CN108389884A - 柔性阵列基板及其制备方法、柔性显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种柔性阵列基板及其制备方法、柔性显示面板。柔性阵列基板包括数个依次排列的像素岛区域，相邻像素岛区域之间设置有柔性区域；像素岛区域包括设置在柔性衬底上有源层、栅绝缘层、栅电极和层间绝缘层，柔性区域包括设置在柔性衬底上的弹性层和连接线，连接线与相邻像素岛区域的栅电极连接。本发明将柔性阵列基板划分为多个像素岛区域和多个柔性区域，像素岛区域设置作为有效显示区的像素单元，柔性区域作为可拉伸或可弯折的区域，仅设置弹性层和连接线，因而有效克服了现有结构存在的绝缘层和栅线容易断裂的问题，可以保证柔性区域具有足够的拉伸和弯折性能，实现了柔性阵列基板良好的可拉伸和可弯折性能。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种柔性阵列基板及其制备方法、柔性显示面板。
背景技术
在显示技术领域，液晶(Liquid Crystal Display，LCD)显示装置和有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示装置已经逐步取代CRT显示器。由于OLED显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽等优点，且可实现大面积全色显示，有望成为继LCD显示技术之后的下一代平板显示技术，是平板显示技术中倍受关注的技术之一。有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED)显示装置是OLED显示装置的一种，主要由薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)和OLED构成。
随着显示技术的不断发展，AMOLED技术越来越多的应用于柔性显示中。对于柔性AMOLED显示面板，柔性阵列基板是主要部件，通常包括设置在柔性基底上交叉排布的数条栅线和数条数据线，栅线和数据线围成矩阵排列的像素单元。由于每个像素单元既有TFT结构，又有OLED结构，还有相应的驱动电路，具有像素密度高、布线密集的特点，因此柔性AMOLED显示面板实现可拉伸、可弯折的难度很大。其中一个难点是进行拉伸或弯折时，绝缘层和栅线容易出现断裂，导致显示面板出现断线不良。
因此，如何实现显示面板的可拉伸和可弯折，是本领域亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题是，提供一种柔性阵列基板及其制备方法、柔性显示面板，以实现显示面板的可拉伸和可弯折。
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种柔性阵列基板，包括数个依次排列的像素岛区域，相邻像素岛区域之间设置有柔性区域；所述像素岛区域包括设置在柔性衬底上有源层、栅绝缘层、栅电极和层间绝缘层，所述柔性区域包括设置在柔性衬底上的弹性层和连接线，所述连接线与相邻像素岛区域的栅电极连接。
可选地，所述弹性层的表面形成有连接凹槽，所述连接线设置在所述弹性层上，且填充所述连接凹槽。
可选地，所述连接线的材料为导电聚合物；在柔性衬底平面上，所述连接线的形状为S形或正弦曲线形。
本发明实施例还提供了一种柔性阵列基板的制备方法，包括：
在数个依次排列的像素岛区域形成有源层、栅绝缘层、栅电极和层间绝缘层；
在相邻像素岛区域之间的柔性区域形成弹性层和连接线，所述连接线与相邻像素岛区域中的栅电极连接。
可选地，在数个依次排列的像素岛区域形成有源层、栅绝缘层、栅电极和层间绝缘层，包括：
在柔性衬底上依次形成有源层、栅绝缘层和栅电极；
通过构图工艺形成层间绝缘层，位于像素岛区域的层间绝缘层开设有第一过孔，位于相邻像素岛区域之间的柔性区域开设有柔性过槽，所述柔性过槽暴露出柔性衬底。
可选地，在相邻像素岛区域之间的柔性区域形成弹性层和连接线，所述连接线与相邻像素岛区域中的栅电极连接，包括：
在所述柔性过槽内形成表面开设有连接凹槽的弹性层；
在所述弹性层上形成填充所述连接凹槽的连接线，所述连接线通过相邻像素岛区域的第一过孔与栅电极连接。
可选地，在所述柔性过槽内形成表面开设有连接凹槽的弹性层，包括：
涂覆弹性材料薄膜，在所述弹性材料薄膜上涂覆光刻胶；
采用半色调或灰色调掩膜版对光刻胶进行阶梯曝光并显影，在像素岛区域形成完全曝光区域，光刻胶被去除，在柔性区域的连接线位置形成部分曝光区域，具有第一厚度的光刻胶，在其余位置形成未曝光区域，具有第二厚度的光刻胶，第二厚度大于第一厚度；
刻蚀掉完全曝光区域的弹性材料薄膜，暴露出层间绝缘层和第一过孔；
通过灰化处理去除部分曝光区域的光刻胶；
刻蚀掉部分曝光区域的弹性材料薄膜，在柔性过槽内形成表面开设有连接凹槽的弹性层。
可选地，在所述弹性层上形成填充所述连接凹槽的连接线，所述连接线通过相邻像素岛区域的第一过孔与栅电极连接，包括：
涂覆负性光刻胶；
采用单色调掩膜版对负性光刻胶进行曝光并显影，去除连接线图案所在位置的负性光刻胶；
涂覆导电聚合物；
剥离负性光刻胶，在弹性层上形成填充连接凹槽的连接线，所述连接线通过相邻像素岛区域的第一过孔与栅电极连接。
可选地，在柔性衬底平面上，所述连接线的形状为S形或正弦曲线形；所述连接线的材料为导电聚合物。
本发明实施例还提供了一种柔性显示面板，柔性显示面板包括前述的柔性阵列基板。
本发明实施例提供了一种柔性阵列基板及其制备方法、柔性显示面板，将柔性阵列基板划分为多个像素岛区域和多个柔性区域，像素岛区域设置作为有效显示区的像素单元，柔性区域设置在两个像素岛区域之间，作为可拉伸或可弯折的区域，柔性区域去除无机材料层，仅设置弹性层和连接线，且连接线采用导电聚合物，既避免了无机材料的断裂，又减小了结构层厚度，因而有效克服了现有结构存在的绝缘层和栅线容易断裂的问题，可以保证柔性区域具有足够的拉伸和弯折性能，实现了柔性阵列基板良好的可拉伸和可弯折性能。
本实施例形成弹性层和连接线过程中，通过采用Halftone构图工艺在连接线下方进行挖槽处理，使导电聚合物填充凹槽，不仅可以保证连接线在水平方向上足够的拉伸和弯折性能，而且极大地增加了连接线与弹性层的粘附力，可以保证连接线在垂直方向上足够的拉伸和弯折性能。
本实施例采用抗拉伸和弯折性较强的导电聚合物制备连接线中，由于采用构图工艺实现，因而利用现有工艺设备即可实现导电聚合物的图形化，无需添加喷墨打印设备，节约了设备成本，生产成本低，保障了工艺质量，具有良好的实施性。
当然，实施本发明的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。本发明的其它特征和优点将在随后的说明书实施例中阐述，并且，部分地从说明书实施例中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明实施例的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
图1为本发明实施例柔性阵列基板的结构示意图；
图2为图1中C区域的放大图；
图3为本发明第一实施例形成缓冲层和有源层图案后的示意图；
图4为本发明第一实施例形成栅绝缘层和栅电极图案后的示意图；
图5为本发明第一实施例形成层间绝缘层图案后的示意图；
图6为本发明第一实施例形成弹性层图案中曝光显影后的示意图；
图7为本发明第一实施例第一次刻蚀工艺后的示意图；
图8本发明第一实施例灰化处理后的示意图；
图9本发明第一实施例第二次刻蚀工艺后的示意图；
图10本发明第一实施例形成连接线图案中曝光显影后的示意图；
图11本发明第一实施例填充导电聚合物后的示意图；
图12本发明第一实施例剥离负性光刻胶后的示意图；
图13本发明柔性阵列基板的制备方法的流程图。
附图标记说明:
10—柔性衬底； 11—缓冲层； 12—有源层；
13—栅绝缘层； 14—栅电极； 15—层间绝缘层；
15a—第一过孔； 15b—柔性过槽； 16—弹性层；
16a—连接凹槽； 17—连接线； 20—像素岛区域；
30—柔性区域； 100—衬底基板； 200—弹性材料薄膜；
300—光刻胶； 400—负性光刻胶。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
为了实现显示面板的可拉伸和可弯折，本发明实施例提供了一种柔性阵列基板及其制备方法、柔性显示面板。图1为本发明实施例柔性阵列基板的结构示意图，图2为图1中C区域的放大图。如图1和图2所示，本发明柔性阵列基板的主体结构包括柔性衬底10，柔性衬底10上设置有依次排列的数个像素岛区域20，相邻像素岛区域20之间设置有柔性区域30。其中，每个像素岛区域20包括至少两个作为有效显示区的像素列，每个像素列包括数个由栅线和数据线限定的像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管结构和有机发光层结构。柔性区域30包括设置在柔性衬底10上的弹性层16和设置在弹性层16上的连接线17，连接线17用于连接相邻像素岛区域20的栅电极。
本发明实施例提供了一种新结构形式的柔性阵列基板，将柔性阵列基板划分为多个刚性区域和多个柔性区域，刚性区域作为有效显示区域，柔性区域作为可拉伸或可弯折的区域，每个刚性区域设置在两个柔性区域之间，或者每个柔性区域设置在两个刚性区域之间。每个刚性区域内设置有作为有效显示区的多个像素单元，形成像素岛区域，每个柔性区域内设置具有较好拉伸或弯折性能的弹性层和连接相邻像素岛区域中栅电极的连接线。本发明通过将有效显示区域和拉伸弯折区域单独设置，因而有效克服了现有结构中存在的绝缘层和栅线容易断裂的问题，实现了柔性阵列基板良好的拉伸和弯折性能。
下面通过具体实施例详细说明本发明实施例的技术方案。
第一实施例
图3～12为本发明第一实施例制备柔性阵列基板的示意图，均为图2中A-A向剖视图。其中，本实施例中所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，是现有成熟的制备工艺。沉积可采用溅射、蒸镀、化学气相沉积等已知工艺，涂覆可采用已知的涂覆工艺，刻蚀可采用已知的方法，在此不做具体的限定。
下面通过柔性阵列基板的制备过程详细说明本实施例的技术方案。本实施例制备柔性阵列基板的总体过程为，先在衬底基板100上形成柔性衬底10，随后在柔性衬底10上形成薄膜晶体管和有机发光层等结构层，待柔性阵列基板制备完成后，将柔性衬底10与衬底基板100剥离。其中，衬底基板100可以采用玻璃或硅等材料，柔性衬底10可以采用聚酰亚胺(Polyimide，PI)材料，厚度为5μm～15μm。
1、在柔性衬底10上形成缓冲层和有源层图案。形成缓冲层和有源层图案包括：在衬底基板100上形成柔性衬底10后，在柔性衬底10上依次沉积缓冲层11和非晶硅薄膜，采用激光镭射的方法对非晶硅薄膜进行处理，使非晶硅薄膜结晶成多晶硅薄膜，在多晶硅薄膜上涂覆一层光刻胶，采用单色调掩膜版对光刻胶进行曝光并显影，对多晶硅薄膜进行刻蚀并剥离剩余的光刻胶，在像素岛区域形成有源层12图案，如图3所示。此工艺后，柔性区域包括形成在柔性衬底10上的缓冲层11。
其中，缓冲层11用于避免衬底基板100中的杂质金属离子在加热工艺中扩散到有源层，防止对阈值电压和漏电流等特性产生影响。合适的缓冲层可以改善多晶硅层背面界面的质量，防止在多晶硅层背面界面出产生漏电流，进一步还可以降低热传导，减缓被激光加热的硅的冷却速率。缓冲层11可以采用氧化硅SiOx、氮化硅SiNx或氮氧化硅Si(ON)x材料，可以为单层、双层或者多层结构，如SiNx/SiOx的复合薄膜，厚度为100nm～500nm，这样可以起到更好的阻挡和平坦作用，同时也有利于薄膜之间的应力释放。
其中，激光镭射可以采用XeCl激光、ArF激光、KrF激光和XeF激光等，这类准分子激光器产生紫外波段的激光束，通过紫外波段的短脉冲激光束照射非晶硅薄膜，非晶硅薄膜会快速吸收激光能量而融化和再结晶。本实施例中，有源层12为低温多晶硅(LowTemperature Poly-Silicon，LTPS)有源层，用于形成LTPS薄膜晶体管。LTPS薄膜晶体管具有多方面的优势，例如，其电子迁移率可以达到200cm2/V-sec以上，不仅可有效减小薄膜晶体管的面积，提高开口率，而且可以在提高显示亮度的同时降低整体功耗。又如，较高的电子迁移率可以将部分驱动电路集成在基板上，减少驱动集成电路IC，大幅度提升柔性显示面板的可靠性，大幅度降低制造成本。有源层12的厚度为40nm～50nm。实际实施时，还可以对有源层12进行处理形成掺杂区，掺杂区可以使源漏电极与有源层之间形成良好的电连接。
实际实施时，可以在缓冲层11中设置遮光功能，形成缓冲遮光层，或在缓冲层与非晶硅薄膜之间设置遮光层。此外，根据阵列基板的类型可以不设置缓冲层和激光处理，如应用于非晶硅薄膜晶体管的阵列基板时，可以不设置缓冲层，也不进行激光处理。当应用于金属氧化物薄膜晶体管的阵列基板时，有源层材料可以氧化物半导体材料，如氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)或氧化铟铝锌(IAZO)。
2、在柔性衬底10上形成栅绝缘层和栅电极图案。形成栅绝缘层和栅电极图案包括：在形成前述图案的柔性衬底10上依次沉积栅绝缘层13和栅金属薄膜，在栅金属薄膜上涂覆一层光刻胶，采用单色调掩膜版对光刻胶进行曝光并显影，对栅金属薄膜进行刻蚀并剥离剩余的光刻胶，在像素岛区域形成形成栅电极14图案，如图4所示。此工艺后，柔性区域包括形成在柔性衬底10上的缓冲层11和栅绝缘层13。
其中，栅绝缘层13可以采用SiOx、SiNx或Si(ON)x材料，可以为单层、双层或者多层结构，如SiNx/SiOx的复合薄膜，厚度为120nm～150nm。栅金属薄膜可以采用铂Pt、钌Ru、金Au、银Ag、钼Mo、铬Cr、铝Al、钽Ta、钛Ti、钨W等金属中的一种或多种，可以为单层、双层或者多层结构。优选为钼Mo或者Ti/Al/Ti三层结构，厚度为200nm～250nm。
3、在柔性衬底10上形成层间绝缘层图案。形成层间绝缘层图案包括：在形成前述图案的柔性衬底10上沉积一层间绝缘薄膜，采用单色调掩膜版对光刻胶进行曝光并显影，在柔性区域30和栅电极14位置形成完全曝光区域，光刻胶被去除，暴露出层间绝缘薄膜，其余位置形成未曝光区域，保留光刻胶，对完全曝光区域进行刻蚀并剥离剩余的光刻胶，形成层间绝缘层15图案，如图5所示。进行刻蚀时，像素岛区域的栅电极14位置的层间绝缘薄膜被刻蚀掉，形成暴露出栅电极14的第一过孔15a，柔性区域的层间绝缘薄膜、栅绝缘层13和缓冲层11被刻蚀掉，形成暴露出柔性衬底10的柔性过槽15b。此工艺后，柔性区域的柔性衬底10上没有结构层。其中，层间绝缘层15可以采用SiOx、SiNx或Si(ON)x材料，可以为单层、双层或者多层结构，如SiNx/SiOx的复合薄膜，厚度为150nm～200nm。
经过前述工艺，在柔性衬底10上形成了多个相互隔离的像素岛区域，像素岛区域内各像素列中的栅电极正常走线，但相邻像素岛区域之间没有信号线连接。由于相邻像素岛区域之间柔性区域的层间绝缘层、栅绝缘层和缓冲层被刻蚀掉，使得这些结构层不参与柔性阵列基板的拉伸或弯折，既避免了SiOx或SiNx材料的断裂，又减小了结构层厚度，有利于拉伸或弯折。
4、在柔性衬底10上形成弹性层图案。形成弹性层图案包括：在形成前述图案的柔性衬底10上涂覆一弹性材料薄膜200，随后继续涂覆一层光刻胶300，采用半色调(Halftone)掩膜版或灰色调掩膜版对光刻胶300进行阶梯曝光并显影，在像素岛区域形成完全曝光区域，光刻胶被去除，在柔性区域的连接线的中部位置形成部分曝光区域，具有第一厚度的光刻胶，在其余位置形成未曝光区域，具有第二厚度的光刻胶，第二厚度大于第一厚度，如图6所示。
通过第一次刻蚀工艺刻蚀掉完全曝光区域的弹性材料薄膜200，暴露出层间绝缘层15和第一过孔15a，如图7所示。
通过光刻胶300灰化处理，使光刻胶300在整体上去除第一厚度，即去除部分曝光区域的光刻胶，暴露出部分曝光区域的弹性材料薄膜200，如图8所示。
通过第二次刻蚀工艺刻蚀掉部分曝光区域的弹性材料薄膜200，随后剥离掉剩余的光刻胶，在柔性区域的柔性过槽15b内形成弹性层16图案，且弹性层16表面上形成有宽度为0.5μm～1μm、深度为0.2μm～0.4μm的连接凹槽16a图案，如图9所示。
本实施例中，弹性层16可以采用PI材料或平坦化(PLN)材料，厚度为1.5μm～2.5μm，连接凹槽16a的横截面形状可以是矩形，也可以是梯形等形状。本实施例采用PI材料形成弹性层，可以进一步减小膜层的应力。
5、在柔性衬底10上形成连接线图案。形成连接线图案包括：在形成前述图案的柔性衬底10上涂覆一负性光刻胶400，采用单色调掩膜版对负性光刻胶400进行曝光并显影，连接线图案所在位置的负性光刻胶被去除，暴露出连接线区域，其余位置仍被负性光刻胶400覆盖，如图10所示。由于负性光刻胶的特性，曝光显影后，保留下的负性光刻胶图案呈现倒梯形。
涂覆一层导电聚合物，导电聚合物填充至暴露出的连接线区域。由于负性光刻胶图案呈现倒梯形，因此填充至连接线区域的导电聚合物与负性光刻胶400存在一定的间隙。由于弹性层16表面上形成有连接凹槽16a，填充至连接线区域的导电聚合物同时填充连接凹槽16a，如图11所示。
将形成前述图案的柔性衬底10浸泡至去除(strip)液中去除负性光刻胶，同时去除负性光刻胶上方的导电聚合物，在柔性区域的弹性层16上形成连接线17图案，连接线17分别通过相邻像素岛区域20的第一过孔15a与相邻像素岛区域的栅电极14连接，如图12所示。
由于连接线17与弹性层16的接触面包括连接凹槽16a，因此连接线17与弹性层16之间具有较强的粘附力，在去除液去除负性光刻胶过程中，连接线17不会随负性光刻胶剥离，保证了连接线17的可靠形成。实际实施时，连接线17与弹性层16的接触面上可以设置多个连接凹槽，进一步保证连接的可靠性。
本实施例中，导电聚合物采用抗拉伸性较强的材料，如纳米银、单壁碳纳米管(Single Walled Carbon Nanotube，SWNT)、石墨烯等，所形成的连接线17的宽度为5μm～10μm，厚度为0.8nm～1.2nm。在柔性衬底的水平面上，连接线17的形状为S形或正弦曲线形，可以使连接线具有良好的拉伸和弯折性能。
为了进一步保证形成连接线17的可靠性，采用的导电聚合物最好与弹性层16之间具有亲液性质，与负性光刻胶之间具有疏液性质，以利于连接线17与弹性层16的可靠附着。进一步地，可以设置负性光刻胶的厚度大于导电聚合物的厚度，以避免导电聚合物挂壁，减少负性光刻胶表面上导电聚合物之间连接的几率。
在后续构图工艺中，在形成有前述图案的基底上，依次形成钝化层、源漏电极、平坦层和有机发光层等结构膜层，最终形成本实施例柔性阵列基板。有关制备钝化层、源漏电极、平坦层和有机发光层等结构膜层的方式可以采用现有成熟的工艺，这里不再赘述。
本实施例所制备的柔性阵列基板包括数个依次排列的像素岛区域20，相邻像素岛区域20之间设置有柔性区域30，其中：
像素岛区域20包括：设置在柔性衬底10上的缓冲层11；设置在缓冲层11上的有源层12；覆盖有源层12的栅绝缘层13；设置在栅绝缘层13上的栅电极14；覆盖栅电极14且具有第一过孔15a的层间绝缘层15。
柔性区域30包括：设置在柔性衬底10上的弹性层16，且弹性层16表面形成有连接凹槽16a；设置在弹性层16上且填充连接凹槽16a的连接线17，连接线17分别通过相邻像素岛区域20的第一过孔15a与栅电极14连接。
实际实施时，可以设置数个像素列的所有像素单元作为一个像素岛区域，也可以将数个像素列的所有像素单元划分为多个像素岛区域，每个像素岛区域包括N个像素行和M个像素列中的像素单元，M、N为大于1的正整数。
本实施例提供了一种柔性阵列基板，将柔性阵列基板划分为多个像素岛区域和多个柔性区域，像素岛区域设置作为有效显示区的像素单元，柔性区域设置在两个像素岛区域之间，作为可拉伸或可弯折的区域，柔性区域去除无机材料的绝缘层，仅设置弹性层和连接线，且连接线采用导电聚合物，既避免了无机材料的断裂，又减小了结构层厚度，因而有效克服了现有结构存在的绝缘层和栅线容易断裂的问题，可以保证柔性区域具有足够的拉伸和弯折性能，实现了柔性阵列基板良好的可拉伸和可弯折性能。
本实施例形成弹性层和连接线过程中，通过采用Halftone构图工艺在连接线下方进行挖槽处理，使导电聚合物填充凹槽，不仅可以保证连接线在水平方向上足够的拉伸和弯折性能，而且极大地增加了连接线与弹性层的粘附力，可以保证连接线在垂直方向上足够的拉伸和弯折性能。
本实施例采用抗拉伸和弯折性较强的导电聚合物制备连接线中，由于采用构图工艺实现，因而利用现有工艺设备即可实现导电聚合物的图形化，无需添加喷墨打印设备，节约了设备成本，生产成本低，保障了工艺质量，具有良好的实施性。
第二实施例
基于本发明的技术构思，本发明实施例还提供了一种柔性阵列基板的制备方法。图13为本实施例柔性阵列基板的制备方法的流程图。如图13所示，柔性阵列基板的制备方法包括：
S1、在数个依次排列的像素岛区域形成有源层、栅绝缘层、栅电极和层间绝缘层；
S2、在相邻像素岛区域之间的柔性区域形成弹性层和连接线，所述连接线分别与相邻像素岛区域中的栅电极连接。
其中，步骤S1包括：
S11、在柔性衬底上依次形成有源层、栅绝缘层和栅电极；
S12、通过构图工艺形成层间绝缘层，位于像素岛区域的层间绝缘层开设有第一过孔，位于相邻像素岛区域之间的柔性区域开设有柔性过槽，柔性过槽内的层间绝缘层和栅绝缘层被刻蚀掉，暴露出柔性衬底。
其中，步骤S2包括：
S21、在所述柔性过槽内形成表面开设有连接凹槽的弹性层；
S22、在所述弹性层上形成填充所述连接凹槽的连接线，所述连接线分别通过相邻像素岛区域的第一过孔与栅电极连接。
其中，步骤S21包括：
S211、涂覆弹性材料薄膜，在所述弹性材料薄膜上涂覆光刻胶；
S212、采用半色调或灰色调掩膜版对光刻胶进行阶梯曝光并显影，在像素岛区域形成完全曝光区域，光刻胶被去除，在柔性区域的连接线位置形成部分曝光区域，具有第一厚度的光刻胶，在其余位置形成未曝光区域，具有第二厚度的光刻胶，第二厚度大于第一厚度；
S213、通过第一次刻蚀工艺刻蚀掉完全曝光区域的弹性材料薄膜，暴露出层间绝缘层和第一过孔；
S214、通过灰化处理去除部分曝光区域的光刻胶，暴露出部分曝光区域的弹性材料薄膜；
S215、通过第二次刻蚀工艺刻蚀掉部分曝光区域的弹性材料薄膜，在柔性区域的柔性过槽内形成表面开设有连接凹槽的弹性层。
其中，弹性层16的厚度为1.5μm～2.5μm，连接凹槽的横截面形状是矩形或梯形，宽度为0.5μm～1μm、深度约0.2μm～0.4μm。
其中，步骤S22包括：
S221、涂覆负性光刻胶；
S222、采用单色调掩膜版对负性光刻胶进行曝光并显影，去除连接线图案所在位置的负性光刻胶被，且保留下的负性光刻胶图案呈现倒梯形；
S223、涂覆导电聚合物，导电聚合物填充至连接线区域以及连接线区域的连接凹槽；
S224、在去除液中剥离负性光刻胶以及负性光刻胶上的导电聚合物，在弹性层上形成填充连接凹槽的连接线，所述连接线分别通过相邻像素岛区域的第一过孔与栅电极连接。
其中，在水平面上，连接线的形状为S形或正弦曲线形，连接线的宽度为5μm～10μm，厚度为0.8nm～1.2nm。
本实施例提供的柔性阵列基板的制备方法，解决技术问题和实现技术效果的原理与前述第一实施例相似，这里不再赘述。
第三实施例
本实施例是基于第一实施例的一种扩展，与第一实施例不同的是，本实施例中，形成弹性层和数据线图案采用喷墨打印方式实现。
本实施例中，从沉积缓冲层到形成层间绝缘层图案，工艺过程与第一实施例相同。形成弹性层图案包括：采用喷墨打印方式，在柔性区域的柔性过槽15b形成上表面开设有连接凹槽的弹性层图案。由于喷墨打印方式可以预先设置不同区域的打印厚度，因此可以在打印弹性层时，在连接线图案所在区域预留出矩形或梯形凹槽。随后，采用喷墨打印方式打印导电聚合物，在弹性层上形成连接线图案，同时导电聚合物填充矩形或梯形凹槽。
本实施例提供的制备过程，不仅具有前述第一实施例实现柔性阵列基板良好的可拉伸和可弯折性能的特点，而且还具有工艺简单等优点。
第四实施例
基于前述实施例的发明构思，本实施例还提供了一种柔性显示面板，该柔性显示面板包括前述实施例的柔性阵列基板。柔性显示面板可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
在本发明实施例的描述中，需要理解的是，术语“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种柔性阵列基板，其特征在于，包括数个依次排列的像素岛区域，相邻像素岛区域之间设置有柔性区域；所述像素岛区域包括设置在柔性衬底上有源层、栅绝缘层、栅电极和层间绝缘层，所述柔性区域包括设置在柔性衬底上的弹性层和连接线，所述连接线与相邻像素岛区域的栅电极连接。
2.根据权利要求1所述的柔性阵列基板，其特征在于，所述弹性层的表面形成有连接凹槽，所述连接线设置在所述弹性层上，且填充所述连接凹槽。
3.根据权利要求1或2所述的柔性阵列基板，其特征在于，所述连接线的材料为导电聚合物；在柔性衬底平面上，所述连接线的形状为S形或正弦曲线形。
4.一种柔性阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
在数个依次排列的像素岛区域形成有源层、栅绝缘层、栅电极和层间绝缘层；
在相邻像素岛区域之间的柔性区域形成弹性层和连接线，所述连接线与相邻像素岛区域中的栅电极连接。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在数个依次排列的像素岛区域形成有源层、栅绝缘层、栅电极和层间绝缘层，包括：
在柔性衬底上依次形成有源层、栅绝缘层和栅电极；
通过构图工艺形成层间绝缘层，位于像素岛区域的层间绝缘层开设有第一过孔，位于相邻像素岛区域之间的柔性区域开设有柔性过槽，所述柔性过槽暴露出柔性衬底。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在相邻像素岛区域之间的柔性区域形成弹性层和连接线，所述连接线与相邻像素岛区域中的栅电极连接，包括：
在所述柔性过槽内形成表面开设有连接凹槽的弹性层；
在所述弹性层上形成填充所述连接凹槽的连接线，所述连接线通过相邻像素岛区域的第一过孔与栅电极连接。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述柔性过槽内形成表面开设有连接凹槽的弹性层，包括：
涂覆弹性材料薄膜，在所述弹性材料薄膜上涂覆光刻胶；
采用半色调或灰色调掩膜版对光刻胶进行阶梯曝光并显影，在像素岛区域形成完全曝光区域，光刻胶被去除，在柔性区域的连接线位置形成部分曝光区域，具有第一厚度的光刻胶，在其余位置形成未曝光区域，具有第二厚度的光刻胶，第二厚度大于第一厚度；
刻蚀掉完全曝光区域的弹性材料薄膜，暴露出层间绝缘层和第一过孔；
通过灰化处理去除部分曝光区域的光刻胶；
刻蚀掉部分曝光区域的弹性材料薄膜，在柔性过槽内形成表面开设有连接凹槽的弹性层。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述弹性层上形成填充所述连接凹槽的连接线，所述连接线通过相邻像素岛区域的第一过孔与栅电极连接，包括：
涂覆负性光刻胶；
采用单色调掩膜版对负性光刻胶进行曝光并显影，去除连接线图案所在位置的负性光刻胶；
涂覆导电聚合物；
剥离负性光刻胶，在弹性层上形成填充连接凹槽的连接线，所述连接线通过相邻像素岛区域的第一过孔与栅电极连接。
9.根据权利要求4～8任一所述的制备方法，其特征在于，在柔性衬底平面上，所述连接线的形状为S形或正弦曲线形，所述连接线的材料为导电聚合物。
10.一种柔性显示面板，其特征在于，包括如权利要求1～3任一所述的柔性阵列基板。
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