JP2002134679A - 集積回路 - Google Patents
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- JP2002134679A JP2002134679A JP2000325708A JP2000325708A JP2002134679A JP 2002134679 A JP2002134679 A JP 2002134679A JP 2000325708 A JP2000325708 A JP 2000325708A JP 2000325708 A JP2000325708 A JP 2000325708A JP 2002134679 A JP2002134679 A JP 2002134679A
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- circuit
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 アナログ高周波処理を行う回路とデジタルロ
ジック処理を行う回路を混在させたモジュールICにお
いて、それぞれの回路が発生するノイズがモジュールI
C内の他の回路に影響を与えないようにする。 【解決手段】 デジタルロジック回路12とアナログ高
周波回路13と混載されて構成される集積回路におい
て、デジタルロジック回路12とアナログ高周波回路1
3の少なくとも一方を、電磁波吸収体樹脂15で封止し
て、一体のパッケージ14に収納させた構成とし、電磁
波吸収体樹脂15で封止された回路から放射されるノイ
ズが、この電磁波吸収体樹脂15で吸収されて、集積回
路内の他の回路へのノイズの影響を低減させるようにし
た。
ジック処理を行う回路を混在させたモジュールICにお
いて、それぞれの回路が発生するノイズがモジュールI
C内の他の回路に影響を与えないようにする。 【解決手段】 デジタルロジック回路12とアナログ高
周波回路13と混載されて構成される集積回路におい
て、デジタルロジック回路12とアナログ高周波回路1
3の少なくとも一方を、電磁波吸収体樹脂15で封止し
て、一体のパッケージ14に収納させた構成とし、電磁
波吸収体樹脂15で封止された回路から放射されるノイ
ズが、この電磁波吸収体樹脂15で吸収されて、集積回
路内の他の回路へのノイズの影響を低減させるようにし
た。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の回路部品が
収納されたモジュールIC(Integrated Circuit)と称
される集積回路に関し、特に携帯電話端末などの通信装
置に組み込まれる集積回路に適用して好適なものに関す
る。
収納されたモジュールIC(Integrated Circuit)と称
される集積回路に関し、特に携帯電話端末などの通信装
置に組み込まれる集積回路に適用して好適なものに関す
る。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体製造技術の向上や産業分野
の発展に伴って、特定のシステムやアプリケーション、
用途に特化した集積回路が各種実用化されている。この
ような集積回路の中には、複数の機能の集積回路部品を
混載させていわゆるモジュールICと称されるものがあ
る。このモジュールICとして、アナログ高周波処理を
行う集積回路部品(アナログ高周波IC)と、デジタル
ロジック処理を行う集積回路部品(デジタルロジックI
C)とを、1つのモジュールICとして混載させたもの
も各種存在する。このようなモジュールICを使用する
ことで、このICを搭載した機器の回路の集積度を向上
させることができ、機器の小型化や低消費電力化などに
貢献する。
の発展に伴って、特定のシステムやアプリケーション、
用途に特化した集積回路が各種実用化されている。この
ような集積回路の中には、複数の機能の集積回路部品を
混載させていわゆるモジュールICと称されるものがあ
る。このモジュールICとして、アナログ高周波処理を
行う集積回路部品(アナログ高周波IC)と、デジタル
ロジック処理を行う集積回路部品(デジタルロジックI
C)とを、1つのモジュールICとして混載させたもの
も各種存在する。このようなモジュールICを使用する
ことで、このICを搭載した機器の回路の集積度を向上
させることができ、機器の小型化や低消費電力化などに
貢献する。
【0003】図6は、従来のモジュールICの構成例を
断面で示す図である。モジュールIC1として、例えば
基板2の上に、デジタルロジックIC3とアナログ高周
波IC4とが配置してあり、樹脂,セラミックなどで形
成されたパッケージ5に収納させてある。そして、基板
2に形成された配線パターンが各IC3,4と接続して
あり、この配線パターンと接続された端子(図示せず)
が、パッケージ5の外部に露出させてあり、このモジュ
ールICが配置される回路基板上の配線パターンとハン
ダ付けなどで接続される。
断面で示す図である。モジュールIC1として、例えば
基板2の上に、デジタルロジックIC3とアナログ高周
波IC4とが配置してあり、樹脂,セラミックなどで形
成されたパッケージ5に収納させてある。そして、基板
2に形成された配線パターンが各IC3,4と接続して
