CN109196725A - 润滑接触元件及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及用于电气组件(29)的接触元件(1)及其制造方法。如果发生接触元件(1)和配对接触元件之间的相对运动，则现有技术的接触元件(1)产生高插接力，导致接触元件(1)的磨损。这一问题在小型化插头连接器和包括多个接触元件(1)的插头连接器中尤其突出。应用附加的润滑或机械装置是本领域的两种解决方案，然而这将会使插头连接器更复杂和昂贵，分别必须满足关于保存期限和温度稳定性的要求。本发明通过以下方式解决这些问题：包括基底(13)、至少一个导电层(17)和至少一个掩模层(15)，其中接触元件(1)的接触侧(31)至少部分地由至少一个掩模层(15)和至少一个导电层(17)覆盖，且其中至少一个掩模层(15)和至少一个导电层(17)形成接触表面(32)，接触表面(32)包括至少一个掩模层(15)和至少一个导电层(17)的交替区域(25)。

Description

润滑接触元件及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种用于电气组件的接触元件及其制造方法。本发明还涉及一种制造用于电气组件的接触元件的方法。

背景技术

通常，如果发生接触元件和配对接触元件之间的相对运动，则电插头连接器的接触元件产生高插接力，导致接触元件的磨损。尤其是在小型插头连接器和包括多个接触元件(例如，接触销)的插头连接器中，用于获得插头连接器的最终插接状态的必要的插接力超出了客户规范。

为了克服该问题，本领域的解决方案应用附加的润滑或机械装置，例如用于以客户规范内插接力获得最终插接状态的杠杆。

附加的机械装置使得插头连接器更复杂和昂贵，而润滑装置需要满足关于保存期限和温度稳定性的要求。

特别是对于应用于汽车领域的小型插头连接器，接触表面受到有限的耐磨性和限制的插接力。本领域的插头连接器的接触部分或接触表面通常实施为固定接触表面而不是以滑动方式。应用多个接触元件(例如接触销)根据接触元件的数量增加了必要的插接力。

另外，本领域的具有接触元件的插头连接器通常将贵金属(例如金、银或钯)或示例性金属锡施加到整个接触表面。这些金属涂层增加了接触元件抵抗腐蚀的抗性，而没有显著降低接触元件的电导率。然而，这些贵金属是贵重的并且增加了所述插头连接器的成本。

因此，本发明的一个目的是减少接触元件中使用的贵金属的量。此外，本发明的一个目的是为润滑剂提供接触元件，该润滑剂具有高保存期限，即，高储存能力，提供防腐保护且化学性质长期稳定。

发明内容

创造性的接触元件通过以下方式解决以上问题：包括基底、至少一个导电层和至少一个掩模层，其中所述接触元件的接触侧至少部分地由所述至少一个掩模层和所述至少一个导电层覆盖，且其中所述至少一个掩模层和所述至少一个导电层形成接触表面，所述接触表面包括所述至少一个掩模层和所述至少一个导电层的交替区域(alternatingregions)。

还可设想，接触元件包括两个或更多个接触表面，其每一个包括至少一个掩模层和至少一个导电层。

接触侧可以直接或间接地被至少一个模层和至少一个导电层至少部分地覆盖。

至少一个掩模层和至少一个导电层的交替区域必须被理解为接触表面上的至少一个导电层和至少一个掩模层的部分的局部布置。

作为非限制性示例，接触元件可以包括一定数量的导电部分，例如实施为条形、矩形或其他几何形状，所述导电部分可以被掩模层围绕。然而，形成掩模层的掩模部分也可以被形成导电层的导电部分围绕。

“层”应理解为沉积材料的薄二维结构，而表述“薄”则涉及远小于基底厚度的厚度。通常，接触元件的层厚度为约1μm至100μm的量级。

上述创造性的方法通过包括以下步骤解决所述问题：用掩模层掩蔽基底，通过部分地移除所述掩模层来形成至少一个未掩蔽区域，并且在所述至少一个未掩蔽区域的至少一部分中沉积导电层。

