CN113555306A - 弹性电子装置及其制备方法 - Google Patents

弹性电子装置及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113555306A
CN113555306A CN202010325241.9A CN202010325241A CN113555306A CN 113555306 A CN113555306 A CN 113555306A CN 202010325241 A CN202010325241 A CN 202010325241A CN 113555306 A CN113555306 A CN 113555306A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
elastic
flexible layer
substrate
flexible
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010325241.9A
Other languages
English (en)
Inventor
袁泽
康佳昊
罗浩俊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Royole Technologies Co Ltd
Royole Corp
Original Assignee
Shenzhen Royole Technologies Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Royole Technologies Co Ltd filed Critical Shenzhen Royole Technologies Co Ltd
Priority to CN202010325241.9A priority Critical patent/CN113555306A/zh
Publication of CN113555306A publication Critical patent/CN113555306A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6835—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used as a support during build up manufacturing of active devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明提供了一种弹性电子装置的制备方法，包括将间隔区(12)的第一柔性层(200)部分的厚度设置小于器件区(11)的第一柔性层(200)部分的厚度；形成覆盖第一柔性层(200)和电子元件(300)的第一弹性层(400)；从第一基底(100)远离第一柔性层(200)的一侧对第一柔性层(200)进行激光照射，并将第一基底(100)移除；将第一柔性层(200)进行处理，形成第一柔性层岛屿(210)；在第一柔性层岛屿(210)和第一弹性层(400)远离电子元件(300)的表面形成第二弹性层(500)。本发明还提供一种弹性电子装置。本发明提供的弹性电子装置的制备方法通过在间隔区保留第一柔性层，使得第一基底和第一柔性层贴合，在激光照射时可有效地将第一基底移除。

Description

弹性电子装置及其制备方法
技术领域
本发明涉及电子技术领域，具体涉及一种弹性电子装置及其制备方法。
背景技术
随着信息技术的快速发展，终端已成为人们生活中不可缺失的一部分，比如智能手机、平板电脑等，而柔性面板是目前柔性显示技术领域的研究热门。现有技术中，在生产柔性面板时一般在刚性基底上涂布柔性材料形成具有拉伸性能的柔性膜层，以使柔性面板具有拉伸弯折性，包括将柔性膜层图案化设置。然后再图案化的柔性膜层表面上设置其他膜层，由于图案化的柔性膜层中设有空隙，使得其他膜层通过该空隙直接与刚性基底粘结，在制作柔性面板完成后，采用激光烧蚀柔性膜层并将刚性基底与柔性面板分离，由于其他膜层对激光不能吸收，使得该其他膜层不能够从刚性基底上分离。
发明内容
本发明内容旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，在本发明的第一个方面，提供一种弹性电子装置的制备方法，包括：
提供第一基底；
在所述第一基底上形成第一柔性层，所述第一柔性层包括器件区以及位于所述器件区之间的间隔区；
在所述第一柔性层远离所述第一基底的表面上形成多个间隔设置的电子元件，所述电子元件位于所述器件区内；
将所述第一柔性层位于所述间隔区的部分进行处理，使所述间隔区的第一柔性层部分的厚度小于所述器件区的第一柔性层部分的厚度；
在所述电子元件远离第一基底的一侧形成第一弹性层，所述第一弹性层覆盖所述第一柔性层和电子元件；
从所述第一基底远离所述第一柔性层的一侧对所述第一柔性层进行激光照射，并将所述第一基底移除；
将所述第一柔性层远离所述第一弹性层的表面进行处理，形成位于所述器件区的第一柔性层岛屿并暴露所述第一柔性层岛屿之间的第一弹性层表面；
在所述第一柔性层岛屿和所述第一弹性层远离所述电子元件的表面形成第二弹性层。
在一较佳实施方式中，在所述“在所述第一柔性层远离所述第一基底的表面上形成多个间隔设置的电子元件，所述电子元件位于所述器件区内”和所述“将所述第一柔性层位于所述间隔区的部分进行处理，使所述间隔区的第一柔性层部分的厚度小于所述器件区的第一柔性层部分的厚度”之间，所述弹性电子装置的制备方法还包括：
在所述电子元件远离所述第一基底的一侧形成多个第一保护层，每个所述第一保护层分别覆盖一个所述电子元件且位于所述器件区内；
所述“将所述第一柔性层位于所述间隔区的部分进行处理，使所述间隔区的第一柔性层部分的厚度小于所述器件区的第一柔性层部分的厚度”和所述“在所述电子元件远离第一基底的一侧形成第一弹性层，所述第一弹性层覆盖所述第一柔性层和电子元件”之间，所述弹性电子装置的制备方法还包括：
