，用去离子水洗净复合片；S5：在铜点表面喷涂镀液化上镍金，形成mark点，镀液包括(Ni2+：0.082mol/L、Au：0.3-1.0 g/L，用去离子水洗净复合片；S6：将mark点从微粘膜上挑下，用胶水将mark点粘合于待修补的mark点。
采用过塑机将光铜片与微粘膜压合，光铜片与微粘膜结构紧密，光铜片表面受压平整，不易破裂；通过显影、蚀刻、退膜、化镍金步骤，形成符合要求的mark点；采用mark点修补连片出货的PCB，能提升PCB整体良率，特别是柔性电路板，容易折皱，板边MARK经常会破损，采用此方法，大约能提升FPC良率2%；镀液包括(Ni2+：0.082mol/L、Au：0.3-1.0 g/L，形成的镍金层结构稳定。
优选的，步骤S1中过塑机过塑温度为150℃。
过塑温度为150℃，防止由于过塑温度太低，光铜片与微粘膜结构不牢固；温度过高，光铜片容易受热被空气中的氧气氧化，影响后序工序。
优选的，步骤S2中显影液为碳酸钾溶液，其中碳酸钾与去离子水的质量比为1：82.3－124。
采用碳酸钾与去离子水的质量比为1：82.3－124的碳酸钾溶液，显影效果好，速度快。
优选的，步骤S3中的蚀刻液包含HCL：1.6-2.0N、Cu2+：1.9-2.2mol/L。
采用包含HCL：1.6-2.0N、Cu2+：1.9-2.2mol/L的蚀刻液，蚀刻速度快，效果好。
优选的，步骤S4中的退膜液为氢氧化钠溶液，其中氢氧化钠与去离子水的质量比为1：24－49。
采用氢氧化钠与去离子水的质量比为1：24－49的氢氧化钠溶液进行退膜，碱性强，能较快中和蚀刻液的同时，退膜速度快；铜点表面残留的钾离子与氢氧化钠形成氢氧化钾溶液，碱性加强，退膜效率更高。
优选的，步骤S6中采用刀笔将将mark点从微粘膜上挑下。
采用刀笔刀头特有的薄片结构，快速实现微粘膜与mark点的分离的同时，不损伤mark点。
本发明的有益效果：
1．本发明提供的PCB用mark点修补方法，采用过塑机将光铜片与微粘膜压合，光铜片与微粘膜结构紧密，光铜片表面受压平整，不易破裂；通过显影、蚀刻、退膜、化镍金步骤，形成符合要求的mark点；采用mark点修补连片出货的PCB，能提升PCB整体良率，特别是柔性电路板，容易折皱，板边MARK经常会破损，采用此方法，大约能提升FPC良率2%。；镀液包括(Ni2+：0.082mol/L、Au：0.3-1.0 g/L，形成的镍金层结构稳定。
2．本发明提供的PCB用mark点修补方法，过塑温度为150℃，防止由于过塑温度太低，光铜片与微粘膜结构不牢固；温度过高，光铜片容易受热被空气中的氧气氧化，影响后序工序。
3．本发明提供的PCB用mark点修补方法，采用碳酸钾与去离子水的质量比为1：82.3－124的碳酸钾溶液，显影效果好，速度快。
4．本发明提供的PCB用mark点修补方法，采用包含HCL：1.6-2.0N、Cu2+：1.9-2.2mol/L的蚀刻液，蚀刻速度快，效果好。
5．本发明提供的PCB用mark点修补方法，采用氢氧化钠与去离子水的质量比为1：24－49的氢氧化钠溶液进行退膜，碱性强，能较快中和蚀刻液的同时，退膜速度快；铜点表面残留的钾离子与氢氧化钠形成氢氧化钾溶液，碱性加强，退膜效率更高。
6．本发明提供的PCB用mark点修补方法，采用刀笔刀头特有的薄片结构，快速实现微粘膜与mark点的分离的同时，不损伤mark点。
具体实施例
为了便于本领域人员理解，下面将结合实施例对本发明做进一步详细描述：