用掩模层掩蔽基底可以通过将基底放入掩蔽材料的浴中或通过将掩蔽材料喷涂到基底上来进行。掩蔽基底的这两种可能性仅被理解为非限制的示例性掩蔽步骤。

掩模层可以通过上述两种示例性技术均匀地沉积在基底上，或者可以经由印刷技术直接施加。用于将掩模层施加到基底的可能的印刷技术例如是喷墨印刷、喷射印刷或凹版印刷。上述印刷技术也可用于在基底上印刷均匀的掩模层。如上所述的印刷技术允许直接的、节省时间的和降低成本的掩模层的施加，其分辨率仅受印刷技术和所用的印刷装置的限制。

作为非限制性示例，通过部分地移除掩模层来形成至少一个未掩蔽区域可以通过直接激光烧蚀来进行。用于形成至少一个未掩蔽区域的另一种烧蚀技术是电子束烧蚀。两种烧蚀技术都基于材料的超快速加热，该加热产生等离子体和被加热材料的突然蒸发。在激光烧蚀的情况下，材料通过激光辐射加热，而在电子束烧蚀的情况下，用于产生等离子体的能量由电子束提供。

电子束烧蚀产生更高的可获得分辨率，代价是更复杂的系统。

以下描述将仅侧重于激光烧蚀，但也可适用于电子束烧蚀。

激光烧蚀通常利用脉冲持续时间在ns范围或fs范围内的短或超短激光脉冲，例如，分别由准分子激光器、由基于稀土掺杂的激光活性材料或钛蓝宝石的固态激光器发射。

在下文中，将呈现和描述本发明的不同实施例，其中每个实施例本身是有利的，并且可以组合或省略不同实施例的技术特征，只要省略的技术特征的技术效果不与本发明相关。

在创造性的接触元件的第一实施例中，至少一个导电层位于接触表面的未遮蔽区域中。

接触表面的未掩蔽区域是掩模层缺失的区域。

至少一个掩模层和至少一个导电层可以在接触表面上彼此相邻地定位。

换言之，至少一个掩模层可以无缝地位于至少一个导电层的旁边。因此，基底完全被至少一个掩模层和至少一个导电层覆盖和保护。

根据掩模层的部分和导电层的部分的数量，以及根据部分的形状，一个部分(掩蔽或导电)可以与不同数量的其他部分(导电或掩蔽)相邻地定位。

掩模层的部分和导电层的部分代表开篇提到的交替区域。

在创造性的接触元件的第二实施例中，掩模层包括润滑填料介质。润滑填料介质可以包含在聚合物中。

此外，聚合物可以包括例如由润滑填料介质组成的聚合物。

因此，掩模层可以用作润滑贮库(depot)，为位于掩模层附近的导电层提供润滑。

润滑填料介质可包括湿或干润滑剂，例如油脂或石墨。润滑填料介质可包括浸入掩模层的材料中的润滑颗粒。

当至少一个掩模层和至少一个导电层形成接触表面时，润滑填料介质位于导电层的至少一个部分附近，优选地嵌入在多个导电部分之间。因此，接触表面在插入操作期间通过导电层机械地邻接配对触接表面。

掩模层可以与配对接触表面机械接触，但是接触力分别通过接触表面的导电部分施加。因此，包括润滑填料介质的掩模层的材料不会被配对接触表面移位，而是仍然与其机械接触。

可用于掩模层的聚合物可以设计用于不同的应用，例如，用于可以应用接触元件的不同温度范围以及如湿度、电磁辐射或气氛等环境条件。聚合物可以是适用于接收润滑填料介质的任何市售的聚合物(例如PMMA、PE、PVC、PET、PC、PET，PU或类似物)。