将所述第一保护层移除。
在一较佳实施方式中，在所述“在所述电子元件远离第一基底的一侧形成第一弹性层，所述第一弹性层覆盖所述第一柔性层和电子元件”和所述“从所述第一基底远离所述第一柔性层的一侧对所述第一柔性层进行激光照射，并将所述第一基底移除”之间，所述弹性电子装置的制备方法还包括：
在所述第一弹性层远离所述第一基底的一侧形成第二保护层；
在所述“从所述第一基底远离所述第一柔性层的一侧对所述第一柔性层进行激光照射，并将所述第一基底移除”和所述“将所述第一柔性层远离所述第一弹性层的表面进行处理，形成位于所述器件区的第一柔性层岛屿并暴露所述第一柔性层岛屿之间的第一弹性层表面”之间，所述弹性电子装置的制备方法还包括：
在将所述第二保护层远离所述第一弹性层的表面贴设第二基底以支撑所述第二保护层和所述第一弹性层；
在所述“在所述第一柔性层岛屿和所述第一弹性层远离所述电子元件的表面形成第二弹性层”之后，所述弹性电子装置的制备方法还包括：
将所述第二保护层和所述第二基底移除。
在一较佳实施方式中，在所述“在所述电子元件远离第一基底的一侧形成第一弹性层，所述第一弹性层覆盖所述第一柔性层和电子元件”和所述“从所述第一基底远离所述第一柔性层的一侧对所述第一柔性层进行激光照射，并将所述第一基底移除”之间，所述弹性电子装置的制备方法还包括：
在所述第一弹性层远离所述第一基底的表面上形成第三保护层；
在所述“在所述第一柔性层岛屿和所述第一弹性层远离所述电子元件的表面形成第二弹性层”之后，所述弹性电子装置的制备方法还包括：
将所述第三保护层移除。
在一较佳实施方式中，所述第三保护层包括层叠设置的第三基底和牺牲层，所述牺牲层相较于所述第三基底邻近所述第一弹性层设置；所述“在所述第一弹性层远离所述第一基底的表面上形成第三保护层”包括：
将所述第一弹性层未完全固化之前，将所述第三保护层中的牺牲层贴设在所述第一弹性层远离所述第三基底的表面上。
在一较佳实施方式中，所述“将所述第一柔性层位于所述间隔区的部分进行处理，使所述间隔区的第一柔性层部分的厚度小于所述器件区的第一柔性层部分的厚度”包括：
将所述第一柔性层位于所述间隔区的部分移除并暴露对应于间隔区的部分第一基底的表面；
在至少位于所述间隔区的所述第一基底靠近所述电子元件的表面上形成子柔性层，所述间隔区的子柔性层的厚度小于所述器件区的第一柔性层部分的厚度，所述子柔性层和位于所述器件区的第一柔性层构成第二柔性层；
所述“在至少位于所述间隔区的所述第一基底靠近所述电子元件的表面上形成子柔性层，所述间隔区的子柔性层的厚度小于所述器件区的第一柔性层部分的厚度，所述子柔性层和位于所述器件区的第一柔性层构成第二柔性层”之后，所述弹性电子装置的制备方法具体包括：
在所述电子元件远离第一基底的一侧形成第一弹性层，所述第一弹性层覆盖所述第二柔性层和电子元件；
从所述第一基底远离所述第二柔性层的一侧对所述第二柔性层进行激光照射，并将所述第一基底移除；
将所述第二柔性层远离所述第一弹性层的表面进行处理，形成位于所述器件区的第二柔性层岛屿以及暴露所述第二柔性层岛屿之间的第一弹性层表面；
在所述第二柔性层岛屿和所述第一弹性层远离所述电子元件的表面形成第二弹性层。
在一较佳实施方式中，所述“在至少位于所述间隔区的所述第一基底靠近所述电子元件的表面上形成子柔性层”包括：
在所述电子元件远离所述第一基底的表面和所述间隔区的所述第一基底靠近所述电子元件的表面上形成子柔性层，所述子柔性层覆盖所述电子元件和所述间隔区的所述第一基底靠近所述电子元件的表面。
在一较佳实施方式中，在所述“在所述电子元件远离第一基底的一侧形成第一弹性层，所述第一弹性层覆盖所述第一柔性层和电子元件”和“从所述第一基底远离所述第一柔性层的一侧对所述第一柔性层进行激光照射，并将所述第一基底移除”之间，所述弹性电子装置的制备方法还包括：
将所述第一弹性层和所述第一柔性层的边缘移除。
在一较佳实施方式中，所述第一弹性层和所述第一柔性层在所述第一基底的正投影覆盖所述第三保护层在所述第一基底的正投影；
所述“在所述第一弹性层远离所述第一基底的表面上形成第三保护层”和所述“从所述第一基底远离所述第一柔性层的一侧对所述第一柔性层进行激光照射，并将所述第一基底移除”之间，所述弹性电子装置的制备方法还包括：
沿着所述第三保护层的边缘线将所述第一弹性层和所述第一柔性层的边缘移除。
在一较佳实施方式中，所述“将所述第一柔性层位于所述间隔区的部分进行处理”包括：
将所述第一柔性层位于所述间隔区的部分采用等离子干蚀刻法进行处理；
所述“将所述第一柔性层远离所述第一弹性层的表面进行处理”包括：
将所述第一柔性层远离所述第一弹性层的表面采用等离子干蚀刻法进行处理。
本发明的第二方面，提供一种弹性电子装置，所述弹性电子装置包括：
第二弹性层，
多个柔性层岛屿，所述多个柔性层岛屿间隔设置，所述多个柔性层岛屿设置在所述第二弹性层的表面上，且所述柔性层岛屿与所述第二弹性层相接的表面的粗糙度大于第一预设值；
多个电子元件，所述多个电子元件分别设置在所述多个柔性层岛屿远离所述第二弹性层的表面上；
第一弹性层，所述第一弹性层设置在所述电子元件远离所述第二弹性层一侧和所述柔性层岛屿之间的第二弹性层的表面上，在所述柔性层岛屿之间的所述第一弹性层和所述第二弹性层相接的表面的粗糙度大于第二预设值。
在一较佳实施方式中，所述第二弹性层靠近所述电子元件的表面上设有第一齿部，所述柔性层岛屿朝向所述第二弹性层的表面上设有第二齿部，所述第一弹性层朝向所述第二弹性层的表面上设有第三齿部，所述第一齿部分别与所述第二齿部和所述第三齿部适配连接。
在一较佳实施方式中，所述弹性电子装置还包括：
第三柔性层，所述第三柔性层设置在所述电子元件远离所述第二弹性层的一侧并覆盖所述电子元件和所述柔性层岛屿，且所述第三柔性层的周缘与所述第二弹性层相连接；所述第三柔性层为通过子柔性层形成位于器件区的部分。
在一较佳实施方式中，所述第三柔性层的周缘与所述第二弹性层相接的表面的粗糙度大于第三预设值。
