JPH11354691A - 集積回路装置及びその実装方法 - Google Patents
集積回路装置及びその実装方法Info
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- JPH11354691A JPH11354691A JP16123598A JP16123598A JPH11354691A JP H11354691 A JPH11354691 A JP H11354691A JP 16123598 A JP16123598 A JP 16123598A JP 16123598 A JP16123598 A JP 16123598A JP H11354691 A JPH11354691 A JP H11354691A
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- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
Abstract
(57)【要約】
【課題】 デバイスの周波数特性の劣化を防ぎ、動作の
安定化を図るとともに、デバイスの小型化や高密度化を
図ることが可能な集積回路装置を提供する。 【解決手段】 多層膜プリント基板１の中に形成された
キャビティ部にはベアチップ半導体素子２と周辺回路形
成に必要な受動部品６とが実装され、ベアチップ半導体
素子２と受動部品６とがワイヤボンディング３で接続さ
れている。樹脂４はベアチップ半導体素子２とワイヤボ
ンディング３との固定及び封止用として注入されてい
る。この樹脂４上にはペースト状の電波吸収材料５を塗
布した後に乾燥することで、電波吸収膜が形成されてい
る。
安定化を図るとともに、デバイスの小型化や高密度化を
図ることが可能な集積回路装置を提供する。 【解決手段】 多層膜プリント基板１の中に形成された
キャビティ部にはベアチップ半導体素子２と周辺回路形
成に必要な受動部品６とが実装され、ベアチップ半導体
素子２と受動部品６とがワイヤボンディング３で接続さ
れている。樹脂４はベアチップ半導体素子２とワイヤボ
ンディング３との固定及び封止用として注入されてい
る。この樹脂４上にはペースト状の電波吸収材料５を塗
布した後に乾燥することで、電波吸収膜が形成されてい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は集積回路装置及びそ
の実装方法に関し、特にデバイスの高速化や高機能化、
及び高密度化を図るためのＬＳＩ（大規模集積回路）や
ＩＣ（集積回路）等の実装方法に関する。
の実装方法に関し、特にデバイスの高速化や高機能化、
及び高密度化を図るためのＬＳＩ（大規模集積回路）や
ＩＣ（集積回路）等の実装方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、デバイスの高速化や高機能化、及
び高密度化にともなってＬＳＩやＩＣ等の実装に関する
研究開発が盛んに行われている。チップオンボード（Ｃ
ＯＢ：Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｂｏａｄ）実装技術は複数の半
導体素子（ベアチップ）を直接プリント板やセラミック
基板上に実装し、ベアチップ間あるいはベアチップと基
板との間をワイヤボンディング等で直接接続する技術で
あり、高機能デバイスの高速化や小型化に適している。
び高密度化にともなってＬＳＩやＩＣ等の実装に関する
研究開発が盛んに行われている。チップオンボード（Ｃ
ＯＢ：Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｂｏａｄ）実装技術は複数の半
導体素子（ベアチップ）を直接プリント板やセラミック
基板上に実装し、ベアチップ間あるいはベアチップと基
板との間をワイヤボンディング等で直接接続する技術で
あり、高機能デバイスの高速化や小型化に適している。
【０００３】従来のパッケージ化された半導体素子によ
って構成されるデバイスと比較した場合、外部パッケー
ジや素子間の余計な配線長を減らすことができるため、
高速化や小型化が可能となる。この技術を用いた小型高
速光インタフェースモジュールの開発等が、例えば
「２．４Ｇｂ／ｓ送受信回路用マルチチップモジュール
の開発」（高橋他、１９９６年電子情報通信学会エレク
トロニクスソサエティ大会）等で報告されている。
って構成されるデバイスと比較した場合、外部パッケー
