CN109215919B

CN109215919B - 软磁性粉末及其制造方法、以及使用其的压粉磁芯

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Publication number: CN109215919B
Application number: CN201810694647.7A
Authority: CN
Inventors: 前出正人; 福田一人; 小岛俊之; 斋藤光央
Original assignee: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Current assignee: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority date: 2017-07-05
Filing date: 2018-06-28
Publication date: 2021-10-12
Anticipated expiration: 2038-06-28
Also published as: CN109215919A; US20190013127A1; US11270821B2

Abstract

本发明提供可获得优异的软磁特性的软磁性粉末及使用其的压粉磁芯。使用以下的软磁性粉末：所述软磁性粉末包含未氧化的软磁性材料的软磁性粉末层、位于所述软磁性粉末层的外周的铁的氧化物或硼的氧化物的第2氧化层、和位于所述第2氧化层的外周的氧化铁的第1氧化层，所述第1氧化层和所述第2氧化层位于距所述软磁性粉末的表面20nm以上且500nm以下的区域，不存在于距所述表面深超过500nm且为1600nm以下的区域。

Description

软磁性粉末及其制造方法、以及使用其的压粉磁芯

技术领域

本发明涉及软磁性粉末及其制造方法、以及使用其的压粉磁芯。特别是涉及用于扼流线圈、电抗器、变压器等的电感器的软磁性粉末及其制造方法、以及使用了软磁性粉末的压粉磁芯。

背景技术

近年来，混合动力汽车(HEV)、插电式混合动力汽车(PHEV)、电动汽车(EV)等车辆的电动化快速发展，为了进一步改善油耗而要求系统的小型、轻量化。受该电动化市场所带动，对各种电子部件也要求小型化和轻量化，其中对扼流线圈、电抗器、变压器等中使用的软磁性粉末及使用其的压粉磁芯也要求具有越来越高的性能。

在该软磁性粉末及使用其的压粉磁芯中，为了小型化、轻量化，对于材质而言，要求饱和磁通密度高方面优异、磁芯损耗小，还要求直流叠加特性优异。

例如，专利文献1中记载了使Fe系非晶合金的优点即低磁芯损耗、优异的直流叠加特性在粉碎粉中实现的方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特许第4944971号公报

发明内容

发明要解决的问题

图1(a)和图1(b)中示出了专利文献1中记载的Fe系非晶合金薄带的粉碎粉。

图1(a)示出粒径50μm以上的粉碎粉。粒径50μm以上的粉碎粉由粉碎前的非晶薄带的主面501和粉碎时的粉碎面502构成。主面501没有加工的痕迹。粉碎面502中可清楚地观察到边缘。

图1(b)示出粒径50μm以下的粉碎粉。粒径50μm以下的粉碎粉的主面503中可观察到通过加工而切削得到的痕迹。粉碎面504中，边缘不明晰。

在粉碎时和加热时，主面501、主面503、粉碎面502、粉碎面504氧化，氧侵入至粉碎粉内部。由此，构成Fe系非晶合金薄带的元素与氧键合。其结果，成为矫顽力增加的要因，使用其的压粉磁芯的损耗增加。

本发明是为解决上述现有问题而提出的，其目的在于提供抑制矫顽力的增加、可获得高饱和磁通密度且优异的软磁特性的软磁性粉末及使用其的压粉磁芯。

用于解决问题的方案

为了达成上述目的，使用以下软磁性粉末：该软磁性粉末包含未氧化的软磁性材料的软磁性粉末层、位于上述软磁性粉末层的外周的铁的氧化物或硼的氧化物的第2氧化层、和位于上述第2氧化层的外周的氧化铁的第1氧化层，上述第1氧化层和上述第2氧化层位于距上述软磁性粉末的表面20nm以上且500nm以下的区域，不存在于距上述表面深超过500nm且为1600nm以下的区域。

另外，使用以下软磁性粉末的制造方法，其包括：使软磁性组合物成为粉末的粉碎工序；和使上述粉末成为距上述粉末的表面20nm以上且500nm以下的区域具有氧化层、且距上述表面深超过500nm且为1600nm以下的区域不具有氧化层的粉末的热处理工序。

