CN110607558A - 一种掺镱硼酸钙钆钇混晶激光晶体及其制备方法和应用 - Google Patents

一种掺镱硼酸钙钆钇混晶激光晶体及其制备方法和应用 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种掺镱硼酸钙钆钇混晶激光晶体及其制备方法和应用，掺镱硼酸钙钆钇混晶激光晶体的分子式为Ca3GdxYyYb2‑x‑y(BO3)4，其中x＝0～2，y＝0～2，Yb3+离子的掺杂浓度为5at.％至30at.％。本发明所制备的Ca3GdxYyYb2‑x‑y(BO3)4混晶较Yb:Ca3Gd2(BO3)4和Yb:Ca3Y2(BO3)4晶体具有更宽的吸收光谱以及更大的无序度，采用锁模技术，有望获得更短的超短脉冲激光输出。

Description

一种掺镱硼酸钙钆钇混晶激光晶体及其制备方法和应用
技术领域
本发明涉及激光晶体材料技术领域，具体涉及一种掺镱硼酸钙钆钇混晶激光晶体及其制备方法和应用。
背景技术
在固体激光器中，受到泵浦源，实验装置等的限制，目前人们对于短脉冲激光的需求愈加增大，调Q以及锁模技术的发展使得纳秒级(10-9-10-12)以及飞秒级(10-15)的激光得以产生
超快激光具有相当多的用途，其持续时间短，光谱较宽，峰值功率输出大的特点在通讯，能源，军事等领域都有独到的用处，目前已经成为激光技术中研究最为广泛的领域之一。超快激光的研究中，激光材料的研究受到了广泛的关注，传统的晶体因为其荧光光谱带宽的原因，很难获得飞秒级别的脉冲激光输出，获得超快激光的输出，需要有较为平滑的，较宽的荧光光谱。不同传统的有序晶体，一些掺杂稀土离子或者过渡离子的无序晶体则因为其较宽的荧光光谱从而慢慢的发展了起来。所谓的无序晶体，则是指化合价不同的阳离子随机分布在相同的晶格点之上，这样可以形成多种的激活离子中心。相比于传统的有序晶体，无序晶体不仅仅有较宽的荧光光谱，还有比较好的热性能：导热系数较高，热膨胀系数小等优点，可以应用于高功率的激光器中。所以大尺寸，高质量，综合性能优良的无序晶体生长方法的探索是目前的一个研究和应用热点。而在无序激光晶体的基础上，进行混晶晶体的制备，可以使得激光晶体的光谱得到进一步的加宽，更加有利于超短脉冲激光产生。
发明内容
本发明的目的在于提供一种产生了1微米超短脉冲的激光晶体材料，材料的无序更大，可以获得更宽的吸收光谱和发射光谱，之后通过锁模技术更有利于产生超短的脉冲激光。
为了达到上述的技术效果，本发明采用以下技术方案：
一种掺镱硼酸钙钆钇混晶激光晶体，所述晶体的分子式为Ca3GdxYyYb2-x-y(BO3)4,其中x＝0～2，y＝0～2，Yb3+离子的掺杂浓度为5at.％至30at.％。at.％的含义为原子数百分比含量。其中经过多次实验的验证，当x＝0～2，y＝0～2，Yb3+的掺杂浓度为0～30at％晶体的质量最好。掺镱硼酸钙钆钇晶体属于正交晶系。
进一步的技术方案是，所述的晶体中Yb3+离子取代Gd3+和Y3+。
本发明还提供了所述的掺镱硼酸钙钆钇混晶激光晶体的制备方法，晶体由下述的原料经过固相反应得到多晶料，经过提拉法得到晶体。
原料：纯度为99.99％的Gd2O3，纯度为99.99％的Y2O3，纯度为99.99％的CaCO3,纯度为99.99％的Yb2O3，纯度为99.99％的H3BO3；
固相反应化学式：
进一步的技术方案是，其固相反应的步骤如下：将原料充分混合，在温度800℃～1000℃进行固相反应10～12h，再升温至1000℃～1200℃进行反应10-14h，得到多晶料。
进一步的技术方案为，所述的固相反应步骤为将原料混合后在900℃的温度下固相反应10h，之后研磨，混合，压片再在1100°温度下固相反应12h，得到多晶料。
进一步的技术方案是所述的提拉步骤为将固相反应后的多晶料放置于单晶炉中，生长过程的提拉速度为0.5～3mm/h，转速为4rpm～11rpm。
本发明还提供了所述的掺镱硼酸钙钆钇混晶晶体的应用，所述的晶体用于在固体锁模激光器中产生超快激光脉冲。
下面对本发明进行进一步的解释和说明。
掺镱硼酸钙钆钇混晶可以简写为Yb:CGYB，其性质类似于CGB(Ca3Gd2(BO3)4)和CYB(Ca3Y2(BO3)4)，都属于正交晶系，具有无序结构，Ca2+和Gd3+或者Ca2+和Y3+两两随机占据晶格位置使得掺杂的三价稀土离子的光谱非均匀加宽。所不同的是，在该晶体中，Ca2+、Gd3+和Y3+三者随机占据晶格位置，使晶体的无序性变得更大，在原有光谱非均匀加宽的基础之上得到了进一步的加宽，更加有利于获得超短脉冲激光的产生。
