CN109155167B - 透光性导电膜、以及具有图案状导电层的透光性导电膜的制造方法 - Google Patents

透光性导电膜、以及具有图案状导电层的透光性导电膜的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109155167B
CN109155167B CN201780032474.6A CN201780032474A CN109155167B CN 109155167 B CN109155167 B CN 109155167B CN 201780032474 A CN201780032474 A CN 201780032474A CN 109155167 B CN109155167 B CN 109155167B
Authority
CN
China
Prior art keywords
conductive layer
film
light
layer
hard coat
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201780032474.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109155167A (zh
Inventor
伊神俊辉
滝泽守雄
相川明弘
林秀树
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sekisui Chemical Co Ltd
Sekisui Nano Coat Technology Co Ltd
Original Assignee
Sekisui Chemical Co Ltd
Sekisui Nano Coat Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=59351413&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=CN109155167(B) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Sekisui Chemical Co Ltd, Sekisui Nano Coat Technology Co Ltd filed Critical Sekisui Chemical Co Ltd
Publication of CN109155167A publication Critical patent/CN109155167A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109155167B publication Critical patent/CN109155167B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
    • C08J7/04—Coating
    • C08J7/043—Improving the adhesiveness of the coatings per se, e.g. forming primers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/02—Physical, chemical or physicochemical properties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
    • C08J7/04—Coating
    • C08J7/044—Forming conductive coatings; Forming coatings having anti-static properties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
    • C08J7/04—Coating
    • C08J7/046—Forming abrasion-resistant coatings; Forming surface-hardening coatings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
    • C08J7/04—Coating
    • C08J7/06—Coating with compositions not containing macromolecular substances
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
    • G03F7/70958—Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports

Abstract

一种透光性导电膜，其具有：具有透光性和导电性的导电层、配置于所述导电层的一个表面侧的基材，并且，所述导电层的与所述基材侧相反的一侧的表面的表面张力为28dyn/cm以上且34dyn/cm以下。

Description

透光性导电膜、以及具有图案状导电层的透光性导电膜的制 造方法
技术领域
本发明的一个实施方式涉及具有透光性和导电性的透光性导电膜。本发明的另一个实施方式涉及使用了所述透光性导电膜且具有图案状导电层的透光性导电膜的制造方法。
背景技术
近年来，触摸板型液晶显示装置广泛用于诸如智能电话、移动电话、笔记本电脑、平板电脑、复印机或汽车导航系统之类的电子设备中。在这种液晶显示装置中，使用基材上叠层有透明导电层的透光性导电膜。
通常在通过蚀刻处理使具有透光性和导电性的导电层图进行案化之后，再使其搭载于触摸板上。如上所述进行操作，在导电层进行了图案化的透光性导电膜中，存在透光性导电膜的表面上的导电层的图案为可辨识的问题。