在本接触元件的另一个实施例中，接触元件可以实施为滑动接触件。在这种滑动接触件中，接触部分或接触点围绕对应的静止位置移动。

同样对于不是专门设计为滑动接触件的插接式连接器，这些特性可具有增强的抗振动稳定性的优点，在所述振动期间，接触部分或接触点移出其静止位置。

在创造性的接触元件的第三实施例中，掩模层包括导电填料介质。

这样的导电填料介质可包括颗粒或纳米颗粒，例如，碳衍生物(如石墨或纳米管)，或简单地为金属颗粒。

因此，该实施例的掩模层实现了两个功能，即，润滑接触表面，其减小插接力，并在接触元件的接触表面和配对接触元件的配对接触表面之间提供额外的电连接。

在创造性的接触元件的另一个实施例中，基底由铜或铜合金中的一种制成。

铜或铜合金通常用于电接触装置，因为它们产生低欧姆电阻、高电导率并且可以容易地制造。然而，铜显示出在环境空气中氧化的趋势，并且由于其硬度，不适合于重复的插接操作。除此之外，由于这个原因，铜或铜合金至少部分地被至少一个掩模层和至少一个导电层覆盖。

在创造性的接触元件的另一个实施例中，导电层包括不同于基底的材料的接触材料。也就是说，接触材料沉积在基底的未被掩蔽的部分上，即，没有被掩模层覆盖。

与基底不同组分的铜合金也可用作导电层的材料。

导电层可含有贵金属，例如金、银或钯，或毒性较低的重金属，例如锡。因此，导电层的材料保护基底的未掩蔽区域免受环境条件的影响。

在导电层中施加的材料还可含有上述金属的合金。

在创造性的接触元件的另一实施例中，中间层布置在基底与至少一个掩模层和至少一个导电层中的至少一者之间。

中间层可以完全覆盖基底的形成接触表面的部分。中间层可以优选地位于基底和掩模层之间，以及基底和导电层之间。中间层可以支撑导电层并且可以含有导电材料，优选地是具有与基底和/或导电层类似的电导率的金属。

在创造性的接触元件的另一实施例中，中间层具有约1μm至约3μm的厚度。可以应用这种中间层的厚度以增加导电层的有效硬度。

以上面给出的厚度实施的中间层不影响基底的柔韧性和弹性，但仍然保护基底免受环境影响。

中间层的硬度可以高于基底的硬度，因此增加了接触元件抵抗磨损的抗性，例如由于重复的插接操作引起的磨损。

在创造性的接触元件的另一个实施例中，中间层含有镍或镍合金中的一种。镍或镍合金提供了保护基底免受环境影响的上述优点，增加了沉积在中间层的与基底相对的一侧上的导电层的有效硬度。

这样的镍或镍合金，通常是中间层，进一步将从导电层施加的插接力传递到中间层和基底。即使施加的插接力选择性地或准时地施加，后者也可以完全偏转或弹性变形。

因此，中间层在大于导电层的部分的面积的区域上将插接力分布到基底。

创造性方法的第一实施例还包括在基底与掩模层和导电层中的至少一者之间提供中间层的步骤。

优选地，中间层含有镍层或镍合金层中的一者，该层实施为具有1μm至几微米的量级的厚度。

中间层可以通过电沉积、化学或物理气相沉积，离子束沉积，溅射或类似的技术沉积在基底上。

创造性方法的第二实施例还包括为至少掩模层提供导电填料介质和润滑填料介质中的至少一种的步骤。

导电填料介质具有的优点是，即使接触元件的导电层不与配对接触元件邻接，也可以建立接触元件和相应的配对接触元件之间的电连接。此外，导电填料介质增加了可经由接触表面传输的可能的电流。

掩模层中的润滑填料介质将后者转化为润滑贮库，其可以连续地保证导电层的润滑。此外，由于导电层沉积在掩模层的未掩蔽区域的至少一部分中，当导电层邻接配对接触元件时，作为掩模层材料的一部分的润滑填料介质不会移位。