实施例1
本实施例提供一种一种PCB用mark点修补方法，包括以下步骤：S1：将光铜片和微贴膜通过过塑机过塑，形成复合片；S2：按照所需mark点图案的菲林，将过塑完的复合片经过显影液显影；S3：将显影之后的复合片用蚀刻液进行蚀刻；S4：将蚀刻之后的复合片用退膜液进行退膜，形成粘附于微贴膜上的铜点，用去离子水洗净复合片；S5：在铜点表面喷涂镀液化上镍金，形成mark点，镀液包括(Ni2+：0.082mol/L、Au：0.3g/L，用去离子水洗净复合片；S6：将mark点从微粘膜上挑下，用胶水将mark点粘合于待修补的mark点。
采用过塑机将光铜片与微粘膜压合，光铜片与微粘膜结构紧密，光铜片表面受压平整，不易破裂；通过显影、蚀刻、退膜、化镍金步骤，形成符合要求的mark点；采用mark点修补连片出货的PCB，能提升PCB整体良率，特别是柔性电路板，容易折皱，板边MARK经常会破损，采用此方法，大约能提升FPC良率2%；镀液包括(Ni2+：0.082mol/L、Au：0.3g/L，形成的镍金层结构稳定。
实施例2
本实施例提供一种PCB用mark点修补方法，包括以下步骤：S1：将光铜片和微贴膜通过过塑机过塑，形成复合片；S2：按照所需mark点图案的菲林，将过塑完的复合片经过显影液显影；S3：将显影之后的复合片用蚀刻液进行蚀刻；S4：将蚀刻之后的复合片用退膜液进行退膜，形成粘附于微贴膜上的铜点，用去离子水洗净复合片；S5：在铜点表面喷涂镀液化上镍金，形成mark点，镀液包括(Ni2+：0.082mol/L、Au：1.0g/L，用去离子水洗净复合片；S6：将mark点从微粘膜上挑下，用胶水将mark点粘合于待修补的mark点；过塑温度为150℃；步骤S2中显影液为碳酸钾溶液，其中碳酸钾与去离子水的质量比为1：82.3。
过塑温度为150℃，防止由于过塑温度太低，光铜片与微粘膜结构不牢固；温度过高，光铜片容易受热被空气中的氧气氧化，影响后序工序。
采用碳酸钾与去离子水的质量比为1：82.3的碳酸钾溶液，显影效果好，速度快。
实施例3
本实施例提供一种PCB用mark点修补方法，包括以下步骤：S1：将光铜片和微贴膜通过过塑机过塑，形成复合片；S2：按照所需mark点图案的菲林，将过塑完的复合片经过显影液显影；S3：将显影之后的复合片用蚀刻液进行蚀刻；S4：将蚀刻之后的复合片用退膜液进行退膜，形成粘附于微贴膜上的铜点，用去离子水洗净复合片；S5：在铜点表面喷涂镀液化上镍金，形成mark点，镀液包括(Ni2+：0.082mol/L、Au：1.0g/L，用去离子水洗净复合片；S6：将mark点从微粘膜上挑下，用胶水将mark点粘合于待修补的mark点；过塑温度为150℃；步骤S2中显影液为碳酸钾溶液，其中碳酸钾与去离子水的质量比为1：124；步骤S3中的蚀刻液包含HCL：1.6N、Cu2+： 2.2mol/L。
采用包含HCL：1.6N、Cu2+： 2.2mol/L的蚀刻液，蚀刻速度快，效果好。
实施例4
本实施例提供一种PCB用mark点修补方法，包括以下步骤：S1：将光铜片和微贴膜通过过塑机过塑，形成复合片；S2：按照所需mark点图案的菲林，将过塑完的复合片经过显影液显影；S3：将显影之后的复合片用蚀刻液进行蚀刻；S4：将蚀刻之后的复合片用退膜液进行退膜，形成粘附于微贴膜上的铜点，用去离子水洗净复合片；S5：在铜点表面喷涂镀液化上镍金，形成mark点，镀液包括(Ni2+：0.082mol/L、Au：1.0g/L，用去离子水洗净复合片；S6：将mark点从微粘膜上挑下，用胶水将mark点粘合于待修补的mark点；过塑温度为150℃；步骤S2中显影液为碳酸钾溶液，其中碳酸钾与去离子水的质量比为1：124；步骤S3中的蚀刻液包含HCL：2.0N、Cu2+： 1.9mol/L；步骤S4中的退膜液为氢氧化钠溶液，其中氢氧化钠与去离子水的质量比为1：24。
