CN108291293A - 被配置为用于在基板上进行溅射沉积的系统、用于溅射沉积腔室的屏蔽装置及用于在溅射沉积腔室中提供电屏蔽的方法 - Google Patents

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Abstract

本公开内容提供一种被配置为用于在基板(10)上进行溅射沉积的系统(100)。该系统(100)包括具有处理区(112)的溅射沉积腔室(110)、布置于该处理区(112)的第一侧处的一或多个溅射沉积源(120)及布置在该处理区(112)的第二侧处的屏蔽装置(130)，其中该屏蔽装置(130)包括安装至该溅射沉积腔室(110)的框架组件(132)及可分离地安装于该框架组件(132)上的一或多个传导片(134)，其中所述一或多个传导片(134)提供沿该处理区(112)布置的表面(136)。

Description

被配置为用于在基板上进行溅射沉积的系统、用于溅射沉积 腔室的屏蔽装置及用于在溅射沉积腔室中提供电屏蔽的方法
技术领域
本公开内容的实施方式涉及被配置为用于在基板上进行溅射沉积的系统、用于溅射沉积腔室的屏蔽装置及用于在溅射沉积腔室中提供电屏蔽的方法。本公开内容的实施方式具体地涉及AC溅射或具有AC部件的溅射(且具体而言为RF溅射)中使用的电屏蔽件。
背景技术
用于在基板上进行层沉积的技术例如包括溅射沉积、热蒸发及化学气相沉积(CVD)。溅射沉积工艺可用以在诸如绝缘材料层的基板上沉积材料层，例如薄膜。在溅射沉积工艺期间，以在等离子体区中所产生的离子撞击具有待沉积在基板上的靶材料的靶，以从靶的表面逐出(dislodge)靶材料原子。被逐出的原子可在基板上形成材料层。在反应性的溅射沉积工艺中，被逐出的原子可与等离子体区带中的气体(例如氮或氧)反应，以在基板上形成靶材料的氧化物、氮化物或氮氧化物。
在溅射沉积工艺期间，例如在制造显示器、触控屏面板或薄膜电池时，不均匀的薄膜沉积或打弧(arcing)可能由于真空处理腔室(例如溅射沉积腔室)内的电位差而发生。打弧可能例如损坏基板载体和/或基板。进一步地，打弧可能影响基板上沉积的材料层的均质性和/或纯度。此外，从AC电源到真空处理腔室内的结构(例如接地结构)且回到AC电源的电路径的存在可能导致寄生等离子体(parasitic plasma)的形成。寄生等离子体可能减少溅射沉积工艺的效率(例如，基板表面上的溅射功率及沉积速率)。进一步地，可能减少材料层的品质，例如均质性和/或纯度。
进一步地，溅射沉积系统的效率可能取决于其相关于跨基板区域和/或跨薄膜厚度的同质薄膜属性而产生均质薄膜沉积的能力。空间(例如，针对定义溅射沉积系统中的沉积区的元件的空间布置)内及时间内的几何形状及电的均质性是有益的，例如，沿基板的输送方向(例如在直列式沉积系统内从沉积隔室到沉积隔室)是有益的。
综上所述，克服了本领域中至少一部分的问题的被配置为用于在基板上进行溅射沉积的新系统、用于溅射沉积腔室的屏蔽装置及用于在溅射沉积腔室中提供电屏蔽的方法是有益的。本公开内容具体地旨在提供可减少或甚至防止溅射沉积腔室中的打弧和/或寄生等离子体发生的系统、屏蔽装置及方法。
发明内容
鉴于以上所述，提供被配置为用于在基板上进行溅射沉积的系统、用于溅射沉积腔室的屏蔽装置及用于在溅射沉积腔室中提供电屏蔽的方法。本公开内容的进一步方面、益处及特征由权利要求、本说明及随附的绘图得以显现。
依据本公开内容的一方面，提供一种被配置为用于在基板上进行溅射沉积的系统。该系统包括具有处理区的溅射沉积腔室、布置于该处理区的第一侧处的一或多个溅射沉积源及布置在该处理区的第二侧处的屏蔽装置，其中该屏蔽装置包括安装至该溅射沉积腔室的框架组件及可分离地安装于该框架组件上的一或多个传导片，且其中所述一或多个传导片提供沿该处理区布置的表面。