发明效果

如上，根据实施方式中公开的方案，可以提供能够降低软磁性粉末的矫顽力、可获得高饱和磁通密度且优异的软磁特性的软磁性粉末及使用其的压粉磁芯。

附图说明

图1(a)是示出专利文献1中记载的粒径50μm以上的软磁性粉末的图，图1(b)是示出专利文献1中记载的粒径50μm以下的软磁性粉末的图。

图2(a)是示出本发明的实施方式的软磁性粉末的截面的SEM图像的图，图2(b)是图2(a)的A区域的放大图像的图。

图3(a)是示出实施方式中的比较例的软磁性粉末的截面的SEM图像的图，图3(b)是图3(a)的B区域的放大图像的图。

图4是示出实施方式的软磁性粉末的截面的示意图。

图5(a)～图5(b)是示出软磁性粉末的制造工序的图。

图6是示出本发明的实施方式2的软磁性粉末的截面的示意图。

图7(a)～图7(b)是示出软磁性粉末的制造工序的图。

图8(a)～图8(c)是示出本发明的实施方式2的软磁性粉末的Si浓度的分布的图。

图9是示出本发明的实施方式3的软磁性粉末的截面的示意图。

具体实施方式

(实施方式1)

<软磁性粉末的制造>

首先，对实施方式的软磁性粉末的制造方法进行说明。

(1)通过高频加热等将合金组合物熔解，利用液体急冷法制作非晶相的薄带或薄片。作为制作非晶相的薄带的液体急冷法，可以使用Fe基非晶薄带的制造等中使用的单辊式的非晶制造装置、双辊式的非晶制造装置。

(2)接着，将薄带或薄片粉碎而进行粉末化。薄带或薄片的粉碎可以使用通常的粉碎装置。例如可以使用球磨机、捣碎机、行星磨机、旋风磨机、喷磨机、旋转磨机等。另外，将粉碎所得到的粉末使用筛进行分级，由此能够得到具有所期望的粒度分布的软磁性粉末。

(3)接着，将薄带或薄片的粉碎粉热处理，除去因粉碎导致的内部应变，或使αFe晶相析出。热处理装置例如使用热压机，在加压下进行短时间的加热，由此防止氧侵入至粉碎粉的内部，能够降低粉碎粉的矫顽力。其结果是，能够得到可获得高饱和磁通密度且优异软磁特性的软磁性粉末。

<压粉磁芯的制作>

(1)实施方式的压粉磁芯的制作是将上述的软磁性粉末、和酚醛树脂或有机硅树脂等绝缘性良好且耐热性高的粘结剂混合而制作造粒粉。

(2)接着，将造粒粉填充至具有所期望的形状的耐热性高的模具中，进行加压成形而得到压粉体。

(3)随后，通过以粘结剂发生固化的温度进行加热，从而能够得到可获得高饱和磁通密度且优异的软磁特性的压粉磁芯。

<总氧量>

软磁性粉末的总氧量按照以下方式测定。首先，在非活泼气体气氛(氦等)中仅将石墨坩埚进行加热，加热至软磁性粉末熔融的温度。接着，软磁性粉末中的氧与石墨发生反应生成一氧化碳。该一氧化碳对红外线吸收为活性，因此可以利用红外线吸收法进行检测。

<表面氧量>

软磁性粉末的表面氧量按照以下方式测定。使用能量分散型X射线分析装置(EDX(Energy DispersiveX-ray Spectroscopy))。通过将利用电子照射而产生的特性X射线按能量进行分光，进行元素分析及组成分析。

(实施例1、比较例)

将利用急冷单辊法制作的Fe73.5-Cu1-Nb3-Si13.5-B9(原子％)的Fe系非晶合金薄带使用旋转磨机进行粉碎，得到非晶相的软磁性合金粉末。粉碎是实施3分钟粗粉碎后，实施20分钟微粉碎。

接着，将粉碎粉进行热处理，除去因粉碎导致的内部应变，并且使αFe晶相析出。对于热处理而言，除实施例1以外，实施比较例用于比较。实施例1与比较例的差别仅为热处理。

<热处理>

实施例1中利用热压机在550℃进行20秒加热。比较例中利用热风炉在530℃进行10分钟加热。

利用上述的总氧量及表面氧量的测定方法，测定实施例1和比较例的总氧量和表面氧量。

另外，将有机硅树脂作为粘结剂混合并进行造粒，从而制作造粒粉。接着，将造粒粉投入至模具，进行加压成形而制作压粉体。有机硅树脂设为软磁性粉末的3重量％左右。

对于所得到的各个压粉体，使用B-H分析仪测定频率1MHz、磁通密度25mT的磁芯损耗。磁芯损耗的合格基准为1300kW/m³以下。其原由是，以达到通常的金属系的材料的磁芯损耗以下为目标。