此外，目前，在框架布线部中，通过印刷银糊剂等方法来形成布线。因此，需要导电层与银糊剂的密合性。作为提高密合性的手段，公开了对无定形透明导电性薄膜的表面张力进行了调整的透明导电膜等(专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2000-243146号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
另一方面，近年来，为了提高检测灵敏度，不仅同时使用图案电极和布线，或者将导电层用作图案电极以实现高密度化及布线微型化，还在框架布线部，将导电层用作与图案电极连接的布线。
在这种情况下，形成图案电极和布线图案的方法也在发生改变。目前，主流是，使用液体抗蚀剂通过丝网印刷来形成抗蚀层，然后进行蚀刻处理的方法。然而，近年来正在变为，将干膜抗蚀剂粘附到导电层上，然后在曝光和显影之后进行蚀刻处理的方法。
然而，在通过使用干膜抗蚀剂进行的蚀刻处理方法而形成的图案电极及布线中，导电层断裂，或导电层的边缘部分过度切削，从而容易发生故障、响应性差、图案可见等问题。
本发明人发现，这些问题起因于，干膜抗蚀剂与导电层表面的密合性。
因此，本发明的目的之一在于，提供一种透光性导电膜，其能够提高干膜抗蚀剂等部件与导电层表面的密合性。本发明的另一个目的在于，提供一种使用了所述透光性导电膜且具有图案状导电层的透光性导电膜的制造方法。
解决技术问题的技术手段
在本发明的一个实施方式中，提供了一种透光性导电膜，其具有：具有透光性和导电性的导电层、配置于所述导电层的一个表面侧的基材，并且，所述导电层的与所述基材侧相反的一侧的表面的表面张力为28dyn/cm以上且34dyn/cm以下。
在本发明的一个实施方式中，在所述导电层的与所述基材侧相反的一侧的表面的70μm×90μm的视野中的算术平均高度Sa为0.5nm以上且20nm以下，在所述导电层的与所述基材侧相反的一侧的表面的1.0μm×1.0μm的范围中的算术平均粗糙度Ra为2.0nm以上且15nm以下。
在本发明的一个实施方式中，所述导电层是发生了结晶化的导电层。
在本发明的一个实施方式中，所述的透光性导电膜通过使干膜抗蚀剂与所述导电层的外侧的表面接触来使用。
在本发明的另一个实施方式中，提供了一种具有图案状导电层的透光性导电膜的制造方法，该方法包括以下工序：使干膜抗蚀剂与所述透光性导电膜的所述导电层的与所述基材侧相反的一侧的表面接触的工序；将所述导电层制成图案状的导电层的工序；以及剥离所述干膜抗蚀剂的工序。
发明的效果
本发明的一个实施方式的透光性导电膜具有：具有透光性和导电性的导电层、配置于所述导电层的一个表面侧的基材。所述本发明的一个实施方式的透光性导电膜中，所述导电层的与所述基材侧相反的一侧的表面的表面张力为28dyn/cm以上且34dyn/cm以下，因此能够提高干膜抗蚀剂等部件与导电层表面的密合性。
附图说明
图1是表示本发明的一个实施方式的透光性导电膜的截面图。
图2是表示本发明的一个实施方式的透光性导电膜的截面图。
图3是表示将本发明的一个实施方式的透光导电膜的导电层制成图案状的导电层时的状态的截面图。
具体实施方式
以下，对本发明的详细内容进行说明。
本发明的一个实施方式的透光性导电膜具有导电层和基材。所述导电层具有透光性和导电性。所述基材配置于所述导电层的一个表面侧。
在本发明的一个实施方式的透光性导电膜中，所述导电层的与所述基材侧相反的一侧的表面的表面张力为28dyn/cm以上且34dyn/cm以下。
根据本发明的一个实施方式，能够提高干膜抗蚀剂等部件与导电层表面的密合性。例如，在导电层上粘附干膜抗蚀剂以形成图案状的导电层时，能够提高干膜抗蚀剂的密合性。因此，可以抑制干膜抗蚀剂的剥离，并且还可以防止被干膜抗蚀剂包覆的导电层因蚀刻而发生损坏。如上所述，可以防止导电层的断裂，并且可以使得导电层的边缘部分的形状良好。
所述表面张力，具体可通过如下方式进行测定。
表面张力在25℃下测定。在表面张力的测定中，当表面张力在超过34dyn/cm且40dyn/cm以下的范围内时，可以使用春日电机株式会社制造的张力检测笔(2-乙氧基乙醇的混合液)。此外，当表面张力为34dyn/cm以下时，可以使用由和光纯药工业株式会社制造的润湿张力试验用混合液(JIS K6768：1999基准)。具体而言，使用张力检测笔或润湿张力试验用混合液，使液体在导电层表面上扩散，并成为2cm2以上的面积，形成液膜。液体的量应设为，例如，在不形成积液的情况下形成液膜的程度。就测定而言，每次在未测定区域中进行，并且不能通过多次扩散液体，无法多次用张力检测笔及润湿张力试验用混合液划线。
表面张力的判定，在扩散液体形成液膜起5秒钟后进行。对于液膜上不产生破裂且相对于刚使液膜扩散后的100％的面积，如果在5秒后仍保持80％以上的面积，则导电层具有指定的表面张力。
从具有表面张力较低的试剂开始测定，当确认了导电层具有指定的表面张力后，进一步接着进行表面张力较高的混合液的测定，并将在表面张力的判定中显示最高表面张力时的表面张力作为导电层的表面张力。通常进行三次以上测定，并将其平均值作为表面张力。
在所述导电层的与所述基材侧相反的一侧的表面的70μm×90μm(正方形)的视野中的算术平均高度Sa，优选满足下述下限和上限。所述算术平均高度Sa优选为0.5nm以上，更优选为1.0nm以上，进一步优选为2.0nm以上，更进一步优选为4.0nm以上，特别优选为6.0nm以上，尤其优选为8.0nm以上，更进一步优选为10nm以上，非常优选为12nm以上，最优选为15nm以上。所述算术平均高度Sa优选为20nm以下，更优选为19nm以下。当所述算术平均高度Sa为所述下限以下且所述上限以下时，可以更进一步提高干膜抗蚀剂等部件与导电层表面的密合性。在所述导电层的与所述基材侧相反的一侧的表面的1.0μm×1.0μm的范围中的算术平均粗糙度Ra，优选满足下述下限和上限。所述算术平均粗糙度Ra优选为2.0nm以上，更优选为2.5nm以上，进一步优选为5nm以上，还更优选为7nm以上，特别优选为10nm以上，且优选为15nm以下，更优选为14nm以下，进一步优选为13nm以下。当所述算术平均粗糙度Ra为所述下限以下且所述上限以下时，可以进一步提高干膜抗蚀剂等部件与导电层表面的密合性。