依据本公开内容的一方面，提供一种用于溅射沉积腔室的屏蔽装置。该屏蔽装置包括：框架组件，被配置为安装至该溅射沉积腔室且在该溅射沉积腔室中沿处理区而安装；及一或多个传导片，可分离地安装于该框架组件上，其中所述一或多个传导片被配置为面向该处理区。
依据本公开内容的进一步方面，提供一种用于在溅射沉积腔室中提供电屏蔽方法。该方法包括以下步骤：使用可分离地安装在框架组件上的一或多个传导片在该溅射沉积腔室中沿处理区提供等位(equipotential)面。
实施方式亦针对用于实现所公开的方法的装置，且包括用于执行各所述方法方面的装置部件。这些方法方面可以硬件元件、由适当软件所编程的电脑、由该两者的任何组合或以任何其他方式来执行。并且，依据本公开内容的实施方式亦针对用于操作所述装置的方法。用于操作所述装置的这些方法包括用于实现该装置的每个功能的方法方面。
附图说明
以上简要概述的本公开内容的上述详述特征能够被具体理解的方式、以及本公开内容的更特定描述，可以通过参照实施方式获得。附图涉及本公开内容的实施方式且说明如下：
图1A示出依据本文中所述的实施方式的被配置为用于在基板上进行溅射沉积的系统的示意性俯视图；
图1B示出依据本文中所述的实施方式的用于溅射沉积腔室的屏蔽装置的示意性俯视图；
图2示出依据本文中所述的进一步实施方式的被配置为用于在基板上进行溅射沉积的系统的示意性俯视图；
图3示出依据本文中所述的实施方式的用于溅射沉积腔室的屏蔽装置的透视前视图；
图4示出图3的屏蔽装置的透视后视图；
图5示出依据本文中所述的实施方式的屏蔽装置的框架组件的示意图；
图6示出图5的框架组件的截面示意图；
图7示出依据本文中所述的实施方式的附接至屏蔽装置的接地装置的示意图；
图8A及8B示出依据本文中所述的实施方式的屏蔽装置的安装结构的示意图；
图9示出依据本文中所述的实施方式的屏蔽装置的安装装置的示意图；及
图10示出依据本文中所述的实施方式的用于在溅射沉积腔室提供电屏蔽的方法的流程图。
具体实施方式
现将详细参照本公开内容的各种实施方式，其中的一或多个实例被绘示于附图中。在以下附图说明内，相同的附图标号指示相同的元件。一般而言，仅针对个别实施方式的差异做出描述。以解释本公开内容的方式来提供各实例，且各实例不意味著作为本公开内容的限制。进一步地，作为一个实施方式的部分而阐明或描述的特征可用在其他实施方式上或与其他实施方式结合使用以产生又一另外的实施方式。意在本说明中包括此类修改及变化。
被配置为用于在基板上进行溅射沉积的系统例如可用在制造显示器或其部件(例如薄膜晶体管)时。在溅射沉积工艺期间，打弧和/或寄生等离子体可能发生。打弧及寄生等离子体可能影响溅射沉积工艺的工艺稳定性、工艺效率及工艺品质中的至少一项。
具体而言，打弧可能由于溅射沉积腔室内的电位差而发生。打弧可能损坏例如是基板和/或具有定位于载体上的基板的载体。进一步地，打弧可能影响基板上沉积的材料层的均质性及纯度中的至少一者。并且，从AC电源到溅射沉积腔室内的结构(例如接地结构)的电路径可能存在使得可能导致寄生等离子体的形成。寄生等离子体可能减少溅射沉积工艺的效率，例如基板表面上的沉积速率。进一步地，可能减少材料层的品质(例如，均质性和/或纯度)。
并且，由不均一的AC馈入及AC回传路径所致的电位差造成不均一的等离子体状态。这可能造成不均匀的薄膜沉积状态及造成相对于薄膜的预期属性(例如机械、光学、电和/或化学属性)而言的均匀性降低的薄膜。
本公开内容提供沿溅射沉积腔室的处理区的至少一部分安装的屏蔽装置(例如电屏蔽件)，该溅射沉积腔室的处理区的至少一部分由于其AC环境中的受限定的等电位面，对于充当阴极的溅射靶充当受限定及有效的阳极。通过可分离地安装在框架组件上的一或多个传导片提供屏蔽装置的电屏蔽。所述一或多个传导片提供扁平的等位面或区域。可减少或甚至避免在溅射沉积工艺期间的打弧和/或寄生等离子体的发生。具体而言，可防止由打弧所致的对于基板的损害。可减少或甚至避免由打弧和/或寄生等离子体产生的微粒而导致的材料层污染。可改善基板上沉积的材料层的均质性及纯度。
