CN108723617A - 激光加工方法 - Google Patents

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Abstract

提供激光加工方法，该方法包含：往路高度存储步骤，将高度检测单元定位在晶片的待加工区域而使其与卡盘工作台在往路的X轴方向上相对移动，并检测晶片的高度而将与X坐标对应的高度信息存储在存储器中；返路高度存储步骤，使卡盘工作台和高度检测单元在返路的X轴方向上相对移动，并检测晶片的下一个待加工区域的高度而将与X坐标对应的高度信息存储在存储器中；往路加工步骤，根据所存储的高度信息使聚光器上下移动并使其与卡盘工作台在往路的X轴方向上相对移动而将聚光点定位在晶片的内部而实施加工；返路加工步骤，根据所存储的高度信息使聚光器上下移动并使其与卡盘工作台在返路的X轴方向上相对移动而将聚光点定位在晶片的内部而实施加工。

Description

激光加工方法
技术领域
本发明涉及激光加工方法，能够适当地计测晶片的高度，并实施激光加工。
背景技术
由分割预定线划分而在正面上形成有IC、LSI等多个器件的晶片被切割装置、激光加工装置分割成各个器件芯片，分割得到的器件芯片被应用于移动电话、通信设备、个人计算机等电子设备。
提出了如下技术：通过使激光加工装置实施激光加工而沿着分割预定线形成分割的起点，其中，激光加工装置至少具有：卡盘工作台，其对晶片进行保持；激光照射单元，其具有聚光器，该聚光器将对于该卡盘工作台所保持的晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在晶片的内部而进行照射，对晶片的内部实施形成改质层的加工；X轴进给单元，其对该卡盘工作台和该聚光器在X轴方向上相对地进行加工进给；Y轴进给单元，其对该卡盘工作台和该聚光器在与X轴方向垂直的Y轴方向上相对地进行分度进给；高度检测单元，其对激光光线的聚光点所定位的晶片的上表面高度进行检测；存储单元，其将该高度检测单元所检测出的高度信息与分度进给方向上的坐标对应地进行存储；以及控制单元，其对各单元进行控制(例如，参照专利文献1)。
根据上述专利文献1所记载的激光加工方法，通过检测晶片的高度的高度检测单元来预先检测与分割预定线对应的区域的高度而进行存储，一边根据所存储的高度信息使聚光器上下移动一边将聚光点定位在适当的位置而实施希望的加工。
通常，在假设对加工区域的上表面高度进行检测而存储并根据该高度信息来实施加工的情况下，由于控制单元所具有的存储器区域有限，所以在很多情况下，对全部的加工区域的上表面高度进行计测并存储全部的高度信息在现实中是很困难的。因此，为了节省存储高度信息的存储器，尝试了如下方法：选择预定加工的加工区域(例如多条分割预定线中的每一条分割预定线)，一边使高度检测单元跟踪一个方向(例如往路方向)，一边存储计测出的高度信息作为代表值，不仅将该高度信息应用于实施了该高度的计测的分割预定线，还将该高度信息作为代替值而应用于未进行高度计测的附近的分割预定线，对加工用的激光光线的聚光点位置进行调整而实施激光加工。
专利文献1：日本特开2007-152355号公报
但是，在检测一部分分割预定线的高度信息作为代替值并根据该高度信息将激光光线的聚光点定位在晶片的内部的规定的位置而实施激光加工的情况下，无论怎样都存在缺乏准确性、无法成为精密的激光加工的问题。此外，发现了如下情况：在为了提高加工效率而在保持着晶片的卡盘工作台在往路方向、返路方向的任意方向上移动的情况下均照射激光光线而进行加工时，存在一边使计测用光在一个方向上移动一边根据所取得的该高度信息来实施激光加工的情况、以及聚光器无法准确地追随高度信息的情况，产生了聚光点没有被定位在适当的位置而无法进行高精度的加工的问题。
针对上述问题，申请人在进行了专心研究后，发现了如下原因。首先，在以往的晶片的上表面高度的检测中，为了使各分割预定线的计测条件相同，一边使保持着晶片的卡盘工作台在X轴方向上的一个方向上移动，一边计测晶片的上表面高度，与X轴方向的X坐标对应地存储上表面高度。然后，不仅是计测了该高度的分割预定线，对于相邻的附近的分割预定线也一边使卡盘工作台在该一个方向上移动，一边根据计测出的高度信息对激光加工时的聚光点位置进行调整而实施激光加工。这里，在使该卡盘工作台在一个方向上移动的情况和在与该一个方向相反的方向上移动的情况下，在移动单元中存在微小的滞后。因此，在使该卡盘工作台在与进行了高度计测时的方向相反的方向上移动的情况与在该一个方向上移动的情况之间，按照滞后的量在X轴方向上产生错位，无法将实施激光加工时的聚光点位置定位在适当的位置，其结果是，产生了无法进行高精度的加工的问题。
发明内容
因此，本发明的目的在于，提供激光加工方法，能够根据计测出的晶片的高度信息来进行高精度的激光加工。
根据本发明，提供激光加工方法，该激光加工方法通过激光加工装置来执行，该激光加工装置具有：卡盘工作台，其对晶片进行保持；激光照射单元，其将对于该卡盘工作台所保持的晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在晶片的内部而进行照射，对晶片的内部实施加工，该激光照射单元具有聚光器；X轴进给单元，其对该卡盘工作台和该聚光器在X轴方向上相对地进行加工进给；Y轴进给单元，其对该卡盘工作台和该聚光器在与X轴方向垂直的Y轴方向上相对地进行分度进给；高度检测单元，其对激光光线的聚光点所定位的晶片的上表面高度进行检测；存储单元，其将该高度检测单元所检测出的高度信息与加工进给方向上的坐标对应地进行存储；以及控制单元，其对各单元进行控制，其中，该激光加工方法具有如下的步骤：往路高度存储步骤，一边将该高度检测单元定位在晶片的待加工区域而使该卡盘工作台和该高度检测单元在往路的X轴方向上相对地移动，一边对高度进行检测而将高度信息与X坐标对应地存储在该存储单元中；返路高度存储步骤，一边使该卡盘工作台和该高度检测单元在返路的X轴方向上相对地移动，一边对晶片的下一个待加工的区域的高度进行检测而将高度信息与X坐标对应地存储在该存储单元中；往路加工步骤，一边将该聚光器定位在晶片的待加工区域并根据通过该往路高度存储步骤而存储的高度信息使该聚光器上下移动，一边使该聚光器和该卡盘工作台在往路的X轴方向上相对地移动而将激光光线的聚光点定位在晶片的待加工区域的内部从而实施加工；以及返路加工步骤，一边将该聚光器定位在晶片的下一个待加工区域并根据通过该返路高度存储步骤而存储的高度信息使该聚光器上下移动，一边使该聚光器和该卡盘工作台在返路的X轴方向上相对地移动而将激光光线的聚光点定位在晶片的下一个待加工区域的内部从而实施加工，反复实施该往路高度存储步骤、该返路高度存储步骤、该往路加工步骤以及该返路加工步骤而对晶片实施加工。
根据本发明的激光加工方法，通过反复执行往路高度存储步骤、返路高度存储步骤、往路加工步骤以及返路加工步骤，使对高度进行检测的方向与实施激光加工的方向一致，因此消除了滞后，能够根据高度信息使聚光器上下移动，当在往路、返路上高效地实施激光加工时，也能够追随着预先计测并存储的高度信息而将聚光点适当地定位在晶片的内部。
附图说明
图1是激光加工装置的整体立体图。
图2是用于说明构成图1所示的激光加工装置的激光照射单元的框图。
图3的(a)、(b)是用于对本发明的高度检测和激光加工进行说明的、晶片的局部放大剖视图。
图4的(a)～(d)是用于说明本发明的往路高度存储步骤、返路高度存储步骤、往路加工步骤以及返路加工步骤的示意图。
图5是用于说明图1所示的激光加工装置的控制单元中的高度信息的运算方法的框图。
标号说明
2：激光加工装置；6：保持单元；8：移动单元；10：晶片；20：控制单元；24：激光照射单元；24a：聚光器；241：激光振荡器；242：分色镜；243：反射镜；244：聚光透镜；245：音圈电动机；25：高度检测单元；251：发光单元；252：第1分束器；253：带通滤波器；254：第2分束器；256：受光元件；258：掩模；259：缝；260：受光元件；26：拍摄单元；40：X轴进给单元；41：Y轴进给单元。
具体实施方式
以下，一边参照附图一边对本发明的激光加工方法进行详细地说明。
在图1中示出了适合实施本发明实施方式的激光加工方法的激光加工装置2、以及作为被加工物的晶片10的立体图。激光加工装置2具有：保持单元6，其对晶片10进行保持；移动单元8，其配设在静止基台2a上，使保持单元6移动；激光照射单元24，其对保持单元6所保持的晶片10照射激光光线；以及框体50，其由垂直壁部51和水平壁部52构成，该垂直壁部51竖立设置在静止基台2a上的移动单元8的侧方，该水平壁部52从垂直壁部51的上端部沿水平方向延伸。在框体50的水平壁部52的内部内置有激光照射单元24的光学系统，在水平壁部52的前端下表面上配设有激光照射单元24的聚光器24a。并且，在与聚光器24a沿X轴方向相邻的位置配设有拍摄单元26，该拍摄单元26能够照射红外线而透过被加工物对形成于被加工物的下表面侧的器件和分割预定线进行检测。如图所示，在保持单元6上吸引保持有晶片10，该晶片10以背面10b侧朝向上方的方式借助保护带T被环状的框架F保持。
保持单元6包含：矩形的X轴方向可动板30，其在图中箭头X所示的X轴方向上移动自如地搭载在基台2a上；矩形的Y轴方向可动板31，其在图中箭头Y所示的Y轴方向上移动自如搭载在X轴方向可动板30上；圆筒状的支柱32，其固定在Y轴方向可动板31的上表面上；以及矩形的盖板33，其固定在支柱32的上端。在盖板33上沿X轴方向配设有将保持单元6和后述的移动单元8覆盖的折皱(省略了图示。)，并且配设有穿过形成在盖板33上的沿Y轴方向延伸的长孔而向上方延伸的卡盘工作台34，该卡盘工作台34构成为能够通过未图示的旋转驱动单元在周向上旋转，其对圆形的被加工物进行保持。在卡盘工作台34的上表面配置有由多孔质材料形成的、实际上水平延伸的圆形的吸附卡盘35。吸附卡盘35通过在支柱32中穿过的流路而与未图示的吸引单元连接。另外，X轴方向是图1中箭头X所示的方向，Y轴方向是箭头Y所示的方向，是与X轴方向垂直的方向。由X轴方向、Y轴方向规定的平面实际上是水平的。
移动单元8包含X轴进给单元40和Y轴进给单元41。X轴进给单元40借助滚珠丝杠40a将电动机40b的旋转运动转换成直线运动而传递到X轴方向可动板30，使X轴方向可动板30沿着基台2a上的导轨在X轴方向上进退。Y轴进给单元41借助滚珠丝杠41a将电动机41b的旋转运动转换成直线运动而传递到Y轴方向可动板31，使Y轴方向可动板31沿着X轴方向可动板30上的导轨在Y轴方向上进退。另外，虽然省略了图示，但在X轴进给单元40、Y轴进给单元41以及该旋转驱动单元上分别配设有位置检测单元，通过各位置检测单元来准确地检测卡盘工作台34的X轴方向的位置、Y轴方向的位置、周向的旋转位置，根据从未图示的控制单元指示的信号对X轴进给单元40、Y轴进给单元41以及该旋转驱动单元进行驱动，能够将卡盘工作台34准确地定位成任意的位置和角度。
根据图2对激光加工装置2的激光照射单元24进行更具体地说明。如图2所示，激光照射单元24具有激光振荡器241，该激光振荡器241用于从聚光器24a照射加工用的激光光线(例如，对于由硅(Si)构成的晶片10具有透过性的1064nm波长的激光光线LB)。在从激光振荡器241振荡出的激光光线LB的光路上配设有分色镜242，该分色镜242对包含可见光线的波长在内的600～800nm波长的光进行反射，使其他波长区域的光透过。在从激光振荡器241振荡出的激光光线LB直行穿过分色镜242之后的光路上配设有反射镜243。行进方向被反射镜243转换后的激光光线LB会聚至内置于聚光器24a的聚光透镜244，并照射到保持于卡盘工作台34的晶片10上。如图所示，利用磁铁和线圈来构成所谓的音圈电动机245，通过接受来自控制单元20的控制信号，能够使聚光透镜244移动到与保持着晶片10的保持面垂直的聚光点位置调整方向(即图中箭头Z所示的Z方向上的希望的位置)。
此外，如图2所示，本实施方式的激光照射单元24具有高度检测单元25，利用该高度检测单元25来实施高度计测工序，对晶片10的上表面高度进行计测并存储。高度检测单元25具有：发光单元251，其发出作为可见光线(700nm波长)的计测用光LB1；第1分束器252，其使从发光单元251照射的计测用光LB1朝向上述分色镜242通过；能够使680～720nm波长的光通过的带通滤波器253，其被设置成仅使被分色镜242和第1分束器252反射的返回光LB1’通过，其中，该分色镜242和该第1分束器252对如图3的(a)所示在晶片10的上表面发生反射而返回的返回光LB1’进行反射；第2分束器254，其将通过了带通滤波器253的返回光LB1’以1：1的比例分离成透过光LB1’a和反射光LB1’b；聚光透镜255，其对透过了第2分束器254的透过光LB1’a进行会聚；受光元件256，其将聚光透镜255所会聚的透过光LB1’a的光强度D1输出为电压；聚光透镜257，其对被第2分束器254反射的反射光LB1’b进行会聚；掩模258，其形成有缝259，该缝259具有与聚光透镜257所会聚的反射光LB1’b被会聚到最小的情况下的光斑直径相等的宽度；以及受光元件260，其将通过了掩模258的缝259的反射光LB1’b的光强度D2输出为电压。表示受光元件256、260所检测出的光强度D1、D2的电压信号被输出给控制单元20。另外，关于掩模258，为了方便说明，在图中可以看到缝259，但实际上是沿上下方向开口的缝。以下，对利用高度检测单元25来计测晶片10的上表面的高度的原理进行具体地说明。
计测用光LB1如上所述是可见光线(700nm波长)，从聚光器24a的聚光透镜244照射到晶片10时的聚光点被设定在如下的基准位置：该基准位置是从卡盘工作台34的吸附卡盘35的正面起按照规定的距离位于上方(例如在晶片的厚度为200μm的情况下为220μm)的位置。即使晶片10的厚度存在略微的偏差，该基准位置都始终被设定为比晶片10的上表面靠上方的位置，在高度计测中该基准位置被固定为不会发生变化。
这里，第2分束器254所分离出的一方的透过光LB1’a全部被聚光透镜255会聚，始终100％被受光元件256接受。因此，即使晶片10的上表面的高度发生变化而使反射位置发生变化，但只要发光单元251所照射的光源的光量不发生变化，从受光元件256输出的光强度D1也保持恒定。
另一方面，被第2分束器254反射并被受光元件260接受的反射光LB1’b是随着晶片10的上表面的高度变化而适当变化的值。这是因为，当晶片10的上表面的高度发生变化时，形成于晶片10的上表面的光斑的大小发生变化。当晶片10的上表面的高度变高时，由于接近设定了计测用光LB1的聚光点的基准位置，所以在晶片10的上表面发生反射时的光斑形状变小。由此，返回光LB1’的截面面积也变小，在被聚光透镜257会聚之后，到达了掩模258时的光斑的形状也变小，能够从缝259通过的反射光LB1’b的比例增大。因此，晶片10的上表面高度越高，从缝259通过的反射光LB1’b的量越增加，受光元件260所检测出的光强度D2越成为较大的值，相反地晶片10的上表面的高度越低，光强度D2的值越成为较小的值。
这里，由于受光元件256所检测出的光强度D1如上述那样无论晶片10的上表面的高度如何均保持恒定，因此光强度D1与D2的光强度比D1/D2是根据晶片10的上表面的高度而变化的值，D1/D2越接近1，可知晶片10的上表面高度越高(即，处于靠近该基准位置的位置)，D1/D2越成为较大的值，可知晶片10的上表面处于远离该基准位置的较低的位置。因此，预先通过实验来获得从与光强度比D1/D2对应的基准位置起的距离而创建图表(map)，能够根据上述的光强度比D1/D2来容易地计算出晶片10的上表面的高度。
控制单元20由计算机构成，其具有：中央运算处理装置(CPU)，其根据控制程序来进行运算处理；只读存储器(ROM)，其储存控制程序等；能够读写的随机存取存储器(RAM)，其用于暂时储存所检测出的检测值、运算结果等；以及输入接口和输出接口(省略了详细的图示。)。在控制单元20中设定有：D1/D2运算部201，其根据光强度D1、D2来计算光强度比D1/D2；图表，其根据上述的光强度比D1/D2来计算晶片10的上表面的高度；以及高度存储部202，其将根据该图表计算出的晶片上表面的高度与计测用光LB1所照射的坐标位置对应地进行存储。
上述激光加工装置2具有大致以上那样的结构，以下，对激光加工装置2所执行的控制和晶片的加工方法进行详细说明。
在图1中示出了利用本实施方式来加工的由硅(Si)构成的、例如厚度为200μm的圆形的晶片10。在晶片10的正面10a上通过呈格子状排列的在本实施方式中作为加工区域的分割预定线划分出多个区域。在由该分割预定线划分出的各区域中形成有器件。在卡盘工作台34上载置有借助保护带T被环状的框架F保持的晶片10。如图所示，晶片10按照在保护带T上粘贴有晶片10的正面10a而使背面10b侧朝向上方的方式被保持。因此，本实施方式的晶片10的“上表面”是晶片的背面10b侧。
在基于本发明构成的激光加工装置2中，通过实施以下的激光加工方法而实施针对晶片10的激光加工。
被搬送到激光加工装置2的晶片10在借助保护带T被环状的框架F支承的状态下被载置在卡盘工作台34上，并被卡盘工作台34吸引保持。接着，使移动单元8进行动作而将卡盘工作台34定位在拍摄单元26的正下方，该拍摄单元26能够照射出透过晶片10的红外线而进行拍摄。在晶片10被定位在拍摄单元26的正下方之后，执行图案匹配等图像处理方式，实施对聚光器24a与晶片10上的作为加工位置的分割预定线的位置对位(对准)，将该位置对位的结果发送并存储到控制单元20中。
然后，在进行了上述的对准之后，使卡盘工作台34移动而将图4的(a)所示的往路r1的高度计测开始位置Q1定位在聚光器24a的正下方。然后，使高度检测单元25进行动作而将计测用光LB1被会聚时的聚光点位置定位在作为计测高度时的基准位置的、距吸附卡盘35的正面为220μm的靠上方的位置，一边照射计测用光LB1，一边使X轴进给单元40进行动作而使卡盘工作台34在X轴方向上移动。此时，卡盘工作台34所移动的方向是使从聚光器24a照射的计测用光LB1在图4的(a)的往路r1上沿箭头所示的方向移动的方向。通过使计测用光LB1的照射位置从计测开始位置Q1移动到计测终端位置Q2，从受光元件256和受光元件260向控制单元20输出与晶片10的往路r1上的各规定位置的X坐标(Xm)对应的光强度D1、D2，在D1/D2运算部201中获得光强度比D1/D2。
在获得了光强度比D1/D2之后，每次参照图5所记载的存储于控制单元20的图表，与各规定位置的X坐标(X1～Xm)对应地对晶片10的上表面相对于该基准位置处于何种程度的高度进行检测。这里，例如在检测出规定的X坐标中的上表面相对于基准位置为﹣19μm的情况下，通过将﹣19μm与基准位置的高度220μm相加，计算出晶片10的实际的上表面的高度(220μm﹣19μm＝201μm)，将与X坐标对应的值储存到控制单元20的形成于随机存取存储器(RAM)的高度存储部202的往路高度存储部202a中。这样，按顺序测量往路r1上的所有规定位置(X1、X2…、Xm-1、Xm)处的晶片10的高度(Z1、Z2…、Zm-1、Zm)，并储存到控制单元20的往路高度存储部202a中(参照图5)，往路高度存储步骤完成。
在执行了该往路高度存储步骤之后，使Y轴进给单元41进行动作而对卡盘工作台34在Y轴方向上相对于聚光器24a进行转位进给，对卡盘工作台34进行定位，以便使按照包含下一个加工区域(分割预定线)的方式设定的返路r2的高度计测开始位置Q3处于聚光器24a的正下方。
在执行了该转位进给之后，与上述的往路高度存储步骤同样，使高度检测单元25进行动作而将计测用光LB1会聚时的聚光点位置定位在作为基准位置的、距吸附卡盘35的正面为220μm的靠上方的位置，一边照射计测用光LB1，一边使X轴进给单元40进行动作而使卡盘工作台34在X轴方向上移动。此时，使卡盘工作台34在与上述的往路高度存储步骤相反的方向上移动并计测高度是很重要的，使卡盘工作台34移动以便使计测用光LB1在图中返路r2上沿箭头所示的方向移动，使卡盘工作台34移动到计测终端位置Q4。其结果是，从受光元件256和受光元件260向控制单元20输出与晶片10的返路r2上的各X坐标对应的光强度D1、D2，在D1/D2运算部201中获得光强度比D1/D2。
在获得了光强度比D1/D2之后，每次参照图5所记载的图表，与各X坐标对应地对相对于该基准位置处于何种程度的高度进行检测。晶片10的实际的上表面的高度的计算方法与在上述的往路高度存储步骤中执行的方法同样，这里省略其说明。这样，与X坐标(Xm’、Xm-1’…X2’、X1’)对应地按顺序计测使计测用光LB1在返路r2上沿箭头所示的方向移动的情况下的分割预定线12上的高度(Zm’、Zm-1’…Z2’、Z1)，并储存到图5所示的控制单元20的随机存取存储器(RAM)的返路高度存储部202b中，返路高度存储步骤完成。
因此，使卡盘工作台34在分别相反的方向上移动而按顺序对往路r1的规定的X坐标(X1～Xm)处的晶片10的高度(Z1～Zm)和返路r2的规定的X坐标(X1’～Xm’)处的晶片10的高度(Z1’～Zm’)进行计测，并分别储存到控制单元20的高度存储部202的往路高度存储部202a和返路高度存储部202b中。
另外，如后述那样，在将高度信息与X坐标对应地进行存储时，也可以如图5的高度存储部202所示，将往路r1、返路r2所位于的Y坐标(yn、yn’)也一并进行存储。
在如以上那样沿着晶片10的加工区域中的往路r1和相邻的返路r2实施了该往路高度存储步骤和该返路高度存储步骤之后，接着，按顺序执行往路加工步骤和返路加工步骤，将聚光点定位在晶片10的内部而沿着设定在往路r1上的加工区域100、设定在返路r2上的加工区域100’(参照图4的(b))照射加工用激光光线LB而在晶片10的内部形成改质层。
在往路加工步骤和返路加工步骤中，根据在上述的该往路高度存储步骤和返路高度存储步骤中存储的高度信息来照射加工用激光光线LB。更具体来说，首先，将在图4的(b)中用虚线示出的往路加工区域100的一端部定位在聚光器24a的正下方，将加工用激光光线LB的聚光点位置定位在晶片内部的规定的位置P(参照图3的(b))。然后，使X轴进给单元40进行动作而使卡盘工作台34移动，以便在图中的往路加工区域100的箭头所示的方向上进行激光加工。接着，在照射加工用激光光线LB时，根据存储于往路高度存储部202a的晶片10的上表面的高度信息对音圈电动机245进行控制，上下调整聚光点位置P。由此，能够将照射加工用激光光线LB时的聚光点位置P始终精密地调整成晶片10的内部的恒定的位置，以恒定的深度形成距晶片10的上表面为恒定距离即与上表面平行的改质层。这样沿着往路加工区域100实施激光加工，形成改质层直至往路加工区域100的另一端部为止，往路加工步骤完成。
在上述往路加工步骤完成之后，聚光器24a按照被定位在下一个返路加工区域100’的方式被Y轴进给单元41进行转位进给。下一个返路加工区域100’的加工开始位置是与上述的往路加工区域100的另一端侧相邻的位置，是执行了返路高度存储步骤时的位于高度计测开始位置Q3附近的晶片10的端部。然后，使X轴进给单元40进行动作而使卡盘工作台34在与激光加工往路加工区域100时的移动方向相反的方向上移动，从返路加工区域100’的一端侧到另一端侧对晶片10的内部实施形成改质层的激光加工。此时，照射加工用激光光线LB，并且根据存储于返路高度存储部202b的晶片10的上表面的高度的数据对音圈电动机245进行控制，调整聚光点位置。由此，能够将照射加工用激光光线LB时的聚光点位置P始终准确地调整成晶片10的内部的恒定的位置，以恒定的深度形成与晶片10的正面平行的改质层，返路加工步骤完成。上述的往路加工步骤、返路加工步骤中的卡盘工作台34的移动方向与在往路高度存储步骤、返路高度存储步骤中使卡盘工作台34移动的方向一致。
另外，例如按照以下的激光加工条件实施上述的改质层形成工序。
波长：1064nm
重复频率：50kHz
平均输出：0.5W
加工进给速度：200mm/秒
在执行上述的往路高度存储步骤、返路高度存储步骤并执行了对往路加工区域100和返路加工区域100’形成改质层的往路加工步骤、返路加工步骤之后，存储于控制单元20的高度存储部202的与往路r1、返路r2相关的高度信息被重置。然后，如图4的(c)、(d)所示，按照在下一个往路加工区域101、返路加工区域101’中形成改质层的方式，将卡盘工作台34定位成使往路r3的高度计测开始位置Q1’(参照图4的(c))处于聚光器24a的正下方。之后，与上述同样，使X轴进给单元40、Y轴进给单元41进行动作而使卡盘工作台34移动，以便使计测用光LB1的照射位置成为高度计测终端位置Q2’、高度计测开始位置Q3’、高度计测终端位置Q4’，执行往路高度存储步骤和返路高度存储步骤。接着，如图4的(d)所示，通过与对上述的往路加工区域100和返路加工区域100’实施的同样的方法，对往路加工区域101、返路加工区域101’实施形成改质层的激光加工。这样，按顺序反复实施往路高度存储步骤、返路高度存储步骤、往路加工步骤、返路加工步骤而对设定在晶片10上的所有加工区域(分割预定线)实施形成改质层的激光加工。
根据本实施方式，往路高度存储步骤时的卡盘工作台34的移动方向和返路高度存储步骤时的卡盘工作台34的移动方向被分别设定为相反方向，在对沿着往路r1的加工区域100和沿着返路r2的加工区域100’执行形成改质层的激光加工时，按照与计测了各加工区域的上表面高度时的卡盘工作台34的移动方向一致的方式使卡盘工作台34移动，根据存储于高度存储部202的高度信息来上下调整聚光点位置。由此，在一边使卡盘工作台34往返移动一边对晶片10的加工区域的内部实施激光加工时，也能够使聚光器24a准确地追随高度信息，将聚光点定位在适当的位置而实现高精度的加工。
本发明并不限定于上述的实施方式，只要包含在本发明的技术范围内便可设想各种变形例。例如，在上述的实施方式中，晶片10以形成有器件的正面10a侧朝向下方并借助带T保持在框架F中而使背面10b侧成为上方的方式被卡盘工作台34吸引保持，利用高度检测单元25来检测背面10b侧的高度，并且形成改质层的激光加工也从晶片10的背面10b侧开始实施，但并不限定于此，对于使晶片10的正面10a侧为上方而从正面10a侧计测高度并且进行激光加工的情况也可以应用本发明。
此外，利用上述的实施方式而实施的激光加工将激光光线的聚光点定位在晶片10的内部而形成改质层，但本发明并不限定于此，也可以是通过将聚光点定位在晶片10的内部而实施激光加工而沿着分割预定线形成由多个细孔和围绕该细孔的非晶质构成的所谓的多个盾构隧道的激光加工方法。

Claims (1)

1.一种激光加工方法，该激光加工方法通过激光加工装置来执行，该激光加工装置具有：
卡盘工作台，其对晶片进行保持；
激光照射单元，其将对于该卡盘工作台所保持的晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在晶片的内部而进行照射，对晶片的内部实施加工，该激光照射单元具有聚光器；
X轴进给单元，其对该卡盘工作台和该聚光器在X轴方向上相对地进行加工进给；
Y轴进给单元，其对该卡盘工作台和该聚光器在与X轴方向垂直的Y轴方向上相对地进行分度进给；
高度检测单元，其对激光光线的聚光点所定位的晶片的上表面高度进行检测；
存储单元，其将该高度检测单元所检测出的高度信息与加工进给方向上的坐标对应地进行存储；以及
控制单元，其对各单元进行控制，
其中，该激光加工方法具有如下的步骤：
往路高度存储步骤，一边将该高度检测单元定位在晶片的待加工区域而使该卡盘工作台和该高度检测单元在往路的X轴方向上相对地移动，一边对高度进行检测而将高度信息与X坐标对应地存储在该存储单元中；
返路高度存储步骤，一边使该卡盘工作台和该高度检测单元在返路的X轴方向上相对地移动，一边对晶片的下一个待加工的区域的高度进行检测而将高度信息与X坐标对应地存储在该存储单元中；
往路加工步骤，一边将该聚光器定位在晶片的待加工区域并根据通过该往路高度存储步骤而存储的高度信息使该聚光器上下移动，一边使该聚光器和该卡盘工作台在往路的X轴方向上相对地移动而将激光光线的聚光点定位在晶片的待加工区域的内部从而实施加工；以及
返路加工步骤，一边将该聚光器定位在晶片的下一个待加工区域并根据通过该返路高度存储步骤而存储的高度信息使该聚光器上下移动，一边使该聚光器和该卡盘工作台在返路的X轴方向上相对地移动而将激光光线的聚光点定位在晶片的下一个待加工区域的内部从而实施加工，
反复实施该往路高度存储步骤、该返路高度存储步骤、该往路加工步骤以及该返路加工步骤而对晶片实施加工。
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