CN109161967B - 铥、钬双掺杂的镧钙锂铌石榴石晶体、制备方法及其应用 - Google Patents
铥、钬双掺杂的镧钙锂铌石榴石晶体、制备方法及其应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109161967B CN109161967B CN201811093786.0A CN201811093786A CN109161967B CN 109161967 B CN109161967 B CN 109161967B CN 201811093786 A CN201811093786 A CN 201811093786A CN 109161967 B CN109161967 B CN 109161967B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- crystal
- phase reaction
- thulium
- lithium niobium
- lanthanum calcium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/28—Complex oxides with formula A3Me5O12 wherein A is a rare earth metal and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co or Al, e.g. garnets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B28/00—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B28/02—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure directly from the solid state
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/02—Heat treatment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明公开了一种铥、钬双掺杂的镧钙锂铌石榴石晶体、制备方法及其应用,铥、钬双掺杂的镧钙锂铌石榴石具有化学式Ca2.4La0.6Li1.22Nb1.82Ga2.36O12·xTmyHo(3‑y)Ga5O12,其中x=0.03~0.1,y=2.5~3.0,Tm3+的掺杂浓度为3~10at.%,Ho3+的掺杂浓度为0~1.67at.%,本发明还公开了该晶体的制备方法及其应用,该晶体使用固相合成法制备多晶料,再使用提拉法生长出Tm,Ho:LCLNGG晶体。该晶体可以产生2微米超短脉冲激光,其晶体结构无序,光谱得到了非均匀加宽,通过锁模技术更有利于产生超短的脉冲激光。
Description
技术领域
本发明涉及激光晶体材料技术领域,具体涉及一种铥、钬双掺杂的镧钙锂铌石榴石晶体、制备方法及其应用。
背景技术
在全固态激光器中,受到泵浦源、实验装置等一些条件的限制,连续激光已经不能满足人们对于激光器的需求。调Q和锁模技术的发展使得脉冲激光得到了飞速发展,通过调Q技术,可以实现短至纳秒(10-9-10-12)量级的脉冲,而锁模技术可以实现皮秒至飞秒量级(10-12-10-15)的超短脉冲输出。
