JP6849490B2 - 光透過性導電フィルム及び光透過性導電フィルムの製造方法 - Google Patents
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Description
基材の全体の厚みは、好ましくは23μm以上、より好ましくは50μm以上、好ましくは300μm以下、より好ましくは200μm以下である。
基材フィルムは、高い光透過性を有することが好ましい。従って、基材フィルムの材料としては、特に限定されないが、例えば、ポリオレフィン、ポリエーテルサルフォン、ポリスルホン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、ポリアリレート、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、トリアセチルセルロース、及びセルロースナノファイバー等が挙げられる。上記基材フィルムの材料は、単独で用いてもよく、複数を併用してもよい。
第1及び第2のハードコート層はそれぞれ、バインダー樹脂により構成されていることが好ましい。上記バインダー樹脂は、硬化樹脂であることが好ましい。上記硬化樹脂としては、熱硬化樹脂や、活性エネルギー線硬化樹脂などを用いることができる。生産性及び経済性を良好にする観点から、上記硬化樹脂は、紫外線硬化樹脂であることが好ましい。
アンダーコート層は、例えば、屈折率調整層である。アンダーコート層を設けることで、導電層と、第2のハードコート層又は基材フィルムとの間の屈折率の差を小さくすることができるので、光透過性導電フィルムの光透過性をより一層高めることができる。
導電層は、光透過性を有する導電性材料により形成されている。上記導電性材料としては、特に限定されないが、例えば、IZO(インジウム亜鉛酸化物)や、ITO(インジウムスズ酸化物)などのIn系酸化物、SnO2、FTO(フッ素ドープ酸化スズ)などのSn系酸化物、AZO(アルミニウム亜鉛酸化物)、GZO(ガリウム亜鉛酸化物)などのZn系酸化物、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム、マグネシウム、アルミニウム、マグネシウム−銀混合物、マグネシウム−インジウム混合物、アルミニウム−リチウム合金、Al/Al2O3混合物、Al/LiF混合物、金等の金属、CuI、Agナノワイヤー(AgNW)、カーボンナノチューブ(CNT)又は導電性透明ポリマーなどが挙げられる。上記導電性材料は、単独で用いてもよく、複数を併用してもよい。
保護フィルムは、基材シート及び粘着剤層により構成されていることが好ましい。
基材フィルムとして、PETフィルム(三菱樹脂社製「ダイアホイル」、厚み50μm)を用意した。ウレタンアクリレートオリゴマー(荒川化学工業社製「ビームセット575」)5重量部と、光重合開始剤(チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製「イルガキュア184」)3重量部と、MIBK/MEK混合溶媒(メチルイソブチルケトン(MIBK)とメチルエチルケトン(MEK)とを5:5(重量比)で含有)とを用いて、液状の第1のハードコート層用材料(固形分濃度:30重量%)を調製した。
第2のハードコート層の厚みを1.5μmに変更したこと以外は実施例1と同様にして、光透過性導電フィルムを得た。
基材フィルムとして、PETフィルム(東レ社製「ルミラー」、厚み50μm)を用意した。
第1のハードコート層用材料の塗工後の乾燥条件を80℃及び5分の条件に変更したこと、並びに第2のハードコート層を形成しなかったこと以外は実施例1と同様にして、光透過性導電フィルムを得た。
第2のハードコート層を形成しなかったこと以外は実施例1と同様にして、光透過性導電フィルムを得た。
第1のハードコート層の厚みを1.5μmに変更したこと以外は参考例3と同様にして、光透過性導電フィルムを得た。
スパッタリング前に第1,第2のハードコート層が設けられた基材フィルムを150℃で10分加熱した後に、スパッタリングによりSiO2層を成膜したこと以外は実施例1と同様にして、光透過性導電フィルムを得た。
第1のハードコート層用材料の塗工後の乾燥条件を120℃及び2分の条件に変更したこと、並びに第2のハードコート層用材料の塗工後の乾燥条件を120℃及び1分の条件に変更にしたこと以外は実施例1と同様にして、光透過性導電フィルムを得た。
(1)光透過性導電フィルムの線膨張率
光透過性導電フィルムの線膨張率を、熱機械分析装置(セイコーインスツルメンツ社製「TMA/SS120C」)を用いて、以下の条件で測定した。熱処理後の光透過性導電フィルムを3mm×25mmの大きさに裁断した。引張り荷重2.94×10−2N、昇温速度5℃/分の条件で、25℃から150℃まで測定を行うことで、裁断された光透過性導電フィルムの110℃から140℃までの平均線膨張率を測定した。平均線膨張率の計算は110℃から140℃まで加熱した際の膨張率を温度差である30℃で割ることで求めた。表1では、基材フィルムのTD方向における光透過性導電フィルムの110℃以上140℃以下での線膨張率をCt、基材フィルムのMD方向における光透過性導電フィルムの110℃以上140℃以下での線膨張率をCmとして記載した。
得られた光透過性導電フィルムについて、以下の基準で骨見えの評価を行った。
光透過性導電フィルムを5cm角に切り出し、導電層の上に200μm幅のラインアンドスペースのレジストパターンを露光現像し、ITOエッチング液(関東化学社製「ITO−06N」)に1分間浸漬し、リンス及び乾燥後にレジストパターンを除去して、パターニングされた導電層を有する光透過性導電フィルムを得た。
○○…LED光、蛍光灯及び白色灯のいずれを照射した場合においても、目視で導電層のパターンが視認されない
○…LED光を照射した場合には、目視で導電層パターンが視認されるが、蛍光灯を照射した場合には、目視で導電層のパターンが視認されない
×…LED光、蛍光灯のいずれを照射した場合においても、目視で導電層パターンが視認される
2,2A…基材
2a…第1の表面
2b…第2の表面
3…導電層
3X…パターン状の導電層
4…保護フィルム
11…基材フィルム
12…第1のハードコート層
13…第2のハードコート層
14…アンダーコート層
51…ロール体(光透過性導電フィルム)
61…巻き芯
Claims (4)
- 光透過性及び導電性を有する導電層と、前記導電層の一方の表面側に配置されている基材フィルムとを備え、
前記基材フィルムが、MD方向とTD方向とを有し、
前記基材フィルムのTD方向における光透過性導電フィルムの110℃以上140℃以下での線膨張率の、前記基材フィルムのMD方向における光透過性導電フィルムの110℃以上140℃以下での線膨張率に対する比が、1.68以上である、光透過性導電フィルム。 - 前記基材フィルムのTD方向における光透過性導電フィルムの110℃以上140℃以下での線膨張率の、前記基材フィルムのMD方向における光透過性導電フィルムの110℃以上140℃以下での線膨張率に対する比が、1.8以上である、請求項1に記載の光透過性導電フィルム。
- 前記基材フィルムのTD方向における光透過性導電フィルムの110℃以上140℃以下での線膨張率が100ppm/℃以下である、請求項1又は2に記載の光透過性導電フィルム。
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載の光透過性導電フィルムの製造方法であって、
MD方向とTD方向とを有する基材フィルムを得る工程と、
得られた前記基材フィルムの一方の表面側に導電層を形成する工程を備え、
前記基材フィルムを得る工程の後、かつ前記導電層を形成する工程の前に、前記基材フィルムを100℃を超える温度に加熱しない、光透過性導電フィルムの製造方法。
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