CN104830235A - 用于钴阻挡层结构化学机械抛光的抛光液及其应用 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种用于钴阻挡层结构化学机械抛光的抛光液及其应用，包括：0.01～20wt％的研磨颗粒；0.01～10wt％的氧化剂；0.01～10wt％的金属络合剂；0.005～5wt％的金属缓蚀剂；0.001～1wt％的表面活性剂；以及余量的水。该抛光液可以在钴和铜表面形成一层具有保护作用的钝化膜，从而防止在抛光过程中出现过腐蚀，降低钴和铜材料去除速率，并且获得可调节的材料去除速率选择性。

Description

用于钴阻挡层结构化学机械抛光的抛光液及其应用
技术领域
本发明属于材料技术领域，具体而言，本发明涉及一种用于钴阻挡层结构化学机械抛光的抛光液及其应用。
背景技术
随着极大规模集成电路的发展，按照摩尔定律，集成电路上可容纳的晶体管数目每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。集成电路集成层数不断增加，且向着三维方向发展，特征尺寸逐渐减小到22nm及其以下，如果继续采用传统的钽/氮化钽作为铜互连的阻挡层，则会面临以下挑战：1)铜互连沟槽纵横比增大，无法保证能够通过物理气相沉积获得均匀一致的铜籽晶层；2)由于铜互连尺寸减小，钽/氮化钽阻挡层在金属层中占比增大，电阻急剧增大；3)由于铜互连尺寸减小，在电镀铜过程中容易形成空洞等缺陷。为了解决上述问题，新的阻挡层材料被用来替代钽/氮化钽，如金属钴。钴的电阻率仅为钽的一半，能有效地减小整个铜互连的电阻和信号延迟；钴与铜有很好的粘附性，铜容易在钴表面成核；能直接在钴表面电镀铜，避免采用铜籽晶层，从而避免空洞等缺陷。目前，在科学研究方面，许多实验报道采用钴或者钴合金作为铜互连的阻挡层和粘附层；在工业应用方面，美国应用材料公司开发出VoltaTM CVD Cobalt系统，采用化学气相沉积方法能够获得均匀一致的钴金属层。
在极大规模集成电路制造过程中，在沉积金属层和电镀铜步骤后，需要采用化学机械抛光来平坦化晶圆表面。目前在钴阻挡层结构化学机械抛光过程中，钴和铜均极易腐蚀，从而导致抛光后出现严重的缺陷，如差的表面质量和严重的铜互连碟形缺陷。
因此，研发能够用于钴阻挡层结构化学机械抛光的抛光液至关重要。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种用于钴阻挡层结构化学机械抛光的抛光液及其应用，该抛光液可以在钴和铜表面形成一层具有保护作用的钝化膜，从而防止在抛光过程中出现过腐蚀，降低钴和铜材料去除速率，并且获得可调节的材料去除速率选择性。
在本发明的一个方面，本发明提出了一种用于钴阻挡层结构化学机械抛光的抛光液，包括：
0.01～20wt％的研磨颗粒；
0.01～10wt％的氧化剂；
0.01～10wt％的金属络合剂；
0.005～5wt％的金属缓蚀剂；
0.001～1wt％的表面活性剂；以及
余量的水。
根据本发明实施例的用于钴阻挡层结构化学机械抛光的抛光液通过将金属缓蚀剂和表面活性剂配合使用，金属缓蚀剂能够与钴和铜表面的金属离子反应生成一层疏水的钝化膜，同时，表面活性剂也有可能直接与钴和铜表面的金属离子反应，表面活性剂(特别是非离子型表面活性剂)的疏水基团通过疏水相互作用吸附在上述的钝化膜上，从而组成一层完整的钝化膜，从而防止在抛光过程中出现过腐蚀现象，降低钴和铜材料去除速率，并且获得可调节的材料去除速率选择性，最终减少抛光后的缺陷，提高半导体器件的可靠性。
另外，根据本发明上述实施例的用于钴阻挡层结构化学机械抛光的抛光液还可以具有如下附加的技术特征：
在本发明的一些实施例中，所述研磨颗粒为选自单晶金刚石、聚晶金刚石、三氧化二铝、二氧化锆、二氧化钛、二氧化铈、煅制二氧化硅和胶体二氧化硅中的至少一种，优选胶体二氧化硅；所述氧化剂为选自高碘酸盐、碘酸盐、高氯酸盐、过硫酸盐和过氧化氢中的至少一种，优选过氧化氢；所述金属络合剂为选自氨、氨基酸和有机酸中的至少一种，优选氨基酸，更优选氨基乙酸；所述金属缓蚀剂为选自含氮杂环衍生物、含硫杂环衍生物和同时含有氮、硫的杂环衍生物中的至少一种；所述表面活性剂为选自阴离子型表面活性剂和非离子型表面活性剂中的至少一种，优选非离子型表面活性剂，更优选聚乙二醇辛基苯基醚。由此，可以防止在抛光过程中出现过腐蚀，降低钴和铜材料去除速率，并且获得可调节的材料去除速率选择性。
在本发明的一些实施例中，所述金属缓蚀剂为选自1,2,4-三唑、苯并三氮唑、甲基-1H-苯并三氮唑、5,6-二甲基-1H-苯并三氮唑一水合物、咪唑、2-巯基噻唑啉、2-巯基苯骈噻唑、2-氨基苯并咪唑、2-巯基苯并咪唑和2-甲基苯并咪唑中的至少一种，优选甲基-1H-苯并三氮唑。由此，可以进一步防止在抛光过程中出现过腐蚀，降低钴和铜材料去除速率，并且获得可调节的材料去除速率选择性。
在本发明的一些实施例中，所述用于钴阻挡层结构化学机械抛光的抛光液包括：0.01～20wt％的所述胶体二氧化硅；0.01～10wt％的所述过氧化氢；0.01～10wt％的所述氨基乙酸；0.005～5wt％的所述甲基-1H-苯并三氮唑；0.001～1wt％的所述聚乙二醇辛基苯基醚；以及余量的水。由此，可以进一步防止在抛光过程中出现过腐蚀，降低钴和铜材料去除速率，并且获得可调节的材料去除速率选择性。
在本发明的一些实施例中，所述用于钴阻挡层结构化学机械抛光的抛光液包括：1～10wt％的所述胶体二氧化硅；0.01～2wt％的所述过氧化氢；0.01～2wt％的所述氨基乙酸；0.005～0.5wt％的所述甲基-1H-苯并三氮唑；0.001～0.1wt％的所述聚乙二醇辛基苯基醚；以及余量的水。由此，可以进一步防止在抛光过程中出现过腐蚀，降低钴和铜材料去除速率，并且获得可调节的材料去除速率选择性。
在本发明的一些实施例中，所述用于钴阻挡层结构化学机械抛光的抛光液包括：2wt％的所述胶体二氧化硅；1wt％的所述过氧化氢；0.5wt％的所述氨基乙酸；0007～0.0655wt％的所述甲基-1H-苯并三氮唑；0.02～0.05wt％的所述聚乙二醇辛基苯基醚；以及余量的水。由此，可以进一步防止在抛光过程中出现过腐蚀，降低钴和铜材料去除速率，并且获得可调节的材料去除速率选择性。
在本发明的一些实施例中，所述抛光液的pH为7.0～9.0。由此，可以进一步防止在抛光过程中出现过腐蚀，降低钴和铜材料去除速率，并且获得可调节的材料去除速率选择性。
在本发明的一些实施例中，所述抛光液的pH调节剂为选自硝酸、硫酸、盐酸、磷酸、醋酸、氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化铵、碳酸钠、碳酸氢钠、碳酸钾和碳酸氢钾中的至少一种，优选硝酸和氢氧化钾中至少一种。
在本发明的一些实施例中，所述胶体二氧化硅的粒径为10～200nm。由此，可以显著提高钴和铜材料去除速率，同时减少抛光后的缺陷。
在本发明的另一个方面，本发明提出了一种对钴阻挡层结构进行抛光的方法，该方法采用上述所述的抛光液对所述钴阻挡层结构进行抛光。由此，可以显著提高半导体器件的可靠性。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
图1是根据本发明一个实施例的对钴阻挡层结构进行抛光的方法技术示意图；
图2是抛光前的钴阻挡层结构横截面示意图；
图3是采用本发明一个实施例的抛光液抛光后形成的钴阻挡层结构横截面示意图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明的一个方面，本发明提出了一种用于钴阻挡层结构化学机械抛光的抛光液。根据本发明的实施例，该抛光液包括：0.01～20wt％的研磨颗粒；0.01～10wt％的氧化剂；0.01～10wt％的金属络合剂；0.005～5wt％的金属缓蚀剂；0.001～1wt％的表面活性剂；以及余量的水。发明人发现，研磨颗粒通过其机械研磨作用可以去除与其接触的钴和铜表面反应物，从而实现钴和铜的材料去除。并且通过添加氧化剂，可以将钴和铜表面氧化为相应的氧化物、氢氧化物或者金属离子，进而与金属络合剂形成可溶性络合物，从而提高钴和铜的材料去除速率，减少金属氧化物颗粒造成的缺陷和表面的金属离子的污染，同时通过将金属缓蚀剂和表面活性剂配合使用，能够有效的在钴和铜表面形成一层具有保护作用的钝化膜，从而防止在抛光过程中出现过腐蚀现象，进而降低抛光后的缺陷，并且发明人通过大量实验意外发现，使用本发明配方组合的抛光液，可以在钴和铜表面形成一层具有保护作用的钝化膜，防止在抛光过程中出现过腐蚀，降低钴和铜材料去除速率，并且获得可调节的材料去除速率选择性，最终减少抛光后的缺陷，提高半导体器件的可靠性。
根据本发明的实施例，研磨颗粒可以为选自单晶金刚石、聚晶金刚石、三氧化二铝、二氧化锆、二氧化钛、二氧化铈、煅制二氧化硅和胶体二氧化硅中的至少一种，优选胶体二氧化硅。由此，通过研磨颗粒的机械研磨作用可以有效地去除与研磨颗粒相接触的钴和铜表面反应物，从而进一步提高钴和铜的材料去除速率，并且使用胶体二氧化硅作为研磨颗粒，可以优于其他研磨颗粒实现良好的表面质量。
根据本发明的实施例，氧化剂可以为选自高碘酸盐、碘酸盐、高氯酸盐、过硫酸盐和过氧化氢中的至少一种，优选过氧化氢。由此，可以将钴和铜表面氧化为相应的氧化物、氢氧化物或者金属离子，进而与金属络合剂形成可溶性络合物，从而进一步提高钴和铜的材料去除速率，减少金属氧化物颗粒造成的缺陷和表面的金属离子的污染。
根据本发明的实施例，金属络合剂可以为选自氨、氨基酸和有机酸中的至少一种，优选氨基酸，更优选氨基乙酸。由此，可以与钴和铜的氧化物、氢氧化物或者金属离子反应形成可溶性络合物，从而进一步提高钴和铜的材料去除速率，减少金属氧化物颗粒造成的缺陷和表面的金属离子的污染。
根据本发明的实施例，金属缓蚀剂可以为选自含氮杂环衍生物、含硫杂环衍生物和同时含有氮、硫的杂环衍生物中的至少一种，根据本发明的具体实施例，金属缓蚀剂可以为选自1,2,4-三唑、苯并三氮唑、甲基-1H-苯并三氮唑、5,6-二甲基-1H-苯并三氮唑一水合物、咪唑、2-巯基噻唑啉、2-巯基苯骈噻唑、2-氨基苯并咪唑、2-巯基苯并咪唑和2-甲基苯并咪唑中的至少一种，优选甲基-1H-苯并三氮唑。由此，可以在钴和铜表面形成一层具有保护作用的钝化膜，从而可以防止在抛光过程中出现过腐蚀，并且使用甲基-1H-苯并三氮唑作为金属缓蚀剂效果明显优于其他缓蚀剂。
根据本发明的实施例，表面活性剂可以为选自阴离子型表面活性剂和非离子型表面活性剂中的至少一种，优选非离子型表面活性剂，更优选聚乙二醇辛基苯基醚。由此，可以与金属缓蚀剂配合使用，从而进一步减少抛光后的缺陷，并且调节钴和铜材料去除速率。
根据本发明的实施例，用于钴阻挡层结构化学机械抛光的抛光液可以包括：0.01～20wt％的胶体二氧化硅；0.01～10wt％的过氧化氢；0.01～10wt％的氨基乙酸；0.005～5wt％的甲基-1H-苯并三氮唑；0.001～1wt％的所述聚乙二醇辛基苯基醚；以及余量的水。发明人发现，该组合的抛光液可以明显防止在抛光过程中出现过腐蚀，降低钴和铜材料去除速率，并且获得可调节的材料去除速率选择性。
根据本发明的实施例，用于钴阻挡层结构化学机械抛光的抛光液可以包括：1～10wt％的胶体二氧化硅；0.01～2wt％的过氧化氢；0.01～2wt％的氨基乙酸；0.005～0.5wt％的甲基-1H-苯并三氮唑；0.001～0.1wt％的聚乙二醇辛基苯基醚；以及余量的水。由此，可以进一步防止在抛光过程中出现过腐蚀，降低钴和铜材料去除速率，并且获得可调节的材料去除速率选择性。
根据本发明的实施例，用于钴阻挡层结构化学机械抛光的抛光液可以包括：2wt％的胶体二氧化硅；1wt％的过氧化氢；0.5wt％的氨基乙酸；0007～0.0655wt％的甲基-1H-苯并三氮唑；0.02～0.05wt％的聚乙二醇辛基苯基醚；以及余量的水。由此，可以进一步防止在抛光过程中出现过腐蚀，降低钴和铜材料去除速率，并且获得可调节的材料去除速率选择性。
根据本发明的实施例，该抛光液的pH值并不受特别限制，根据本发明的实施例，该抛光液的pH可以为7.0～9.0。发明人发现，酸性条件下，在氧化剂和金属络合剂的作用下，钴和铜均极容易腐蚀，从而导致抛光后出现严重的缺陷，如差的表面质量和严重的铜互联蝶形缺陷，并且抛光设备亦容易被腐蚀，而强碱性条件下，钴表面会形成一层致密的氧化层，从而导致钴材料去除速率过低，需要的抛光时间过长。由此，选择本发明的pH范围可以保证在具有较高的钴和铜材料去除速率的同时避免在抛光过程中出现过腐蚀现象。根据本发明的实施例，抛光液的pH调节剂可以为选自硝酸、硫酸、盐酸、磷酸、醋酸、氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化铵、碳酸钠、碳酸氢钠、碳酸钾和碳酸氢钾中的至少一种，优选硝酸和氢氧化钾中至少一种。
根据本发明的实施例，胶体二氧化硅的粒径并不受特别限制，根据本发明的具体实施例，胶体二氧化硅的粒径可以为10～200nm。发明人发现，胶体二氧化硅的粒径过低，使得钴和铜的材料去除速率显著降低，而粒径过高，研磨过程中导致钴和铜的表面质量变差。由此，选择胶体二氧化硅的粒径在10～200nm之间，既可以提高钴和铜的材料去除速率，又可以保证良好的表面质量。
在本发明的另一个方面，本发明提出了一种对钴阻挡层结构进行抛光的方法，该方法采用上述的抛光液对钴阻挡层结构进行抛光。由此，该方法能够在钴和铜表面形成一层具有保护作用的钝化膜，防止在抛光过程中出现过腐蚀，降低钴和铜材料去除速率，并且获得可调节的材料去除速率选择性，最终减少抛光后的缺陷，提高半导体器件的可靠性。
下面参考具体实施例，对本发明进行描述，需要说明的是，这些实施例仅仅是描述性的，而不以任何方式限制本发明。
实验例1
抛光液配方：2wt％的胶体二氧化硅，1wt％的过氧化氢，0.5wt％的氨基乙酸，0.0266wt％的甲基-1H-苯并三氮唑，0.02wt％的聚乙二醇辛基苯基醚以及余量的水，采用硝酸和氢氧化钾调节pH值至2.0～12.0；
抛光步骤：在化学机械抛光过程中，如图1所示，抛光液以一定的流量不断补充到抛光垫上，抛光头上的样品在所施加压力的作用下与抛光垫接触，抛光垫和样品做同方向转动不断将抛光液补充到接触区域，样品表面材料在抛光液的化学反应和机械研磨的协同作用下平整性去除，从而实现局部和全局平坦化。值得注意的是，以上的使用方式是基于传统抛光机而言，对特别的抛光机系统，可以根据实际情况合理调整执行方式同样能够达到化学机械抛光目的，所用抛光机为美国Bruker公司生产的CETR CP-4台式抛光机；钴和铜样品尺寸为：直径50.8mm，厚度1mm；抛光条件为：加载压力2.0～3.0psi，抛光头转速150rpm，抛光盘转速150rpm，抛光头和抛光盘中心间距63mm，抛光液流量100mL/min，抛光时间1min；所用抛光垫为美国Dow Electronic Materials公司生产的IC1010/Suba-IV复合抛光垫。通过测量样品抛光前后的重量变化来计算材料去除速率。
测试结果显示，随着pH值的增加，钴静态腐蚀速率和材料去除速率均逐渐减小，说明了pH值对钴化学机械抛光性能具有重要影响。若抛光液pH值低于7，钴表面容易被腐蚀，抛光后的表面质量差，且抛光设备容易被腐蚀；若抛光液pH值高于9，钴表面会形成一层致密的氧化层，钴材料去除速率过低。由此，选择pH为7.0～9.0可以保证在具有较高的钴和铜材料去除速率的同时避免在抛光过程中出现过腐蚀现象。
实验例2
抛光液配方：2wt％的胶体二氧化硅，1wt％的过氧化氢，0.5wt％的氨基乙酸，0.02wt％的聚乙二醇辛基苯基醚，无金属缓蚀剂或0.0138wt％的1,2,4-三唑或0.0238wt％的苯并三氮唑或0.0266wt％甲基-1H-苯并三氮唑，余量为水，采用硝酸和氢氧化钾调节pH值至8.0；
抛光步骤：同实验例1。
测试结果显示，加入金属缓蚀剂后，钴和铜材料去除速率明显降低，说明在抛光过程中，金属缓蚀剂能够与钴和铜表面生成物发生反应，生成一层具有保护作用的钝化膜，防止在抛光过程中出现过腐蚀，降低钴和铜材料去除速率。对比发现，加入甲基-1H-苯并三氮唑后，钴和铜材料去除速率降幅最大，说明了甲基-1H-苯并三氮唑的缓蚀作用最强。甲基-1H-苯并三氮唑强的缓蚀作用部分来源于苯环上甲基基团的疏水性，据此推断，5,6-二甲基-1H-苯并三氮唑由于拥有2个甲基基团，其缓蚀作用较甲基-1H-苯并三氮唑会更强，但其在pH 8.0水性抛光液中的溶解度过低，仅在0.012wt％和0.017wt％之间。因此综合考虑，优选甲基-1H-苯并三氮唑作为金属缓蚀剂。
实验例3
抛光液配方：2wt％的胶体二氧化硅，1wt％的过氧化氢，0.5wt％的氨基乙酸，0.0266wt％的甲基-1H-苯并三氮唑，无表面活性剂或者0.02wt％非离子型表面活性剂或者0.05wt％非离子型表面活性剂，余量为水，采用硝酸和氢氧化钾调节pH值至8.0。测试了三种不同类型的非离子型表面活性剂：聚乙二醇(分子量约为6000)、P123(CAS号码：9003-11-6，德国巴斯夫公司生产)以及聚乙二醇辛基苯基醚。
抛光步骤：同实施例1，测试结果下表1所示：
表1
可以看出，通过金属缓蚀剂甲基-1H-苯并三氮唑与非离子型表面活性剂的共同作用，可以进一步降低钴和铜材料去除速率，并且获得可调节的钴/铜材料去除速率选择性。图2是抛光前的钴阻挡层结构横截面示意图。图3是理想状态下使用本发明的抛光液抛光后形成的钴阻挡层结构横截面示意图。如图2和图3所示，阻挡层材料可以是钴的单层结构，或者钴合金的单层结构如钴钼合金，或者钴与其他金属氮化物或金属氮碳化物的双层结构如钴/氮化钽；刻蚀阻挡层材料可以是氮化硅、碳化硅、氮碳化硅或者其他难刻蚀的材料。使用本发明的抛光液可以去除图2中低k电介质表面的钴阻挡层，同时尽量减小铜互连的损失，改善铜互连碟型缺陷和表面质量，形成如图3所示的结构。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (10)

1.一种用于钴阻挡层结构化学机械抛光的抛光液，其特征在于，包括：
0.01～20wt％的研磨颗粒；
0.01～10wt％的氧化剂；
0.01～10wt％的金属络合剂；
0.005～5wt％的金属缓蚀剂；
0.001～1wt％的表面活性剂；以及
余量的水。
2.根据权利要求1所述的用于钴阻挡层结构化学机械抛光的抛光液，其特征在于，所述研磨颗粒为选自单晶金刚石、聚晶金刚石、三氧化二铝、二氧化锆、二氧化钛、二氧化铈、煅制二氧化硅和胶体二氧化硅中的至少一种，优选胶体二氧化硅；所述氧化剂为选自高碘酸盐、碘酸盐、高氯酸盐、过硫酸盐和过氧化氢中的至少一种，优选过氧化氢；所述金属络合剂为选自氨、氨基酸和有机酸中的至少一种，优选氨基酸，更优选氨基乙酸；所述金属缓蚀剂为选自含氮杂环衍生物、含硫杂环衍生物和同时含有氮、硫的杂环衍生物中的至少一种；所述表面活性剂为选自阴离子型表面活性剂和非离子型表面活性剂中的至少一种，优选非离子型表面活性剂，更优选聚乙二醇辛基苯基醚。
3.根据权利要求1所述的用于钴阻挡层结构化学机械抛光的抛光液，其特征在于，所述金属缓蚀剂为选自1,2,4-三唑、苯并三氮唑、甲基-1H-苯并三氮唑、5,6-二甲基-1H-苯并三氮唑一水合物、咪唑、2-巯基噻唑啉、2-巯基苯骈噻唑、2-氨基苯并咪唑、2-巯基苯并咪唑和2-甲基苯并咪唑中的至少一种，优选甲基-1H-苯并三氮唑。
4.根据权利要求3所述的用于钴阻挡层结构化学机械抛光的抛光液，其特征在于，包括：
0.01～20wt％的所述胶体二氧化硅；
0.01～10wt％的所述过氧化氢；
0.01～10wt％的所述氨基乙酸；
0.005～5wt％的所述甲基-1H-苯并三氮唑；
0.001～1wt％的所述聚乙二醇辛基苯基醚；以及
余量的水。
5.根据权利要求4所述的用于钴阻挡层结构化学机械抛光的抛光液，其特征在于，包括：
1～10wt％的所述胶体二氧化硅；
0.01～2wt％的所述过氧化氢；
0.01～2wt％的所述氨基乙酸；
0.005～0.5wt％的所述甲基-1H-苯并三氮唑；
0.001～0.1wt％的所述聚乙二醇辛基苯基醚；以及
余量的水。
6.根据权利要求5所述的用于钴阻挡层结构化学机械抛光的抛光液，其特征在于，包括：
2wt％的所述胶体二氧化硅；
1wt％的所述过氧化氢；
0.5wt％的所述氨基乙酸；
0.007～0.0655wt％的所述甲基-1H-苯并三氮唑；
0.02～0.05wt％的所述聚乙二醇辛基苯基醚；以及
余量的水。
7.根据权利要求6所述的用于钴阻挡层结构化学机械抛光的抛光液，其特征在于，包括：所述抛光液的pH为7.0～9.0。
8.根据权利要求7所述的用于钴阻挡层结构化学机械抛光的抛光液，其特征在于，所述抛光液的pH调节剂为选自硝酸、硫酸、盐酸、磷酸、醋酸、氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化铵、碳酸钠、碳酸氢钠、碳酸钾和碳酸氢钾中的至少一种，优选硝酸和氢氧化钾中至少一种。
9.根据权利要求6所述的用于钴阻挡层结构化学机械抛光的抛光液，其特征在于，所述胶体二氧化硅的粒径为10～200nm。
10.一种对钴阻挡层结构进行抛光的方法，其特征在于，采用权利要求1-9任一项所述的抛光液对所述钴阻挡层结构进行抛光。
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