CN108370655A - 电子装置以及电磁干扰抑制体的配置方法 - Google Patents

电子装置以及电磁干扰抑制体的配置方法 Download PDF

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Abstract

配置电磁干扰抑制体,使得对于包括高频带在内的宽频带的噪声而有效。电子装置具备电磁干扰抑制体、产生电磁波的施加干扰物、受到电磁波的影响的被干扰物、配置了施加干扰物以及被干扰物的基板、仅沿着施加干扰物以及被干扰物的任一方与基板平行地配置的电磁干扰抑制体。将施加干扰物的与被干扰物对置的端部设为第1端部,将被干扰物的与施加干扰物对置的端部设为第2端部时,电磁干扰抑制体的一个端部配置在第1端部与第2端部之间。

Description

电子装置以及电磁干扰抑制体的配置方法
技术领域
本发明涉及电磁干扰抑制体,尤其涉及电子装置内的电磁干扰抑制体的配置。
背景技术
为了抑制由各种电子装置产生的电磁干扰,尤其是内部干扰(所谓自身中毒),存在沿着产生噪声的部件、电路、导线等(以下,总称为施加干扰物)和有可能受到噪声影响的部件、电路、导线等(以下,总称为被干扰物)的双方来配置电磁干扰抑制体的技术。如此通过配置电磁干扰抑制体,从而能够抑制对被干扰物的电磁干扰。这里所说的电子装置,是指具备电子部件、电路、布线等的所有装置,例如包括移动电话终端等无线通信终端、台式计算机、便携式计算机、工作站等各种计算机等。
通常,电磁干扰抑制体是在粘结剂中分散有磁性体粉末的片状部件。电磁干扰抑制体具有高电阻和基于磁共振的频率选择性的损耗特性。通过在电子设备内配置电磁干扰抑制体,能够不伴随电磁障碍那样的二次副作用地有效地抑制高频噪声的影响。当前,电磁干扰抑制体作为“贴上便有效”的简便的噪声对策部件正在迅速普及。关于电磁干扰抑制体,由IEC62333进行了国际标准化。
在专利文献1中公开了一种技术,即,通过将电磁干扰抑制体紧贴地配置于安装在基板上的电子部件,从而提高电磁干扰抑制效果。通过用电磁波屏蔽用膜来覆盖基板及其上设置的电子部件,从而屏蔽电磁波。这样为了使电磁干扰抑制体与电子部件等紧贴,需要繁杂的工序。此外,由于各种理由,存在变更电子部件的配置的情况,但是若将配置在基板上的电子部件与基板一起用膜进行覆盖,则不能应对这样的配置变更。
在专利文献2中记载了通过在电子部件的附近安装电磁辐射噪声吸收片从而抑制电子部件间的干扰。根据该文献,需要注意沿着施加干扰物以及被干扰物的每一个来配置电磁辐射噪声吸收片。在该文献的图1中图示了两个电磁辐射噪声吸收片。在该文献的图2中也同样。
根据非专利文献1,噪声抑制片即电磁干扰抑制体的主要噪声抑制功能是:(1)近场中的耦合的抑制;(2)高频线路中的不要辐射抑制;以及(3)在传输线路传播的噪声成分的衰减。为了评价这些功能,在IEC62333-2中规定了如下4种测量方法。
(a)内部解耦率(Intra-decoupling ratio);Rda
对于在两个传输线路间、安装在相同的印刷布线板内的两个部件间产生的空间耦合,通过相对于传输线路平行地安装噪声抑制片而得到的衰减的比例。
(b)相互解耦率(Inter-decoupling ratio);Rde
对于在两个传输线路、印刷布线板间、或者两个部件间产生的空间耦合,通过在两者的间隙安装片材而得到的衰减的比例。
(c)传输衰减率(Transmission attenuation power ratio);Rtp