ジや素子間の余計な配線長を減らすことができるため、
高速化や小型化が可能となる。この技術を用いた小型高
速光インタフェースモジュールの開発等が、例えば
「２．４Ｇｂ／ｓ送受信回路用マルチチップモジュール
の開発」（高橋他、１９９６年電子情報通信学会エレク
トロニクスソサエティ大会）等で報告されている。
【０００４】図３は従来のＣＯＢ実装技術を用いて構成
された機能デバイス例の断面を示したものである。プリ
ント基板１の中に形成されたキャビティ部にはベアチッ
プ半導体素子２と、周辺回路形成に必要な受動部品６と
が実装され、ベアチップ半導体素子２と受動部品６とが
ワイヤボンディング３で接続されている。
された機能デバイス例の断面を示したものである。プリ
ント基板１の中に形成されたキャビティ部にはベアチッ
プ半導体素子２と、周辺回路形成に必要な受動部品６と
が実装され、ベアチップ半導体素子２と受動部品６とが
ワイヤボンディング３で接続されている。
【０００５】尚、プリント基板１のキャビティ部以外に
はＳＭＴ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔ Ｔｅｃｈｎｏ
ｌｏｇｙ）部品７によって周辺回路が構成されている。
また、ワイヤボンディング３とベアチップ半導体素子２
とがそれらの保護のために樹脂４で封止されている。
はＳＭＴ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔ Ｔｅｃｈｎｏ
ｌｏｇｙ）部品７によって周辺回路が構成されている。
また、ワイヤボンディング３とベアチップ半導体素子２
とがそれらの保護のために樹脂４で封止されている。
【０００６】上記のＣＯＢ実装技術を用いて構成された
機能デバイスではワイヤボンディング３とベアチップ半
導体素子２とが樹脂４で封止されているので、従来のデ
バイスに比べてベアチップ半導体素子２と周辺回路との
配線を短縮することができる。よって、デバイスの小型
化が図れるとともに、配線長に応じて生じる高周波信号
の減衰を防ぐことができる。
機能デバイスではワイヤボンディング３とベアチップ半
導体素子２とが樹脂４で封止されているので、従来のデ
バイスに比べてベアチップ半導体素子２と周辺回路との
配線を短縮することができる。よって、デバイスの小型
化が図れるとともに、配線長に応じて生じる高周波信号
の減衰を防ぐことができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のＣＯＢ
実装技術では、半導体集積回路を樹脂等の流し込みによ
る封止を行っているだけであり、金属パッケージ等のノ
イズ遮蔽を行っていないため、このデバイスから放射さ
れたノイズ成分が周辺回路に回り込み、不要な発振を引
き起こす原因となっている。
実装技術では、半導体集積回路を樹脂等の流し込みによ
る封止を行っているだけであり、金属パッケージ等のノ
イズ遮蔽を行っていないため、このデバイスから放射さ
れたノイズ成分が周辺回路に回り込み、不要な発振を引
き起こす原因となっている。
【０００８】例えば、図４に示すように、図３に示すよ
うな構成の高周波集積回路を光インタフェースモジュー
ルに適用した場合、すなわち同一基板上で入出力間レベ
ル差の大きい高利得アンプ等が組込まれたＣＯＢ実装の
デバイスを接続した場合、ＣＯＢ実装デバイスから放出
されるノイズ成分がアンプ入力側に回り込み、不要な発
振によって回路に誤動作が生じる可能性がある。
うな構成の高周波集積回路を光インタフェースモジュー
ルに適用した場合、すなわち同一基板上で入出力間レベ
ル差の大きい高利得アンプ等が組込まれたＣＯＢ実装の
デバイスを接続した場合、ＣＯＢ実装デバイスから放出
されるノイズ成分がアンプ入力側に回り込み、不要な発
振によって回路に誤動作が生じる可能性がある。
【０００９】図４において、１０は受光回路（電流−電
圧変換部を含む）、１４はケース、２０はプリント板パ
ターン及びＳＭＴ部品７によって構成される周辺回路、
３０は図３に示す構成の等化増幅／識別再生回路（ＡＧ
Ｃ／ＤＥＣ）を夫々示している。
圧変換部を含む）、１４はケース、２０はプリント板パ
ターン及びＳＭＴ部品７によって構成される周辺回路、
３０は図３に示す構成の等化増幅／識別再生回路（ＡＧ
Ｃ／ＤＥＣ）を夫々示している。
【００１０】そこで、本発明の目的は上記の問題点を解
消し、デバイスの周波数特性の劣化を防ぐことができ、
動作の安定化を図ることができるとともに、デバイスの
小型化や高密度化を図ることができる集積回路装置及び
その実装方法を提供することにある。
消し、デバイスの周波数特性の劣化を防ぐことができ、
動作の安定化を図ることができるとともに、デバイスの
小型化や高密度化を図ることができる集積回路装置及び
その実装方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明による集積回路装
置は、複数の半導体素子を配線基板上に直接実装し、少
なくとも前記半導体素子間及び前記半導体素子と前記配
線基板との間をワイヤボンディングで直接接続した後に
前記半導体素子と前記ワイヤボンディングとを樹脂で封
止したチップオンボード実装デバイスを含む集積回路装
置であって、前記樹脂上に形成されかつ前記チップオン
ボード実装デバイスから放射されるノイズ成分を吸収す
る電波吸収膜を備えている。
置は、複数の半導体素子を配線基板上に直接実装し、少
なくとも前記半導体素子間及び前記半導体素子と前記配
線基板との間をワイヤボンディングで直接接続した後に
前記半導体素子と前記ワイヤボンディングとを樹脂で封
止したチップオンボード実装デバイスを含む集積回路装
置であって、前記樹脂上に形成されかつ前記チップオン
ボード実装デバイスから放射されるノイズ成分を吸収す
る電波吸収膜を備えている。
【００１２】本発明による集積回路装置の実装方法は、
複数の半導体素子を配線基板上に直接実装し、少なくと
も前記半導体素子間及び前記半導体素子と前記配線基板
との間をワイヤボンディングで直接接続した後に前記半
導体素子と前記ワイヤボンディングとを樹脂で封止した
チップオンボード実装デバイスを含む集積回路装置の実
装方法であって、前記樹脂上に形成されかつ前記チップ
オンボード実装デバイスから放射されるノイズ成分を吸
収する電波吸収膜を生成する工程を備えている。
複数の半導体素子を配線基板上に直接実装し、少なくと
も前記半導体素子間及び前記半導体素子と前記配線基板
との間をワイヤボンディングで直接接続した後に前記半
導体素子と前記ワイヤボンディングとを樹脂で封止した
チップオンボード実装デバイスを含む集積回路装置の実
装方法であって、前記樹脂上に形成されかつ前記チップ
オンボード実装デバイスから放射されるノイズ成分を吸
収する電波吸収膜を生成する工程を備えている。
【００１３】すなわち、本発明の集積回路装置は、ＣＯ
Ｂ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｂｏａｄ）実装の最大の特徴であ
る小型化や高密度化を生かしつつ、従来問題となってい
たＣＯＢ実装デバイス（集積回路）から放射されるノイ
ズ成分の抑圧を行うことを目的としている。
Ｂ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｂｏａｄ）実装の最大の特徴であ
る小型化や高密度化を生かしつつ、従来問題となってい
たＣＯＢ実装デバイス（集積回路）から放射されるノイ
ズ成分の抑圧を行うことを目的としている。
【００１４】本発明の集積回路装置では、フェライト複
合体に代表される電波吸収体材料を有機溶剤等に混ぜて
ペースト状にし、樹脂等で封止されたＣＯＢ実装デバイ
スの上に塗布して乾燥させることで、デバイスより放射
される余計なノイズ成分を吸収し、ノイズ成分により引
き起こされる回路の発振、周波数特性劣化、デバイスの
誤動作を防いでいる。
合体に代表される電波吸収体材料を有機溶剤等に混ぜて
ペースト状にし、樹脂等で封止されたＣＯＢ実装デバイ
スの上に塗布して乾燥させることで、デバイスより放射
される余計なノイズ成分を吸収し、ノイズ成分により引
き起こされる回路の発振、周波数特性劣化、デバイスの
誤動作を防いでいる。
【００１５】
【発明の実施の形態】次に、本発明の一実施例について
図面を参照して説明する。図１は本発明の一実施例によ
る集積回路装置の構成を示す断面図である。図におい
て、本発明の一実施例による集積回路装置では多層膜プ
リント基板１の中に形成されたキャビティ部にベアチッ
プ半導体素子（ベアチップＬＳＩ）２と、周辺回路形成
に必要な受動部品６とが実装され、ベアチップ半導体素
子２と受動部品６とがワイヤボンディング３で接続され
ている。
図面を参照して説明する。図１は本発明の一実施例によ
る集積回路装置の構成を示す断面図である。図におい
て、本発明の一実施例による集積回路装置では多層膜プ
リント基板１の中に形成されたキャビティ部にベアチッ
プ半導体素子（ベアチップＬＳＩ）２と、周辺回路形成
に必要な受動部品６とが実装され、ベアチップ半導体素
子２と受動部品６とがワイヤボンディング３で接続され
ている。
【００１６】尚、プリント基板１のキャビティ部以外に
はＳＭＴ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔ Ｔｅｃｈｎｏ
ｌｏｇｙ）部品７によって周辺回路が構成されている。
また、ワイヤボンディング３とベアチップ半導体素子２
とがそれらの保護のために樹脂４で封止されている。
はＳＭＴ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔ Ｔｅｃｈｎｏ
ｌｏｇｙ）部品７によって周辺回路が構成されている。
また、ワイヤボンディング３とベアチップ半導体素子２
とがそれらの保護のために樹脂４で封止されている。
【００１７】さらに、本発明の一実施例による集積回路
装置では多層膜プリント基板１にＣＯＢ実装された高周
波集積回路のうち、ベアチップ半導体素子２とワイヤボ
ンディング３との固定及び封止用として注入された樹脂
４上にペースト状の電波吸収材料５を塗布して乾燥さ
せ、電波吸収膜を形成している。
装置では多層膜プリント基板１にＣＯＢ実装された高周
波集積回路のうち、ベアチップ半導体素子２とワイヤボ
ンディング３との固定及び封止用として注入された樹脂
４上にペースト状の電波吸収材料５を塗布して乾燥さ
せ、電波吸収膜を形成している。
【００１８】電波吸収材料５はペースト状態となってい
る時に樹脂４に塗布されるため、樹脂４の表面上の凹凸
を吸収することができ、樹脂４と電波吸収材料５との間
をより密着させた状態で固定することが可能となる。
尚、本発明の一実施例ではこの電波吸収体材料５とし
て、集積回路の動作周波数付近の電波を吸収するフェラ
イト系合金が用いられている。
る時に樹脂４に塗布されるため、樹脂４の表面上の凹凸
を吸収することができ、樹脂４と電波吸収材料５との間
をより密着させた状態で固定することが可能となる。
尚、本発明の一実施例ではこの電波吸収体材料５とし
て、集積回路の動作周波数付近の電波を吸収するフェラ
イト系合金が用いられている。
【００１９】図２は図１に示す構成の高周波集積回路を
光インタフェースモジュールに適用した場合の動作を示
す図である。図において、１０は受光回路（電流−電圧
変換部を含む）、１４はケース、２０はプリント板パタ
ーンやＳＭＴ部品７によって構成される周辺回路、３０
は図１に示すような構成の等化増幅／識別再生回路（Ａ
ＧＣ／ＤＥＣ）を夫々示している。
光インタフェースモジュールに適用した場合の動作を示
す図である。図において、１０は受光回路（電流−電圧
変換部を含む）、１４はケース、２０はプリント板パタ
ーンやＳＭＴ部品７によって構成される周辺回路、３０
は図１に示すような構成の等化増幅／識別再生回路（Ａ
ＧＣ／ＤＥＣ）を夫々示している。
【００２０】これら図１及び図２を参照して本発明の一
実施例による集積回路装置の動作について説明する。
実施例による集積回路装置の動作について説明する。
【００２１】等化増幅／識別再生回路３０は受光回路１
０によって生成される微弱な信号を所定レベルまで増幅
する回路であり、等化増幅／識別再生回路３０から放射
されたノイズ成分が入力側に回り込んだ場合、信号成分
と共にノイズ成分も増幅されて発振や誤動作の原因とな
る。
０によって生成される微弱な信号を所定レベルまで増幅
する回路であり、等化増幅／識別再生回路３０から放射
されたノイズ成分が入力側に回り込んだ場合、信号成分
と共にノイズ成分も増幅されて発振や誤動作の原因とな
る。
【００２２】このノイズ成分の回り込みを防ぐため、出
力信号の動作周波数を中心とした周波数成分抑圧に効果
のある軟磁性体の金属粒子（例えば、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ
合金等）を含む電波吸収材料５を等化増幅／識別再生回
路３０内の樹脂４上に塗布して乾燥させている。
力信号の動作周波数を中心とした周波数成分抑圧に効果
のある軟磁性体の金属粒子（例えば、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ
合金等）を含む電波吸収材料５を等化増幅／識別再生回
路３０内の樹脂４上に塗布して乾燥させている。
【００２３】動作周波数以上のノイズ成分は等化増幅／
識別再生回路３０の帯域によって制限を受けるため、発
振の原因にはなりにくい。使用する電波吸収体材料５の
吸収中心周波数は動作周波数付近のものを使用するのが
望ましい。この電波吸収材料５によってノイズ成分の回
り込みによる不要な共振を抑え、等化増幅／識別再生回
路３０の周波数特性劣化を防ぐことが可能となる。
識別再生回路３０の帯域によって制限を受けるため、発
振の原因にはなりにくい。使用する電波吸収体材料５の
吸収中心周波数は動作周波数付近のものを使用するのが
望ましい。この電波吸収材料５によってノイズ成分の回
り込みによる不要な共振を抑え、等化増幅／識別再生回
路３０の周波数特性劣化を防ぐことが可能となる。
【００２４】このように、電波吸収材料５が塗布された
樹脂４で封止されるデバイス周辺から放射されるノイズ
成分を抑圧し、ノイズ成分の回り込みによる発振を防ぐ
ことが可能となる。これによって、デバイスの周波数特
性の劣化を防ぎ、動作の安定化を図ることが可能とな
る。
樹脂４で封止されるデバイス周辺から放射されるノイズ
成分を抑圧し、ノイズ成分の回り込みによる発振を防ぐ
ことが可能となる。これによって、デバイスの周波数特
性の劣化を防ぎ、動作の安定化を図ることが可能とな
る。
【００２５】また同時に、デバイスのパッケージが不要
となるため、回路実装面積を縮小することができ、その
結果としてデバイスの小型化や高密度化を図ることが可
能となる。
となるため、回路実装面積を縮小することができ、その
結果としてデバイスの小型化や高密度化を図ることが可
能となる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、複
数の半導体素子を直接配線基板上に実装し、半導体素子
間及び半導体素子と配線基板との間をワイヤボンディン
グで直接接続した後に半導体素子と前記ワイヤボンディ
ングとを樹脂で封止したチップオンボード実装デバイス
を含む集積回路装置において、チップオンボード実装デ
バイスから放射されるノイズ成分を吸収する電波吸収膜
を樹脂上に形成することによって、デバイスの周波数特
性の劣化を防ぐことができ、動作の安定化を図ることが
できるとともに、デバイスの小型化や高密度化を図るこ
とができるという効果がある。
数の半導体素子を直接配線基板上に実装し、半導体素子
間及び半導体素子と配線基板との間をワイヤボンディン
グで直接接続した後に半導体素子と前記ワイヤボンディ
ングとを樹脂で封止したチップオンボード実装デバイス
を含む集積回路装置において、チップオンボード実装デ
バイスから放射されるノイズ成分を吸収する電波吸収膜
を樹脂上に形成することによって、デバイスの周波数特
性の劣化を防ぐことができ、動作の安定化を図ることが
できるとともに、デバイスの小型化や高密度化を図るこ
とができるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例による集積回路装置の構成を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】図１の構成の高周波集積回路を光インタフェー
スモジュールに適用した場合の動作を示す図である。
スモジュールに適用した場合の動作を示す図である。
【図３】従来例による集積回路装置の構成を示す断面図
である。
である。
【図４】図３に示す構成の高周波集積回路を光インタフ
ェースモジュールに適用した場合の動作を示す図であ
る。
ェースモジュールに適用した場合の動作を示す図であ
る。
１ 多層膜プリント基板 ２ ベアチップ半導体素子 ３ ワイヤボンディング ４ 樹脂 ５ 電波吸収材料 ６ 受動部品 ７ ＳＭＴ部品 １０ 受光回路 １４ ケース ２０ 周辺回路 ３０ 等化増幅／識別再生回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ // Ｈ０１Ｌ 21/60 ３０１
Claims (8)
- 【請求項１】 複数の半導体素子を配線基板上に直接実
装し、少なくとも前記半導体素子間及び前記半導体素子
と前記配線基板との間をワイヤボンディングで直接接続
した後に前記半導体素子と前記ワイヤボンディングとを
樹脂で封止したチップオンボード実装デバイスを含む集
積回路装置であって、前記樹脂上に形成されかつ前記チ
ップオンボード実装デバイスから放射されるノイズ成分
を吸収する電波吸収膜を有することを特徴とする集積回
路装置。 - 【請求項２】 前記電波吸収膜は、電波吸収体材料と有
機溶剤との混合物を前記樹脂上に塗布した後に乾燥させ
て形成するようにしたことを特徴とする請求項１記載の
集積回路装置。 - 【請求項３】 前記電波吸収体材料は、前記チップオン
ボード実装デバイスからの出力信号の動作周波数を中心
とした周波数成分を抑圧する軟磁性体の金属粒子を含む
ことを特徴とする請求項２記載の集積回路装置。 - 【請求項４】 前記チップオンボード実装デバイスを高
周波集積回路として光インタフェースモジュールに適用
したことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか
記載の集積回路装置。 - 【請求項５】 複数の半導体素子を配線基板上に直接実
装し、少なくとも前記半導体素子間及び前記半導体素子
と前記配線基板との間をワイヤボンディングで直接接続
した後に前記半導体素子と前記ワイヤボンディングとを
樹脂で封止したチップオンボード実装デバイスを含む集
積回路装置の実装方法であって、前記樹脂上に形成され
かつ前記チップオンボード実装デバイスから放射される
ノイズ成分を吸収する電波吸収膜を生成する工程を有す
ることを特徴とする実装方法。 - 【請求項６】 前記電波吸収膜を生成する工程は、電波
吸収体材料と有機溶剤との混合物を前記樹脂上に塗布す
る工程と、前記樹脂上に塗布された混合物を乾燥させる
工程とを含むことを特徴とする請求項５記載の実装方
法。 - 【請求項７】 前記電波吸収体材料は、前記チップオン
ボード実装デバイスからの出力信号の動作周波数を中心
とした周波数成分を抑圧する軟磁性体の金属粒子を含む
ことを特徴とする請求項６記載の実装方法。 - 【請求項８】 前記チップオンボード実装デバイスを高
周波集積回路として光インタフェースモジュールに適用
したことを特徴とする請求項５から請求項７のいずれか
記載の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16123598A JPH11354691A (ja) | 1998-06-10 | 1998-06-10 | 集積回路装置及びその実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16123598A JPH11354691A (ja) | 1998-06-10 | 1998-06-10 | 集積回路装置及びその実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11354691A true JPH11354691A (ja) | 1999-12-24 |
Family
ID=15731215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16123598A Pending JPH11354691A (ja) | 1998-06-10 | 1998-06-10 | 集積回路装置及びその実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11354691A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001250873A (ja) * | 2000-01-24 | 2001-09-14 | Infineon Technologies Ag | 防護装置および装置を有する電気的な構成素子 |
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| JP2017118015A (ja) * | 2015-12-25 | 2017-06-29 | 株式会社トーキン | 電子装置及び電磁干渉抑制体の配置方法 |
-
1998
- 1998-06-10 JP JP16123598A patent/JPH11354691A/ja active Pending
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| US10729044B2 (en) | 2015-12-25 | 2020-07-28 | Tokin Corporation | Electronic device and method for disposing electromagnetic interference suppressor |
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