CN108695355A - 半导体发光装置 - Google Patents

半导体发光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN108695355A
CN108695355A CN201810234077.3A CN201810234077A CN108695355A CN 108695355 A CN108695355 A CN 108695355A CN 201810234077 A CN201810234077 A CN 201810234077A CN 108695355 A CN108695355 A CN 108695355A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
conductive type
type semiconductor
semiconductor layer
luminescence unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810234077.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108695355B (zh
Inventor
延智慧
成汉珪
林完泰
沈成铉
H·柳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN108695355A publication Critical patent/CN108695355A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108695355B publication Critical patent/CN108695355B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20—Light sources comprising attachment means
    • F21K9/23—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
    • F21K9/232—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings specially adapted for generating an essentially omnidirectional light distribution, e.g. with a glass bulb
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V19/00—Fastening of light sources or lamp holders
    • F21V19/001—Fastening of light sources or lamp holders the light sources being semiconductors devices, e.g. LEDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen

Abstract

一种半导体发光装置包括：多个发光单元，其包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和第一导电类型半导体层与第二导电类型半导体层之间的有源层；绝缘层，其位于所述多个发光单元上，并且在所述多个发光单元中的每一个中，绝缘层具有第一开口和第二开口，所述第一开口和第二开口分别限定第一导电类型半导体层的第一接触区和第二导电类型半导体层的第二接触区；连接电极，其位于绝缘层上，并且将第一接触区与第二接触区连接，以将所述多个发光单元彼此电连接；透明支承衬底，其位于绝缘层和连接电极上；以及透明键合层，其位于绝缘层与透明支承衬底之间。

Description

半导体发光装置
相关申请的交叉引用
于2017年3月31日在韩国知识产权局提交的标题为“半导体发光装置”的韩国专利申请No.10-2017-0041710以引用方式全文并入本文中。
技术领域
本公开涉及一种半导体发光装置。
背景技术
通常，半导体发光装置由于其各种优点(例如，低功耗、高亮度等)被广泛用作光源。具体而言，不仅针对显示装置还针对各种照明装置已有利地采用半导体发光装置。
近来，已按照在高额定电流下使用的多单元结构来实施半导体发光装置。例如，半导体发光装置可具有这样的结构，其中提供了电连接至单个衬底的多个发光二极管(LED)芯片(即，LED单元)。这种电连接(例如，布线或金属布线)不仅可为复杂的而且可为容易短路的。
发明内容
根据示例实施例，一种半导体发光装置包括：具有第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和布置在它们之间的有源层的多个发光单元；绝缘层，其布置在所述多个发光单元的第一表面上，并且在所述多个发光单元中的每一个中，绝缘层具有第一开口和第二开口，所述第一开口和第二开口分别限定第一导电类型半导体层的第一接触区和第二导电类型半导体层的第二接触区；连接电极，其布置在绝缘层上，并且将第一接触区与第二接触区连接，以将所述多个发光单元彼此电连接；透明支承衬底，其布置在绝缘层和连接电极上；以及透明键合层，其布置在绝缘层与透明支承衬底之间。
根据示例实施例，一种半导体发光装置包括：半导体堆叠件，其具有布置为彼此相对的第一表面和第二表面，包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和布置在它们之间的有源层，并且通过隔离区被划分为多个发光单元，第一表面和第二表面分别由第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层提供；绝缘层，其布置在半导体堆叠件的第二表面上，并且在所述多个发光单元中的每一个中，绝缘层具有第一开口和第二开口，所述第一开口和第二开口分别限定第一导电类型半导体层的第一接触区和第二导电类型半导体层的第二接触区；连接电极，其布置在绝缘层上，并且将第一接触区与第二接触区连接，以允许所述多个发光单元彼此电连接；透明键合层，其布置为覆盖其中布置有绝缘层和连接电极的半导体堆叠件的第二表面；以及透明支承衬底，其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，透明支承衬底的第一表面通过透明键合层键合至半导体堆叠件的第二表面。
根据示例实施例，一种半导体发光装置包括：透明支承衬底，其具有第一端部区和第二端部区以及布置在第一端部区与第二端部区之间的发光区；多个发光单元，其包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和布置在它们之间的有源层，并且所述多个发光单元排列在发光区上，以使得第二导电类型半导体层面对透明支承衬底，所述多个发光单元彼此间隔开；绝缘层，其沿着布置在透明支承衬底中的所述多个发光单元的一个表面形成，并且在每个发光单元中，绝缘层具有第一开口和第二开口，所述第一开口和第二开口分别限定第一导电类型半导体层的第一接触区和第二导电类型半导体层的第二接触区；连接电极，其布置在绝缘层上，将彼此邻近的不同发光单元的第一接触区与第二接触区连接，并且具有延伸至透明支承衬底的第一端部区和第二端部区的第一焊盘部分和第二焊盘部分；透明键合层，其布置在透明支承衬底与所述多个发光单元之间；以及波长转换部分，其包围透明支承衬底，以覆盖所述多个发光单元。
附图说明
通过参照附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员将变得清楚，其中：
图1示出了根据示例实施例的半导体发光装置的侧剖视图；
图2示出了图1中的半导体发光装置的俯视图；
图3示出了图1所示的半导体发光装置的部分A的局部放大图；
图4、图5A和图5B示出了根据各个示例实施例的半导体发光装置的俯视图；
图6至图14示出了制造图1所示的半导体发光装置的方法中的各阶段的剖视图；
图15至图18示出了制造图1所示的半导体发光装置的方法中的各阶段的平面图；
图19A至图19D示出了将应用于示例实施例中的复合缓冲层的各个示例的对应的侧剖视图；
图20示出了根据示例实施例的LED模块的侧剖视图；
图21示出图20中的LED模块的主视剖视图；
图22示出了根据示例实施例的LED模块的主视剖视图；
图23示出了根据示例实施例的LED灯的透视图；
图24示出了图23中的LED灯的俯视图；以及
图25A和图25B示出了根据各个示例实施例的LED灯的示图。
具体实施方式
现在将参照附图详细描述实施例。
图1是示出根据示例实施例的半导体发光装置的侧剖视图，图2是示出图1所示的半导体发光装置的俯视图。注意，图1是沿着图2的线I-I'截取的剖视图。
参照图1和图2，根据示例实施例的半导体发光装置100可包括半导体堆叠件130、用于支承半导体堆叠件130的透明支承衬底170和用于将半导体堆叠件130粘合至透明支承衬底170的透明键合层160。半导体发光装置100可被构造为不仅在第一方向L1(即，上部方向L1)上发射光，还在第二方向L2(即，下部方向L2)上发射光。
半导体堆叠件130可包括第一导电类型半导体层132和第二导电类型半导体层137以及位于它们之间的有源层135。例如，第一导电类型半导体层132和第二导电类型半导体层137以及有源层135可为氮化物半导体。第一导电类型半导体层132可设为满足n型AlxInyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的氮化物半导体，并且n型杂质可为Si。例如，第一导电类型半导体层132可为n型GaN。第二导电类型半导体层137可为满足p型AlxInyGa1-x-yN的氮化物半导体层，并且p型杂质可为Mg。例如，第二导电类型半导体层137可为p型AlGaN/GaN。有源层135可具有量子阱层和量子势垒层交替地堆叠的多量子阱(MQW)结构。例如，当使用氮化物半导体时，有源层135可具有GaN/InGaN MQW结构。
半导体堆叠件130可具有分别通过第一导电类型半导体层132和第二导电类型半导体层137提供的第一表面130A和第二表面130B。例如，如图1所示，第一表面130A可为第一导电类型半导体层132的上表面，即，远离透明支承衬底170的表面，并且第二表面130B可为第二导电类型半导体层137的下表面，即，面对透明支承衬底170的表面。
可在半导体堆叠件130的第一表面130A中形成用于提高光提取效率的凹凸部分C。在示例实施例中，凹凸部分C可为突出部分，例如截面为三角形的六棱锥，但是根据需要可具有各种形状。可通过处理第一导电类型半导体层132的表面形成凹凸部分C。与示例实施例不同，保留用于生长半导体堆叠件130的缓冲层，因此可形成凹凸部分C的至少一部分。
如图1和图2所示，可通过隔离区IS将半导体堆叠件130划分为多个发光单元LC。在示例实施例中，隔离区IS不仅可形成在布置在发光单元LC之间的区中，而且还可沿着发光单元LC的周围形成，例如，隔离区IS可包围发光单元LC中的每一个的外围，如平面图中所示。已被划分的发光单元LC的侧表面130S可为向上倾斜的表面。换句话说，如图1所示，隔离区IS可从第一表面130A朝着第二表面130B变窄。上述形状可与用于形成隔离区IS(参照图13和图14)的蚀刻工艺有关。
在示例实施例中，示出了多个发光单元LC按照单行排列的形式，但是示例实施例不限于此。多个发光单元可按照多行排列，或者可具有多种其它排列方式。
在每个发光单元LC中，不仅第二导电类型半导体层137的区而且第一导电类型半导体层132的区可朝着第二表面130B暴露。如图1所示，对有源层135和第二导电类型半导体层137的区ME进行台面蚀刻，从而可暴露出第一导电类型半导体层132的区ME，如下面参照图3更详细地描述的那样。
在半导体堆叠件130的第二表面130B上，可设置用于电连接多个发光单元LC的布线结构。应用于示例实施例的布线结构可包括沿着半导体堆叠件130的第二表面130B形成的绝缘层141以及用于连接多个发光单元LC的第一接触区CA和第二接触区CB的连接电极150。
详细地说，如图1所示，应用于示例实施例的绝缘层141可具有位于发光单元LC的第二表面130B上的第一部分和位于发光单元LC之间的第二部分。例如，如图1所示，绝缘层141的第一部分可沿着发光单元LC的底部的一部分(即，在第二表面130B与透明支承衬底170之间)延伸并且与第二表面130B重叠，绝缘层141的第二部分可在邻近的发光单元LC的底部之间延伸。位于发光单元LC之间的绝缘层141的第二部分可设为隔离区IS的底表面。连接电极150可位于绝缘层141与透明支承衬底170之间，从而连接电极150的相对的边缘可穿过绝缘层141分别电连接至邻近的发光单元LC的第一接触区CA和第二接触区CB，如下面参照图3更详细地描述的。
图3示出了半导体发光装置100的放大部分A。
例如，参照图1和图3，绝缘层141的第一部分和第二部分可交替地排列在透明支承衬底170上，所以绝缘层141的第二部分可例如直接在邻近的第一导电类型半导体层132的下表面的一些部分上延伸，以在邻近的发光单元LC之间连接，并且绝缘层141的第一部分可在第二导电类型半导体层137的下表面的一些部分上在绝缘层141的第二部分之间延伸。这样，参照图1，绝缘层141的第一部分与透明支承衬底170之间的距离可小于绝缘层141的第二部分与透明支承衬底170之间的距离。此外，参照图3，绝缘层141的第二部分(即，位于隔离区IS中的所述部分)的水平H1可与第一导电类型半导体层132被台面蚀刻的一部分的水平H2实质上相同。
如图3进一步示出的，绝缘层141可包括从中穿过的开口，它们分别暴露出邻近的发光单元LC的第一导电类型半导体层132和第二导电类型半导体层137。例如，第一开口O1和第二开口O2(图8)可分别在对应于邻近的发光单元LC(图3)的区中穿过绝缘层141形成，从而第一导电类型半导体层132和第二导电类型半导体层137的台面蚀刻的区ME的一部分可暴露出来。第一导电类型半导体层132和第二导电类型半导体层137的暴露的区可设为第一接触区CA和第二接触区CB。换句话说，穿过绝缘层141的第一开口O1和第二开口O2可分别限定第一接触区CA和第二接触区CB。绝缘层141可由例如SiO2、Si3N4、HfO2、SiON、TiO2、Ta2O3或SnO2形成。
在示例实施例中，还可在第二导电类型半导体层137的下表面上形成欧姆接触层151，例如，欧姆接触层151可形成在第二导电类型半导体层137的下表面与绝缘层141之间。在这种情况下，第二接触区CB可设为欧姆接触层151的暴露区。例如，欧姆接触层151可包括透明导电材料，例如，铟锡氧化物(ITO)。在ITO的情况下，欧姆接触层151可具有电流散布功能。
参照图1和图3，连接电极150可沿着绝缘层141形成，以连接多个发光单元LC的第一接触区CA和第二接触区CB。在示例实施例中，如图2所示，连接电极150可被构造为连接彼此邻近的发光单元LC的不同的区(第一接触区CA和第二接触区CB)，以串联地驱动多个发光单元LC。例如，连接电极150可包括例如银(Ag)、镍(Ni)、铝(Al)、铑(Rh)、钯(Pd)、铱(Ir)、钌(Ru)、镁(Mg)、锌(Zn)、铂(Pt)、金(Au)等，并且可具有由单层或者两层或更多层形成的结构。在示例实施例中，连接电极150可包括Ag或Ag/Ni。
在示例实施例中，另外，可在绝缘层141上布置钝化膜146，以覆盖例如连接电极150的底部，例如，连接电极150可在钝化膜146与绝缘层141之间。例如金属的连接电极150可具有与透明键合层160的键合强度低的问题。因此，根据实施例，可在连接电极150与透明键合层160之间选择性地引入钝化膜146，以提高键合强度。因此，如果在连接电极150与透明键合层160之间存在足够的键合强度，则可省略钝化膜146。钝化膜146可由与绝缘层141相似的材料形成，例如，SiO2、Si3N4、HfO2、SiON、TiO2、Ta2O3或SnO2。
透明支承衬底170可布置在半导体堆叠件130的第二表面130B上，例如，透明键合层160可在透明支承衬底170与半导体堆叠件130的第二表面130B之间。透明支承衬底170可由用于生长半导体堆叠件130的生长衬底替代，作为支承衬底。透明支承衬底170可利用透明键合层160键合至形成有布线结构的半导体堆叠件130的第二表面130B。
透明支承衬底170可由能够透射在有源层135中产生的光的材料合适地形成。例如，透明支承衬底170(不特别限定于，但是)可为蓝宝石衬底或玻璃衬底。除粘合剂聚合物材料以外，透明键合层160还可由旋涂式玻璃形成。例如，粘合剂聚合物可包括硅树脂、环氧树脂、聚丙烯酸脂、聚酰亚胺、聚酰胺或者苯并环丁烯(BCB)。
如图1和图3所示，透明支承衬底170可包括布置在一个表面上的折射率匹配层175，所述一个表面与多个发光单元LC的第二表面130B相对的表面相对，即，发光单元LC和折射率匹配层175可位于透明支承衬底170的相对的表面上。折射率匹配层175可为这样的一层，其被引入以使得光从透明支承衬底170在第二方向L2上更有效地发射，并且折射率匹配层175可由折射率低于透明支承衬底170的折射率的材料形成。
参照图1，在示例实施例中，透明支承衬底170可具有其中未布置发光单元LC的第一端部区E1和第二端部区E2。第一端部区E1和第二端部区E2可位于其中布置有发光单元LC的区(或称作‘发光区’)的相对的边缘上。
如图1和图2所示，连接电极150可具有延伸至第一端部区E1的第一焊盘部分150N(即，第一焊盘连接电极150N)和延伸至第二端部区E2的第二焊盘部分150P(即，第二焊盘连接电极150P)。可在第一焊盘部分150N和第二焊盘部分150P中分别形成第一键合焊盘180N和第二键合焊盘180P。将电压施加至第一键合焊盘180N和第二键合焊盘180P，从而可驱动串联的发光单元LC。第一焊盘部分150N和第二焊盘部分150P可与位于隔离区IS的底表面中的绝缘层141的水平H1位于实质上相同的水平，多个发光单元LC通过隔离区IS彼此间隔开。
如上所述，在示例实施例中，在将半导体堆叠件130的第一表面130A设为主发光表面的同时，将例如透明支承衬底170和透明键合层160的光透射结构设置在第二表面130B(即，相对于第一表面130A的相对表面)上，从而不仅可在第一方向L1上发射光而且可在第二方向L2上发射光。可以将光从其中从两个表面(例如，相对的表面)或者从整个表面(例如，完全包围半导体堆叠件的外围的单个表面)发射的半导体发光装置100有利地应用于各种照明装置等(参照图23、图25A和图25B)。
在上述示例实施例中，示出了发光单元一侧的中心区被台面蚀刻以将单元彼此串联的排列方式，但是实施例不限于此。例如，半导体发光装置可具有多种不同的连接结构和排列方式，如下面参照图4、图5A和图5B更详细地描述的那样。
图4、图5A和图5B分别是示出根据各个示例实施例的半导体发光装置的俯视图。
参照图4，可将根据示例实施例的半导体发光装置100A理解为与参照图1至图3描述的示例实施例相似，不同的是，第一连接电极150a和第二连接电极150b允许多个发光单元LC的拐角彼此连接，并且键合焊盘构造不同。
详细地说，在多个发光单元LC中的每一个中，单个拐角具有台面蚀刻的区ME，并且台面蚀刻的区ME可在发光单元LC的排列方向上按照z字形排列。在这种布置方式中，第一连接电极150a和第二连接电极150b可按照z字形排列，以分别邻近于彼此相对的两侧。在这种布置方式中，在单个发光单元LC中，在对角线方向上形成电流，从而可在整个区域中促进更均匀的光发射。
另外，关于焊盘构造，第一焊盘连接电极150N'和第二焊盘连接电极150P'可位于半导体发光装置100A的相对的端部。第一焊盘连接电极150N'和第二焊盘连接电极150P'可分别与第一连接电极150a和第二连接电极150b按照相同图案形成，并且第一键合焊盘180N'和第二键合焊盘180P'可分别形成在第一焊盘连接电极150N'和第二焊盘连接电极150P'上，以确保足够的接触面积。
参照图5A和图5B，可将根据示例实施例的半导体发光装置100B理解为与参照图1至图4描述的示例实施例相似，不同的是，发光单元LC1、LC2、LC3和LC4串联或并联，并且包括被构造为用于连接发光单元的第一连接电极250a和第二连接电极250b。
详细地说，第一组至第四组的各自的发光单元LC1、LC2、LC3和LC4包括串联的四个发光单元，并且各个组的发光单元LC1、LC2、LC3和LC4中的每一个可具有与先前示例实施例(图1至图3)中的类型相似类型的第一连接电极250a。第一组的发光单元LC1和第三组的发光单元LC3之间的第一连接电极250a以及第二组的发光单元LC2和第四组的发光单元LC4之间的第一连接电极250a可通过将第二连接电极250b连接在它们之间来形成各组之间的期望的并联。详细地说，像图5B所示的等效电路，第一组的发光单元LC1和第二组的发光单元LC2可并联。相似地，第三组的发光单元LC3和第四组的发光单元LC4可并联。另外，关于焊盘构造，位于相对的端部的第一焊盘连接电极250N和第二焊盘连接电极250P中的每一个设为两个电极，并且所述两个电极可连接至单个键合焊盘，即，第一键合焊盘280N和第二键合焊盘280P。
图6至图14是制造图1所示的半导体发光装置的方法中的各阶段的剖视图，并且图15至图18是分别对应于图7、图8、图9和图13的平面图。
参照图6，可在生长衬底101上形成缓冲层110，并且在缓冲层110上形成用于多个发光单元的半导体堆叠件130。半导体堆叠件130可包括第一导电类型半导体层132、有源层135和第二导电类型半导体层137。
缓冲层110可为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1)。例如，缓冲层110可由AlN、AlGaN和/或InGaN形成。根据需要，缓冲层110可用作组合的多个层，或者其组成逐渐改变。当生长衬底为硅(Si)衬底并且允许氮化物半导体生长为半导体堆叠件130时，缓冲层110可具有将参照图19A至图19D描述的具有各种形式的复合缓冲结构。
半导体堆叠件130的每个层可为在先前的示例实施例中示出的氮化物半导体，并且可在诸如金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)或氢化物气相外延(HVPE)的处理中生长在生长衬底101上。欧姆接触层151还可形成在第二导电类型半导体层137上。例如，欧姆接触层151可为ITO。
接着，参照图7和图15，在半导体堆叠件130中，第一导电类型半导体层132的区e可暴露出来。也就是说，可执行蚀刻工艺以去除第二导电类型半导体层137和有源层135的一些部分，从而暴露出区e中的第一导电类型半导体层132。如图15所示，在区e(即，暴露的第一导电类型半导体层132)包围台面结构M的情况下，可设置包括第二导电类型半导体层137以及有源层135的其余部分的至少一个台面结构M。如图7所示，例如完全彼此分离的多个台面结构M可在区e上方延伸。由于台面结构M，可限定用于发光单元的区。
台面结构M的平面可具有实质上矩形形状。台面结构M的平面形状不限于此，并且可为各种其它形状。台面结构M可包括从台面结构M的一侧的中心进一步向内蚀刻的区，以提供接触区，即，图16的第一接触区CA。用于接触区的被进一步蚀刻的区不限于此，而是可具有线形或位于台面区M内部的孔结构。在示例实施例中，除包围用于发光单元的台面结构M的区以外，第一导电类型半导体层132的暴露的区e还可包括用于在两端形成焊盘的区。
接着，参照图8和图16，绝缘层141可形成在图7的结构上，例如，绝缘层141可保形地形成在台面结构M和区e上，然后形成穿过绝缘层141的第一开口O1和第二开口O2。第一开口O1和第二开口O2可形成为暴露半导体堆叠件130的部分。
详细地说，绝缘层141可形成在半导体堆叠件130的整个上表面上，并且可利用掩模形成第一开口O1和第二开口O2。第一开口O1和第二开口O2可限定第一接触区CA和第二接触区CB。例如，绝缘层141可由SiO2、Si3N4、HfO2、SiON、TiO2、Ta2O3或SnO2形成。
另外，如图8和图16进一步示出的，可在半导体堆叠件130的相对的(例如两个)端部形成用于第一焊盘ON的开口和用于第二焊盘OP的开口。例如，可通过去除绝缘层141以暴露出半导体堆叠件130的相对的边缘来形成用于第一焊盘ON的开口和用于第二焊盘OP的开口。
接着，参照图9和图17，可形成用于连接多个发光单元LC的第一接触区CA和第二接触区CB的连接电极150。连接电极150沿着绝缘层141形成，因此可防止与半导体堆叠件130不期望地连接。在图9和图17所示的处理中，连接电极150可连接彼此邻近的发光单元LC的其它接触区(第一接触区CA和第二接触区CB)，以允许多个发光单元LC串联地被驱动。例如，连接电极150可包括Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt或Au。
除连接电极150以外，第一焊盘连接电极150N和第二焊盘连接电极150P可形成在两端，即，半导体堆叠件130的第一端部区E1和第二端部区E2。也就是说，第一焊盘连接电极150N和第二焊盘连接电极150P可形成在用于图8和图16的第一焊盘ON和第二焊盘OP的对应的开口中。第一焊盘连接电极150N和第二焊盘连接电极150P可提供将形成键合焊盘的区。
接着，参照图10，钝化膜146可形成在绝缘层141上，以覆盖连接电极150。如先前讨论的，引入钝化膜146以提高与稍后将形成的透明键合层160的键合强度。钝化膜146可与绝缘层141相似，并且可在沉积处理中形成钝化膜146。例如，钝化膜146可由SiO2、Si3N4、HfO2、SiON、TiO2、Ta2O3或SnO2形成。
接着，参照图11，半导体堆叠件130的第二表面130B可涂布有透明键合层160。当将在后续处理中使用的透明支承衬底(图12的170)的键合表面为实质上平面时，可应用透明键合层160以覆盖半导体堆叠件130的台面结构M。例如，透明键合层160可包括硅树脂、环氧树脂、聚丙烯酸脂、聚酰亚胺、聚酰胺或苯并环丁烯。除上述聚合物以外，还可使用例如旋涂式玻璃来键合透明支承衬底170。另外，针对用于提高光提取效率的折射率匹配效应，透明键合层160可包括折射率在透明支承衬底170的折射率与半导体堆叠件130的折射率之间的材料。
接着，参照图12，使用透明键合层160以将透明支承衬底170键合至半导体堆叠件130的第二表面130B。透明支承衬底170可由能够透射在有源层135中产生的光的材料合适地形成。例如，不特别限制透明支承衬底170，但透明支承衬底170可以是蓝宝石衬底或玻璃衬底。根据需要，为了将透明支承衬底170的厚度减小至期望厚度，可执行研磨处理。在特定示例实施例中，可通过使透明键合层160和透明支承衬底170中的至少一个包含用于转换发射的光的波长的波长转换材料将其设为波长转换部分。
接着，参照图13和图18，可从半导体堆叠件130的第一表面130A去除生长衬底101。这里，可将图13理解为图6至图12的剖面颠倒的剖面。
可通过例如激光剥离、机械抛光、化学机械抛光或者化学蚀刻的各种处理执行生长衬底101的去除。当将硅衬底用作生长衬底101时，机械强度相对低，从而可利用机械或化学机械抛光处理去除生长衬底。在示例实施例中，作为示例，缓冲层110被一起去除，但是示例实施例不限于此。在另一示例实施例中，缓冲层110的至少一部分可保留。
接着，在去除生长衬底101之后，可执行用于形成发光单元LC的隔离处理。可通过相对于半导体堆叠件130的第一表面130A的干法蚀刻或者湿法蚀刻工艺执行隔离处理。例如，可在半导体堆叠件130的第一表面130A上执行利用光致抗蚀剂图案的干法蚀刻工艺，从而去除虚线部分(图13的‘IS’、‘ISN’和‘ISP’)。因此，如图18所示，可保留指示为M'的区。
在隔离处理中，从半导体堆叠件130去除虚线部分。因此，如图14所示，可将半导体堆叠件130完全分离为多个发光单元LC。另外，通过用于形成发光单元LC的隔离处理，可执行用于在半导体堆叠件130的去除了生长衬底101的表面中形成凹凸部分C的表面处理工艺。
在用于隔离的蚀刻工艺中，绝缘层141可用作蚀刻停止层，因此可保护连接电极150。结果，绝缘层141的位于发光单元LC之间的一部分可被暴露出来。另外，从半导体堆叠件130的第一表面130A执行上述蚀刻工艺。因此，如图14所示，半导体堆叠件130的侧表面130S可具有向上倾斜的表面。换句话说，隔离区IS可从第一表面130A朝着第二表面130B变窄。
另外，在上述隔离处理中，去除了半导体堆叠件130的位于两端的部分ISN和ISP，从而第一焊盘连接电极150N的一部分和第二连接电极150P的一部分可分别在第一端部区E1和第二端部区E2上暴露出来(图14)。
如上所述，可执行额外的凹凸部分形成处理。在上述处理中形成的凹凸部分C可提高从半导体堆叠件130的第一表面130A(即，第一导电类型半导体层132或者缓冲层110的表面)的光提取效率。还可通过干法蚀刻或湿法蚀刻工艺执行凹凸部分形成处理。根据需要，可在隔离处理之前执行形成凹凸部分处理。
在透明支承衬底170中，可额外地形成折射率匹配层175以提高在衬底的方向上发射的光的光提取效率。可在图14所示的处理中形成折射率匹配层175，但是示例实施例不限于此。例如，可在(参照图12的)键合处理之前在透明支承衬底170中预先形成折射率匹配层。
图19A至图19D分别是将被应用于示例实施例的缓冲层的各个示例的侧剖视图。除图6所示的缓冲层110以外，还可利用应力补偿层制造根据示例实施例的半导体发光装置。
如图19A所示，缓冲层210、应力补偿层220和氮化物堆叠件230可按次序排列在硅衬底201上。
硅衬底201的示例可包括部分包括硅材料的衬底或者仅由硅材料形成的衬底。例如，绝缘体上硅(SOI)衬底也可用作硅衬底201。硅衬底201的上表面可为(111)平面。缓冲层210可包括布置在硅衬底201上的成核生长层212和布置在成核生长层212上的晶格缓冲层214。
成核生长层212可为AlN层。晶格缓冲层214可通过使穿透位错弯曲允许缺陷减少。随着晶格缓冲层214的厚度增大，可降低随后将生长的第一氮化物半导体层221中的压应力松弛，并且还可减少缺陷。晶格缓冲层214的厚度可在几百纳米(nm)至几微米(μm)的范围内。
虽然晶格缓冲层214可具有单一组成，但是晶格缓冲层214可为AlxInyGa1-x-yN(0≤x，y≤1，x+y≤1)的渐变层。在示例实施例中采用的渐变结构可包括多个层214-1、214-2、……、214-n，并且所述多个层214-1、214-2、……、214-n可具有铝(Al)的组成按次序减少的阶梯渐变结构。在特定示例中，可通过Al组成受到控制的三元AlGaN实现具有渐变结构的晶格缓冲层214。在另一示例中，晶格缓冲层可具有线性渐变结构而非阶梯渐变结构。
就晶格缓冲层214而言，由AlN形成的成核生长层212与第一氮化物半导体层221之间的晶格失配可逐步减小。详细地说，由于晶格缓冲层214可在晶体生长中有效地产生压应力，因此在冷却过程中产生的张应力可减小。
应力补偿层220可包括按次序布置在晶格缓冲层214上的第一氮化物半导体层221、中间层222和第二氮化物半导体层223。
第一氮化物半导体层221可为晶格常数大于晶格缓冲层214的晶格常数的氮化物晶体层。第一氮化物半导体层221可包括AlxInyGa1-x-yN(0≤x，y≤1，x+y＜1)，并且可为例如GaN层。第一氮化物半导体层221可在其与晶格缓冲层214的界面处受到施加其上的压应力。
随着第一氮化物半导体层221的厚度增大，压应力可进一步减轻。如果第一氮化物半导体层221的厚度(约2μm或更大)增大，当在完成生长处理之后在室温下执行冷却时，由于硅衬底201与第一氮化物半导体层221之间的热膨胀系数的差异，会难以控制产生的张应力，甚至可产生裂纹。因此，中间层222可布置在第一氮化物半导体层221上以补偿在冷却过程中出现的张应力。中间层222可为晶格常数小于第一氮化物半导体层221的晶格常数的氮化物晶体层。例如，中间层222可为AlxGa1-xN(0.4＜x＜1)层。
第二氮化物半导体层223可布置在中间层222上。第二氮化物半导体层223可具有压应力。第二氮化物半导体层223的压应力可补偿由第一氮化物半导体层221接收的相对低的压应力或者张应力，因此抑制裂纹的产生。第二氮化物半导体层223可按照与第一氮化物半导体层221相似的方式包括AlxInyGa1-x-yN(0≤x，y≤1，x+y＜1)。例如，第二氮化物半导体层223可为GaN层。第一氮化物半导体层221和第二氮化物半导体层223中的至少一个可为未掺杂的氮化物层，但是不限于此。氮化物堆叠件230可对应于前述示例实施例中的半导体堆叠件130。
参照图19B，缓冲层210、应力补偿层220和氮化物堆叠件230可按照与图19A相似的方式按次序排列在硅衬底201上。另外，除非另有说明，否则通过与图19A中的标号相同的附图标记指代的组件可参照图19A的描述。
与图19A所示的缓冲层210相似，缓冲层210可包括由AlN形成的成核生长层212和晶格缓冲层214'，但是在示例实施例中采用的晶格缓冲层214'可具有与图19A所示的晶格缓冲层214的结构不同的结构。
晶格缓冲层214'可具有超晶格结构，其中具有不同组成的两层或更多层214a和214b交替地堆叠。例如，晶格缓冲层214'可为超晶格层Alx1Iny1Ga1-x1-y1N/Alx2Iny2Ga1-x2-y2N(0≤x1、x2、y1、y2≤1、x1≠x2或y1≠y2、x1+y1≤1、x2+y2≤1)。如在示例实施例中，在其中采用超晶格结构的晶格缓冲层214'也可有效地减轻硅衬底201与第一氮化物半导体层221之间的应力。
除了如以上参照图19A描述的第一氮化物半导体层221和第二氮化物半导体层223以及布置在它们之间的第一中间层222以外，在示例实施例中采用的应力补偿层220还可包括第二中间层224和第三氮化物半导体层225。
可将第二中间层224和第三氮化物半导体层225理解为与第一中间层222和第二氮化物半导体层223具有相似功能的层。例如，第二中间层224可布置在第二氮化物半导体层223上，以补偿在冷却过程中产生的张应力。第二中间层224可由晶格常数低于第二氮化物半导体层223的晶格常数的氮化物晶体形成。例如，与第一中间层222相似，第二中间层224可为AlxGa1-xN(0.4＜x＜1)层。
第三氮化物半导体层225可布置在第二中间层224上。第三氮化物半导体层225可具有压应力，并且第三氮化物半导体层225的压应力可补偿第一氮化物半导体层221和第二氮化物半导体层223(尤其是，第二氮化物半导体层223)受到的相对低的压应力或者张应力，从而抑制发生裂纹。
与第二氮化物半导体层223相似，第三氮化物半导体层225可包括AlxInyGa1-x-yN(0≤x，y≤1，x+y＜1)。例如，第三氮化物半导体层225可为GaN层。
参照图19C，与图19A相似，缓冲层210、应力补偿层220和氮化物堆叠件230可按次序排列在硅衬底201上，同时，与图19A所示的不同，可提供掩模层226和形成在掩模层226上的级联氮化物层227。掩模层226可布置在第一氮化物半导体层221上。
大多数来自第一氮化物半导体层221的穿透位错可被掩模层226阻挡，并且其余穿透位错也可通过级联氮化物层227弯曲以接着生长。结果，可显著改进后续生长的氮化物晶体的缺陷密度。级联氮化物层227的厚度和缺陷密度可根据诸如生长条件(例如，温度、压强和V/III族源的摩尔配比)的变量而改变。
掩模层226可由氮化硅(SiNx)或者氮化钛(TiN)形成。例如，使用硅烷(SiH4)和氨气来形成由SiNx形成的掩模层226。掩模层226可不完全覆盖第一氮化物半导体层221的表面。因此，可根据掩模层226覆盖第一氮化物半导体层221的程度确定掩模层226的暴露区，因此，其上生长的氮化物晶体的初始岛生长图案可改变。例如，当通过增大SiNx的掩模区域来减小氮化物半导体层的暴露区域时，将在掩模层226上生长的级联氮化物层227的初始岛的密度可减小，同时待级联的岛的大小可相对增大。因此，级联氮化物层227的厚度也可增大。
当增加了掩模层226时，由于掩模层226，将各氮化物半导体层之间的应力去耦，从而可部分地阻挡传递至级联氮化物层227的压应力。另外，在生长的岛级联的同时，在级联氮化物层227中，可产生相对张应力。结果，在第一氮化物半导体层221通过缓冲层210受到强压应力的同时，掩模层226上的级联氮化物层227通过应力去耦和岛级联受到相对弱的压应力或张应力。当具有相对低的压应力的层的厚度超过临界点时，在冷却过程中在薄膜中产生裂纹。因此，可在缺陷密度减小的条件下选择级联氮化物层227的厚度，同时不产生裂纹。
参照图19D，示出了按次序布置在硅衬底201上的缓冲层210、应力补偿层220和氮化物堆叠件230。
应用于示例实施例的应力补偿层220可包括在不同生长条件下形成的第一氮化物半导体层220a和第二氮化物半导体层220b。第一氮化物半导体层220a按照二维模式生长，从而表面粗糙度的增加速率受到控制。因此，可减少在与第二氮化物半导体层220b的界面处产生扭转晶界。
第一氮化物半导体层220a可在第一生长条件下形成，以具有这样的表面粗糙度，其中相对于缓冲层210的表面粗糙度的粗糙度比小于3，并且第二氮化物半导体层220b可在第二生长条件下形成在第一氮化物半导体层220a上。这里，在第二生长条件中，与第一生长条件相比，为了增加三维生长模式，温度、压强和V/III族的摩尔配比中的至少一个可与第一生长条件中的不同。第一氮化物半导体层220a的厚度可在2nm至1000nm的范围内。随着第一氮化物半导体层220a的厚度增大，可减少在第一氮化物半导体层220a与第二氮化物半导体层220b的界面处发生扭转晶界。然而，当第一氮化物半导体层220a的厚度较大时，整体薄膜的结晶度会减小。在这方面，因为与氮化物层相比，第一氮化物半导体层220a在相对低的温度下生长，所以缺陷会增加。因此，虽然第一氮化物半导体层220a的厚度薄，但是可减少扭转晶界的发生。
当减小了扭转晶界时，堆叠在第一氮化物半导体层220a上的第二氮化物半导体层220b的缺陷可减小。换句话说，在第一氮化物半导体层220a的厚度在2nm至1000nm的范围内的同时，第一氮化物半导体层220a的粗糙度与缓冲层210的粗糙度的比率在3或更小的范围内。因此，堆叠在第一氮化物半导体层220a上的第二氮化物半导体层220b的缺陷可减少。因此，在小的厚度获得等效结晶度，从而整体结构可变薄。例如，即使不使用掩模层，缓冲层210和应力补偿层220的整体厚度可为6μm或更小。因此，晶体生长操作的处理时间和成本可减少。
第二氮化物半导体层220b可形成为AlxInyGa1-x-yN(0≤x，y≤1，x+y＜1)。在不额外生长不同组成的情况下，第二氮化物半导体层220b可在第一氮化物半导体层220a上连续生长。第二氮化物半导体层220b可与第一氮化物半导体层220a具有相同组成。例如，第一氮化物半导体层220a和第二氮化物半导体层220b可为GaN。在特定示例中，第一氮化物半导体层220a可为未掺杂的GaN，并且第二氮化物半导体层220b可为n型GaN。
根据上述示例实施例的半导体发光装置具有能够从两个表面或者从整个表面发光的结构，并且可有利地用作各种LED模块和照明装置。
图20是示出根据示例实施例的LED模块的侧剖视图，并且图21是示出图20中的LED模块的主视剖视图。
参照图20和图21，LED模块200可包括图1至图3所示的半导体发光装置100、包围半导体发光装置100的波长转换部分190以及连接至半导体发光装置100并且用于施加功率的第一连接端子270a和第二连接端子270b。第一连接端子270a和第二连接端子270b中的每一个可具有用于固定至分离的外部装置(例如，图24中的400)的止动槽271。
波长转换部分190可形成为不仅覆盖布置有多个发光单元LC的上表面，而且覆盖半导体发光装置100的下表面。详细地说，参照图20和图21，波长转换部分190可形成为包围透明支承衬底170，同时覆盖位于透明支承衬底170的上表面上的多个发光单元LC。因此，在两个方向(即，向上的方向L1和向下的方向L2)上发射的光可通过波长转换部分190转换为期望的光。
在图20中，示出了LED模块200的侧剖面，并且波长转换部分190示为位于半导体发光装置100的上部和下部。然而，如图21所示，波长转换部分190可设为包围半导体发光装置100的侧表面。
参照图21，从半导体发光装置100的上表面延伸的安装表面P-P'(参考平面)设为低于穿过波长转换部分190的中心C0的表面CP-CP'，从而波长转换部分190的前部190A的表面区域可设为比后部190B的表面区域更宽。利用这种排列方式，可调整发射至上表面和下表面的光量。
波长转换部分190可包括诸如荧光体或量子点的波长转换材料190P和包含所述材料的透明树脂190S。例如，波长转换材料190P可将通过有源层135产生的光的一部分转换为转换后的波长的光。波长转换材料190P可被构造为获得白光，作为最终出射光。在示例中，波长转换材料190P可包括两种或更多种波长转换材料。例如，波长转换材料可包括绿色荧光体、黄色荧光体和红色荧光体中的至少一个。
图22示出了与上述示例实施例具有不同结构的波长转换部分的LED模块。
参照图22，根据示例实施例的LED模块200'可包括上述根据示例实施例的半导体发光装置100和包围半导体发光装置100的波长转换部分190'。根据示例实施例的波长转换部分190'可包括包围半导体发光装置100的透明树脂层191和包围透明树脂层191的波长转换层192。波长转换层192可与图21所示的波长转换部分190按照相似的方式构造。
与先前示例实施例相比(参照图22)，形成在透明树脂层191上的波长转换层192可设为具有更均匀的厚度，从而可在所有方向上执行均匀的波长转换。另外，在示例实施例中，尽可能将半导体发光装置100布置在安装表面P-P'(参考平面)上，从而与波长转换层192的距离可在所有方向上保持为相对恒定。
图23是示出根据示例实施例的LED灯的透视图，并且图24是示出图23所示的LED灯的俯视图。图24是从图23的方向III观看的示图。
参照图23和图24，根据示例实施例的LED灯1000可包括灯覆盖件800、与灯覆盖件800的一端组合的插口600和安装在灯覆盖件800的内空间上的多个LED模块200(例如，四个LED模块)。
当连接框架420和第一电极框架410a或者第二电极框架410b彼此联系和固定时，LED模块200的主出射表面(换句话说，上表面)可自然地布置在灯覆盖件800的一方向上，并且相对表面可朝着中心部分C1布置。
灯覆盖件800可为由例如玻璃、硬玻璃、石英玻璃或透光树脂形成的球泡覆盖件，并且其为例如透明的、乳白色的、哑光的或彩色的。灯覆盖件800可为多种类型之一。例如，灯覆盖件可为例如A型、G型、R型、PAR型、T型、S型、蜡烛型、P型、PS型、BR型、ER型、BRL型的球泡型覆盖件之一。
插口600与灯覆盖件800组合，以形成LED灯1000的外形，并且可为例如E40、E27、E26、E14、GU、B22、BX、BA、EP、EX、GY、GX、GR、GZ、G型等的插口，以用任何合适的照明装置替换。施加至LED灯1000的电功率可通过插口600施加。电源部分700布置在插口600的内空间中，以对通过插口600施加的电功率进行AC-DC转换，或者改变可针对LED模块200提供的电压。
支承件300的一端安装为固定至插口600的中心部分C1，并且用于固定LED模块200的框架400可布置在支承件300中。在支承件300覆盖灯覆盖件800的开放区的同时，通过高温热处理执行焊接。因此，可形成密闭内空间，从而可相对于外部湿气等保护布置在灯覆盖件800的内空间中的LED模块200。
框架400可由金属材料形成，以在固定LED模块200的同时供应电功率，并且可包括用于连接多个LED模块200的连接框架420以及用于供应电功率的第一电极框架410a和第二电极框架410b。在支承件300的另一端，可形成用于固定连接框架420的座部310。在支承件300的中间，固定安装第一电极框架410a和第二电极框架410b，因此可支承在第一电极框架410a和第二电极框架410b中焊接的多个LED模块200。第一电极框架410a和第二电极框架410b分别连接至嵌入在支承件300中的第一电线500a和第二电线500b，并且可向其施加从电源部分700供应的电功率。
LED模块200可设为多个LED模块，并且多个LED模块可容纳在灯覆盖件800的内空间中。将LED模块200制造为与根据现有技术的白炽灯的灯丝具有相似的形状。而且，当施加功率时，按照与灯丝相似的方式，从LED模块200中发出线光，从而可将LED模块200称作LED灯丝。
参照图24，当从LED灯1000的上部(在方向III上)观看LED模块200时，LED模块200可基于插口600的中心部分C1按照旋转对称方式排列。详细地说，在灯覆盖件800的内空间中，为了允许在第一方向L1(各个LED模块200的主光出射方向)上的光被导向至灯覆盖件800，LED模块200可在支承件300周围旋转对称地布置。在这种布置方式中，LED模块200的向前发出的光通过灯覆盖件800直接出射，并且LED模块200的向后发出的光也有助于总光输出。
应用于示例实施例的LED模块200不仅可具有如图1和图2所示的示例的其中发光单元串联的形状，而且可具有发光单元并联或串并联的形状(例如，参照图5A)。
图25A和图25B是示出根据各个示例实施例的LED灯的示图。
参照图25A，根据示例实施例的LED灯2000可包括具有在一个方向细长的条形的灯覆盖件2420、布置在灯覆盖件2420中的多个LED模块200和布置在灯覆盖件2420的两端的一对插口2470a和2470b。
在示例实施例中，多个LED模块200示为六个LED模块。六个LED模块200成对串联排列，并且两行并列排列。按照两行排列并且并联的LED模块200可布置为允许来自彼此相对的两个表面的光在第一方向L1(主光出射方向)上被导向。连接至六个LED模块200的两端的第一布线2450a和第二布线2450b可分别连接至所述一对插口2470a和2470b。
参照图25B，根据示例实施例的LED灯2000'可按照与先前示例实施例相似的方式包括灯覆盖件2420，但是可包括单个插口2700。另外，根据示例实施例的LED灯2000'可包括串联的三个LED模块200。
应用于示例实施例的插口2700与先前示例实施例中的灯的标准不同，并且包括具有两个极性的连接端子。另外，两个连接端子可被构造为分别连接至第一布线2450a'和第二布线2450b'。
如上所述，根据示例实施例，可设置具有多单元结构的半导体发光装置，其中光从例如连续地包围所述多单元结构的两个表面或者整个表面发射。半导体发光装置可稳定地在多单元之间实施布线结构，即，LED单元的连接电极，以作为各种照明装置的模块，例如，灯丝型LED灯。
也就是说，根据示例实施例，在在台面蚀刻的表面上形成绝缘层之后，形成金属布线，然后进行完全隔离处理，即，形成的彼此分离的多个LED单元，其中外延层同与台面蚀刻的表面相对的表面分离。在隔离处理中，金属布线可受到绝缘层的保护，并且金属布线可不位于隔离的侧表面中。这种金属布线可将所述多个LED单元串联、并联和串并联。
本文已公开了示例实施例，虽然采用了特定术语，但是仅按照一般和描述性含义而非针对限制的目的使用和解释它们。在一些情况下，如本领域普通技术人员之一应该清楚的，除非另有说明，否则随着本申请的提交，结合特定实施例描述的特征、特性和/或元件可单独使用或者与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件联合使用。因此，本领域技术人员应该理解，在不脱离权利要求阐述的本发明的精神和范围的情况下，可作出各种形式和细节上的改变。

Claims (20)

1.一种半导体发光装置，包括：
多个发光单元，所述多个发光单元中的每个发光单元包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和所述第一导电类型半导体层与所述第二导电类型半导体层之间的有源层；
绝缘层，其位于所述多个发光单元上，在所述多个发光单元中的每一个中，所述绝缘层具有第一开口和第二开口，所述第一开口和第二开口分别限定所述第一导电类型半导体层的第一接触区和所述第二导电类型半导体层的第二接触区；
连接电极，其位于所述绝缘层上，并且将所述第一接触区与所述第二接触区连接，以将所述多个发光单元彼此电连接；
透明支承衬底，其位于所述绝缘层和所述连接电极上；以及
透明键合层，其位于所述绝缘层与所述透明支承衬底之间。
2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述多个发光单元排列为通过隔离区彼此间隔，所述绝缘层包括所述隔离区的底部上的第一部分。
3.根据权利要求2所述的半导体发光装置，其中，所述第一导电类型半导体层的第一接触区在所述多个发光单元的从中去除了所述第二导电类型半导体层和所述有源层的一些部分的区中。
4.根据权利要求2所述的半导体发光装置，其中，所述隔离区的宽度随着与绝缘层的距离减小而减小。
5.根据权利要求1所述的半导体发光装置，还包括所述绝缘层上的钝化膜，以覆盖所述连接电极。
6.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述多个发光单元具有凹凸部分，所述凹凸部分和所述绝缘层位于所述第一导电类型半导体层的相对的表面上。
7.根据权利要求1所述的半导体发光装置，还包括折射率匹配层，其位于所述透明支承衬底的上表面上，所述折射率匹配层的折射率低于所述透明支承衬底的折射率。
8.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述透明键合层包括硅树脂、环氧树脂、聚丙烯酸脂、聚酰亚胺、聚酰胺和苯并环丁烯中的至少一个。
9.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述透明键合层包括旋涂式玻璃。
10.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述透明支承衬底是玻璃衬底或蓝宝石衬底。
11.一种半导体发光装置，包括：
半导体堆叠件，其具有彼此相对的第一表面和第二表面，所述半导体堆叠件包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和所述第一导电类型半导体层与所述第二导电类型半导体层之间的有源层，并且所述半导体堆叠件的第一表面和第二表面分别为所述第一导电类型半导体层的表面和所述第二导电类型半导体层的表面；
隔离区，其将所述半导体堆叠件划分为多个发光单元；
绝缘层，其位于所述多个发光单元上，在所述多个发光单元中的每一个中，所述绝缘层具有第一开口和第二开口，所述第一开口和第二开口分别限定所述第一导电类型半导体层的第一接触区和所述第二导电类型半导体层的第二接触区；
连接电极，其位于所述绝缘层上，并且将所述第一接触区与所述第二接触区连接，以将所述多个发光单元彼此电连接；
透明键合层，其覆盖其中布置有所述绝缘层和所述连接电极的半导体堆叠件的第二表面；以及
透明支承衬底，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述透明支承衬底的第一表面通过所述透明键合层键合至所述半导体堆叠件的第二表面。
12.根据权利要求11所述的半导体发光装置，其中，所述第一导电类型半导体层的第一接触区邻近于所述半导体堆叠件的第二表面。
13.根据权利要求12所述的半导体发光装置，其中，所述绝缘层的第一部分在所述隔离区中，所述绝缘层的所述第一部分与所述第一接触区在实质上相同的水平上。
14.根据权利要求11所述的半导体发光装置，其中，所述透明支承衬底的第一表面具有第一区和第二区，在所述第一区中布置有所述半导体堆叠件，并且在所述第二区中没有布置所述半导体堆叠件。
15.根据权利要求14所述的半导体发光装置，其中，所述连接电极具有延伸至所述透明支承衬底的第二区上的焊盘部分。
16.根据权利要求15所述的半导体发光装置，其中，所述连接电极的焊盘部分与所述绝缘层的位于所述隔离区中的那部分在实质上相同的水平上。
17.根据权利要求11所述的半导体发光装置，还包括波长转换部分，其包围所述透明支承衬底以覆盖所述多个发光单元。
18.一种半导体发光装置，包括：
透明支承衬底，其具有第一端部区和第二端部区以及所述第一端部区与所述第二端部区之间的发光区；
在所述发光区上彼此间隔开的多个发光单元，所述多个发光单元中的每个发光单元包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和所述第一导电类型半导体层与所述第二导电类型半导体层之间的有源层，所述第二导电类型半导体层面对所述透明支承衬底；
绝缘层，其位于所述多个发光单元上，在每个发光单元中，所述绝缘层具有第一开口和第二开口，所述第一开口和第二开口分别限定所述第一导电类型半导体层的第一接触区和所述第二导电类型半导体层的第二接触区；
连接电极，其沿着绝缘层并将彼此邻近的不同发光单元的第一接触区与第二接触区连接，并且具有分别延伸至所述透明支承衬底的第一端部区和第二端部区的第一焊盘部分和第二焊盘部分；
透明键合层，其位于所述透明支承衬底与所述多个发光单元之间；以及
波长转换部分，其包围所述透明支承衬底，以覆盖所述多个发光单元。
19.根据权利要求18所述的半导体发光装置，其中，连接电极将所述多个发光单元串联。
20.根据权利要求18所述的半导体发光装置，其中，通过绝缘层提供将所述多个发光单元彼此间隔开的间隔区的底表面，并且所述间隔区的底表面与所述第一焊盘部分和第二焊盘部分位于实质上相同的水平。
CN201810234077.3A 2017-03-31 2018-03-21 半导体发光装置 Active CN108695355B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170041710A KR102385571B1 (ko) 2017-03-31 2017-03-31 반도체 발광 소자
KR10-2017-0041710 2017-03-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108695355A true CN108695355A (zh) 2018-10-23
CN108695355B CN108695355B (zh) 2023-03-10

Family

ID=63670908

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810234077.3A Active CN108695355B (zh) 2017-03-31 2018-03-21 半导体发光装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10566382B2 (zh)
KR (1) KR102385571B1 (zh)
CN (1) CN108695355B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116564947A (zh) * 2023-07-07 2023-08-08 南昌凯捷半导体科技有限公司 一种纵列全彩显示Micro-LED芯片及其制作方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10388690B2 (en) * 2012-08-07 2019-08-20 Seoul Viosys Co., Ltd. Wafer level light-emitting diode array
US10804316B2 (en) 2012-08-07 2020-10-13 Seoul Viosys Co., Ltd. Wafer level light-emitting diode array
KR20180084652A (ko) * 2017-01-16 2018-07-25 서울바이오시스 주식회사 수직형 발광 다이오드
JP6645486B2 (ja) 2017-02-13 2020-02-14 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
US11177417B2 (en) * 2017-02-13 2021-11-16 Nichia Corporation Light emitting device including phosphor layer with protrusions and recesses and method for manufacturing same
KR20210070417A (ko) * 2019-12-04 2021-06-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210105258A (ko) * 2020-02-18 2021-08-26 주식회사 루멘스 엘이디 디스플레이 조명 장치
KR20210143452A (ko) * 2020-05-20 2021-11-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 구비한 발광소자 패키지

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006237071A (ja) * 2005-02-22 2006-09-07 Toyoda Gosei Co Ltd 発光素子およびこれを用いた表示装置
US20100078656A1 (en) * 2008-09-30 2010-04-01 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting device and method of fabricating the same
CN102109115A (zh) * 2010-12-29 2011-06-29 葛世潮 一种P-N结4π出光的高压LED及LED灯泡
CN102859726A (zh) * 2010-04-06 2013-01-02 首尔Opto仪器股份有限公司 发光二极管及其制造方法
US20130015425A1 (en) * 2011-07-12 2013-01-17 Yi-Chieh Lin Light-emitting element with multiple light-emtting stacked layers
CN106206862A (zh) * 2015-05-27 2016-12-07 三星电子株式会社 半导体发光器件

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100481994B1 (ko) 1996-08-27 2005-12-01 세이코 엡슨 가부시키가이샤 박리방법,박막디바이스의전사방법,및그것을이용하여제조되는박막디바이스,박막집적회로장치및액정표시장치
USRE38466E1 (en) 1996-11-12 2004-03-16 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
US7208725B2 (en) 1998-11-25 2007-04-24 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Optoelectronic component with encapsulant
JP3906654B2 (ja) 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 半導体発光素子及び半導体発光装置
KR20040029301A (ko) 2001-08-22 2004-04-06 소니 가부시끼 가이샤 질화물 반도체소자 및 질화물 반도체소자의 제조방법
JP2003218034A (ja) 2002-01-17 2003-07-31 Sony Corp 選択成長方法、半導体発光素子及びその製造方法
JP3815335B2 (ja) 2002-01-18 2006-08-30 ソニー株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
KR100499129B1 (ko) 2002-09-02 2005-07-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
US7002182B2 (en) 2002-09-06 2006-02-21 Sony Corporation Semiconductor light emitting device integral type semiconductor light emitting unit image display unit and illuminating unit
KR100714639B1 (ko) 2003-10-21 2007-05-07 삼성전기주식회사 발광 소자
KR100506740B1 (ko) 2003-12-23 2005-08-08 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100664985B1 (ko) 2004-10-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 소자
JP2008523637A (ja) 2004-12-14 2008-07-03 ソウル オプト−デバイス カンパニー リミテッド 複数の発光セルを有する発光素子及びそれを搭載したパッケージ
KR100665222B1 (ko) 2005-07-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 확산재료를 이용한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
KR100661614B1 (ko) 2005-10-07 2006-12-26 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100723247B1 (ko) 2006-01-10 2007-05-29 삼성전기주식회사 칩코팅형 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
KR100735325B1 (ko) 2006-04-17 2007-07-04 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR100930171B1 (ko) 2006-12-05 2009-12-07 삼성전기주식회사 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈
KR100855065B1 (ko) 2007-04-24 2008-08-29 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지
KR100982980B1 (ko) 2007-05-15 2010-09-17 삼성엘이디 주식회사 면 광원 장치 및 이를 구비하는 ｌｃｄ 백라이트 유닛
KR101164026B1 (ko) 2007-07-12 2012-07-18 삼성전자주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100891761B1 (ko) 2007-10-19 2009-04-07 삼성전기주식회사 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지
KR101332794B1 (ko) 2008-08-05 2013-11-25 삼성전자주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 상기 발광 장치 및발광 시스템의 제조 방법
KR20100030470A (ko) 2008-09-10 2010-03-18 삼성전자주식회사 다양한 색 온도의 백색광을 제공할 수 있는 발광 장치 및 발광 시스템
KR101530876B1 (ko) 2008-09-16 2015-06-23 삼성전자 주식회사 발광량이 증가된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법
US8008683B2 (en) 2008-10-22 2011-08-30 Samsung Led Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
JP5017239B2 (ja) 2008-11-14 2012-09-05 サムソン エルイーディー カンパニーリミテッド． 発光装置及びその製造方法
KR101533817B1 (ko) 2008-12-31 2015-07-09 서울바이오시스 주식회사 복수개의 비극성 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
KR101106151B1 (ko) * 2009-12-31 2012-01-20 서울옵토디바이스주식회사 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
JP6176032B2 (ja) 2013-01-30 2017-08-09 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
KR102037865B1 (ko) 2013-02-01 2019-10-30 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자 제조방법
TWI622189B (zh) 2013-02-08 2018-04-21 晶元光電股份有限公司 發光二極體元件
JP2015038957A (ja) 2013-07-16 2015-02-26 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
EP2983040B1 (en) * 2014-07-25 2019-05-22 LG Display Co., Ltd. Transparent display based on a guest-host cholesteric liquid crystal device
KR102338548B1 (ko) * 2014-07-25 2021-12-14 엘지디스플레이 주식회사 광 제어 장치와 이를 이용한 투명표시장치
TWI677113B (zh) * 2014-12-24 2019-11-11 晶元光電股份有限公司 發光元件以及其製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006237071A (ja) * 2005-02-22 2006-09-07 Toyoda Gosei Co Ltd 発光素子およびこれを用いた表示装置
US20100078656A1 (en) * 2008-09-30 2010-04-01 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting device and method of fabricating the same
CN102859726A (zh) * 2010-04-06 2013-01-02 首尔Opto仪器股份有限公司 发光二极管及其制造方法
CN102109115A (zh) * 2010-12-29 2011-06-29 葛世潮 一种P-N结4π出光的高压LED及LED灯泡
US20130015425A1 (en) * 2011-07-12 2013-01-17 Yi-Chieh Lin Light-emitting element with multiple light-emtting stacked layers
CN106206862A (zh) * 2015-05-27 2016-12-07 三星电子株式会社 半导体发光器件

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116564947A (zh) * 2023-07-07 2023-08-08 南昌凯捷半导体科技有限公司 一种纵列全彩显示Micro-LED芯片及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180111167A (ko) 2018-10-11
US10566382B2 (en) 2020-02-18
US20180286915A1 (en) 2018-10-04
KR102385571B1 (ko) 2022-04-12
CN108695355B (zh) 2023-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108695355A (zh) 半导体发光装置
US9450151B2 (en) Semiconductor light-emitting device
US9680060B2 (en) Light emitting diode having a plurality of light emitting units
CN104966770B (zh) 发光器件
TWI452731B (zh) 光電半導體晶片及其製造方法
US20100051986A1 (en) Light-emitting diodes using nano-rods and methods of manufacturing a light-emitting diode
KR101047720B1 (ko) 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR102122363B1 (ko) 발광장치 및 광원 구동장치
KR20140022640A (ko) 반도체 발광소자 및 발광장치
CN101901859B (zh) 发光器件以及具有该发光器件的发光器件封装
KR102652087B1 (ko) 반도체 발광소자
EP2953175B1 (en) Light emitting device module
EP2405497B1 (en) Light emitting device having an roughened surface
JP2014036231A (ja) 半導体素子の製造方法
KR20160071780A (ko) 반도체 발광 소자의 제조 방법
US20230099215A1 (en) Led lighting apparatus having improved color lendering and led filament
KR20120111364A (ko) 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR101525913B1 (ko) 수직구조 발광다이오드 및 이의 제조방법
KR20110132161A (ko) 반도체 발광 소자 및 그 제조방법
KR101628233B1 (ko) 발광 다이오드 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지
KR20120100057A (ko) 발광 소자 및 발광 소자 제조방법
CN101800273B (zh) 形成横向分布发光二极管的方法
KR102261951B1 (ko) 반도체 소자 및 반도체 소자 제조 방법
KR100972980B1 (ko) 반도체 발광 장치 및 그 제조 방법
US20220181516A1 (en) Mixed color light emitting device

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant