CN106925897A - 晶片的加工方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种晶片的加工方法。即使在由于与激光加工装置相关的原因而导致加工位置产生误差的情况下,也能够对期望的位置进行加工。在激光加工槽形成中,通过拍摄单元(36)对含有因对晶片照射脉冲激光光线而产生的等离子束(300)的加工区域进行拍摄,并对脉冲激光光线的等离子束(300)的位置与预先设定的加工位置(36a)之间的位置关系进行测量,由此能够在激光加工中实时地掌握是否对期望的位置进行加工,能够在加工位置存在偏移的情况下,立即地对加工位置进行修正。

Description

晶片的加工方法
技术领域
本发明涉及晶片的加工方法,一边对预先设定的规定的应该加工的位置与通过激光加工而实际进行了加工的位置的位置关系进行测量,一边对晶片进行加工。
背景技术
在半导体器件制造工艺中,实施如下等处理:在半导体晶片等大致圆板状的工件的正面上形成基于IC或LSI等的多个电子电路,接着对工件的背面进行磨削而加工成规定的厚度,然后沿着被称为间隔道的分割预定线照射激光光线而对形成有电子电路的器件区域进行切断从而分割出工件,从1张工件得到多个器件。(例如,参照专利文献1)。
专利文献1:日本特开2012-151225号公报
但是,存在如下的问题:由于在所照射的激光光线的光学系统中产生应变等与装置相关的原因,而无法将激光光线的聚光光斑定位于应该加工的位置,无法对期望的加工位置进行加工。
发明内容
本发明是鉴于这样的问题而完成的,其目的在于提供一种晶片的加工方法,即使在由于与激光加工装置相关的原因而导致加工位置产生误差的情况下,也能够对期望的加工位置进行激光加工。
根据本发明,提供一种晶片的加工方法,该晶片在基板的正面上在由呈格子状形成的多条分割预定线划分出的各区域中形成有器件,该晶片的加工方法利用脉冲激光光线照射单元对晶片照射脉冲激光光线而对晶片进行加工,其中,该晶片的加工方法具有如下的步骤:对准步骤,通过激光加工装置的对准单元对该晶片的作为加工位置的该分割预定线进行检测;激光加工槽形成步骤,在实施了该对准步骤之后,通过该脉冲激光光线照射单元沿着该分割预定线照射脉冲激光光线,而形成激光加工槽;以及加工位置测量步骤,在该激光加工槽形成步骤的实施过程中,通过拍摄单元对含有因该脉冲激光光线照射单元对该晶片照射脉冲激光光线而产生的等离子束的加工区域进行拍摄,而对该脉冲激光光线的该等离子束的位置与预先设定的加工位置之间的位置关系进行测量。
当在晶片的该分割预定线上按照一定的周期形成有测试用的金属图案的情况下,本发明的晶片的加工方法还具有如下的金属图案位置存储步骤:在实施对准步骤之前,使激光加工装置的存储单元存储金属图案的周期和位置信息,在加工位置测量步骤中,根据在金属图案位置存储步骤中预先存储的金属图案的周期和位置信息而在金属图案位置以外的位置对位置关系进行测量。
在本发明中,由于在激光加工槽形成步骤的实施过程中,通过拍摄单元对含有因对晶片照射脉冲激光光线而产生的等离子束的加工区域进行拍摄,并对脉冲激光光线的等离子束的位置与预先设定的加工位置之间的位置关系进行测量,因此能够在激光加工中,实时地掌握是否对期望的位置进行加工。因此,在加工位置存在偏移的情况下,能够立即地对加工位置进行修正。
并且,由于对金属图案照射脉冲激光光线时的等离子束的大小和明亮度与对未形成有金属图案的部分照射脉冲激光光线时的等离子束的大小和明亮度不同,因此容易产生错误识别,但在测试用的金属图案按照一定的周期形成于晶片的分割预定线的情况下,由于预先对金属图案的周期和位置进行存储,避开金属图案而进行切口检查,因此能够在不会错误识别的情况下进行切口检查,能够以较高的加工精度进行加工。
附图说明
图1是示出激光加工装置的一例的立体图。
图2是示出装载于激光加工装置的激光光线照射单元的结构框图。
图3的(a)是示出加工对象的晶片的例子的俯视图,图3的(b)是晶片的局部放大俯视图。
图4是器件中的关键图案与分割预定线的位置关系的局部放大俯视图。
图5是示出晶片的中心和边缘的俯视图。
图6的(a)是示出1条分割预定线的激光加工的开始时的主视图,图6的(b)是示出1条分割预定线的激光加工的结束时的主视图,图6的(c)是示出所形成的激光加工槽的剖视图。
图7是示出脉冲激光光线的照射与用于切口检查的光的照射的时序的时序图。
图8是示出拍摄单元的基准线、激光加工槽以及等离子束的位置关系的例子的俯视图。
标号说明
1:激光加工装置;2:卡盘工作台;20:吸引部;21:框体;22:夹持部;23:旋转驱动部;24:罩;3:激光光线照射单元;30:激光加工槽;300:等离子束;30a:等离子束中央线;31:脉冲激光光线振荡单元;311:脉冲激光光线振荡器;312:重复频率设定单元;32:聚光器;321:聚光透镜;33:分色镜;34:闪光灯光照射单元;341:闪光灯光源;342:光阑;343:透镜;344:方向转换反射镜;35:分束器;36:拍摄单元;36a:基准线;361:透镜组;361a:像差校正透镜;361b:成像透镜;362:拍摄元件(CCD);37:偏移量;4:X轴方向移动单元;40:滚珠丝杠;41:导轨;42:电动机;43:轴承部;44:移动基台;441:被引导槽;45:X轴方向位置检测单元;451:直线标尺;452:读取头;5:Y轴方向移动单元;50:滚珠丝杠;51:导轨;52:电动机;53:轴承部;54:移动基台;541:被引导槽;55:Y轴方向位置检测单元;551:直线标尺;552:读取头;60:静止基台;61:支承部件;62:外壳;7:对准单元;70:照相机;80:控制单元;81:存储单元;W:晶片;W1:正面;D:器件;L、LX1~LX5、LY1~LY3:分割预定线;11~16:区域;T:带;F:框架;17、18:金属图案;KP:关键图案。
具体实施方式
图1所示的激光加工装置1是通过激光光线照射单元3对保持在卡盘工作台2上的晶片照射脉冲激光光线而进行激光加工的装置,卡盘工作台2能够由X轴方向移动单元4和Y轴方向移动单元5驱动而在X轴方向和Y轴方向上移动。
卡盘工作台2具有:吸引部20,其对晶片进行吸引保持;框体21,其围绕吸引部20并进行保持;以及夹持部22,其固定于框体21的外周部。卡盘工作台2的下部与使卡盘工作台2旋转的旋转驱动部23连结。旋转驱动部23被罩24从上方覆盖。
X轴方向移动单元4具有:滚珠丝杠40,其配设在静止基台60上,在X轴方向上延伸;一对导轨41,其与滚珠丝杠40平行地配设;电动机42,其与滚珠丝杠40的一端连结,使滚珠丝杠40旋转;轴承部43,其对滚珠丝杠40的另一端进行支承;以及移动基台44,其内部的螺母与滚珠丝杠40螺合,并且形成于下部的被引导槽441与导轨41滑动接触,X轴方向移动单元4采用如下的结构:通过电动机42使滚珠丝杠40在正反两个方向的任意方向上旋转而使移动基台44在导轨41上被引导从而在+X方向或者-X方向上移动。电动机42由具有CPU、存储器等的控制单元80控制。
并且,X轴方向移动单元4具有X轴方向位置检测单元45,该X轴方向位置检测单元45用于对卡盘工作台2的X轴方向上的位置进行检测。X轴方向位置检测单元45由直线标尺451和读取头452构成,该直线标尺451沿着导轨41配设,该读取头452配设于移动基台44,与移动基台44一同沿着直线标尺451移动。读取头452每隔例如1μm将1个脉冲的脉冲信号发送给控制单元80。控制单元80通过对从读取头452发送来的脉冲信号进行计数而识别出卡盘工作台2在X轴方向上的位置。另外,在作为电动机42使用脉冲电动机的情况下,也可以通过对从控制单元80朝向脉冲电动机输出的驱动脉冲进行计数而识别出卡盘工作台2在X轴方向上的位置。并且,在作为电动机42使用伺服电动机的情况下,也可以通过向控制单元80发送对伺服电动机的转速进行检测的旋转编码器所输出的脉冲信号,并由控制单元80对该脉冲信号进行计数,而对卡盘工作台2的X轴方向位置进行检测。
Y轴方向移动单元5具有:滚珠丝杠50,其在Y轴方向上延伸;一对导轨51,其与滚珠丝杠50平行地配设;电动机52,其与滚珠丝杠50的一端连结,使滚珠丝杠50旋转;轴承部53,其对滚珠丝杠50的另一端进行支承;以及移动基台54,其内部的螺母与滚珠丝杠50螺合,并且形成于下部的被引导槽541与导轨51滑动接触,该Y轴方向移动单元5采用如下的结构:通过电动机52使滚珠丝杠50在正反两个方向的任意方向上旋转,而使移动基台54在导轨51上被引导从而在+Y方向或者-Y方向上移动。电动机52由控制单元80控制。
并且,Y轴方向移动单元5具有Y轴方向位置检测单元55,该Y轴方向位置检测单元55用于对卡盘工作台2的Y轴方向上的位置进行检测。Y轴方向位置检测单元55由直线标尺551和读取头552构成,该直线标尺551沿着导轨51配设,该读取头552配设于移动基台54,与移动基台54一同沿着直线标尺551移动。读取头552每隔例如1μm将1个脉冲的脉冲信号发送给控制单元80。控制单元80通过对从读取头552发送来的脉冲信号进行计数而识别出卡盘工作台2的Y轴方向上的位置。另外,在作为电动机52使用脉冲电动机的情况下,也可以通过对从控制单元80朝向脉冲电动机输出的驱动脉冲进行计数而识别出卡盘工作台2的Y轴方向上的位置。并且,在作为电动机52使用伺服电动机的情况下,也可以通过向控制单元80发送对伺服电动机的转速进行检测的旋转编码器所输出的脉冲信号,并由控制单元80对该脉冲信号进行计数,而对卡盘工作台2的Y轴方向位置进行检测。
从静止基台60的后部(+Y方向)侧竖立设置有支承部件61,外壳62从支承部件61向-Y方向侧延伸。在外壳62中具有激光光线照射单元3和对准单元7。
对准单元7具有照相机70,能够根据照相机70对保持在卡盘工作台2上的晶片进行拍摄所取得的图像而对应该激光加工的位置进行检测。
如图2所示,激光光线照射单元3具有:脉冲激光光线振荡单元31;聚光器32,其对从脉冲激光光线振荡单元31振荡出的脉冲激光光线进行聚光而向保持在卡盘工作台2上的晶片W照射;以及分色镜33,其配设在脉冲激光光线振荡单元31与聚光器32之间,将从脉冲激光光线振荡单元31振荡出的脉冲激光光线向聚光器32引导。脉冲激光光线振荡单元31由脉冲激光振荡器311和附设于该脉冲激光振荡器311的重复频率设定单元312构成。聚光器32具有对从脉冲激光光线振荡单元31振荡出的脉冲激光光线LB进行聚光的聚光透镜321。配设在脉冲激光光线振荡单元31与聚光器32之间的分色镜33具有如下的功能:使从脉冲激光光线振荡单元31振荡出的脉冲激光光线LB反射而向聚光器32引导,并且透射脉冲激光光线LB的波长以外的波长的光。
激光光线照射单元3具有:闪光灯光照射单元34,其将光照射到分色镜33与聚光器32的路径;分束器35,其配设在闪光灯光照射单元34与分色镜33之间,使来自保持在卡盘工作台2上的晶片W的光分支;以及拍摄单元36,其配设在分束器35所分支的路径。闪光灯光照射单元34由闪光灯光源341、光阑342、透镜343以及方向转换反射镜344构成,由例如氙闪光灯构成的该闪光灯光源341发出白色光,该光阑342规定从闪光灯光源341发出的白色光的视野尺寸,该透镜343用于将通过了光阑342的白色光聚光到保持在卡盘工作台2上的晶片W,该方向转换反射镜344将透镜343所聚光的白色光朝向分束器35进行方向转换。闪光灯光源341在控制单元80的控制下发光。
分束器35将闪光灯光照射单元34的方向转换反射镜344引导来的白色光引导到分色镜33,并且将来自保持在卡盘工作台2上的晶片W的光引导到拍摄单元36。
拍摄单元36由透镜组361和拍摄元件(CCD)362构成,该透镜组361由像差校正透镜361a和成像透镜361b构成,该拍摄元件(CCD)362对透镜组361所捕捉的图像进行拍摄,该拍摄单元36将拍摄到的图像信号发送给控制单元80。
图1所示的控制单元80与具有存储器等存储元件的存储单元81连接,参照存储于存储单元81的信息而对各部位进行控制。
接着,对如下的方法进行说明:使用像以上那样构成的激光加工装置1,在图3的(a)所示的晶片W的正面W1上形成激光加工槽,并检查激光加工槽是否形成于规定的位置。
在该晶片W的正面W1上,在呈格子状形成的分割预定线(以下,记作“线”。)L所划分出的各区域中形成有器件D。该晶片W的背面粘贴在带T上。在带T的外周部粘贴有环状的框架F,晶片W借助带T支承于框架F。并且,在图1所示的卡盘工作台2的吸引部20中隔着带T对晶片W进行吸引保持,通过夹持部22对框架F进行固定。
构成晶片W的各器件D在半导体制造工艺中形成于硅等基板的正面上,各器件D内的电路图案在步进器中通过借助中间掩模的投影曝光而形成。在中间掩模中形成有各器件D的电路图案,在制作1张晶片W时,使用多个中间掩模。
晶片W包括与所使用的中间掩模对应地进行了分割的区域,图3的(a)所示的晶片W具有区域11~16。例如,如图3的(b)所示,在各区域11~16中形成有在X轴方向上延伸的线LX1~LX5和在Y轴方向上延伸的线LY1~LY3。按照各中间掩模决定X轴方向上的线数和Y轴方向上的线数。
(1)加工条件设定步骤
(1a)金属图案位置存储步骤
如图3的(b)所示,在区域11~16的线LX1和LX3中形成有由铜等金属构成的被称为TEG(测试组件组)的金属图案17。并且,在线LY3中也形成有金属图案18。金属图案17、18在各个区域11~16中按照一定的周期形成。因此,在任意的区域中都在同一部位形成有金属图案17、18。在图3的(b)的例子中,虽然在线LX1和LX3以及线LY3中形成有金属图案17、18,但形成有金属图案的线不限于这些线。金属图案17、18具有作为用于发现产生于各器件D的设计上或制造上的问题的测试用元件的功能。由于金属图案17、18也通过借助中间掩模的溅射、CVD等而形成,因此在中间掩模中形成有与金属图案17、18对应的掩模。
这样,作为中间掩模的规格,制定了X轴方向的线数、Y轴方向的线数、形成有金属图案的线、金属图案的周期以及位置信息这样的信息。这些信息例如由操作员使用激光加工装置1所具有的未图示的输入单元(例如,键盘、触摸面板等)进行输入从而存储于图1所示的存储单元81。并且,这些信息也可以作为来自之前工序的信息通过某种介质而由存储单元81读入并存储。
操作员根据与中间掩模的规格有关的信息而作为实施激光加工槽是否形成于期望的位置的检查(切口检查)的线而设定未形成有金属图案17、18的线并进行输入,并使存储单元81存储。例如,在图3的(b)的例子中,将线LX4设定为切口检查的对象。
关于晶片W的最外线相当于中间掩模的哪条线,也由操作员输入存储单元81。例如,由于图3的(a)所示的区域15的线LX1是晶片W的最外线,因此在存储单元81中存储有中间掩模的线LX1是最外线的意思的信息。
此外,关于在激光加工后对激光加工槽进行检查时的X轴方向上的检查开始位置XS,也由操作员存储于存储单元81。检查开始位置XS位于从晶片W的中心O起在X轴方向上移位了X1后的位置,将该X1的值存储于存储单元81。操作员一边通过图1所示的照相机70对晶片W进行拍摄并对未图示的监视器上所成像的图像进行观察,一边选择未形成有金属图案17、18的位置来决定X1的值。
除此之外,晶片W的尺寸(直径)、相邻的线间的距离即转位尺寸(从某条线的中央到其相邻的线的中央的距离)等信息也存储于存储单元81。
(1b)对准信息存储步骤
并且,操作员确定出在之后的对准步骤中对应该加工的线进行检测时的图案匹配中所使用的关键图案,使存储单元81存储包含该关键图案在内的图像。例如,预先选择器件D中的具有特征性的形状的特定的电路图案(例如图4所示的关键图案KP)作为图案匹配用的关键图案,使存储单元81存储包含该关键图案KP在内的图像。并且,在存储单元81中还存储有从该关键图案KP到相邻的在X轴方向上延伸的线(例如线LX2)的中央LO为止的距离DY的值。另外,作为关键图案不仅使用器件D的电路图案,也可以使用为了用于图案匹配而设置于晶片W的器件D以外的部分的图案。
(2)对准步骤
(2a)晶片W的朝向的调整
通过使卡盘工作台2向-X方向移动而将保持在卡盘工作台2上的晶片W定位在照相机70的下方。并且,通过图案匹配对图4所示的2个关键图案KP(例如位于X轴方向的两端部的位置的2个关键图案KP)进行检测。
控制单元80分别进行与确定的线相邻的2个关键图案KP的图案匹配,求出检测出的2个图案的位置的Y坐标。如图4所示,如果所求出的2个图案的Y坐标一致,则控制单元80判断为各线朝向与X轴方向平行的方向。另一方面,在2个图案的Y坐标不一致的情况下,控制单元80对连结2个图案的线与X轴所呈的角度进行计算,对图1所示的旋转驱动部23进行驱动而使卡盘工作台2旋转该角度的量,使X轴与连结2个图案的线平行。并且,控制单元80对线LX2的中央线LO的Y坐标进行识别。
(2b)晶片中心位置的计算
接着,一边使卡盘工作台2旋转,一边对于晶片W的周缘对例如3个部位(例如图5所示的周缘区域E1、E2、E3)进行拍摄而取得各自的图像,并进行边缘检测,由此控制单元80分别求出晶片W的周缘上的3点的X-Y坐标。具体而言,在周缘区域E1、E2、E3的各自的图像中,通过进行将像素值变化成某阈值以上的部分识别为边缘的图像处理而求出3点的X-Y坐标。控制单元80根据这3点的坐标而求出晶片W的中心O的X-Y坐标。
(2c)最外线位置的计算
接着,控制单元80根据预先存储于存储单元81的晶片W的尺寸(直径),将从中心O按照半径的量向外周侧远离的位置设为晶片W的边缘E,对该边缘的Y坐标进行计算。并且,根据边缘的Y坐标以及存储于存储单元81的晶片W的转位尺寸以及X轴方向的线数,而求出最初进行激光加工的最外线的Y坐标,并使存储单元81存储。该最外线是区域14、15、16的线LX1。这样,通过以晶片W的中心O为基准而求出最外线LX1,即使当向卡盘工作台2搬入晶片W时卡盘工作台2的中心与晶片W的中心不一致,也能够准确地求出最外线LX1的位置。
另外,也可以为了最外线的检测,而在晶片W的器件以外的区域中形成特别的靶图案,根据与该靶图案的位置关系求出最外线的位置。在该情况下,即使卡盘工作台2的中心与晶片W的中心不一致,也能够准确地求出最外线LX1的位置。
(3)激光加工槽形成步骤
如上所述,在将激光加工和通过激光加工而形成的激光加工槽的检查所需要的信息存储于存储单元81之后,沿着各线进行实际的激光加工,并且对通过激光加工而形成的激光加工槽是否形成于期望的位置进行检查(切口检查)。
首先,使聚光器32位于对准步骤中检测出的作为最外线的线LX1的一端的正上方。并且,如图6的(a)所示,将从激光光线照射单元3的聚光器32照射的脉冲激光光线的聚光点P定位在晶片W的正面W1附近。接着,从聚光器32照射对于晶片W具有吸收性的波长(例如为355nm)的脉冲激光光线,并且通过图1所示的X轴方向移动单元4使卡盘工作台2在-X方向上以规定的移动速度进行移动加工进给。
并且,如图6的(b)所示,当线LX1的另一端(在图6的(b)中为右端)到达聚光器32的正下方位置时,停止脉冲激光光线的照射并且停止卡盘工作台2的移动。其结果为,如图6的(b)和图6的(c)所示,在半导体晶片W的正面W1上沿着线LX1形成有激光加工槽30。
按照例如如下的加工条件进行激光加工。
激光光线的光源:YVO4激光或者YAG激光
波长:355nm
重复频率:50kHz
平均输出:3W
聚光光斑直径:
加工进给速度:100mm/秒
关于切口检查,虽然像后述那样通过对因激光光线的照射而产生的等离子束进行拍摄而进行,但由于像图3的(b)所示那样在线LX1中形成有金属图案17,因此当对线LX1的加工所形成的激光加工槽30进行拍摄而进行切口检查时,在形成有金属图案17的部位与未形成有金属图案17的部位中,等离子束的大小和明亮度完全不同,因此有可能在与通常的等离子束不同的位置上进行错误识别。因此,对于线LX1不进行切口检查,而转移到下一线LX2的加工。
接着,使聚光器32按照存储于存储单元81的转位尺寸的量向+Y方向移动,将线LX2定位于聚光器32的正下方。并且,与线LX1的加工时同样,将从激光光线照射单元3的聚光器32照射的脉冲激光光线的聚光点P定位在晶片W的正面W1附近,从聚光器32照射对于晶片W具有吸收性的波长的脉冲激光光线,并且使卡盘工作台2在与线LX1的加工时相反的方向(+X方向)上移动,由此沿着线LX2形成激光加工槽30。
接着,使聚光器32按照存储于存储单元81的转位尺寸的量向+Y方向移动,将线LX3定位于聚光器32的正下方。与线LX1同样地进行之后的线LX3的加工。
接着,使聚光器32按照存储于存储单元81的转位尺寸的量向+Y方向移动,将线LX4定位于聚光器32的正下方。并且,与线LX2的加工时同样,将从激光光线照射单元3的聚光器32照射的脉冲激光光线的聚光点P定位在晶片W的正面W1附近,从聚光器32照射对于晶片W具有吸收性的波长的脉冲激光光线,并且使卡盘工作台2在与线LX3的加工时相反的方向(+X方向)上移动而形成激光加工槽30。
(4)加工位置测量步骤
由于在金属图案位置存储步骤中将线LX4作为切口检查对象存储于存储单元81,因此在该步骤中,控制单元80从存储单元81读出该信息,在线LX4中的形成有金属图案17、18的位置以外的位置,对线LX4的加工所形成的激光加工槽进行切口检查。
由于从激光光线照射单元3的脉冲激光光线振荡单元31振荡的脉冲激光光线的重复频率为50kHz,因此像图7所示那样向保持在卡盘工作台2上的半导体晶片W每隔20μs照射1个脉冲的脉冲激光光线LB。
每隔一定的时间间隔而取得切口检查用的图像。例如,在图7所示的例子中,在照射第2次的脉冲激光光线之后,控制单元80使闪光灯光照射单元34的闪光灯光源341进行动作并且在时段t1打开拍摄单元36的快门。因此,与在时段t1之间所照射的脉冲激光光线LB的等离子束一同,通过拍摄单元36对加工区域进行拍摄而取得时段t1之间的图像。并且,在从闪光灯光源341的发光起经过了100μs之后,再次使闪光灯光源341发光,由拍摄单元36进行相同的拍摄。
在图7的例子中,进行设定使得在从脉冲激光光线的振荡开始起50μs的时刻使白色光WL发光,以后每经过100μs使白色光WL发光而照射到保持在卡盘工作台2上的晶片W。
当向晶片W照射脉冲激光光线时,如图8所示,产生等离子束300。图8所示的图像是通过拍摄单元36对加工区域进行拍摄而得到的,该等离子束300在白色光WL发光的时段经由聚光透镜321、分色镜33以及分束器35被引导到拍摄单元36。引导到拍摄单元36的光通过由像差校正透镜361a和成像透镜361b构成的透镜组361而成像于拍摄元件(CCD)362。并且,拍摄元件(CCD)362将所成像的图像信号发送给控制单元80。控制单元80使存储单元81存储以这种方式从拍摄元件(CCD)362每隔100μs发送来的图像信号。由于等离子束300从激光加工槽30的宽度方向中央部分产生,因此能够通过对等离子束300的位置进行检测而对激光加工槽30的位置进行检测。关于切口检查,当聚光器32在线LX4上像图3所示那样位于从晶片W的中心O向-X方向按照X1的量移位的位置时开始进行。将该切口检查的开始时设为图7中的时间0。
如图8所示,在拍摄单元36的中央形成有在X轴方向上延伸的基准线36a。另一方面,像图8的例子那样,通过等离子束300的中心而在X轴方向上延伸的等离子束中央线30a也是激光加工槽30的中央线。因此,如果等离子束中央线30a与基准线36a重叠,则控制单元80判断为对在对准步骤中预先设定的加工位置进行了激光加工。并且,即使等离子束中央线30a与基准线36a不重叠,在该Y轴方向的偏移量37小于规定的阈值的情况下,该控制单元80也判断为对预先设定的加工位置进行了激光加工。预先使存储单元81存储该阈值。另一方面,在偏移量37为该阈值以上的情况下,控制单元80判断为在激光加工槽30与线LX4的中央线之间存在无法容许的偏移,未能对线LX4的期望的位置进行加工。这样,能够通过对等离子束300的位置与所设定的加工位置的位置关系进行测量,而判断是否对期望的位置进行了激光加工。
在图8的例子中,由于激光加工槽30比基准线36a向-Y方向偏移,因此当控制单元80判断为偏移量37为阈值以上时,立即地、即在线LX4的加工中,对图1所示的Y轴方向移动单元5的电动机52进行驱动而使卡盘工作台2向+Y方向错开偏移量37的量,对晶片W的Y轴方向上的位置进行校正。于是,能够使基准线36a位于激光加工槽30的中央,对线LX4的中心进行加工。
另外,也可以在对线LX4的加工结束之后进行加工位置的校正。并且,在采用聚光器32能够在Y轴方向上移动的结构的情况下,也可以不通过卡盘工作台2的移动、而通过使聚光器32的Y轴方向上的位置错开从而对激光加工槽的形成位置进行校正。
这样,在对等离子束300进行拍摄、等离子束300的位置比期望的位置偏移的情况下,由于能够进行校正以使得激光加工槽30处于期望的位置,因此能够准确地对期望的位置进行激光加工。而且,通过激光光线照射单元3所具有的拍摄单元36对等离子束进行拍摄,由此能够在脉冲激光光线的照射的余暇对等离子束进行拍摄,因此能够与激光加工并行地对等离子束的位置进行检测,并且基于该检测结果的激光照射位置的校正也能够立即进行。
在上述实施方式中,虽然对未形成有金属图案17、18的线LX4进行切口检查,但即使是形成有金属图案的线,只要避开形成有金属图案的部分而进行切口检查即可。
在上述实施方式中,关于对在分割预定线中形成有金属图案的晶片进行加工而进行切口检查的情况进行了说明,但也可以将本发明应用于对不存在金属图案的晶片进行加工的情况。在该情况下,由于不需要使存储单元31存储金属图案的位置,因此只要在对准步骤之前使存储单元81存储最外线的位置、晶片W的尺寸、转位尺寸即可。并且,在加工位置测量步骤中,也可以对任意线进行切口检查。
激光加工装置中还包括如下的类型:具有2个聚光器,能够从2个聚光器同时地将2条脉冲激光光线照射到1条分割预定线而形成激光加工槽。在使用这种类型的激光加工装置的情况下,对2个等离子束进行拍摄,求出将2个等离子束的中心间连结的线的中点相对于基准线36a的偏移量,在该偏移量是规定的阈值以上的情况下,与上述同样地进行校正。由此,能够在期望的位置上形成激光加工槽。

Claims (2)

1.一种晶片的加工方法,该晶片在基板的正面上在由呈格子状形成的多条分割预定线划分出的各区域中形成有器件,该晶片的加工方法利用脉冲激光光线照射单元对晶片照射脉冲激光光线而对晶片进行加工,其中,该晶片的加工方法具有如下的步骤:
对准步骤,通过激光加工装置的对准单元对该晶片的作为加工位置的该分割预定线进行检测;
激光加工槽形成步骤,在实施了该对准步骤之后,通过该脉冲激光光线照射单元沿着该分割预定线照射脉冲激光光线,而形成激光加工槽;以及
加工位置测量步骤,在该激光加工槽形成步骤的实施过程中,通过拍摄单元对含有因该脉冲激光光线照射单元对该晶片照射脉冲激光光线而产生的等离子束的加工区域进行拍摄,而对该脉冲激光光线的该等离子束的位置与预先设定的加工位置之间的位置关系进行测量。
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法,其特征在于,
在该晶片的该分割预定线上按照一定的周期形成有测试用的金属图案,
该晶片的加工方法还具有如下的金属图案位置存储步骤:在实施该对准步骤之前,使激光加工装置的存储单元存储该金属图案的周期和位置信息,
在该加工位置测量步骤中,根据在该金属图案位置存储步骤中预先存储的该金属图案的周期和位置信息而在该金属图案位置以外的位置对该位置关系进行测量。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110190009A (zh) * 2018-02-23 2019-08-30 株式会社迪思科 加工装置
CN112775025A (zh) * 2020-12-28 2021-05-11 广东利扬芯片测试股份有限公司 条状芯片智能打点系统及方法

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10192773B2 (en) * 2016-06-20 2019-01-29 Nexperia B.V. Semiconductor device positioning system and method for semiconductor device positioning
JP6870974B2 (ja) * 2016-12-08 2021-05-12 株式会社ディスコ 被加工物の分割方法
JP6938212B2 (ja) 2017-05-11 2021-09-22 株式会社ディスコ 加工方法
JP6925745B2 (ja) * 2017-11-30 2021-08-25 株式会社ディスコ ウェーハのレーザー加工方法
JP7137930B2 (ja) * 2018-01-11 2022-09-15 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法
JP7022624B2 (ja) * 2018-03-13 2022-02-18 株式会社ディスコ 位置付け方法
JP7313805B2 (ja) * 2018-08-15 2023-07-25 株式会社ディスコ 切削装置
JP7325897B2 (ja) * 2019-04-18 2023-08-15 株式会社ディスコ 加工装置及び被加工物の加工方法
JP7305273B2 (ja) * 2019-09-19 2023-07-10 株式会社ディスコ レーザー加工方法及びレーザー加工装置
JP7313253B2 (ja) * 2019-10-10 2023-07-24 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
EP3868508A1 (en) 2020-02-19 2021-08-25 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Laser processing apparatus
JP2023102663A (ja) 2022-01-12 2023-07-25 株式会社ディスコ レーザ光線照射装置及びレーザ光線照射方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1577755A (zh) * 2003-07-02 2005-02-09 株式会社迪斯科 激光束处理方法和激光束处理装置
CN1667797A (zh) * 2004-03-08 2005-09-14 株式会社东芝 半导体器件的制造方法
US20130217153A1 (en) * 2012-02-18 2013-08-22 Advanced Laser Separation International (Alsi) N.V. Method and apparatus for scribing a substantially planar semiconductor substrate with on-the-fly control of scribing alignment
JP2014082296A (ja) * 2012-10-16 2014-05-08 Disco Abrasive Syst Ltd 加工方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012151225A (ja) 2011-01-18 2012-08-09 Disco Abrasive Syst Ltd 切削溝の計測方法
US8557683B2 (en) * 2011-06-15 2013-10-15 Applied Materials, Inc. Multi-step and asymmetrically shaped laser beam scribing
JP5992731B2 (ja) * 2012-06-07 2016-09-14 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1577755A (zh) * 2003-07-02 2005-02-09 株式会社迪斯科 激光束处理方法和激光束处理装置
CN1667797A (zh) * 2004-03-08 2005-09-14 株式会社东芝 半导体器件的制造方法
US20130217153A1 (en) * 2012-02-18 2013-08-22 Advanced Laser Separation International (Alsi) N.V. Method and apparatus for scribing a substantially planar semiconductor substrate with on-the-fly control of scribing alignment
JP2014082296A (ja) * 2012-10-16 2014-05-08 Disco Abrasive Syst Ltd 加工方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110190009A (zh) * 2018-02-23 2019-08-30 株式会社迪思科 加工装置
CN110190009B (zh) * 2018-02-23 2023-08-18 株式会社迪思科 加工装置
CN112775025A (zh) * 2020-12-28 2021-05-11 广东利扬芯片测试股份有限公司 条状芯片智能打点系统及方法

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