CN107924248B - 导电性基板和导电性基板的制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种导电性基板，具备：透明基材；铜层，配置在所述透明基材的至少一个面侧；及黑化层，配置在所述透明基材的至少一个面侧，并含有氧、铜、镍及钼。所述黑化层含有43原子％以上且60原子％以下的所述氧。在所述黑化层中的铜、镍及钼的含量合计为100原子％的情况下，所述黑化层中的所述钼的含量为5原子％以上。

Description

导电性基板和导电性基板的制造方法
技术领域
本发明涉及导电性基板和导电性基板的制造方法。
背景技术
现有技术中使用了一种在高分子薄膜上作为透明导电膜形成了ITO(氧化铟-锡)膜的触屏(touch panel)用透明导电性薄膜(参照专利文献1)。
然而，近年来带有触屏的显示面板的正在趋于大画面化，与此相应地，也正在要求对触屏用透明导电性薄膜等导电性基板进行大面积化。但是，由于ITO的电阻值较高，故存在难以应对导电性基板的大面积化的问题。
为此，例如，如专利文献2、3所述，进行了采用导电性较优的铜等金属箔取代ITO膜的研究，但是，例如在配线层使用了铜的情况下，由于铜具有金属光泽，故存在反射会导致显示器的视认性下降的问题。
因此，为了实现上述导电性和视认性这两个特性的改善，进行了一种导电性基板的研究，其中形成了由铜等金属箔构成的配线层和由黑色材料构成的黑化层。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本国特开2003-151358号公报
[专利文献2]日本国特开2011-018194号公报
[专利文献3]日本国特开2013-069261号公报
发明内容
[发明要解决的课题]
然而，带有触屏的显示面板使用于自动售货机或引路用显示板等室外的情况较多。
但是，就在导电性基板上的使用被进行研究了的以往的黑化层而言，其耐环境性(环境适应性)不足，存在长期使用会发生变色和视认性的改善效果会下降等的问题。特别是在黑化层形成于表面的触屏用导电性基板中，由于黑化层变色的影响较大，故需要一种具有良好耐环境性的黑化层的导电性基板。
鉴于上述现有技术的各种问题，于本发明的一方面，以提供一种具有良好耐环境性的黑化层的导电性基板为目的。
[用于解决课题的手段]
为了解决上述课题，于本发明的一方面，提供一种导电性基板，具备：
透明基材；
铜层，配置在所述透明基材的至少一个面侧；及
黑化层，配置在所述透明基材的至少一个面侧，并含有氧、铜、镍及钼，
所述黑化层含有43原子％以上且60原子％以下的所述氧，
在所述黑化层中的铜、镍及钼的含量合计为100原子％的情况下，所述黑化层中的所述钼的含量为5原子％以上。
[发明效果]
根据本发明的一方面，可提供一种具有良好耐环境性的黑化层的导电性基板。
附图说明
[图1A]本发明实施方式的导电性基板的剖面图。
[图1B]本发明实施方式的导电性基板的剖面图。
[图2A]本发明实施方式的导电性基板的剖面图。
[图2B]本发明实施方式的导电性基板的剖面图。
[图3]本发明实施方式的具备网状配线的导电性基板的俯视图。
[图4A]沿图3的A-A’线的剖面图。
[图4B]沿图3的A-A’线的剖面图。
具体实施方式
以下对本发明的导电性基板及导电性基板的制造方法的实施方式进行说明。
(导电性基板)
本实施方式的导电性基板可为具备透明基材、
配置在透明基材的至少一个面侧的铜层、及
配置在透明基材的至少一个面侧并含有氧、铜、镍及钼的黑化层(以下也简记为「黑化层」)的构成。
此外，黑化层含有43原子％以上且60原子％以下的氧，在黑化层中的铜、镍及钼的含量合计为100原子％的情况下，黑化层中的钼的含量较佳为5原子％以上。
需要说明的是，本实施方式中的导电性基板包括：在对铜层等进行图案化前的透明基材的表面上具有铜层和/或黑化层的基板；及对铜层和/或黑化层进行图案化使其成为了配线形状的基板、即、配线基板。
这里，首先对本实施方式的导电性基板中所包括的各部件在以下进行说明。
作为透明基材对其并无特别限定，较佳可使用能使可视光透过的绝缘体薄膜、玻璃基板等。
作为能使可视光透过的绝缘体薄膜，例如较佳可使用聚酰胺系薄膜、聚对苯二甲酸乙二酯系薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯系薄膜、环烯烃(cycloolefin)系薄膜等树脂薄膜、聚碳酸酯系薄膜等。
特别地，作为能使可视光透过的绝缘体薄膜的材料，可优选使用PET(聚对苯二甲酸乙二酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、COP(环烯烃聚合物)、聚酰胺、聚碳酸酯等。
对透明基材的厚度并无特别限定，可根据作为导电性基板时所要求的强度、静电容量、光透过率等进行任意选择。
作为透明基材的厚度，例如可为10μm以上且200μm以下。特别地，在使用于触屏的用途的情况下，透明基材的厚度较佳为20μm以上且120μm以下，优选为20μm以上且100μm以下。在使用于触屏的用途的情况下，例如，特别是在需要使显示器整体的厚度薄化的用途中，透明基材的厚度较佳为20μm以上且50μm以下。
此外，就透明基材而言，从提高其与铜层或黑化层之间的密着性，并防止透明基材上所形成的铜层等剥离的观点来看，优选事先对透明基材的形成铜层等的表面进行配置易密着层等的易密着性处理。
对易密着性处理的方法并无特别限定，只要是可提高与铜层等之间的密着性的处理即可。
具体而言，例如可列举出对透明基材的形成铜层等的表面涂敷p-甲基丙烯酸甲酯(methyl methacrylate)等以形成易密着层，由此使透明基材的表面变为亲水性的方法。此外，作为易密着性处理的其他方法，还可列举出对透明基材的形成铜层等的表面实施大气压等离子体(plasma)处理的方法、向透明基材的形成铜层等的表面照射Ar离子的方法等。
例如，就没有进行易密着性处理的PET(聚对苯二甲酸乙二酯)基材表面的淋湿性(wettability)而言，采用淋湿张力试验法进行评价(验证)的情况下，通常为31mN/m左右。为此，存在至铜层等的密着性不充分的情况。
相对于此，例如，藉由采用溅射法(sputtering)向PET基材表面照射5～15分钟的Ar离子以进行易密着性处理，可将PET基材表面的淋湿张力改善至35mN/m以上、例如、40mN/m～55mN/m左右。为此，尤其可提高与铜层等之间的密着性，为较佳。
在对透明基材进行易密着性处理的情况下，对易密着性处理的程度并无特别限定。然而，从可充分提高与铜层等之间的密着性的观点来看，就透明基材而言，例如，透明基材的配置铜层的一侧的表面的淋湿张力较佳为35mN/m以上，优选为40mN/m以上。
透明基材的淋湿性可采用淋湿张力试验法(JIS K6768(1999))进行评价。另外，上述透明基材的配置铜层的一侧的表面不仅包括在透明基材上直接形成铜层的表面，还包括在透明基材上藉由黑化层形成铜层的表面。
需要说明的是，易密着性处理的实施并不限定于透明基材的配置铜层的一侧的表面，还可对没有配置铜层的表面也进行实施。然而，若仅对需要提高与铜层等之间的密着性的、配置铜层的一侧的表面进行易密着性处理，从生产性等的观点来看，为较佳。
接下来对铜层进行说明。
对铜层也无特别限定，然而，为了不降低光的透过率，在铜层和透明基材之间或在透明基材和铜层之间配置黑化层的情况下，铜层和黑化层之间优选不配置黏接剂。即，铜层优选直接形成在其他部件的上表面。