在一较佳实施方式中，所述第三柔性层的周缘朝向所述第二弹性层的表面设有第四齿部，所述第二弹性层靠近所述电子元件的表面上设有第一齿部，所述第四齿部与所述第一齿部适配连接。
在一较佳实施方式中，所述柔性层岛屿对激光的吸收度大于所述第一弹性层对激光的吸收度。
在一较佳实施方式中，所述柔性层岛屿对激光的吸收度为所述第一弹性层对激光的吸收度的第一预设倍数。
在一较佳实施方式中，所述柔性层岛屿和所述第三柔性层对激光的吸收度均大于所述第一弹性层对激光的吸收度。
在一较佳实施方式中，所述柔性层岛屿对激光的吸收度为所述第一弹性层对激光的吸收度的第一预设倍数，所述第三柔性层对激光的吸收度为所述第一弹性层对激光的吸收度的第二预设倍数。
本发明的有益效果：本发明提供的弹性电子装置的制备方法通过在间隔区保留第一柔性层，使得第一基底和第一柔性层贴合，在激光照射时可有效地将第一基底移除。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明第一实施例提供的一种弹性电子装置的制备方法流程图。
图2为本发明一实施例提供的一种弹性电子装置的结构示意图。
图3为本发明第一实施例提供的一种弹性电子装置的制备过程中的部分结构示意图。
图4为本发明第一实施例提供的另一种弹性电子装置的制备方法流程图。
图5为本发明第二实施例提供的一种弹性电子装置的制备方法流程图。
图6为本发明第二实施例提供的一种弹性电子装置的制备过程中的部分结构示意图。
图7为本发明一实施例提供的一种弹性电子装置的制备过程中包括去除第二柔性层和第一弹性层边缘步骤的的部分结构示意图。
图8为本发明另一实施例提供的一种弹性电子装置的制备过程中包括去除第二柔性层和第一弹性层边缘步骤的部分结构示意图。
图9为本发明第二实施例提供的一种弹性电子装置的制备方法流程图。
图10为本发明另一实施例提供的一种弹性电子装置的结构示意图。
图11为本发明第二实施例提供的一种弹性电子装置的制备过程中的部分结构示意图。
具体实施方式
以下所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
本发明的说明书和权利要求书及所述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本发明的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
请参阅图1至图3，本发明第一实施例提供一种弹性电子装置10的制备方法，包括步骤S100、步骤S200、步骤S300、步骤S400、步骤S500、步骤S600、步骤S700和步骤S800。具体步骤如下所述。
步骤S100，提供第一基底100。第一基底100为刚性基底，用于作为形成弹性电子装置10的承载体。
步骤S200，在第一基底100上形成第一柔性层200，第一柔性层200包括器件区11以及位于器件区11之间的间隔区12(如图3所示)。其中器件区11用于形成弹性电子装置10中的电子器件部分。
步骤S300，在第一柔性层200远离第一基底100的表面上形成多个间隔设置的电子元件300，电子元件300位于器件区11内。在本实施例中，所述电子元件300为有机电致发光二极管元件或者无机发光二极管元件，其中，有机电致发光二极管元件包括有机电致发光二极管以及用于驱动有机电致发光二极管发光的发光电路，无机发光二极管元件包括无机发光二极管以及用于驱动无机发光二极管发光的发光电路。在一些实施例中，所述电子元件300还可为其他电子部件。
步骤S400，将第一柔性层200位于间隔区12的部分进行处理，使间隔区12的第一柔性层200部分的厚度小于器件区11的第一柔性层200部分的厚度。也就是说将间隔区12的第一柔性层100部分进行减薄处理。可采用等离子干蚀刻法将第一柔性层100位于间隔区12的部分进行处理，可采用SF6干蚀刻法或者XeF2干蚀刻法，采用这两种干蚀刻法可有效避免水汽对电子元件300的侵蚀。
步骤S500，在电子元件300远离第一基底100的一侧形成第一弹性层400，第一弹性层400覆盖第一柔性层200和电子元件300。第一弹性层400用于增强弹性电子装置10的弹性。且在该步骤中形成的第一弹性层400与第一基底100没有直接相接触，在间隔区12通过减薄后的第一柔性层200将一弹性层400与第一基底100相间隔。
步骤S600，从第一基底100远离第一柔性层200的一侧对第一柔性层200进行激光照射，并将第一基底100移除。在该步骤中，由于第一柔性层200与第一基底100是完全重合相接的，第一基底100和第一柔性层200相接触的界面的粘度基本一致，可通过采用激光照射而将第一基底100和第一柔性层200分离。其中第一柔性层200对激光的吸收度较高，使得第一柔性层200在吸收激光后能够降低粘性，进而能够有效的从第一基底100上分离。
现有技术中，是在步骤S400中直接将第一柔性层200对应于间隔区12的部分全部移除，使得在步骤S500中形成的第一弹性层400在间隔区12与第一基底100相接触，在采用激光照射移除第一基底100时，由于第一弹性层400不能有效吸收激光能量，或者第一弹性层400对激光的吸收度极低，使得第一基底100与第一弹性层400相接触的界面不能有效的被激光照射而分离，在移除第一基底100时，第一基底100与第一弹性层400相接触的界面还处于粘接状态，进而导致第一基底100不能有效地被移除，当采用非常大的作用力移除第一基底100时，会导致第一弹性层400与电子元件300脱离，导致产品良率降低。而本申请中，在步骤S400中保留了位于间隔区12部分的第一柔性层200，使得第一基底100和第一柔性层200是完全重合相接的，进而可在步骤S600通过激光照射而将第一基底100有效的移除。
步骤S700，将第一柔性层200远离第一弹性层400的表面进行处理，形成位于器件区11的第一柔性层岛屿210并暴露第一柔性层岛屿210之间的第一弹性层400表面。在本实施例中，可采用等离子蚀刻法将第一柔性层200远离第一弹性层400的表面进行蚀刻，直至将间隔区12的第一柔性层200部分全部去除，由于在器件区11的第一柔性层200部分的厚度大于在间隔区12的第一柔性层200部分的厚度，当间隔区12的第一柔性层200部分全部去除时，在器件区11第一柔性层200部分还有部分剩余，即在器件区11剩余的部分第一柔性层200形成所述第一柔性层岛屿210，多个第一柔性层岛屿210通过间隔区12间隔，进而位于第一柔性层岛屿210上的电子元件300之间也形成岛屿化的结构，避免弹性电子装置10在弯曲时将电子元件300损坏，并且岛屿化的电子元件300降低了设有多个电子元件的膜层的拉伸模量，进而可进一步提高弹性电子装置10的弹性。
步骤S800，在第一柔性层岛屿210和第一弹性层400远离电子元件300的表面形成第二弹性层500。第一弹性层400和第二弹性层500将电子元件300包覆，不仅可保护电子元件300还能进一步提高弹性电子装置10的弹性。
本发明提供的弹性电子装置10的制备方法通过在间隔区12保留第一柔性层200，使得第一基底100和第一柔性层200贴合，在激光照射时可有效地将第一基底100移除。
请参阅图4和图3，在进一步的实施例中，在步骤S300和步骤S400之间，弹性电子装置10的制备方法还包括步骤S900，具体为：
步骤S900，在电子元件300远离第一基底100的一侧形成多个第一保护层600，每个第一保护层600分别覆盖一个电子元件300且位于器件区11内。其中第一保护层600优选采用硬质膜层。当采用等离子蚀刻法蚀刻间隔区12的第一柔性层200时，可有效保护电子元件300不被蚀刻破坏。
在步骤S400和步骤S500之间，弹性电子装置10的制备方法还包括在步骤S1000，具体为：
步骤S1000，将第一保护层600移除。在完全对第一柔性层200间隔区12部分的减薄处理后，就可将第一保护层600移除。
在进一步的实施例中，在步骤S500和步骤S600之间，弹性电子装置10的制备方法还包括步骤S1100，具体为：
步骤S1100，在第一弹性层400远离第一基底100的一侧形成第二保护层700。
在步骤S600和步骤S700之间，弹性电子装置10的制备方法还包括步骤S1200，具体为：
步骤S1200，在将第二保护层700远离第一弹性层400的表面贴设第二基底800以支撑第二保护层700和第一弹性层400。在第二基底800的支撑下，进行步骤S700。
在步骤S800之后，弹性电子装置10的制备方法还包括步骤S1300，具体为：
步骤S1300，将第二保护层700和第二基底800移除。
在进一步的实施例中，在步骤S400中，“将第一柔性层200位于间隔区12的部分进行处理”包括将第一柔性层200位于间隔区12的部分采用等离子干蚀刻法进行处理。采用等离子蚀刻法可将第一柔性层200远离第一基底100的表面形成粗糙结构，当将第一弹性层400形成在第一柔性层200远离第一基底100的表面时，j具有粗糙结构的第一柔性层200远离第一基底100的表面与第一弹性层400可更紧密的连接，以增加第一柔性层200与第一弹性层400之间的粘附力。
在步骤S700中，“将第一柔性层200远离第一弹性层400的表面进行处理”包括将第一柔性层200远离第一弹性层400的表面采用等离子干蚀刻法进行处理。采用等离子蚀刻法同样可将第一柔性层200远离第一弹性层400的表面形成粗糙结构，当第二弹性层500形成在第一柔性层200远离第一弹性层400的表面时，第二弹性层500与具有粗糙结构的第一柔性层200表面能够更紧密的连接，提高第一柔性层200和第二弹性层500之间的粘附力。
请参阅图5和图6，本发明第二实施例提供另一种弹性电子装置10的制备方法，与第一实施例不同的是，在步骤S500和步骤S600之间，弹性电子装置10的制备方法还包括步骤S1400，具体为：
步骤S1400，在第一弹性层400远离第一基底100的表面上形成第三保护层900。第三保护层900用于保护第一弹性层400。
在步骤S800之后，弹性电子装置10a的制备方法还包括步骤S1500，具体为：
步骤S1500，将第三保护层900移除。
在本实施例，所述第三保护层900包括层叠设置的第三基底920和牺牲层910，牺牲层910相较于第三基底920邻近第一弹性层400设置。
所述步骤S1400具体包括将第一弹性层400未完全固化之前，将第三保护层900中的牺牲层910贴设在第一弹性层400远离第三基底920的表面上。以使第三保护层900能有第一弹性层400紧密连接。
所述步骤S1500具体包括通过热、光、电等方式降低将牺牲层910与第一弹性层400之间的粘性，进而将牺牲层910和第三基底920一同移除；或者牺牲层910用溶解液溶解掉，进而将牺牲层910和第三基底920一同移除。
请参阅图7，在进一步的实施例中，在步骤S500和步骤S600之间，弹性电子装置10的制备方法还包括步骤S1600，具体为：
步骤S1600，将第一弹性层400和第一柔性层200的边缘S移除。
一般的，在第一基底100上形成第一柔性层200方法是将第一柔性层200的熔融态的柔性材料涂布于第一基底100上，第一柔性层200的熔融材料在自流平过程中会使得第一柔性层200的边缘S比较薄，边缘比较薄的第一柔性层200部分与其他膜层容易分离，因此，在本实施例中，将第一柔性层200的边缘S移除。同样的，一般第一弹性层400的形成方法是采用第一弹性层400的熔融态的弹性材料涂布形成，在边缘部分比较薄而易与其他膜层分离，因此，在本实施例中，将第一弹性层400的边缘S移除。另外，激光从第一基底100侧扫射第一柔性层200时，第一基底100的边缘会有障碍物例如用于支撑第一基底100的支撑架P(如图8所示),使得激光不能扫射第一柔性层200的边缘S，从而导致第一柔性层200与第一基底100相接的边缘不能有效分离，因此，在本实施例中，需要将第一弹性层400和第一柔性层200的边缘S移除。
在步骤S1600之后，再进行上述步骤S1400，形成第三保护层900，然后再进行步骤S600，采用激光分离第一基底100和第一柔性层200。
请参阅图8，在另一些实施例中，第一弹性层400和第一柔性层200在第一基底100的正投影覆盖第三保护层900在第一基底100的正投影；在步骤S1400和步骤S600之间，弹性电子装置10a的制备方法还包括步骤S1700，具体为：
步骤S1700，沿着第三保护层900的边缘线L将第一弹性层400和第一柔性层200的边缘S移除。在本实施例中，是在形成第三保护层900之后再将第一弹性层400和第一柔性层200的边缘S移除，随后在进行步骤S600，采用激光分离第一基底100和第一柔性层200。
请参阅图9至图11，本发明第三实施例提供一种弹性电子装置10a的制备方法，与第一实施例不同的是，所述步骤S400包括步骤S410和步骤S420。具体如下所述。
步骤S410，将第一柔性层200位于间隔区12的部分移除并暴露对应于间隔区12的部分第一基底110的表面。即将第一柔性层200位于间隔区12的部分全部移除。
步骤S420，在至少位于间隔区120的第一基底110靠近电子元件220的表面上形成子柔性层1000，间隔区12的子柔性层1000的厚度小于器件区11的第一柔性层200部分的厚度，子柔性层1000和位于器件区11的第一柔性层200构成第二柔性层1100。
在步骤S420之后，弹性电子装置10a的制备方法具体包括步骤S500-Ⅰ、步骤S600-Ⅰ、步骤S700-Ⅰ和步骤S800-Ⅰ。具体如下所述。
步骤S500-Ⅰ，在电子元件300远离第一基底110的一侧形成第一弹性层400，第一弹性层400覆盖第二柔性层1100和电子元件300。
步骤S600-Ⅰ，从第一基底100远离第二柔性层1100的一侧对第二柔性层1100进行激光照射，并将第一基底100移除。
步骤S700-Ⅰ，将第二柔性层1100远离第一弹性层400的表面进行处理，形成位于器件区11的第二柔性层岛屿1110以及暴露第二柔性层岛屿1110之间的第一弹性层400表面。当采用等离子蚀刻法将第二柔性层1100远离第一弹性层400的表面进行减薄处理时，由于子柔性层1000的厚度小于器件区11的柔性层200部分的厚度，间隔区12的第二柔性层1100部分全部去除时，在器件区11的第二柔性层1100部分还有部分剩余，其中间隔区12的第二柔性层1100部分实际对应于子柔性层1000位于间隔区12的部分，也就是说是将子柔性层1000位于间隔区12的部分移除，而在器件区11剩余的第二柔性层1100部分实际由第一柔性层200和部分子柔性层1000构成。
步骤S800-Ⅰ，在第二柔性层岛屿1110和第一弹性层400远离电子元件300的表面形成第二弹性层500。
在进一步的实施例中，在所述步骤S420中，“在至少位于间隔区12的第一基底100靠近电子元件300的表面上形成子柔性层1000”包括在电子元件300远离第一基底100的表面和间隔区12的第一基底100靠近电子元件300的表面上形成子柔性层1000，子柔性层1000覆盖电子元件300和间隔区12的第一基底100靠近电子元件300的表面。
请再次参阅图2，本发明一实施例还提供一种弹性电子装置10，弹性电子装置10包括第二弹性层500、多个柔性层岛屿、多个电子元件300以及第一弹性层400。在本实施例中，所述柔性层岛屿为第一柔性层岛屿210，下述用标号210来表示。
多个柔性层岛屿210间隔设置，多个柔性层岛屿210设置在第二弹性层500的表面上，且柔性层岛屿210与第二弹性层500相接的表面的粗糙度大于第一预设值。也就是说，在柔性层岛屿210与第二弹性层500相接的表面具有粗糙结构，所述粗糙结构是在形成弹性电子装置10时采用等离子蚀刻法蚀刻对应的表面而形成，具体如上述第一实施例所述。柔性层岛屿210与第二弹性层500相接的表面的粗糙度大于第一预设值，使得柔性层岛屿210与第二弹性层500相接的表面粘性提高，避免弹性电子装置10在拉伸时柔性层岛屿210与第二弹性层500分离。其中，所述第一预设值为1纳米至1微米。在一些实施例中，所述第一预设值可在1纳米至500纳米之间，或者在另一些实施例中，第一预设值可在500纳米至1微米之间。具体的，当所述第一预设值为500纳米时，所述柔性层岛屿210与第二弹性层500相接的表面的粗糙度大于500纳米；当所述第一预设值为1微米时，所述柔性层岛屿210与第二弹性层500相接的表面的粗糙度大于1微米。需要说明的是，由于制备工艺的限制，柔性层岛屿210与第二弹性层500相接的表面的各部分的粗糙度可以略有不同，但在一定差值之内。
多个电子元件300分别设置在多个柔性层岛屿210远离第二弹性层500的表面上。柔性层岛屿210使得电子元件300岛屿化，进而可提升弹性电子装置10的拉伸弯曲性。
第一弹性层400设置在电子元件300远离第二弹性层500一侧和柔性层岛屿210之间的第二弹性层500的表面上，在柔性层岛屿210之间的第一弹性层400和第二弹性层500相接的表面的粗糙度大于第二预设值。也就是说，间隔区12的第一弹性层400和第二弹性层500之间的界面是粗糙的，以进一步提高第一弹性层400和第二弹性层500之间的粘附力。其中，所述第一预设值和第二预设值可相同，在一些实施例中，由于工艺制备的局限，所述第一预设值和第二预设值在预设差值之内。
本发明提供的弹性电子装置10中第一弹性层400和柔性层岛屿219之间的界面和第一弹性层400与第二弹性层500之间的界面是粗糙的，使得界面的粘附性增强，避免弹性电子装置10在拉伸时，第一弹性层400和柔性层岛屿219之间或者第一弹性层400与第二弹性层500之间分离。
本实施例弹性电子装置10可通过上述第一实施例或者第二实施例制备得到，还可通过其他方式制备得到。
在进一步的实施例中，第二弹性层500靠近电子元件300的表面上设有第一齿部510，柔性层岛屿210朝向第二弹性层500的表面上设有第二齿部211，第一弹性层400朝向第二弹性层500的表面上设有第三齿部410，第一齿部510分别与第二齿部211和第三齿部410适配连接。也就是说第一齿部510与第二齿部211和第三齿部410构成粗糙结构。
在进一步的实施例中，柔性层岛屿210对激光的吸收度大于第一弹性层400对激光的吸收度。如上述第一实施例中所述，由于第一弹性层400对激光的吸收度极低，第一基底100与第一弹性层400直接连接时，两者之间粘性较大，较难分离。因此，在本实施例优选提供的是柔性层岛屿210对激光的吸收度大于第一弹性层400对激光的吸收度的弹性电子装置10。
在进一步的实施例中，柔性层岛屿210对激光的吸收度为第一弹性层400对激光的吸收度的第一预设倍数。
请再次参阅图10，本发明另一实施例还提供一种弹性电子装置10a，与上述实施例不同的是，弹性电子装置a还包括第三柔性层1000，第三柔性层1000设置在电子元件300远离第二弹性层500的一侧并覆盖电子元件300和柔性层岛屿210，且第三柔性层1000的周缘与第二弹性层500相连接；第三柔性层1000为通过子柔性层1000形成位于器件区11的部分。在本实施例中，柔性层岛屿210为第一柔性层200位于器件区11的部分，该柔性层岛屿210与第三柔性层1000共同构成第二柔性层岛屿1110。具体可参阅上述第三实施例所述的弹性电子装置10a的制备方法。所述器件区11为设置电子元件300和柔性层岛屿210的区域。
在进一步的实施例中，第三柔性层1000的周缘与第二弹性层500相接的表面的粗糙度大于第三预设值。以进一步提高第二弹性层500与第三柔性层1000的周缘之间的粘附力。其中，第三预设值与第一预设值、第二预设值可相同，在一些实施例中，由于工艺制备的局限，所述第三预设值与第一预设值、第二预设值在预设差值之内。
在进一步的实施例中，第三柔性层1000的周缘朝向第二弹性层500的表面设有第四齿部1010，第二弹性层500靠近电子元件300的表面上设有第一齿部510，第四齿部1010与第一齿部510适配连接。
在进一步的实施例中，柔性层岛屿210和第三柔性层1000对激光的吸收度均大于第一弹性层400对激光的吸收度。
在进一步的实施例中，柔性层岛屿210对激光的吸收度为第一弹性层400对激光的吸收度的第一预设倍数，第三柔性层1000对激光的吸收度为第一弹性层400对激光的吸收度的第二预设倍数。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (19)

1.一种弹性电子装置的制备方法，其特征在于，所述弹性电子装置的制备方法包括：
提供第一基底；
在所述第一基底上形成第一柔性层，所述第一柔性层包括器件区以及位于所述器件区之间的间隔区；
在所述第一柔性层远离所述第一基底的表面上形成多个间隔设置的电子元件，所述电子元件位于所述器件区内；
将所述第一柔性层位于所述间隔区的部分进行处理，使所述间隔区的第一柔性层部分的厚度小于所述器件区的第一柔性层部分的厚度；
在所述电子元件远离第一基底的一侧形成第一弹性层，所述第一弹性层覆盖所述第一柔性层和电子元件；
从所述第一基底远离所述第一柔性层的一侧对所述第一柔性层进行激光照射，并将所述第一基底移除；
将所述第一柔性层远离所述第一弹性层的表面进行处理，形成位于所述器件区的第一柔性层岛屿并暴露所述第一柔性层岛屿之间的第一弹性层表面；
在所述第一柔性层岛屿和所述第一弹性层远离所述电子元件的表面形成第二弹性层。
2.如权利要求1所述的弹性电子装置的制备方法，其特征在于，在所述“在所述第一柔性层远离所述第一基底的表面上形成多个间隔设置的电子元件，所述电子元件位于所述器件区内”和所述“将所述第一柔性层位于所述间隔区的部分进行处理，使所述间隔区的第一柔性层部分的厚度小于所述器件区的第一柔性层部分的厚度”之间，所述弹性电子装置的制备方法还包括：
在所述电子元件远离所述第一基底的一侧形成多个第一保护层，每个所述第一保护层分别覆盖一个所述电子元件且位于所述器件区内；
所述“将所述第一柔性层位于所述间隔区的部分进行处理，使所述间隔区的第一柔性层部分的厚度小于所述器件区的第一柔性层部分的厚度”和所述“在所述电子元件远离第一基底的一侧形成第一弹性层，所述第一弹性层覆盖所述第一柔性层和电子元件”之间，所述弹性电子装置的制备方法还包括：
将所述第一保护层移除。
3.如权利要求1所述的弹性电子装置的制备方法，其特征在于，在所述“在所述电子元件远离第一基底的一侧形成第一弹性层，所述第一弹性层覆盖所述第一柔性层和电子元件”和所述“从所述第一基底远离所述第一柔性层的一侧对所述第一柔性层进行激光照射，并将所述第一基底移除”之间，所述弹性电子装置的制备方法还包括：
在所述第一弹性层远离所述第一基底的一侧形成第二保护层；
在所述“从所述第一基底远离所述第一柔性层的一侧对所述第一柔性层进行激光照射，并将所述第一基底移除”和所述“将所述第一柔性层远离所述第一弹性层的表面进行处理，形成位于所述器件区的第一柔性层岛屿并暴露所述第一柔性层岛屿之间的第一弹性层表面”之间，所述弹性电子装置的制备方法还包括：
在将所述第二保护层远离所述第一弹性层的表面贴设第二基底以支撑所述第二保护层和所述第一弹性层；
在所述“在所述第一柔性层岛屿和所述第一弹性层远离所述电子元件的表面形成第二弹性层”之后，所述弹性电子装置的制备方法还包括：
将所述第二保护层和所述第二基底移除。
4.如权利要求1所述的弹性电子装置的制备方法，其特征在于，在所述“在所述电子元件远离第一基底的一侧形成第一弹性层，所述第一弹性层覆盖所述第一柔性层和电子元件”和所述“从所述第一基底远离所述第一柔性层的一侧对所述第一柔性层进行激光照射，并将所述第一基底移除”之间，所述弹性电子装置的制备方法还包括：
在所述第一弹性层远离所述第一基底的表面上形成第三保护层；
在所述“在所述第一柔性层岛屿和所述第一弹性层远离所述电子元件的表面形成第二弹性层”之后，所述弹性电子装置的制备方法还包括：
将所述第三保护层移除。
5.如权利要求4所述的弹性电子装置的制备方法，其特征在于，所述第三保护层包括层叠设置的第三基底和牺牲层，所述牺牲层相较于所述第三基底邻近所述第一弹性层设置；所述“在所述第一弹性层远离所述第一基底的表面上形成第三保护层”包括：
将所述第一弹性层未完全固化之前，将所述第三保护层中的牺牲层贴设在所述第一弹性层远离所述第三基底的表面上。
6.如权利要求1所述的弹性电子装置的制备方法，其特征在于，所述“将所述第一柔性层位于所述间隔区的部分进行处理，使所述间隔区的第一柔性层部分的厚度小于所述器件区的第一柔性层部分的厚度”包括：
将所述第一柔性层位于所述间隔区的部分移除并暴露对应于间隔区的部分第一基底的表面；
在至少位于所述间隔区的所述第一基底靠近所述电子元件的表面上形成子柔性层，所述间隔区的子柔性层的厚度小于所述器件区的第一柔性层部分的厚度，所述子柔性层和位于所述器件区的第一柔性层构成第二柔性层；
所述“在至少位于所述间隔区的所述第一基底靠近所述电子元件的表面上形成子柔性层，所述间隔区的子柔性层的厚度小于所述器件区的第一柔性层部分的厚度，所述子柔性层和位于所述器件区的第一柔性层构成第二柔性层”之后，所述弹性电子装置的制备方法具体包括：
在所述电子元件远离第一基底的一侧形成第一弹性层，所述第一弹性层覆盖所述第二柔性层和电子元件；
从所述第一基底远离所述第二柔性层的一侧对所述第二柔性层进行激光照射，并将所述第一基底移除；
将所述第二柔性层远离所述第一弹性层的表面进行处理，形成位于所述器件区的第二柔性层岛屿以及暴露所述第二柔性层岛屿之间的第一弹性层表面；
在所述第二柔性层岛屿和所述第一弹性层远离所述电子元件的表面形成第二弹性层。
7.如权利要求6所述的弹性电子装置的制备方法，其特征在于，所述“在至少位于所述间隔区的所述第一基底靠近所述电子元件的表面上形成子柔性层”包括：
在所述电子元件远离所述第一基底的表面和所述间隔区的所述第一基底靠近所述电子元件的表面上形成子柔性层，所述子柔性层覆盖所述电子元件和所述间隔区的所述第一基底靠近所述电子元件的表面。
8.如权利要求1所述的弹性电子装置的制备方法，其特征在于，在所述“在所述电子元件远离第一基底的一侧形成第一弹性层，所述第一弹性层覆盖所述第一柔性层和电子元件”和“从所述第一基底远离所述第一柔性层的一侧对所述第一柔性层进行激光照射，并将所述第一基底移除”之间，所述弹性电子装置的制备方法还包括：
将所述第一弹性层和所述第一柔性层的边缘移除。
9.如权利要求4所述的弹性电子装置的制备方法，其特征在于，所述第一弹性层和所述第一柔性层在所述第一基底的正投影覆盖所述第三保护层在所述第一基底的正投影；
所述“在所述第一弹性层远离所述第一基底的表面上形成第三保护层”和所述“从所述第一基底远离所述第一柔性层的一侧对所述第一柔性层进行激光照射，并将所述第一基底移除”之间，所述弹性电子装置的制备方法还包括：
沿着所述第三保护层的边缘线将所述第一弹性层和所述第一柔性层的边缘移除。
10.如权利要求1所述的弹性电子装置的制备方法，其特征在于，所述“将所述第一柔性层位于所述间隔区的部分进行处理”包括：
将所述第一柔性层位于所述间隔区的部分采用等离子干蚀刻法进行处理；
所述“将所述第一柔性层远离所述第一弹性层的表面进行处理”包括：
将所述第一柔性层远离所述第一弹性层的表面采用等离子干蚀刻法进行处理。
11.一种弹性电子装置，其特征在于，所述弹性电子装置包括：
第二弹性层，
多个柔性层岛屿，所述多个柔性层岛屿间隔设置，所述多个柔性层岛屿设置在所述第二弹性层的表面上，且所述柔性层岛屿与所述第二弹性层相接的表面的粗糙度大于第一预设值；
多个电子元件，所述多个电子元件分别设置在所述多个柔性层岛屿远离所述第二弹性层的表面上；
第一弹性层，所述第一弹性层设置在所述电子元件远离所述第二弹性层一侧和所述柔性层岛屿之间的第二弹性层的表面上，在所述柔性层岛屿之间的所述第一弹性层和所述第二弹性层相接的表面的粗糙度大于第二预设值。
12.如权利要求11所述的弹性电子装置，其特征在于，所述第二弹性层靠近所述电子元件的表面上设有第一齿部，所述柔性层岛屿朝向所述第二弹性层的表面上设有第二齿部，所述第一弹性层朝向所述第二弹性层的表面上设有第三齿部，所述第一齿部分别与所述第二齿部和所述第三齿部适配连接。
13.如权利要求11所述的弹性电子装置，其特征在于，所述弹性电子装置还包括：
第三柔性层，所述第三柔性层设置在所述电子元件远离所述第二弹性层的一侧并覆盖所述电子元件和所述柔性层岛屿，且所述第三柔性层的周缘与所述第二弹性层相连接；所述第三柔性层为通过子柔性层形成位于器件区的部分。
14.如权利要求13所述的弹性电子装置，其特征在于，所述第三柔性层的周缘与所述第二弹性层相接的表面的粗糙度大于第三预设值。
15.如权利要求14所述的弹性电子装置，其特征在于，所述第三柔性层的周缘朝向所述第二弹性层的表面设有第四齿部，所述第二弹性层靠近所述电子元件的表面上设有第一齿部，所述第四齿部与所述第一齿部适配连接。
16.如权利要求11所述的弹性电子装置，其特征在于，所述柔性层岛屿对激光的吸收度大于所述第一弹性层对激光的吸收度。
17.如权利要求11所述的弹性电子装置，其特征在于，所述柔性层岛屿对激光的吸收度为所述第一弹性层对激光的吸收度的第一预设倍数。
18.如权利要求13所述的弹性电子装置，其特征在于，所述柔性层岛屿和所述第三柔性层对激光的吸收度均大于所述第一弹性层对激光的吸收度。
19.如权利要求13所述的弹性电子装置，其特征在于，所述柔性层岛屿对激光的吸收度为所述第一弹性层对激光的吸收度的第一预设倍数，所述第三柔性层对激光的吸收度为所述第一弹性层对激光的吸收度的第二预设倍数。
CN202010325241.9A 2020-04-23 2020-04-23 弹性电子装置及其制备方法 Pending CN113555306A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010325241.9A CN113555306A (zh) 2020-04-23 2020-04-23 弹性电子装置及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010325241.9A CN113555306A (zh) 2020-04-23 2020-04-23 弹性电子装置及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113555306A true CN113555306A (zh) 2021-10-26

Family

ID=78100944

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010325241.9A Pending CN113555306A (zh) 2020-04-23 2020-04-23 弹性电子装置及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113555306A (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1708853A (zh) * 2002-10-30 2005-12-14 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及半导体装置的制作方法
CN108389884A (zh) * 2018-03-07 2018-08-10 京东方科技集团股份有限公司 柔性阵列基板及其制备方法、柔性显示面板
CN207925472U (zh) * 2018-04-03 2018-09-28 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性衬底基板、显示装置
US20190208640A1 (en) * 2017-12-28 2019-07-04 Intel Corporation Stretchable multilayer electronics
CN110494985A (zh) * 2019-04-10 2019-11-22 京东方科技集团股份有限公司 可拉伸显示面板、可拉伸显示设备和制造可拉伸显示面板的方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1708853A (zh) * 2002-10-30 2005-12-14 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及半导体装置的制作方法
US20190208640A1 (en) * 2017-12-28 2019-07-04 Intel Corporation Stretchable multilayer electronics
CN108389884A (zh) * 2018-03-07 2018-08-10 京东方科技集团股份有限公司 柔性阵列基板及其制备方法、柔性显示面板
CN207925472U (zh) * 2018-04-03 2018-09-28 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性衬底基板、显示装置
CN110494985A (zh) * 2019-04-10 2019-11-22 京东方科技集团股份有限公司 可拉伸显示面板、可拉伸显示设备和制造可拉伸显示面板的方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101935553B1 (ko) 플렉시블 디스플레이 장치 및 그 제조방법
JP6456884B2 (ja) 表示装置及びその製造方法
KR102042137B1 (ko) 전자장치 및 그 제조 방법
JP6826881B2 (ja) 保護部材、表示装置および表示装置の製造方法
JPH1140522A (ja) 半導体ウエハの製造方法、この方法により作製された半導体ウエハ、半導体チップの製造方法、およびこの方法により製造された半導体チップ、ならびにこの半導体チップを備えたｉｃカード
KR20200060655A (ko) 원장보호필름의 박리방법, 유기발광 표시장치의 제조방법, 및 유기발광 표시장치
WO2019080718A1 (zh) 柔性显示基板及其制作方法、显示装置
CN108470849B (zh) 一种柔性基板及其制作方法
CN108321304B (zh) 显示面板及其制作方法和显示装置
WO2012046428A1 (ja) 半導体装置の製造方法
CN210325859U (zh) 一种显示面板母板及显示面板
TW201535182A (zh) 可撓性元件與製作其之方法
KR20180023722A (ko) 유기 발광 표시 장치 제조 방법
JP4678240B2 (ja) 半導体素子の製造方法
US20220181581A1 (en) Display device and method for manufacturing display device
CN113555306A (zh) 弹性电子装置及其制备方法
TW202013048A (zh) 鏡頭保護膜
CN111223399A (zh) 柔性显示面板的制作方法
CN110164302B (zh) 软性显示装置及其制造方法
JP2009126159A (ja) フィルム固定治具およびスクリーン印刷方法
KR20200133099A (ko) 표시 모듈, 이를 포함하는 표시 장치, 및 표시 장치의 제조 방법
CN112216214B (zh) 显示面板制作方法
US10607059B2 (en) Method for assembling fingerprint identification module
CN111883491A (zh) 柔性显示装置及其制造方法
JP6378706B2 (ja) 表示装置の製造方法、及び、表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination