JP2017041115A - 導電性基板、および導電性基板の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】耐環境性に優れた黒化層を備えた導電性基板を提供することを目的とする。【解決手段】透明基材と、前記透明基材の少なくとも一方の面側に配置された銅層と、前記透明基材の少なくとも一方の面側に配置され、酸素、銅、ニッケル及びモリブデンを含有する黒化層と、を備え、前記黒化層は、前記酸素を４３原子％以上６０原子％以下含有し、前記黒化層中の銅、ニッケル、及びモリブデンの含有量の合計を１００原子％とした場合に、前記黒化層中の前記モリブデンの含有量が５原子％以上である導電性基板を提供する。【選択図】図１

Description

本発明は、導電性基板、および導電性基板の製造方法に関する。
高分子フィルム上に透明導電膜としてＩＴＯ（酸化インジウム−スズ）膜を形成したタッチパネル用の透明導電性フィルムが従来から用いられている。（特許文献１参照）
ところで、近年タッチパネル付の表示パネルの大画面化が進んでおり、これに対応してタッチパネル用の透明導電性フィルム等の導電性基板についても大面積化が求められている。しかし、ＩＴＯは電気抵抗値が高いため、導電性基板の大面積化に対応できないという問題があった。
このため、例えば特許文献２、３に開示されているようにＩＴＯ膜にかえて導電性が優れている銅等の金属箔を用いることが検討されている。しかし、例えば配線層に銅を用いた場合、銅は金属光沢を有しているため、反射によりディスプレイの視認性が低下するという問題がある。
そこで、上記の導電性と視認性の両特性の改善を実現するために、銅等の金属箔により構成される配線層と共に、黒色の材料により構成される黒化層を形成した導電性基板が検討されている。
特開２００３−１５１３５８号公報 特開２０１１−０１８１９４号公報 特開２０１３−０６９２６１号公報
ところで、タッチパネル付の表示パネルは自動販売機や案内表示板等、屋外で使用することも多い。
しかしながら、導電性基板での使用が検討されていた従来の黒化層は耐環境が十分ではなく、長期間の使用では変色を生じ、視認性改善の効果が低下する等の問題があった。特に黒化層が表面に形成されるタッチパネル用の導電性基板では黒化層の変色の影響が大きく、耐環境性に優れた黒化層を備えた導電性基板が求められていた。
上記従来技術の種々の問題に鑑み、本発明の一側面では耐環境性に優れた黒化層を備えた導電性基板を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため本発明の一側面では、
透明基材と、
前記透明基材の少なくとも一方の面側に配置された銅層と、
前記透明基材の少なくとも一方の面側に配置され、酸素、銅、ニッケル及びモリブデンを含有する黒化層と、を備え、
前記黒化層は、前記酸素を４３原子％以上６０原子％以下含有し、
前記黒化層中の銅、ニッケル、及びモリブデンの含有量の合計を１００原子％とした場合に、前記黒化層中の前記モリブデンの含有量が５原子％以上である導電性基板を提供する。
本発明の一側面によれば、耐環境性に優れた黒化層を備えた導電性基板を提供することができる。
本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。 本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。 本発明の実施形態に係るメッシュ状の配線を備えた導電性基板の上面図。 図３のＡ−Ａ´線における断面図。
以下、本発明の導電性基板、および、導電性基板の製造方法の一実施形態について説明する。
（導電性基板）
本実施形態の導電性基板は、透明基材と、
透明基材の少なくとも一方の面側に配置された銅層と、
透明基材の少なくとも一方の面側に配置され、酸素、銅、ニッケル及びモリブデンを含有する黒化層（以下、単に「黒化層」とも記載する）と、を備えた構成とすることができる。
そして、黒化層は、酸素を４３原子％以上６０原子％以下含有し、黒化層中の銅、ニッケル、及びモリブデンの含有量の合計を１００原子％とした場合に、黒化層中のモリブデンの含有量が５原子％以上であることが好ましい。
なお、本実施形態における導電性基板とは、銅層等をパターニングする前の透明基材の表面に銅層や黒化層を有する基板と、銅層や黒化層をパターニングして配線の形状にした基板、すなわち、配線基板とを含む。
ここでまず、本実施形態の導電性基板に含まれる各部材について以下に説明する。
透明基材としては特に限定されるものではなく、可視光を透過する絶縁体フィルムや、ガラス基板等を好ましく用いることができる。
可視光を透過する絶縁体フィルムとしては例えば、ポリアミド系フィルム、ポリエチレンテレフタレート系フィルム、ポリエチレンナフタレート系フィルム、シクロオレフィン系フィルム等の樹脂フィルム、ポリカーボネート系フィルム等を好ましく用いることができる。
特に、可視光を透過する絶縁体フィルムの材料として、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＣＯＰ（シクロオレフィンポリマー）、ポリアミド、ポリカーボネート等をより好ましく用いることができる。
透明基材の厚さについては特に限定されず、導電性基板とした場合に要求される強度や静電容量、光の透過率等に応じて任意に選択することができる。
透明基材の厚さとしては例えば１０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。特にタッチパネルの用途に用いる場合、透明基材の厚さは２０μｍ以上１２０μｍ以下とすることが好ましく、２０μｍ以上１００μｍ以下とすることがより好ましい。タッチパネルの用途に用いる場合で、例えば特にディスプレイ全体の厚さを薄くすることが求められる用途においては、透明基材の厚さは２０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
また、透明基材については銅層または黒化層との密着性を高め、透明基材上に形成した銅層等が剥離することを防止する観点から、透明基材の銅層等を形成する面について、易密着層を配置する等、易密着性処理を施しておくことが好ましい。
易密着性処理の方法は特に限定されるものではなく、銅層等との密着性を高めることができる処理であれば足りる。
具体的には例えば、透明基材の銅層等を形成する面についてｐ−メタクリル酸メチル等を塗布して易密着層を形成することで透明基材の表面を親水性にする方法が挙げられる。また、易密着性処理の他の方法として、透明基材の銅層等を形成する面について大気圧プラズマ処理を行う方法や、透明基材の銅層等を形成する面についてＡｒイオンを照射する方法等が挙げられる。
例えば易密着性処理を実施していないＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）基材表面の濡れ性を濡れ張力試験法により評価した場合、通常３１ｍＮ／ｍ程度である。このため、銅層等への密着性が十分ではない場合がある。
これに対して、例えばＰＥＴ基材表面に対してＡｒイオンを５〜１５分間スパッタリングにより照射し、易密着性処理を実施することで、ＰＥＴ基材表面の濡れ張力を３５ｍＮ／ｍ以上、例えば４０ｍＮ／ｍ〜５５ｍＮ／ｍ程度に改善できる。このため、特に銅層等との密着性を高めることができ、好ましい。
透明基材について易密着性処理を行う場合、易密着性処理の程度については特に限定されるものではない。ただし、銅層等との密着性を十分に高める観点から、透明基材は、例えば透明基材の銅層が配置された側の面の濡れ張力が３５ｍＮ／ｍ以上であることが好ましく、４０ｍＮ／ｍ以上であることがより好ましい。
透明基材の濡れ性は、濡れ張力試験法（ＪＩＳ Ｋ６７６８（１９９９））により評価することができる。また、上述の透明基材の銅層が配置された側の面とは、透明基材上に銅層が直接形成された面だけではなく、透明基材上に黒化層を介して銅層が形成された面を含むことができる。
なお、易密着性処理を実施するのは、透明基材の銅層が配置された側の面だけに限定されるものではなく、銅層が配置されていない面についても実施してもよい。ただし、銅層等との密着性を高めることが要求される銅層を配置された側の面についてのみ、易密着性処理を実施することが生産性等の観点から好ましい。
次に銅層について説明する。
銅層についても特に限定されないが、光の透過率を低減させないため、銅層と透明基材との間、または、透明基材と銅層との間に黒化層を配置する場合には、銅層と黒化層との間に接着剤を配置しないことが好ましい。すなわち銅層は、他の部材の上面に直接形成されていることが好ましい。
他の部材の上面に銅層を直接形成するため、銅層は銅薄膜層を有することが好ましい。また、銅層は銅薄膜層と銅めっき層とを有していてもよい。
例えば透明基材または黒化層上に、乾式めっき法により銅薄膜層を形成し該銅薄膜層を銅層とすることができる。これにより、透明基材または黒化層上に接着剤を介さずに直接銅層を形成できる。
また、銅層の膜厚が厚い場合には、該銅薄膜層を給電層として、湿式めっき法により銅めっき層を形成することにより、銅薄膜層と銅めっき層とを有する銅層とすることもできる。銅層が銅薄膜層と銅めっき層とを有することにより、この場合も透明基材または黒化層上に接着剤を介さずに直接銅層を形成できる。