为了在其他部件的上表面直接形成铜层，铜层优选具有铜薄膜层。此外，铜层也可具有铜薄膜层和镀铜层。
例如，可在透明基材或黑化层上采用干式镀法形成铜薄膜层并将所述铜薄膜层作为铜层。据此，可在透明基材或黑化层上不藉由黏接剂直接形成铜层。
另外，在铜层的膜厚较厚的情况下，藉由将所述铜薄膜层作为供电层并采用湿式镀法形成镀铜层，也可形成具有铜薄膜层和镀铜层的铜层。通过使铜层具有铜薄膜层和镀铜层，此情况下也可在透明基材或黑化层上不藉由黏接剂直接形成铜层。
对铜层的厚度并无特别限定，在将铜层作为配线使用的情况下，可根据供给至所述配线的电流的大小、配线的宽度等进行任意选择。特别地，为了可进行充分的电流供给，铜层的厚度较佳为100nm以上，优选为150nm以上。对铜层厚度的上限值并无特别限定，然而，如果铜层过厚，则用于形成配线而进行蚀刻时该蚀刻所需的时间较长，故会发生侧蚀(side etching)，蚀刻期间容易产生光阻(resist)剥离等的问题。为此，铜层的厚度较佳为3μm以下，优选为700nm以下。
需要说明的是，在铜层如上所述具有铜薄膜层和镀铜层的情况下，铜薄膜层的厚度和镀铜层的厚度的合计优选位于上述范围内。
接下来，对含有氧、铜、镍及钼的黑化层进行说明。
由于铜层具有金属光泽，故在透明基材上仅形成藉由对铜层进行蚀刻而形成的配线的情况下，如上所述铜会对光进行反射，例如在作为触屏用导电性基板使用的情况下，存在显示器的视认性会下降的问题。所以对设置黑化层的方法进行了研究。
然而，如上所述，带有触屏的显示面板使用于自动售货机、引路用显示板等室外的情况较多。此外，就在导电性基板上的使用被进行研究了的先前的黑化层而言，其耐环境性并不充分，存在长期使用会发生变色及视认性的改善效果会下降等的问题。尤其是在黑化层形成于表面的触屏用导电性基板中，由于黑化层的变色的影响较大，故需要一种耐环境性良好的黑化层。
需要说明的是，这里所说的耐环境性是指，即使在高温、高湿的环境下放置时黑化层的颜色变化也不大，并可对铜层表面的光的反射进行抑制的特性。
所以本发明的发明人进行了研究并发现，由于含有氧、铜、镍及钼的层为黑色，故可作为黑化层使用，并且，通过将氧和钼的含量限制在预定范围内，还可发挥较高的耐环境性，据此完成了本发明。
对黑化层的成膜方法并无特别限定，可采用任意方法进行成膜。然而，从可比较容易地进行黑化层的成膜的观点来看，较佳使用溅射法进行成膜。
黑化层例如可使用铜、镍及钼的混合烧结靶(以下也记为「铜-镍-钼混合烧结靶」)或铜-镍-钼熔解合金靶，并可一边向腔体内供给氧气一边采用溅射法进行成膜。
需要说明的是，作为黑化层成膜时的靶，在使用铜-镍-钼混合烧结靶或铜-镍-钼熔解合金靶的情况下，可单独使用这些靶进行黑化层的成膜。
另外，作为黑化层成膜时的靶，在使用铜-镍-钼混合烧结靶或铜-镍-钼熔解合金靶的情况下，也可与其他靶组合，例如也可采用二元同时溅射法进行黑化层的成膜。具体而言，例如也可组合使用铜-镍-钼混合烧结靶或铜-镍-钼熔解合金靶、以及含有从铜、镍及钼中选择的一种以上的成分的靶。
此外，黑化层例如还可使用铜-镍合金靶和钼靶或使用铜靶和镍-钼合金靶，一边向腔体内供给氧气一边通过二元同时溅射法进行成膜。
对铜-镍-钼混合烧结靶的制造方法的构成例进行说明。由于铜和钼难以熔解，不会发生固溶，故在采用熔解法进行制作的情况下，为了可使镍和钼发生固溶，钼/镍的比率为25/75以下。需要说明的是，钼/镍的比率为25/75以下是指，在钼和镍的合计物质量为100的情况下，钼的物质量比率为25以下。
为此，在钼/镍的比率超过25/75的情况下，制作并使用铜-镍-钼混合烧结靶为较佳。
作为铜-镍-钼混合烧结靶的制造方法，首先，基于铜、镍及钼的混合粉末并采用热压法或热等静压法(HIP)制作烧结体为较佳。接着，将所获得的烧结体加工成预定形状后，可将其贴在垫板(backing plate)上以作为铜-镍-钼混合烧结靶。
基于铜、镍及钼的混合粉末制作烧结体时的烧结温度较佳为850℃以上且1083℃以下，优选为950℃以上且1050℃以下。
其原因在于，如果温度低于850℃，则难以充分进行烧结，故存在烧结体密度较低，在进行靶化的平面加工时冷却水有时会残留在烧结体气孔内的问题。另外，如果温度超过1083℃，则由于超过了铜的融点，铜会流出，故并非较佳。
需要说明的是，铜-镍-钼混合烧结靶的制造方法并不限定于上述制造方法，只要是可制作具有预期组成(成分)的靶的制作方法，对其并无特别限定，均可采用。
对溅射时供给至腔体内的气体中的氧含有率并无特别限定。氧进入黑化层的进入量随黑化层的成长速度(成膜速度)的改变而变化，此外，供给至腔体内的气体中的氧含量也会影响黑化层的成长速度。为此，根据作为目标的黑化层的组成成分和/或黑化层的成长速度，对溅射时供给至腔体内的气体中的氧含有率进行任意选择为较佳。
对黑化层的成长速度并无特别限定，然而，考虑到生产性等，例如较佳为4nm/min以上且20nm/min以下左右。
此外，在采用该成长速度对黑化层进行成膜，以获得含有预期氧量的黑化层时，较佳为一边将氧含有率为25体积％以上且55体积％以下的气体供给至腔体内一边实施黑化层的成膜。供给至腔体内的气体中的氧含有率优选为30体积％以上且45体积％以下。
需要说明的是，对黑化层进行成膜时，腔体内的氧气分压较佳为0.1Pa以上，优选为0.15Pa以上。
如上所述，通过将供给至腔体内的气体中的氧含有率设定在25体积％以上，可充分地对黑化层进行氧化，据此可防止大气中的氧气和/或水分所导致的黑化层的变色，进而可提高耐环境性，故为较佳。供给至腔体内的气体中的氧含有率优选为30体积％以上。
然而，如果供给至腔体内的气体内的氧含有率超过55体积％，则黑化层的成长速度变迟，并非较佳。为此，如上所述使供给至腔体内的气体内的氧含有率为55体积％以下为较佳。尤其从可维持较高的黑化层的成长速度并可提高生产性的观点来看，使供给至腔体内的气体的氧含有率为45体积％以下为较佳。
需要说明的是，进行溅射时，就供给至腔体内的气体中的除了氧气之外的剩余部分而言，较佳为非活性气体(惰性气体)。作为除了氧气之外的剩余部分，例如可供给从氩气、氙气、氖气及氦气中选择的一种以上的气体。
对溅射时所使用的靶的组成成分并无特别限定，可按照所要成膜的黑化层的组成成分进行任意选择。需要说明的是，溅射中元素从靶飞出的难易度随元素种类的不同而不同。为此，可根据作为目标的黑化层的组成成分和靶中的元素的飞出难易度，对靶的组成成分进行选择。
作为进行溅时所使用的靶，如上所述，例如可使用铜-镍-钼混合烧结靶。在此情况下，如上所述对靶的组成成分并无特别限定，然而，铜-镍-钼混合烧结靶中的钼的含有率较佳为5原子％以上且75原子％以下，优选为7原子％以上且65原子％以下。镍的含有率较佳为10原子％以上且50原子％以下。在这些情况下，剩余部分可由铜构成。
如上所述，成膜了的黑化层中可含有氧、铜、镍及钼。对黑化层中的各成分的含有率并无特别限定，然而，在黑化层中的铜、镍及钼的含量合计、即、黑化层所含的金属元素的含量合计为100原子％的情况下，钼的含量较佳为5原子％以上。换言之，黑化层所含的金属元素中的钼的含有率较佳为5原子％以上。
其原因在于，通过使黑化层所含的金属元素中的钼的含有率为5原子％以上，尤其可降低黑化层表面的光的反射率。此外，通过使黑化层所含的金属元素中的钼的含有率为5原子％以上，还可使进入黑化层中的氧量较多，进而可提高耐环境性。
然而，如果黑化层所含的金属元素中的钼的含有率过多，则黑化层相对蚀刻液的反应性会变低，存在难以形成预期的配线图案的可能性。为此，在黑化层中的铜、镍及钼的含量合计为100原子％的情况下，黑化层中的钼的含量、即、黑化层所含的金属元素中的钼的含有率较佳为40原子％以下。
此外，在黑化层中的铜、镍及钼的含量合计、即、黑化层所含的金属元素的含量合计为100原子％的情况下，黑化层中的铜的含量较佳为30原子％以上且70原子％以下。换言之，黑化层所含的金属元素中的铜的含有率较佳为30原子％以上且70原子％以下。黑化层所含的金属元素中的铜的含有率优选为40原子％以上且60原子％以下。
其原因在于，如果黑化层所含的金属元素中的铜的含有率小于30原子％，则存在蚀刻性会变差的情况。此外，如果黑化层所含的金属元素中的铜的含有率超过70原子％，则存在耐环境性会降低的情况。
此外，在黑化层中的铜、镍及钼的含量合计、即、黑化层所含的金属元素的含量合计为100原子％的情况下，黑化层中的镍的含量较佳为15原子％以上且65原子％以下。换言之，黑化层所含的金属元素中的镍的含有率较佳为15原子％以上且65原子％以下。黑化层所含的金属元素中的镍的含有率优选为25原子％以上且55原子％以下。
其原因在于，如果黑化层所含的金属元素中的镍的含有率小于15原子％，则存在耐环境性会变差的情况。此外，如果黑化层所含的金属元素中的镍的含有率超过65原子％，则存在蚀刻性会变差的情况。
此外，黑化层中所含的氧较佳为43原子％以上且60原子％以下，优选为45原子％以上且55原子％以下。
其原因在于，通过使黑化层中含有43原子％以上的氧，黑化层可被充分地进行氧化，据此可不会被大气中的氧气或水分氧化，并可维持充分的黑色，即，可提高耐环境性。另外，如果黑化层中的氧的含量大于60原子％，则黑化层会发生透明化，导致小于600nm的短波长侧的铜膜的反射会变多，不会黑化，此外，黑化层的片电阻(sheet resistance)也会变高，故60原子％以下为较佳。
氧、铜、镍及钼能以任意形态包含在成膜了的黑化层中。例如，可使铜和钼形成混合烧结体，并使含氧的铜-钼混合烧结体包含在黑化层中。此外，还可使铜、镍或钼例如生成从氧化铜(Cu2O、CuO、Cu2O3)、氧化镍(NiO)、氧化钼(MoO3、MoO2、Mo2O3)、铜-钼氧化物(CuMoO4、Cu2MoO5、Cu6Mo4O15、Cu3Mo2O9、Cu2Mo3O10、Cu4Mo3O12等)中选择的一种以上的物质，并使其包含在黑化层中。
需要说明的是，黑化层例如也可如含氧的铜-镍-钼混合物那样，为仅由同时含有氧、铜、镍及钼的一种物质所构成的层。此外，例如还可为含有从上述的含氧的铜-钼混合烧结体、铜氧化物、镍氧化物、钼氧化物、铜-钼氧化物等中选择的一种以上的物质的层。
对黑化层的厚度并无特别限定，例如较佳为20nm以上，优选为25nm以上。黑化层如上所述为黑色，具有可对铜层的光的反射进行抑制的黑化层的功能，然而，在黑化层的厚度较薄的情况下，存在难以获得充分的黑色，不能充分地对铜层的光的反射进行抑制的情况。相对于此，通过使黑化层的厚度位于上述范围内，可更有效地对铜层的反射进行抑制，故为较佳。
对黑化层厚度的上限值并无特别限定，然而，如果黑化层的厚度过厚，则存在作为黑化层的光学特性的反射率、明度(L＊)、色度(a＊、b＊)会变差的情况，并非较佳。为此，黑化层的厚度较佳为45nm以下，优选为40nm以下。
此外，在黑化层的片电阻充分小的情况下，黑化层上可形成与配线等电气部件进行接触的接触部，即使在黑化层位于最表面的情况下也不需要使铜层露出，故为较佳。
此外，为了在黑化层上形成与配线等电气部件进行接触的接触部，作为黑化层的片电阻，较佳为小于1kΩ/□。
接下来，对本实施方式的导电性基板的构成例进行说明。
如上所述，本实施方式的导电性基板具备透明基材、铜层及含有氧、铜、镍和钼的黑化层。此时，对将铜层和黑化层配置在透明基材上时的积层(层叠)顺序并无特别限定。此外，也可将铜层和黑化层分别形成为多个(plural)层。需要说明的是，为了对铜层表面的光的反射进行抑制，较佳为在铜层的表面中的尤其要对光的反射进行抑制的面上配置黑化层。此外，铜层优选具有被黑化层夹着的结构。
此外，在如上所述包括片电阻较小的黑化层的情况下，所述片电阻较小的黑化层较佳配置在导电性基板的最表面。其原因在于，片电阻较小的黑化层可与配线等电气部件连接，所以为了易于连接，较佳为配置在导电性基板的最表面。
关于具体构成例，使用图1A、图1B、图2A及图2B在以下进行说明。图1和图2示出了本实施方式的导电性基板的与透明基材、铜层及黑化层的积层方向平行的面的剖面图的例子。
例如，如图1A的导电性基板10A所示，可在透明基材11的一个面11a侧依次进行一层的铜层12和一层的黑化层13的积层。此外，如图1B的导电性基板10B所示，还可在透明基材11的一个面11a侧和另一个面(另一面)11b侧依次分别进行一层的铜层12A、12B和一层的黑化层13A、13B的积层。需要说明的是，就铜层12(12A、12B)和黑化层13(13A、13B)积层顺序而言，并不限定于图1A和图1B所示的例子，也可从透明基材11侧开始按照黑化层13(13A、13B)和铜层12(12A、12B)的顺序进行积层。
此外，例如还可在透明基材11的一个面11a侧设置多个黑化层。例如，如图2A的导电性基板20A所示，可在透明基材11的一个面11a侧依次进行第1黑化层131、铜层12及第2黑化层132的积层。
在此情况下也可在透明基材11的两面分别进行铜层、第1黑化层及第2黑化层的积层。具体而言，如图2B的导电性基板20B所示，可在透明基材11的一个面11a侧和另一个面(另一面)11b侧依次分别进行第1黑化层131A、131B、铜层12A、12B及第2黑化层132A、132B的积层。
在图1B和图2B中，尽管示出了在透明基材的两面层叠了铜层和黑化层的情况下以透明基材11为对称面在透明基材11的上下进行了积层的层为对称配置的例子，然而，并不限定于该形态。例如，在图2B中，就透明基材11的一个面11a侧的结构而言，其可与图1A的结构同样，为依次对铜层12和黑化层13进行了积层的形态，据此在透明基材11的上下进行了层叠的层可为非对称结构。
需要说明的是，如图1A和图2A所示，在透明基材11的一个面11a侧形成铜层等的情况下，如上所述，较佳为事先对透明基材11的一个面11a实施易密着性处理。此外，如图1B和图2B所示，在透明基材11的一个面11a侧和另一个面11b侧形成铜层等的情况下，较佳为预先对一个面11a和另一个面11b这两个面都进行易密着性处理。
至此对本实施方式的导电性基板进行了说明，在本实施方式的导电性基板中，由于透明基材上设置了铜层和黑化层，故可对铜层的光的反射进行抑制。
对本实施方式的导电性基板的光的反射程度并无特别限定，例如，就本实施方式的导电性基板而言，波长为550nm的光的反射率较佳为30％以下，优选为20％以下，最好为10％以下。
此外，就本实施方式的导电性基板而言，作为针对波长为350nm以上且780nm以下的范围的光的反射率的平均值的可视光平均反射率，较佳为30％以下，优选为20％以下，最好为10％以下。
需要说明的是，针对波长为350nm以上且780nm以下的范围的光的反射率的平均值(可视光平均反射率)是指，使波长为350nm以上且780nm以下的范围的光的波长按照预定间隔例如1nm的间隔进行变化并对黑化层进行光照射时所测得的反射率的平均值。