表1中示出了实施例1和比较例的总氧量、表面氧量、磁芯损耗。

[表1]

<总氧量、表面氧量>

图2(a)中示出实施例1的软磁性粉末的截面的SEM图像。图2(b)中示出图2(a)的A区域的放大图。软磁性粉末包含第1氧化层101、第2氧化层102和软磁性粉末层103，第1氧化层101位于表面，由作为氧化铁的FeO、Fe₂O₃或Fe₃O₄形成，第2氧化层102位于内部，是氧进入而与Fe、B等键合而形成的。

需要说明的是，第2氧化层102含有少量B。或者也存在不含的情况。第1氧化层101与第2氧化层102相比，氧浓度高。

图3(a)中示出了比较例的软磁性粉末的截面的SEM图像。图3(b)中示出了图3(a)的B区域的放大图。软磁性粉末包含第1氧化层201、第2氧化层202和软磁性粉末层203，第1氧化层201位于表面，由作为氧化铁的FeO、Fe₂O₃或Fe₃O₄等形成，第2氧化层202位于内部，是氧进入而与Fe、B等键合而形成的。

由图2(b)和图3(b)测定的第1氧化层101、201的厚度、第2氧化层102、202的厚度示于表1中。第1氧化层101、201和第2氧化层102、202的厚度越厚，总氧量和表面氧量越增加。进而可知，若第1氧化层101、201和第2氧化层102、202厚，则磁芯损耗增加。

图4中示出了实施方式的软磁性粉末的截面的示意图。软磁性粉末的粉碎粉300由位于表面的第1氧化层301、位于内部的第2氧化层302、和软磁性粉末层303形成。可以明确，软磁性粉末的粉碎粉300中的软磁性粉末层303的比例越大，越显示出优异的软磁特性。

实施例1的氧化层的厚度最大为520nm(第1氧化层301为20nm，第2氧化层302为500nm)。另一方面，比较例的氧化层的厚度最大为1680nm(第1氧化层201为80nm，第2氧化层202为1600nm)。二者的粉末为大致相同的粒径，因此可以认为实施例1的未氧化的软磁性粉末层的比例大，显示出优异的软磁特性。对于以各自的压粉体测定的磁芯损耗而言，实施例1的磁芯损耗变小。

在此，实施例1的第1氧化层301的热处理时间非常短，因此被认为是自然氧化层，是由于接触大气而必然形成的。

粉末的聚集体中，在粉末之间存在空隙，热传导性低。因此，若用热风炉进行热处理，则仅显现于表面的粉末被加热，热未充分传递至内侧的粉末从而其未被加热。因此，凭借现有的热风炉的短时间加热，无法除去因粉碎导致的内部应变或无法使αFe晶相析出。

因此，在距粉末表层20nm以上且500nm以下的区域具有第1氧化层301和第2氧化层302、在距粉末表层大于500nm且1600nm以下的区域不具有氧化层的软磁性粉末为宜。所谓氧化层，包括第1氧化层301和第2氧化层302。

优选在距粉末表层20nm以上且100nm以下的区域具有氧化层、在距粉末表层大于100nm且1600nm以下的区域不具有氧化层的软磁性粉末。

进而，在距粉末表层20nm以上且50nm以下的区域具有氧化层、在距粉末表层大于50nm且1600nm以下的区域不具有氧化层的软磁性粉末为宜。

通过除了相当于自然氧化层的第1氧化层301以外具有第2氧化层302，从而软磁性粉末的表层附近的电阻变大。凭借高频时的趋肤效应(表皮効果)，电流流过软磁性粉末的表层附近，因此能够减小电流量，还有能够降低磁芯损耗的效果。但是，若第2氧化层302过度变厚，则未氧化的软磁性粉末层303的比例减小，磁特性劣化。因此，第2氧化层302的厚度为上述的区域为宜。