銅層の厚さは特に限定されるものではなく、銅層を配線として用いた場合に、該配線に供給する電流の大きさや配線幅等に応じて任意に選択することができる。特に十分に電流を供給できるように銅層は厚さが１００ｎｍ以上であることが好ましく、１５０ｎｍ以上とすることがより好ましい。銅層の厚さの上限値は特に限定されないが、銅層が厚くなると、配線を形成するためにエッチングを行う際にエッチングに時間を要するためサイドエッチが生じ、エッチングの途中でレジストが剥離する等の問題を生じ易くなる。このため、銅層の厚さは３μｍ以下であることが好ましく、７００ｎｍ以下であることがより好ましい。
なお、銅層が上述のように銅薄膜層と、銅めっき層とを有する場合には、銅薄膜層の厚さと、銅めっき層の厚さとの合計が上記範囲であることが好ましい。
次に、酸素、銅、ニッケル及びモリブデンを含有する黒化層について説明する。
銅層は金属光沢を有するため、透明基材上に銅層をエッチングした配線を形成したのみでは上述のように銅が光を反射し、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた場合、ディスプレイの視認性が低下するという問題があった。そこで、黒化層を設ける方法が検討されてきた。
しかしながら、既述のようにタッチパネル付の表示パネルは自動販売機や案内表示板等、屋外で使用することも多い。そして、導電性基板での使用が検討されていた従来の黒化層は耐環境が十分ではなく、長期間の使用では変色を生じ、視認性改善の効果が低下する等の問題があった。特に黒化層が表面に形成されるタッチパネル用の導電性基板では黒化層の変色の影響が大きく、耐環境性に優れた黒化層が求められていた。
なお、ここでいう耐環境性とは、高温、高湿の環境下に置かれた場合でも黒化層の色味に大きな変化がなく、銅層表面での光の反射を抑制できる特性を意味している。
そこで本発明の発明者らが検討を行ったところ、酸素、銅、ニッケル及びモリブデンを含有する層は黒色であるため黒化層として使用でき、酸素、及びモリブデンの含有量を所定の範囲内とすることで高い耐環境性を発揮できることを見出し、本発明を完成させた。
黒化層の成膜方法は特に限定されるものではなく、任意の方法により成膜することができる。ただし、比較的容易に黒化層を成膜できることから、スパッタリング法により成膜することが好ましい。
黒化層は例えば、銅、ニッケル及びモリブデンの混合焼結ターゲット（以下、「銅−ニッケル−モリブデン混合焼結のターゲット」とも記載する）、または銅−ニッケル−モリブデンの熔解合金ターゲットを用い、チャンバー内に酸素を供給しながらスパッタリング法により成膜することができる。
なお、黒化層成膜時のターゲットとして、銅−ニッケル−モリブデン混合焼結のターゲット、または銅−ニッケル−モリブデンの熔解合金ターゲットを用いる場合、これらのターゲットは単独で用いて黒化層を成膜することができる。
また、黒化層成膜時のターゲットとして、銅−ニッケル−モリブデン混合焼結のターゲット、または銅−ニッケル−モリブデンの熔解合金ターゲットを用いる場合、他のターゲットと組み合わせて、例えば２元同時スパッタリング法により黒化層を成膜してもよい。具体的には例えば、銅−ニッケル−モリブデン混合焼結のターゲット、または銅−ニッケル−モリブデンの熔解合金ターゲットと、銅、ニッケル、モリブデンから選択された１種類以上の成分を含有するターゲットとを組み合わせて用いることもできる。
また、黒化層は例えば、銅−ニッケル合金ターゲットと、モリブデンのターゲットと、を用い、あるいは銅のターゲットとニッケル−モリブデン合金ターゲットを用い、チャンバー内に酸素を供給しながら２元同時スパッタリング法により成膜することもできる。
銅−ニッケル−モリブデン混合焼結のターゲットの製造方法の一構成例について説明する。銅とモリブデンは熔解することが難しく固溶しないため、熔解法で作製する場合はニッケルとモリブデンとが固溶できるように、モリブデン／ニッケル比を２５／７５以下にすることとなる。なお、モリブデン／ニッケル比を２５／７５以下にするとは、モリブデンと、ニッケルとの合計の物質量を１００とした場合に、モリブデンの物質量比を２５以下にすることを意味する。
このため、モリブデン／ニッケル比が２５／７５を超える場合、銅−ニッケル−モリブデン混合焼結のターゲットを作製し、用いることが好ましい。
銅−ニッケル−モリブデン混合焼結のターゲットの製造方法としてはまず、銅、ニッケル及びモリブデンの混合粉末からホットプレス法や熱間等方圧加工法（ＨＩＰ）により焼結体を作製することが好ましい。そして得られた焼結体を所定の形状に加工した後、バッキングプレートに貼りつけて銅−ニッケル−モリブデン混合焼結のターゲットとすることができる。
銅、ニッケル及びモリブデンの混合粉末から焼結体を作製する際の焼結温度は８５０℃以上１０８３℃以下が好ましく、より好ましくは９５０℃以上１０５０℃である。
これは、８５０℃より低い温度では焼結が十分進行しないため焼結体密度が低く、ターゲット化する平面加工で冷却水が焼結体の気孔に残留する場合があるという問題があるためである。また、１０８３℃を超えると銅の融点を超えるため銅が流れ出すため好ましくない。
なお、銅−ニッケル−モリブデン混合焼結のターゲットの製造方法は、上記製造方法に限定されるものではなく、所望の組成を有するターゲットとなるように製造できる方法であれば特に限定されるものではなく、用いることができる。
スパッタリング時にチャンバー内に供給するガス中の酸素の含有割合は特に限定されない。黒化層への酸素の取り込み量は黒化層の成長速度（成膜速度）によって変わり、また、チャンバー内に供給するガス中の酸素の含有量は黒化層の成長速度に影響を与える。このため、目的とする黒化層の組成や、黒化層の成長速度に応じてスパッタリング時にチャンバー内に供給するガス中の酸素の含有割合を任意に選択することが好ましい。
黒化層の成長速度は特に限定されるものではないが、生産性等を考慮すると例えば４ｎｍ／ｍｉｎ以上２０ｎｍ/ｍｉｎ以下程度とすることが好ましい。
そして、係る成長速度で黒化層を成膜し、所望の酸素量を含有する黒化層とするためには、酸素の含有割合が２５体積％以上５５体積％以下のガスをチャンバーに供給しながら、黒化層の成膜を実施することが好ましい。チャンバーに供給するガス中の酸素の含有割合は、３０体積％以上４５体積％以下であることがより好ましい。
なお、黒化層を成膜する際のチャンバー内の酸素分圧は０．１Ｐａ以上であることが好ましく、０．１５Ｐａ以上であることがより好ましい。
上述のようにチャンバー内へ供給するガス中の酸素の含有割合を２５体積％以上とすることにより、黒化層を十分酸化することができ、大気中の酸素や水分による黒化層の変色を防止することができ、耐環境性を高めることができるため好ましい。チャンバー内へ供給するガス中の酸素の含有割合は３０体積％以上とすることがより好ましい。
ただし、チャンバー内へ供給するガス内の酸素の含有割合が５５体積％を超えると黒化層の成長速度が遅くなり、好ましくない。このため、上述の様にチャンバー内へ供給するガス内の酸素の含有割合は５５体積％以下とすることが好ましい。特にチャンバー内に供給するガス中の酸素の含有割合は、４５体積％以下とすることが、黒化層の成長速度を高く維持し、生産性を高める観点からより好ましい。
なお、スパッタリングを行う際、チャンバー内に供給するガスは、酸素以外の残部については不活性ガスとすることが好ましい。酸素以外の残部については例えばアルゴン、キセノン、ネオン、ヘリウムから選択された１種類以上のガスを供給することができる。
スパッタリングの際に用いるターゲットの組成は特に限定されるものではなく、成膜する黒化層の組成にあわせて任意に選択することができる。なお、スパッタリング中のターゲットからの元素の飛び易さは、元素の種類により異なる。このため、目的とする黒化層の組成と、ターゲット中の元素の飛び易さに応じてターゲットの組成を選択することができる。
スパッタリングを行う際用いるターゲットとして、上述のように例えば銅−ニッケル−モリブデン混合焼結のターゲットを用いることができる。この場合、上述のようにターゲットの組成は特に限定されないが、銅−ニッケル−モリブデン混合焼結のターゲットは、モリブデンを５原子％以上７５原子％以下の割合で含有することが好ましく、７原子％以上６５原子％以下の割合で含有することがより好ましい。ニッケルは１０原子％以上５０原子％以下が好ましい。これらの場合、残部は銅により構成することができる。
既述のように、成膜した黒化層中には、酸素、銅、ニッケル、及びモリブデンを含有することができる。黒化層中の各成分の含有割合は特に限定されないが、黒化層中の銅、ニッケル、及びモリブデンの含有量の合計、すなわち黒化層に含まれる金属元素の含有量の合計を１００原子％とした場合に、モリブデンの含有量は５原子％以上であることが好ましい。つまり、黒化層に含まれる金属元素中のモリブデンの含有割合は５原子％以上であることが好ましい。
これは、黒化層に含まれる金属元素中のモリブデンの含有割合を５原子％以上とすることで、黒化層表面での光の反射率を特に低下させることができるためである。また、黒化層に含まれる金属元素中のモリブデンの含有割合を５原子％以上とすることで、黒化層中に取り込む酸素の量を多くすることができ、耐環境性を高めることが可能になる。
ただし、黒化層に含まれる金属元素中のモリブデンの含有割合が多くなりすぎると、黒化層のエッチング液に対する反応性が低くなり、所望の配線パターンを形成することが困難になる恐れがある。このため、黒化層中の銅、ニッケル、及びモリブデンの含有量の合計を１００原子％とした場合の黒化層中のモリブデンの含有量、すなわち黒化層に含まれる金属元素中のモリブデンの含有割合、は４０原子％以下とすることが好ましい。
また、黒化層中の銅、ニッケル及びモリブデンの含有量の合計、すなわち黒化層に含まれる金属元素の含有量の合計を１００原子％とした場合に、黒化層中の銅の含有量は３０原子％以上７０原子％以下が好ましい。つまり、黒化層に含まれる金属元素中の銅の含有割合は、３０原子％以上７０原子％以下が好ましい。黒化層に含まれる金属元素中の銅の含有割合は、４０原子％以上６０原子％以下がより好ましい。
これは黒化層に含まれる金属元素中の銅の含有割合が３０原子％未満ではエッチング性が悪くなる場合があるためである。また黒化層に含まれる金属元素中の銅の含有割合が７０原子％を超えると耐環境性が低下する場合があるためである。
さらに、黒化層中の銅、ニッケル及びモリブデンの含有量の合計、すなわち黒化層に含まれる金属元素の含有量の合計を１００原子％とした場合に、黒化層中のニッケルの含有量は１５原子％以上６５原子％以下が好ましい。つまり黒化層に含まれる金属元素中のニッケルの含有割合は１５原子％以上６５原子％以下であることが好ましい。黒化層に含まれる金属元素中のニッケルの含有割合は、２５原子％以上５５原子％以下であることがより好ましい。
これは黒化層に含まれる金属元素中のニッケルの含有割合が１５原子％未満では耐環境性が悪くなる場合があるためである。また、黒化層に含まれる金属元素中のニッケルの含有割合が６５原子％を超えるとエッチング性が悪くなる場合があるためである。
また、黒化層中に含まれる酸素は４３原子％以上６０原子％以下であることが好ましく、４５原子％以上５５原子％以下であることがより好ましい。
これは、黒化層中に酸素が４３原子％以上含まれていることにより黒化層が十分に酸化されて大気中の酸素や水分により酸化されることが無く十分な黒色を維持できる、すなわち耐環境性を高めることができるためである。また黒化層中の酸素の含有量が６０原子％より多くなると黒化層が透明化して６００ｎｍより短い短波長側の銅膜の反射が多くなり黒化しない、また黒化層のシート抵抗が高くなるため、６０原子％以下であることが好ましい。
成膜した黒化層中において酸素、銅、ニッケル及びモリブデンはどのような形態で含まれていてもよい。例えば銅とモリブデンとが混合焼結体を形成し、酸素を含有する銅−モリブデン混合焼結体が黒化層に含有されていてもよい。また、銅、ニッケルまたはモリブデンが例えば酸化銅（Ｃｕ２Ｏ、ＣｕＯ、Ｃｕ２Ｏ３）や、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化モリブデン（ＭｏＯ３、ＭｏＯ２、Ｍｏ２Ｏ３）、銅−モリブデン酸化物（ＣｕＭｏＯ４、Ｃｕ２ＭｏＯ５、Ｃｕ６Ｍｏ４Ｏ１５、Ｃｕ３Ｍｏ２Ｏ９、Ｃｕ２Ｍｏ３Ｏ１０、Ｃｕ４Ｍｏ３Ｏ１２等）から選択された１種類以上を生成し、黒化層に含まれていてもよい。
なお、黒化層は例えば酸素を含有する銅−ニッケル−モリブデン混合物のように、酸素、銅、ニッケル及びモリブデンを同時に含有する１種類の物質のみで構成される層であってもよい。また、例えば上述した酸素を含有する銅−モリブデン混合焼結体や、銅の酸化物、ニッケルの酸化物、モリブデンの酸化物、銅−モリブデン酸化物等から選択される１種類以上の物質を含有する層であってもよい。
黒化層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば２０ｎｍ以上であることが好ましく、２５ｎｍ以上とすることがより好ましい。黒化層は、上述のように黒色をしており、銅層による光の反射を抑制する黒化層として機能するが、黒化層の厚さが薄い場合には、十分な黒色が得られず銅層による光の反射を十分に抑制することができない場合がある。これに対して、黒化層の厚さを上記範囲とすることにより、銅層の反射をより抑制できるため好ましい。
黒化層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、黒化層の厚さを厚くすると、光学特性の反射率、明度（Ｌ＊）、色度（ａ＊、ｂ＊）が黒化層としては劣る特性となる場合があり、好ましくない。このため、黒化層の厚さは４５ｎｍ以下とすることが好ましく、４０ｎｍ以下とすることがより好ましい。
また、黒化層はシート抵抗が十分に小さい場合、黒化層に配線等の電気部材とのコンタクト部を形成することができ、黒化層が最表面に位置する場合でも銅層を露出する必要がなくなるため好ましい。
そして、黒化層に配線等の電気部材とのコンタクト部を形成するためには、黒化層のシート抵抗としては、１ｋΩ／□未満であることが好ましい。
次に、本実施形態の導電性基板の構成例について説明する。
上述のように、本実施形態の導電性基板は透明基材と、銅層と、酸素、銅、ニッケル及びモリブデンを含有する黒化層と、を備えている。この際、銅層と、黒化層と、を透明基材上に配置する際の積層の順番は特に限定されるものではない。また、銅層と、黒化層と、はそれぞれ複数層形成することもできる。なお、銅層表面での光の反射の抑制のため、銅層の表面のうち光の反射を特に抑制したい面に黒化層が配置されていることが好ましい。また、銅層は黒化層に挟まれた構造を有していることがより好ましい。
さらに、上述のようにシート抵抗の小さい黒化層を含む場合、該シート抵抗の小さい黒化層は導電性基板の最表面に配置されていることが好ましい。これは、シート抵抗の小さい黒化層は配線等の電気部材と接続できるため、接続しやすいように導電性基板の最表面に配置されていることが好ましいためである。
具体的な構成例について、図１、図２を用いて以下に説明する。図１、図２は、本実施形態の導電性基板の、透明基材、銅層、黒化層の積層方向と平行な面における断面図の例を示している。
例えば、図１（ａ）に示した導電性基板１０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に銅層１２と、黒化層１３と、を一層ずつその順に積層することができる。また、図１（ｂ）に示した導電性基板１０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ銅層１２Ａ、１２Ｂと、黒化層１３Ａ、１３Ｂと、を一層ずつその順に積層することができる。なお、銅層１２（１２Ａ、１２Ｂ）、及び黒化層１３（１３Ａ、１３Ｂ）を積層する順は、図１（ａ）、（ｂ）の例に限定されず、透明基材１１側から黒化層１３（１３Ａ、１３Ｂ）、銅層１２（１２Ａ、１２Ｂ）の順に積層することもできる。
また、例えば黒化層を透明基材１１の一方の面１１ａ側に複数層設けた構成とすることもできる。例えば図２（ａ）に示した導電性基板２０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に、第１の黒化層１３１と、銅層１２と、第２の黒化層１３２と、をその順に積層することができる。
この場合も透明基材１１の両面に銅層、第１の黒化層、第２の黒化層を積層した構成とすることができる。具体的には図２（ｂ）に示した導電性基板２０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ第１の黒化層１３１Ａ、１３１Ｂと、銅層１２Ａ、１２Ｂと、第２の黒化層１３２Ａ、１３２Ｂと、をその順に積層できる。
図１（ｂ）、図２（ｂ）では、透明基材の両面に銅層と、黒化層と、を積層した場合において、透明基材１１を対称面として透明基材１１の上下に積層した層が対称になるように配置した例を示したが、係る形態に限定されるものではない。例えば、図２（ｂ）において、透明基材１１の一方の面１１ａ側の構成を図１（ａ）の構成と同様に、銅層１２と、黒化層１３と、をその順に積層した形態とし、透明基材１１の上下に積層した層を非対称な構成としてもよい。
なお、図１（ａ）、図２（ａ）のように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に銅層等を形成する場合には、既述のように透明基材１１の一方の面１１ａについて易密着性処理を施しておくことが好ましい。また、図１（ｂ）、図２（ｂ）のように透明基材１１の一方の面１１ａ側、及び他方の面１１ｂ側に銅層等を形成する場合は、一方の面１１ａ、及び他方の面１１ｂの両面について易密着性処理を施しておくことが好ましい。
ここまで、本実施形態の導電性基板について説明してきたが、本実施形態の導電性基板においては、透明基材上に銅層と、黒化層と、を設けているため、銅層による光の反射を抑制することができる。
本実施形態の導電性基板の光の反射の程度については特に限定されないが、例えば本実施形態の導電性基板は、波長５５０ｎｍの光の反射率は３０％以下であることが好ましく、２０％以下であることがより好ましく、１０％以下であることが特に好ましい。
また、本実施形態の導電性基板は、波長３５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲の光に対する反射率の平均値である可視光平均反射率は３０％以下であることが好ましく、２０％以下であることがより好ましく、１０％以下であることが特に好ましい。
なお、波長３５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲の光に対する反射率の平均値（可視光平均反射率）は、波長３５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲の光を所定の間隔で、例えば１ｎｍ間隔で波長を変更させ、黒化層に対して照射して反射率を測定した際の平均値を意味している。
これは波長５５０ｎｍの光の反射率、および可視光平均反射率の少なくとも一方が３０％以下の場合、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた場合でもディスプレイの視認性の低下をほとんど引き起こさないためである。ディスプレイの視認性の低下を特に抑制する観点から、波長５５０ｎｍの光の反射率、及び可視光平均反射率は、共に３０％以下であることがより好ましい。
反射率の測定は、黒化層に光を照射するようにして行うことができる。すなわち、導電性基板に含まれる銅層及び黒化層のうち、黒化層側から測定を行うことができる。
具体的には例えば図１（ａ）のように透明基材１１の一方の面１１ａに銅層１２、黒化層１３の順に積層した場合、黒化層１３に光を照射できるように、黒化層１３の表面Ａに対して光を照射して測定できる。
また、図１（ａ）の場合と銅層１２と黒化層１３との配置を換え、透明基材１１の一方の面１１ａに黒化層１３、銅層１２の順に積層した場合、透明基材１１を除いて黒化層１３が最表面に位置する側である、透明基材１１の面１１ｂ側から黒化層１３の表面に対して光を照射して反射率を測定できる。
なお、後述のように導電性基板は銅層及び黒化層をエッチングすることにより配線を形成できるが、上記反射率は導電性基板のうち透明基材を除いた場合に最表面に配置されている黒化層の、光が入射する側の表面における反射率を示している。このため、エッチング処理前、または、エッチング処理を行った後であれば、銅層及び黒化層が残存している部分での測定値が上記範囲を満たしていることが好ましい。
また、測定した反射率から、明度（Ｌ＊）、色度（ａ＊、ｂ＊）を算出することができる。明度（Ｌ＊）、及び色度（ａ＊、ｂ＊）については特に限定されないが、明度（Ｌ＊）は６０以下であることが好ましく、５５以下であることがより好ましい。また、色度（ａ＊、ｂ＊）は少なくとも一方が０未満、すなわち負であることが好ましく、ａ＊、ｂ＊共に０未満であることがより好ましい。
これは明度（Ｌ＊）が６０以下の場合暗い色調となるために、光の反射を特に抑制できるからである。また、色度（ａ＊、ｂ＊）の少なくとも一方が０未満の場合に、黒化層は光の反射を抑制するのに特に適した色となるためである。
本実施形態の導電性基板は上述のように例えばタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。この場合導電性基板はメッシュ状の配線を備えた構成とすることができる。
メッシュ状の配線を備えた導電性基板は、ここまで説明した本実施形態の導電性基板の銅層及び黒化層をエッチングすることにより得ることができる。
例えば、二層の配線によりメッシュ状の配線とすることができる。具体的な構成例を図３に示す。図３はメッシュ状の配線を備えた導電性基板３０を銅層、黒化層の積層方向の上面側から見た図を示しており、透明基材１１を介して見える配線３１Ｂも示している。図３に示した導電性基板３０は、透明基材１１と、図中Ｙ軸方向に平行な複数の配線３１ＡとＸ軸方向に平行な配線３１Ｂとを有している。なお、配線３１Ａ、３１Ｂは銅層をエッチングして形成されており、該配線３１Ａ、３１Ｂの上面および／または下面には図示しない黒化層が形成されている。また、黒化層は配線３１Ａ、３１Ｂと同じパターンとなるようにエッチングされている。
透明基材１１と配線３１Ａ、３１Ｂとの配置は特に限定されない。透明基材１１と配線との配置の構成例を図４（ａ）、（ｂ）に示す。図４（ａ）、（ｂ）は図３のＡ−Ａ´線での断面図に当たる。
まず、図４（ａ）に示したように、透明基材１１の上下面にそれぞれ配線３１Ａ、３１Ｂが配置されていてもよい。なお、この場合、配線３１Ａ、３１Ｂの上面には、配線と同じ形状にエッチングされた黒化層３２Ａ、３２Ｂが配置されている。
また、図４（ｂ）に示したように、１組の透明基材１１Ａ、１１Ｂを用い、一方の透明基材１１Ａを挟んで上下面に配線３１Ａ、３１Ｂを配置し、かつ、一方の配線３１Ｂは透明基材１１Ａと透明基材１１Ｂとの間に配置されてもよい。この場合も、配線３１Ａ、３１Ｂの上面には配線と同じ形状にエッチングされた黒化層３２Ａ、３２Ｂが配置されている。なお、既述のように、黒化層と、銅層との配置は限定されるものではない。このため、図４（ａ）、（ｂ）いずれの場合でも黒化層３２Ａ、３２Ｂと配線３１Ａ、３１Ｂとの配置は上下を逆にすることもできる。また、例えば黒化層を複数層設けることもできる。
ただし、黒化層は銅層表面のうち光の反射を特に抑制したい面に配置されていることが好ましい。
このため、例えば図４（ａ）に示した導電性基板において、配線３１Ａと黒化層３２Ａ、および／または配線３１Ｂと黒化層３２Ｂとの位置を逆にすることもできる。また、配線３１Ａと透明基材１１との間、および／または配線３１Ｂと透明基材１１との間に黒化層をさらに設けてもよい。
そして、図４（ｂ）に示した導電性基板の場合であって、例えば、図中下面側からの光の反射を抑制する必要がある場合には、黒化層３２Ａ、３２Ｂの位置と、配線３１Ａ、３１Ｂの位置とをそれぞれ逆にすることが好ましい。また、黒化層３２Ａ、３２Ｂに加えて、配線３１Ａと透明基材１１Ａとの間、および／または配線３１Ｂと透明基材１１Ｂとの間に黒化層をさらに設けてもよい。
なお、上述の様に図４（ａ）、図４（ｂ）において、黒化層をさらに設ける場合、さらに設けた黒化層についても、該黒化層と接する配線と同様のパターンとなるようにパターン化させていることが好ましい。
図３及び図４（ａ）に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は例えば、図１（ｂ）、図２（ｂ）のように透明基材１１の両面に銅層１２Ａ、１２Ｂと、黒化層１３Ａ、１３Ｂ（１３１Ａ、１３２Ａ、１３１Ｂ、１３２Ｂ）と、を備えた導電性基板から形成できる。
図１（ｂ）の導電性基板を用いて形成した場合を例に説明すると、まず、透明基材１１の一方の面１１ａ側の銅層１２Ａ及び黒化層１３Ａを、図１（ｂ）中Ｙ軸方向に平行な複数の線状のパターンがＸ軸方向に沿って所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。図１（ｂ）中のＹ軸方向とは、図１（ｂ）中の紙面と垂直な方向を意味している。
そして、透明基材１１のもう一方の面１１ｂ側の銅層１２Ｂ及び黒化層１３Ｂを図１（ｂ）中Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンが所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。なお、図１（ｂ）中のＸ軸方向は、図１（ｂ）に示した導電性基板１０Ｂに含まれる各層の幅方向と平行な方向を意味している。
以上の操作により図３、図４（ａ）に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板を形成することができる。なお、透明基材１１の両面のエッチングは同時に行うこともできる。すなわち、銅層１２Ａ、１２Ｂ、黒化層１３Ａ、１３Ｂのエッチングは同時に行ってもよい。
また、図２（ｂ）に示した導電性基板２０Ｂを用いて、同様にしてメッシュ状の配線を有する導電性基板を形成した場合、図４（ａ）において、配線３１Ａ、３１Ｂと透明基材１１との間に配線３１Ａ、３１Ｂと同じパターンとなるようにパターン化された黒化層が配置されることとなる。
図３に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は、図１（ａ）または図２（ａ）に示した導電性基板を２枚用いることにより形成することもできる。図１（ａ）の導電性基板を用いた場合を例に説明すると、図１（ａ）に示した導電性基板２枚についてそれぞれ、銅層１２及び黒化層１３を、Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンが所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。そして、上記エッチング処理により各導電性基板に形成した線状のパターンが互いに交差するように向きをあわせて２枚の導電性基板を貼り合せることによりメッシュ状の配線を備えた導電性基板とすることができる。２枚の導電性基板を貼り合せる際に貼り合せる面は特に限定されるものではなく、図４（ｂ）のように銅層１２等が積層された図１（ａ）における表面Ａと、銅層１２等が積層されていない図１（ａ）における面１１ｂとを貼り合せてもよい。
なお、黒化層は銅層表面のうち光の反射を特に抑制したい面に配置されていることが好ましい。このため、図４（ｂ）に示した導電性基板において、図中下面側からの光の反射を抑制する必要がある場合には、黒化層３２Ａ、３２Ｂの位置と、配線３１Ａ、３１Ｂの位置とをそれぞれ逆に配置することが好ましい。また、黒化層３２Ａ、３２Ｂに加えて、配線３１Ａと透明基材１１Ａとの間、および／または配線３１Ｂと透明基材１１Ｂとの間に黒化層をさらに設けてもよい。
また、例えば透明基材１１の銅層１２等が積層されていない図１（ａ）における面１１ｂ同士を貼り合せて断面が図４（ａ）に示した構造となるように貼り合せてもよい。
なお、図３、図４に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板における配線の幅や、配線間の距離は特に限定されるものではなく、例えば、配線に流す電流量等に応じて選択することができる。
また、図３、図４においては、直線形状の配線を組み合わせてメッシュ状の配線（配線パターン）を形成した例を示しているが、係る形態に限定されるものではなく、配線パターンを構成する配線は任意の形状とすることができる。例えばディスプレイの画像との間でモアレ（干渉縞）が発生しないようメッシュ状の配線パターンを構成する配線の形状をそれぞれ、ぎざぎざに屈曲した線（ジグザグ直線）等の各種形状にすることもできる。
このように２層の配線から構成されるメッシュ状の配線を有する導電性基板は、例えば投影型静電容量方式のタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。
（導電性基板の製造方法）
次に本実施形態の導電性基板の製造方法の構成例について説明する。
本実施形態の導電性基板の製造方法は、
透明基材を準備する透明基材準備工程と、
透明基材の少なくとも一方の面側に銅層を形成する銅層形成工程と、
透明基材の少なくとも一方の面側に、酸素、銅、ニッケル及びモリブデンを含有する黒化層を形成する黒化層形成工程と、を有することができる。
そして、黒化層は、酸素を４３原子％以上６０原子％以下含有し、黒化層中の銅、ニッケル、及びモリブデンの含有量の合計を１００原子％とした場合に、黒化層中のモリブデンの含有量が５原子％以上であることが好ましい。
以下に本実施形態の導電性基板の製造方法について説明するが、以下に説明する点以外については上述の導電性基板の場合と同様の構成とすることができるため一部説明を省略する。
上述のように、本実施形態の導電性基板においては、銅層と、黒化層と、を透明基材上に配置する際の積層の順番は特に限定されるものではない。また、銅層と、黒化層と、はそれぞれ複数層形成することもできる。このため、上記銅層形成工程と、黒化層形成工程の順番や、実施する回数については特に限定されるものではなく、形成する導電性基板の構造に合わせて任意の回数、タイミングで実施することができる。
透明基材を準備する工程は、例えば可視光を透過する絶縁体フィルムや、ガラス基板等により構成された透明基材を準備する工程であり、具体的な操作は特に限定されるものではない。例えば後段の各工程に供するため必要に応じて任意のサイズに切断等を行うことができる。
なお、可視光を透過する絶縁体フィルムとして特に好適に用いることができるフィルムについては既述のため、ここでは説明を省略する。
また、透明基材については銅層または黒化層との密着性を高め、透明基材上に形成した銅層等が剥離することを防止する観点から、透明基材準備工程において、透明基材のうち銅層を形成する側の面に易密着性処理を実施する（易密着性処理ステップ）ことが好ましい。
易密着性処理の方法は特に限定されるものではなく、銅層等との密着性を高めることができる処理であれば足りる。
具体的には例えば、透明基材の銅層等を形成する面についてｐ−メタクリル酸メチル等を塗布して易密着層を形成することで透明基材の表面を親水性にする方法が挙げられる。
また、易密着性処理の他の方法として、透明基材の銅層等を形成する面について大気圧プラズマ処理を行う方法や、透明基材の銅層等を形成する面についてＡｒイオンを照射する方法等が挙げられる。
易密着性処理を行う程度については特に限定されるものではないが、例えば透明基材の銅層を形成する側の面の濡れ張力が３５ｍＮ／ｍ以上であることが好ましく、４０ｍＮ／ｍ以上であることがより好ましい。
透明基材の濡れ性は、濡れ張力試験法（ＪＩＳ Ｋ６７６８（１９９９））により評価することができる。
なお、上述の透明基材の銅層を形成する側の面とは、透明基材上に銅層が直接形成される面だけではなく、透明基材上に黒化層を介して銅層が形成される面を含むことができる。
また、易密着性処理を実施するのは、透明基材の銅層を形成する側の面だけに限定されるものではなく、銅層が配置されていない面についても実施してもよい。ただし、銅層等との密着性を高めることが要求される銅層を形成する側の面についてのみ、易密着性処理を実施することが生産性等の観点から好ましい。
次に銅層形成工程について説明する。
銅層は既述のように、銅薄膜層を有することが好ましい。また、銅薄膜層と銅めっき層とを有することもできる。このため、銅層形成工程は、例えば乾式めっき法により銅薄膜層を形成する銅薄膜層形成工程を有することができる。また、銅層形成工程は、乾式めっき法により銅薄膜層を形成する銅薄膜層形成工程と、該銅薄膜層を給電層として、湿式めっき法により銅めっき層を形成する銅めっき層形成工程と、を有していてもよい。
銅薄膜層の形成に用いる乾式めっき法としては、特に限定されるものではなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、又はイオンプレーティング法等を用いることができる。特に、銅薄膜層の形成に用いる乾式めっき法としては、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。
巻取式スパッタリング装置を用いた場合を例に銅薄膜層を形成する工程を説明する。まず、銅ターゲットをスパッタリング用カソードに装着し、真空チャンバー内に基材、具体的には透明基材や、黒化層を形成した透明基材等をセットする。真空チャンバー内を真空排気後、Ａｒガスを導入して装置内を０．１３Ｐａ〜１.３Ｐａ程度に保持する。この状態で、巻出ロールから基材を例えば毎分１ｍ〜２０ｍ程度の速さで搬送しながら、カソードに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給し、スパッタリング放電を行い、基材上に所望の銅薄膜層を連続成膜することができる。
なお、銅薄膜層形成工程における具体的な操作方法は特に限定されるものではなく、任意の方法、操作により実施することができる。
湿式めっき法により銅めっき層を形成する工程における条件、すなわち、電気めっき処理の条件は、特に限定されるものではなく、常法による諸条件を採用すればよい。例えば、銅めっき液を入れためっき槽に銅薄膜層を形成した基材を供給し、電流密度や、基材の搬送速度を制御することによって、銅めっき層を形成できる。
銅層形成工程において形成する銅層の厚さは特に限定されるものではないが、導電性基板について既述のように、銅層は厚さが１００ｎｍ以上であることが好ましく、１５０ｎｍ以上とすることがより好ましい。また、銅層の厚さの上限値は特に限定されないが、３μｍ以下であることが好ましく、７００ｎｍ以下であることがより好ましい。
次に、黒化層形成工程について説明する。
黒化層形成工程も特に限定されるものではないが、既述のように、スパッタリング法により、黒化層を成膜する工程とすることができる。
この際、ターゲットとしては例えば、銅−ニッケル−モリブデン混合焼結のターゲットや、銅−ニッケル−モリブデンの熔解合金ターゲットを用いることができる。
なお、既述のように銅−ニッケル−モリブデン混合焼結のターゲットや、銅−ニッケル−モリブデンの熔解合金ターゲットは単独で用いることもできるが、銅、ニッケル、モリブデンから選択された１種類以上の成分を含有するターゲット等と組み合わせて用いることもできる。
また、既述のように銅−ニッケル合金ターゲットと、モリブデンターゲットとを用い、あるいは銅のターゲットとニッケル−モリブデン合金ターゲットとを用いて２元同時スパッタリング法により成膜することもできる。
スパッタリングの際に用いるターゲットの組成は特に限定されるものではなく、成膜する黒化層の組成等にあわせて任意に選択することができる。なお、スパッタリング中のターゲットからの元素の飛び易さは、元素の種類により異なる。このため、目的とする黒化層の組成と、ターゲット中の元素の飛び易さに応じてターゲットの組成を選択することができる。
例えば、銅−ニッケル−モリブデン混合焼結のターゲットは、モリブデンを５原子％以上７５原子％以下、ニッケルを１０原子％以上５０原子％以下の割合で含んでいることが好ましい。また、モリブデンを７原子％以上６５原子％以下の割合で含有することがより好ましい。なお、残部は銅により構成することができる。
また、スパッタリング法により黒化層を成膜する際、チャンバー内に酸素を含有するガスを供給しながら黒化層を成膜できる。チャンバー内に供給するガス中の酸素の供給割合は特に限定されるものではなく、目的とする黒化層の組成や、黒化層の成長速度に応じてスパッタリング時にチャンバー内に供給するガス中の酸素の含有割合を任意に選択することが好ましい。
黒化層を成膜する際、チャンバー内に供給するガス中の酸素の含有割合は、２５体積％以上５５体積％以下であることが好ましく、３０体積％以上４５体積％以下であることがより好ましい。
上述の様に黒化層形成工程においては、例えば銅−ニッケル−モリブデン混合焼結ターゲットを用いることができる。このため、黒化層形成工程では、例えば銅−ニッケル−モリブデン混合焼結ターゲットを用い、酸素を２５体積％以上５５体積％以下の割合で含有するガスをチャンバー内に供給しながらスパッタリング法により、黒化層を成膜できる。
なお、スパッタリングを行う際、チャンバー内に供給するガスは、酸素以外の残部については不活性ガスとすることが好ましい。酸素以外の残部については例えばアルゴン、キセノン、ネオン、ヘリウムから選択される１種類以上を供給することができる。
成膜した黒化層は酸素、銅、ニッケル及びモリブデンを含有することができる。黒化層中の各成分の含有割合は特に限定されるものではないが、黒化層中の銅、ニッケル及びモリブデンの含有量の合計、すなわち黒化層に含まれる金属元素の含有量の合計を１００原子％とした場合に、モリブデンの含有量が５原子％以上であることが好ましい。つまり、黒化層に含まれる金属元素中のモリブデンの含有割合は５原子％以上であることが好ましい。
これは、黒化層に含まれる金属元素中のモリブデンの含有割合を５原子％以上とすることで、黒化層表面での光の反射率を特に低下させることができるためである。また、黒化層に含まれる金属元素中のモリブデンの含有割合を５原子％以上とすることで、黒化層中に取り込む酸素の量を多くすることができ、耐環境性を高めることが可能になるためである。
ただし、黒化層に含まれる金属元素中のモリブデンの含有割合が多くなりすぎると、黒化層のエッチング液に対する反応性が低くなり、所望の配線パターンを形成することが困難になる恐れがある。このため、黒化層中の銅、ニッケル、及びモリブデンの含有量の合計を１００原子％とした場合に、黒化層中のモリブデンの含有量、すなわち黒化層に含まれる金属元素中のモリブデンの含有割合、は４０原子％以下とすることが好ましい。
また、黒化層中の銅、ニッケル、及びモリブデンの含有量の合計、すなわち黒化層に含まれる金属元素の含有量の合計を１００原子％とした場合に、黒化層中の銅の含有量は３０原子％以上７０原子％以下が好ましい。つまり、黒化層に含まれる金属元素中の銅の含有割合は、３０原子％以上７０原子％以下が好ましい。黒化層に含まれる金属元素中の銅の含有割合は、４０原子％以上６０原子％以下がより好ましい。
これは黒化層に含まれる金属元素中の銅の含有割合が３０原子％未満ではエッチング性が悪くなる場合があるためである。また黒化層に含まれる金属元素中の銅の含有割合が７０原子％を超えると耐環境性が低下する場合があるためである。
さらに、黒化層中の銅、ニッケル及びモリブデンの含有量の合計、すなわち黒化層に含まれる金属元素の含有量の合計を１００原子％とした場合に、黒化層中のニッケルの含有量は１５原子％以上６５原子％以下が好ましい。つまり黒化層に含まれる金属元素中のニッケルの含有割合は１５原子％以上６５原子％以下であることが好ましい。黒化層に含まれる金属元素中のニッケルの含有割合は、２５原子％以上５５原子％以下より好ましい。
これは黒化層に含まれる金属元素中のニッケルの含有割合が１５原子％未満では耐環境性が悪くなる場合があるためである。また、黒化層に含まれる金属元素中のニッケルの含有割合が６５原子％を超えるとエッチング性が悪くなる場合があるためである。
また、黒化層中に含まれる酸素は４３原子％以上６０原子％以下であることが好ましく、４５原子％以上５５原子％以下であることがより好ましい。
これは、黒化層中に酸素が４３原子％以上含まれていることにより黒化層が十分に酸化されて大気中の酸素や水分により酸化されることが無く十分な黒色を維持できる、すなわち耐環境性を高めることができるためである。また黒化層中の酸素の含有量が６０原子％より多くなると黒化層が透明化して６００ｎｍより短い短波長側の銅膜の反射が多くなり黒化しない、また黒化層のシート抵抗が高くなるため、６０原子％以下であることが好ましい。
成膜した黒化層中において酸素、銅、ニッケル及びモリブデンはどのような形態で含まれていてもよい。例えば銅とモリブデンとが混合焼結体を形成し、酸素を含有する銅−モリブデン混合焼結体が黒化層に含有されていてもよい。また、銅、ニッケルまたはモリブデンが例えば酸化銅（Ｃｕ２Ｏ、ＣｕＯ、Ｃｕ２Ｏ３）や、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化モリブデン（ＭｏＯ３、ＭｏＯ２、Ｍｏ２Ｏ３）、銅−モリブデン酸化物（ＣｕＭｏＯ４、Ｃｕ２ＭｏＯ５、Ｃｕ６Ｍｏ４Ｏ１５、Ｃｕ３Ｍｏ２Ｏ９、Ｃｕ２Ｍｏ３Ｏ１０、Ｃｕ４Ｍｏ３Ｏ１２等）から選択された１種類以上を生成し、黒化層に含まれていてもよい。
なお、黒化層は例えば酸素を含有する銅−ニッケル−モリブデン混合物のように、酸素、銅、ニッケル及びモリブデンを同時に含有する１種類の物質のみで構成される層であってもよい。また、例えば上述した酸素を含有する銅−モリブデン混合焼結体や、銅の酸化物、ニッケルの酸化物、モリブデンの酸化物、銅−モリブデン酸化物等から選択される１種類以上の物質を含有する層であってもよい。
そして成膜した黒化層はシート抵抗が十分に小さい場合、黒化層に配線等の電気部材とのコンタクト部を形成することができ、黒化層が最表面に位置する場合でも銅層を露出する必要がなくなるため好ましい。
黒化層形成工程で形成する黒化層の厚さは特に限定されるものではないが、導電性基板について既述のように、例えば２０ｎｍ以上であることが好ましく、２５ｎｍ以上とすることがより好ましい。黒化層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、４５ｎｍ以下とすることが好ましく、４０ｎｍ以下とすることがより好ましい。
そして、ここで説明した導電性基板の製造方法により得られる導電性基板は、メッシュ状の配線を備えた導電性基板とすることができる。この場合、上述の工程に加えて、銅層と、黒化層と、をエッチングすることにより、配線を形成するエッチング工程をさらに有することができる。
係るエッチング工程は例えば、まず、エッチングにより除去する部分に対応した開口部を有するレジストを、導電性基板の最表面に形成する。図１（ａ）に示した導電性基板の場合、導電性基板に配置した黒化層１３の露出した表面Ａ上にレジストを形成することができる。なお、エッチングにより除去する部分に対応した開口部を有するレジストの形成方法は特に限定されないが、例えばフォトリソグラフィー法により形成することができる。
次いで、レジスト上面からエッチング液を供給することにより、銅層１２、黒化層１３のエッチングを実施することができる。
なお、図１（ｂ）のように透明基材１１の両面に銅層、黒化層を配置した場合には、導電性基板の表面Ａ及びＢにそれぞれ所定の形状の開口部を有するレジストを形成し、透明基材１１の両面に形成した銅層、黒化層を同時にエッチングしてもよい。
また、透明基材１１の両側に形成された銅層及び黒化層について、一方の側ずつエッチング処理を行うこともできる。すなわち、例えば、銅層１２Ａ及び黒化層１３Ａのエッチングを行った後に、銅層１２Ｂ及び黒化層１３Ｂのエッチングを行うこともできる。
本実施形態の導電性基板の製造方法で形成する黒化層は銅層とほぼ同様のエッチング液への反応性を示す。このため、エッチング工程において用いるエッチング液は特に限定されるものではなく、一般的に銅層のエッチングに用いられるエッチング液を好ましく用いることができる。エッチング液としては例えば、塩化第二鉄と、塩酸と、の混合水溶液をより好ましく用いることができる。エッチング液中の塩化第二鉄と、塩酸との含有量は特に限定されるものではないが例えば、塩化第二鉄を５質量％以上５０質量％以下の割合で含むことが好ましく、１０質量％以上３０質量％以下の割合で含むことがより好ましい。また、エッチング液は例えば、塩酸を１質量％以上５０質量％以下の割合で含むことが好ましく、１質量％以上２０質量％以下の割合で含むことがより好ましい。なお、残部については水とすることができる。
エッチング液は室温で用いることもできるが、反応性を高めるため加温して用いることもでき、例えば４０℃以上５０℃以下に加熱して用いることもできる。
上述したエッチング工程により得られるメッシュ状の配線の具体的な形態については、既述のとおりであるため、ここでは説明を省略する。
また、既述のように、図１（ａ）、図２（ａ）に示した透明基材１１の一方の面側に銅層、黒化層を有する導電性基板を２枚貼り合せてメッシュ状の配線を備えた導電性基板とする場合には、導電性基板を貼り合せる工程をさらに設けることができる。この際、２枚の導電性基板を貼り合せる方法は特に限定されるものではなく、例えば接着剤等を用いて接着することができる。
以上に本実施形態の導電性基板及び導電性基板の製造方法について説明した。係る導電性基板においては、耐環境性に優れた黒化層を備えている。このため、屋外等、高温、高湿に晒される環境下であっても黒化層に変色が生じることを抑制することができ、黒化層による視認性改善の効果を維持することが可能になる。
以下に、本発明の実施例及び比較例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例によって、なんら限定されるものではない。
まず、後述する各実験例において作製した試料の評価方法について説明する。
（評価方法）
（１）光学特性（反射率、明度、色度）
以下の実験例において作製した導電性基板について、光学特性（反射率）の測定を行い、必要に応じて測定した光学特性（反射率）から明度（Ｌ＊）、色度（ａ＊、ｂ＊）を算出した。
反射率の測定は、紫外可視分光光度計（株式会社日立ハイテクノロジーズ社製 型式：Ｕ−４０００）に反射率測定ユニットを設置して行った。
以下の実験例２では断面形状が図１（ａ）と同様の構造を有する導電性基板を作製した。そこで、作製した導電性基板の銅層及び黒化層を形成した側の図１（ａ）における表面Ａに対して、入射角５°、受光角５°として、波長３５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲の光を照射した際の反射率を測定した。なお、測定に際しては波長３５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以上の範囲で、波長を１ｎｍごとに変化させた光を照射し、各波長についての反射率を測定した。
そして、波長が５５０ｎｍの光に対する反射率の測定値を波長５５０ｎｍの光に対する反射率とした。
なお、測定の際にはＰＥＴフィルムの反りを矯正するためガラス基板上に各実験例の試料を載置しクランプで固定して、黒化層側から光を照射して測定した。
測定した反射率から、ＪＩＳ Ｚ８７８１−４:２０１３に準拠した色彩計算プログラムを用いて、光源Ａ、視野２度の条件でＣＩＥ １９７６（Ｌ＊，ａ＊，ｂ＊）色空間上の座標を計算した。
（２）溶解試験
以下の実験例１において作製した、透明基材上に黒化層を形成した試料をエッチング液に浸漬して黒化層の溶解試験を行った。
エッチング液としては、銅層のエッチング液として用いられる塩化第二鉄１０質量％と、塩酸１０質量％と、残部が水からなる水溶液を用い、エッチング液の温度は室温（２５℃）として溶解試験を実施した。
なお、実験例１で用いた透明基材である縦５ｃｍ、横５ｃｍ、厚さ０．０５ｍｍのポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ樹脂）の一方の面上の全面に、厚さ３００ｎｍの銅層を形成した試料をエッチング液に浸漬する予備実験を行った。この場合、銅層は１０秒以内に溶解することが確認できた。
このため、溶解試験において黒化層が１分以内に溶解する場合には、エッチング液に対して銅層と同様の反応性を有しているといえ、係る黒化層と、銅層とを含む導電性基板は同時にエッチング処理できる銅層と黒化層を備えた導電性基板といえる。
（３）ＥＤＳ分析
実験例１において作製した、透明基材上に黒化層を形成した試料の黒化層の組成について、ＳＥＭ−ＥＤＳ装置（ＳＥＭ：日本電子株式会社製 型式：ＪＳＭ−７００１Ｆ、ＥＤＳ：サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社製 型式：検出器 ＵｌｔｒａＤｒｙ 解析システム ＮＯＲＡＮ Ｓｙｓｔｅｍ ７）によりＥＤＳ分析を行った。
（４）耐環境性試験
実験例２において、透明基材上に銅層と黒化層とを形成した試料を温度６０℃、湿度９０％の恒温恒湿槽中に１００時間入れて耐環境性試験を行った。
耐環境性試験前、及び耐環境性試験後の試料について光学特性を測定して耐環境性試験前後でのＬ＊、ａ＊、ｂ＊の変化により評価を行った。
評価は、それぞれの試料について、耐環境性試験前の値から耐環境性試験後の値を引いたΔＬ＊、Δａ＊、Δｂ＊を計算し、ΔＬ＊、Δａ＊、Δｂ＊≧−５を○、−５＞ΔＬ＊、Δａ＊、Δｂ＊≧−１０を△、−１０＞ΔＬ＊、Δａ＊、Δｂ＊を×と評価した。なお、ΔＬ＊、Δａ＊、Δｂ＊のうち、最も評価が低いものをその導電性基板の評価結果とした。例えば、ΔＬ＊が〇、Δａ＊が△、Δｂ＊が〇の場合には、最も低い評価のΔａ＊の評価結果である△が、該導電性基板の評価となる。そして、〇、△を合格、×を不合格とした。
また、耐環境性試験終了後、透明基材から銅層の剥離がみられるかについて評価を行った。具体的には１００μｍ〜３００μｍ程度の穴が観察されるものについてＳＥＭ観察を行い、銅層の剥離の有無について評価を行った。剥離が見られたものは有、剥離が見られなかったものについては無と評価した。
以下に各実験例における試料の製造条件、及びその評価結果を説明する。
［実験例１］
実験例１においては、以下に示す実験例１−１〜実験例１−２８の２８種の試料を作製し、黒化層の組成についてのＥＤＳ分析、及び溶解試験を実施した。
なお、本実験例は後述する実験例２のための予備実験として実施したものであり、参考例となる。
（ターゲットについて）
本実験例では後述のように、透明基材上に黒化層を形成した試料を作製したが、黒化層成膜時には、以下の表１に示す７種類のターゲットを用いている。なお、黒化層を成膜する際には、以下の表１に示すターゲットを単体、または２枚用いてスパッタリング法により成膜しており、２枚用いて成膜する場合には２元同時スパッタにより成膜している。
Figure 2017041115
 まず、表１に示したターゲットＮｏ．５、Ｎｏ．６の銅−ニッケル−モリブデン混合焼結ターゲット、すなわちターゲット組成がＣｕ２５Ｎｉ１５Ｍｏ、及びＣｕ４２Ｎｉ１６Ｍｏの銅−ニッケル−モリブデン混合焼結ターゲットの作製方法について説明する。
出発原料粉末として、Ｃｕ粉末（高純度化学製 ３Ｎ ＣＵＥ１３ＰＢ ＜４３μｍ）と、Ｎｉ粉末（高純度化学製 ３Ｎ ＮＩＥ０８ＰＢ ６３μｍ）と、Ｍｏ粉末（新日本金属製、２次粒子径約２００μｍ〜５００μｍ）とを所定量秤量し、乳鉢で混合した。この際、各ターゲットについて出発原料粉末の混合比が、以下の表２に示した値（原子％）となるように秤量、混合した。
次いで、得られた出発原料粉末の混合粉末を内径３インチのグラファイト型に入れてホットプレス法で焼結し、組成の異なる焼結体Ｎｏ.１〜焼結体Ｎｏ.５の５種類の焼結体を作製した。なお、ホットプレス法で焼結する際の面圧は１３６ｋｇ重／ｃｍ２、ホットプレス温度（ＨＰ温度）は表２中に示す９００℃または１０００℃、保持時間は１時間とした。得られた焼結体の相対密度は表２に示すように８２％から９３％であり、スパッタターゲットとして使用可能であることが確認できた。
そこで、特に相対密度が高くなっている焼結体Ｎｏ．３、焼結体Ｎｏ．４についてスパッタリングターゲットとして用いることとした。具体的には焼結体Ｎｏ．３をターゲットとしたのが、上述した表１のターゲットＮｏ．６に、焼結体Ｎｏ．４をターゲットとしたのが、上述した表１のターゲットＮｏ．５にそれぞれ当たる。
Figure 2017041115
 なお、表１に示したターゲットＮｏ．１〜Ｎｏ．４、Ｎｏ．７については、金属単体、または合金、熔解合金を用いてスパッタリングターゲットを作製した。
（試料の作製条件、評価結果）
本実験例では、透明基材であるＰＥＴ基材上に、酸素、銅、ニッケル、及びモリブデンを含有する黒化層を形成した実験例１−１〜実験例１−２８の合計２８個の試料を作製した。具体的な手順について、実験例１−１の場合を例に以下に説明する。
まず、縦５ｃｍ、横５ｃｍ、厚さ０．０５ｍｍのポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ、商品名「ルミラーＵ４８」、東レ株式会社製）製の透明基材を準備した。
そして、準備した透明基材をスパッタリング装置の基板ホルダーにセットし、チャンバー内を真空にした。なお、スパッタリング前のチャンバー内の到達真空度は１．５×１０−４Ｐａとした。
チャンバー内を真空にした後、黒化層をスパッタリングにより成膜した。黒化層の成膜はスパッタリング装置（アルバック株式会社製 型式：ＳＩＨ−４５０）を用いて行った。
黒化層を成膜する際、ターゲットとしては表３に示したように、表１に示したターゲットＮｏ．３のＣｕ４０Ｎｉのみを用い、該ターゲットに２００Ｗの電力を供給して成膜を行った。黒化層を成膜する際には、透明基材をセットした基板ホルダーを３０ｒｐｍの速度で回転させて成膜を行った。
また、黒化層をスパッタリングにより成膜している間、チャンバー内には表３に示したように、アルゴンガスを５ＳＣＣＭ、酸素ガスを５ＳＣＣＭ、となるように供給した。
なお、黒化層の成膜に当たってはまず、ターゲットに２００Ｗの電力を印加して２０分スパッタを行い、成膜速度を測定した。そして、測定した成膜速度から膜厚が３００ｎｍになるまでの成膜時間を算出し、再度２００ＷのＤＣ電力をターゲットに印加して所定時間スパッタリングを行い、膜厚３００ｎｍ黒化層を成膜した。
黒化層の膜厚が３００ｎｍとなるまで成膜した後、チャンバーから取り出した。
得られた試料のうち、一部を切り出し溶解試験に供し、残部についてはＥＤＳ分析に供した。結果を表３に示す。
実験例１−２〜実験例１−２８は黒化層を成膜する際に、ターゲット、及びチャンバー内に供給するガス中の、酸素ガス、及びアルゴンガスの流量が各実験例について表３に示した条件で行った点以外は実験例１−１と同様にして試料を作製した。
なお、既述のように実験例によっては２つのターゲットを用いて２元同時スパッタリングを行い黒化層を成膜した。例えば実験例１−２においては、表３に示したように、ターゲットとしてＣｕ４０Ｎｉ合金ターゲット、及びＭｏ金属ターゲットを用い、それぞれのターゲットに１６０Ｗ、１３０Ｗの電力を供給して黒化層を成膜している。
実験例１−２〜実験例１−２８についても評価結果を表３にあわせて示す。
Figure 2017041115
［実験例２］
以下の手順により、透明基材上に銅層、及び黒化層を形成し、各層の積層方向と平行な面における断面が図１（ａ）と同様の構成を有する導電性基板を作製し、耐環境性試験の評価を実施した。
実験例２−１の場合を例に、導電性基板の作製手順について説明する。
透明基材としては、実験例１と同じＰＥＴ基板を用いた。
そして、準備した透明基材を、ターゲットとして銅のターゲットを装着したスパッタリング装置（アルバック株式会社製 型式：ＳＩＨ−４５０）の基板ホルダーにセットし、チャンバー内を真空にした。なお、スパッタリング前のチャンバー内の到達真空度は１．５×１０−４Ｐａとした。
チャンバー内を一旦真空にした後、チャンバー内にＡｒガスを０．５５Ｐａとなるように導入し、銅のターゲットに２００Ｗの電力を供給して、透明基材上に厚さ３００ｎｍの銅層を成膜した。
次に、銅層の上面に実験例１−１の場合と同様の条件により黒化層を成膜した。なお、黒化層の膜厚は光学特性、特にＬ＊が極小になるように、すなわち表４に示した膜厚３０．３ｎｍとなるように成膜した。
実験例２−２〜実験例２−２８においても、実験例２−１と同様にして銅層まで形成した後、該銅層の上面に黒化層を成膜した。黒化層の成膜は、実験例２の各試料について実験例１の対応する実験例と同様の条件により行い、膜厚は表２に示した膜厚となるようにして成膜した。
なお、実験例２の各試料について実験例１の対応する実験例とは、表４中にも示したように実験例１において実験例１−の後の数字と、実験例２−後の数字とが同じ実験例をいう。具体的には例えば実験例１−５と、実験例２−５とは対応する実験例であり、同じ条件で黒化層を成膜した。
実験例２−２〜実験例２−１４、実験例２−１８〜実験例２−２０、実験例２−２３〜実験例２−２７が実施例となり、実験例２−１、実験例２−１５〜実験例２−１７、実験例２−２１、実験例２−２２、実験例２−２８が比較例となる。
得られた導電性基板について、耐環境性試験を実施した。
以上の評価結果を表４に示す。
Figure 2017041115
 なお、既述のように、実験例２の各試料の黒化層は、対応する実験例１の試料と同様の条件で黒化層を形成している。このため、実験例２の各試料の黒化層の組成、及びエッチング特性は、対応する実験例１の試料と同じ特性を有している。このため、表４中に実験例１で評価した黒化層のＥＤＳ分析の結果もあわせて示す。
表４によると、実験例２−２８については波長５５０ｎｍの光の反射率が耐環境性試験前後、いずれの場合でも非常に高くなっており、黒化層として機能していなかった。
実験例２−２８以外の実験例２−１〜実験例２−２７については、耐環境性試験前後いずれの場合においても波長５５０ｎｍの光の反射率が３０％以下であり、黒化層として機能できていることが確認できた。
そして、表４によると、黒化層が、酸素を４３原子％以上６０原子％以下含有し、黒化層中の銅、ニッケル、及びモリブデンの含有量の合計を１００原子％とした場合に、モリブデンの含有量が５原子％以上である実験例は、耐環境性の評価が〇か△であることが確認できた。すなわち、耐環境性を十分に有することが確認できた。
具体的には実験例２−２〜実験例２−１４、実験例２−１８〜実験例２−２０、実験例２−２３〜実験例２−２７については耐環境性の評価が〇または△となっていることが確認できた。
ただし、実験例２−４については、実験例１の黒化層の溶解試験において、エッチング時間が１８０秒と非常に長くなることが確認できた。これは黒化層中のモリブデンの含有量が６３原子％と非常に多かったためであり、本発明の発明者らの検討によると、黒化層中の全金属元素中のＭｏ含有量が４０原子％以下の場合にはエッチング時間を１分以下とすることができ、好ましい。
そして、耐環境性試験後の銅層の剥離の有無について評価を行ったところ、表４に示したように、一部の実験例において、透明基材から、銅層の剥離が観察された。
そこで、銅層の剥離を抑制するため、透明基材の銅層等を形成する側の面について高周波プラズマでＡｒイオンを照射する易密着性処理を施して基板の濡れ性を改善し、係る透明基材を用いて導電性基板の作製、評価を行った。
なお、透明基材の表面について、ＪＩＳ Ｋ６７６８（１９９９）に基づいて濡れ張力の評価を行ったところ、Ａｒイオン照射前、すなわち上述の実験例２−１〜実験例２−２８の試料を作製した際に用いた透明基材は、濡れ張力が３１ｍＮｍであった。これに対して、Ａｒイオンの照射を行ったところ、Ａｒイオンを照射した面については濡れ張力が４４ｍＮｍとなっていることが確認できた。
以上のように、透明基材の銅層等を形成する側の面についてＡｒイオンを照射して、濡れ張力を４４ｍＮｍとなった透明基材を用いた点以外は、上述の実験例２−１〜実験例２−２８とそれぞれ同様にして、実験例３−１〜実験例３−２８の導電性基板を作製した。
すなわち、実験例３−１〜実験例３−２８においては、透明基材に予め易密着性処理を施した点以外は、実験例３−１〜実験例３−２８の各試料について、実験例２−１〜実験例２−２８の対応する実験例と同様にして、導電性基板を作製した。
なお、実験例３−１〜実験例３−２８の各試料について実験例２−１〜実験例２−２８の対応する実験例とは、表５中にも示したように実験例２−の後の数字と、実験例３−後の数字とが同じ実験例をいう。
実験例３−２〜実験例３−１４、実験例３−１８〜実験例３−２０、実験例３−２３〜実験例３−２７が実施例となり、実験例３−１、実験例３−１５〜実験例３−１７、実験例３−２１、実験例３−２２、実験例３−２８が比較例となる。
得られた導電性基板について耐環境性試験と、銅層の剥離の有無について評価を行った。
結果を表５に示す。
Figure 2017041115
 表５に示した結果によると、いずれの実験例においても銅層の剥離が見られなくなっていることが確認できた。これは透明基材について易密着性処理を施すことで、透明基材と銅層との密着性が高まったためと考えられる。
１０Ａ、１０Ｂ、２０Ａ、２０Ｂ、３０ 導電性基板
１１、１１Ａ、１１Ｂ 透明基材
１２、１２Ａ、１２Ｂ 銅層
１３、１３Ａ、１３Ｂ、１３１、１３２、１３１Ａ、１３１Ｂ、１３２Ａ、１３２Ｂ、３２Ａ、３２Ｂ 黒化層
３１Ａ、３１Ｂ 配線

Claims (12)

  1. 透明基材と、
    前記透明基材の少なくとも一方の面側に配置された銅層と、
    前記透明基材の少なくとも一方の面側に配置され、酸素、銅、ニッケル及びモリブデンを含有する黒化層と、を備え、
    前記黒化層は、前記酸素を４３原子％以上６０原子％以下含有し、
    前記黒化層中の銅、ニッケル、及びモリブデンの含有量の合計を１００原子％とした場合に、前記黒化層中の前記モリブデンの含有量が５原子％以上である導電性基板。
  2. 前記黒化層中の銅、ニッケル、及びモリブデンの含有量の合計を１００原子％とした場合に、前記黒化層中の前記モリブデンの含有量が４０原子％以下である請求項１に記載の導電性基板。
  3. 前記黒化層中の銅、ニッケル、及びモリブデンの含有量の合計を１００原子％とした場合に、
    前記黒化層中の前記銅の含有量が３０原子％以上７０原子％以下であり、
    前記黒化層中の前記ニッケルの含有量が１５原子％以上６５原子％以下である請求項１または２に記載の導電性基板。
  4. 前記銅層は厚さが１００ｎｍ以上であり、
    前記黒化層は厚さが２０ｎｍ以上で４０ｎｍ以下ある請求項１乃至３のいずれか一項に記載の導電性基板。
  5. 前記透明基材の前記銅層が配置された側の面の濡れ張力が３５ｍＮ／ｍ以上である請求項１乃至４のいずれか一項に記載の導電性基板。
  6. 波長５５０ｎｍの光の反射率が３０％以下である請求項１乃至５のいずれか一項に記載の導電性基板。
  7. メッシュ状の配線を備えた請求項１乃至６のいずれか一項に記載の導電性基板。
  8. 透明基材を準備する透明基材準備工程と、
    前記透明基材の少なくとも一方の面側に銅層を形成する銅層形成工程と、
    前記透明基材の少なくとも一方の面側に、酸素、銅、ニッケル及びモリブデンを含有する黒化層を形成する黒化層形成工程と、を有し、
    前記黒化層は、前記酸素を４３原子％以上６０原子％以下含有し、
    前記黒化層中の銅、ニッケル、及びモリブデンの含有量の合計を１００原子％とした場合に、前記黒化層中の前記モリブデンの含有量が５原子％以上である導電性基板の製造方法。
  9. 前記黒化層中の銅、ニッケル、及びモリブデンの含有量の合計を１００原子％とした場合に、前記黒化層中の前記モリブデンの含有量が４０原子％以下である請求項８に記載の導電性基板の製造方法。
  10. 前記黒化層中の銅、ニッケル、及びモリブデンの含有量の合計を１００原子％とした場合に、
    前記黒化層中の前記銅の含有量が３０原子％以上７０原子％以下であり、
    前記黒化層中の前記ニッケルの含有量が１５原子％以上６５原子％以下である請求項８または９に記載の導電性基板の製造方法。
  11. 前記黒化層形成工程は、
    銅−ニッケル−モリブデン混合焼結ターゲットを用い、
    酸素を２５体積％以上５５体積％以下の割合で含有するガスをチャンバー内に供給しながらスパッタリング法により、前記黒化層を成膜する請求項８乃至１０のいずれか一項に記載の導電性基板の製造方法。
  12. 前記透明基材準備工程において、前記透明基材のうち前記銅層を形成する側の面に易密着性処理を実施し、濡れ張力を３５ｍＮ／ｍ以上とする請求項８乃至１１のいずれか一項に記載の導電性基板の製造方法。
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