あり、この配線パターンと接続された端子(図示せず)
が、パッケージ5の外部に露出させてあり、このモジュ
ールICが配置される回路基板上の配線パターンとハン
ダ付けなどで接続される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うなアナログ高周波処理を行う集積回路部品と、デジタ
ルロジック処理を行う集積回路部品とを、1つのモジュ
ールICに混載させた場合、一方の回路部品が発生させ
るノイズが、他方の回路部品に悪影響を与える場合が多
々あった。例えば、デジタルロジックICは、使用する
クロック周波数の近傍又はそのクロック周波数の逓倍の
デジタルノイズが発生する問題がある。また、アナログ
高周波ICの場合には、アナログデバイス固有のノイズ
や通過信号の近傍及び逓倍のノイズが発生する問題があ
る。
うなアナログ高周波処理を行う集積回路部品と、デジタ
ルロジック処理を行う集積回路部品とを、1つのモジュ
ールICに混載させた場合、一方の回路部品が発生させ
るノイズが、他方の回路部品に悪影響を与える場合が多
々あった。例えば、デジタルロジックICは、使用する
クロック周波数の近傍又はそのクロック周波数の逓倍の
デジタルノイズが発生する問題がある。また、アナログ
高周波ICの場合には、アナログデバイス固有のノイズ
や通過信号の近傍及び逓倍のノイズが発生する問題があ
る。
【0005】従来、これらのノイズ対策は、各回路部品
毎に個別に対応するようにしてあるが、回路内での対応
だけでは完全にノイズを除去することは困難であった。
ここで、例えば回路部品が取付けられた基板を覆うよう
なシールドケースを取付けるような構成とすることで、
機器の外部にノイズが漏れるのを防止することは比較的
容易に行える。
毎に個別に対応するようにしてあるが、回路内での対応
だけでは完全にノイズを除去することは困難であった。
ここで、例えば回路部品が取付けられた基板を覆うよう
なシールドケースを取付けるような構成とすることで、
機器の外部にノイズが漏れるのを防止することは比較的
容易に行える。
【0006】これに対して、上述したモジュールICで
両回路部品が混載されている場合には、モジュールIC
内でアナログ高周波ICとデジタルロジックICのノイ
ズが相互に影響しあうため、それぞれの回路部品からの
ノイズの出力がある限り、モジュールIC内の回路間で
のノイズによる影響を原理的に無くすことは困難であ
る。
両回路部品が混載されている場合には、モジュールIC
内でアナログ高周波ICとデジタルロジックICのノイ
ズが相互に影響しあうため、それぞれの回路部品からの
ノイズの出力がある限り、モジュールIC内の回路間で
のノイズによる影響を原理的に無くすことは困難であ
る。
【0007】例えば、携帯電話端末と称される無線通信
装置の場合には、携帯用としての用途から小型化が要請
されており、上述したモジュールICを使用することは
小型化や低消費電力化を行う上で有効であるが、この種
の無線通信で使用される周波数帯域として高い周波数帯
域が使用されつつあり、例えば800MHzから数GH
z程度の帯域が使用され、ICが使用するクロックやア
ナログ高周波信号などの周波数が非常に高周波数化して
おり、上述したノイズが発生し易い状況になっている。
装置の場合には、携帯用としての用途から小型化が要請
されており、上述したモジュールICを使用することは
小型化や低消費電力化を行う上で有効であるが、この種
の無線通信で使用される周波数帯域として高い周波数帯
域が使用されつつあり、例えば800MHzから数GH
z程度の帯域が使用され、ICが使用するクロックやア
ナログ高周波信号などの周波数が非常に高周波数化して
おり、上述したノイズが発生し易い状況になっている。
【0008】本発明はこのような状況に鑑みてなされた
ものであり、アナログ高周波処理を行う回路とデジタル
ロジック処理を行う回路を混在させたモジュールICに
おいて、それぞれの回路が発生するノイズがモジュール
IC内の他の回路に影響を与えないようにすることにあ
る。
ものであり、アナログ高周波処理を行う回路とデジタル
ロジック処理を行う回路を混在させたモジュールICに
おいて、それぞれの回路が発生するノイズがモジュール
IC内の他の回路に影響を与えないようにすることにあ
る。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、デジタルロジ
ック回路とアナログ高周波回路と混載されて構成される
集積回路において、デジタルロジック回路とアナログ高
周波回路の少なくとも一方を、電磁波吸収体樹脂で封止
して、一体のパッケージに収納させた構成としたもので
ある。
ック回路とアナログ高周波回路と混載されて構成される
集積回路において、デジタルロジック回路とアナログ高
周波回路の少なくとも一方を、電磁波吸収体樹脂で封止
して、一体のパッケージに収納させた構成としたもので
ある。
【0010】かかる発明によると、電磁波吸収体樹脂で
封止された回路から放射されるノイズが、この電磁波吸
収体樹脂で吸収されて、集積回路内の他の回路へのノイ
ズの影響を低減させることができる。
封止された回路から放射されるノイズが、この電磁波吸
収体樹脂で吸収されて、集積回路内の他の回路へのノイ
