CN108417483A - 一种8英寸大功率igbt元器件用外延片的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种8英寸大功率IGBT元器件用外延片的制备方法，包括如下步骤：预备衬底片：选用掺磷中阻的8英寸衬底片，电阻率为3～25Ω·cm，背封结构为多晶(Poly)背封模式；HCl抛光：在1080℃下，选择HCl流量为1～2L/min，抛光时间2min，抛光完成后大流量H2吹扫3min；外延生长：选择至少三层外延工艺条件，硅源采用超高纯三氯氢硅，每一层外延生长采用相同的生长温度和生长速率；第一层生长一电阻率平坦的外延层，中间层通入变掺杂流量的掺杂源生长中间过渡层，最后一层生长一高阻外延层。本发明中每一层外延层的生长均采用相同的生长速率和生长温度，便于批产过程中产品外延参数的可控性。

Description

一种8英寸大功率IGBT元器件用外延片的制备方法
技术领域
本发明涉及半导体基础材料硅外延片，尤其涉及一种8英寸大功率IGBT元器件用外延片的制备方法。
背景技术
外延生长工艺是一种在单晶衬底的表面上淀积一个单晶薄层的方法。由于对杂质浓度有良好的控制以及能获得晶体的完整性，气相外延得到了最广泛的应用。
绝缘栅双极晶体管(简称IGBT)是在金属氧化物场效应晶体管和双极晶体管基础上发展起来的一种新型复合功率器件，具有MOS输入、双极输出功能。IGBT集双极晶体管器件通态压降小、载流密度大、耐压高和金属氧化物场效应晶体管驱动功率小、开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好的优点于一身。作为电力电子变换器的核心器件，为应用装置的高频化、小型化、高性能和高可靠性奠定了基础。
8英寸大功率IGBT元器件用外延片的困难点在于：(1)生长厚度较厚，已接近所使用外延设备(PE·3061)的生长上限，导致裂片概率极高、外延片表面滑移线较重；(2)多层参数生长，导致参数较难控制。同时在外延片大规模制备过程中最为关注的两点：(1)产出效率；(2)外延片质量。在外延技术领域，生长速率快，则产出效率高；反之则效率低。但针对8英寸大功率IGBT元器件用外延片，由于生长厚度较厚，单纯提高生长速率会致使外延过程中裂片率大幅提升；为了解决提高生长速率引入的裂片问题，从技术的角度会相应提高生长温度，但随之又会引入滑移线的问题。
因此，亟待解决上述问题。
发明内容
发明目的：本发明的目的是提供一种既可保证产出效率又能提高产品质量的8英寸大功率IGBT元器件用外延片的制备方法。
技术方案：为实现以上目的，本发明一种8英寸大功率IGBT元器件用外延片的制备方法，包括如下步骤：
A、预备衬底片：选用掺磷中阻的8英寸衬底片，电阻率为3～25Ω·cm，背封结构为多晶背封模式；
B、HCl抛光：在1080℃下，选择HCl流量为1～2L/min，抛光时间1～4min，抛光完成后大流量H2吹扫3～5min；
C、外延生长：选择至少三层外延工艺条件，硅源采用超高纯三氯氢硅，每一层外延生长采用相同的生长温度和生长速率；第一层生长一电阻率平坦的外延层，中间层通入变掺杂流量的掺杂源生长中间过渡层，最后一层生长一高阻外延层。
其中，所述外延生长中每一层的生长温度为1055～1065℃，生长速率为2.3～2.5um/min。
优选的，所述变掺杂流量中起始流量值与保持值不同，且起始流量值大于保持值，两值渐变过渡，每一层的渐变时间为180s～600s。
再者，每一层外延层与衬底片的杂质类型相同。
进一步，在进行外延前清除外延设备中石英反应器内壁和石英零件上淀积残留物。
优选的，所述步骤C中选择四层外延工艺条件，硅源采用超高纯三氯氢硅，每一层外延生长采用相同的生长温度和生长速率；第一层生长一电阻率平坦的外延层，第二层和第三层分别通入变掺杂流量的掺杂源生长中间过渡层，最后一层生长一高阻外延层。
有益效果：与现有技术相比，本发明具有以下显著优点：首先本发明中每一层外延层的生长均采用相同的生长速率和生长温度，便于批产过程中产品外延参数的可控性；其次本发明中选择合适的生长速率和生长温度，使得在提高生长速率同时避免外延过程中裂片率的提升，并相应解决提高生长温度带来的滑移线问题；再者本发明在外延生长中间过渡层时，采用变掺杂流量工艺，可改善外延片中心与边缘过渡区的一致性，同时实现缓变式的过渡层，进而改善后续器件的电性参数；还有本发明选用掺磷中阻的8英寸衬底片，可避免衬底在外延过程中引入的自掺杂较重，以及因为8英寸大功率IGBT元器件用外延片表面要求电阻率参数较高，容易受衬底自掺杂因素的影响等问题。
附图说明
图1为本发明所用装置示意图；
图2为本发明外延片纵向结构图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的技术方案作进一步说明。
如图1所示，本发明可采用的设备是意大利生产PE-3061T外延炉。基座是高纯石墨表面经裂解处理并表面包封高纯SiC，用高频感应方式加热。氢纯化器用分子筛吸附，纯度为99.9999％。
本发明一种8英寸大功率IGBT元器件用外延片的制备方法，包括如下步骤：
A、预备衬底片：选用掺磷中阻的8英寸衬底片，电阻率为3～25Ω·cm，背封结构为多晶(Poly)背封模式；
B、反应器清洗：石英钟罩及石英支架在进行高阻外延前必须认真清洗，以清除吸附在石英反应器内壁和石英件的杂质原子和残留物；
C、石墨基座处理：在生长外延前，通HCl气体对基座表面残余的硅、杂质进行处理；
D、外延气相腐蚀：HCl抛光，在1080℃下，选择HCl流量为1～2L/min，抛光时间2min，抛光完成后大流量H2吹扫3min；气相腐蚀的目的是去除衬底表面的自然氧化层和表面金属沾污及其他杂质沾污；
E、外延生长：选择至少三层外延工艺条件，硅源采用超高纯三氯氢硅，每一层外延生长采用相同的生长温度和生长速率；第一层生长一电阻率平坦的外延层，中间层通入变掺杂流量的掺杂源生长中间过渡层，其中变掺杂流量中起始流量值与保持值不同，且起始流量值大于保持值，两值渐变过渡，每一层的渐变时间为180s～600s；最后一层生长一高阻外延层；外延生长中每一层的生长温度为1055～1065℃，生长速率为2.3～2.5um/min；
实施例1
本发明一种8英寸大功率IGBT元器件用外延片的制备方法，包括如下步骤：
A、预备衬底片：选用掺磷中阻的8英寸衬底片，电阻率为3～25Ω·cm，背封结构为多晶(Poly)背封模式；
B、反应器清洗：石英钟罩及石英支架在进行高阻外延前必须认真清洗，以清除吸附在石英反应器内壁和石英件的杂质原子和残留物；
C、石墨基座处理：在生长外延前，基座都必须重新处理；
D、外延气相腐蚀：HCl抛光，在1080℃下，选择HCl流量为1L/min，抛光时间2min，抛光完成后大流量H2吹扫3min；气相腐蚀的目的是去除衬底表面的自然氧化层和表面金属沾污及其他杂质沾污；
E、外延生长：选择四层外延工艺条件，硅源采用超高纯三氯氢硅，每一层外延生长采用相同的生长温度和生长速率；第一层生长一电阻率平坦的外延层，第二层和第三层均通入变掺杂流量的掺杂源生长中间过渡层，其中变掺杂流量中起始流量值与保持值不同，且起始流量值大于保持值，两值渐变过渡，第二层渐变时间为180s，第二层渐变时间为360s；图2提供了不同渐变时间下的产品纵向结构图。最后一层生长一高阻外延层；外延生长中每一层的生长温度为1060℃，生长速率为2.4um/min。
实施例2
本发明一种8英寸大功率IGBT元器件用外延片的制备方法，包括如下步骤：
A、预备衬底片：选用掺磷中阻的8英寸衬底片，电阻率为3～25Ω·cm，背封结构为多晶(Poly)背封模式；
B、反应器清洗：石英钟罩及石英支架在进行高阻外延前必须认真清洗，以清除吸附在石英反应器内壁和石英件的杂质原子和残留物；
C、石墨基座处理：在生长外延前，基座都必须重新处理；
D、外延气相腐蚀：HCl抛光，在1080℃下，选择HCl流量为1L/min，抛光时间2min，抛光完成后大流量H2吹扫3min；气相腐蚀的目的是去除衬底表面的自然氧化层和表面金属沾污及其他杂质沾污；
E、外延生长：选择四层外延工艺条件，硅源采用超高纯三氯氢硅，每一层外延生长采用相同的生长温度和生长速率；第一层生长一电阻率平坦的外延层，第二层和第三层均通入变掺杂流量的掺杂源生长中间过渡层，其中变掺杂流量中起始流量值与保持值不同，且起始流量值大于保持值，两值渐变过渡，第一层的渐变时间为300s，第二层的渐变时间为600s；图2提供了不同渐变时间下的产品纵向结构图。最后一层生长一高阻外延层；外延生长中每一层的生长温度为1060℃，生长速率为2.4um/min。
本发明中采用该制备方法其生产效率相比慢速生长(1.5～2.0um/min)提高近20％；同时表面质量的相应得到提升：外延片表面无晶格缺陷，滑移线方面相比高温工艺条件(片内滑移线总长10～20cm)可改善到＜5cm；裂片概率：相比常规高温快速工艺条件，裂片概率由原来的5％～10％可提高到＜1％。

Claims (6)

1.一种8英寸大功率IGBT元器件用外延片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
A、预备衬底片：选用掺磷中阻的8英寸衬底片，电阻率为3～25Ω·cm，背封结构为多晶背封模式；
B、HCl抛光：在1080℃下，选择HCl流量为1～2L/min，抛光时间1～4min，抛光完成后大流量H2吹扫3～5min；
C、外延生长：选择至少三层外延工艺条件，硅源采用超高纯三氯氢硅，每一层外延生长采用相同的生长温度和生长速率；第一层生长一电阻率平坦的外延层，中间层通入变掺杂流量的掺杂源生长中间过渡层，最后一层生长一高阻外延层。
2.根据权利要求1所述的8英寸大功率IGBT元器件用外延片的制备方法，其特征在于：所述外延生长中每一层的生长温度为1055～1065℃，生长速率为2.3～2.5um/min。
3.根据权利要求1所述的8英寸大功率IGBT元器件用外延片的制备方法，其特征在于：所述变掺杂流量中起始流量值与保持值不同，且起始流量值大于保持值，两值渐变过渡，每一层的渐变时间为180s～600s。
4.根据权利要求1所述的8英寸大功率IGBT元器件用外延片的制备方法，其特征在于：每一层外延层与衬底片的杂质类型相同。
5.根据权利要求1所述的8英寸大功率IGBT元器件用外延片的制备方法，其特征在于：在进行外延前清除外延设备中石英反应器内壁和石英零件上淀积残留物。
6.根据权利要求1所述的8英寸大功率IGBT元器件用外延片的制备方法，其特征在于：所述步骤C中选择四层外延工艺条件，硅源采用超高纯三氯氢硅，每一层外延生长采用相同的生长温度和生长速率；第一层生长一电阻率平坦的外延层，第二层和第三层分别通入变掺杂流量的掺杂源生长中间过渡层，最后一层生长一高阻外延层。
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SE01 Entry into force of request for substantive examination
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GR01 Patent grant
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