其原因在于，在波长为550nm的光的反射率和可视光平均反射率的至少一个为30％以下的情况下，例如即使在作为触屏用导电性基板来使用的情况下，也基本上不会引起显示器视认性的降低。从特别要对显示器视认性的降低进行抑制的观点来看，优选为，波长为550nm的光的反射率和可视光平均反射率均为30％以下。
反射率的测定可通过向黑化层进行光照射的方式进行测定。即，可从导电性基板所含的铜层和黑化层中的黑化层侧进行测定。
具体而言，例如，如图1A所示，在透明基材11的一个面11a上依次进行了铜层12和黑化层13的积层的情况下，可向黑化层13的表面A照射光，以使光照射至黑化层13，由此进行测定。
此外，在交换了图1A的情况下的铜层12和黑化层13的配置，即在透明基材11的一个面11a上依次进行了黑化层13和铜层12的积层的情况下，可从除去透明基材11后黑化层13位于最表面的一侧、即、透明基材11的面11b侧，向黑化层13的表面进行光照射，据此进行反射率的测定。
需要说明的是，如后所述在导电性基板上可通过对铜层和黑化层进行蚀刻以形成配线，但上述反射率是指在导电性基板中除去透明基材后的情况下配置在最表面的黑化层的光入射侧的表面的反射率。为此，蚀刻处理之前、或者进行了蚀刻处理后的残留了铜层和黑化层的部分处的测定值较佳为满足上述范围。
此外，基于所测定的反射率可计算明度(L＊)和色度(a＊、b＊)。对明度(L＊)和色度(a＊、b＊)并无特别限定，然而，明度(L＊)较佳为60以下，优选为55以下。另外，色度(a＊、b＊)中的至少一个较佳为小于0，即，较佳为负，优选为a＊和b＊均小于0。
其原因在于，在明度(L＊)为60以下时，色调会变暗，尤其可对光的反射进行抑制。此外，在色度(a＊、b＊)中的至少一个小于0的情况下，黑化层会变为特别适于对光的反射进行抑制的颜色。
就本实施方式的导电性基板而言，如上所述，例如可较佳作为触屏用导电性基板使用。在此情况下，导电性基板可为具备网(mesh)状配线的结构。
就具备网状配线的导电性基板而言，其可通过对至此所说明的本实施方式的导电性基板的铜层和黑化层进行蚀刻而获得。
例如，可通过两层配线形成网状配线。具体构成例示于图3。图3示出了对具备网状配线的导电性基板30从铜层和黑化层的积层方向的上表面侧进行观察时的图，也示出了透过透明基材11可看到的配线31B。图3所示的导电性基板30具有透明基材11、与图中Y轴方向平行的多个配线31A及与X轴方向平行的配线31B。需要说明的是，配线31A、31B通过对铜层进行蚀刻而形成，在所述配线31A、31B的上表面和/或下表面上形成了图中未示的黑化层。此外，黑化层被蚀刻为与配线31A、31B相同的图案。
对透明基材11和配线31A、31B的配置并无特别限定。透明基材11和配线的配置的构成例示于图4A和图4B。图4A和图4B为沿图3的A-A’线的剖面图。
首先，如图4A所示，可在透明基材11的上下表面分别配置配线31A、31B。需要说明的是，在此情况下，在配线31A、31B的上表面上配置了形状被蚀刻为与配线相同的黑化层32A、32B。
此外，如图4B所示，使用一组透明基材11A、11B以夹着一个透明基材11A的方式在上下表面上配置配线31A、31B，并且，配线31B可配置在透明基材11A和透明基材11B之间。在此情况下，在配线31A、31B的上表面上配置了形状被蚀刻为与配线相同的黑化层32A、32B。需要说明的是，如上所述，对黑化层和铜层的配置并无特别限定。为此，在图4A和图4B的任一情况下，黑化层32A、32B和配线31A、31B的配置都可上下颠倒。此外，例如还可设置多个黑化层。
然而，黑化层较佳配置在铜层表面中的尤其要对光的反射进行抑制的面上。
为此，例如在图4A所示的导电性基板中，配线31A和黑化层32A以及/或者配线31B和黑化层32B的位置也可颠倒。此外，在配线31A和透明基材11之间以及/或者在配线31B和透明基材11之间还可设置黑化层。
此外，在图4B所示的导电性基板的情况下，例如，在需要从图中下表面侧对光的反射进行抑制的情况下，黑化层32A、32B的位置和配线31A、31B的位置较佳为分别上下颠倒。另外，除了黑化层32A、32B之外，还可在配线31A和透明基材11A之间以及/或者在配线31B和透明基材11B之间设置黑化层。
需要说明的是，在如上所述于图4A和图4B中还设置黑化层的情况下，就再设置的黑化层而言，较佳为也对其进行图案化，以使其图案和与所述黑化层相接的配线相同。
就图3和图4A所示的具有网状配线的导电性基板而言，例如可基于如图1B和图2B那样在透明基材11的两面具有铜层12A、12B和黑化层13A、13B(131A、132A、131B、132B)的导电性基板而形成。
若以使用图1B的导电性基板来形成的情况为例进行说明，则首先对透明基材11的一个面11a侧的铜层12A和黑化层13A进行蚀刻，以使与图1B中Y轴方向平行的多个线状图案被配置为沿X轴方向隔开预定间隔。图1B中的Y轴方向是指与图1B中的纸面垂直的方向。
接下来，对透明基材11的另一个面11b侧的铜层12B和黑化层13B进行蚀刻，以使与图1B中X轴方向平行的多个线状图案被配置为隔开预定间隔。需要说明的是，图1B中的X轴方向是指与图1B所示的导电性基板10B中所含的各层的宽度方向平行的方向。
通过以上操作，可形成图3和图4A所示的具有网状配线的导电性基板。需要说明的是，也可对透明基材11的两面同时进行蚀刻。即，也可同时进行铜层12A、12B和黑化层13A、13B的蚀刻。
此外，在使用图2B所示的导电性基板20B同样地形成具有网状配线的导电性基板的情况下，则在图4A中，被图案化为与配线31A、31B相同图案的黑化层配置在配线31A、31B和透明基材11之间。
图3所示的具有网状配线的导电性基板也可使用两个图1A或图2A所示的导电性基板来形成。若以使用图1A的导电性基板的情况为例进行说明，则首先对两个图1A所示的导电性基板的铜层12和黑化层13分别进行蚀刻，以使与X轴方向平行的多个线状图案被配置为沿Y轴方向隔开预定间隔。接下来，调整两个导电性基板的方向以使通过上述蚀刻处理在各导电性基板上所形成的线状图案相互交叉，并对这两个导电性基板进行贴合，据此可形成具备网状配线的导电性基板。对将两个导电性基板进行贴合时的贴合面并无特别限定，如图4B所示，可将层叠了铜层12等的图1A中的表面A和没有层叠铜层12等的图1A中的面11b进行贴合。
需要说明的是，黑化层较佳配置在铜层表面中的尤其要对光的反射进行抑制的面上。为此，就图4B所示的导电性基板而言，在需要从图中下面侧对光的反射进行抑制的情况下，黑化层32A、32B的位置和配线31A、31B的位置较佳为分别颠倒配置。此外，除了黑化层32A、32B之外，还可在配线31A和透明基材11A之间以及/或者在配线31B和透明基材11B之间设置黑化层。
此外，例如还可对透明基材11的没有层叠铜层12等的图1A中的两个面11b进行贴合，以获得剖面如图4A所示的结构。
需要说明的是，对图3、图4A及图4B所示的具有网状配线的导电性基板中的配线的宽度和/或配线间的距离并无特别限定，例如，可根据配线中流动的电流量等进行任意选择。
此外，图3、图4A及图4B中尽管示出了对直线形状的配线进行组合以形成网状配线(配线图案)的例子，然而，并不限定于该形态，构成配线图案的配线可为任意形状。例如，为了不与显示器的画像之间产生干涉纹(moiré)，构成网状配线图案的配线的形状可分别为弯曲成锯齿状的线(“之”字状直线)等各种形状。
这样的具有由两层配线所构成的网状配线的导电性基板例如可较佳作为投影型静电容量方式的触屏用导电性基板来使用。
(导电性基板的制造方法)
接着，对本实施方式的导电性基板的制造方法的构成例进行说明。
本实施方式的导电性基板的制造方法可具有：
对透明基材进行准备的透明基材准备步骤，
在透明基材的至少一个面侧形成铜层的铜层形成步骤，及
在透明基材的至少一个面侧形成含有氧、铜、镍及钼的黑化层的黑化层形成步骤。
此外，黑化层含有43原子％以上且60原子％以下的氧，在黑化层中的铜、镍及钼的含量合计为100原子％的情况下，黑化层中的钼的含量较佳为5原子％以上。
以下对本实施方式的导电性基板的制造方法进行说明，需要说明的是，就除了以下所说明的部分之外的部分而言，由于可为与上述导电性基板同样的构成，故对其说明进行了省略。
如上所述，在本实施方式的导电性基板中，对将铜层和黑化层配置在透明基材上时的积层顺序并无特别限定。此外，还可分别形成多个铜层和黑化层。为此，对上述铜层形成步骤和黑化层形成步骤的顺序和/或实施次数并无特别限定，可配合所要形成的导电性基板的结构在任意时机实施任意次数。
就对透明基材进行准备的透明基材准备步骤而言，例如可为对由能使可视光透过的绝缘体薄膜、玻璃基板等构成的透明基材进行准备的步骤，另外对其具体操作并无特别限定。例如，为了供后续的各步骤所使用，可根据需要将其切断为任意尺寸等。
需要说明的是，就作为能使可视光透过的绝缘体薄膜而尤其可较佳使用的薄膜而言，由于已经进行叙述，故这里省略其说明。
此外，就透明基材而言，从提高与铜层或黑化层之间的密着性，并防止透明基材上所形成的铜层等剥离的观点来看，在透明基材准备步骤中，较佳为对透明基材中的形成铜层的一侧的表面实施易密着性处理(易密着性处理步骤)。
对易密着性处理的方法并无特别限定，只要是能使与铜层等之间的密着性提高的处理即可。
具体而言，例如可列举出对透明基材的形成铜层等的表面涂敷p-甲基丙烯酸甲酯等以形成易密着层，据此使透明基材的表面变为亲水性的方法。
此外，作为易密着性处理的其他方法，还可列举出对透明基材的形成铜层等的表面进行大气压等离子体处理的方法、向透明基材的形成铜层等的表面进行Ar离子照射的方法等。
对易密着性处理的实施程度并无特别限定，然而，例如透明基材的形成铜层的一侧的表面的淋湿张力较佳为35mN/m以上，优选为40mN/m以上。
透明基材的淋湿性可通过淋湿张力试验法(JIS K6768(1999))进行评价。
需要说明的是，就上述透明基材的形成铜层的一侧的表面而言，其不仅可包括在透明基材上直接形成铜层的表面，还可包括在透明基材上介由黑化层形成铜层的表面。
此外，易密着性处理的实施并不限定于透明基材的形成铜层的一侧的表面，也可对没有配置铜层的表面实施易密着性处理。然而，仅对需要提高与铜层等之间的密着性的、形成铜层的一侧的表面实施易密着性处理，从生产性等的观点来看，为较佳。
接下来，对铜层形成步骤进行说明。
铜层如上所述较佳具有铜薄膜层。此外，还可具有铜薄膜层和镀铜层。为此，铜层形成步骤可具有例如采用干式镀法形成铜薄膜层的铜薄膜层形成步骤。另外，铜层形成步骤还可具有采用干式镀法形成铜薄膜层的铜薄膜层形成步骤和将所述铜薄膜层作为供电层并采用湿式镀法形成镀铜层的镀铜层形成步骤。
作为形成铜薄膜层时所使用的干式镀法，对其并无特别限定，例如可采用真空蒸着(蒸镀)法、溅射法、离子镀法等。特别地，作为形成铜薄膜层时所使用的干式镀法，从容易对膜厚进行控制的观点来看，优选使用溅射法。
以使用卷取式溅射装置的情况为例对铜薄膜层形成步骤进行说明。首先，将铜靶装着在溅射用阴极(cathode)上，并将基材安放在真空腔体内，具体而言，将透明基材、形成了黑化层的透明基材等安放在真空腔体内。对真空腔体内进行真空排气后，导入Ar气体，使装置内的压力维持在0.13Pa～1.3Pa左右。在此状态下，从卷出辊例如以每分钟1m～20m左右的速度对基材进行搬送，并同时从与阴极连接的溅射用直流电源提供电力以进行溅射放电，据此可在基材上连续地进行预期的铜薄膜层的成膜。
需要说明的是，对铜薄膜层形成步骤中的具体操作方法并无特别限定，可通过任意的方法和操作进行实施。
对通过湿式镀法形成镀铜层的步骤中的条件、即、电镀处理的条件并无特别限定，可采用常规方法中的诸条件。例如，可将形成了铜薄膜层的基材供给至放入了铜镀液的镀槽，并对电流的密度和/或基材的搬送速度进行控制，据此来形成镀铜层。
对铜层形成步骤中所形成的铜层的厚度并无特别限定，就导电性基板而言，如上所述，铜层的厚度较佳为100nm以上，优选为150nm以上。此外，对铜层厚度的上限值并无特别限定，较佳为3μm以下，优选为700nm以下。
接下来，对黑化层形成步骤进行说明。
对黑化层形成步骤也并无特别限定，如上所述，可为采用溅射法对黑化层进行成膜的步骤。
此时，作为靶，例如可使用铜-镍-钼混合烧结靶或铜-镍-钼熔解合金靶。
需要说明的是，如上所述，可单独使用铜-镍-钼混合烧结靶或铜-镍-钼熔解合金靶，也可与含有从铜、镍、钼中选择的一种以上的组成成分的靶等组合使用。
此外，如上所述还可使用铜-镍合金靶和钼靶或使用铜靶和镍钼合金靶，并藉由二元同时溅射法进行成膜。
对溅射时所使用的靶的组成成分并无特别限定，可根据所要成膜的黑化层的组成成分等进行任意选择。需要说明的是，溅射中元素从靶飞出的难易度随元素种类的不同而不同。为此，可根据作为目标的黑化层的组成成分和靶中的元素的飞出难易度对靶的组成成分进行选择。
例如，就铜-镍-钼混合烧结靶而言，较佳为，钼的含有率为5原子％以上且75原子％以下，镍的含有率为10原子％以上且50原子％以下。此外，钼的含有率优选为7原子％以上且65原子％以下。需要说明的是，剩余部分可由铜构成。
此外，在采用溅射法对黑化层进行成膜时，可一边向腔体内供给含氧的气体一边对黑化层进行成膜。对供给至腔体内的气体中的氧的供给比率并为特别限定，较佳为，可根据作为目标的黑化层的组成成分和/或黑化层的成长速度，对溅射时供给至腔体内的气体中的氧含有率进行任意选择。
对黑化层进行成膜时，供给至腔体内的气体中的氧含有率较佳为25体积％以上且55体积％以下，优选为30体积％以上且45体积％以下。
如上所述，在黑化层形成步骤中例如可使用铜-镍-钼混合烧结靶。为此，在黑化层形成步骤中，例如可使用铜-镍-钼混合烧结靶，一边将氧含有率为25体积％以上且55体积％以下的气体供给至腔体内一边采用溅射法来形成黑化层。
需要说明的是，进行溅射时，就供给至腔体内的气体中的除了氧气之外的剩余部分而言，较佳为非活性气体。就除了氧气之外的剩余部分而言，例如可进行从氩气、氙气、氖气及氦气中选择的一种以上的供给。
成膜了的黑化层可含有氧、铜、镍及钼。对黑化层中的各成分的含有率并无特别限定，然而，在黑化层中的铜、镍及钼的含量合计、即、黑化层中所含的金属元素的含量合计为100原子％的情况下，钼的含量较佳为5原子％以上。换言之，黑化层所含的金属元素中的钼的含有率较佳为5原子％以上。
其原因在于，通过使黑化层所含的金属元素中的钼的含有率为5原子％以上，尤其可降低黑化层表面的光的反射率。此外，通过使黑化层所含的金属元素中的钼的含有率为5原子％以上，进入黑化层中的氧量较多，可提高耐环境性。
然而，如果黑化层所含的金属元素中的钼的含有率过多，则黑化层相对蚀刻液的反应性会变低，存在难以形成预期的配线图案的可能性。为此，在黑化层中的铜、镍及钼的含量合计为100原子％的情况下，黑化层中的钼的含量、即、黑化层所含的金属元素中的钼的含有率较佳为40原子％以下。
此外，在黑化层中的铜、镍及钼的含量合计、即、黑化层中所含的金属元素的含量合计为100原子％的情况下，黑化层中的铜的含量较佳为30原子％以上且70原子％以下。换言之，黑化层所含的金属元素中的铜的含有率较佳为30原子％以上且70原子％以下。黑化层所含的金属元素中的铜的含有率优选为40原子％以上且60原子％以下。
其原因在于，如果黑化层所含的金属元素中的铜的含有率小于30原子％，则存在蚀刻性会变差的情况。此外，如果黑化层所含的金属元素中的铜的含有率超过70原子％，则存在耐环境性会下降的情况。
此外，在黑化层中的铜、镍及钼的含量合计、即、黑化层中所含的金属元素的含量合计为100原子％的情况下，黑化层中的镍的含量较佳为15原子％以上且65原子％以下。换言之，黑化层所含的金属元素中的镍的含有率较佳为15原子％以上且65原子％以下。黑化层所含的金属元素中的镍的含有率优选为25原子％以上且55原子％。
其原因在于，如果黑化层所含的金属元素中的镍的含有率小于15原子％，则存在耐环境性会变差的情况。此外，如果黑化层所含的金属元素中的镍的含有率超过65原子％，则存在蚀刻性会变差的情况。
此外，黑化层所含的氧的含有率较佳为43原子％以上且60原子％以下，优选为45原子％以上且55原子％以下。
其原因在于，通过使黑化层中含有43原子％以上的氧，黑化层可被充分氧化，不会被大气中的氧气或水分氧化，并可维持充分的黑色，即，可提高耐环境性。此外，如果黑化层中的氧含量大于60原子％，则黑化层会发生透明化，导致小于600nm的短波长侧的铜膜的反射变多，不会黑化，此外，黑化层的片电阻也会变高，故60原子％以下为较佳。
在成膜了的黑化层中能以任意形态包含氧、铜、镍及钼。例如，铜和钼可形成混合烧结体，并可使含氧的铜-钼混合烧结体包含在黑化层中。此外，铜、镍或钼例如也可生成从氧化铜(Cu2O、CuO、Cu2O3)、氧化镍(NiO)、氧化钼(MoO3、MoO2、Mo2O3)、铜-钼氧化物(CuMoO4、Cu2MoO5、Cu6Mo4O15、Cu3Mo2O9、Cu2Mo3O10、Cu4Mo3O12等)中选择的一种以上的物质，并也可使其包含在黑化层中。
需要说明的是，黑化层例如可为如含氧的铜-镍-钼混合物那样，仅由同时含有氧、铜、镍及钼的一种物质所构成的层。此外，例如也可为含有从上述含氧的铜-钼混合烧结体、铜氧化物、镍氧化物、钼氧化物、铜-钼氧化物等中选择的一种以上的物质的层。
此外，在成膜了的黑化层的片电阻充分小的情况下，黑化层上可形成与配线等电气部件进行接触的接触部，即使在黑化层位于最表面的情况下，也不需要使铜层露出，故为较佳。
对黑化层形成步骤中所形成的黑化层的厚度并无特别限定，就导电性基板而言，如上所述，例如较佳为20nm以上，优选为25nm以上。此外，对黑化层厚度的上限值也无特别限定，较佳为45nm以下，优选为40nm以下。
此外，就通过至此说明的导电性基板的制造方法所获得的导电性基板而言，还可为具备网状配线的导电性基板。在此情况下，除了上述步骤之外，还可具有通过对铜层和黑化层进行蚀刻以形成配线的蚀刻步骤。
在所述蚀刻步骤中，例如，首先在导电性基板的最表面形成光阻，该光阻具有与藉由蚀刻进行除去的部分相对应的开口部。在图1A所示的导电性基板的情况下，可在导电性基板上所配置的黑化层13的露出表面A上形成光阻。需要说明的是，对具有与藉由蚀刻进行除去的部分相对应的开口部的光阻的形成方法并无特别限定，例如可采用光微影(photolithography)法进行形成。
接下来，通过从光阻的上表面提供蚀刻液，可对铜层12和黑化层13进行蚀刻。
需要说明的是，在如图1B所示于透明基材11的两面配置了铜层和黑化层的情况下，还可在导电性基板的表面A、B上分别形成具有预定形状的开口部的光阻，并可同时对透明基材11的两面所形成的铜层和黑化层进行蚀刻。
此外，就透明基材11的两侧所形成的铜层和黑化层而言，也可一侧一侧地对其进行蚀刻处理。即，例如可对铜层12A和黑化层13A进行蚀刻之后，再对铜层12B和黑化层13B进行蚀刻。
通过本实施方式的导电性基板的制造方法所形成的黑化层示出了与铜层基本同样的针对蚀刻液的反应性。为此，对蚀刻步骤中所使用的蚀刻液并无特别限定，较佳可使用对铜层进行蚀刻时所使用的常规蚀刻液。作为蚀刻液，例如优选可使用氯化铁(ferricchloride)和盐酸的混合水溶液。对蚀刻液中的氯化铁和盐酸的含量并无特别限定，例如，氯化铁的含有率较佳为5质量％以上且50质量％以下，优选为10质量％以上且30质量％以下。此外，蚀刻液例如较佳含有1质量％以上且50质量％以下的盐酸，优选含有1质量％以上且20质量％以下的盐酸。需要说明的是，剩余部分可为水。
蚀刻液可在室温下使用，然而，为了提高反应性，也可对其进行加温之后再使用，例如，也可将其加热至40℃以上且50℃以下之后再使用。
就通过上述蚀刻步骤所获得的网状配线的具体形态而言，由于已经进行了叙述，故这里省略其说明。
此外，如上所述，在图1A和图2A所示的透明基材11的一个面侧通过贴合两个具有铜层和黑化层的导电性基板来形成具备网状配线的导电性基板的情况下，还可设置使导电性基板贴合的步骤。此时，对两个导电性基板的贴合方法并无特别限定，例如可使用黏接剂等进行黏接。
以上对本实施方式的导电性基板和导电性基板的制造方法进行了说明。在该导电性基板中具备耐环境性优良的黑化层。为此，即使其暴露于室外等高温、高湿的环境下，也可对黑化层的变色进行抑制，并可维持黑化层对视认性进行改善的效果。
[实施例]
以下基于本发明的实施例和比较例进一步对本发明进行详细说明，然而，本发明并不限定于这些实施例。
首先，对后述各实验例中所制作的试料评价方法进行说明。
(评价方法)
(1)光学特性(反射率、明度、色度)
针对以下实验例中所制作的导电性基板进行光学特性(反射率)的测定，并根据需要，基于所测定的光学特性(反射率)计算出了明度(L＊)和色度(a＊、b＊)。
反射率的测定可藉由在紫外可视分光光度计(株式会社Hitachi HighTechnologies制，型号：U-4000)上设置反射率测定单元而进行。
在以下的实验例2中制作了剖面形状与图1A同样的结构的导电性基板。为此，针对所制作的导电性基板的形成了铜层和黑化层的一侧的图1A中的表面A，在入射角为5°且受光角为5°的条件下，照射波长为350nm以上且780nm以下的范围的光，并对此时的反射率进行了测定。需要说明的是，测定时，在波长为350nm以上且780nm以上的范围内使波长以1nm为单位进行变化并进行光照射，由此对各波长的反射率进行了测定。
此外，将针对波长为550nm的光的反射率的测定值作为针对波长为550nm的光的反射率。
需要说明的是，测定时为了对PET薄膜的翘曲进行矫正，将各实验例的试料放置在玻璃基板上，并通过夹具(clamp)进行固定，之后从黑化层侧进行光照射，由此进行了测定。
基于所测定的反射率，使用JIS Z8781-4:2013中所规定的色彩计算程序(program)，在光源A和视野为2度的条件下，计算出了CIE 1976(L＊，a＊、b＊)颜色空间上的座标。
(2)溶解试验
将以下的实验例1中所制作的在透明基材上形成了黑化层的试料浸渍于蚀刻液，由此进行了黑化层的溶解试验。
作为蚀刻液，使用了作为铜层的蚀刻液而所使用的由10质量％的氯化铁、10质量％的盐酸及剩余部分为水所组成的水溶液，蚀刻液的温度为室温(25℃)，据此进行了溶解试验。
需要说明的是，进行了如下预备实验，即，将在作为实验例1中所使用的透明基材的纵5cm、横5cm及厚0.05mm的聚对苯二甲酸乙二酯树脂(PET树脂)的一个面的整个面上都形成了厚度为300nm的铜层的试料浸渍于蚀刻液。此情况下可确认到，铜层于10秒钟以内进行了溶解。
为此，在溶解试验中黑化层于1分钟以内进行了溶解的情况下，可以说其具有与铜层同样的针对蚀刻液的反应性，并可以说包括该黑化层和铜层的导电性基板是具备可同时进行蚀刻处理的铜层和黑化层的导电性基板。
(3)EDS分析
针对实验例1中所制作的在透明基材上形成了黑化层的试料的黑化层的组成成分，采用SEM-EDS装置(SEM：日本电子株式会社制，型号：JSM-7001F；EDS：Thermo FisherScientific株式会社制，型号：检测器UltraDry解析系统NORAN System 7)进行了EDS分析。
(4)耐环境性试验
在实验例2中，将透明基材上形成了铜层和黑化层的试料放入温度为60℃且湿度为90％的恒温恒湿槽中100个小时，由此进行了耐环境性试验。
对耐环境性试验前和耐环境性试验后的试料进行了光学特性测定，并通过耐环境性试验前后的L＊、a＊、b＊的变化进行了评价。
评价时，针对各试料分别计算了从耐环境性试验前的值减去耐环境性试验后的值的ΔL＊、Δa＊及Δb＊，并将ΔL＊、Δa＊、Δb＊≥-5评价为○，将-5＞ΔL＊、Δa＊、Δb＊≥-10评价为△，将-10＞ΔL＊、Δa＊、Δb＊评价为×。需要说明的是，将ΔL＊、Δa＊及Δb＊中的评价最低的作为所述导电性基板的评价结果。例如，在ΔL＊为〇、Δa＊为△及Δb＊为〇的情况下，将评价最低的Δa＊的评价结果△作为所述导电性基板的评价。需要说明的是，〇和△为合格，×为不合格。
此外，耐环境性试验结束后，对是否能观察到铜层从透明基材剥离进行了评价。具体而言，对观察到100μm～300μm左右的孔的试料进行SEM观察，由此对铜层是否剥离了进行了评价。观察到了剥离的被评价为“有”，没有观察到剥离的被评价为“无”。
以下对各实验例中的试料的制造条件及其评价结果进行说明。
[实验例1]
在实验例1中，制作了以下所示的实验例1-1～实验例1-28的28种试料，并对黑化层的组成成分进行了EDS分析并实施了溶解试验。
需要说明的是，本实验例是作为后述的实验例2的预备实验而实施的，并为参考例。
(关于靶)
在本实验例中，如后所述，制作了在透明基材上形成了黑化层的试料，但在进行黑化层的成膜时使用了以下表1所示的7种靶。需要说明的是，黑化层成膜时，使用以下表1所示的靶中的单个或两个并采用溅射法进行了成膜，另外在使用两个靶进行成膜的情况下，通过二元同时溅射进行了成膜。
首先，对表1所示的靶No.5、No.6的铜-镍-钼混合烧结靶、即、靶组成成分为Cu25Ni15Mo和Cu42Ni16Mo的铜-镍-钼混合烧结靶的制作方法进行说明。
[表1]
靶No. 靶成分 靶种类
1 Mo 金属靶
2 Ni 金属靶
3 Cu40Ni 合金靶
4 Ni35Cu 合金靶
5 Cu25Ni15Mo 烧结靶
6 Cu42Ni16Mo 烧结靶
7 Cu46Ni8Mo 熔解合金靶
作为初始原料粉末，秤量了预定量的Cu粉末(高纯度化学制3N CUE13PB＜43μm)、Ni粉末(高纯度化学制3N NIE08PB 63μm)及Mo粉末(新日本金属制，二次颗粒直径约为200μm～500μm)，并使用乳钵进行了混合。此时，就各靶而言，采用使初始原料粉末的混合比变为以下表2所示的值(原子％)的方式进行了秤量和混合。
接下来，将所获得的初始原料粉末的混合粉末放入内径为3英寸的石墨模型(die)内并采用热压法进行烧结，据此制作了组成成分不同的烧结体No.1～烧结体No.5的5种烧结体。需要说明的是，采用热压法进行烧结时的面压为136kg重/cm2，热压温度(HP温度)为表2中所示的900℃或1000℃，持续时间为1小时。由此可确认到，所获得的烧结体的相对密度如表2所示为82％至93％，可作为溅射靶来使用。
所以，将相对密度特别高的烧结体No.3和烧结体No.4作为溅射靶来使用。具体而言，将烧结体No.3作为靶是相当于上述表1的靶No.6，将烧结体No.4作为靶是相当于上述表1的靶No.5。
[表2]
需要说明的是，就表1所示的靶No.1～No.4、No.7而言，使用金属单体或合金、熔解合金制作了溅射靶。
(试料的制作条件和评价结果)
在本实验例中，制作了在作为透明基材的PET基材上形成了含有氧、铜、镍及钼的黑化层的实验例1-1～实验例1-28的合计28个试料。关于具体步骤，以实验例1-1的情况为例在以下进行说明。
首先，准备纵5cm、横5cm及厚0.05mm的聚对苯二甲酸乙二酯树脂(PET，商品名「Lumirror U48」，Toray株式会社制)制透明基材。
接下来，将所准备的透明基材安放在溅射装置的基板座(holder)上，并使腔体内为真空。需要说明的是，溅射前的腔体内的极限真空度为1.5×10-4Pa。
使腔体内为真空后，藉由溅射对黑化层进行了成膜。使用溅射装置(Ulvac株式会社制，型号：SIH-450)进行了黑化层的成膜。
进行黑化层的成膜时，作为靶如表3A所示仅使用了表1所示的靶No.3的Cu40Ni，通过向所述靶供给200W的电力进行了成膜。另外进行黑化层的成膜时，使安放了透明基材的基板座以30rpm的速度进行旋转，由此进行了成膜。
此外，在通过溅射对黑化层进行成膜期间，腔体内如表3A所示供给了5SCCM的氩体和5SCCM的氧体。
需要说明的是，进行黑化层的成膜时，首先对靶施加了200W的电力以进行20分钟的溅射，由此对成膜速度进行了测定。接下来，根据所测定的成膜速度计算出膜厚变为300nm为止的成膜时间，再对靶施加200W的DC电力以进行预定时间的溅射，据此进行了膜厚为300nm的黑化层的成膜。
进行了黑化层的膜厚至300nm为止的成膜后，从腔体中将其取出。
将所获得的试料中的一部分切下来用于溶解试验，剩余部分则用于EDS分析。结果示于表3A。
就实验例1-2～实验例1-28而言，除了在进行黑化层成膜时将靶以及供给至腔体内的气体中的氧气和氩气的流量在各实验例中按照表3A和表3B所示的条件进行了实施这点之外，与实验例1-1同样地制作了试料。
需要说明的是，如上所述，在某些实验例中使用2个靶进行二元同时溅射，由此进行了黑化层的成膜。例如，在实验例1-2中，如表3所示，作为靶使用了Cu40Ni合金靶和Mo金属靶，并向各靶分别施加了160W和130W的电力，据此进行了黑化层的成膜。
对实验例1-2～实验例1-28的评价结果也在表3A和表3B中进行了表示。
[表3A]
[表3B]
[实验例2]
藉由以下步骤，在透明基材上形成铜层和黑化层，制作了与各层的积层方向平行的面的剖面具有与图1A同样结构的导电性基板，并进行了耐环境性试验的评价。
以实验例2-1的情况为例对导电性基板的制作步骤进行说明。
作为透明基材，使用了与实验例1相同的PET基板。
接下来，将准备好的透明基材安放在作为靶安装了铜靶的溅射装置(Ulvac株式会社制，型号：SIH-450)的基板座上，并使腔体内为真空。需要说明的是，溅射前的腔体内的极限真空度为1.5×10-4Pa。
使腔体内为真空后，向腔体内导入Ar气体，以使其为0.55Pa，然后藉由向铜靶施加200W的电力，在透明基材上进行了厚度为300nm的铜层的成膜。
接下来，在铜层的上表面上按照与实验例1-1同样的条件进行了黑化层的成膜。需要说明的是，就黑化层的膜厚而言，以光学特性尤其是其中的L＊为极小、即、变为表4A所示的膜厚30.3nm的方式进行了成膜。
在实验例2-2～实验例2-28中也与实验例2-1同样地进行了至铜层的形成后，在所述铜层的上表面上进行了黑化层的成膜。就黑化层的成膜而言，是按照与针对实验例2的各试料的实验例1的对应实验例同样的条件进行的，并进行了膜厚变为表4A和表4B所示的膜厚的成膜。
需要说明的是，针对实验例2的各试料的实验例1的对应的实验例是指，如表4A和表4B所示的、实验例1中的“实验例1-”后的数字和“实验例2-”后的数字相同的实验例。具体而言，例如实验例1-5和实验例2-5为对应的实验例，在相同条件下进行了黑化层的成膜。
实验例2-2～实验例2-14、实验例2-18～实验例2-20及实验例2-23～实验例2-27为实施例，实验例2-1、实验例2-15～实验例2-17、实验例2-21、实验例2-22及实验例2-28为比较例。
对所获得的导电性基板进行了耐环境性试验。
以上的评价结果示于表4A和表4B中。
[表4A]
[表4B]
需要说明的是，如上所述，就实验例2的各试料的黑化层而言，是在与对应的实验例1的试料同样的条件下形成了黑化层。为此，实验例2的各试料的黑化层的组成成分和蚀刻特性具有与对应的实验例1的试料相同的特性。为此，在表4A和表4B中也示出了实验例1所评价的黑化层的EDS分析的结果。
根据表4可知，就实验例2-28而言，波长为550nm的光的反射率在耐环境性试验前后的任一情况下都非常高，并没有发挥作为黑化层的功能。
就实验例2-28之外的实验例2-1～实验例2-27而言，可确认到，耐环境性试验前后的任一情况下的波长为550nm的光的反射率都为30％以下，发挥了作为黑化层的功能。
此外，根据表4A和表4B可确认到，在黑化层含有43原子％以上且60原子％以下的氧，并且，黑化层中的铜、镍及钼的含量合计为100原子％的情况下钼的含量为5原子％以上的实验例中，耐环境性的评价为〇或△。即，可确认到具有充分的耐环境性。
具体而言，可确认到，针对实验例2-2～实验例2-14、实验例2-18～实验例2-20及实验例2-23～实验例2-27的耐环境性的评价为〇或△。
然而，就实验例2-4而言，在实验例1的黑化层的溶解试验中可确认到，蚀刻时间非常长，为180秒。其原因在于，黑化层中的钼的含量非常多，为63原子％。根据本发明的发明人的研究可知，在黑化层中的所有金属元素中的Mo含量为40原子％以下的情况下，蚀刻时间可为1分钟以下，为较佳。
此外，通过对耐环境性试验后的铜层是否剥离了进行了评价后可知，如表4所示，在一部分的实验例中观察到了铜层自透明基材的剥离。
所以，为了抑制铜层的剥离，对透明基材的形成铜层等的一侧的表面进行了藉由高频等离子体来照射Ar离子的易密着性处理，以改善基板的淋湿性，并使用所述透明基材进行了导电性基板的制作和评价。
需要说明的是，通过基于JIS K6768(1999)对透明基材的表面进行了淋湿张力的评价后可知，Ar离子照射前、即、制作上述实验例2-1～实验例2-28的试料时所使用的透明基材的淋湿张力为31mN/m。然而，进行了Ar离子照射后则可确认到，照射了Ar离子后的表面的淋湿张力变成了44mN/m。
除了使用如上所述对透明基材的形成铜层等的一侧的表面照射Ar离子以使淋湿张力变为44mN/m的透明基材这点之外，分别与上述实验例2-1～实验例2-28同样地制作了实验例3-1～实验例3-28的导电性基板。
即，在实验例3-1～实验例3-28中，除了对透明基材预先进行了易密着性处理这点之外，与针对实验例3-1～实验例3-28的各试料的实验例2-1～实验例2-28的对应的实验例同样地制作了导电性基板。
需要说明的是，针对实验例3-1～实验例3-28的各试料的实验例2-1～实验例2-28的对应的实验例是指，如表5中所示的、“实验例2-”后的数字和“实验例3-”后的数字相同的实验例。
实验例3-2～实验例3-14、实验例3-18～实验例3-20及实验例3-23～实验例3-27为实施例，实验例3-1、实验例3-15～实验例3-17、实验例3-21、实验例3-22及实验例3-28为比较例。
对所获得的导电性基板进行了耐环境性试验和铜层是否剥离了的评价。
结果示于表5A和表5B中。
[表5A]
[表5B]
由表5A和表5B所示的结果可知，无论在哪个实验例中都确认到了没有观察到铜层的剥离。其原因在于，通过对透明基材进行了易密着性处理，提高了透明基材和铜层之间的密着性。
以上对导电性基板和导电性基板的制造方法通过实施方式和实施例等进行了说明，然而，本发明并不限定于上述实施方式和实施例等。在权利要求书记载的本发明的要旨的范围内，还可进行各种各样的变形和变更。
本申请主张基于2015年8月20日向日本国专利厅申请的特愿2015-162520号的优先权，并将特愿2015-162520号的所有内容引用于本国际申请。
[符号说明]
10A、10B、20A、20B、30 导电性基板
11、11A、11B 透明基材
12、12A、12B 铜层
13、13A、13B、131、132、131A、131B、132A、132B、32A、32B 黑化层
31A、31B 配线

Claims (8)

1.一种导电性基板，具有：
透明基材；
铜层，配置在所述透明基材的至少一个面侧；和
黑化层，配置在所述透明基材的至少一个面侧，并由氧、铜、镍及钼组成，
其中，
所述黑化层含有43原子％以上且60原子％以下的所述氧，
在将所述黑化层中的铜、镍及钼的含量合计设为100原子％的情况下，所述黑化层中的所述钼的含量为5原子％以上40原子％以下，
所述黑化层中的所述铜的含量为42.4原子％以上且70原子％以下，
所述黑化层中的所述镍的含量为15原子％以上且52.2原子％以下。
2.如权利要求1所述的导电性基板，其中：
所述铜层的厚度为100nm以上，
所述黑化层的厚度为20nm以上且40nm以下。
3.如权利要求1或2所述的导电性基板，其中：
所述透明基材的配置所述铜层的一侧的表面的淋湿张力为35mN/m以上。
4.如权利要求1或2所述的导电性基板，其中：
波长为550nm的光的反射率为30％以下。
5.如权利要求1或2所述的导电性基板，其中：
具备网状配线。
6.一种导电性基板的制造方法，具有：
准备透明基材的透明基材准备步骤；
在所述透明基材的至少一个面侧形成铜层的铜层形成步骤；和
在所述透明基材的至少一个面侧形成由氧、铜、镍及钼组成的黑化层的黑化层形成步骤，
其中，
所述黑化层含有43原子％以上且60原子％以下的所述氧，
在将所述黑化层中的铜、镍及钼的含量合计设为100原子％的情况下，所述黑化层中的所述钼的含量为5原子％以上40原子％以下，
所述黑化层中的所述铜的含量为42.4原子％以上且70原子％以下，
所述黑化层中的所述镍的含量为15原子％以上且52.2原子％以下。
7.如权利要求6所述的导电性基板的制造方法，其中：
在所述黑化层形成步骤中，使用铜-镍-钼混合烧结靶，一边将氧的含有比率为25体积％以上且55体积％以下的气体供给至腔体内，一边通过溅射法对所述黑化层进行成膜。
8.如权利要求6或7所述的导电性基板的制造方法，其中：
在所述透明基材准备步骤中，对所述透明基材中的形成所述铜层的一侧的表面实施易密着性处理，以使淋湿张力为35mN/m以上。
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