若利用热风炉进行热处理，则一部分的粉末未经充分传热，粉末的热处理时的温度未能充分提高。因此，为了除去因粉碎导致的内部应变或使αFe晶相析出，需要将粉末长时间加热，氧侵入至软磁性粉末内部的比例增加。

另一方面，利用热压机的热处理从上下夹持粉末而进行加热，因此热传导性高。因此，以短时间的加热即可，所以几乎不接触氧，氧几乎不侵入至软磁性粉末内部。因此，能够得到可获得高饱和磁通密度且优异的软磁特性的软磁性粉末。

需要说明的是，磁性粉末的总氧量为1.1重量％以下为宜。更优选为0.5重量％以下。进一步优选为0.1重量％以下。

另外，软磁性粉末在粉末表面存在图4中示出的粉碎痕304。图5(a)、图5(b)中说明了粉碎痕的形成方法。若将图5(a)所示的软磁性薄带401粉碎为粉末，则如图5(b)所示，粉末402的表面裂开，微粉末404被刮掉，成为在表面具有被扯掉而成的粉碎痕403的粉末402。在粉末402的粉碎过程中，在粉末表面出现未氧化的粉碎痕403，在粉碎工序和热处理工序中，氧从粉碎痕403进入粉末内部，形成第1氧化层和第2氧化层。

被扯掉而成的粉碎痕403是粉末402的表面的刺状物。该刺相对于粉末402的表面所成的角度小于90度。大多为30度～60度。

(实施方式2)

图6示出了本发明的实施方式2的软磁性粉末的截面的示意图。

<结构>

软磁性粉末600由软磁性粉末层601、位于软磁性粉末层601的表层的第1氧化层602、位于第1氧化层602的表层(软磁性粉末的最表层)的Si浓化层603和粉碎痕604形成。

第1氧化层602是通过热处理从而软磁性粉末层601与大气中的氧结合形成的FeO、Fe₂O₃或Fe₃O₄等的氧化膜。第1氧化层602比自然氧化膜(10nm～20nm)厚，膜厚为20nm～500nm。第1氧化层602薄，因此能够抑制矫顽力的增加。

Si浓化层603包含Fe和Si。Si浓化层603的膜厚为700nm～1μm，以无间断地覆盖第1氧化层602的表层的方式形成。

若Si浓化层603的膜厚薄，则软磁性粉末600无法形成从软磁性粉末600的中心部朝向表面Si浓度大致连续地变高的浓度分布形式，无法降低涡电流。另外，若Si浓化层603的膜厚较厚，则软磁性粉末层601在压粉磁芯的每单位体积中所占的比例降低，饱和磁通密度和导磁率降低，无法得到优异的磁特性。因此，膜厚过薄过厚均不好。

接着，对于实施方式2的软磁性粉末的制造方法进行说明。

<软磁性粉末的制造>

首先，对于实施方式的软磁性粉末600的制造方法进行说明。

使用图7(a)、图7(b)，对本实施方式的粉碎粉的制造机理进行说明。将图7(a)所示的软磁性薄带701用旋转磨机等粉碎机进行粉碎。由此，如图7(b)所示，粉末702的表面裂开，微粉末704被刮掉，成为表面具有粉碎痕703的粉末702。粉末702的表面裂开，因此成为没有角的带有圆边的形状。另外，微粉末704也因同样的机理而表面裂开，成为没有角的带有圆边的形状。

(3)接着，对粉末702、微粉末704进行热处理，除去因粉碎导致的内部应变或使αFe晶相析出。热处理装置例如可以使用热风炉、热压机、灯、覆套式(sheath)金属加热器、陶瓷加热器、回转窑等。

(4)接着，在经热处理的粉末702、微粉末704的表层形成Si浓化层603。Si浓化层例如利用基于化学气相蒸镀法(CVD法)的浸硅及紧接着其的扩散处理的工艺制造。其结果是，能够降低软磁性粉末的涡流损耗，特别是能够在高频区域减小损耗。进而能够得到可获得高饱和磁通密度且优异的软磁特性的软磁性粉末600。

<压粉磁芯的制作>

(1)实施方式的压粉磁芯的制作是将软磁性粉末600、和酚醛树脂或有机硅树脂等绝缘性良好且耐热性高的粘结剂混合而制作造粒粉。

接着，对实施方式2的实施例2进行描述。

(实施例2)

接着，将粉碎粉进行热处理，除去因粉碎导致的内部应变，并且使αFe晶相析出。热处理是利用热压机在550℃进行20秒加热。

接着，通过CVD法形成Si浓化层603。在高温环境下，在软磁性粉末的表层吹附SiCl₄气体，在软磁性粉末的表层，使Fe和Si的置换反应发生，Si浸透至软磁性粉末中。凭借该化学反应，在软磁性粉末表层形成Si浓化层。此时，控制在软磁性粉末表层形成Si浓化层时的浸硅量和浸硅速度。

随后，通过控制在非氧化气氛中进行高温均热化时的温度和处理时间，能够形成图8(a)～图8(c)所示的从软磁性粉末600的中心部朝向表面，Si浓度大致连续地变高的浓度分布形式。

图8(a)示出了实施方式2的软磁性粉末600的截面的示意图。图8(b)示出了图8(a)所示的软磁性粉末的截面中，短边的最大长部的Si浓度的变化。图8(c)示出了图8(a)所示的软磁性粉末的截面中，长边的最大长部的Si浓度的变化。

Si的最大浓度比软磁性粉末层601的Si浓度高0.5原子％～3原子％，为14原子％～16.5原子％。通过提高软磁性粉末600中的Si浓度，软磁性粉末600的电阻增加，涡流损耗被降低。

接着，向在软磁性粉末600的表层形成有Si浓化层603的软磁性粉末600中混合有机硅树脂作为粘结剂，进行造粒，从而制作造粒粉。接着，将造粒粉投入模具，进行加压成形而制作压粉体。有机硅树脂为软磁性粉末的3重量％左右。

对所得到的各个压粉体，使用B-H分析仪测定频率1MHz、磁通密度25mT的磁芯损耗。磁芯损耗的合格基准为1300kW/m³以下时，合格基准被通过。合格基准以达到通常的金属系的材料的磁芯损耗以下为目标。因此，得到在高频区域损耗小的压粉磁芯。

<效果>

软磁性粉末600的表层部的Si浓度变高，导磁率变高，能够降低涡流损耗。凭借软磁性粉末600的中心部与表层部的导磁率之差，在励磁状态下，磁束集中于表层。若磁束集中于表层部，在比其更内部中不存在磁束变化，则由于磁通密度变化而产生的涡电流也仅在表层发生，因此能够降低软磁性粉末600的涡流损耗。

(实施方式3)

图9中示出了本发明的实施方式3的软磁性粉末的截面的示意图。图9中，对于与图6相同的要素构成，使用相同的符号，省略说明。未记载的事项与实施方式2相同。

软磁性粉末900由软磁性粉末层601、位于软磁性粉末层601的表层的第2氧化层905、位于第2氧化层905的表层的第1氧化层602、位于第1氧化层602的表层(软磁性粉末的最表层)的Si浓化层603和粉碎痕604形成。

实施方式3相对于实施方式1，在软磁性粉末900的内部还具有第2氧化层905。第1氧化层602的膜厚比第2氧化层905薄。另外，第1氧化层602在软磁性粉末900的表面无间断地形成，但第2氧化层905在软磁性粉末层601和第1氧化层602之间的一部分中形成即可。

另外，第1氧化层602是软磁性粉末层601与大气中的氧结合形成的FeO、Fe₂O₃或Fe₃O₄等的氧化膜。第1氧化层602比自然氧化膜(10nm～20nm)厚，膜厚为20nm～500nm。第1氧化层602和第2氧化层905薄，因此能够抑制矫顽力的增加。

第2氧化层905是形成于软磁性粉末900的内部的氧化层，是在热处理工序中，氧从软磁性粉末900的粉碎痕604进入，与Fe或B键合形成的。

<效果>

通过除了第1氧化层602以外还具有第2氧化层905，从而软磁性粉末900的表层附近的电阻变大。凭借高频时的趋肤效应，电流流过软磁性粉末900的表层附近，因此能够减小电流量。所以，实施方式3的软磁性粉末900的表层部分的Si浓度变高，再加上涡流损耗能够降低的效果，能够进一步降低涡流损耗。

另外，第1氧化层602、第2氧化层905薄，因此能够抑制矫顽力的增加。

(作为整体)

需要说明的是，软磁性粉末可以是金属、合金、硅钢板、非晶、纳米结晶合金等，只要是显示出软磁性特性的粉末即可。

需要说明的是，对于软磁性粉末而言，以将薄带或薄片粉碎进行粉末化的粉碎粉进行了说明，但也可以是利用气雾化法或水雾化法等制作的雾化粉。

需要说明的是，Si浓化层603的形成方法可以是等离子体CVD法、热CVD法、光CVD法等，只要是能够使软磁性粉末表层的Si浓度浓化的方法均可。

产业上的可利用性

根据本发明，能够提供可获得高饱和磁通密度且优异的软磁特性的软磁性粉末及使用其的压粉磁芯等磁性部件。

附图标记说明

100 软磁性粉末

101 第1氧化层

102 第2氧化层

103 软磁性粉末层

201 第1氧化层

202 第2氧化层

203 软磁性粉末层

300 粉碎粉

301 第1氧化层

302 第2氧化层

303 软磁性粉末层

304 粉碎痕

401 软磁性薄带

402 粉末

403 粉碎痕

404 微粉末

501 主面

502 粉碎面

503 主面

504 粉碎面

600 软磁性粉末

601 软磁性粉末层

602 第1氧化层

603 Si浓化层

604 粉碎痕

701 软磁性薄带

702 粉末

703 粉碎痕

704 微粉末

900 软磁性粉末

905 第2氧化层

Claims

1.一种软磁性粉末，其包含：

软磁性材料的软磁性粉末层、

位于所述软磁性粉末层的外周的铁的氧化物或硼的氧化物的第2氧化层、和

位于所述第2氧化层的外周的氧化铁的第1氧化层，

所述第1氧化层和所述第2氧化层位于距所述软磁性粉末的表面20nm以上且500nm以下的区域，不存在于距所述表面深超过500nm且为1600nm以下的区域，

所述第2氧化层包含硼。

2.如权利要求1所述的软磁性粉末，其中，所述第1氧化层和所述第2氧化层位于距所述表面20nm以上且100nm以下的区域，不存在于距所述表面深超过100nm且为1600nm以下的区域。

3.如权利要求1所述的软磁性粉末，其中，所述第1氧化层和所述第2氧化层位于距所述表面20nm以上且50nm以下的区域，不存在于距所述表面深超过50nm且为1600nm以下的区域。

4.如权利要求1所述的软磁性粉末，其中，总氧量为1.1重量％以下。

5.如权利要求1所述的软磁性粉末，其中，所述第1氧化层具有刺状的粉碎痕。

6.一种压粉磁芯，其包含权利要求1所述的软磁性粉末和粘结剂。

7.一种权利要求1所述的软磁性粉末的制造方法，其包括：

粉碎工序，使软磁性组合物成为粉末；和

热处理工序，使所述粉末成为距所述粉末的表面20nm以上且500nm以下的区域具有氧化层、距所述表面深超过500nm且为1600nm以下的区域不具有氧化层的粉末。

8.如权利要求7所述的软磁性粉末的制造方法，其特征在于，所述热处理工序中，所述粉末的总氧量为1.1重量％以下。

9.一种软磁性粉末，其包含：

未氧化的软磁性材料的软磁性粉末层、

位于所述软磁性粉末层的外周的氧化铁的氧化层、和

无间断地覆盖所述氧化层的表层的Si浓化层，

从所述软磁性粉末的中心部朝向表层，Si浓度连续地变高，

所述氧化层包括位于表层侧的第1氧化层、和位于所述软磁性粉末层侧的铁的氧化物或硼的氧化物的第2氧化层，

所述第2氧化层包含硼。

10.如权利要求9所述的软磁性粉末，其中，所述氧化层具有20nm～500nm的膜厚。

11.如权利要求9所述的软磁性粉末，其中，所述Si浓化层具有200nm～1μm的膜厚。

12.如权利要求9所述的软磁性粉末，其中，所述Si浓化层具有比所述软磁性粉末层的Si浓度高0.5原子％～3原子％的Si浓度。

13.一种压粉磁芯，其包含权利要求9所述的软磁性粉末和粘结剂。

14.权利要求9所述的软磁性粉末的制造方法，其包括：

粉碎工序，使软磁性组合物成为粉末；

热处理工序，在距所述粉末的表层20nm～500nm的区域形成氧化层；和

Si浓化工序，在所述氧化层的表层形成膜厚为700nm～1μm的Si浓化层。