在用掩模层掩蔽基底之前，可以在掩模层材料中提供导电填料介质和/或润滑填料介质。也就是说，在将后者施加到基底或中间层之前，将对应的填料介质并入到掩模层材料中。

还可设想，导电填料介质和/或润滑填料介质可以在用掩模层掩蔽基底之后并入到掩模层中。可以通过同化、植入、吸收或吸附来进行所述填充介质的并入。

填料介质可以均匀地设置在掩模层材料中或仅单独地设置在掩模层的顶部部分，其中顶部部分应理解为最远离基底的掩模层的部分。

创造性方法的第三是实力老还包括为掩模层提供光敏填料介质的步骤。

光敏填料介质可以特别含有光致抗蚀剂或硬化聚合物，或由其组成。

光敏填料介质应理解为在用特定波长范围的光照射时改变其物理和/或机械和/或化学性质的材料。作为可能的非限制性实例，光敏填料介质可以增加其对化学品的抗性，即，降低其在该化学品中的溶解度。因此，这样的光敏填料介质的照射区域将不会在化学品中溶解并且将保留在基底或中间层上。

在创造性方法的另一个实施例中，部分地移除掩模层的步骤包括通过移位构件移动掩模层的部分。

移位构件可以实施为压花模具，其可以使掩模层材料移位，使得其在至少一个处理部分处暴露基底或中间层，该处理部分可以被进一步机械加工或处理。

对于影响光敏填料介质的波长范围的光，移位构件可以是透明的。这样的透明的移位构件允许通过透明的移位构件照射掩模层，并且可以例如导致掩模层材料的硬化。

该创造性方法的另一个实施例还包括照射掩模层，并光化学地显影掩模层的被照射的部分或未被照射部分中的一者以形成至少一个未屏蔽区域的步骤。

优选地，可以用影响光敏介质的波长范围的光照射掩模层。

如上所述，用影响光敏介质的波长范围的光照射掩模层可以改变掩模层的被照射部分的化学性质，从而改变对显影化学品的抗性。

在正性光致抗蚀剂的情况下，抗性在照射时降低，并且在负性光致抗蚀剂的情况下，抗性增加。

注意，可以经由在这种情况下从激光器发射的照射光的干涉产生掩模图案，或者可以通过阻挡入射光的部分并在掩模层上形成光图案的掩模载体来产生。

根据光敏填料介质是正性还是负性光致抗蚀剂，掩模层的被照射部分或掩模层的未被照射的部分受到显影化学品的影响。显影化学品可以优选地是液体化学品，其可以在浴中提供，通过浴可以移动接触元件。

优选地，可以使用常规的光致抗蚀剂，其受紫外和/或紫电磁辐射的影响。

移除掩模层的部分另一种可能性是在相应的处理部分中直接烧蚀掩模层，即，要移除掩模层的地方的部分，以暴露基底或中间层。在那些处理部分上，将沉积导电层。

附图说明

在下文中，参考附图描述创造性的接触元件和方法。附图示出了接触元件和用于制造该接触元件的创造性方法的实施例，它们本身是有利的。各个实施例的技术特征可以任意组合，并且如果相应的省略的技术特征的技术效果不相关，则可以省略技术特征。相同的技术特征或具有相同技术效果的特征用相同的附图标记表示。

在附图中：

图1以俯视图和剖切侧视图示出了创造性接触元件的两个实施例；

图2示出了创造性的接触元件的第三实施例的剖切侧视图；

图3示出了用掩模层掩蔽基底的两种可能的技术；

图4示出了移除掩模层的部分的两种可能的技术；以及

图5示出了将导电层沉积到图4中所获得的接触元件。

具体实施方式

图1以接触元件1的第一实施例7和第二实施例9中的俯视图3和剖切侧视图5示出了创造性的接触元件1。

剖面侧视图5对应于第一实施例7和第二实施例9，两者均沿两个俯视图3中所示的线11切割。

在剖切侧视图5中，图1示出了基底13、掩模层15和导电层17。在俯视图3中，仅可见掩模层15和导电层17。

接触元件1的第一实施例7包括导电层19的条形部分，其构成导电层17。

接触元件1的第二实施例9包括导电层19的矩形部分，其布置在六倍于四个这样的部分19的矩阵21中。导电层19的二十四个部分构成第二实施例9的导电层17。出于可见性的原因，并非第二实施例9的所有部分19都设有附图标记。

导电层19的条形部分将第一实施例7的掩模层15分离为掩模层23的条形部分，而接触元件1的第二实施例9包括一个整体的掩模层15，然而，它被导电层19的矩形部分中断。

在创造性的接触元件的剖切侧视图5中(通过沿着线11切割第一实施例9或第二实施例9中的任一个获得该接触元件)，可以看出掩模层15以及导电层17是直接沉积在基底13上，并且两个层15、17形成交替区域25。

交替区域25产生接触图案27，其可以是对称的，如图1所示，但也可以是不对称的，即，由任意数量的导电层19的部分和任意数量的掩模层23的部分以部分19、23的任意形状的构成。

图1中所示的接触元件1可以是电气组件29的一部分，其在图1的剖切侧视图5中示出。

图1中所示的接触元件1进一步限定了接触侧31。在接触侧31上，掩模层15和电连接层17沉积在基底13上并形成接触表面32。

图2以剖切侧视图5示出了接触元件1的第三实施例10。第三实施例10附加地包括中间层33，其可以实施为镍或镍合金层35。

第三实施例10的接触图案27可以对应于图1中所示的第一实施例7或第二实施例9的接触图案27。

中间层33位于基底13和掩模层15之间以及基底13和导电层17之间，即，第三实施例10的接触表面32与图1所示的第一实施例7和第二实施例9的接触表面32相似或相同。

在图1和图2中，导电层19的部分对应于未屏蔽区域37。

中间层33具有第一层厚度39，其类似于掩模层15和导电层17的第二层厚度41。第一层厚度39和第二层厚度41中的每一个小于基底厚度43，其由基底13的中断指示。

掩模层15可含有聚合物45，其中聚合物45还可包含润滑填充介质47和/或导电填料介质48。

基底13优选地由铜49或铜合金51制成。导电层19的部分，即导电层17本身，含有接触材料53，其不同于基底13的接触材料53。用于导电层17的优选材料例如是贵金属59或锡61，其在图2中针对导电层19的一部分示出。

中间层33的材料优选含有镍55或镍合金57，如图2所示。镍55或镍合金57作为中间层33的材料的应用增加了导电层17的有效硬度63，其在图2中针对导电层19的一部分示出。

图3示出了用掩蔽层15掩蔽基底13的三种技术。两种技术是基于压力的，例如喷涂65，其中液体掩蔽材料67通过喷嘴69喷涂到原始的基底13上。喷涂65的优点在于，只有接触侧31可以设置有掩模层15(图3中未示出)。

图3还示出了印刷技术66，其中液体掩蔽材料67经由柔性管提供给多个喷嘴69，喷嘴69可以实施为印刷喷嘴70，允许以结构化方式提供液体掩蔽材料67，结构的分辨率取决于印刷喷嘴70的尺寸。印刷组件103允许印刷喷嘴70沿图3中箭头所示的x方向和y方向移动。在图3中，在生成掩模层23的三个部分之后示出了印刷组件103。应注意，图3中所示的印刷组件103仅示意性地示出，并且用于允许印刷喷嘴70沿x方向和沿y方向移动的平移装置105可以以不同的方式实施。

用于掩蔽基底13的第二种可能的技术是浸渍71，其中原始的基底13移动(由移动箭头73指示)到液体掩蔽材料67中，液体掩蔽材料67设置在液体75的容器中。

浸渍71的技术掩蔽移动到液体掩蔽材料67中的整个基底13。另一方面，如果要精确控制第二层厚度41(图3中未示出)，则喷涂65可能是优选的。

在浸渍71或喷涂65的施加步骤中，液体掩蔽材料67可以含有润滑填料介质47和/或导电填料介质48和/或光敏填料介质77，该填料介质溶解在液体掩蔽材料67的聚合物45中。

图4示出了移除掩模层15的部分的三种可能的技术。图4的左侧示出了在如图3所示的处理步骤之后获得的预处理的接触元件1a的俯视图3和剖切侧视图5。

预处理的接触元件1a包括基底13和掩模层15。

用于移除掩模层15的部分的第一种可能的技术是通过光化学处理79，其部分地在图4的右上图中示出。

在光化学处理79中，预处理的接触元件1a在接触侧31上被一定波长区域的光81照射，这改变了并入掩模层15中的光敏填料介质77的性质。光81均匀地照射掩模载体83，掩模载体83包括不透明区域85和透明区域87。在掩模载体83的最简单实施例中，透明区域87可以实施为通孔。

掩模载体83的不透明区域85产生位于不透明区域85下方的未被照射的部分89和位于透明区域87下方的被照射的部分91。两个部分89、91都位于接触侧31上。

根据光敏填料介质77的类型(正性或负性)，被照射的部分91或未被照射的部分89将在显影步骤中被移除，然而，其在图4中未示出。

图4的右中图显示了用于移除掩模层15的部分的第二种可能技术。在应用激光烧蚀107的处理中，激光器109发射光81，即，在这种情况下，发射激光111到扫描镜装置113上，扫描镜装置113允许激光111以扫描方式在预处理的接触元件1a上移动。

激光器109优选地实施为脉冲激光器109a。

在图4的右中图中，脉冲激光器109a产生了一个未屏蔽区域37，并且示出了掩模层15的一部分被部分烧蚀并形成部分烧蚀的部分115的状态，其中在该部分烧蚀的部分115中，掩模层15在接触侧被部分地移除，而掩模层的残留部分117仍然覆盖基底13。

图4中示出的激光111被示意性地描绘并且可以具有小得多的光束直径(未示出)，这允许在掩模层15中产生具有高分辨率的精细结构。如开头所述，如果应用电子束(未示出)代替激光器109，则甚至可以进一步提高分辨率。

图4的右下图示出了用于移除掩模层15的部分的第三种可能技术。在移位处理93中，预处理的接触元件1a由移位构件95机械接触。

移位构件95使掩模层15的材料移位并产生掩蔽区域37，其为缺失掩模层15的区域，并且在从预处理的接触元件1a移除移位构件95之后暴露基底13。

图4示出了移位处理93的混合变体，其中移位构件95是透明的并且允许透射光81。

在图4中，仅移位构件95的有限区域被光81照射，而光81透过透明的移位构件95并到达掩模层23的部分以及未屏蔽区域37。

如果掩模层15的材料具有低粘度以允许通过移位构件95移动掩模层15，则这种移位处理93的混合变体可能是有利的。掩模层23的剩余部分的照射可以引发掩模层15的材料的硬化。这种硬化可以与掩模层15通过移位构件95的移位同时进行。

图5示出了处于预沉积状态97的结构化接触元件1b和处于最终状态99的结构化接触元件1b。预沉积状态97和最终状态99各自以俯视图3和剖切侧视图5示出。

在预沉积状态97中，已经移除了掩模层15的被照射的部分91。图5中所示的预沉积状态97也可以通过图4中所示的移位处理93获得，即，通过机械移位掩模层15的材料以形成未屏蔽区域37。

图5的未屏蔽区域37是条形的并且暴露基底13，其以预沉积状态97在结构化接触元件1b的俯视图3中示出。

在下一个制造步骤(图5中未示出)中，接触材料53沉积在分别在未掩蔽区域37上的掩模层23的部分之间，而接触材料53没有沉积在掩模层23的部分上。

在沉积步骤之后，由对应的部分19、23构成的掩模层15和导电层17形成对应的接触元件1的交替区域25和接触图案27。

从图5中可以看出，不同部分1923的交替区域25形成均匀且不中断的接触表面32。

附图标记

1 接触元件

1A 预处理的接触元件

1B 结构化的接触元件

3 俯视图

5 剖切侧视图

7 第一实施例

9 第二实施例

10 第三实施例

11 线

13 基底

15 掩模层

17 导电层

19 导电层的部分

21 矩阵

23 掩模层的部分

25 交替区域

27 接触图案

29 电气组件

31 接触侧

32 接触表面

33 中间层

35 镍或镍合金层

37 未掩蔽区域

39 第一层厚度

41 第二层厚度

43 基底厚度

45 聚合物

47 润滑填料介质

48 导电填料介质

49 铜

51 铜合金

53 接触材料

55 镍

57 镍合金

59 贵金属

61 锡

63 有效厚度

65 喷涂

66 印刷

67 液体掩蔽材料

69 喷嘴

70 印刷喷嘴

71 浸渍

73 移动的箭头

75 液体的容器

77 光敏填料介质

79 光化学处理

81 光

83 掩模载体

85 不透明区域

87 透明区域

89 未照射的部分

91 照射的部分

93 移位处理

95 移位构件

97 预沉积状态

99 最终状态

101 柔性管

103 印刷组件

105 平移装置

107 激光烧蚀

109 激光器

109A 脉冲激光器

111 激光

113 扫描镜装置

115 部分烧蚀部分

117 残余部分

x x方向

y y方向

Claims (15)

1.一种用于电气组件(29)的接触元件(1)，所述接触元件(1)包括基底(13)、至少一个导电层(17)和至少一个掩模层(15)，其中所述接触元件(1)的接触侧(31)至少部分地由所述至少一个掩模层(15)和所述至少一个导电层(17)覆盖，且其中所述至少一个掩模层(15)和所述至少一个导电层(17)形成接触表面(32)，所述接触表面(32)包括所述至少一个掩模层(15)和所述至少一个导电层(17)的交替区域(25)。

2.如权利要求1所述的接触元件(1)，其中所述至少一个导电层(17)位于所述接触表面(32)的未掩蔽区域(37)中。

3.如权利要求1或2所述的接触元件(1)，其中所述掩模层(15)包括润滑填料介质(47)。

4.如权利要求1至3中任一项所述的接触元件(1)，其中所述掩模层(15)包括导电填料介质(48)。

5.如权利要求1至4中任一项所述的接触元件(1)，其中所述基底(13)含有铜(49)或铜合金(51)中的一种。

6.如权利要求1至5中任一项所述的接触元件(1)，其中所述导电层(17)包括不同于所述基底(13)的材料的接触材料(53)。

7.如权利要求1至6中任一项所述的接触元件(1)，其中中间层(33)布置在所述基底(13)与所述至少一个掩模层(15)和所述至少一个导电层(17)中的至少一者之间。

8.如权利要求7所述的接触元件(1)，其中所述中间层(33)的厚度(39)为约1μm至约3μm。

9.如权利要求7或8所述的接触元件(1)，其中所述中间层(33)含有镍(55)或镍合金(57)中的一种。

10.一种用于制造用于电气组件(29)的接触元件(1)的方法，所述方法包括以下步骤：

-用掩模层(15)掩蔽基底(13)；

-通过部分移除所述掩模层(15)来形成至少一个未掩蔽区域(37)；以及

-在所述至少一个未掩蔽区域(37)的至少一部分中沉积导电层(17)。

11.如权利要求10所述的方法，还包括以下步骤：在所述基底(13)与所述掩模层(15)和所述导电层(17)中的至少一者之间提供中间层(33)。

12.如权利要求10或11所述的方法，还包括以下步骤：为所述掩模层(15)提供导电填料介质(48)和润滑填料介质(47)中的至少一种。

13.如权利要求10至12中任一项所述的方法，还包括以下步骤：为所述掩模层(15)提供光敏填料介质(77)。

14.如权利要求10至13中任一项所述的方法，其中部分地移除所述掩模层包括通过移位构件来对所述掩模层(15)的部分进行移位。

15.如权利要求13或14所述的方法，还包括以下步骤：照射所述掩模层(15)并光化学地显影所述掩模层(15)的被照射的部分(91)或未被照射的部分(89)中的一者，并且选择性地不掩蔽以用于形成所述至少一个未掩蔽区域(37)。