CN108929633A - 用于钴应用的化学机械抛光浆料 - Google Patents

Abstract

本发明涉及用于钴应用的化学机械抛光浆料。一种对包含钴的表面或基材进行抛光的浆料。所述浆料进一步包含各自具有磷酸根基团、长链烷基或二者的阴离子和/或阳离子表面活性剂。所述浆料还包含腐蚀抑制剂、磨料、去除速率增强剂、溶剂、pH调节剂和螯合剂。所述浆料的pH优选为8或更高。

Description

用于钴应用的化学机械抛光浆料

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年5月25日提交的美国临时专利申请序列号62/511,065的权益，其通过引用并入本文。

技术领域

本公开内容提供了有利于对钴材料进行抛光的浓缩物和使用点(point-of-use)抛光浆料。特别地，本公开内容的浓缩物和浆料部分地包含高纯度磨料、具有磷酸根基团和/或长烷基链的阴离子表面活性剂、和苯并三唑衍生物的协同组合。

背景技术

近年来，钴作为用于按比例缩小芯片的新材料被越来越多地用于化学机械抛光(CMP)行业。之前，铜和钨用于现在使用钴的地方。钴非常好地粘附，具有均匀的沉积特性，具有低电阻/良好的导电性和良好的间隙填充。因此，在一些目前的和许多未来的芯片制造设计中，在多种芯片层中使用钴代替钨和/或铜。包含钴的商业产品将在2017年下半年出现在芯片中并且将在2018年非常广泛。

钴是机械上坚硬但化学上脆弱(fragile)的材料。例如，钴的莫氏硬度为5，而铜的莫氏硬度为3。(莫氏硬度越高，材料越硬——金刚石的莫氏硬度为10)。然而，钴是化学上非常脆弱且敏感(delicate)的，这是半导体工业所面临的一个主要问题。钴膜具有化学反应性且非常易受化学腐蚀影响。钴腐蚀使钴膜氧化至较高的氧化态。抛光后，如果腐蚀没有停止，则膜会继续被蚀刻和腐蚀。因此，当芯片中的电路和布线完成时，被腐蚀的区域泄漏电子，导致器件失效。

许多目前可用的CMP浆料被设计成去除较旧的芯片设计中更常见的材料，例如上述的铜和钨。这些较旧的CMP浆料中的某些组分可能在钴中导致有害和不可接受的缺陷，因为钴更易受化学腐蚀影响。因此，当在钴层上使用铜抛光浆料时，发生不可接受的腐蚀、晶片形貌和去除速率选择性。因此，需要一种优化期望材料的去除并仍然保护钴的新的CMP浆料。

发明内容

在一个实施方案中，本公开内容提供了在钴基材上使用的抛光浆料浓缩物，其包含：至少一种表面活性剂，该至少一种表面活性剂选自阴离子表面活性剂、阳离子表面活性剂及其组合；至少一种唑，该至少一种唑选自苯并三唑、苯并三唑衍生物及其组合；溶剂；去除速率增强剂；磨料；pH调节剂，其为碱；和螯合剂。在一个实施方案中，阴离子表面活性剂存在，并且包含一个或更多个磷酸根基团和选自以下中的一者或更多者：长烷基链、多个环氧乙烷基团、以及长烷基链和多个环氧乙烷基团的组合。

在另一个实施方案中，本公开内容提供了在钴基材上使用的使用点(point-of-use)抛光浆料，其包含上述抛光浆料浓缩物、水、和氧化剂。基于所述浆料的总重量，表面活性剂以5ppm至1000ppm的量存在；基于所述浆料的总重量，苯并三唑、苯并三唑或其组合以10ppm至0.5％的量存在；基于所述浆料的总重量，溶剂以25ppm至2.0％的量存在；基于所述浆料的总重量，去除速率增强剂以0.01％至2.5％的量存在；基于所述浆料的总重量，磨料以1％至12％的量存在；基于所述浆料的总重量，pH调节剂以0.1％至10％的量存在；基于所述浆料的总重量，螯合剂以0.05％至2.5％的量存在；以及基于所述POU浆料的总重量，氧化剂以500ppm至约5％的量存在。