对于在传输线路中传播的传导信号/噪声,将片材安装于传输线路而得到的每单位线路长度的衰减量。
(d)辐射抑制率(Radiation suppression ratio);Rrs
对于从电路基板辐射的辐射噪声,通过安装片材而得到的抑制量。该测量是与通常的EMI测量相同的10m法、3m法的远场测量。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:JP特开2014-057040号公报、第0068、0088段、图2
专利文献2:JP特开2000-196282号公报、第0008、0012、0013、0017、0018段、图1、图2
非专利文献
非专利文献1:吉田荣吉、武田茂:“ノイズ抑制シートの作用と分類および性能評価法(特集ノイズ抑制用軟磁性材料とその虑用(规格·虑用辐))(噪声抑制片的作用和分类以及性能评价法(特集噪声抑制用软磁材料及其应用(规格/应用篇)))”EMC 20(7),35-46,2007-11Mimatsu公司
发明内容
发明要解决的课题
发明人们发现了在电磁干扰抑制体存在噪声的抑制效果变小的频带。这可以认为是因为:电磁干扰抑制体在面内方向上具有比较高的介电常数,所以面内方向上感应的电场所引起的耦合增加,即,电磁干扰抑制体的内部解耦率在该频带变为负。以往认为电磁干扰抑制体并没有特别的副作用,但是知道了存在如下副作用,即,根据频率,有时施加干扰物与被干扰物之间的电磁耦合增加。
在专利文献1中,沿着施加干扰物和被干扰物的双方配置了一个电磁干扰抑制体。根据该配置方法,由于上述理由,电磁耦合有可能增加。在专利文献2中,分别沿着施加干扰物和被干扰物,总计配置两个电磁干扰抑制体。此外,在专利文献2中,将粘贴有电磁辐射噪声吸收片的金属导体板跨越发送部、接收部进行了配置。因此,有可能产生金属导体板的噪声反射。
本发明鉴于这种情况而研发,本发明要解决的课题是提供对于包括高频带在内的宽频带的噪声有效的电磁干扰抑制体的配置方法、以及具备按照该方法配置的电磁干扰抑制体的电子装置。
用于解决课题的手段
为了解决上述课题,本发明的一个方式提供一种电子装置,具备:施加干扰物,其产生电磁波;被干扰物,其受到电磁波的影响;基板,其用于载置施加干扰物以及被干扰物;和电磁干扰抑制体,其仅沿着施加干扰物以及被干扰物的任一方,与基板平行地配置,将施加干扰物的与被干扰物对置的端部设为第1端部,将被干扰物的与施加干扰物对置的端部设为第2端部时,电磁干扰抑制体的一个端部配置在第1端部与第2端部之间。
也可以还具备:绝缘体,其沿着施加干扰物以及被干扰物的另一方与基板平行地配置。
也可以具备包围施加干扰物以及被干扰物的双方的壳体,壳体具备电磁干扰抑制体以及绝缘体。
也可以具备导体板,其在沿着电磁干扰抑制体的一个面配置了施加干扰物以及被干扰物的任一方时,沿着电磁干扰抑制体的另一个面进行配置。
施加干扰物以及被干扰物例如可以认为分别是电子部件、电子电路以及布线的任一种。尤其在是布线的情况下,可以是施加干扰物为电源线,被干扰物为信号线。
作为这些电子装置的合适的示例,存在通信装置。
此外,本发明的另一个方式提供一种电磁干扰抑制体的配置方法,在具备:产生电磁波的施加干扰物、受到电磁波的影响的被干扰物、用于载置施加干扰物以及被干扰物的基板、以及仅沿着施加干扰物和被干扰物的任一方与基板平行地配置的电磁干扰抑制体的电子装置中,在将施加干扰物的与被干扰物对置的端部设为第1端部,将被干扰物的与施加干扰物对置的端部设为第2端部时,将电磁干扰抑制体的一个端部配置为位于第1端部与第2端部之间。
发明效果
根据本发明,能够提供对于包括高频带在内的宽频带的噪声有效的电磁干扰抑制体的配置方法、以及具备按照该方法配置的电磁干扰抑制体的电子装置。
附图说明
图1是示出作为本发明的一个实施方式的沿着施加干扰物2配置了电磁干扰抑制体6的电子装置1的剖面的示意图。
图2是用于说明电子装置1的壳体5内部的施加干扰物2、被干扰物3、电磁干扰抑制体6的位置关系的立体图。
图3是用于说明对电子装置1进行了建模的评价系统10的立体图。
图4是用于说明评价系统10中的Y坐标的俯视图。
图5是用于说明Y=-1mm时的评价系统10的俯视图。
图6是用于说明Y=0mm时的评价系统10的俯视图。
图7是用于说明Y=5mm时的评价系统10的俯视图。
图8是用于说明Y=10mm时的评价系统10的俯视图。
图9是用于说明Y=11mm时的评价系统10的俯视图。
图10是用于说明Y=15mm时的评价系统10的俯视图。
图11是用于说明Y=30mm时的评价系统10的俯视图。
图12是示出评价系统10中的内部解耦Rda的模拟结果的图。
图13是用于说明评价系统10中Y=0mm时的低频磁通量以及高频电磁波的传播的图。
图14是用于说明评价系统10中Y=5mm时的低频磁通量以及高频电磁波的传播的图。
图15是用于说明评价系统10中Y=10mm时的低频磁通量以及高频电磁波的传播的图。
图16是用于说明评价系统10中Y=30mm时的低频磁通量以及高频电磁波的传播的图。
图17是用于说明施加干扰物2、被干扰物3为布线时的电子装置1的壳体5内部的施加干扰物2、被干扰物3、电磁干扰抑制体6的位置关系的立体图。
图18是示出沿着被干扰物3配置了电磁干扰抑制体21的电子装置20的剖面的示意图。
图19是示出具备沿着壳体5的内侧的面配置的电磁干扰抑制体11、和沿着壳体5的外侧的面配置为与该电磁干扰抑制体11对置的导体板31的电子装置30的剖面的示意图。
图20是示出具备沿着壳体5的内侧的面配置的电磁干扰抑制体11、和沿着该电磁干扰抑制体11的壳体5外侧的面配置的天线42的电子装置40的剖面的示意图。
图21是示出分别具备配置了施加干扰物2的基板4A、和配置了被干扰物3的基板4B的电子装置50的剖面的示意图。
图22是示出用绝缘体61覆盖配置在基板4上的施加干扰物2并且在其上配置了板状的电磁干扰抑制体62的电子装置60的部分剖面的示意图。
图23是示出用绝缘体61覆盖配置在基板4上的施加干扰物2并且在其上进一步用电磁干扰抑制体71进行了覆盖的电子装置70的部分剖面的示意图。
图24是具有柔软性的片状的电磁干扰抑制体71的示例及其剖面的示意图。
具体实施方式
参照图1来说明本发明的第1实施方式的电子装置1。电子装置1具备施加干扰物2、被干扰物3、基板4、壳体5、电磁干扰抑制体6。电子装置1是任意种类的电子装置。具体而言,例如,可以考虑移动电话终端等通信终端装置、数据通信装置、个人计算机等,但是不限定于此,只要具备施加干扰物2以及被干扰物3则可以是任意种类的电子装置。施加干扰物2是有可能产生噪声的部件、电路、装置、布线等。被干扰物3是有可能受到噪声影响的部件、电路、装置、布线等,作为特别有代表性的是天线。施加干扰物2以及被干扰物3配置在基板4上。施加干扰物2、被干扰物3、基板4容纳在壳体5中。在壳体5的内侧并且与施加干扰物2对置的位置,配置电磁干扰抑制体6。壳体5例如由塑料等绝缘体构成。
另外,电子装置1也可以在基板4上具备施加干扰物2、被干扰物3以外的部件、电路、装置、布线等。此外,电子装置1也可以在壳体5的内部或外部具备施加干扰物2、被干扰物3以外的部件、电路、装置、布线等。电磁干扰抑制体6主要用于小型数字设备中的辐射噪声对策、内部干扰(自身中毒)对策。作为电磁干扰抑制体6,可以考虑在粘结剂中分散有磁性体粉末的片状部件,更具体而言,可以考虑使软磁金属粉末在绝缘性的母材中分散而成的片状的部件。或者,电磁干扰抑制体6也可以是包括高电阻的磁性体的厚膜或薄膜。此外,电磁干扰抑制体6的形状可以是单纯的矩形片,但是为了提高抑制电磁干扰的效果,可以设为在矩形片设置有狭缝。
电磁干扰抑制体6沿着施加干扰物2进行配置。换言之,沿着施加干扰物2,配置有电磁干扰抑制体6和壳体5的一部分。电磁干扰抑制体6的一端位于施加干扰物2与被干扰物3之间,需要注意的是并没有到达被干扰物3之上。沿着被干扰物3之上,配置有壳体5的一部分即绝缘体,但是并未配置电磁干扰抑制体6。如图1所示,将施加干扰物2的端部并且与被干扰物3对置的端部设为第1端部P1。将被干扰物3的端部并且与施加干扰物对置的端部设为第2端部P2。此时,电磁干扰抑制体6的一个端部配置在第1端部P1与第2端部P2之间。距离D是第1端部P1与第2端部P2之间的距离。
这样将电磁干扰抑制体6配置为仅覆盖施加干扰物2之上而不覆盖被干扰物3,由此能够在施加干扰物2与被干扰物3之间的位置阻断在电磁干扰抑制体6的面内方向(图1的水平方向)上感应的电场。因此,能够避免作为电磁干扰抑制体6的副作用的、施加干扰物与被干扰物之间的电磁耦合的增加,并且能够在宽频带抑制电磁干扰。
图2用立体图示出了施加干扰物2、被干扰物3与电磁干扰抑制体6的位置关系。在图2中省略了壳体5。在图2中,Y方向是将相当于施加干扰物2与被干扰物3之间的距离D的线段进行了延长的直线的方向,X方向是在图中的水平面内与Y方向正交的方向。Z方向是与水平面正交的方向。电磁干扰抑制体6从Z方向观察覆盖施加干扰物2的全周,并且对于Y方向覆盖施加干扰物2的周边使得不到达被干扰物3。
将施加干扰物2的上表面与壳体5的下表面之间的距离设为距离H2。将被干扰物3的上表面与壳体5的下表面之间的距离设为距离H3。此时,距离D、H2、H3根据电子装置1、施加干扰物2、被干扰物3等的大小而不同。例如,在电子装置1是台式型个人计算机(PC)的情况下,可以考虑将距离D设为5~300mm,将距离H2、H3设为1~5mm。在电子装置1为移动电话终端等便携式设备的情况下,可以考虑设为将前述的台式型PC的距离D、H2、H3分别缩小为1/3~1/5的长度。
作为模拟了电子装置1的评价系统,建模了图3这样的评价系统10。对于评价系统10,使用ANSYS日本株式会社的高频三维电磁场分析软件ANSYS HFSS来计算了内部解耦Rda。在评价系统10中,两组天线11、12是环形线圈,一方对应于施加干扰物2,另一方对应于被干扰物3。将天线11、12分别连接于未图示的网络分析仪的端口1、端口2,基于其透过特性S21,评价了天线11、12之间的耦合。作为评价的参数的内部解耦Rda是表示天线间的耦合度的指标,值越大表示耦合越弱。也就是说,内部解耦Rda的值越大,表示噪声的传播通过电磁干扰抑制体13越得到了抑制。内部解耦Rda通过下式来求取。
Rda=S21R-S21M
其中,S21R是没有电磁干扰抑制体13的情况下的S参数。S21M是有电磁干扰抑制体13的情况下的S参数。电磁干扰抑制体13对应于电磁干扰抑制体6。电磁干扰抑制体13是使Si9.8%-Al6.0%-Fe组成(质量%)的软磁金属粉末扁平化,分散在粉末填充性优异的弹性体中,厚度为0.2mm的电磁干扰抑制体。天线11、12分别具有1mm的厚度。天线11、12之间的距离对应于上述距离D,其长度是10mm。
用Y表示电磁干扰抑制体13的位置。如图4所示,Y是以与天线11正交的方向上延伸的直线为轴的坐标,将天线11的两个面中与天线12对置的一侧的面设为零,将靠近天线12的方向设为正。这里,如图5~图11所示,分别模拟了电磁干扰抑制体13处于Y=-1mm、0mm、5mm、10mm、11mm、15mm、30mm的位置时的内部解耦Rda。另外,本模拟将天线11、12中的哪一个作为施加干扰物都同样成立。
参照图12来说明内部解耦Rda的模拟结果。
在Y=-1mm,即,电磁干扰抑制体13仅覆盖天线11的近前区域(图中,比天线11靠上的区域),不覆盖天线11、12中的任一方的情况下,Rda≈0,几乎没有效果。
在Y=0mm,即,电磁干扰抑制体13覆盖天线11的近前区域和天线11的正上方的情况下,在进行了模拟的全频带,Rda为正。
在Y=0mm时,如图13所示,可以认为施加干扰物产生的低频磁通量没有被电磁干扰抑制体会聚,而直接传播到被干扰物。另一方面,可以认为施加干扰物产生的高频电磁波既没有被电磁干扰抑制体吸收也没有被电磁干扰抑制体反射。
在Y=5mm,即,除了天线11的近前区域之外,还覆盖天线11的正上方、以及从天线11起幅度5mm的区域的情况下,在进行了模拟的全频带,Rda为正,并且除了2GHz附近的一部分之外,Rda比Y=0mm时大。
在Y=5mm时,如图14所示,可以认为施加干扰物产生的低频磁通量被电磁干扰抑制体会聚。可以认为施加干扰物产生的高频电磁波被电磁干扰抑制体吸收一部分,并且反射一部分,但是进行了反射的高频电磁波朝向从被干扰物偏离的方向。
在Y=10mm,即,覆盖从天线11的近前区域即将到天线12为止(不包括天线12的正上方)的情况下,到约2.5GHz为止Rda比Y=5mm的情况大,但是在约2.5GHz逆转,Rda在2.775GHz通过零而变为负。但是,与后述的Y=11m、15mm、30mm的情况相比较,高频区域中的下降较小。在3GHz时,Rda为-1.5dB。
在Y=10mm时,如图15所示,可以认为施加干扰物产生的低频磁通量被电磁干扰抑制体会聚。施加干扰物产生的高频电磁波被电磁干扰抑制体吸收一部分,反射一部分。发生了反射的高频电磁波可以认为也传递到被干扰物。
在Y=11mm,即,覆盖从天线11的近前区域到天线12的正上方的情况下,到约2.4GHz为止,Rda为正,从此处开始Rda为负。在3GHz时,Rda为-5.0dB。
在Y=15mm,即,覆盖从天线11的近前区域通过天线12的正上方进而幅度4mm的区域的情况下,在约2.16GHz,从正转为负。在3GHz时,Rda为-6.0dB。
在Y=30mm,即,覆盖从天线11的近前区域通过天线12的正上方进而幅度19mm的区域的情况下,在约2.43GHz,从正转为负。在3GHz时,Rda为-5.1dB。
在Y=30mm时,与上述的Y=10mm时同样地,如图16所示,可以认为施加干扰物产生的低频磁通量被电磁干扰抑制体会聚。施加干扰物产生的高频电磁波被电磁干扰抑制体吸收一部分,反射一部分。发生了反射的高频电磁波可以认为也传递到被干扰物。
由以上那样的模拟结果可知,为了抑制内部解耦Rda转为负,即,为了抑制天线11、12之间的电磁耦合的增加,优选设为Y=0~10mm。这是电磁干扰抑制体13通过天线11之上,即将覆盖到天线12的状态。
尤其在5≤Y≤10的情况下,即使是2GHz以上的频带,内部解耦Rda变为负的区间也较小,并且即使是比较低的频带,也得到比较大的内部解耦Rda,基于这点而优选。此外,在重视内部解耦Rda在包括2GHz以上的频带在内的全频带为正的情况下,若Y=5mm则内部解耦Rda变大,所以优选。
根据电子装置1,能够在宽频带抑制在其内部产生的电磁干扰。因此,内置的电子电路的高速化、小型化变得容易。此外,在电子装置1为通信装置的情况下,变得容易确保通信质量。
以下,对电子装置1的各种变形进行说明。
在上述的图2中,以施加干扰物2、被干扰物3为配置在基板4上的小型部件为前提进行了图示,但是施加干扰物2、被干扰物3可以是布线。此时,施加干扰物2、被干扰物3、电磁干扰抑制体6的配置如图17所示。此时也能够几乎直接应用针对上述电子装置1的说明,这对本领域技术人员来说应该是清楚的。
参照图18来说明电子装置20。在电子装置20中,电磁干扰抑制体21的位置与电子装置1不同。在电子装置1中,配置电磁干扰抑制体6使得覆盖施加干扰物2之上,而在电子装置20中,配置电磁干扰抑制体21使得覆盖被干扰物3之上。在电子装置20中,在施加干扰物2之上没有配置电磁干扰抑制体。
在本发明中,为了避免由电磁干扰抑制体反射的高频电磁波到达被干扰物3,配置电磁干扰抑制体使得仅覆盖施加干扰物2、被干扰物3的任一方。既可以如电子装置1那样配置电磁干扰抑制体使得覆盖施加干扰物2,或者,也可以如电子装置20那样进行配置使得仅覆盖被干扰物3。在以下说明的变形例中,列举将电磁干扰抑制体配置为仅覆盖施加干扰物、被干扰物的任一方的情况来进行说明,但是如果针对防止由电磁干扰抑制体反射的高频电磁波的影响的效果而言,使得仅覆盖另一方也能够得到同样的效果。
图19的电子装置30具备沿着壳体5的内侧的面配置的电磁干扰抑制体11,并且具备沿着壳体5的外侧的面配置为与该电磁干扰抑制体11对置的导体板31。从被干扰物3来看,导体板31配置为被电磁干扰抑制体11隐藏。因此,导体板31的底面与电磁干扰抑制体11的底面相同或者比其小。导体板31作为对于从壳体5的外部向被干扰物3飞来的电磁波的电磁屏蔽而发挥功能。另外,在电子装置30中,在壳体5之上配置了导体板31,但是也可以配置为在壳体5中对应于电磁干扰抑制体11的背面的位置设置开口,并且将导体板31埋入该开口中。根据防止反射引起的噪声的传递的观点,期望导体板31比较小。
图20的电子装置40是在壳体5中对应于电磁干扰抑制体11的背面的位置设置凹槽41,在其中配置了天线42的装置。电子装置40是移动电话终端等无线通信终端,天线42是用于无线通信的天线。
图21的电子装置50是取代电子装置1中的一个基板4而设置有两个基板4A、4B,并分别在其上配置有施加干扰物2、被干扰物3。像这样,不必一定将施加干扰物2、被干扰物3配置在同一基板上,即使分别配置在不同的基板上,本发明也成立。
在上述电子装置1、作为其变形的电子装置20、30、40、50中,设为将电子干扰抑制体粘贴在壳体的内面进行了说明。但是,本发明的效果根据施加干扰物、被干扰物以及电磁干扰抑制体的位置关系而产生,因此支承电子干扰抑制体的支承体不必一定是壳体。例如,也可以采用如下构造,即,在施加干扰物的周围的四角设置支柱,由该支柱来支承电磁干扰抑制体。在这种构造中,还存在电磁干扰抑制体被支承在从壳体分离的位置。
说明本发明的第2实施方式的电子装置60。在上述第1实施方式中,电磁干扰抑制体沿着壳体的内面进行了配置。此外,壳体虽然原则上是绝缘体,但是对于电磁干扰抑制体的壳体外侧来说,也可以是导体。对此,在第2实施方式中,设为用绝缘体覆盖基板上的施加干扰物以及被干扰物中的至少任一方。此外,设为用电磁干扰抑制体覆盖由该绝缘体覆盖的施加干扰物/被干扰物的绝缘体的更外侧中的至少上表面。关于第1实施方式,参照图3-16说明了评价系统10,但是该说明也同样适用于第2实施方式。
如图22所示,在电子装置60中,由绝缘体61覆盖配置在基板4上的施加干扰物2,并在其上配置了板状的电磁干扰抑制体62。绝缘体61例如是模制树脂。电磁干扰抑制体62将由绝缘体61覆盖的施加干扰物2的上表面全部覆盖,但是没有覆盖侧面。图示的壳体63是电子装置60的一部分。图22中图示的是壳体63的一部分,壳体63的未图示的部分在左右端部的波浪线的前方延续。在壳体63中,配置有电磁干扰抑制体的部分以外并无为绝缘体的限制,可以是全部由金属构成的壳体。这是因为,由于施加干扰物2由绝缘体61覆盖,因此不产生金属壳体所引起的噪声反射。
在作为电子装置60的变形的电子装置70中,如图23所示,配置在基板4上的施加干扰物2由绝缘体61覆盖,这点与电子装置60相同。在电子装置60中,电磁干扰抑制体62是板状,具有在施加干扰物2上隔着绝缘体61载置了电磁干扰抑制体62的构造。与此相对,在电子装置70中,电磁干扰抑制体71是具有柔软性的片状,覆盖绝缘体61的上表面以及侧面的全周,并且还覆盖其周边的基板4的表面。
如图24所示,电磁干扰抑制体71例如是在由树脂72构成的片上层状地分布有磁性扁平粉73的部件。电磁干扰抑制体71能够用作第1实施方式的电磁干扰抑制体6、13、21、电子装置60的电磁干扰抑制体62。此外,图24中所图示的是电磁干扰抑制体的一例,也可以使用与电磁干扰抑制体71不同的结构的部件。
树脂72例如是丙烯酸橡胶、氯化聚乙烯、聚丁二烯、聚异丙烯、EPM、EPDM、SBR、丁腈橡胶、环氧氯丙烷、氯丁橡胶、丁基橡胶、聚硫化物、聚氨酯橡胶等的弹性体/橡胶、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、丙烯酸、聚氯乙烯、聚碳酸酯、尼龙、聚氨酯、PBT、PET、ABS等的热塑性树脂、三聚氰胺、苯酚、环氧树脂、聚氨酯、聚酰亚胺、邻苯二甲酸二烯丙酯、不饱和聚酯、呋喃等的热固化树脂。磁性扁平粉73例如是包括铁系非晶质合金的扁平状的软磁性粒子。
在电子装置70中,不仅是施加干扰物2的上表面,对于侧面也用电磁干扰抑制体71进行覆盖,所以例如在施加干扰物2的高度较高的情况下,也能够有效地抑制噪声。
另外,在电子装置60、70中,在覆盖施加干扰物2的绝缘体61、62上配置了电磁干扰抑制体62、72,但是也可以取代施加干扰物2而用绝缘体来覆盖被干扰物3,在其上配置电磁干扰抑制体。
此外,在电子装置60、70中,具有从配置在基板4上的施加干扰物2的上面用绝缘体61进行覆盖的构造,但是也可以预先用绝缘体61覆盖了除布线等的一部分之外的施加干扰物2的整体之后配置到基板4上。
此外,在电子装置70中,采用了将由绝缘体61覆盖的施加干扰物2与其周边的基板4一起用电磁干扰抑制体71进行覆盖的构造,但是也可以采用以下构造,即,将由绝缘体61覆盖的施加干扰物2预先用电磁干扰抑制体71进行覆盖,之后配置到基板4。
此外,能够将第1实施方式的变形和第2实施方式适当进行组合,这对于本领域技术人员来说应该是能够理解的。例如,如图21的电子装置50那样,本领域技术人员应该清楚可以将由绝缘体61、电磁干扰抑制体62或71覆盖的施加干扰物2和被干扰物3分别配置到不同的基板上。
符号说明
1、20、30、40、50、60、70 电子装置
2 施加干扰物
3 被干扰物
4、4A、4B 基板
5、63 壳体
6、13、21、62、71 电磁干扰抑制体
10 评价系统
11、12、42 天线
31 导体板
41 凹槽
61 绝缘体
72 树脂
73 磁性扁平粉。

Claims (12)

1.一种电子装置,具备:
施加干扰物,其产生电磁波;
被干扰物,其受到电磁波的影响;
基板,其用于载置所述施加干扰物以及所述被干扰物;和
电磁干扰抑制体,其仅沿着所述施加干扰物以及所述被干扰物的任一方,与所述基板平行地配置,
将所述施加干扰物的与所述被干扰物对置的端部设为第1端部,将所述被干扰物的与所述施加干扰物对置的端部设为第2端部时,所述电磁干扰抑制体的一个端部配置在所述第1端部与所述第2端部之间。
2.根据权利要求1所述的电子装置,其中还具备:
绝缘体,其沿着所述施加干扰物以及被干扰物的另一方与所述基板平行地配置。
3.根据权利要求2所述的电子装置,其中,
所述电子装置具备包围所述施加干扰物以及所述被干扰物双方的壳体,所述壳体具备所述电磁干扰抑制体以及所述绝缘体。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的电子装置,其中还具备:
导体板,其在沿着所述电磁干扰抑制体的一个面配置了所述施加干扰物以及所述被干扰物的任一方时,沿着所述电磁干扰抑制体的另一个面进行配置。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的电子装置,其中,
所述施加干扰物以及所述被干扰物分别是电子部件、电子电路以及布线的任一种。
6.根据权利要求5所述的电子装置,其中,
所述施加干扰物是电源线,所述被干扰物是信号线。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的电子装置,其中,
所述电子装置具备包括彼此不同的第1基板以及第2基板的多个基板,
所述施加干扰物配置在所述第1基板,所述被干扰物配置在所述第2基板。
8.一种通信装置,其是权利要求1至7中的任一项所述的电子装置。
9.一种电磁干扰抑制体的配置方法,在具备:产生电磁波的施加干扰物、受到电磁波的影响的被干扰物、用于载置所述施加干扰物以及所述被干扰物的基板、以及仅沿着所述施加干扰物和所述被干扰物的任一方与所述基板平行地配置的电磁干扰抑制体的电子装置中,
在将所述施加干扰物的与所述被干扰物对置的端部设为第1端部,将所述被干扰物的与所述施加干扰物对置的端部设为第2端部时,将所述电磁干扰抑制体的一个端部配置为位于所述第1端部与所述第2端部之间。
10.一种电子装置,具备:
施加干扰物,其产生电磁波;
被干扰物,其受到电磁波的影响;
基板,其用于载置所述施加干扰物以及所述被干扰物;
绝缘体,其覆盖所述施加干扰物以及所述被干扰物的任一方的一部分或者全部;以及
电磁干扰抑制体,其隔着所述绝缘体配置于所述绝缘体所覆盖的被覆物。
11.根据权利要求10所述的电子装置,其中,
所述电磁干扰抑制体为板状,配置为覆盖所述被覆物中的与所述基板相接的面对置的面。
12.根据权利要求10所述的电子装置,其中,
所述电磁干扰抑制体为片状,配置为覆盖所述被覆物中的与所述基板相接的面以外的面。
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