CN108352216A

CN108352216A - 透光性导电薄膜、其制造方法、调光薄膜及其制造方法

Info

Publication number: CN108352216A
Application number: CN201680063178.8A
Authority: CN
Inventors: 藤野望; 梨木智刚
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2015-10-28
Filing date: 2016-10-26
Publication date: 2018-07-31
Also published as: KR20180077160A; JP2017083833A; TWI726932B; JP6739310B2; TW201726394A

Abstract

透光性导电薄膜依次具备透光性基材、透光性导电层和无机层。前述无机层的厚度为20nm以下。前述无机层的水接触角为50度以下。

Description

透光性导电薄膜、其制造方法、调光薄膜及其制造方法

技术领域

本发明涉及透光性导电薄膜、其制造方法、调光薄膜及其制造方法。

背景技术

目前，已知具备在树脂基体中分散保持有液晶的液晶树脂复合体和挟持它们的2片基板的液晶光学元件。

例如提出了如下的液晶光学元件：液晶树脂复合体接触的基板的至少一个基板表面被对用于形成液晶树脂复合体的未固化混合液具有几乎均匀的润湿性的薄膜覆盖(例如参照专利文献1。)。

专利文献1的基板在玻璃板上形成ITO后，在ITO上以厚度60nm蒸镀SiO₂，从而形成薄膜。

并且，在专利文献1中，未固化混合液在基板表面整体显示出几乎均匀的润湿性，因此变得难以在基板表面残留气泡。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平5-34667号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在形成SiO₂的薄膜之后，有时通过蚀刻将ITO图案化。在专利文献1中公开了在将ITO图案化后，形成SiO₂薄膜的工序，前述工序从产品品质和制造成本的观点考虑实质上不能采用。另一方面，在形成ITO后，形成具有均匀的润湿性的薄膜(例如：厚度60nm的SiO₂膜)，其后进行ITO图案化时，存在ITO的图案化需要长时间、或者实质上不能图案化这样的不良情况。

本发明的目的在于，提供可以迅速且可靠地蚀刻透光性导电层的透光性导电薄膜及其制造方法、和可以以湿式在无机层的表面形成均匀的厚度的调光功能层的调光薄膜的制造方法和利用该制造方法得到的调光薄膜。

用于解决问题的方案

[1]本发明为一种透光性导电薄膜，其特征在于，其依次具备透光性基材、透光性导电层和无机层，前述无机层的厚度为20nm以下，前述无机层的水接触角为50度以下。

该透光性导电薄膜的无机层的厚度为特定的上限以下，因此可以迅速且可靠地蚀刻无机层和透光性导电层。

另外，无机层的、在形成无机层后经过80小时以上后的水接触角为特定值以下，因此可以以湿式在无机层的表面形成均匀的厚度的调光功能层。因此，可以得到可靠性优异的调光薄膜。

[2]本发明包括上述[1]所述的透光性导电薄膜，其中，前述在形成无机层后经过80小时以上后的、前述无机层的水接触角为50度以下。

[3]本发明包括上述[1]或[2]所述的透光性导电薄膜，其中，前述无机层由无机氧化物形成。

该透光性导电薄膜的无机层由无机氧化物形成，因此亲水性优异。

[4]本发明包括上述[1]～[3]中任一项所述的透光性导电薄膜，其中，前述透光性导电层具有铟系导电性氧化物层，前述铟系导电性氧化物层的厚度为50nm以下。

该透光性导电薄膜的铟系导电性氧化物层的厚度为特定的上限以下，因此可以迅速且可靠地蚀刻无机层和透光性导电层。

[5]本发明为一种透光性导电薄膜的制造方法，其特征在于，其包括如下工序：准备透光性基材的工序(1)；在前述透光性基材的表面形成透光性导电层的工序(2)；在前述透光性导电层的表面形成无机层的工序(3)；在前述工序(3)之后，蚀刻前述透光性导电层的工序(4)，前述无机层的厚度为20nm以下，前述无机层的、在形成前述无机层后经过80小时以上后的水接触角为50度以下。

根据该方法，在工序(3)中，形成厚度为特定的上限以下的无机层，因此在工序(3)之后的工序(4)中，可以迅速且可靠地蚀刻无机层和透光性导电层。

另外，无机层的、在形成无机层后经过80小时以上后的水接触角为特定值以下，因此可以以湿式在无机层的表面形成均匀的厚度的调光功能层。

[6]本发明包括上述[5]所述的透光性导电薄膜的制造方法，其在前述工序(2)中，形成非晶质的前述透光性导电层，该制造方法还包括：在前述工序(3)之后，使非晶质的前述透光性导电层结晶化的工序(5)。

根据该方法，在工序(3)之后的工序(5)中，使非晶质的透光性导电层结晶化，因此可以降低透光性导电层的表面电阻。

[7]本发明为一种调光薄膜，其特征在于，依次具备第1透光性导电薄膜、调光功能层和第2透光性导电薄膜，前述第1透光性导电薄膜和/或前述第2透光性导电薄膜为上述[1]～[4]中任一项所述的透光性导电薄膜，前述调光功能层与前述透光性导电薄膜所具备的无机层接触。

在该调光薄膜中，调光功能层与透光性导电薄膜所具备的无机层接触，因此可以具有均匀的厚度。因此，该调光薄膜的可靠性优异。

[8]本发明为一种调光薄膜的制造方法，其特征在于，其包括如下工序：制造2片透光性导电薄膜的工序(6)和用2片前述透光性导电层夹持调光功能层的工序(7)，在前述工序(6)中，用上述[5]或[6]所述的制造方法制造至少1片前述透光性导电薄膜，在前述工序(7)中，使前述调光功能层与至少1片前述透光性导电薄膜的无机层接触。

另外，根据该方法，在工序(6)中，使调光功能层与至少1片透光性导电薄膜的无机层接触，因此在工序(7)中，可以得到具有均匀的厚度的调光功能层。因此，该调光薄膜的可靠性优异。

发明的效果

本发明的透光性导电薄膜可以迅速且可靠地蚀刻无机层和透光性导电层，可以以湿式在无机层的表面形成均匀的厚度的调光功能层。因此，透光性导电薄膜的可靠性优异。

根据本发明的透光性导电薄膜的制造方法，可以迅速且可靠地蚀刻透光性导电层，可以以湿式在无机层的表面形成均匀的厚度的调光功能层。

本发明的调光薄膜具备可靠性优异的透光性导电薄膜，因此可靠性优异。

根据本发明的调光薄膜的制造方法，在工序(6)中，使调光功能层与至少1片透光性导电薄膜的无机层接触，因此在工序(7)中，可以得到具有均匀的厚度的调光功能层。

附图说明

图1表示本发明的透光性导电薄膜的第1实施方式的剖面图。

图2表示具备图1所示的透光性导电薄膜的调光薄膜的剖面图。

图3表示图1所示的透光性导电薄膜的变形例。

图4表示本发明的透光性导电薄膜的第2实施方式的剖面图。

图5表示具备图4所示的透光性导电薄膜的调光薄膜的剖面图。

图6表示图4所示的透光性导电薄膜的变形例。

具体实施方式

在图1中，纸面上下方向为上下方向(厚度方向、第1方向)，纸面上侧为上侧(厚度方向的一侧、第1方向的一侧)、纸面下侧为下侧(厚度方向的另一侧、第1方向的另一侧)。在图1中，纸面左右方向为左右方向(宽度方向、垂直第1方向的第2方向)，纸面左侧为左侧(第2方向的一侧)、纸面右侧为右侧(第2方向的另一侧)。在图1中，纸厚方向为前后方向(与第1方向和第2方向垂直的第3方向)，纸面靠近读者侧为前侧(第3方向的一侧)、纸面远离读者侧为后侧(第3方向的另一侧)。具体而言，以各图的方向箭头为基准。

＜第1实施方式＞

1.透光性导电薄膜

该透光性导电薄膜1如图1所示，为具有规定的厚度的薄膜形状(包括片状)，沿着与厚度方向垂直的规定方向(前后方向和左右方向、即面方向)具有平坦的上表面和平坦的下表面(2个主面)。透光性导电薄膜1例如为调光薄膜20(后述，参照图2)等的一个部件，即不是调光装置(后述)。即，透光性导电薄膜1为用于制作调光薄膜20等的部件，不包括调光功能层5(后述，参照图1中的虚线、参照图2的实线)等，单独以部件的形式流通，是工业上可以利用的器件。

具体而言，透光性导电薄膜1依次具备透光性基材2、透光性导电层3和无机层4。即，透光性导电薄膜1具备透光性基材2、在透光性基材2的上表面配置的透光性导电层3和在透光性导电层3的上表面配置的无机层4。另外，优选的是透光性导电层3和无机层4互相接触。更优选的是，透光性导电薄膜1仅由透光性基材2、透光性导电层3和无机层4形成。以下对各层进行详述。

2.透光性基材

透光性基材2为透光性导电薄膜1的最下层，为确保透光性导电薄膜1的机械强度的支承材料。透光性基材2具备基底基板6。另外，透光性基材2还具备在基底基材6的一个主面(上表面)配置的功能层7。即，该透光性基材2依次具备基底基材6和功能层7。

2-1.基底基材

基底基材6为形成透光性基材2的下表面的层，具有薄膜形状(包括片状)。

基底基材6由例如有机薄膜、例如玻璃板等无机板形成。从用辊对辊等连续制造方法有效制造透光性导电薄膜1的观点来看，基底基材6优选由有机薄膜形成，更优选由高分子薄膜形成。

高分子薄膜具有透光性。作为高分子薄膜的材料，可列举出例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯树脂，例如聚甲基丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸类树脂(丙烯酸类树脂和/或甲基丙烯酸类树脂)，例如聚乙烯、聚丙烯、环烯烃聚合物等烯烃树脂、例如聚碳酸酯树脂、聚醚砜树脂、聚芳酯树脂、三聚氰胺树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、纤维素树脂、聚苯乙烯树脂、降冰片烯树脂等。这些高分子薄膜可以单独使用或者两种以上组合使用。从透光性、耐热性、机械特性等观点来看，优选列举出聚酯树脂，更优选列举出PET。

基底基材6的厚度例如为2μm以上，优选为20μm以上，更优选为40μm以上，另外，例如为300μm以下，优选为200μm以下。

2-2.功能层

功能层7设置在基底基材6的一个主面(上表面)上，为赋予相应于目的的功能性的层。作为功能层7，例如可列举出易粘接层、底涂层或者硬涂层等。易粘接层具有提高与在基底基材6上形成的层(例如：透光性导电层3)的密合性的功能。底涂层具有调节透光性导电薄膜1的反射率、光学色相的功能。硬涂层提高透光性导电薄膜1的耐擦伤性。

功能层7优选包含树脂组合物，更优选仅由树脂组合物形成。

树脂组合物含有例如树脂和颗粒。树脂组合物优选仅含有树脂，更优选仅由树脂形成。

作为树脂，可列举出固化性树脂、热塑性树脂(例如聚烯烃树脂)等，优选列举出固化性树脂。

作为固化性树脂，可列举出例如通过活性能量射线(具体而言，紫外线、电子射线等)的照射而固化的活性能量射线固化性树脂，例如通过加热而固化的热固性树脂等，优选列举出活性能量射线固化性树脂。

活性能量射线固化性树脂例如可列举出分子中具有含聚合性碳-碳双键的官能团的聚合物。作为这样的官能团，例如可列举出乙烯基、(甲基)丙烯酰基(甲基丙烯酰基和/或丙烯酰基)等。

作为活性能量射线固化性树脂，例如可列举出在侧链含有官能团的(甲基)丙烯酸类树脂(丙烯酸类树脂和/或甲基丙烯酸类树脂)等。

固化性树脂可以单独使用或者两种以上组合使用。

功能层7的厚度例如为0.01μm以上，优选为0.1μm以上，更优选为1μm以上，另外，例如为10μm以下，优选为5μm以下。

透光性基材2的厚度即基底基材6的厚度和功能层7的厚度的总厚度例如为5μm以上，优选为20μm以上，更优选为45μm以上，另外，例如为300μm以下，优选为200μm以下。

3.透光性导电层

透光性导电层3为在之后的工序中能通过蚀刻任选图案化的导电层。

透光性导电层3具有薄膜形状(包括片状)，按照与透光性基材2的上表面接触的方式配置在透光性基材2的上表面整面。

透光性导电层3依次具备第1无机氧化物层8、金属层9和第2无机氧化物层10。即，透光性导电层3具备：在透光性基材2上配置的第1无机氧化物层8、在第1无机氧化物层8上配置的金属层9和在金属层9上配置的第2无机氧化物层10。另外，透光性导电层3优选仅由第1无机氧化物层8、金属层9和第2无机氧化物层10形成。第1无机氧化物层8和第2无机氧化物层10优选为非晶质。

3-1.第1无机氧化物层

第1无机氧化物层8是与金属层9和第2无机氧化物层10一起对透光性导电层3赋予导电性的导电层。第1无机氧化物层可以不保持导电性，优选具有导电性。另外，第1无机氧化物层8也是防止来自透光性基材2所含有的有机物的活性气体入侵到金属层9的阻挡层。第1无机氧化物层8为透光性导电层3的最下层，具有薄膜形状(包括片状)，按照与透光性基材2的上表面接触的方式配置在透光性基材2的上表面整面。

第1无机氧化物层8含有对于后述的蚀刻液而言可以溶解的无机氧化物作为主成分。

作为无机氧化物，例如可列举出由选自由In、Sn、Zn、Ga、Sb、Ti、Si、Zr、Mg、Al、Au、Ag、Cu、Pd、W组成的组中的至少1种金属形成的金属氧化物等。对于金属氧化物，根据需要还可以掺杂上述组中示出的金属原子。

作为无机氧化物，从使电阻率降低的观点和确保优异的透光性的观点来看，优选列举出氧化铟(包括铟系导电性氧化物)，更优选列举出铟锡复合氧化物(ITO)。即，第1无机氧化物层8优选为铟系导电性氧化物层，更优选为ITO层。

在铟锡复合氧化物(ITO)中，相对于氧化铟(In₂O₃)与氧化锡(SnO₂)的总质量，氧化锡(SnO₂)的含有比率(SnO₂/(SnO₂+In₂O₃)例如为6质量％以上，优选为8质量％以上，更优选为10质量％以上，进一步优选为12质量％以上，另外，例如为30质量％以下，优选为20质量％以下，更优选为17质量％以下。氧化锡(SnO₂)的质量比率不满足上述下限时，第1无机氧化物层8的结晶性的经时变化变大，存在不易控制蚀刻性的担心。氧化锡(SnO₂)的质量比率超过上述上限时，有时加湿可靠性降低。

第1无机氧化物层8例如可以为晶质和非晶质的任意者。从在之后的工序中容易实施图案化的观点来看，第1无机氧化物层8优选为非晶质。

第1无机氧化物层8的厚度T8例如为5nm以上，优选为20nm以上，更优选为30nm以上，另外，例如为100nm以下，优选为60nm以下，更优选为50nm以下。只要第1无机氧化物层8的厚度T8为上述上限以下，则在之后的工序中，可以迅速且可靠地蚀刻透光性导电层3，只要第1无机氧化物层8的厚度T8为上述下限以上，则可以作为阻挡层发挥功能。

3-2.金属层

金属层9是与第1无机氧化物层8和第2无机氧化物层10一起对透光性导电层3赋予导电性的导电层。另外，金属层9也是降低透光性导电层3的电阻率的低电阻率化层。

金属层9具有薄膜形状(包括片状)，按照与第1无机氧化物层8的上表面接触的方式配置在第1无机氧化物层8的上表面。

形成金属层9的金属例如为电阻率小的金属且为对于与蚀刻第1无机氧化物层8的蚀刻液相同的蚀刻液而言可以溶解的金属。作为金属，没有特别的限定，例如可列举出由选自由Ti，Si，Nb，In，Zn，Sn，Au，Ag，Cu，Al，Co，Cr，Ni，Pb，Pd，Pt，Cu、Ge、Ru、Nd、Mg、Ca、Na、W，Zr，Ta和Hf组成的组中的1种金属形成或含有2种以上金属的合金。

作为金属，优选列举出银(Ag)、银合金，更优选列举出银合金。

银合金含有银作为主成分，含有其它金属作为副成分，对其组成没有限定。作为银合金的组成，例如可列举出：Ag-Pd合金、Ag-Pd-Cu合金、Ag-Pd-Cu-Ge合金、Ag-Cu-Au合金、Ag-Cu合金、Ag-Cu-Sn合金、Ag-Ru-Cu合金、Ag-Ru-Au合金、Ag-Pd合金、Ag-Nd合金、Ag-Mg合金、Ag-Ca合金、Ag-Na合金等。作为银合金，优选列举出Ag-Pd合金。

银合金(优选为Ag-Pd合金)中的银的含有比率例如为80质量％以上，优选为85质量％以上，更优选为90质量％以上，进一步优选为95.0质量％以上，另外，例如为99.9质量％以下。银合金中的其它金属的含有比率为上述银的含有比率的剩余部分。在金属为Ag-Pd合金时，Ag-Pd合金中的Pd的含有比率具体而言例如为0.1质量％以上，另外，例如为10质量％以下，优选为5质量％以下，更优选为1.0质量％以下。

从提高透光性导电层3的透过率的观点来看，金属层9的厚度例如为1nm以上，优选为5nm以上，另外，例如为30nm以下，优选为20nm以下，更优选为10nm以下。

3-3.第2无机氧化物层

第2无机氧化物层10为与第1无机氧化物层8和金属层9一起对透光性导电层3赋予导电性的导电层。第2无机氧化物层10可以不保持导电性，优选具有导电性。另外，第2无机氧化物层10也是防止大气中时常存在的氧气、水蒸气或者微量存在的硫氧化物(SO_x)等侵蚀金属层9的阻挡层。第2无机氧化物层10为透光性导电层3的最上层，具有薄膜形状(包括片状)，按照与金属层9的上表面接触的方式配置在金属层9的上表面整面。

第2无机氧化物层10含有第1无机氧化物层8中例示的无机氧化物，具体而言，为对于与蚀刻第1无机氧化物层8的蚀刻液相同的蚀刻液而言可以溶解的无机氧化物，优选含有氧化铟，更优选由ITO形成。即，第2无机氧化物层10优选为铟系导电性氧化物层，更优选为ITO层。

在铟锡复合氧化物(ITO)中，相对于氧化铟(In₂O₃)与氧化锡(SnO₂)的总质量，氧化锡(SnO₂)的含有比率(SnO₂/(SnO₂+In₂O₃)例如为6质量％以上，优选为8质量％以上，更优选为10质量％以上，进一步优选为12质量％以上，另外，例如为30质量％以下，优选为20质量％以下，更优选为17质量％以下。氧化锡(SnO₂)的含有比率不满足上述下限时，第2无机氧化物层10的结晶性的经时变化变大，存在不易控制蚀刻性的担心。氧化锡(SnO₂)的含有比率超过上述上限时，有时加湿可靠性降低。

第2无机氧化物层10例如可以为晶质和非晶质的任意者。从在之后的工序中容易实施图案化的观点来看，第2无机氧化物层10优选为非晶质。

第1无机氧化物层8和第2无机氧化物层10从在蚀刻时得到良好的图案截面的观点来看，优选为均为相同膜质，更优选均为非晶质。

第2无机氧化物层10的厚度T10例如为5nm以上，优选为20nm以上，进一步优选为30nm以上，另外，例如为100nm以下，优选为60nm以下，更优选为50nm以下。

只要第2无机氧化物层10的厚度T10为上述上限以下，则在之后的工序中，可以迅速且可靠地蚀刻透光性导电层3，只要第2无机氧化物层10的厚度T10为上述下限以上，则可以作为阻挡层发挥功能。

另外，第1无机氧化物层8的厚度T8、和第2无机氧化物层10的厚度T10之中，至少1层的厚度为例如80nm以下，优选为50nm以下。优选的是，第1无机氧化物层8的厚度T8、和第2无机氧化物层10的厚度T10两者均为例如50nm以下。只要第1无机氧化物层8的厚度T8和/或第2无机氧化物层10的厚度T10为上述上限以下，则在之后的工序中，可以迅速且可靠地蚀刻透光性导电层3。

并且，透光性导电层3的厚度、即第1无机氧化物层8、金属层9和第2无机氧化物层10的总厚度优选为20nm以上，更优选为40nm以上，另外，例如为230nm以下，优选为120nm以下，更优选为100nm以下。

4.无机层

无机层4为透光性导电薄膜1的最上层，具有薄膜形状(包括片状)。无机层4按照与第2无机氧化物层10的上表面接触的方式配置在第2无机氧化物层10的上表面整面。

无机层4为对透光性导电层3(具体而言，第2无机氧化物层10)的上表面(表面)赋予亲水性的亲水层。

另外，无机层4如后所述优选利用溅射法形成，因此为溅射层。

无机层4例如由亲水性材料形成。作为亲水性材料，没有限定，例如由亲水性材料形成。作为亲水性材料，可列举出例如氧化硅、氧化钛(具体而言为TiO₂)、氧化铝(具体而言为Al₂O₃)等无机氧化物、例如沸石等金属盐等。作为亲水性材料，优选列举出无机氧化物，更优选列举出氧化硅。

氧化硅具体而言用SiO_x表示，x例如为1.0以上，优选为1.5以上，另外，例如为2.0以下。具体而言，作为氧化硅，例如可列举出SiO、SiO₂(二氧化硅)等，优选列举出SiO₂。

无机层4的厚度T4为20nm以下，优选为10nm以下，更优选为不足10nm，进一步优选为5.0nm以下，尤其优选为不足5.0nm，最优选为4.5nm以下，进一步为3.0nm以下，另外，例如为0.01nm以上，优选为0.1nm以上，更优选为0.5nm以上，进一步优选为1.0nm以上。

无机层4的厚度T4高于上述上限时，不能迅速且可靠地蚀刻透光性导电层3。进而，无机层4的厚度T4高于上述上限时，虽然能够将后述无机层4的、在刚形成无机层4后的水接触角θ0设定为低，但后述水接触角之比(θ1/θ0)变高(具体而言为4.0以上)，因此，无机层4的、在形成无机层4后经过80小时以上后的水接触角θ1变高。因此，有时无机层4的、在形成无机层4后经过80小时以上后的水接触角θ1产生偏差。

另一方面，只要无机层4的厚度T4为上述下限以上，则可以得到优异的润湿性。

另外，无机层4的厚度T4相对于第2无机氧化物层10的厚度T10的比(无机层4的厚度T4/第2无机氧化物层10的厚度T10)例如为0.01以上，优选为0.02以上，另外，例如为0.50以下，优选为0.25以下，更优选为0.15以下，进一步优选为0.10以下。

只要上述厚度之比为上述下限以上，就可以得到优异的润湿性。

上述厚度之比若超过上述上限，就不能迅速且可靠地蚀刻透光性导电层3。只要上述厚度之比超过上述下限，则无机层4的、在形成无机层4后经过80小时以上后的水接触角θ1有时产生偏差。

并且，无机层4的水接触角θ1(后述，为在形成无机层4后经过80小时以上后的水接触角θ1)为50度以下，优选为40度以下，更优选为30度以下，进一步优选为20度以下，尤其优选不足20度，最优选为10度以下，另外，例如为0度以上，优选为1度以上，更优选为5度以上。

无机层4的水接触角θ1是基于JIS R1753：2013对在形成无机层4后在常温(具体而言，20～40℃)常湿(具体而言，相对湿度30％以上且70％以下)的气氛下放置80小时以上的无机层4进行测定而得到的。更具体的水接触角θ1的测定方法在之后的实施例中说明。

无机层4的、在形成无机层4后经过80小时以上后的水接触角θ1高于上述上限时，不能以湿式在无机层4的表面形成均匀的厚度的调光功能层5(后述)。

5.透光性导电薄膜的制造方法

接着，对制造透光性导电薄膜1的方法进行说明。

该方法具备：准备透光性基材2的工序(1)；在透光性基材2的表面形成透光性导电层3的工序(2)；和在透光性导电层3的表面形成无机层4的工序(3)。以下详述各工序。

5-1.工序(1)

在工序(1)中，首先准备基底基材6。

接着，在基底基材6的上表面配置功能层7。例如：利用湿式配置功能层7。具体而言，首先，在基底基材6的上表面涂布树脂组合物。其后，在树脂组合物含有活性能量射线固化性树脂时，照射活性能量射线。

由此，在透光性基材2的上表面整面形成薄膜形状的功能层7。即，制作具备基底基材6和功能层7的透光性基材2。

5-2.工序(2)

在工序(2)中，在工序(1)之后，例如利用干式在功能层7的上表面配置(层叠)透光性导电层3。

具体而言，依次利用干式分别配置第1无机氧化物层8、金属层9和第2无机氧化物层10。

作为干式，例如可列举出真空蒸镀法、溅射法、离子镀法等。优选列举出溅射法。

作为溅射法所使用的气体，例如可列举出Ar等非活性气体。另外，根据需要，可以组合使用氧气等反应性气体。在组合使用反应性气体时，反应性气体的流量相对于非活性气体的流量的比(反应性气体的流量/非活性气体的流量)例如为0.1/100以上，优选为0.5/100以上，另外，例如为10/100以下，优选为5/100以下。

具体而言，在第1无机氧化物层8和第2无机氧化物层10的各自的形成中，作为气体，优选组合使用非活性气体和反应性气体。

另一方面，在金属层9的形成中，作为气体，优选单独使用非活性气体。在第2无机氧化物层10的形成中，作为气体，优选组合使用非活性气体和反应性气体。

优选的是，透光性导电层3以非晶质的形式形成。具体而言，形成非晶质的第1无机氧化物层8和非晶质的第2无机氧化物层10。

由此，在透光性基材2上形成依次形成了第1无机氧化物层8、金属层9和第2无机氧化物层10的透光性导电层3。

透光性导电层3的表面电阻(具体而言，非晶质的透光性导电层3的表面电阻)例如为1Ω/□以上，优选为3Ω/□以上，更优选为8Ω/□以上，另外，例如为100Ω/□以下，优选为50Ω/□以下，进一步优选为30Ω/□以下。

5-3.工序(3)

在工序(3)中，在工序(2)之后，例如利用干式在第2无机氧化物层10的上表面配置(层叠)无机层4。

作为干式，例如可列举出真空蒸镀法、溅射法、离子镀法等。从均匀且以上述厚度T4形成无机层4的观点来看，优选列举出溅射法。另一方面，只要是真空蒸镀法，则有时无机层4的厚度T4的偏差变大，另外，无机层4的润湿性降低，进而，有时无机层4从透光性导电层3剥离。

作为溅射法所使用的气体，例如可列举出Ar等非活性气体。另外，根据需要，可以组合使用氧气等反应性气体。在组合使用反应性气体时，反应性气体的流量相对于非活性气体的流量的比(反应性气体的流量/非活性气体的流量)例如为1/100以上，优选为10/100以上，更优选为20/100以上，另外，例如为90/100以下，优选为50/100以下。

无机层4的、在刚形成无机层4后(具体而言，在形成无机层4后500分钟以内)的水接触角θ0为50度以下，优选为40度以下，更优选为20度以下，进一步优选为10度以下，另外，例如为0度以上，优选为5度以上，更优选为超过6度，更优选为7度以上。

另一方面，无机层4的、在形成无机层4后经过80小时以上后的水接触角θ1相对于刚形成无机层4后的水接触角θ0发生变化。具体而言，在形成无机层4后经过80小时以上后的水接触角θ1与刚形成无机层4后的水接触角θ0之比(θ1/θ0)例如为0.3以上，优选为0.5以上，更优选为1.0以上，进一步优选为2.0以上，另外，例如不足4.5，优选为4.0以下，更优选为3.5以下，进一步优选为3.0以下，尤其优选不足3.0。只要上述比为上述上限以下，则可以抑制无机层4的、在形成无机层4后经过80小时以上后的水接触角θ1产生偏差。

由此，得到依次具备透光性基材2、透光性导电层3和无机层4的透光性导电薄膜1。

透光性导电薄膜1的总厚度例如为2μm以上，优选为20μm以上，另外，例如为300μm以下，优选为200μm以下，更优选为150μm以下。

该透光性导电薄膜1是可在工业上利用的器件。

5-4.工序(4)

透光性导电薄膜1的制造方法还具备在工序(3)之后，蚀刻透光性导电层3的工序(4)。

在工序(4)中，在工序(3)之后，蚀刻透光性导电层3。具体而言，蚀刻透光性导电层3和无机层4，将透光性导电层3和无机层4图案化成规定形状。

作为蚀刻液，只要可以溶解透光性导电层3就没有特别的限定，例如可列举出：硝酸、磷酸、醋酸、盐酸、硫酸、草酸和它们的混合液等。

蚀刻时间例如为5分钟以下，优选为4分钟以下，更优选为3分钟以下，另外，例如为0.05分钟以上，优选为0.1分钟以上，更优选为0.5分钟以上。若蚀刻时间为上述上限以下，则可以用辊对辊方式以优异的生产效率实施透光性导电薄膜1的制造方法。

由此，得到依次具备透光性基材2、经图案化的透光性导电层3和经图案化的无机层4的透光性导电薄膜1。

需要说明的是，以辊对辊方式实施上述制造方法。另外，可以用间歇方式实施一部分或全部。

6.调光薄膜的制造方法

接着，参照图2对使用上述透光性导电薄膜1制造调光薄膜20的方法进行说明。

该方法如图2所示，具备制造2片上述透光性导电薄膜1的工序(6)和用2片透光性导电薄膜1夹持调光功能层5的工序(7)。

6-1.工序(6)

在工序(6)中，制造2片上述透光性导电薄膜1。需要说明的是，也可以对1片透光性导电薄膜1进行切断加工，准备2片透光性导电薄膜1。

2片透光性导电薄膜1为第1透光性导电薄膜1A、和第2透光性导电薄膜1B。

6-2.工序(7)

工序(7)在工序(6)之后实施。在工序(7)中，例如利用湿式在第1透光性导电薄膜1A中的无机层4的上表面(表面)形成调光功能层5。

调光功能层5例如为电致变色层、液晶层等，优选为液晶层。

在该工序(7)中，例如在第1透光性导电薄膜1A中的无机层4的上表面涂布包含液晶组合物的溶液。液晶组合物可列举出溶液中所包含的公知的物质，例如可列举出日本特开平8-194209号公报记载的液晶分散树脂。

接着，将第2透光性导电薄膜1B按照第2透光性导电薄膜1B的无机层4和涂膜的表面接触的方式层叠在涂膜的表面。由此，利用2片透光性导电薄膜1、即第1透光性导电薄膜1A和第2透光性导电薄膜1B夹持涂膜。

其后，对涂膜实施适宜的处理(在液晶组合物包含紫外线固化型组合物时为紫外线照射)，形成调光功能层5。调光功能层5形成在第1透光性导电薄膜1A的无机层4和第2透光性导电薄膜1B的无机层4之间。

由此，得到依次具备第1透光性导电薄膜1A、调光功能层5和第2透光性导电薄膜1B的调光薄膜20。

此外，调光薄膜20包含在具备电源(未图示)、控制装置(未图示)等的调光装置(未图示，例如调光窗等)中。未图示的调光装置中，通过电源对第1透光性导电薄膜1A中的透光性导电层3和第2透光性导电薄膜1B中的透光性导电层3施加电压，由此在它们之间产生电场。

并且，基于控制装置，上述电场受到控制，从而位于第1透光性导电薄膜1A和第2透光性导电薄膜1B之间的调光功能层5阻断光或使其透过。

7.第1实施方式的作用效果

该透光性导电薄膜1由于具备无机层4，因此可以稳定地保持亲水性能。因此，透光性导电薄膜1的可靠性优异。

并且，该透光性导电薄膜1中，无机层4的厚度T4为上述上限以下，因此可以迅速且可靠地蚀刻无机层4和透光性导电层3。因此，透光性导电薄膜1的图案加工性优异。

另外，无机层4的、在形成无机层4后经过80小时以上后的水接触角θ1为上述上限以下，因此可以以湿式在无机层4的表面形成均匀的厚度的调光功能层5。因此，可以得到可靠性优异的调光薄膜20。

另外，该透光性导电薄膜1中，只要无机层4利用溅射法形成、即只要无机层4为溅射层，则无机层4均匀且可以具有上述厚度T4，另外，耐擦伤性优异、与透光性基材2(具体而言，功能层7)的密合性变得良好。

另外，该透光性导电薄膜1中，若无机层4由无机氧化物形成，则亲水性尤其优异。

另外，该透光性导电薄膜1中，第1无机氧化物层8的厚度T8、和第2无机氧化物层10的厚度T10之中，只要至少1者的厚度为上述上限以下，则可以迅速且可靠地蚀刻无机层4和透光性导电层3。

另外，根据该方法，在工序(3)中，只要形成厚度T4为上述上限以下的无机层4，则在工序(3)之后的工序(4)中，可以迅速且可靠地蚀刻无机层4和透光性导电层3。

另外，无机层4的、在形成无机层4后经过80小时以上后的水接触角θ1为上述上限以下，因此可以以湿式在无机层4的表面形成均匀的厚度的调光功能层5。

该调光薄膜20中，调光功能层5与第1透光性导电薄膜1A所具备的无机层4、和第2透光性导电薄膜1B所具备的无机层4接触，因此可以具有均匀的厚度。并且，该调光薄膜20具备上述可靠性优异的透光性导电薄膜1，因此可靠性优异。

另外，根据调光薄膜20的制造方法，在工序(6)中，使无机层4接触第1透光性导电薄膜1A的无机层4和第2透光性导电薄膜1B的无机层4，因此可以得到具有均匀的厚度T5的调光功能层5。因此，该调光薄膜20的可靠性优异。

8.第1实施方式的变形例

进而，上述调光薄膜20的制造方法根据调光薄膜20的用途和目的，在工序(2)中形成非晶质的透光性导电层3时，在工序(4)的前后，也可以具备使非晶质的透光性导电层3结晶化的工序(5)，优选在工序(4)之后，具备使非晶质的透光性导电层3结晶化的工序(5)。

在工序(2)中形成非晶质的透光性导电层3。具体而言，分别形成非晶质的第1无机氧化物层8和非晶质的第2无机氧化物层10。

优选在工序(4)之后实施工序(5)。在工序(5)中，使非晶质的第1无机氧化物层8和第2无机氧化物层10结晶化。

为了使透光性导电层3结晶化，例如将经图案化的透光性导电层3在大气气氛下例如：在80℃以上且150℃以下的温度下，进行例如：30分钟以上且90分钟以下加热(退火处理)。

结晶化了的透光性导电层3的表面电阻例如为0.5Ω/□以上，优选为1Ω/□以上，更优选为5Ω/□以上，另外，例如为50Ω/□以下，优选为20Ω/□以下，更优选为15Ω/□以下。

另外，在第1实施方式中，透光性基材2具备功能层7，例如也可以如图3所示不具备功能层7，仅由基底基材6构成透光性基材2。即，如图3所示，此时，透光性基材2不具备功能层7，仅由基底基材6构成。

按照接触基底基材6(透光性基材2)的上表面的方式配置透光性导电层3(具体而言，第1无机氧化物层8)。

透光性导电层3配置在基底基材6的上表面。具体而言，第1无机氧化物层8配置在基底基材6的上表面整面。

另外，如图2所示，2片透光性导电薄膜1、即第1透光性导电薄膜1A和第2透光性导电薄膜1B均分别具备特定的无机层4，例如，虽未图示，但具体而言，也可以仅在第1透光性导电薄膜1A中具备无机层4、在第2透光性导电薄膜1B中不具备无机层4地构成第2透光性导电薄膜1B。

该变形例中，虽未图示，但第2透光性导电薄膜1B依次具备透光性基材2和透光性导电层3。

另外，如图1所示，第1实施方式的透光性导电薄膜1中，透光性导电层3依次具备第1无机氧化物层8、金属层9和第2无机氧化物层10。但是，例如，虽未图示，在第2无机氧化物层10上还可以依次配置第2金属层和第3无机氧化物层。此时，透过性导电层3依次具备第1无机氧化物层8、金属层9、第2无机氧化物层10、第2金属层和第3无机氧化物层。进而，在第3无机氧化物层上可以依次配置第3金属层和第4无机氧化物层。此时，透过性导电层3具备：第1无机氧化物层8、金属层9、第2无机氧化物层10、第2金属层、第3无机氧化物层、第3金属层和第4无机氧化物层。

在第2透光性导电薄膜1B中，透光性导电层3的表面、具体而言第2无机氧化物层10的表面露出。第2透光性导电薄膜1B的第2无机氧化物层10与调光功能层5直接接触。

另外，在第1实施方式中，如图1所示，功能层7配置在基底基材6的上表面，但是，虽未图示，功能层7也可以配置在基底基材6的上表面和下表面这两面。

根据上述各变形例，可以发挥与第1实施方式同样的作用效果。

＜第2实施方式＞

在第2实施方式中，对于与第1实施方式同样的构件和工序标注相同的参照符号，省略其详细说明。

1.透光性导电薄膜

透光性导电层3如图1所示，具备第1无机氧化物层8、金属层9和第2无机氧化物层10这3层，如图4所示，在第2实施方式中，仅具备第1无机氧化物层8这1层。透光性导电层3如图4所示，不包含金属层9，因此从得到低电阻率的观点来看，优选为晶质。

1-1.透光性导电层

透光性导电层3仅由第1无机氧化物层8构成。

透光性导电层3的厚度T3与第1无机氧化物层8的厚度T8相同，具体而言，例如：为15nm以上，优选为20nm以上，另外，例如为300nm以下，优选为150nm以下，更优选为50nm以下，进一步优选为40nm以下，尤其优选为35nm以下。

只要透光性导电层3的厚度T3为上述上限以下，则在之后的工序中，可以迅速且可靠地蚀刻无机层4和透光性导电层3。只要透光性导电层3的厚度T3为上述下限以上，则即使在要求晶质的情况下也可以可靠地进行结晶化。

透光性导电层3优选为晶质。晶质膜与非晶质膜相比，有时亲水性明显差，本申请的透光性导电薄膜1由于在透光性导电层3上配置有亲水性优异的无机层4，因此透光性导电层3即使为晶质膜也可以适宜地使用。

透光性导电层3可以是由多层无机氧化物层的层叠体(参照图4的符号13和14)形成的第1无机氧化物层8。优选的是第1无机氧化物层8由组成不同的多层(例如：2层)的铟锡复合氧化物(ITO)的层叠体形成。第1无机氧化物层8具体而言具备在透光性基材2的上表面配置的第3铟锡复合氧化物层13和在第3铟锡复合氧化物层13的上表面配置的第4铟锡复合氧化物层14。第1无机氧化物层8之中，配置在无机层4侧的(面向无机层4的)铟锡复合氧化物层(具体而言，第4铟锡复合氧化物层14)中的氧化锡含有率与构成第1无机氧化物层8的各铟锡复合氧化物层中的氧化锡含有率相比，不为最大，优选为最小。即，第1无机氧化物层8中，优选按照从下层向上层，氧化锡含有率变低。具体而言，在第1无机氧化物层8由第3铟锡复合氧化物层13和第4铟锡复合氧化物层14的层叠体形成时，第4铟锡复合氧化物层14的氧化锡含有率比第3铟锡复合氧化物层13的氧化锡含有率小，更具体而言，第4铟锡复合氧化物层14在第1无机氧化物层8中具有最小的氧化锡含有率。

由此，透光性导电层3即使在其上配置无机层4，也可以在短时间内成为晶质ITO膜。

第4铟锡复合氧化物层14的氧化锡含有率例如为0.1质量％以上，优选为0.5质量％以上，更优选为1质量％以上，进一步优选为3质量％以上，另外，例如为8质量％以下，优选为6质量％以下，更优选为5质量％以下。

另一方面，第4铟锡复合氧化物层14以外的层(具体而言，第3铟锡复合氧化物层13)的氧化锡含有率例如为5质量％以上，优选为6质量％以上，更优选为9质量％以上，进一步优选为10质量％以上，另外，例如为20质量％以下，优选为15质量％以下，更优选为13质量％以下。

1-2.无机层

无机层4配置在第1无机氧化物层8的上表面。

2.透光性导电薄膜的制造方法

透光性导电薄膜的制造方法在上述工序(1)～工序(4)的基础上，具备工序(5)。

2-1.工序(2)

在工序(2)中仅由非晶质的第1无机氧化物层8形成透光性导电层3。

2-2.工序(5)

在工序(4)之后实施工序(5)。

在工序(5)中，使经图案化的由非晶质的第1无机氧化物层8形成的透光性导电层3结晶化。

为了使透光性导电层3结晶化，例如将经图案化的透光性导电层3在大气气氛下例如在80℃以上且150℃以下的温度下，进行例如30分钟以上且90分钟以下加热(退火处理)。

结晶化了的透光性导电层3的表面电阻例如为30Ω/□以上，优选为60Ω/□以上，另外，例如为200Ω/□以下，优选为150Ω/□以下，更优选为100Ω/□以下，进一步优选为90Ω/□以下。

3.第2实施方式的作用效果

第2实施方式可以发挥与第1实施方式同样的作用效果。

进而，在工序(3)之后的工序(5)中，更具体而言，在工序(4)之后的工序(5)中，使由非晶质的第1无机氧化物层8形成的透光性导电层3结晶化，因此可以使透光性导电层3的表面电阻降低。

4.第2实施方式的变形例

在第2实施方式中，在工序(4)之后实施工序(5)，但也可以在工序(3)之后且工序(4)之前实施工序(5)。

即，在工序(3)中，形成无机层4，接着，在工序(5)中，将透光性导电层3结晶化，其后，在工序(4)中蚀刻透光性导电层3。

在第2实施方式中，也可以接着工序(2)而实施工序(5)。

例如：在工序(2)中，形成非晶质的透光性导电层3，接着，在工序(5)中将非晶质的透光性导电层3结晶化，其后，在工序(3)中，在晶质的透光性导电层3上形成无机层4。

例如：在工序(2)中，形成非晶质的透光性导电层3，接着，在工序(5)中将非晶质的透光性导电层3结晶化，其后，在工序(3)中，在晶质的透光性导电层3上形成无机层4，进而，还可以在工序(4)中蚀刻晶质的透光性导电层3。

另外，虽然实用性差，但例如，在工序(2)中，形成非晶质的透光性导电层，接着，在工序(5)中将非晶质的透光性导电层结晶化，其后，在工序(4)中蚀刻晶质的透光性导电层，进而还可以在工序(3)中，在晶质的透光性导电层上形成无机层。

在第2实施方式中，透光性基材2具备功能层7，但例如如图6所示，可以不具备功能层7，仅由基底基材6构成透光性基材2。即，如图6所示，此时，透光性基材2不具备功能层7，仅由基底基材6形成。

按照与基底基材6(透光性基材2)的上表面接触的方式配置透光性导电层3(具体而言，第1无机氧化物层8)。

根据这些变形例，可以发挥与第2实施方式同样的作用效果。

另外，可以适宜组合上述第1实施方式、第2实施方式和它们的变形例。

实施例

以下使用实施例来详细说明本发明，本发明只要不超出其主旨则不限定于实施例，可以基于本发明的技术构思进行各种变形和变更。

以下示出实施例和比较例，更具体地说明本发明。需要说明的是，本发明并不受实施例和比较例限定。另外，以下记载中使用的配混比例(含有比例)、物性值、参数等具体数值可以用记载于上述“具体实施方式”中的与它们相对应的配混比例(含有比例)、物性值、参数等相应记载的上限(以“以下”、“不足”来定义的数值)或下限(以“以上”、“超过”来定义的数值)代替。

实施例1

工序(1)：透光性基材的制作

准备厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜(三菱树脂制造)形成的基底基材6，接着，在基底基材6的表面(形成透光性导电层3侧的主面)涂布由丙烯酸类树脂形成的紫外线固化性树脂，通过紫外线照射使其固化，形成厚度为2μm的硬涂层7’。由此，制作依次具备基底基材6和硬涂层7’的透光性基材2。

工序(2)：透光性导电层的制作

接着，在透光性基材2的硬涂层7’上形成由依次具备第1无机氧化物层8、金属层9、第2无机氧化物层10的层叠体形成的透光性导电层3。

第1无机氧化物层8和第2无机氧化物层10均为由铟锡氧化物形成的铟锡氧化物层。具体而言，第1无机氧化物层8和第2无机氧化物层10均为通过在导入了成膜气体(由Ar和O₂(流量比Ar：O₂＝100：3)形成的混合气体)的真空气氛下溅射由12质量％的氧化锡和88质量％的氧化铟的烧结体形成的ITO靶(Mitsui Mining&Smelting Co.,Ltd.制造)从而形成的、厚度40nm的铟锡导电性氧化物。

另外，金属层9由Ag-Pd合金形成。具体而言，金属层9是通过在导入了成膜气体(Ar)的真空气氛下溅射由混合有Ag99质量％和Pd1质量％的合金形成的银合金靶从而形成的、厚度8nm的银合金层。

工序(3)：无机层的制作

接着，在透光性导电层3的第2无机氧化物层10上形成由氧化硅(SiO₂)形成的厚度0.5nm的无机层4。无机层4通过在导入了成膜气体(由Ar和O₂(流量比Ar：O₂＝100：41)形成的混合气体)的真空气氛下溅射由纯度99.99％以上的Si板形成的Si靶(Daido Steel Co.,Ltd.制造)从而形成。

由此，制造依次具备透光性导电层3、无机层4和调光功能层5的透光性导电薄膜1。

实施例2～8

如表1所记载，变更无机层4的厚度和制造方法，除此以外，与实施例1同样处理，制造透光性导电薄膜1。

比较例1

如表1所记载，未形成无机层4，除此以外，与实施例1同样处理，制造透光性导电薄膜1。

实施例9

在工序(2)中，将作为成膜气体的Ar和O₂的流量比设定为Ar：O₂＝100：1，仅由第1无机氧化物层8制作透光性导电层3，除此以外，按照表1，与实施例1同样处理，制造透光性导电薄膜1。

需要说明的是，第1无机氧化物层8由氧化锡含有率10质量％的第3铟锡复合氧化物层13和氧化锡含有率3质量％的第4铟锡复合氧化物层14的层叠体形成。

实施例10

在工序(3)中，利用真空蒸镀法(电子束加热方式)由厚度0.5nm的SiO₂层形成无机层4，除此以外，与实施例1同样处理，制造透光性导电薄膜1。

评价

评价以下项目，将其结果示于表1。

(1)水接触角

实施例1～10的无机层4的水接触角(θ0、θ1)如下测定：在针尖形成直径1.5mm的水滴，使其与无机层4的表面接触，使水滴移动到无机层4上，用接触角计(協和界面科学株式会社制造、CA-X型)测定水滴和无机层4的静止接触角。测定5处，最大角度与最小角度之差为5.0度以下时可以判断进行了准确测定，使用水接触角的单纯平均值判断润湿性。水接触角超过5.0度时，由于不能准确测定、并且认为调光功能层5部分排斥，因此不管数值是多少，将润湿性设定为“低”。

需要说明的是，关于水接触角θ1，测定在形成无机层4之后在25℃、相对湿度40％的气氛下放置80小时后的无机层4的水接触角。

另外，对于比较例1，由于不具有无机层4，与上述同样地测定透光性导电层3的水接触角。

需要说明的是，实施例10的透光性导电薄膜1虽然水接触角为50度以下，但根据测定位置不同水接触角的数值存在偏差，难以测定真值。

(2)厚度

使用膜厚计(尾崎制作所(Peacock(注册商标))株式会社制造、装置名“digitaldial gauge DG-205”)测定基底基材6的厚度。

使用透射型电子显微镜(日立制作所製、装置名“HF-2000”)利用断面观察测定硬涂层7、第1无机氧化物层8、金属层9和第2无机氧化物层10的厚度。

使用X射线荧光分析装置(Rigaku Corporation制造、装置名“ZSX Primus II”)测定无机层4的厚度(无机层的厚度是减去来自透光性基材的SiKa强度而求出的)。

需要说明的是，每次进行X射线荧光分析如下进行事前准备。

即，在厚度50μm的PET基材上形成目标厚度100nm、150nm、200nm的氧化硅(SiO₂)层，制成检测体，用各X射线荧光分析装置测定各检测体的SiKa的强度(减去来自PET基材的SiKa强度而得到的数值)，另外，用透射型电子显微镜求出各检测体的氧化硅层的实际膜厚。由如此求出SiKa的强度值和实际膜厚制作标准曲线，由SiKa的强度求出无机层4的厚度。

(3)蚀刻时间和蚀刻性

制作20片切割成5cm见方的大小的透光性导电薄膜1，浸渍在加热至40℃的蚀刻液(ADEKA株式会社制造、产品名“アデカケルミカSET-500”)中。其后，每隔浸渍时间15秒，取出1片，进行水清洗和水的拭去(使其干燥)，进行透光性导电薄膜1的外观确认并测定任意3处的2端子间电阻。需要说明的是，2端子间电阻测定利用测量仪实施，测定时的端子间距离设定为1.5cm。并且，在蚀刻时间的评价中，通过目视在5cm见方的透光性导电薄膜1内不能确认到来自透光性导电层3或无机层4的残差、且任意3处的2端子间电阻均超过60MΩ的时刻判断为蚀刻结束。

蚀刻性以以下基准进行评价。

◎：蚀刻时间不足60秒。

○：蚀刻时间为60秒以上且180秒以下。

△：蚀刻时间超过180秒且为300秒以下。

×：蚀刻时间超过300秒。

(4)透光性导电层的表面电阻值

透光性导电层3的表面电阻值基于JIS K 7194(1994年)使用四端子法测定。

(5)结晶性

在140℃下对实施例9中的透光性导电层3进行加热处理，评价透光性导电层3的结晶性。具体而言，将各例的透光性导电性薄膜在盐酸(浓度：5质量％)中浸渍15分钟后，水洗·干燥，测定15mm左右之间的端子间电阻，按照下述基准评价结晶化速度。

○：15mm间的端子间电阻为10kΩ以下。

×：15mm间的端子间电阻超过10kΩ。

对于比较例1，也与实施例9同样，评价结晶化速度。

(6)排斥性

将氯化钠5mg溶解于水100mL而成的水溶液滴加在各实施例和比较例的透光性导电层3上、或在没有透光性导电层3时滴加在透光性基材2上，按照下述基准目视评价排斥性。

○：未观察到排斥。

△：观察到略有排斥，但整体上水溶液与透光性导电层3或透光性基材2良好融合。

×：观察到排斥。

(7)剥离

观察实施例1～10的无机层，如下所述，评价剥离性。

○：无机层4上未处处可见剥离处。

△：无机层4上处处可见剥离处。

[表1]

需要说明的是，上述发明作为本发明的例示的实施方式提供，但其仅为单纯例示，不做限定性解释。对于本领域技术人员而言显而易见的本发明的变形例也包含于前述的权利要求书中。

产业上的可利用性

本发明的透光性导电薄膜例如包含在调光薄膜中。

附图标记说明

1 透光性导电薄膜

2 透光性基材

3 透光性导电层

4 无机层

5 调光功能层

T4 无机层的厚度

T8 第1无机氧化物层的厚度

T10 第2无机氧化物层的厚度

Claims

1.一种透光性导电薄膜，其特征在于，其依次具备透光性基材、透光性导电层和无机层，

所述无机层的厚度为20nm以下，

所述无机层的水接触角为50度以下。

2.根据权利要求1所述的透光性导电薄膜，其特征在于，在形成所述无机层后经过80小时以上后的所述无机层的水接触角为50度以下。

3.根据权利要求1所述的透光性导电薄膜，其特征在于，所述无机层由无机氧化物形成。

4.根据权利要求1所述的透光性导电薄膜，其特征在于，所述透光性导电层具有铟系导电性氧化物层，

所述铟系导电性氧化物层的厚度为50nm以下。

5.一种透光性导电薄膜的制造方法，其包括如下工序：

准备透光性基材的工序(1)；

在所述透光性基材的表面形成透光性导电层的工序(2)；

在所述透光性导电层的表面形成无机层的工序(3)；

在所述工序(3)之后，蚀刻所述透光性导电层的工序(4)；

所述无机层的厚度为20nm以下，

所述无机层的、在形成所述无机层后经过80小时以上后的水接触角为50度以下。

6.根据权利要求5所述的透光性导电薄膜的制造方法，其特征在于，在所述工序(2)中，形成非晶质的所述透光性导电层，

还包括：在所述工序(3)之后，使非晶质的所述透光性导电层结晶化的工序(5)。

7.一种调光薄膜，其特征在于，依次具备第1透光性导电薄膜、调光功能层和第2透光性导电薄膜，

所述第1透光性导电薄膜和/或所述第2透光性导电薄膜为权利要求1所述的透光性导电薄膜，

所述调光功能层与所述透光性导电薄膜所具备的无机层接触。

8.一种调光薄膜的制造方法，其特征在于，包括如下的工序：

制造2片透光性导电薄膜的工序(6)；

用2片所述透光性导电层夹持调光功能层的工序(7)；

在所述工序(6)中，用权利要求5所述的制造方法制造至少1片所述透光性导电薄膜，

在所述工序(7)中，使所述调光功能层与至少1片所述透光性导电薄膜的无机层接触。