ズの影響を低減させることができる。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の一実施の形態について説明する。
明の一実施の形態について説明する。
【0012】本例においては、デジタルロジック処理
(デジタル的な論理演算を行う処理)を行う回路部品で
あるデジタルロジックICと、アナログ高周波信号の処
理を行う回路部品であるアナログ高周波ICとが、1つ
のパッケージに混載されたモジュールICとして構成さ
れた集積回路に適用したものである。
(デジタル的な論理演算を行う処理)を行う回路部品で
あるデジタルロジックICと、アナログ高周波信号の処
理を行う回路部品であるアナログ高周波ICとが、1つ
のパッケージに混載されたモジュールICとして構成さ
れた集積回路に適用したものである。
【0013】図1は、本例の集積回路の構成例を断面で
示す図である。本例のモジュールIC10は、例えば基
板11の上に、デジタルロジック処理を行う集積回路部
品であるデジタルロジックIC12と、アナログ高周波
信号の処理を行う集積回路部品であるアナログ高周波I
C13とが配置してあり、樹脂,セラミックなどで形成
されたパッケージ14に収納させてある。そして、基板
11に形成された配線パターンが各IC12,13と接
続してあり、この配線パターンと接続された端子(図示
せず)が、パッケージ14の外部に露出させてあり、こ
のモジュールICが配置される回路基板上の配線パター
ンとハンダ付けなどで接続される。なお、デジタルロジ
ックIC12やアナログ高周波IC13は、それぞれ複
数個配置される構成であっても良い。
示す図である。本例のモジュールIC10は、例えば基
板11の上に、デジタルロジック処理を行う集積回路部
品であるデジタルロジックIC12と、アナログ高周波
信号の処理を行う集積回路部品であるアナログ高周波I
C13とが配置してあり、樹脂,セラミックなどで形成
されたパッケージ14に収納させてある。そして、基板
11に形成された配線パターンが各IC12,13と接
続してあり、この配線パターンと接続された端子(図示
せず)が、パッケージ14の外部に露出させてあり、こ
のモジュールICが配置される回路基板上の配線パター
ンとハンダ付けなどで接続される。なお、デジタルロジ
ックIC12やアナログ高周波IC13は、それぞれ複
数個配置される構成であっても良い。
【0014】そして本例においては、モジュールIC1
0の内部の基板11に配置されたデジタルロジックIC
12の周囲に、電磁波吸収体樹脂15を塗布して、デジ
タルロジックIC12を電磁波吸収体樹脂15で封止す
るようにしてある。
0の内部の基板11に配置されたデジタルロジックIC
12の周囲に、電磁波吸収体樹脂15を塗布して、デジ
タルロジックIC12を電磁波吸収体樹脂15で封止す
るようにしてある。
【0015】電磁波吸収体樹脂15としては、例えば軟
磁性体である軟磁性フェライトの微粒子を、エポキシ樹
脂あるいはフェノール樹脂等を結合媒体として重量比5
0〜90wt%で混合して、ペースト状としたものを使
用する。軟磁性フェライトの微粒子としては、例えば薄
膜プロセスで作製した偏平あるいは円盤状のFe16N2微粒
子を使用する。また、結合媒体として、クロロプレンゴ
ムやシリコンゴム等を用いても良い。また、カップリン
グ剤を用いて、充填率を増加させて、粒子の凝固を防止
するようにして、均一な分散状態が得られるようにして
も良い。さらに、有機溶媒を用いて、塗布しやすい構成
としても良い。塗布させる代わりに、電磁波吸収体樹脂
15をシート状に形成して、これをデジタルロジックI
C12の形状に合わせて切断して貼付するようにしても
良い。
磁性体である軟磁性フェライトの微粒子を、エポキシ樹
脂あるいはフェノール樹脂等を結合媒体として重量比5
0〜90wt%で混合して、ペースト状としたものを使
用する。軟磁性フェライトの微粒子としては、例えば薄
膜プロセスで作製した偏平あるいは円盤状のFe16N2微粒
子を使用する。また、結合媒体として、クロロプレンゴ
ムやシリコンゴム等を用いても良い。また、カップリン
グ剤を用いて、充填率を増加させて、粒子の凝固を防止
するようにして、均一な分散状態が得られるようにして
も良い。さらに、有機溶媒を用いて、塗布しやすい構成
としても良い。塗布させる代わりに、電磁波吸収体樹脂
15をシート状に形成して、これをデジタルロジックI
C12の形状に合わせて切断して貼付するようにしても
良い。
【0016】このように構成されるモジュールIC10
は、内部にデジタルロジックIC12とアナログ高周波
IC13とが混載されているが、それぞれのIC12,
13のノイズの相互影響を除去することができる効果を
有する。即ち、デジタルロジックIC12から放射され
るノイズは、電磁波吸収体樹脂15で吸収されて、アナ
ログ高周波IC13に到達するレベルが低減されて、ア
ナログ高周波IC13での信号処理に悪影響を与えるこ
とがなくなる。また、アナログ高周波IC13から放射
されるノイズについても、少なくともモジュールIC1
0内のデジタルロジックIC12に到達するレベルが、
電磁波吸収体樹脂15で低減されて、デジタルロジック
IC12での信号処理に悪影響を与えることがなくな
る。
は、内部にデジタルロジックIC12とアナログ高周波
IC13とが混載されているが、それぞれのIC12,
13のノイズの相互影響を除去することができる効果を
有する。即ち、デジタルロジックIC12から放射され
るノイズは、電磁波吸収体樹脂15で吸収されて、アナ
ログ高周波IC13に到達するレベルが低減されて、ア
ナログ高周波IC13での信号処理に悪影響を与えるこ
とがなくなる。また、アナログ高周波IC13から放射
されるノイズについても、少なくともモジュールIC1
0内のデジタルロジックIC12に到達するレベルが、
電磁波吸収体樹脂15で低減されて、デジタルロジック
IC12での信号処理に悪影響を与えることがなくな
る。
【0017】図2は、電磁波吸収体樹脂15として、Fe
16N2微粒子を結合媒体と混合させたものを使用した場合
の特性例を示したものである。図2Aは電磁波吸収体樹
脂を塗布しない場合の、ある回路部品からの電磁波の放
射レベルで、図2Bは同じ回路部品に電磁波吸収体樹脂
を塗布した場合の、同じ条件での電磁波の放射レベルを
示したものである。図2Aと図2Bを比較すれば判るよ
うに、図2に示した1500MHzまでの周波数範囲で
は、どの周波数帯域でも高い減衰効果があり、最大で約
15dBの減衰効果が得られる。このように最大で15
dB程度の電磁波の減衰があることで、この部品に近接
して配置された部品に到達するノイズも、それだけレベ
ルが減衰することになり、ノイズによる誤動作を効果的
に防止することができるようになる。
16N2微粒子を結合媒体と混合させたものを使用した場合
の特性例を示したものである。図2Aは電磁波吸収体樹
脂を塗布しない場合の、ある回路部品からの電磁波の放
射レベルで、図2Bは同じ回路部品に電磁波吸収体樹脂
を塗布した場合の、同じ条件での電磁波の放射レベルを
示したものである。図2Aと図2Bを比較すれば判るよ
うに、図2に示した1500MHzまでの周波数範囲で
は、どの周波数帯域でも高い減衰効果があり、最大で約
15dBの減衰効果が得られる。このように最大で15
dB程度の電磁波の減衰があることで、この部品に近接
して配置された部品に到達するノイズも、それだけレベ
ルが減衰することになり、ノイズによる誤動作を効果的
に防止することができるようになる。
【0018】次に、このように構成されるモジュールI
C10の使用例を、図3を参照して説明する。この例で
は、無線信号の送受信を行う無線電話装置(携帯電話端
末)に使用されるようにしたものである。即ち、アンテ
ナ101が接続されたアナログ高周波回路102で、高
周波信号の送信処理及び受信処理を行う。アナログ高周
波回路102で受信された所定の伝送チャンネル(伝送
周波数)の信号を、変復調回路103に供給して復調
し、その復調された信号をデータ処理回路104に供給
して、デジタルデータ処理を行う。データ処理回路10
4での処理で抽出された音声データは、デジタル/アナ
ログ変換器105に供給してアナログ音声信号に変換
し、変換された音声信号を増幅器106を介してスピー
カ107に供給し、出力させる。
C10の使用例を、図3を参照して説明する。この例で
は、無線信号の送受信を行う無線電話装置(携帯電話端
末)に使用されるようにしたものである。即ち、アンテ
ナ101が接続されたアナログ高周波回路102で、高
周波信号の送信処理及び受信処理を行う。アナログ高周
波回路102で受信された所定の伝送チャンネル(伝送
周波数)の信号を、変復調回路103に供給して復調
し、その復調された信号をデータ処理回路104に供給
して、デジタルデータ処理を行う。データ処理回路10
4での処理で抽出された音声データは、デジタル/アナ
ログ変換器105に供給してアナログ音声信号に変換
し、変換された音声信号を増幅器106を介してスピー
カ107に供給し、出力させる。
【0019】また、マイクロホン108が拾って出力さ
せる音声信号を、増幅器109を介してアナログ/デジ
タル変換器110に供給して、デジタル音声データに変
換し、変換された音声データをデータ処理回路104に
供給して、送信用の構成のデータとする。データ処理回
路104で生成された送信データは、変復調回路103
に供給して送信用に変調し、その変調された送信信号を
アナログ高周波回路102に供給して、所定の伝送チャ
ンネルの信号とし、アンテナ101から無線送信させ
る。
せる音声信号を、増幅器109を介してアナログ/デジ
タル変換器110に供給して、デジタル音声データに変
換し、変換された音声データをデータ処理回路104に
供給して、送信用の構成のデータとする。データ処理回
路104で生成された送信データは、変復調回路103
に供給して送信用に変調し、その変調された送信信号を
アナログ高周波回路102に供給して、所定の伝送チャ
ンネルの信号とし、アンテナ101から無線送信させ
る。
【0020】これらの回路での送信処理や受信処理は、
中央制御ユニット(CPU)111の制御で実行され
る。中央制御ユニット111は、内部バスに指令を送る
ことができる構成としてある。また中央制御ユニット1
11には、内部バスを介してメモリ112が接続してあ
り、メモリ112に処理に必要なデータが記憶される。
中央制御ユニット(CPU)111の制御で実行され
る。中央制御ユニット111は、内部バスに指令を送る
ことができる構成としてある。また中央制御ユニット1
11には、内部バスを介してメモリ112が接続してあ
り、メモリ112に処理に必要なデータが記憶される。
【0021】さらにこの装置は、表示部113とキー入
力部114を備え、表示部113での表示が、中央制御
ユニット111の制御で実行され、キー入力部114で
検出したキー入力情報を中央制御ユニット111に供給
する構成としてある。
力部114を備え、表示部113での表示が、中央制御
ユニット111の制御で実行され、キー入力部114で
検出したキー入力情報を中央制御ユニット111に供給
する構成としてある。
【0022】アナログ高周波回路102には、図示しな
い高周波発振器からの高周波信号が供給されて、伝送チ
ャンネルの信号から中間周波信号(又はベースバンド信
号)への周波数変換や、中間周波信号(又はベースバン
ド信号)から伝送チャンネルの信号への周波数変換など
が行われる。アナログ高周波回路102で処理される送
信周波数や受信周波数としては、例えば800MHz帯
や数GHz帯が使用される。変復調回路103,データ
処理回路104,デジタル/アナログ変換器105,ア
ナログ/デジタル変換器106,中央制御ユニット11
1での処理には、図示しないクロック発生器からのクロ
ックが供給されて、作動する。
い高周波発振器からの高周波信号が供給されて、伝送チ
ャンネルの信号から中間周波信号(又はベースバンド信
号)への周波数変換や、中間周波信号(又はベースバン
ド信号)から伝送チャンネルの信号への周波数変換など
が行われる。アナログ高周波回路102で処理される送
信周波数や受信周波数としては、例えば800MHz帯
や数GHz帯が使用される。変復調回路103,データ
処理回路104,デジタル/アナログ変換器105,ア
ナログ/デジタル変換器106,中央制御ユニット11
1での処理には、図示しないクロック発生器からのクロ
ックが供給されて、作動する。
【0023】このように構成される無線電話装置への本
例のモジュールIC10の適用としては、例えばアナロ
グ高周波IC13で、アナログ高周波回路102を構成
させる。具体的には、周波数変換に必要なミキサや、ロ
ーノイズアンプ(LNA)と称される高周波信号用の増
幅器などを、アナログ高周波IC13で構成させて、ア
ナログ高周波回路102として機能するようにする。
例のモジュールIC10の適用としては、例えばアナロ
グ高周波IC13で、アナログ高周波回路102を構成
させる。具体的には、周波数変換に必要なミキサや、ロ
ーノイズアンプ(LNA)と称される高周波信号用の増
幅器などを、アナログ高周波IC13で構成させて、ア
ナログ高周波回路102として機能するようにする。
【0024】また、モジュールIC10内のデジタルロ
ジックIC12としては、無線電話装置内でデジタル演
算処理が行われる各種回路に適用可能である。例えば、
変復調回路103,データ処理回路104,デジタル/
アナログ変換器105,アナログ/デジタル変換器11
0の内の1つ又は複数の回路を構成させることができ
る。あるいは、デジタルロジックIC12で、中央制御
ユニット111を構成させて、このデジタルロジックI
C12が各部の制御処理を行うようにしても良い。
ジックIC12としては、無線電話装置内でデジタル演
算処理が行われる各種回路に適用可能である。例えば、
変復調回路103,データ処理回路104,デジタル/
アナログ変換器105,アナログ/デジタル変換器11
0の内の1つ又は複数の回路を構成させることができ
る。あるいは、デジタルロジックIC12で、中央制御
ユニット111を構成させて、このデジタルロジックI
C12が各部の制御処理を行うようにしても良い。
【0025】このように構成される無線電話装置内の回
路として、本例のモジュールIC10を使用すること
で、装置内部のアナログ高周波回路とデジタルロジック
回路とが相互にノイズで悪影響を与えることがなくな
り、良好な信号処理特性が得られるようになり、無線電
話装置としての特性が向上する。
路として、本例のモジュールIC10を使用すること
で、装置内部のアナログ高周波回路とデジタルロジック
回路とが相互にノイズで悪影響を与えることがなくな
り、良好な信号処理特性が得られるようになり、無線電
話装置としての特性が向上する。
【0026】なお、図1に示したモジュールIC10で
は、モジュールIC内のデジタルロジックIC12を電
磁波吸収体樹脂15で封止させ、アナログ高周波IC1
3については電磁波吸収体樹脂15で封止させない構成
としたが、アナログ高周波IC側を電磁波吸収体樹脂で
封止させるようにしても良い。
は、モジュールIC内のデジタルロジックIC12を電
磁波吸収体樹脂15で封止させ、アナログ高周波IC1
3については電磁波吸収体樹脂15で封止させない構成
としたが、アナログ高周波IC側を電磁波吸収体樹脂で
封止させるようにしても良い。
【0027】即ち、例えば図4に断面で示すように、モ
ジュールIC20として、例えば基板21の上に、デジ
タルロジック処理を行う集積回路部品であるデジタルロ
ジックIC22と、アナログ高周波信号の処理を行う集
積回路部品であるアナログ高周波IC23とを混載させ
て、樹脂,セラミックなどで形成されたパッケージ24
に収納させて構成させた場合に、デジタルロジックIC
22とアナログ高周波IC23の双方の回路部品の周囲
に、電磁波吸収体樹脂25を塗布して、デジタルロジッ
クIC22とアナログ高周波IC23の双方を電磁波吸
収体樹脂25で封止するようにしても良い。このように
構成することで、デジタルロジックIC22とアナログ
高周波IC23のノイズ相互影響を効果的に除去するこ
とができる。また、このようにモジュールIC内の各I
C22,23を電磁波吸収体樹脂25で封止すること
で、モジュールIC20の外部へのノイズの放射レベル
についても効果的に低減させることができる。但し本例
の場合には、図1の構成の場合に比べて、電磁波吸収体
樹脂の使用量が若干増える。
ジュールIC20として、例えば基板21の上に、デジ
タルロジック処理を行う集積回路部品であるデジタルロ
ジックIC22と、アナログ高周波信号の処理を行う集
積回路部品であるアナログ高周波IC23とを混載させ
て、樹脂,セラミックなどで形成されたパッケージ24
に収納させて構成させた場合に、デジタルロジックIC
22とアナログ高周波IC23の双方の回路部品の周囲
に、電磁波吸収体樹脂25を塗布して、デジタルロジッ
クIC22とアナログ高周波IC23の双方を電磁波吸
収体樹脂25で封止するようにしても良い。このように
構成することで、デジタルロジックIC22とアナログ
高周波IC23のノイズ相互影響を効果的に除去するこ
とができる。また、このようにモジュールIC内の各I
C22,23を電磁波吸収体樹脂25で封止すること
で、モジュールIC20の外部へのノイズの放射レベル
についても効果的に低減させることができる。但し本例
の場合には、図1の構成の場合に比べて、電磁波吸収体
樹脂の使用量が若干増える。
【0028】また、例えば図5に断面で示すように、モ
ジュールIC30として、例えば基板31の上に、デジ
タルロジック処理を行う集積回路部品であるデジタルロ
ジックIC32と、アナログ高周波信号の処理を行う集
積回路部品であるアナログ高周波IC33とを混載させ
て、樹脂,セラミックなどで形成されたパッケージ34
に収納させて構成させた場合に、アナログ高周波IC3
3の周囲に電磁波吸収体樹脂35を塗布し、デジタルロ
ジックIC32の周囲には電磁波吸収体樹脂35を塗布
させず、アナログ高周波IC33だけを電磁波吸収体樹
脂35で封止するようにしても良い。このように構成す
ることによっても、デジタルロジックIC32とアナロ
グ高周波IC33のノイズ相互影響を除去することがで
きる。
ジュールIC30として、例えば基板31の上に、デジ
タルロジック処理を行う集積回路部品であるデジタルロ
ジックIC32と、アナログ高周波信号の処理を行う集
積回路部品であるアナログ高周波IC33とを混載させ
て、樹脂,セラミックなどで形成されたパッケージ34
に収納させて構成させた場合に、アナログ高周波IC3
3の周囲に電磁波吸収体樹脂35を塗布し、デジタルロ
ジックIC32の周囲には電磁波吸収体樹脂35を塗布
させず、アナログ高周波IC33だけを電磁波吸収体樹
脂35で封止するようにしても良い。このように構成す
ることによっても、デジタルロジックIC32とアナロ
グ高周波IC33のノイズ相互影響を除去することがで
きる。
【0029】なお、図4,図5の構成で示した電磁波吸
収体樹脂25,35としては、例えば上述した図1例の
電磁波吸収体樹脂15と同じ組成のものを使用する。
収体樹脂25,35としては、例えば上述した図1例の
電磁波吸収体樹脂15と同じ組成のものを使用する。
【0030】なお、上述した実施の形態では、モジュー
ルICを無線電話装置に組み込んだ例について説明した
が、アナログ高周波回路とデジタルロジック回路とを混
載させた集積回路が必要なその他の各種電子機器に使用
されるモジュールICにも適用できることは勿論であ
る。この場合、アナログ高周波回路としては、上述した
上述した実施の形態では、送信処理と受信処理の双方を
行う回路としたが、アナログ高周波信号による送信処理
又は受信処理のいずれか一方だけを行う回路でも良い。
また、デジタルロジック回路についても、送信するデー
タ又は受信したデータのデジタルロジック処理を行う回
路の他に、装置が有する制御手段が必要とするデジタル
ロジック処理を行う回路としても良い。
ルICを無線電話装置に組み込んだ例について説明した
が、アナログ高周波回路とデジタルロジック回路とを混
載させた集積回路が必要なその他の各種電子機器に使用
されるモジュールICにも適用できることは勿論であ
る。この場合、アナログ高周波回路としては、上述した
上述した実施の形態では、送信処理と受信処理の双方を
行う回路としたが、アナログ高周波信号による送信処理
又は受信処理のいずれか一方だけを行う回路でも良い。
また、デジタルロジック回路についても、送信するデー
タ又は受信したデータのデジタルロジック処理を行う回
路の他に、装置が有する制御手段が必要とするデジタル
ロジック処理を行う回路としても良い。
【0031】また、上述した実施の形態で説明した電磁
波吸収体樹脂を構成する軟磁性体や結合媒体の組成につ
いては一例を示したものであり、同様の電磁波吸収特性