采用氢氧化钠与去离子水的质量比为1：24的氢氧化钠溶液进行退膜，碱性强，能较快中和蚀刻液的同时，退膜速度快；铜点表面残留的钾离子与氢氧化钠形成氢氧化钾溶液，碱性加强，退膜效率更高。
实施例5
本实施例提供一种PCB用mark点修补方法，包括以下步骤：S1：将光铜片和微贴膜通过过塑机过塑，形成复合片；S2：按照所需mark点图案的菲林，将过塑完的复合片经过显影液显影；S3：将显影之后的复合片用蚀刻液进行蚀刻；S4：将蚀刻之后的复合片用退膜液进行退膜，形成粘附于微贴膜上的铜点，用去离子水洗净复合片；S5：在铜点表面喷涂镀液化上镍金，形成mark点，镀液包括(Ni2+：0.082mol/L、Au：1.0g/L，用去离子水洗净复合片；S6：将mark点从微粘膜上挑下，用胶水将mark点粘合于待修补的mark点；过塑温度为150℃；步骤S2中显影液为碳酸钾溶液，其中碳酸钾与去离子水的质量比为1：124；步骤S3中的蚀刻液包含HCL：2.0N、Cu2+： 1.9mol/L；步骤S4中的退膜液为氢氧化钠溶液，其中氢氧化钠与去离子水的质量比为1：49；步骤S6中采用刀笔将将mark点从微粘膜上挑下。
采用刀笔刀头特有的薄片结构，快速实现微粘膜与mark点的分离的同时，不损伤mark点。
以上为本发明的其中具体实现方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些显而易见的替换形式均属于本发明的保护范围。

Claims (6)

1.一种PCB用mark点修补方法，，其特征在于，包括以下步骤：
S1：将光铜片和微贴膜通过过塑机过塑，形成复合片；
S2：按照所需mark点图案的菲林，将过塑完的复合片经过显影液显影；
S3：将显影之后的复合片用蚀刻液进行蚀刻；
S4：将蚀刻之后的复合片用退膜液进行退膜，形成粘附于微贴膜上的铜点，用去离子水洗净复合片；
S5：在铜点表面喷涂镀液化上镍金，形成mark点，镀液包括(Ni2+：0.082mol/L、Au：0.3-1.0 g/L，用去离子水洗净复合片；
S6：将mark点从微粘膜上挑下，用胶水将mark点粘合于待修补的mark点。
2.根据权利要求1所述的PCB用mark点修补方法，其特征在于，步骤S1中过塑机过塑温度为150℃。
3.根据权利要求1或2所述的PCB用mark点修补方法，其特征在于，步骤S2中显影液为碳酸钾溶液，其中碳酸钾与去离子水的质量比为1：82.3－124。
4.根据权利要求1所述的PCB用mark点修补方法，其特征在于，步骤S3中的蚀刻液包含HCL：1.6-2.0N、Cu2+：1.9-2.2mol/L。
5.根据权利要求1所述的PCB用mark点修补方法，其特征在于，步骤S4中的退膜液为氢氧化钠溶液，其中氢氧化钠与去离子水的质量比为1：24－49。
6.根据权利要求1所述的所述的PCB用mark点修补方法，其特征在于，步骤S6中采用刀笔将将mark点从微粘膜上挑下。
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