超快脉冲(脉宽为10-12-10-15s)具有极短持续时间,极高峰值功率、极宽光谱等特点,在工业、军事、环境、能源、通讯等众多领域得到了广泛应用。目前已成为激光研究50年发展历程中最活跃的方向之一。激光材料的发射谱(荧光谱)的宽度决定了该材料可实现的激光脉冲的长短,要获得短脉冲的激光输出,基质材料需具有平滑的、宽的荧光光谱。传统的基质材料主要有晶体、陶瓷及玻璃等,而晶体是研究最为广泛的一类基质材料。传统晶体受限于光谱带宽的限制,很难获得飞秒量级的脉冲激光输出。有这样一类晶体,与传统有序晶体相比,其在结构上存在一定的无序,我们称之为无序晶体。所谓无序晶体,一般是指具有不同化合价的阳离子随机分布在相同的晶格点上,形成多种激活离子中心,导致晶格场的无序分布,进而使得荧光光谱的宽度得到了非均匀加宽。此外,与已经商业化的激光玻璃相比,无序激光晶体兼具传统晶体大的热导率的特性,可应用于高功率激光器中。因此积极探寻综合性能优异,且易于生长出高质量、大尺寸的无序激光晶体料是目前发展超快激光技术的一个重要方向。
发明内容
本发明的目的是提供一种铥、钬双掺杂的镧钙锂铌石榴石晶体、其制备方法以及其应用,该晶体可以产生2微米超短脉冲激光,其晶体结构无序,光谱得到了非均匀加宽,通过锁模技术更有利于产生超短的脉冲激光。
为了达到上述的技术效果,本发明采取以下技术方案:
一种铥、钬双掺杂的镧钙锂铌石榴石晶体,所述的晶体的分子式为
Ca2.4La0.6Li1.22Nb1.82Ga2.36O12·xTmyHo(3-y)Ga5O12,其中x=0.03~0.1,y=2.5~3.0,Tm3+的掺杂浓度为3~10at.%,Ho3+的掺杂浓度为0~1.67at.%。at.%的含义为原子数百分比含量。经多次试验Tm3+的掺杂浓度一般在0at.%~5at.%,Ho3+的掺杂浓度一般在0.5.at%~1.at%,且掺杂浓度Tm3+/Ho3+比值保持在5~10之间,晶体易于在2μm波段实现激光输出。
本发明还提供了所述的铥、钬双掺杂的镧钙锂铌石榴石晶体的制备方法,所述的晶体由下述原料通过固相反应得到多晶料后再采用拉提法制备而成:
原料:纯度为99.99%的CaCO3、纯度为99.99%的Tm2O3、纯度为99.99%的Ho2O3、纯度为99.99%的La2O3、纯度为99.99%的Ga2O3、纯度为99.99%的Nb2O5、纯度为99.99%的Li2CO3;
固相反应化学式:
进一步的技术方案是,固相反应的步骤如下:将原料混合后在温度900℃~950℃下固相反应12~24h;取出研磨成粉状、混合、压片后,再于温度1150~1200℃下固相反应24~36h得到多晶料。
进一步的技术方案是,所述的拉提法的步骤为将固相反应后的多晶料置于单晶炉中,生长过程中提拉速度为1~2mm/h,籽晶杆旋转速度为5~12rpm。
进一步的技术方案是,所述的固相反应的步骤如下:将原料混合后在温度900℃下固相反应12h;取出研磨成粉状、混合、压片后,再于温度1150℃下固相反应24h得到多晶料。
本发明还提供了所述的铥、钬双掺杂的镧钙锂铌石榴石晶体的应用,所述的晶体用于在固体锁模激光器中产生2微米波段超短脉冲激光。
下面对本发明做进一步的解释和说明。
铥、钬双掺杂的镧钙锂铌石榴石晶体可以简写为Tm,Ho:LCLNGG,属于立方晶系,Nb5+、Ga3+随机占据氧八面体和氧四面体中心格位,使得晶体具有无序结构,光谱得到了非均匀加宽,同时La3+的引入易于Tm3+、Ho3+等稀土离子的掺杂。
本发明与现有技术相比,具有以下的有益效果:镧钙锂铌石榴石晶体在前面研究基础之上引入了La3+,更有利于Tm3+、Ho3+等稀土离子的掺杂,有利于2微米激光输出。
附图说明
图1为本发明铥、钬双掺杂的镧钙锂铌石榴石晶体Tm,Ho:LCLNGG的XRD衍射图样;
图2为本发明铥、钬双掺杂的镧钙锂铌石榴石晶体Tm,Ho:LCLNGG的吸收光谱;
图3为本发明铥、钬双掺杂的镧钙锂铌石榴石晶体Tm,Ho:LCLNGG的荧光谱。
具体实施方式
下面结合本发明的实施例对本发明作进一步的阐述和说明。
实施例1:
按照下列化学式:
其中x=0.03,y=3按照下列化学式:
将CaCO3、Tm2O3、Ho2O3、La2O3、Ga2O3、Nb2O5、Li2CO3等配重称量好并混合后在马弗炉中于温度900℃下进行固相反应12小时;取出后重新研磨成成粉状、混合、压片,再于马弗炉中于温度1150℃固相反应24小时后取出备用得到多晶料.
多晶料采用单晶炉提拉法制备单晶。将多晶料放入铱金坩埚中,为防止铱金坩埚氧化,先抽真空后冲入氮气作为保护气。设置单晶炉的升温程序中频功率为5000w使多晶料完全融化。之后用籽晶提拉生长,生长过程中提拉速度为1~2mm/h,籽晶杆旋转速度为5~12rpm,直至生长得到尺寸Ф25×40mm3的单晶。之后设置退火程序使晶体温度降到室温。
此实例生长的晶体化学表达式为Ca2.4La0.6Li1.22Nb1.82Ga2.36O12·0.03Tm3Ga5O12,Tm3+掺杂浓度为3at.%,Ho3+掺杂浓度为0。
实施例2:
与实施例1基本相同,所不同的是x=0.06,y=2.5。按照化学反应式:
将CaCO3、Tm2O3、Ho2O3、La2O3、Ga2O3、Nb2O5、Li2CO3等配重称量好并混合后在马弗炉中于温度900℃下进行固相反应12小时;取出后重新研磨成成粉状、混合、压片,再于马弗炉中于温度1150℃固相反应24小时后取出备用得到多晶料.
多晶料采用单晶炉提拉法制备单晶。将多晶料放入铱金坩埚中,为防止铱金坩埚氧化,先抽真空后冲入氮气作为保护气。设置单晶炉的升温程序中频功率为5000w使多晶料完全融化。之后用籽晶提拉生长,生长过程中提拉速度为1~2mm/h,籽晶杆旋转速度为5~12rpm,直至生长得到尺寸Ф25×40mm3的单晶。之后设置退火程序使晶体温度降到室温。
此实例生长的晶体化学表达式为Ca2.4La0.6Li1.22Nb1.82Ga2.36O12·0.06Tm2.5Ho0.5Ga5O12,Tm3+掺杂浓度为5at.%,Ho3+掺杂浓度为1at.%.
实施例3:
与实施例1基本相同,所不同的是x=0.09,y=2.5。按照化学反应式:
将CaCO3、Tm2O3、Ho2O3、La2O3、Ga2O3、Nb2O5、Li2CO3等配重称量好并混合后在马弗炉中于温度900℃下进行固相反应12小时;取出后重新研磨成成粉状、混合、压片,再于马弗炉中于温度1150℃固相反应24小时后取出备用得到多晶料.
多晶料采用单晶炉提拉法制备单晶。将多晶料放入铱金坩埚中,为防止铱金坩埚氧化,先抽真空后冲入氮气作为保护气。设置单晶炉的升温程序中频功率为5000w使多晶料完全融化。之后用籽晶提拉生长,生长过程中提拉速度为1~2mm/h,籽晶杆旋转速度为5~12rpm,直至生长得到尺寸Ф25×40mm3的单晶。之后设置退火程序使晶体温度降到室温。
此实例生长的晶体化学表达式为Ca2.4La0.6Li1.22Nb1.82Ga2.36O12·0.09Tm2.5Ho0.5Ga5O12,Tm3+掺杂浓度为7.5at.%,Ho3+掺杂浓度为1.5at.%.
实施例4:
图1示出了实施例2中所生长的Ca2.4La0.6Li1.22Nb1.82Ga2.36O12·0.06Tm2.5Ho0.5Ga5O12晶体的XRD衍射图样。
将实施例1生长好的晶体加工成6mm*6mm*2mm的样品。测量其吸收及荧光光谱,如图2和3所示,从其吸收谱中可以看出其在800nm左右的半峰宽为27.4nm,如此宽的光谱特别适合采用LD泵浦。其荧光光谱范围覆盖为1600-2200nm,长波长处远离水的强吸收带,且整体较为平滑,适合用于超短脉冲激光研究。
Claims (5)
1.一种铥、钬双掺杂的镧钙锂铌石榴石晶体,其特征在于,所述晶体的分子式为Ca2.4La0.6Li1.22Nb1.82Ga2.36O12·xTmyHo(3-y)Ga5O12,晶体基质为镧钙锂铌石榴石,其中,x的取值范围为:0.03≤x≤0.1,y的取值范围为:2.5≤y≤3.0,Tm3+的掺杂浓度为3~10at.%,Ho3 +的掺杂浓度为0~1.67at.%;所述的晶体中由La3+、Tm3+和Ho3+离子共同取代Ca2+。
3.根据权利要求2所述的铥、钬双掺杂的镧钙锂铌石榴石晶体的制备方法,其特征在于,所述的拉提法的步骤为将固相反应后的多晶料置于单晶炉中,生长过程中提拉速度为1~2mm/h,籽晶杆旋转速度为5~12rpm。
4.根据权利要求2所述的铥、钬双掺杂的镧钙锂铌石榴石晶体的制备方法,其特征在于,所述的固相反应的步骤如下:将原料混合后在温度900℃下固相反应12h;取出研磨成粉状、混合、压片后,再于温度1150℃下固相反应24h得到多晶料。
5.权利要求1所述的铥、钬双掺杂的镧钙锂铌石榴石晶体的应用,其特征在于,所述的晶体用于在2微米固体锁模激光器中产生超快激光脉冲。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811093786.0A CN109161967B (zh) | 2018-09-19 | 2018-09-19 | 铥、钬双掺杂的镧钙锂铌石榴石晶体、制备方法及其应用 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811093786.0A CN109161967B (zh) | 2018-09-19 | 2018-09-19 | 铥、钬双掺杂的镧钙锂铌石榴石晶体、制备方法及其应用 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109161967A CN109161967A (zh) | 2019-01-08 |
CN109161967B true CN109161967B (zh) | 2020-04-28 |
Family
ID=64879563
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811093786.0A Active CN109161967B (zh) | 2018-09-19 | 2018-09-19 | 铥、钬双掺杂的镧钙锂铌石榴石晶体、制备方法及其应用 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN109161967B (zh) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1924119A (zh) * | 2006-09-19 | 2007-03-07 | 山东大学 | 掺镱钙锂铌石榴石晶体及激光器件 |
CN101864597A (zh) * | 2010-06-07 | 2010-10-20 | 长春理工大学 | 钬铥双掺镓酸钆激光晶体 |
CN105568384A (zh) * | 2016-01-28 | 2016-05-11 | 中科九曜科技有限公司 | 一种铥、钬掺杂铌酸铋发光材料及其晶体生长方法 |
CN105821478A (zh) * | 2016-05-31 | 2016-08-03 | 山东省科学院新材料研究所 | 一种铥钬共掺镓酸钡镧激光晶体、制造方法及其应用 |
CN105887200A (zh) * | 2016-05-31 | 2016-08-24 | 山东省科学院新材料研究所 | 一种铥钬共掺镓酸锶镧激光晶体、制造方法及其应用 |
CN106676634A (zh) * | 2017-01-06 | 2017-05-17 | 中国工程物理研究院化工材料研究所 | 掺镱钙钠铌石榴石晶体及其制备方法和应用 |
CN107761168A (zh) * | 2017-11-03 | 2018-03-06 | 中国工程物理研究院化工材料研究所 | 掺镱钠钙锂铌石榴石晶体、制备方法及应用 |
-
2018
- 2018-09-19 CN CN201811093786.0A patent/CN109161967B/zh active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1924119A (zh) * | 2006-09-19 | 2007-03-07 | 山东大学 | 掺镱钙锂铌石榴石晶体及激光器件 |
CN101864597A (zh) * | 2010-06-07 | 2010-10-20 | 长春理工大学 | 钬铥双掺镓酸钆激光晶体 |
CN105568384A (zh) * | 2016-01-28 | 2016-05-11 | 中科九曜科技有限公司 | 一种铥、钬掺杂铌酸铋发光材料及其晶体生长方法 |
CN105821478A (zh) * | 2016-05-31 | 2016-08-03 | 山东省科学院新材料研究所 | 一种铥钬共掺镓酸钡镧激光晶体、制造方法及其应用 |
CN105887200A (zh) * | 2016-05-31 | 2016-08-24 | 山东省科学院新材料研究所 | 一种铥钬共掺镓酸锶镧激光晶体、制造方法及其应用 |
CN106676634A (zh) * | 2017-01-06 | 2017-05-17 | 中国工程物理研究院化工材料研究所 | 掺镱钙钠铌石榴石晶体及其制备方法和应用 |
CN107761168A (zh) * | 2017-11-03 | 2018-03-06 | 中国工程物理研究院化工材料研究所 | 掺镱钠钙锂铌石榴石晶体、制备方法及应用 |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
2μm 波段超快激光晶体的研究进展;黄郑瑜;《人工晶体学报》;20150331;第44卷(第3期);第593-598、615页 * |
67-fs pulse generation from a mode-locked Tm,Ho:CLNGG laser at 2083 nm;YONGGUANG ZHAO,et al.;《OPTICS EXPRESS》;20190204;第27卷(第3期);第1922-928页 * |
Ca2.90Li0.30Nb1.93Ga2.76O12 and La0.57Ca2.38Li0.72Nb2.01Ga2.26O12 crystals: New substrates with more perfect lattice constant for garnet-type film;Qiuping Fu,et al.;《Journal of Alloys and Compounds》;20151123;第660卷;第471-479页 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109161967A (zh) | 2019-01-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Kosmyna et al. | Ca10Li (VO4) 7: Nd3+, a promising laser material: growth, structure and spectral characteristics of a Czochralski-grown single crystal | |
CN101701355A (zh) | 掺钕的铝酸钇钙激光晶体的提拉生长方法 | |
CN107761168B (zh) | 掺镱钠钙锂铌石榴石晶体、制备方法及应用 | |
CN102828247A (zh) | 一种掺铒的铝酸钇钙激光晶体的制备方法 | |
CN102766905B (zh) | 一类铒离子激活1.55微米波段镓酸盐激光晶体及其制备方法 | |
CN102766906B (zh) | 一类铒离子激活3微米波段镓酸盐激光晶体及其制备方法 | |
CN107287659B (zh) | 激光晶体及其制备方法 | |
CN101597797B (zh) | 掺镱硼酸钆锂激光晶体及其制备方法 | |
Jia et al. | Growth and properties of Nd:(LuxGd1− x) 3Ga5O12 laser crystal by Czochralski method | |
CN109161967B (zh) | 铥、钬双掺杂的镧钙锂铌石榴石晶体、制备方法及其应用 | |
Yang et al. | Growth and spectroscopy of ZnWO4: Ho3+ crystal | |
CN103451730B (zh) | Cd4RO(BO3)3化合物、Cd4RO(BO3)3光学晶体及制法和用途 | |
CN110747510A (zh) | 一种铬掺杂铌酸铝锶可调谐激光晶体及其制备方法与应用 | |
CN108456925A (zh) | 掺镱铝酸锶镧晶体及其制备方法和应用 | |
Shi et al. | Optical properties of Dy: YCa4O (BO3) 3 crystal grown by the Czochralski technique | |
CN106676634B (zh) | 掺镱钙钠铌石榴石晶体及其制备方法和应用 | |
CN102086529B (zh) | 一种铒镱双掺钽铌酸钾锂单晶的提拉制备方法 | |
CN109868502B (zh) | 一种稀土掺杂铌酸盐单晶上转换发光材料及其制备方法 | |
Xuan | Thermodynamic and kinetic model of point defect distributions during Ti sapphire growth | |
CN113699582A (zh) | 一种掺铥bgso人眼安全激光晶体及其制备方法 | |
CN101717998A (zh) | 掺钕的硅酸钇镥激光晶体及其制备方法 | |
CN109763169B (zh) | 硼酸钾镥非线性光学晶体及其制备方法和用途 | |
CN110541197A (zh) | 一种掺镱硼酸钙钆镧混晶激光晶体及其制备方法和应用 | |
CN101709507A (zh) | 掺钕的硅酸钇钆激光晶体及其制备方法 | |
CN110607558A (zh) | 一种掺镱硼酸钙钆钇混晶激光晶体及其制备方法和应用 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |