CN108570678A - 一种应用于铜钼膜层的金属蚀刻液 - Google Patents

一种应用于铜钼膜层的金属蚀刻液 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种应用于铜钼膜层的金属蚀刻液，其由以下组分按照重量百分比组成：氧化剂5％‑10％；有机酸1％‑5％；无机酸1％‑5％；螯合剂0.5％‑5％；胺1％‑5％；H2O2稳定剂0.1％‑2％；无机盐0.1％‑1％；水10％‑90％。本发明产品中不含氟化物，则不含氟离子，减轻了蚀刻后产生的废水的处理成本；采用无机酸代替了氟化物，产品不损伤玻璃基板；本发明产品不添加唑类缓蚀剂，操作窗口大，唑类缓蚀剂是通过与金属表面的铜离子形成络合物，以化学吸附成膜，而当药液中存在大量铜离子时，缓蚀剂失去作用，铜蚀刻速率加快，从而对CD LOSS、Taper都有很大影响，本发明产品能够避免此问题。

Description

一种应用于铜钼膜层的金属蚀刻液
技术领域
本发明涉及蚀刻液技术领域，尤其是涉及一种应用于铜钼膜层的金属蚀刻液。
背景技术
蚀刻液，是一种铜版画雕刻用原料，通过侵蚀材料的特性来进行雕刻，根据不同的材质，蚀刻液的组成成分有所不同。
传统的液晶显示装置中的金属布线的材料多为铝或者铝合金，相对应的金属蚀刻液一般为无机酸的混合物。随着显示技术的发展，尤其是向着大型化及高分辨率化的发展中。薄膜晶体管液晶显示器是在扭曲向列液晶显示器中引入薄膜晶体管开关而形成的有源矩阵显示。常见的，通常TFT层中使用非晶硅，作为栅电极和原电极/漏电极的导线材料，铝或其合金以及其他金属如钼作为金属层顺序层压。随着液晶电视尺寸的不断增大，对大尺寸面板的需求不断增加。而栅极和数据线金属电阻率在18英寸以上的显示屏会严重影响画面质量。以铝(包括纯铝、铝钼叠层等)为基础的走线材质因电阻率高的原因，无法彻底解决此问题。且高分辨率高透过率的显示要求，又要求了更细的走线线宽，而铝材质由于场效应迁移率会出现信号延迟的问题，从而导致画面显示不均匀。改进的技术方案采用电阻率较小的铜作为布线材料，但是铜与玻璃基板或硅基板的结合性不佳，需要在两层之间引入钼作为结合层。因此铜/钼叠层薄膜成为薄膜晶体管金属导线发展的主要结构。而现有技术中的蚀刻液：如公开号为：CN103890232A、CN103668208A、CN101684557A等中国专利公开的铜钼蚀刻液，几乎都加入了一定质量分数的氟化物，用来提高铜钼合金的蚀刻速度；但是加入氟化物具备以下缺陷：首先，氟化物电离出氟离子对环境污染大，使得废水处理成本高，再者，氟离子毒性大，对于使用者的危害大，最后，氟离子腐蚀性高，会蚀刻玻璃基材。并且现有技术中许多蚀刻液都加入了唑类缓蚀剂，对CD LOSS、Taper都有很大影响。
针对上述问题，研发出以下专利。
发明内容
针对现有技术存在的不足，本发明的目的是提供一种应用于铜钼膜层的金属蚀刻液。
为了实现上述目的，本发明所采用的技术方案是：一种应用于铜钼膜层的金属蚀刻液，其特征在于：其由以下组分按照重量百分比组成：氧化剂5％-10％；有机酸1％-5％；无机酸1％-5％；螯合剂0.5％-5％；胺1％-5％；H2O2稳定剂0.1％-2％；无机盐0.1％-1％；水10％-90％。
进一步的技术方案中，所述的氧化剂为H2O2。
进一步的技术方案中，所述的有机酸为柠檬酸、酒石酸、苹果酸、水杨酸、乙醇酸、醋酸等水溶性有机酸中的一种或多种。
进一步的技术方案中，所述的无机酸为磷酸、硼酸、硝酸、硫酸中的一种或多种。
进一步的技术方案中，所述的螯合剂为甘氨酸、赖氨酸、乙二胺四乙酸、羟基乙叉二膦酸、氨基三甲叉膦酸、二亚乙基三胺五甲叉膦酸、氨基三亚甲基膦酸中的一种或多种。
进一步的技术方案中，所述的胺为二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺中的一种或多种。
进一步的技术方案中，所述的H2O2稳定剂为植酸，其分子式为：C6H18O24P6。
进一步的技术方案中，所述的无机盐为NH4H2PO4、(NH4)2HPO4、(NH4)3PO4中的一种。
采用上述结构后，本发明和现有技术相比所具有的优点是：
1、本发明中不含氟化物，则不含氟离子，减轻了蚀刻后产生的废水的处理成本；
2、本发明采用无机酸代替了氟化物，产品不损伤玻璃基板；
3、本发明不添加唑类缓蚀剂，操作窗口大，唑类缓蚀剂是通过与金属表面的铜离子形成络合物，以化学吸附成膜，而当药液中存在大量铜离子时，缓蚀剂失去作用，铜蚀刻速率加快，从而对CD LOSS、Taper都有很大影响，本产品能够避免此问题。
具体实施方式
以下仅为本发明的较佳实施例，并不因此而限定本发明的保护范围。
一种应用于铜钼膜层的金属蚀刻液，其由以下组分按照重量百分比组成：氧化剂5％-10％；有机酸1％-5％；无机酸1％-5％；螯合剂0.5％-5％；胺1％-5％；H2O2稳定剂0.1％-2％；无机盐0.1％-1％；水10％-90％。
其中，
氧化剂为H2O2，H2O2通过分解产生氧氢根离子[OH2 -]，保证蚀刻进行，并且决定蚀刻速度；
有机酸为柠檬酸、酒石酸、苹果酸、水杨酸、乙醇酸、醋酸等水溶性有机酸中的一种或多种；
无机酸代替氟化物，无机酸为磷酸、硼酸、硝酸、硫酸中的一种或多种，采用无机酸代替氟化物后产生的废水对环境的污染减少。
采用双氧水与酸配合，能够蚀刻铜、钼。
螯合剂为甘氨酸、赖氨酸、乙二胺四乙酸、羟基乙叉二膦酸、氨基三甲叉膦酸、二亚乙基三胺五甲叉膦酸、氨基三亚甲基膦酸中的一种或多种，这里，螯合剂的作用是用于络合铜钼离子，稳定H2O2。
胺为二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺中的一种或多种，这里，胺的作用是调节PH值。
H2O2稳定剂为植酸，植酸是是从植物种子中提取的一种无毒的有机膦酸化合物，其分子式为：C6H18O24P6，H2O2稳定剂是用于稳定H2O2的，防止蚀刻过程中H2O2分解，并且能够稳定H2O2防止爆沸。
无机盐为NH4H2PO4、(NH4)2HPO4、(NH4)3PO4中的一种，无机盐的作用是用于降低铜钼之间的电场，调节铜钼蚀刻速率。
本发明中靠无机盐调节蚀刻速率的，传统的蚀刻液是加入唑类缓蚀剂调节蚀刻速度的，但唑类缓蚀剂只有在铜离子为零时才起作用，降低铜蚀刻速率；而在铜钼膜层的金属中有铜离子存在时，唑类缓蚀剂不起作用，铜蚀刻速率加快，同样的蚀刻时间下，CD LOSS增大，Taper角不好；用磷酸盐取代，能降低铜钼之间电场，使铜钼的蚀刻速率适当，且磷酸盐不受里面铜离子的影响。
下面具体说明本发明产品的不同实施方案的成分配比：
实验数据:
上述DEA调节pH至3.6-3.8
表格中，CA：柠檬酸(Citric acid)；HP：磷酸(Phosphoric acid)
HB：硼酸(Orthoboric acid)；
EDTA：乙二胺四乙酸(Ethylene Diamine Tetraacetic Acid)
ATZ：5-氨基四唑；DEA：二乙醇胺；HEDP：羟基乙叉二膦酸
ATMP：氨基三亚甲基膦酸
实验结果：
成品玻璃，铜钼32℃
上述铜的最大稳定性是指，在CD Loss小于1um，Taper在30-60°之间，无钼残的前提下，铜离子最大容许浓度。
以上内容仅为本发明的较佳实施例，对于本领域的普通技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (8)

1.一种应用于铜钼膜层的金属蚀刻液，其特征在于：其由以下组分按照重量百分比组成：
2.根据权利要求1所述的一种应用于铜钼膜层的金属蚀刻液，其特征在于：所述的氧化剂为H2O2。
3.根据权利要求1所述的一种应用于铜钼膜层的金属蚀刻液，其特征在于：所述的有机酸为柠檬酸、酒石酸、苹果酸、水杨酸、乙醇酸、醋酸等水溶性有机酸中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的一种应用于铜钼膜层的金属蚀刻液，其特征在于：所述的无机酸为磷酸、硼酸、硝酸、硫酸中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的一种应用于铜钼膜层的金属蚀刻液，其特征在于：所述的螯合剂为甘氨酸、赖氨酸、乙二胺四乙酸、羟基乙叉二膦酸、氨基三甲叉膦酸、二亚乙基三胺五甲叉膦酸、氨基三亚甲基膦酸中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的一种应用于铜钼膜层的金属蚀刻液，其特征在于：所述的胺为二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺中的一种或多种。
7.根据权利要求1所述的一种应用于铜钼膜层的金属蚀刻液，其特征在于：所述的H2O2稳定剂为植酸，其分子式为：C6H18O24P6。
8.根据权利要求1所述的一种应用于铜钼膜层的金属蚀刻液，其特征在于：所述的无机盐为NH4H2PO4、(NH4)2HPO4、(NH4)3PO4中的一种。
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