所述算术平均高度Sa和所述算术平均粗糙度Ra具体可以通过如下方式进行测定。
算术平均高度Sa的测定，使用白色干涉显微镜(例如，由Ryoka Systems株式会社制造的“VertScan”或同等产品)进行。具体而言，使用CCD相机(例如，SONY HR-50 1/3或同等产品)，镜筒为1倍，物镜为50倍，测定模式选择为波(wave)模式，测定范围以Y方向71.15μm、X方向94.89μm进行观察，并对该范围内的任意的Y方向70μm、X方向90μm的区域，算出算术平均高度Sa。通常进行两次以上测定，并将其平均值作为算术平均高度Sa。
算术平均粗糙度Ra的测定，使用扫描型探针显微镜(例如，株式会社岛津制作所制造的“SPM-9700”或同等产品)来进行。具体而言，可以使用微悬臂(由OLYMPUS株式会社制造的“OMCL-TR800PSA-1”或等同产品)，并由在接触模式下于1.0μm×1.0μm的范围内进行扫描而得到的测量结果算出。通常进行两次以上测定，并将其平均值作为算术平均粗糙度Ra。
所述基材优选包含基材膜，优选包含硬涂层，并优选包含底涂层。硬涂层及底涂层可以分别独立地为单层或多层。
另外，本发明的一个实施方式的透光性导电膜优选进行了退火处理。通过退火处理，可以提高导电层的结晶性，并且可以形成发生了结晶化的导电层。在本发明的优选的实施方式中，所述导电层是发生了结晶化的导电层，在这种情况下，从低电阻化和提高基于蚀刻的图案形成性的观点出发为优选。
另外，由于可以获得所述效果，因此，就所述透光性导电膜而言，使干膜抗蚀剂与导电层的外表面接触而优选地使用。就所述透光性导电膜而言，优选用于使干膜抗蚀剂与导电层的外侧表面接触，从而形成图案状的导电层。
此外，本发明的另一实施方式的具有图案状的导电层的透光性导电膜的制造方法包括以下各工序。使干膜抗蚀剂与所述透光性导电膜的所述导电层的与所述基材侧相反的一侧的表面接触的工序。将所述导电层制成图案状的导电层的工序。剥离所述干膜抗蚀剂的工序。通过这样的各个工序来形成图案状的导电层，由此可以提高图案状的导电层的形成精度。在所述接触干膜抗蚀剂的工序，与所述将所述导电层制成图案状的导电层的工序之间，优选具有使所述干膜抗蚀剂固化的工序。在将所述导电层制成图案状的导电层的工序中，优选对所述导电层进行蚀刻。
在将本发明的一个实施方式的透光性导电膜用于触摸板的情况下，由于可以提高图案状的导电层的形成精度，因此可以抑制由于导电层的断裂而导致的缺陷的发生。因此，透光性导电膜可以适用于液晶显示装置，并且可以适用于触摸板。
在下文中，将参照附图对本发明的具体实施方式进行说明。
图1是表示本发明的一个实施方式的透光性导电膜的截面图。
图1中所示的透光性导电膜1具有基材2、导电层3和保护膜4。
基材2具有第一表面2a和第二表面2b。第一表面2a和第二表面2b彼此对置。在基材2的第一表面2a上叠层有导电层3。第一表面2a是叠层导电层3一侧的表面。基材2是配置在导电层3和保护膜4之间的部件，并且是导电层3的支持部件。此外，在导电层3的与基材2相反的一侧的表面上，可以粘附有保护膜。
在基材2的第二表面2b上叠层有保护膜4。第二表面2b是保护膜4叠层一侧的表面。通过设置保护膜4，可以保护基材2的第二表面2b。在本实施方式中，导电层3的与基材2相反的一侧的表面的表面张力为28dyn/cm以上且34dyn/cm以下。
基材2具有基材膜11、第一硬涂层12、第二硬涂层13、以及底涂层14。基材膜11由具有高透光性的材料构成。在基材膜11的导电层3侧的表面上，依次叠层有第二硬涂层13及底涂层14。底涂层14与导电层3接触。
在基材膜11的保护膜4侧的表面上，层叠有第一硬涂层12。第一硬涂层12与保护膜4接触。
导电层3由具有透光性及导电性的材料构成，优选由具有高透光性和高导电性的材料构成。导电层3叠层在基材2的第一表面2a上。
可以通过粘合剂层将保护膜叠层在基材的第二表面上。基材的第二表面优选与保护膜的所述粘合剂层接触。
图2是表示本发明的一个实施方式的透光性导电膜的截面图。
在图2中所示的透光性导电膜1A中，未设置第一硬涂层12。透光性导电膜1A具有依次对底涂层14、第二硬涂层13、基材膜11进行叠层而成的基材2A。在透光性导电膜1A中，保护膜4直接叠层在基材膜11的与导电层3相反的一侧的表面上。
就本发明的一个实施方式的透光性导电膜而言，如透光性导电膜1A，可以不设置第一硬涂层。保护膜可以直接叠层在基材膜的表面上。另外，可以不设置第二硬涂层和底涂层中的至少一者。底涂层和导电层可以依次叠层在基材膜的导电层侧的表面上，导电层也可以直接叠层在基材膜上。底涂层可以是单层或多层。
接着，对图1中所示的透光性导电膜1的制造方法进行说明。
透光性导电膜1的制造方法没有特别限定，例如可以通过以下的方法来制造。
在基材膜11的一个表面上形成第一硬涂层12。具体而言，当树脂使用紫外线固化树脂时，将光固化单体和光引发剂在稀释剂中搅拌来制备涂布液。将制得的涂布液涂布在基材膜11上，照射紫外线使树脂固化，形成第一硬涂层12。
接着，在第一硬涂层12上形成保护膜4。作为保护膜4，使用在基材片上设置粘合剂层的保护膜时，将粘合面粘合在第一硬涂层12的表面上，能够在第一硬涂层12上形成保护膜4。
接着，在基材膜11的与第一硬涂层12相反的一侧的表面上，形成第二硬涂层13。具体而言，当使用紫外线固化树脂作为树脂时，将光固化单体和光引发剂在稀释剂中搅拌来制备涂布液。将制得的涂布液涂布在基材膜11的与第一硬涂层12相反的一侧的表面上，照射紫外线，使树脂固化，形成第二硬涂层13。
接着，在第二硬涂层13上形成底涂层14。具体而言，在使用SiO2时，可以通过蒸镀或溅射在第二硬涂层13上形成底涂层14。
如上所述，在基材膜11上形成第一硬涂层12、第二硬涂层13、以及底涂层14。需要说明的是，在本发明的一个实施方式中，可以不设置第一硬涂层12、第二硬涂层13以及底涂层14。在这种情况下，基材膜11的导电层3侧的表面是基材2的第一表面2a，基材膜11的保护膜4侧的表面是基材2的第二表面2b。
接着，能够通过在底涂层14上形成导电层3来制造透光性导电膜1。
形成导电层的方法没有特别限定，可以使用基于蒸镀或溅射进行的方法等。通过退火处理，形成的导电层的结晶性可以得到提高。退火处理可以在将保护膜用于基材的与导电层侧相反的一侧的状态下进行。此外，退火处理可以在对粘附在导电层侧的保护膜进行了剥离的状态下进行。
例如，使用所述具有图案状的导电层的透光性导电膜的制造方法，通过将导电层3(图1)制成如图3所示的图案状的导电层3X，透光性导电膜1可以以透光性导电膜1X的形式而使用。在导电层3的与基板膜11侧相反的一侧的表面上，局部地形成抗蚀剂层，并对其进行蚀刻处理，由此可以形成图案状的导电层3X。在蚀刻处理之后，进行水洗。
透光性导电膜1X具有图案状的导电层3X。图案状的导电层3X局部地叠层在基材2的第一表面2a上。透光性导电膜1X在基材2的第一表面2a上，具有：具有图案状的导电层3X的部分，及不具有图案状的导电层3X的部分。
作为退火方法，可举出：使用热风干燥的方法；使用红外线的方法等几种方法。退火方法没有特别限定，但优选使用远红外线的方法。
根据加热方法的不同条件也不同，但在使用远红外线等情况下，退火处理的温度优选为120℃以上，更优选为140℃以上，且优选为200℃以下，更优选为170℃以下。
所述退火处理的处理时间，优选为5分钟以上，更优选为10分钟以上，且优选为60分钟以下，更优选为30分钟以下。
透光性导电膜1X，可以在叠层有保护膜4的状态下使用，也可以将保护膜4剥离再使用。
以下，将对构成透光性导电膜的各层的详细内容进行说明。
(基材)
基材整体的厚度优选为23μm以上，更优选为50μm以上，且优选为300μm以下，更优选为200μm以下。所述基材可包含基材膜、硬涂层和/或底涂层，并且这种情况下的基材整体的厚度优选为所述下限以上且所述上限以下。
基材膜；
基材膜优选具有高透光性。因此，作为基材膜的材料没有特别限定，例如，可列举：聚烯烃、聚醚砜、聚砜、聚碳酸酯、环烯烃聚合物、聚芳酯、聚酰胺、聚甲基丙烯酸甲酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、三乙酰纤维素、纤维素纳米纤维等。所述基材膜的材料可以单独使用，也可以将多种组合使用。
基材膜的厚度优选为5μm以上，更优选为20μm以上，且优选为190μm以下，更优选为125μm以下。当基材膜的厚度在所述下限以上且所述上限以下时，可以进一步使导电层的图案不易辨识。
此外，关于基材膜的透光率，波长380～780nm的可见光区域中的平均透射率优选为85％以上，更优选为90％以上，且通常为100％以下。
此外，基材膜可含有各种稳定剂、紫外线吸收剂、增塑剂、润滑剂或着色剂。
第一硬涂层和第二硬涂层；
第一硬涂层和第二硬涂层优选分别由粘合剂树脂构成。所述粘合剂树脂优选为固化树脂。作为所述固化树脂，可以使用热固化树脂、活性能量射线固化树脂等。从提高生产性和经济性的观点出发，所述固化树脂优选为紫外线固化树脂。
作为用于形成所述紫外线固化树脂的光固化性单体，例如，可列举：1,6-己二醇二丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、乙二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二丙烯酸酯、四乙二醇二丙烯酸酯、三丙二醇二丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯、1,4-丁二醇二甲基丙烯酸酯、聚(丁二醇)二丙烯酸酯、四乙二醇二甲基丙烯酸酯、1,3-丁二醇二丙烯酸酯、三乙二醇二丙烯酸酯，三异丙二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯及双酚A二甲基丙烯酸酯这样的二丙烯酸酯化合物；三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、季戊四醇单羟基三丙烯酸酯及三羟甲基丙烷三乙氧基三丙烯酸酯这样的三丙烯酸酯化合物；季戊四醇四丙烯酸酯及二(三羟甲基丙烷)四丙烯酸酯这样的四丙烯酸酯化合物；以及二季戊四醇(单羟基)五丙烯酸酯这样的五丙烯酸酯化合物等。作为所述紫外线固化树脂，可以使用具有五个以上官能团的多官能丙烯酸酯化合物。多官能丙烯酸酯化合物，可以单独使用，也可以将多种组合使用。另外，可以向多官能丙烯酸酯化合物中添加光引发剂、光敏剂、流平剂及稀释剂等。
此外，第一硬涂层可以由树脂部及填料构成。当第一硬涂层含有填料时，可以使导电层的图案更进一步不易被辨识。需要说明的是，在第一硬涂层含有填料的情况下，可能发生被称为“橘皮”的表面的起伏，或者由于表面上的凹凸而可能发生雾化，当被用于液晶显示装置时变得难以看到显示光。因此，从不易引起橘皮和雾化的观点出发，第一硬涂层优选仅由树脂部构成而不包含填料。或者，从同样的观点出发，填料的平均粒径优选小于第一硬涂层的厚度，从而填料不会从第一硬涂层的表面突出。
作为所述填料，没有特别限定，例如，可列举：二氧化硅、氧化铁、氧化铝、氧化锌、氧化钛、二氧化硅、氧化锑、氧化锆、氧化锡、氧化铈、铟-锡氧化等金属氧化物粒子；硅氧烷、(甲基)丙烯酸、苯乙烯、三聚氰胺等的树脂粒子等。更具体而言，可以使用交联聚(甲基)丙烯酸甲酯等树脂粒子。所述填料可以单独使用或组合使用。
另外，第一硬涂层及第二硬涂层中可以分别含有各种稳定剂、紫外线吸收剂、增塑剂、润滑剂或着色剂。
底涂层；
底涂层例如，是折射率调整层。通过设置底涂层，可以减小导电层、与第二硬涂层或基材膜之间的折射率之差，从而可以更进一步提高透光性导电膜的透光性。
作为构成底涂层的材料，只要具有折射率调整功能即可，没有特别限定，可列举SiOx(x＝1.0～2.0)、SiO2、MgF2、Al2O3等无机材料、以及丙烯酸树脂、聚氨酯树脂、三聚氰胺树脂、醇酸树脂和硅氧烷聚合物等有机材料。
底涂层可以通过真空蒸镀法、溅射法、离子喷镀法或涂布法形成。