本公开内容还提供了用于对至少部分包含钴的基材进行抛光的方法。在一种方法中，将浓缩物稀释以形成使用点浆料，然后使基材与所述使用点浆料接触。另一种方法包括使基材与浆料接触的步骤。

如在本公开内容中所使用的，“浓缩物”是这样的组合物：其包含比在使用点(POU)(即，组合物接触待抛光晶片的点)处使用的组分更高量的组分。使用者可以取浓缩物并用其他成分(例如，水、或氧化剂如过氧化氢)将其稀释，使得POU浆料最终具有低于浆料中的组分的重量百分比的组分。

附图说明

图1示出了比较现有技术的浆料与本公开内容的浆料的凹陷缺陷的图(其中各浆料对应的柱状图中的柱从左到右依次为9×1um、5×1um、1.5×0.5um、1×1um和.25×.25um)。

图2和图3示出了比较现有技术的浆料和几种根据本公开内容的浆料的关于钴晶片试样上的静态蚀刻速率的数据表。

图4示出了具有不同磨料颗粒尺寸的本公开内容的浆料的去除速率的图(其中各浆料对应的柱状图中的柱从左到右依次为TEOS、SiN、TiN、Ti和Co)。

图5a和图5b分别示出了现有技术的浆料和本公开内容的浆料的侵蚀边缘数据。

图6示出了具有不同量的螯合剂的本公开内容的浆料对多种晶片材料的去除速率的图(其中各浆料对应的柱状图中的柱从左到右依次为TEOS、Co和SiN)。

图7和图8示出了具有不同量的钴腐蚀抑制剂的本公开内容的浆料对多种晶片材料的去除速率的图(图7中各浆料对应的柱状图中的柱从左到右依次为TEOS、Ti、TiN和Co，图8中各浆料对应的柱状图中的柱从左到右依次为TEOS和Co)。

具体实施方式

本公开内容提供了CMP浓缩物和POU浆料，其解决了目前可用产品的缺陷，特别是关于对钴材料进行抛光的缺陷。有利地，本公开内容提供了阴离子表面活性剂和苯并三唑衍生物的组合，其与所选择的磨料和钴去除速率增强剂(RRE)协同地或特别良好地起作用，从而以高速率对常用晶片材料进行抛光，同时仍保护钴。例如，本公开内容的浓缩物和浆料为常用晶片材料原硅酸四乙酯(TEOS)提供了期望的去除速率，同时仍提供钴的低去除和/或保护。

阴离子表面活性剂用作钴的腐蚀抑制剂。其可以为具有一个或更多个磷酸根基团的化合物。除磷酸根基团之外，阴离子表面活性剂还具有一个或更多个长烷基链、多个环氧乙烷基团、或者两者的组合。每个磷酸根基团也可以存在一个或更多个烷基链或者多个环氧乙烷基团。在一个实施方案中，烷基链可以具有六至二十四个碳。在另一个实施方案中，烷基链可以具有十八至二十个碳。不受理论束缚，认为长烷基链使得化合物疏水并保护钴表面。在铜CMP浆料中，腐蚀抑制剂通常是环状化合物例如苯并三唑或1,2,4,三唑，因此提供较少的保护。

用于阴离子表面活性剂的合适化合物包括但不限于具有磷酸根基团和长烷基链的化合物；具有含有双键的长烃链的肌氨酸酯/盐；具有长烃链的肌氨酸酯/盐；具有烃链的氨基酸，例如甘氨酸、精氨酸、谷氨酸或丙氨酸；具有二烷基链的磺酸酯/盐；具有烃链的磺酸酯/盐；羊毛脂脂肪酸；具有烃链的糖苷；及其任意组合。一些阳离子表面活性剂在本组合物中也可以很好地起作用，例如氨基烷基硅氧烷、具有长烷基链的咪唑、具有烃链的铵、基于聚合物的铵、及其任意组合。阳离子表面活性剂可以用于代替阴离子表面活性剂或与其结合使用。基于POU浆料的总重量，阴离子表面活性剂和/或阳离子表面活性剂可以以5份/百万份(ppm)至1000ppm及其任何子范围的量存在。基于POU浆料的总重量，阴离子表面活性剂和/或阳离子表面活性剂也可以以5份/百万份(ppm)至100ppm及其任何子范围的量存在。

当使用上述表面活性剂时，本公开内容的组合物还可以包含选自苯并三唑(BTA)、BTA衍生物及其组合的唑。BTA衍生物可以选自腺嘌呤、苯并咪唑、噻苯咪唑、甲苯基三唑、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、1-羟基苯并三唑、2-甲基苯并噻唑、2-氨基苯并咪唑、2-氨基-5-乙基-1,3,4-噻二唑(2-amino-5-ethyl-1,3,4-thiadazole)、3,5-二氨基-1,2,4-三唑、3-氨基-5-甲基吡唑、4-氨基-4H-1,2,4-三唑、5-甲基苯并三唑、5-氯苯并三唑、5-氨基四唑及其组合。BTA和/或BTA衍生物可以以10ppm至0.5％或其任何子范围的量存在。基于POU浆料的总重量，BTA和/或BTA衍生物可以以10ppm至800ppm或其任何子范围的量存在。

在本公开内容的POU浆料中可以使用溶剂，其可以帮助BTA衍生物溶解。溶剂可以为一种或更多种亚烷基二醇。在一个实施方案中，溶剂包括选自乙醇、1-丙醇、2-丙醇、正丁醇、丙二醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇、丙二醇丙醚和乙二醇的一种或更多种溶剂。基于POU浆料的总重量，溶剂可以以25ppm至2％或其任何子范围的量存在。基于POU浆料的总重量，溶剂也可以以50ppm至0.5％或其任何子范围的量存在。

本公开内容的组合物还包含去除速率增强剂(RRE)，其可以选自葡萄糖酸、乳酸、柠檬酸、酒石酸、苹果酸、乙醇酸、丙二酸、甲酸、草酸、乙酸、丙酸、过乙酸、琥珀酸、乳酸、乙酸钾、柠檬酸钾、氨基乙酸、苯氧基乙酸、N-二(羟乙基)甘氨酸(bicine)、磷酸、二甘醇酸、甘油酸、N-(羟甲基)甲基甘氨酸(tricine)、丙氨酸、组氨酸、缬氨酸、苯丙氨酸、脯氨酸、谷氨酰胺、天冬氨酸、谷氨酸、精氨酸、赖氨酸、酪氨酸、苯甲酸、其混合物、及其盐。基于POU浆料的总重量，RRE可以以0.01％至2.5％或其任何子范围的量存在。基于POU浆料的总重量，RRE也可以以0.01％至0.5％或其任何子范围的量存在。

本公开内容的组合物还包含磨料。磨料可以选自氧化铝、二氧化硅、二氧化钛、二氧化铈、二氧化锆、其共形成产物、或其混合物，并且还可以是阴离子的、阳离子的、非离子的、及其任意组合。在一个实施方案中，磨料是高纯度的并且可以具有小于100ppm的醇、小于100ppm的氨和小于100份/十亿份(ppb)的碱例如钠。基于POU浆料的总重量，磨料可以以1％至12％或其任何子范围的量存在。基于POU浆料的总重量，磨料也可以以2％至8％或其任何子范围的量存在。

磨料的尺寸可以为十六纳米至一百八十纳米或其间的任何子范围。磨料的尺寸也可以为二十四纳米至一百三十纳米或其间的任何子范围。磨料的尺寸也可以为四十纳米至七十纳米或其间的任何子范围。如以下更详细讨论的，通常，颗粒越大，晶片材料的去除速率越高。然而，当颗粒的尺寸变得太高时，例如大于一百三十纳米，去除速率可能下降。认为这是因为较大的颗粒意味着较小的整体可用磨料表面积和较少数量的单个磨料颗粒。

组合物还可以包含充当pH调节剂的碱。碱pH调节剂有助于使组合物pH达到其操作pH值。用于调节pH的碱可以是任何合适的碱，例如氢氧化铵、氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化铯、单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、氢氧化四丁基铵、氢氧化四丙基铵、氢氧化四乙基铵、氢氧化四甲基铵、氢氧化乙基三甲基铵、氢氧化二乙基二甲基铵、氢氧化二甲基二丙基铵、氢氧化苄基三甲基铵、或其任意组合。基于POU浆料的总重量，pH调节剂可以以0.1％至10％或其任何子范围的量存在。在一个实施方案中，pH调节剂包含氢氧化钾。基于POU浆料的总重量，pH调节剂也可以以0.2％至0.5％或其任何子范围的量存在。POU浆料的pH应该是碱性的，并且pH调节剂可以帮助实现期望的pH。优选地，浓缩物和POU浆料的pH大于8.0，或者更优选为9.0或更高。

本公开内容的组合物还包含螯合剂。螯合剂提供与金属键合的阴离子源，并提高被抛光金属的去除速率。在其上这样的试剂可以起作用的金属是单独的或与其他元素的化合物形式的钛、钽和钴。螯合剂可以是包含多个羧酸或氨基酸或者这两种官能团的组合的任何分子。一些实例是乙二胺四乙酸(EDTA)、亚氨基二乙酸(IDA)、N-羟乙基-乙二胺三乙酸(NHEDTA)、次氨基三乙酸(NTA)、二亚乙基三胺五乙酸(DTPA)、羟乙基乙二胺三乙酸(HEDTA)、三亚乙基四胺六乙酸(TTHA)、丙酸、柠檬酸、丙二酸、马来酸、酒石酸、乙醇酸、乳酸、苹果酸、草酸、琥珀酸、甘氨酸、丙氨酸、丝氨酸、或其组合。基于POU浆料的总重量，螯合剂的浓度可以为0.05％至2.5％或其任何子范围。基于POU浆料的总重量，螯合剂的浓度也可以为0.05％至0.15％或其任何子范围。

各单独组分的上述量与POU浆料有关。本公开内容设想可以将上述组分组合，包装并储存在浓缩物中，然后用水和任选的附加成分稀释该浓缩物以形成POU浆料。浓缩物可以被稀释至少两倍(2X)或三倍(3X)。浓缩物中各组分的重量百分比将与以上列出的重量百分比成比例。例如，对于要稀释2X的浓缩物，浓缩物的各组分的量是POU浆料的两倍。这意味着基于浓缩物的总重量，阴离子表面活性剂将以10ppm至2000ppm及其任何子范围的量存在。基于浓缩物的总重量，BTA和/或BTA衍生物将以20ppm至1％及其任何子范围的量存在。基于浓缩物的总重量，溶剂将以50ppm至4％及其任何子范围的量存在。基于浓缩物的总重量，RRE将以0.02％至5％或其任何子范围的量存在。基于浓缩物的总重量，磨料将以2％至24％或其任何子范围的量存在。基于浓缩物的总重量，pH调节剂将以0.2％至20％或其任何子范围的量存在。基于浓缩物的总重量，螯合剂的浓度将为0.10％至5％或其任何子范围。对于要稀释至其他比例(例如3X和更高)的浓度，浓缩物中各成分的量将以类似的方式进行调整。3X浓缩物(例如以下更详细地描述的浓缩物)中的量是以上关于POU浆料描述的各成分的量的三倍。

当稀释浓缩物以形成POU浆料时可以添加氧化剂。氧化剂可以选自过氧化氢、过硫酸铵、硝酸银(AgNO₃)、铁硝酸盐或氯化物、过酸或过酸盐、臭氧水、铁氰化钾、重铬酸钾、碘酸钾、溴酸钾、三氧化二钒、次氯酸、次氯酸钠、次氯酸钾、次氯酸钙、次氯酸镁、硝酸铁、高锰酸钾、其他无机或有机过氧化物、及其混合物。在一个实施方案中，氧化剂为过氧化氢。基于POU浆料的总重量，氧化剂可以以约500ppm至约5％的量存在，或者基于POU浆料的总重量，氧化剂可以以约0.4％至约2％以及其间的任何子范围的量存在。

本公开内容还设想使用任何上述浓缩物或POU浆料的方法。对于浓缩物，所述方法可以包括稀释浓缩物以形成POU浆料，然后使至少部分地包含钴的表面与POU浆料接触的步骤。对于POU浆料，所述方法包括使至少部分地包含钴的表面与浆料接触的步骤。

附图中示出了本公开内容的浓缩物和POU浆料的一些优点。除另外说明之外，以下附图将现有技术、比较例POU浆料与本公开内容的POU浆料进行比较。

现有技术的浆料(CE)的组成如下：

测试了根据本公开内容的POU浆料，其中将浓缩物稀释3X以形成POU。所使用的浓缩物在本文中表示为A3X。当稀释A3X浓缩物以形成POU浆料时添加水和氧化剂。A3X的组成如下：

A3X的组成如下：

图1示出了使用现有技术的浆料CE和本公开内容的基于A3X的具有不同颗粒尺寸的磨料的POU浆料的凹陷缺陷的图。凹陷是指其中在表面上晶片的特定区域具有不期望的凹陷的缺陷。对于图1中的数据，用Mirra机和H804抛光垫对200毫米晶片进行抛光。图1示出了9×1微米至0.25×0.25微米的不同尺寸的凹陷缺陷的计数。如在该图中可以看出的，对于现有技术的浆料CE，产生的缺陷非常深，深至250埃。对于本公开内容的浆料A3X，凹陷缺陷的尺寸急剧减小100埃或更多。磨料的尺寸越小，凹陷缺陷越小。

图2和图3测量了现有技术的浆料CE和本公开内容的浆料在钴材料试样上的静态蚀刻速率(SER)。静态蚀刻速率测量在没有来自抛光工具的任何外部压力的情况下，由浆料单独去除了多少材料。在这种情况下，较高的钴静态蚀刻速率是不期望的。将浆料在六十摄氏度下施加至试样五分钟。

如图2所示，浆料CE的静态蚀刻速率非常高，为15.4埃/分钟。相比之下，所有包含阴离子表面活性剂(在图3中称为钴腐蚀抑制剂或“Co Cl”)的A3X浆料的静态蚀刻速率低得多，至多为5.1埃/分钟。图2示出了改变Co RRE的量的影响。在高的Co RRE量(上述对于A3X在表中示出的Co RRE量的十倍)下，静态蚀刻速率为2.6埃/分钟，在两倍Co RRE量下，静态蚀刻速率为0.6埃/分钟。

图3示出了改变Co Cl的量对静态蚀刻速率的影响。在没有任何Co Cl的情况下，静态蚀刻速率非常高，比CE浆料差，为22.8埃/分钟。随着Co Cl的量增加，静态蚀刻速率急剧下降。应注意，即使在低的Co Cl量(上述对于A3X在表中示出的量的四分之一)下，静态蚀刻速率仍非常低，为5.1埃/分钟。

图4示出了具有24纳米至130纳米的不同磨料颗粒尺寸的A3X浆料对多种材料的去除速率的图。如可以看出的，对除钴之外的每种材料的去除速率随着颗粒尺寸高至70纳米而增加，然后在130纳米下降。如前所述，这可能是因为当磨料较大时，在浆料中其较少，并且进行抛光可用的颗粒表面积较小。根据应用，在此示出的所有去除速率可以令人满意。对钴的去除速率遵循相反的趋势，其在130纳米之前随颗粒尺寸增加而降低，在130纳米下又升高。

图5a和图5b分别示出了CE和A3X的侵蚀边缘(EoE)轮廓。如图5a所示，现有技术的浆料CE与本公开内容的浆料相比留下更宽且更深的EoE。EoE是浆料如何精确或干净地处理晶片上的两种材料(例如钴和电介质)之间的界面的度量。通常，EoE缺陷的宽度和深度越小越好。

图6示出了具有不同Co RRE量和一半Co Cl量的A3X的钴去除速率的图。如可以看出的，并且如图2中的静态蚀刻数据所表明的，Co RRE的量越高，钴的去除速率越高。在一些应用中，高的钴去除速率可能是期望的。

图7示出了多种材料的去除速率随Co Cl的量变化的图。如所示出的，即使在A3X中Co Cl的量增加3倍至12倍时，钴的去除速率的变化也非常小。然而，如图8所示，当Co Cl的量下降到低于A3X中的量的三倍时，特别是低于A3X中示出的量(即低至0.8倍和更低)，钴的去除速率显著上升。

虽然已经参照一个或更多个示例性实施方案描述了本公开内容，但本领域技术人员将理解，可以在不偏离本公开内容的范围的情况下做出各种改变并且可以用等同物替换其要素。此外，可以在不偏离本公开内容的范围的情况下做出许多修改以使特定的情况或材料适应本公开内容的教导。因此，本公开内容旨在不限于作为所设想的最佳模式公开的特定实施方案，而是本公开内容将包括落入所附权利要求书的范围内的所有实施方案。

Claims (20)

1.一种在钴基材上使用的抛光浆料浓缩物，包含：

至少一种表面活性剂，所述至少一种表面活性剂选自阴离子表面活性剂、阳离子表面活性剂及其组合，

至少一种唑，所述至少一种唑选自苯并三唑、苯并三唑衍生物及其组合；

溶剂；

去除速率增强剂；

磨料；

pH调节剂，所述pH调节剂为碱；和

螯合剂。

2.根据权利要求1所述的浓缩物，其中所述阴离子表面活性剂存在，并且包含一个或更多个磷酸根基团，以及以下中的一者或更多者：长烷基链、多个环氧乙烷基团、或者长烷基链和多个环氧乙烷基团的组合。

3.根据权利要求1所述的浓缩物，其中基于所述浓缩物的总重量，所述表面活性剂以10ppm至2000ppm的量存在；

基于所述浓缩物的总重量，所述唑以20ppm至1％的量存在；

基于所述浓缩物的总重量，所述溶剂以50ppm至4％的量存在；

基于所述浓缩物的总重量，所述去除速率增强剂以0.02％至5％的量存在；

基于所述浓缩物的总重量，所述磨料以2％至24％的量存在；

基于所述浓缩物的总重量，所述pH调节剂以0.2％至20％的量存在；以及

基于所述浓缩物的总重量，所述螯合剂以0.10％至5％的量存在。

4.根据权利要求1所述的浓缩物，其中基于所述浓缩物的总重量，所述表面活性剂以15ppm至3000ppm的量存在；

基于所述浓缩物的总重量，所述唑以30ppm至1.5％的量存在；

基于所述浓缩物的总重量，所述溶剂以75ppm至6.0％的量存在；

基于所述浓缩物的总重量，所述去除速率增强剂以0.03％至7.5％的量存在；

基于所述浓缩物的总重量，所述磨料以3％至36％的量存在；

基于所述浓缩物的总重量，所述pH调节剂以0.3％至30％的量存在；以及

基于所述浓缩物的总重量，所述螯合剂以0.15％至7.5％的量存在。

5.一种在钴基材上使用的使用点抛光浆料，包含根据权利要求1所述的浓缩物、水、和氧化剂，使得

基于所述浆料的总重量，所述表面活性剂以5ppm至1000ppm的量存在；

基于所述浆料的总重量，所述唑以10ppm至0.5％的量存在；

基于所述浆料的总重量，所述溶剂以25ppm至2.0％的量存在；

基于所述浆料的总重量，所述去除速率增强剂以0.01％至2.5％的量存在；

基于所述浆料的总重量，所述磨料以1％至12％的量存在；

基于所述浆料的总重量，所述pH调节剂以0.1％至10％的量存在；

基于所述浆料的总重量，所述螯合剂以0.05％至2.5％的量存在；以及

基于所述POU浆料的总重量，所述氧化剂以500ppm至约5％的量存在。

6.根据权利要求5所述的浆料，其中阴离子表面活性剂存在，并且包含一个或更多个磷酸根基团，以及以下中的一者或更多者：长烷基链、多个环氧乙烷基团、或者长烷基链和多个环氧乙烷基团的组合。

7.根据权利要求5所述的浆料，其中所述表面活性剂选自：具有磷酸根基团和长烷基链的化合物、具有含有双键的长烃链的肌氨酸酯/盐、具有长烃链的肌氨酸酯/盐、具有烃链的氨基酸、具有二烷基链的磺酸酯/盐、具有烃链的磺酸酯/盐、脂肪酸、具有烃链的糖苷、氨基烷基硅氧烷、具有长烷基链的咪唑、具有烃链的铵、基于聚合物的铵及其任意组合。

8.根据权利要求5所述的浆料，其中所述表面活性剂包含所述阴离子表面活性剂。

9.根据权利要求5所述的浆料，其中所述唑选自：苯并三唑、腺嘌呤、苯并咪唑、噻苯咪唑、甲苯基三唑、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、1-羟基苯并三唑、2-甲基苯并噻唑、2-氨基苯并咪唑、2-氨基-5-乙基-1,3,4-噻二唑、3,5-二氨基-1,2,4-三唑、3-氨基-5-甲基吡唑、4-氨基-4H-1,2,4-三唑、5-甲基苯并三唑、5-氯苯并三唑、5-氨基四唑及其组合。

10.根据权利要求5所述的浆料，其中所述溶剂选自：乙醇、1-丙醇、2-丙醇、正丁醇、丙二醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇、丙二醇丙醚、乙二醇及其任意组合。

11.根据权利要求5所述的浆料，其中所述去除速率增强剂选自：葡萄糖酸、乳酸、柠檬酸、酒石酸、苹果酸、乙醇酸、丙二酸、甲酸、草酸、乙酸、丙酸、过乙酸、琥珀酸、乳酸、乙酸钾、柠檬酸钾、氨基乙酸、苯氧基乙酸、N-二(羟乙基)甘氨酸、磷酸、二甘醇酸、甘油酸、N-(羟甲基)甲基甘氨酸、丙氨酸、组氨酸、缬氨酸、苯丙氨酸、脯氨酸、谷氨酰胺、天冬氨酸、谷氨酸、甘氨酸、精氨酸、赖氨酸、酪氨酸、苯甲酸及其任意组合。

12.根据权利要求5所述的浆料，其中所述去除速率增强剂为氨基酸。

13.根据权利要求5所述的浆料，其中所述磨料为二氧化硅，包含小于100份/百万份的醇、小于100份/百万份的氨和小于100份/十亿份的碱金属。

14.根据权利要求5所述的浆料，其中所述磨料的尺寸为十六纳米至一百八十纳米。

15.根据权利要求5所述的浆料，其中所述pH调节剂选自：氢氧化铵、氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化铯、单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、氢氧化四丁基铵、氢氧化四丙基铵、氢氧化四乙基铵、氢氧化四甲基铵、氢氧化乙基三甲基铵、氢氧化二乙基二甲基铵、氢氧化二甲基二丙基铵、氢氧化苄基三甲基铵及其任意组合。

16.根据权利要求5所述的浆料，其中所述螯合剂选自：乙二胺四乙酸、亚氨基二乙酸、N-羟乙基-乙二胺三乙酸、次氨基三乙酸、二亚乙基三胺五乙酸、羟乙基乙二胺三乙酸、三亚乙基四胺六乙酸、丙酸、柠檬酸、丙二酸、马来酸、酒石酸、乙醇酸、乳酸、苹果酸、草酸、琥珀酸、甘氨酸、丙氨酸、丝氨酸及其组合。

17.根据权利要求5所述的浆料，其中所述浆料的pH为8或更高。

18.根据权利要求5所述的浆料，其中所述氧化剂选自：过氧化氢、过硫酸铵、硝酸银、铁硝酸盐或氯化物、过酸或过酸盐、臭氧水、铁氰化钾、重铬酸钾、碘酸钾、溴酸钾、三氧化二钒、次氯酸、次氯酸钠、次氯酸钾、次氯酸钙、次氯酸镁、硝酸铁、高锰酸钾及其任意组合。

19.一种对至少部分包含钴的基材进行抛光的方法，包括以下步骤：

将根据权利要求1所述的浓缩物稀释至少两倍，以形成使用点抛光浆料；以及

使所述基材与所述使用点抛光浆料接触。

20.一种对至少部分包含钴的基材进行抛光的方法，包括以下步骤：

使所述基材与根据权利要求5所述的使用点抛光浆料接触。