JPS63252304A

JPS63252304A - 透明導電性基板

Info

Publication number: JPS63252304A
Application number: JP62087623A
Authority: JP
Inventors: 苑田　卓宏
Original assignee: Gunze Ltd
Current assignee: Gunze Ltd
Priority date: 1987-04-08
Filing date: 1987-04-08
Publication date: 1988-10-19

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〈産業上の利用分野〉本発明は、導電層が保護された透明導電性基板に関する
。

〈従来の技術〉一般にインジウム−スズ酸化物の薄膜は透明性に優れて
いる上に導電性があり、透明導電性基材の導電層として
多用され１例えばタッチパネル、面発熱体、ＥＬ素子等
、その用途は極めて広い、ところが、このような透明導
電性基材は、概して耐熱、耐湿熱等の耐環境特性に弱点
を有しており、このため導電層上に各種保護層を設ける
試みがなされている。更に、このような透明導電性基材
は、用途によっては耐用期間の延長等を目的とした各種
保護層の検討も行なわれている０例えば、このような透
明導電性基板を太陽電池等に用いる場合、そのまま該シ
ートの導電層上に、例えば常法により半導体層を形成し
ても、この半導体形成時における水素プラズマの作用に
より、該導電層が破壊されて、導電性の低下をきたすこ
ともあり、このような用途には特に保護層の必要性が論
じられていた。

く問題を解決するための手段〉特性、耐水素プラズマ特性等の優れた透明導電性基板を
得んとしてなされたもので、その特徴とするところは透
明基板上にインジウム−スズ酸化物からなる導電層を有
する透明導電性基板において、前記導電層上に酸化スズ
、カドミウムースズ酸化物及び酸化チタンから選ばれた
少なくとも１種の酸化物による保護層を設けた構成を有
する点にある。

次に問題点を解決するための手段を更に具体的に述べる
ことにする。

本発明に係る透明基板とはガラス、プラスチックフィル
ム、プラスチックシート、プラスチック板等の絶縁性を
有する材質を例示でき、特に制限はないが、中でもポリ
エチレンテレフタレート、ボリアリレート、ホリエーテ
ルサルホン等からなる高い透明性を有するプラスチック
フィルム、シート等を好ましい例としてあげることがで
きる。こうした基板の透明性については、透明性をある
程度有していればよく、不透明でない限り利用に供しう
る。また、導電層としては、公知のインジウム−スズ酸
化物が用いられ、インジウム酸化物の含有量は特に制限
はないが、通常は全酸化物に対し、３〜１５重量％程度
である。導電層の厚さ、表面抵抗は用途に応じ適宜の値
に定めればよく、特に制限はないが、通常は厚さ２００
〜１０００Ａ’、表面抵抗１０〜５００Ω／口程度を例
示できる。

このような導電層を透明基板上に形成させるには、公知
のあらゆる方法が用いられ特に制限はないが１通常はス
パッタリング法、イオンブレーティング法、蒸着法等を
例示することができる。かかる導電層は透明基板上の少
なくとも所定部に設ければよいが、全面でもよく、特に
制限はない。

また、本発明において導電層上に形成される保Ｍ層とは
、酸化スズ、カドミウム−スズ酸化物及び酸化チタンか
ら選ばれた少なくとも１種の酸化物によって形成される
もので、その厚さは特に制限はないが、好ましくは２０
〜５００Ａ”、更に好ましくは３０〜５００Ａ”程度で
よい、こうした保護膜を形成する手段としては公知のい
かなる方法によってもよく、特に制限はないが、例えば
前記した導電層と同様に、スパッタリング法、イオンブ
レーティング法、蒸着法等によれば十分である。また、
導電層と保護層とは連続的に形成すると望ましいか、連
続でなくバッチ式でもよく、その他適宜でよい、こうし
た保護膜は、本発明の透明導電基板を例えば太陽電池等
に用いる場合は必要不可欠なもので、保護膜がないと、
前記した通り耐水素プラズマ性に乏しくなり問題の生ず
る場合が多い。

本発明に係る透明導電性基板の保護層側の表面抵抗は１
０〜１０００Ω／ａ、好ましくはｉｏ〜２５０Ω／口程
度を例示することができる。勿論、このＶｉ以外でも用
途によっては使用可能であり特に制限はなく、また保護
層には酸化チタンより、酸化スズを用いた方が低抵抗性
のこともあり、保護層の厚さによっても導電層の影響等
により抵抗値が変るので、表面抵抗は用途に応じて好ま
しい値となるようにすればよい、また、平均可視光域で
の光透税率は特に制限はないが、７０〜８５％程度を例
示できる。

以上は本発明の問題点を解決するための手段における各
種態様を、順を追って説明したもので、本発明はかかる
態様に制限を受けるものでないことは勿論である。

次に本発明に係る透明導電性基板を太陽電池（１０）と
して用いた一例を以下に述べることにする。

図面の（１）に示すは本発明に係る透明導電性基板、　
　（２）　ｔ＊ホリエチレンテレフタレートフィルム、
（３）はインジウム−スズ酸化物からなる導を暦、（４
）は保ｌＩ暦である０次いで、このような透明導電性フ
ィルム（１）上に半導電層（５）を形成するのであるが
、この形成は例えばＳ　＋　％やＳ＋％　＋　Ｈユなど
の水素原子を含有するガスを用いてグロー放電分解法、
ＣＶＤ法等によって行なわれるが、この形成時に水素原
子は高度に電離されてプラズマとなっているので透明導
電性フィルム（１）に耐水素プラズマ性が必要となり、
従って例えば太陽電池では保護層（２）がどうしても必
要となるのである。半導体層（５）は本例ではＰＩＮ接
合をしており、Ｐ型半導体（７）５絶縁半導体（８）、
Ｎ型半導体（９）が層状に形成されている。こうした半
導体層（５）に、更に背面金属電極層（６）が形成され
、これはアルミニウム、スズ等の金属が用いられ、蒸着
法、スパッタリング法等適宜の方法により行われる。

本発明に係る透明導電性基板の用途としては必要に応じ
あらゆる分野に適応可能で特に制限はない、具体的には
タッチパネル、面発熱体、電磁波シールド、ＥＬ素子等
を例示でき、特に本発明のものは耐水素プラズマ性優れ
ているので、例えば太陽電池等に好適に使用される。

〈実施例（１）〉２軸に配向されたポリエチレンテレフタレートフィルム
（厚さ１００ミクロン）にインジウム−スズ酸化物（イ
ンジウム酸化物配合比は酸化物全量に対し１０重量％）
をスパッタリング法により厚さ３００Ａ’に形成して導
電層とし、更にバッチ式でその上に酸化スズをスパッタ
リング法により厚さ５０Ａ”になるように形成し、保護
層として、透明導電性シートを得た。こうして得られた
透明導電性シートの表面抵抗は１８０Ω／口、５００ｎ
ｍでの光透過率は８０％で、耐水素プラズマ性が優れて
おり、第１図の如き太陽電池に用いた時の変換効率は約
１０％であった。

く比較例（１）〉一方、同様に作成した保護層を有しない透明導電性シー
トは第１図の如き太陽電池に用いた時、変換効率が悪く
、その値はＯに近かった。これは、導ｉ′ｌｔ層が半導
体層の形成時に水素プラズマにより破壊されたためと推
測され、このことからも本発明の効果を知ることができ
る。

〈実施例（２）〉保護層に酸化チタンを用いる以外実施Ｍ　（１）と同様
にして透明導電性シートを得た。このようにして得られ
た透明導電性シートの各物性データは第１表の通りであ
った。

かかる透明導電性シート２枚を用い、導電層をスペーサ
ーを介して対面させて、常法により作成した抵抗膜式電
圧分割方式の透明タッチパネルは、耐久性に優れたもの
であった。

く比較例（２）〉実施例（２）と同様にして保護層を有しない透明導電性
シートを得た。その各物性データーは第１表の通りであ
る。

第　　　　　１　　　　　表（り耐熱性測定法１２０℃Ｘ４００Ｈ・・・放置３０分後に４端子法で測
定（零杓耐湿性測定法８０℃Ｘ９５％ＲＨＸ　４００　Ｈ−・・同上以上のデ
ータからみても、本発明に係る透明導電性シートは耐環
響特性、耐水素プラズマ性等に優れたものであり、その
効果は格別顕著であることがわかる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る透明導電性基板を太陽電池に用い
た状態を示す断面図である。（１）・・・・・・透明導電性基板（２）・・・・・・透明シート（３）・・・・・・導電層（４）・・・・・・保護層

Claims

【特許請求の範囲】

（１）透明基板上にインジウム−スズ酸化物からなる導
電層を有する透明導電性基板において、前記導電層上に
酸化スズ、カドミウム−スズ酸化物及び酸化チタンから
選ばれた少なくとも１種の酸化物による保護層を設けた
ことを特徴とする透明導電性基板。