(导电层)
导电层由具有透光性的导电材料形成。作为所述导电性材料，没有特别限定，例如，可列举：IZO(铟锌氧化物)、ITO(铟锡氧化物)等In类氧化物；SnO2、FTO(氟掺杂氧化锡)等Sn类氧化物；AZO(铝锌氧化物)、GZO(镓锌氧化物)等Zn类氧化物；钠、钠-钾合金、锂、镁、铝、镁-银混合物、镁-铟混合物、铝-锂合金、Al/Al2O3混合物、Al/LiF混合物、金等金属；CuI、银纳米线(AgNW)、碳纳米管(CNT)或导电性透明聚合物等。所述导电性材料可以单独使用或组合使用。
所述导电材料优选为IZO(铟锌氧化物)、ITO(铟锡氧化物)等In类氧化物；SnO2、FTO(氟掺杂氧化锡)等Sn类氧化物；AZO(铝锌氧化物)、GZO(镓锌氧化物)等Zn类氧化物；更优选为ITO(铟锡氧化物)。通过使用这些优选的导电性材料，可以更进一步提高导电性，并且可以更进一步提高透光性。
作为控制所述导电层中的表面张力的方法，例如可举出将ITO膜形成时的氧气流速控制为比U形弯曲的底部多的方法；以及通过氩气流速的增减进行控制的方法等。
作为对算术平均高度Sa和算术平均粗糙度Ra进行控制的方法，例如有向硬涂层添加填料的方法。作为该填料的材质，例如，可举出：二氧化硅、氧化铁、氧化铝、氧化锆、铟锡氧化物等金属氧化物粒子；以及硅氧烷、丙烯酸、苯乙烯、三聚氰胺等的树脂粒子等。所述填料可以单独使用或多种组合使用。作为对算术平均高度Sa和算术平均粗糙度Ra进行控制的另一种方法，可举出对形成硬涂层或底涂层时的聚合速度进行控制的方法等。
导电层的厚度优选为12nm以上，更优选为16nm以上，进一步优选为17nm以上，且优选为50nm以下，更优选为30nm以下，进一步优选为19.9nm以下。
当导电层的厚度为所述下限以上时，可以有效地降低透光性导电膜的电阻值，并且可以进一步提高导电性。当导电层的厚度为所述上限以下时，可以使导电层的图案更进一步不易被辨识，并且可以使透光性导电膜更进一步变薄。
此外，关于透光性导电膜的透射率，在波长为380～780nm的可见光区域中的可见光区域中平均透射率优选为85％以上，更优选为90％以上，且通常为100％以下。
(保护膜)
保护膜优选由基材片及粘合剂层构成。保护膜优选具有基材片。
所述基材片优选具有高透光性。作为所述基材片的材料没有特别限定，例如，可举出：聚烯烃、聚醚砜、聚砜、聚碳酸酯、环烯烃聚合物、聚芳酯、聚酰胺、聚甲基丙烯酸甲酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、三乙酰纤维素、以及纤维素纳米纤维等。
作为所述聚烯烃，可举出聚乙烯和聚丙烯等。
由于易于提高保护性能，所述保护膜的材料优选含有聚烯烃，优选含有聚丙烯，所述基材片的材料优选为聚烯烃，且优选为聚丙烯。
所述聚丙烯通过使丙烯单体聚合而得到。聚丙烯是聚合物。聚合物包括共聚物。作为聚丙烯，可举出：丙烯单体的均聚物、和以丙烯单体作为主要组分的聚合组分的共聚物。在以所述丙烯单体作为主要组分的聚合组分的共聚物中，100重量％的可聚合的聚合组分中，丙烯单体的含量为50重量％以上，优选80重量％以上，更优选90重量％以上，且通常小于100重量％。另外，共聚形式可以是无规或嵌段的。
作为聚丙烯，可列举：丙烯均聚物、丙烯无规聚合物及丙烯嵌段聚合物等。聚丙烯优选为丙烯单体的均聚物，并且优选为丙烯均聚物。
所述粘合剂层可以由(甲基)丙烯酸类粘合剂、橡胶类粘合剂、聚氨酯类粘合剂或环氧类粘合剂构成。从通过热处理而抑制粘合力的提高的观点出发，所述粘合剂层优选由(甲基)丙烯酸类粘合剂构成。
(甲基)丙烯酸类粘合剂是根据需要将交联剂、增粘树脂、各种稳定剂等添加到(甲基)丙烯酸聚合物中而制得的粘合剂。
所述(甲基)丙烯酸聚合物没有特别限定，但优选为使含有(甲基)丙烯酸酯单体、和可共聚的其他聚合性单体的混合单体进行共聚而得到的(甲基)丙烯酸聚合物。
作为所述(甲基)丙烯酸酯单体没有特别限定，优选为甲基丙烯酸酯单体，其通过烷基的碳原子数为1～12的一元或二元烷基醇、与(甲基)丙烯酸进行的酯化反应而得到。作为所述(甲基)丙烯酸酯单体，具体而言，可举出：(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等。所述(甲基)丙烯酸酯单体可以单独使用，也可以多种组合使用。
作为所述可共聚的其他聚合性单体，例如，可举出：(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸羟丙酯、(甲基)丙烯酸羟丁基酯等(甲基)丙烯酸羟烷基酯；(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸羟烷基酯、二甲基丙烯酸甘油酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、异氰酸2-甲基丙烯酰氧基乙酯、(甲基)丙烯酸、衣康酸、马来酸酐、巴豆酸、马来酸和富马酸等官能性单体。所述可共聚的另一种聚合性单体可以单独使用，也可以多种组合使用。
所述交联剂没有特别限定，例如，可举出：异氰酸酯类交联剂、环氧类交联剂、三聚氰胺类交联剂、过氧化物类交联剂、脲类交联剂、金属醇盐类交联剂、金属螯合物类交联剂、金属盐类交联剂，碳二亚胺类交联剂、
Figure BDA0001879405950000121
唑啉类交联剂、氮丙啶类交联剂、胺类交联剂、多官能丙烯酸酯等。所述交联剂可以单独使用，也可以多种组合使用。
作为所述增粘树脂，没有特别限定，例如，可举出：脂肪族类共聚物、芳香族类共聚物、脂肪族/芳香族类共聚物和脂环族类共聚物等石油类树脂；香豆酮-茚类树脂；萜烯类树脂；萜烯酚醛类树脂；聚合松香等松香类树脂；酚类树脂；二甲苯类树脂等。所述增粘树脂可以是氢化树脂。所述增粘树脂可以单独使用，也可以多种组合使用。
保护膜的厚度优选为25μm以上，更优选为50μm以上，且优选为300μm以下，更优选为200μm以下。当保护膜的厚度为所述下限以上且所述上限以下时，可以使导电层的图案更进一步不易辨识。
以下，基于具体实例更详细地对本发明进行说明。需要说明的是，本发明不限于以下实施例。
(实施例1)
(1)透光性导电膜的制备
作为基材膜，使用厚度为125μm的PET膜。将分散有氧化锆粒子的丙烯酸类硬涂层树脂涂布在PET膜的一个表面上，得到厚度1.0μm的硬涂层。在PET膜的另一个表面上，对丙烯酸类硬涂层树脂进行涂布，得到厚度为1.0μm的硬涂层。由此，获得双面硬涂层膜。
将该双面硬涂层膜设置于真空装置中，并进行真空排气。在真空度达到8.0×10-4Pa后，导入氩气，在氩气氛围下通过直流磁控溅射法依次形成SiOx层、SiO2层、SiOx层，然后在其上叠层氧化铟·锡(ITO)。具体而言，使用SnO2为7重量％的ITO烧结体目标，使用使目标表面上的最大水平磁通密度为1000高斯的阴极，以溅射压力为0.4Pa、O2压力为0.004Pa、Ar压力为0.11Pa，形成厚度为18nm的导电层(铟·锡氧化物层)，获得透光性导电膜。
在该透光性导电膜的表面上，将厚度为30μm的表面保护膜(Toray FilmProcessing株式会社制造的“Torec 7332”，基材：聚烯烃，23℃下的粘合力：0.07N/50mm宽度)以卷对卷(roll to roll)施加张力的状态下，进行捏合并使气泡不会进入，进行贴合。从贴合起保持了10秒钟后，剥离表面保护膜。评价由此制得的样品的表面张力、算术平均高度Sa和算术平均粗糙度Ra。
(2)具有图案状的导电层的透光性导电膜的制备
将剥离了表面保护膜的透光性导电膜切成10cm见方，在吹风干燥机中在150℃下热处理1小时。将从吹风干燥机中取出的透光性导电膜静置，直至其达到室温，然后在透光性导电膜的与导电层侧相反的一侧上，通过透明粘合膜(Elieres Texel公司制造的“EW1502-A1”)而粘附在玻璃(Corning公司制造的“Gorilla Glass 2”)上。
接着，对于所述带有玻璃的透光性透明导电膜，使用由Asahi Kasei E-Materials株式会社制造的“Sanfort AQ 3038”，通过干膜抗蚀剂形成图案。具体而言，使用将辊温度设定为100℃的热辊层压机，一边剥离干膜抗蚀剂的保护层，一边对基材进行层压。将具有L/S＝600μm的条纹状图案的光掩模设置于所述带有玻璃的透光性导电膜的导电层上，并使用超高压汞灯，以90mJ/cm2的曝光量进行曝光，由此获得具有固化的抗蚀剂图案的干膜抗蚀剂。
接着，剥离支持体膜，将基材在1质量％的碱性溶液(1/4N KOH水溶液)中，在30℃下浸渍1分钟，进行显影。
接着，将基材在3质量％的NaOH水溶液中，在50℃下浸渍120秒钟，剥离固化抗蚀剂图案。如上所述，获得具有图案状的导电层的透光性导电膜。
(实施例2～5和比较例1)
如下述表1所示改变导电层形成时的氧气(O2)和氩气(Ar)的流速(压力)，除此以外，与实施例1同样地操作，形成导电层，获得透光性导电膜。
使用得到的透光性导电膜，与实施例1同样地操作，获得具有图案状的导电层的透光性导电膜。
(实施例6)
作为基材膜，使用厚度为125μm的PET膜。将分散有氧化锆粒子和粒径为1.0μm的二氧化硅粒子的丙烯酸类硬涂层树脂涂布在PET膜的一个表面上，得到厚度为1.0μm的硬涂层。在PET膜的另一个表面上涂布丙烯酸类硬涂层树脂，得到厚度为1.0μm的硬涂层。由此，获得双面硬涂层膜。
如下述表1所示改变导电层形成时的氧气(O2)的流速(压力)，除此以外，与实施例1同样地操作。形成导电层，获得透光性导电膜。
(实施例7)
作为基材膜，使用厚度为125μm的PET膜。将分散有氧化锆粒子和粒径为1.0μm的丙烯酸粒子的丙烯酸类硬涂层树脂涂布在PET膜的一个表面上，得到厚度为1.0μm的硬涂层。在PET膜的另一个表面上涂布丙烯酸类硬涂层树脂，得到厚度为1.0μm的硬涂层。由此，获得双面硬涂层膜。
使用该双面硬涂层膜，以及如下述表1所示改变导电层形成时的氧气(O2)的流速(压力)，除此之外，与实施例1同样地操作，获得透光性导电膜。
(比较例2)
作为基材膜，使用厚度为125μm的PET膜。将分散有氧化锆粒子和粒径为1.5μm的二氧化硅粒子的丙烯酸类硬涂层树脂涂布在PET膜的一个表面上，得到厚度为1.0μm的硬涂层。在PET膜的另一个表面上涂布丙烯酸类硬涂层树脂，以得到厚度为1.0μm的硬涂层。由此，获得双面硬涂层膜。
除了使用该双面硬涂层膜之外，与实施例1同样地操作，获得透光性导电膜。
(评价)
(1)表面张力
在25℃下测定表面张力。测定表面张力中，当表面张力在超过34dyn/cm且40dyn/cm以下的范围内时，可以使用春日电机株式会社制造的张力检测笔(2-乙氧基乙醇的混合液)。此外，当表面张力为34dyn/cm以下时，可以使用由和光纯药工业株式会社制造的润湿张力试验用混合液(JIS K6768:1999)。
具体而言，使用张力检测笔或润湿张力试验用混合液，将液体在导电层表面上扩散为2cm2以上的面积，形成液膜。液体的量应设为，例如，形成液膜而不会形成积液的程度。
测定在每次未测定区域中进行，并且不多次地扩散液体，不多次地用张力检测笔或润湿张力试验用混合液划线。
表面张力的判定在使液体扩散而形成液膜起5秒钟后进行。在液膜上不产生破裂的情况下，且相对于刚使液膜扩散后的100％的面积，在5秒后仍保持80％以上的面积的情况下，判定导电层具有指定的表面张力。
从具有低表面张力的试剂开始测定，当对导电层具有指定的表面张力进行确认后，进一步以2dyn/cm的间隔进对高表面张力的混合液行测定，并将在表面张力的判定中显现出最高表面张力时的表面张力作为导电层的表面张力。
(2)算术平均高度Sa和算术平均粗糙度Ra
算术平均高度Sa的测定，使用由Ryoka Systems株式会社制造的白色干涉计“VertScan”进行。具体而言，使用CCD相机SONY HR-50 1/3，镜筒为1倍，物镜为50倍，测定模式选择为波模式，测定范设定为Y方向71.15μm、X方向94.89μm进行观察。求得得到的观察图像的Y方向70μm、X方向90μm的区域的算术平均高度Sa。