を有するペースト状などの材料を使用しても良い。
波吸収体樹脂を構成する軟磁性体や結合媒体の組成につ
いては一例を示したものであり、同様の電磁波吸収特性
を有するペースト状などの材料を使用しても良い。
【0032】
【発明の効果】本発明によると、電磁波吸収体樹脂で封
止された回路から放射されるノイズが、この電磁波吸収
体樹脂で吸収されて、集積回路内の他の回路へのノイズ
の影響を低減させることができ、モジュールIC内での
ノイズの影響による誤動作などを効果的に防止すること
が可能になる。
止された回路から放射されるノイズが、この電磁波吸収
体樹脂で吸収されて、集積回路内の他の回路へのノイズ
の影響を低減させることができ、モジュールIC内での
ノイズの影響による誤動作などを効果的に防止すること
が可能になる。
【0033】この場合、デジタルロジック回路を電磁波
吸収体樹脂で封止し、アナログ高周波回路は電磁波吸収
体樹脂では封止しない構成としたことで、デジタルロジ
ック回路とアナログ高周波回路との間でのノイズの影響
を効果的に低減させることができる。特にこの構成の場
合には、電磁波吸収体樹脂は一方の回路を封止させるだ
けで良いので、少ない使用量の電磁波吸収体樹脂でノイ
ズの影響を低減させることができる。
吸収体樹脂で封止し、アナログ高周波回路は電磁波吸収
体樹脂では封止しない構成としたことで、デジタルロジ
ック回路とアナログ高周波回路との間でのノイズの影響
を効果的に低減させることができる。特にこの構成の場
合には、電磁波吸収体樹脂は一方の回路を封止させるだ
けで良いので、少ない使用量の電磁波吸収体樹脂でノイ
ズの影響を低減させることができる。
【0034】また、電磁波吸収体樹脂は、軟磁性体で構
成される粒子を樹脂に混合したものとしたことで、軟磁
性体樹脂により封止された回路から放射される電磁波
を、軟磁性体が効率良く吸収するようになり、効果的な
ノイズ除去が行える。
成される粒子を樹脂に混合したものとしたことで、軟磁
性体樹脂により封止された回路から放射される電磁波
を、軟磁性体が効率良く吸収するようになり、効果的な
ノイズ除去が行える。
【0035】さらに、アナログ高周波回路は、無線信号
の送信処理又は受信処理を行う回路であり、デジタルロ
ジック回路は、アナログ高周波回路で送信する信号又は
受信した信号のベースバンド処理、又はアナログ高周波
回路を制御する処理を行う回路であることで、例えば携
帯電話端末のような通信装置内での高周波信号の伝送処
理とベースバンド処理や制御処理を、ノイズの影響の無
い1つのモジュールICを使用して効率良く行える。
の送信処理又は受信処理を行う回路であり、デジタルロ
ジック回路は、アナログ高周波回路で送信する信号又は
受信した信号のベースバンド処理、又はアナログ高周波
回路を制御する処理を行う回路であることで、例えば携
帯電話端末のような通信装置内での高周波信号の伝送処
理とベースバンド処理や制御処理を、ノイズの影響の無
い1つのモジュールICを使用して効率良く行える。
【図1】本発明の一実施の形態によるモジュールICの
内部構成例を示す断面図である。
内部構成例を示す断面図である。
【図2】本発明の一実施の形態で使用される電磁波吸収
体樹脂の特性例を示す特性図で、図2Aは電磁波吸収体
樹脂を使用しない場合の電磁波の放射レベルで、図2B
は電磁波吸収体樹脂を使用した場合の電磁波の放射レベ
ルである。
体樹脂の特性例を示す特性図で、図2Aは電磁波吸収体
樹脂を使用しない場合の電磁波の放射レベルで、図2B
は電磁波吸収体樹脂を使用した場合の電磁波の放射レベ
ルである。
【図3】本発明の一実施の形態によるモジュールICが
適用される装置の構成例を示すブロック図である。
適用される装置の構成例を示すブロック図である。
【図4】本発明の他の実施の形態によるモジュールIC
の内部構成例を示す断面図である。
の内部構成例を示す断面図である。
【図5】本発明のさらに他の実施の形態によるモジュー
ルICの内部構成例を示す断面図である。
ルICの内部構成例を示す断面図である。
【図6】従来のモジュールICの内部構成例を示す断面
図である。
図である。
10,20,30…モジュールIC、11,21,31
…基板、12,22,32…デジタルロジックIC、1
3,23,33…アナログ高周波IC、14,24,3
4…パッケージ部材、15,25,35…電磁波吸収体
樹脂、101…アンテナ、102…アナログ高周波回
路、103…変復調回路、104…データ処理回路、1
05…デジタル/アナログ変換器、106…増幅器、1
07…スピーカ、108…マイクロホン、109…増幅
器、110…アナログ/デジタル変換器、111…中央
制御ユニット(CPU)、112…メモリ、113…表
示部、114…キー入力部
…基板、12,22,32…デジタルロジックIC、1
3,23,33…アナログ高周波IC、14,24,3
4…パッケージ部材、15,25,35…電磁波吸収体
樹脂、101…アンテナ、102…アナログ高周波回
路、103…変復調回路、104…データ処理回路、1
05…デジタル/アナログ変換器、106…増幅器、1
07…スピーカ、108…マイクロホン、109…増幅
器、110…アナログ/デジタル変換器、111…中央
制御ユニット(CPU)、112…メモリ、113…表
示部、114…キー入力部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05K 9/00 (72)発明者 初谷 匡長 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 Fターム(参考) 4M109 AA01 BA03 CA05 CA22 EA02 EA03 EB06 EB12 EE08 GA02 5E321 AA22 BB33 GG05 GG07 GG11
Claims (4)
- 【請求項1】 デジタルロジック回路とアナログ高周波
回路と混載されて構成される集積回路において、 上記デジタルロジック回路と上記アナログ高周波回路の
少なくとも一方を、電磁波吸収体樹脂で封止して、一体
のパッケージに収納させたことを特徴とする集積回路。 - 【請求項2】 請求項1記載の集積回路において、 上記デジタルロジック回路を上記電磁波吸収体樹脂で封
止し、上記アナログ高周波回路は上記電磁波吸収体樹脂
では封止しないようにした集積回路。 - 【請求項3】 請求項1記載の集積回路において、 上記電磁波吸収体樹脂は、軟磁性体で構成される粒子を
樹脂に混合したものとした集積回路。 - 【請求項4】 請求項1記載の集積回路において、 上記アナログ高周波回路は、無線信号の送信処理又は受
信処理を行う回路であり、 上記デジタルロジック回路は、上記アナログ高周波回路
で送信する信号又は受信した信号のベースバンド処理、
又は上記アナログ高周波回路を制御する処理を行う回路
である集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000325708A JP2002134679A (ja) | 2000-10-25 | 2000-10-25 | 集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000325708A JP2002134679A (ja) | 2000-10-25 | 2000-10-25 | 集積回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002134679A true JP2002134679A (ja) | 2002-05-10 |
Family
ID=18803027
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000325708A Pending JP2002134679A (ja) | 2000-10-25 | 2000-10-25 | 集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002134679A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005217222A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Sony Corp | 集積回路装置 |
KR100754716B1 (ko) | 2006-09-12 | 2007-09-03 | 삼성전자주식회사 | 전자회로 패키지 및 그 제조 방법 |
JP2017063123A (ja) * | 2015-09-25 | 2017-03-30 | Tdk株式会社 | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
JP2017118015A (ja) * | 2015-12-25 | 2017-06-29 | 株式会社トーキン | 電子装置及び電磁干渉抑制体の配置方法 |
-
2000
- 2000-10-25 JP JP2000325708A patent/JP2002134679A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005217222A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Sony Corp | 集積回路装置 |
KR100754716B1 (ko) | 2006-09-12 | 2007-09-03 | 삼성전자주식회사 | 전자회로 패키지 및 그 제조 방법 |
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JP2017118015A (ja) * | 2015-12-25 | 2017-06-29 | 株式会社トーキン | 電子装置及び電磁干渉抑制体の配置方法 |
WO2017110113A1 (ja) * | 2015-12-25 | 2017-06-29 | 株式会社トーキン | 電子装置及び電磁干渉抑制体の配置方法 |
US10729044B2 (en) | 2015-12-25 | 2020-07-28 | Tokin Corporation | Electronic device and method for disposing electromagnetic interference suppressor |
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