与现有技术相比，本发明制备的Ca3GdxYyYb2-x-y(BO3)4混晶较Yb:Ca3Gd2(BO3)4和Yb:Ca3Y2(BO3)4晶体具有更宽的吸收光谱以及更大的无序度，采用锁模技术，有望获得更短的超短脉冲激光输出。
附图说明
图1为本发明的Ca3Gd0.9Y0.9Yb0.2(BO3)4混晶，以及Ca3Y1.8Yb0.2(BO3)4和Ca3Gd1.8Yb0.2(BO3)4的XRD衍射图像；
图2为本发明的Ca3Gd0.9Y0.9Yb0.2(BO3)4混晶，以及Ca3Gd1.8Yb0.2(BO3)4和Ca3Y1.8Yb0.2(BO3)4的吸收光谱。
具体实施方式
下面结合本发明的实施例对本发明作进一步的阐述和说明。
实施例1
x＝0.9，y＝0.9按照下列方程式：
将CaCO3，Gd2O3，Y2O3，H3BO3，Yb2O3称重配好之后，在马弗炉中升温至900°固相反应10h，再升温至1100°，保温12h，进行进一步的固相反应，生成多晶料。
多晶料使用提拉法制备单晶，将多晶料放置于铱金坩埚之中，为了防止铱金坩埚被氧化，向其中通入氩气作为保护气体。设置升温程序，在5h内升至5100W，之后使用籽晶提拉生长，生长时提拉速率为0.5～2mm/h，籽晶杆转速为4～11rpm，直至生长得到尺寸Ф25×45mm3的单晶。之后设置退火程序使晶体温度降到室温。
此实例生长的晶体化学式为Ca3Gd0.9Y0.9Yb0.2(BO3)4，Yb3+掺杂浓度为10at％。晶胞参数为Z＝4。
实施例2：
与例1基本相同，所不同的是x＝0.4，y＝1.4，按照化学反应式：
将CaCO3，Gd2O3，Y2O3，H3BO3，Yb2O3称重配好之后，在马弗炉中升温至900°固相反应10h，再升温至1100°，保温12h，进行进一步的固相反应，生成多晶料。
多晶料使用提拉法制备单晶，将多晶料放置于铱金坩埚之中，为了防止铱金坩埚被氧化，向其中通入氩气作为保护气体。设置升温程序，在5h内升至5100W，之后使用籽晶提拉生长，生长时提拉速率为0.5～2mm/h，籽晶杆转速为4～11rpm，直至生长得到尺寸Ф25×45mm3的单晶。之后设置退火程序使晶体温度降到室温。
此实例生长的晶体化学式为Ca3Gd0.4Y1.4Yb0.2(BO3)4，Yb3+掺杂浓度为10at％。晶胞参数为Z＝4。
实施例3：
与例1基本相同，所不同的是x＝1.4，y＝0.4，按照化学反应式：
将CaCO3，Gd2O3，Y2O3，H3BO3，Yb2O3称重配好之后，在马弗炉中升温至900°固相反应10h，再升温至1100°，保温12h，进行进一步的固相反应，生成多晶料。
多晶料使用提拉法制备单晶，将多晶料放置于铱金坩埚之中，为了防止铱金坩埚被氧化，向其中通入氩气作为保护气体。设置升温程序，在5h内升至5100W，之后使用籽晶提拉生长，生长时提拉速率为0.5～2mm/h，籽晶杆转速为4～11rpm，直至生长得到尺寸Ф25×45mm3的单晶。之后设置退火程序使晶体温度降到室温。
此实例生长的晶体化学式为Ca3Gd1.4Y0.4Yb0.2(BO3)4，Yb3+掺杂浓度为10at％。晶胞参数为Z＝4。
实施例4：
将实施例1生长好的晶体部分研成粉末，测量其XRD衍射图谱(图1)，并同Ca3Gd1.8Yb0.2(BO3)4和Ca3Y1.8Yb0.2(BO3)4这两种晶体进行比对。
将实施例1生长好的晶体加工成6*6*2mm3的样品，测量其吸收(图2)光谱，并同Ca3Gd1.8Yb0.2(BO3)4和Ca3Y1.8Yb0.2(BO3)4这两种晶体进行比对。
图1示出了Ca3Gd0.9Y0.9Yb0.2(BO3)4混晶晶体的xrd衍射谱，同Ca3Gd1.8Yb0.2(BO3)4(Yb:CGB)和Ca3Y1.8Yb0.2(BO3)4(Yb:CYB)两种晶体相比，衍射图谱基本一致，表明所制备的混晶并没有影响晶格结构。
图2示出了Ca3Gd0.9Y0.9Yb0.2(BO3)4混晶晶体的吸收谱，吸收谱在970nm附近有一个强的吸收峰。通过同Ca3Gd1.8Yb0.2(BO3)4(Yb:CGB)和Ca3Y1.8Yb0.2(BO3)4(Yb:CYB)两种晶体的吸收谱对比，Ca3Gd0.9Y0.9Yb0.2(BO3)4晶体的吸收谱得到了明显的加宽，也证明了所制备的Ca3Gd0.9Y0.9Yb0.2(BO3)4混晶较Ca3Gd1.8Yb0.2(BO3)4(Yb:CGB)和Ca3Y1.8Yb0.2(BO3)4(Yb:CYB)晶体具有更大的无序度。
尽管这里参照本发明的解释性实施例对本发明进行了描述，上述实施例仅为本发明较佳的实施方式，本发明的实施方式并不受上述实施例的限制，应该理解，本领域技术人员可以设计出很多其他的修改和实施方式，这些修改和实施方式将落在本申请公开的原则范围和精神之内。

Claims (6)

1.一种掺镱硼酸钙钆钇混晶激光晶体，其特征在于，所述掺镱硼酸钙钆钇混晶激光晶体为Yb3+离子掺杂的Ca3(Gd,Y)(BO3)4，所述晶体的分子式为Ca3GdxYyYb2-x-y(BO3)4，其中x＝0～2，y＝0～2，Yb3+离子的掺杂浓度为5at.％至30at.％。
2.根据权利要求1所述的掺镱硼酸钙钆钇混晶激光晶体，其特征在于，Gd,Y元素会被Yb3 +所取代。
3.权利要求1或2所述的掺镱硼酸钙钆钇混晶激光晶体的制备方法，其特征在于，所述的掺镱硼酸钙钆钇混晶激光晶体由下述原料通过固相反应得到混晶后再采用提拉法制备而成：
原料：纯度为99.99％的Gd2O3，纯度为99.99％的Y2O3，纯度为99.99％的CaCO3,纯度为99.99％的Yb2O3，纯度为99.99％的H3BO3；
固相反应化学式：
4.根据权利要求3所述的掺镱硼酸钙钆钇混晶激光晶体的制备方法，其特征在于，所述的固相反应步骤如下，将原料充分混合之后，在温度800°～1000°进行固相反应10～12h，再升温至1000°～1200°进行反应10～14h，得到多晶料。
5.根据权利要求3所述的掺镱硼酸钙钆钇混晶激光晶体的制备方法，其特征在于，所述的提拉法的步骤为将多晶料置于提拉炉中，生长的提拉速度为0.5～3mm/h,转速为4～11rpm。
6.权利要求1或2所述的掺镱硼酸钙钆钇混晶激光晶体的应用，其特征在于，所述的晶体用于在1μm固体锁模激光器中产生超快激光脉冲。
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RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20191224

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