算术平均粗糙度Ra的测定，使用扫描型探针显微镜(株式会社岛津制作所制造的“SPM-9700”)进行。具体而言，使用微悬臂(OLYMPUS公司制造的“OMCL-TR800PSA-1”)，并通过在接触模式下于1.0μm×1.0μm的范围进行扫描而得到的测量结果算出。测定进行两次，并采用其平均值作为算术平均高度Sa和算术平均粗糙度Ra。
(3)密合性的评价
在形成图案状的导电层之后，根据以下标准来判定密合性。
使万用表的检测端子与形成有图案的透光性导电膜的导电层上接触，并确认端子之间(端子之间的距离为8cm)是否导通。
任意10个导电层图案中，全部不导通的情况评价为C(不合格)。
并且，对于任意10个导电层图案中，全部导通的样品，通过光学显微镜以50倍的倍率观察图案，将图案形状中不存在模糊(波形)的情况设为A，将图案形状存在模糊(波形)的情况设为B。因此，根据以下标准判定密合性。
[密合性的判定标准]
A：图案形状没有模糊(波形)，且导通没有问题
B：图案形状存在模糊(波形)，但导通没有问题
C：导通存在问题
细节和结果示于下述表1中。
[表1]
Figure BDA0001879405950000161
符号说明
1,1A,1X 透光性导电膜
2,2A 基材
2a 第一表面
2b 第二表面
3 导电层
3X 图案状的导电层
4 保护膜
11 基材膜
12 第一硬涂层
13 第二硬涂层
14 底涂层

Claims (4)

1.一种透光性导电膜，其具有：
具有透光性和导电性的导电层、
配置于所述导电层的一个表面侧的基材，并且，
所述导电层的与所述基材侧相反的一侧的表面的表面张力为28dyn/cm以上且34dyn/cm以下，
在所述导电层的与所述基材侧相反的一侧的表面的70μm×90μm的视野中的算术平均高度Sa为0.5nm以上且20nm以下，
在所述导电层的与所述基材侧相反的一侧的表面的1.0μm×1.0μm的范围中的算术平均粗糙度Ra为2.0nm以上且15nm以下。
2.根据权利要求1所述的透光性导电膜，其中，
所述导电层是发生了结晶化的导电层。
3.根据权利要求1或2所述的透光性导电膜，其通过使干膜抗蚀剂与所述导电层的外侧的表面接触来使用。
4.一种具有图案状导电层的透光性导电膜的制造方法，该方法包括以下工序：
使干膜抗蚀剂与权利要求1～3中任一项所述的透光性导电膜的所述导电层的与所述基材侧相反的一侧的表面接触的工序；
将所述导电层制成图案状的导电层的工序；以及
剥离所述干膜抗蚀剂的工序。
CN201780032474.6A 2016-09-29 2017-09-28 透光性导电膜、以及具有图案状导电层的透光性导电膜的制造方法 Active CN109155167B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016191672A JP6166828B1 (ja) 2016-09-29 2016-09-29 光透過性導電フィルム及びパターン状の導電層を有する光透過性導電フィルムの製造方法
JP2016-191672 2016-09-29
PCT/JP2017/035179 WO2018062372A1 (ja) 2016-09-29 2017-09-28 光透過性導電フィルム及びパターン状の導電層を有する光透過性導電フィルムの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109155167A CN109155167A (zh) 2019-01-04
CN109155167B true CN109155167B (zh) 2020-10-20

Family

ID=59351413

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780032474.6A Active CN109155167B (zh) 2016-09-29 2017-09-28 透光性导电膜、以及具有图案状导电层的透光性导电膜的制造方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6166828B1 (zh)
KR (1) KR102446081B1 (zh)
CN (1) CN109155167B (zh)
WO (1) WO2018062372A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7107775B2 (ja) * 2017-07-26 2022-07-27 積水化学工業株式会社 調光フィルム用透明導電フィルム、及び、調光フィルム

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999059814A1 (fr) * 1998-05-15 1999-11-25 Toyo Boseki Kabushiki Kaisha Film conducteur transparent et ecran tactile
JP2010269504A (ja) * 2009-05-21 2010-12-02 Toyobo Co Ltd 透明導電性積層フィルム及び透明導電性積層シート並びにタッチパネル
CN104541204A (zh) * 2012-09-27 2015-04-22 日立化成株式会社 感光性树脂组合物、感光性元件、抗蚀剂图案的形成方法及触控面板的制造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02299106A (ja) * 1989-05-12 1990-12-11 Nitto Denko Corp 透明導電性フイルム
JP4665263B2 (ja) * 1999-02-23 2011-04-06 東洋紡績株式会社 透明導電性フィルムおよびこれを用いたタッチパネル
JP2007146117A (ja) * 2005-11-04 2007-06-14 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd ニッケルインク及びそのニッケルインクで形成した導体膜
JP5098474B2 (ja) * 2006-08-02 2012-12-12 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置の製造方法
JP2010059280A (ja) * 2008-09-02 2010-03-18 Toppan Printing Co Ltd ハードコート塗液、ハードコートフィルムおよびタッチパネル用上部電極板
WO2011102168A1 (ja) * 2010-02-17 2011-08-25 日本写真印刷株式会社 透明電極フィルム
JP5405391B2 (ja) * 2010-05-21 2014-02-05 日本メクトロン株式会社 透明フレキシブルプリント配線板及びその製造方法
KR20140082405A (ko) * 2012-12-24 2014-07-02 도레이첨단소재 주식회사 투명 도전성 필름
EP3001428B1 (en) * 2013-05-23 2019-08-07 Lintec Corporation Conductive film and electronic device having conductive film

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999059814A1 (fr) * 1998-05-15 1999-11-25 Toyo Boseki Kabushiki Kaisha Film conducteur transparent et ecran tactile
JP2010269504A (ja) * 2009-05-21 2010-12-02 Toyobo Co Ltd 透明導電性積層フィルム及び透明導電性積層シート並びにタッチパネル
CN104541204A (zh) * 2012-09-27 2015-04-22 日立化成株式会社 感光性树脂组合物、感光性元件、抗蚀剂图案的形成方法及触控面板的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018062372A1 (ja) 2018-04-05
KR20190065187A (ko) 2019-06-11
JP2018053140A (ja) 2018-04-05
CN109155167A (zh) 2019-01-04
JP6166828B1 (ja) 2017-07-19
KR102446081B1 (ko) 2022-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10626304B2 (en) Polarizing film laminate comprising transparent pressure-sensitive adhesive layer and patterned transparent electroconductive layer, liquid crystal panel and organic EL panel
KR101501907B1 (ko) 정전 용량식 터치 패널이 형성된 표시 장치, 정전 용량식 터치 패널
JPWO2017057556A1 (ja) 光透過性導電フィルム、及び、アニール処理された光透過性導電フィルムの製造方法
TW201539276A (zh) 透明導電體及觸控面板
TW201403635A (zh) 導電積層體、圖案化導電積層體、其製造方法、及使用彼等而成之觸控面板
CN105474149A (zh) 集成有偏光板的触摸感测电极
JP6560622B2 (ja) 光透過性導電フィルム積層体
CN109155167B (zh) 透光性导电膜、以及具有图案状导电层的透光性导电膜的制造方法
JP6669468B2 (ja) 光透過性導電フィルム、及び、アニール処理された光透過性導電フィルムの製造方法
CN109791816B (zh) 调光膜用透明导电膜与调光膜
JP6458445B2 (ja) 透明導電性積層体、及び該透明導電性積層体を用いたタッチパネル、並びに、透明導電性積層体の製造方法、及び該透明導電性積層体を用いたタッチパネルの製造方法
JP6256154B2 (ja) 積層体、該積層体を用いたタッチパネル及び積層体の製造方法
CN110442268A (zh) 柔性触控屏及其制造方法、显示装置
JP2017061069A (ja) 透明導電性フィルム積層体、及びそれを含むタッチパネル
JP2018164985A (ja) 保護フィルム付き光透過性導電フィルム
JP7176950B2 (ja) 光透過性導電フィルムの可視化の分析方法、及び光透過性導電フィルム
JP6718343B2 (ja) 光透過性導電フィルム及び光透過性導電フィルムの製造方法
JP6718344B2 (ja) 光透過性導電フィルム及び光透過性導電フィルムの製造方法
JP6361462B2 (ja) 透明導電性積層体の選別方法、及び透明導電性積層体の製造方法
JP6696866B2 (ja) 光透過性導電フィルムの製造方法及び光透過性導電フィルム製造用積層体
JP6849490B2 (ja) 光透過性導電フィルム及び光透過性導電フィルムの製造方法
JP2017174807A (ja) 光透過性導電フィルム及び光透過性導電フィルムの製造方法
JP6705678B2 (ja) 光透過性導電フィルム
JP2020104520A (ja) 光透過性導電フィルム、及び、アニール処理された光透過性導電フィルムの製造方法
JP2019040188A (ja) 調光フィルム用透明導電フィルム、及び、調光フィルム

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant