CN103796437A - 阴阳铜箔电路板的制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阴阳铜箔电路板的制作方法，包括以下步骤：提供一种阴阳铜箔板件，对该阴阳铜箔板件依次进行贴感光膜、曝光和显影等蚀刻前操作；在经过蚀刻前操作的阴阳铜箔板件的第一面上贴上保护膜，再对阴阳铜箔板件的第二面进行蚀刻操作；将阴阳铜箔板件第一面上的保护膜去掉，并在阴阳铜箔板件的第二面贴上保护膜，再对阴阳铜箔板件的第一面进行蚀刻操作；将阴阳铜箔板件第二面上的保护膜去掉，并将阴阳铜箔板件上留有的感光膜进行退膜，获得蚀刻后的阴阳铜箔电路板。通过该方法能够有利于避免蚀刻阴阳铜箔时出现蚀刻过度或蚀刻不足等情况，也能避免传统蚀刻方法中出现的无法蚀刻或板面出现残铜、线小等情况，从而能够提高产品的合格率。

Description

阴阳铜箔电路板的制作方法
技术领域
本发明涉及一种阴阳铜箔电路板的制作方法。
背景技术
精细线路的制作中蚀刻是最关键也是最困难的部分。随着PCB(PrintedCircuit Board，印刷电路板)行业的发展，其对精细线路的要求越来越高，而对于阴阳铜(一块芯板的两面铜厚不一致)板而言，其两面铜厚不一致，且在同一个板内往往存在不同尺寸线宽与间距，线路间“沟槽”的纵横比(＝(铜厚+抗蚀层厚度)／线间距)不同，造成扩散层厚度的不同，若在同样蚀刻条件下，会造成厚铜面及小间距尺寸部分蚀刻合适，而薄铜面及大间距尺寸处过度蚀刻(或侧蚀严重)；或者，薄铜面及大间距尺寸处蚀刻合适，而厚铜面及小间距尺寸处出现蚀刻不足或蚀刻不净的情况，两面铜厚蚀刻难以达到要求。
对于阴阳铜蚀刻问题，通常有两种方案：一种方案是根据两面底铜的不同时行分别补偿，然后两面同时进行蚀刻，其主要通过工程对设计线宽进行补偿来实现，而对于小间距精细线路制作而言，存在补偿后铜薄的一面线宽间距不足，从而无法蚀刻的现象；另一种方案则是两面各按照底铜实际厚度进行补偿，蚀刻过程中通过调节药水喷头压力、蚀刻速度以及喷头数量等方式，从而一次完成双面蚀刻。此法虽可以一次将双面板进行蚀刻完成，但蚀刻过程中要对蚀刻速度、喷头压力以及喷头数量等参数进行调节，较为耗时，而且板面通常还会出现残铜、线小等缺陷。
发明内容
基于此，本发明在于克服现有技术的缺陷，提供一种阴阳铜箔电路板的制作方法，通过该方法能够有效提高产品的合格率。
其技术方案如下：
一种阴阳铜箔电路板的制作方法，包括以下步骤：
提供一种阴阳铜箔板件，对该阴阳铜箔板件依次进行贴感光膜、曝光和显影等蚀刻前操作；
在经过蚀刻前操作的阴阳铜箔板件的第一面上贴上保护膜，再对阴阳铜箔板件的第二面进行蚀刻操作；
将阴阳铜箔板件第一面上的保护膜去掉，并在阴阳铜箔板件的第二面贴上保护膜，再对阴阳铜箔板件的第一面进行蚀刻操作；
将阴阳铜箔板件第二面上的保护膜去掉，并将阴阳铜箔板件上留有的感光膜进行退膜，获得阴阳铜箔电路板。
本发明通过采用一种保护膜，在蚀刻过程中对阴阳铜箔板件的线路进行保护，以实现对阴阳铜箔板件进行单面蚀刻，在单面蚀刻过程中可根据需要设置蚀刻条件达到最佳蚀刻状态，能够有利于避免蚀刻阴阳铜箔时出现蚀刻过度或蚀刻不足等情况，也能避免传统蚀刻方法中出现的无法蚀刻或板面出现残铜、线小等情况，从而能大幅度提高阴阳铜箔电路板的可制造性，提高产品的合格率。
优选地，在贴保护膜后，进行空压操作。
优选地，在进行空压操作的步骤中，空压的压力设为1.5-2.5kg，空压的温度设为100℃-120℃。
优选地，在蚀刻的步骤中，蚀刻速度控制为0.8-5m／min，并将蚀刻面朝下。将蚀刻面朝下，其目的在于减小水池效应。
优选地，对10Z以上的底铜进行至少两次蚀刻。
优选地，所述的保护膜为聚酯保护膜。此类聚酯保护膜可以耐显影药水、酸性蚀刻药水以及退膜药水的化学腐蚀；而且此类保护膜还具有一定的粘性，实际应用时牢牢地粘附在板面上，以阻挡药水对板面的冲击，而且使用完成后容易从板面上撕掉，撕掉后不会对板面产生污染。
优选地，在贴感光膜的步骤中，贴膜压力设为60+／-5PSI，贴膜温度设为110+／-10℃，贴膜速度设为1.2-1.6mm／min。
优选地，在贴感光膜的步骤中，感光膜采用LDI专用干膜；在曝光的步骤中，采用LDI曝光，且曝光能级设为7-8级。
优选地，在显影的步骤中，显影前作显影点测试，显影点设为40％-60％，并将显影速度设为2-3m／min。
优选地，在对感光膜进行退膜的步骤中，退膜速度控制为1.0-4.5m／min。
本发明的有益效果在于：
(1)本发明有利于避免出现阴阳铜板件因双面补偿线后间距不足而无法蚀刻的问题，从而增加阴阳铜箔电路板的可制造性。
(2)本发明有利于避免传统方法的阴阳铜蚀刻过程中因调节设备参数蚀刻所带来的残铜、线小等缺陷，能提高生产合格率。
(3)本发明可以解决各种阴阳铜板件的蚀刻问题，且不影响较小线宽线距的制作。
附图说明
图1是本发明实施例所述阴阳铜箔电路板的制作流程图。
具体实施方式
下面对本发明的实施例进行详细说明：
如图1所示，一种阴阳铜箔电路板的制作方法，包括以下步骤：
提供一种阴阳铜箔板件，对该阴阳铜箔板件依次进行贴感光膜、曝光和显影等蚀刻前操作；
在经过蚀刻前操作的阴阳铜箔板件的第一面上贴上保护膜，再对阴阳铜箔板件的第二面进行蚀刻操作；
将阴阳铜箔板件第一面上的保护膜去掉，并在阴阳铜箔板件的第二面贴上保护膜，再对阴阳铜箔板件的第一面进行蚀刻操作；
将阴阳铜箔板件第二面上的保护膜去掉，并将阴阳铜箔板件上留有的感光膜进行退膜，获得蚀刻后的阴阳铜箔电路板。
实施例一
上述阴阳铜箔电路板可为内层阴阳铜芯板，针对此种内层芯板，其具体制作流程如下：
S1、对内层阴阳铜芯板按照常规的补偿方法进行补偿；
对于0.50Z的铜箔，单边补偿0.2mil；10Z的铜箔则补偿0.5mil。如补偿后间距不足，可使用动态补偿进行制作。
S2、对补偿后的板件进行前处理，以除去板面脏污以及粗化铜面，增大铜面的比表面积，从而增加干膜与板面的附着力。
S3、使用LDI专用干膜对前处理后的板件进行贴感光膜操作。
在该步骤中贴膜压力设为55PSI，贴膜温度设为100℃；贴膜速度设为1.2mm／min。
S4、对贴感光膜后的内层芯板采用LDI曝光，曝光能级为7级。
S5、对曝光后的板件进行显影操作，显影速度设为2m／min。其中，显影前做显影点测试，显影点为40％。
S6、对显影后的板件的第一面贴保护膜；板面贴完保护膜后，则进行空压，且空压压力设为1.5kg；空压温度设为100℃；然后对板件的第二面进行常规蚀刻，且0.5oz的铜箔蚀刻速度采用0.8m／min，蚀刻次数为两次，1oz铜箔则使用0.8m／min的蚀刻速度作四次蚀刻，另外蚀刻时，将蚀刻面朝下，以减小水池效应。
S7、板件的第二面蚀刻后先不要进行感光膜退膜；然后撕掉板件第一面上的保护膜，并对板件的第二面贴上保护膜，再蚀刻出板件第一面的线路图形。其中，0.5oz的铜箔蚀刻速度采用0.8m／min，蚀刻次数为两次，1oz铜箔则使用0.8m／min的蚀刻速度作四次蚀刻，且在蚀刻时，将蚀刻面朝下，以减小水池效应。
S8、蚀刻结束后，撕掉板件第二面上的保护膜，并将板件第一面和第二面上同时进行感光膜退膜，且退膜速度控制为1.0m／min，则退膜后得到蚀刻后的线路图形。
实施例二
上述阴阳铜箔电路板依然为内层阴阳铜芯板，针对该内层芯板，根据需要采用不同的参数进行制作，其具体制作流程如下：
S1、对内层阴阳铜芯板按照常规的补偿方法进行补偿；
对于0.50Z的铜箔，单边补偿0.2mil；10Z的铜箔则补偿0.5mil。如补偿后间距不足，可使用动态补偿进行制作。
S2、对补偿后的板件进行前处理，以除去板面脏污以及粗化铜面，增大铜面的比表面积，从而增加干膜与板面的附着力。
S3、使用LDI专用干膜对前处理后的板件进行贴感光膜操作。
在该步骤中贴膜压力设为65PSI，贴膜温度设为120℃；贴膜速度设为1.6mm／min。
S4、对贴感光膜后的内层芯板采用LDI曝光，曝光能级为8级。
S5、对曝光后的板件进行显影操作，显影速度设为3m／min。其中，显影前做显影点测试，显影点为60％。
S6、对显影后的板件的第一面贴保护膜；板面贴完保护膜后，则进行空压，且空压压力设为2.5kg；空压温度设为120℃；然后对板件的第二面进行常规蚀刻，且0.5oz的铜箔蚀刻速度采用5m／min，1oz铜箔则使用5m／min的蚀刻速度作两次蚀刻，另外蚀刻时，将蚀刻面朝下，以减小水池效应。
S7、板件的第二面蚀刻后先不要进行感光膜退膜；然后撕掉板件第一面上的保护膜，并对板件的第二面贴上保护膜，再蚀刻出板件第一面的线路图形。其中，0.5oz的铜箔蚀刻速度采用5m／min，1oz铜箔则使用5m／min的蚀刻速度作两次蚀刻，且在蚀刻时，将蚀刻面朝下，以减小水池效应。
S8、蚀刻结束后，撕掉板件第二面上的保护膜，并将板件第一面和第二面上同时进行感光膜退膜，且退膜速度控制为4.5m／min，则退膜后得到蚀刻后的线路图形。
实施例三
上述阴阳铜箔电路板可为外层层压板，针对外层层压板的蚀刻制作，其具体制作流程如下：
S1、对外层层压板按照常规的补偿方法进行补偿；
对于0.50Z的铜箔，单边补偿0.2mil；10Z的铜箔则补偿0.5mil。如补偿后间距不足，可使用动态补偿进行制作。
S2、对补偿后的板件进行前处理，以除去板面脏污以及粗化铜面，增大铜面的比表面积，从而增加干膜与板面的附着力。
S3、使用LDI专用干膜对前处理后的板件进行贴感光膜操作。
在该步骤中贴膜压力设为60PSI，贴膜温度设为110℃；贴膜速度设为1.4mm／min。
S4、对贴感光膜后的外层层压板采用LDI曝光，曝光能级为7-8级。
S5、对曝光后的板件进行显影操作，显影速度设为2.6m／min。其中，显影前做显影点测试，显影点为50％。
S6、对显影后的板件的第一面贴保护膜；板面贴完保护膜后，则进行空压，且空压压力设为2kg；空压温度设为120℃；然后对板件的第二面进行常规蚀刻，且0.5oz的铜箔蚀刻速度采用3.1m／min，1oz铜箔则使用3.1m／min的蚀刻速度作两次蚀刻，另外蚀刻时，将蚀刻面朝下，以减小水池效应。
S7、板件的第二面蚀刻后先不要进行感光膜退膜；然后撕掉板件第一面上的保护膜，并对板件的第二面贴上保护膜，再蚀刻出板件第一面的线路图形。其中，0.5oz的铜箔蚀刻速度采用3.1m／min，1oz铜箔则使用3.1m／min的蚀刻速度作两次蚀刻，且在蚀刻时，将蚀刻面朝下，以减小水池效应。
S8、蚀刻结束后，撕掉板件第二面上的保护膜，并将板件第一面和第二面上同时进行感光膜退膜，且退膜速度控制为1.8m／min，则退膜后得到蚀刻后的线路图形。
上述实施例一至实施例三的保护膜均为聚酯保护膜。此类聚酯保护膜可以耐显影药水、酸性蚀刻药水以及退膜药水的化学腐蚀；而且此类保护膜还具有一定的粘性，实际应用时牢牢地粘附在板面上，以阻挡药水对板面的冲击，而且使用完成后容易从板面上撕掉，撕掉后不会对板面产生污染。
以上所有实施例均具有以下优点或原理：
1、上述实施例均有利于避免出现阴阳铜板因双面补偿线后间距不足而无法蚀刻的情况，从而增加阴阳铜箔板件的可制造性。
2、上述实施例均有利于避免传统方法的阴阳铜蚀刻过程中因调节设备参数蚀刻所带来的残铜、线小等缺陷，从而有利于提高生产合格率。
3、上述实施例可以解决相应阴阳铜板件的蚀刻问题，且不影响较小线宽线距的制作。
以上所述实施例仅表达了本发明的具体实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种阴阳铜箔电路板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一种阴阳铜箔板件，对该阴阳铜箔板件依次进行贴感光膜、曝光和显影的蚀刻前操作；
在经过蚀刻前操作的阴阳铜箔板件的第一面上贴上保护膜，再对阴阳铜箔板件的第二面进行蚀刻操作；
将阴阳铜箔板件第一面上的保护膜去掉，并在阴阳铜箔板件的第二面贴上保护膜，再对阴阳铜箔板件的第一面进行蚀刻操作；
将阴阳铜箔板件第二面上的保护膜去掉，并将阴阳铜箔板件上留有的感光膜进行退膜，获得阴阳铜箔电路板。
2.根据权利要求1所述的阴阳铜箔电路板的制作方法，其特征在于，在贴保护膜后，进行空压操作。
3.根据权利要求2所述的阴阳铜箔电路板的制作方法，其特征在于，在进行空压操作的步骤中，空压的压力设为1.5-2.5kg，空压的温度设为100℃-120℃。
4.根据权利要求1所述的阴阳铜箔电路板的制作方法，其特征在于，在蚀刻的步骤中，蚀刻速度控制为0.8-5m／min，并将蚀刻面朝下。
5.根据权利要求4所述的阴阳铜箔电路板的制作方法，其特征在于，对10Z以上的底铜进行至少两次蚀刻。
6.根据权利要求1至5任一项所述的阴阳铜箔电路板的制作方法，其特征在于，所述的保护膜为聚酯保护膜。
7.根据权利要求1至5任一项所述的阴阳铜箔电路板的制作方法，其特征在于，在贴感光膜的步骤中，贴膜压力设为60+／-5PSI，贴膜温度设为110+／-10℃，贴膜速度设为1.2-1.6mm／min。
8.根据权利要求1至5任一项所述的阴阳铜箔电路板的制作方法，其特征在于，在贴感光膜的步骤中，感光膜采用LDI专用干膜；在曝光的步骤中，采用LDI曝光，且曝光能级设为7-8级。
9.根据权利要求1至5任一项所述的阴阳铜箔电路板的制作方法，其特征在于，在显影的步骤中，显影前作显影点测试，显影点设为40％-60％，并将显影速度设为2-3m／min。
10.根据权利要求1至5任一项所述的阴阳铜箔电路板的制作方法，其特征在于，在对感光膜进行退膜的步骤中，退膜速度控制为1.0-4.5m／min。
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