进一步地，所述一或多个传导片被可分离地安装在框架组件上。屏蔽装置允许促进系统(例如，直列式处理系统)的维护及减少系统的停机时间。可增加系统的效率及处理量。在某些实现方式中，所述一或多个传导片可为可重复使用或用后可弃的。具体而言，可采用化学清洁和/或喷砂法来从可重复使用的传导片移除沉积材料。在其他实现方式中，所述一或多个传导片可为用后可弃的，且可例如在所述一或多个传导片损坏和/或过度地被沉积材料覆盖时被替换。用后可弃的传导片可被制造为薄的，因为没有执行会损坏传导片或使传导片变形的清洁工艺，例如喷砂法。
如本文中所使用的术语“打弧”指的是具有不同电位的两点之间的电闪络(flashover)。作为一实例，“打弧”可被理解为在具有不同电位的两点(亦即在两点之间存在电位差)之间跨开放空间或沿材料表面(例如介电材料表面)流动的电流。在电位差超过临界值时，打弧可能发生。该临界值可称为“闪络电压”或“跳火”电压。可由溅射沉积源(例如靶)及(例如)载体的一部分或溅射沉积腔室内设置的另一点提供不同电位的两点，载体、基板及溅射沉积源位于该溅射沉积腔室中。跨材料表面的标记或打弧事件亦可称为“龟裂”。
本公开内容的屏蔽装置具有扁平的导电表面，该导电表面在AC环境中提供等位面以减少打弧及龟裂。进一步地，屏蔽装置实质上RF密闭地(RF-tight)覆盖腔室壁处的无效容积，以减少或甚至防止寄生等离子体的发生。
本公开内容的系统、屏蔽装置及方法可被配置为用于溅射沉积工艺，该溅射沉积工艺使用提供AC信号或AC信号部分和/或DC信号或DC信号部分的电源。例如，溅射沉积工艺可为AC溅射沉积工艺。AC溅射沉积工艺为阴极电压的符号以预定速率(例如2MHz、13.56MHz、具体为27.12MHz、更具体为40.68MHz、13.56MHz的倍数或其任何组合)变化的溅射沉积工艺。依据可与本文中所述的其他实施方式结合的某些实施方式，溅射沉积工艺可利用AC电源(例如HF(高频)或RF(射频)电源)、DC电源、DC及AC电源的组合、混合式AC电源(其中提供具有不同频率和/或振辐的AC信号或脉冲)、脉冲式DC电源、脉冲式DC及AC电源的组合、DC及混合式AC电源的组合或脉冲式DC及混合式AC电源的组合。
在某些实现方式中，基板是非柔性基板(例如板)或柔性基板(例如，卷材或箔)。作为一实例，基板可具有小于1mm的厚度，具体地是小于0.1mm，且更具体地是小于50μm。依据某些实施方式，基板可以适于进行材料沉积的任何材料制造。例如，基板可以选自由以下所组成的群组的材料制造：玻璃(例如钠钙玻璃、硼硅玻璃等等)、半导体、金属、聚合物、陶瓷(例如玻璃陶瓷或YSZ(氧化钇稳定的氧化锆))、复合材料、碳纤维材料、云母或可以沉积工艺涂覆的任何其他材料或材料组合。作为一实例，基板可以玻璃陶瓷(例如LAS系统(例如，基于Li2O、Al2O3、SiO2)、MAS系统(基于MgO、Al2O3、SiO2)及ZAS系统(基于ZnO、Al2O3、SiO2))制造。
本文中所述的实施方式可用于基板上的物理沉积(例如物理气相沉积)，举例而言，用于电池或显示器制造。具体而言，基板可为大面积基板。大面积基板可具有0.01m2起的尺寸。例如，大面积基板或载体可为GEN 4.5(其相对应于约0.67m2的基板(0.73x0.92m))、GEN 5(其相对应于约1.4m2的基板(1.1m x 1.3m))、GEN 7.5(其相对应于约4.29m2的基板(1.95m x 2.2m))、GEN 8.5(其相对应于约5.7m2的基板(2.2m x 2.5m))或甚至GEN 10(其相对应于约8.7m2的基板(2.85m x 3.05m))。可类似地实施甚至更大的世代(例如GEN 11及GEN 12)及相对应的基板面积。依据某些实施方式，依据本公开内容的载体可被配置为支撑一个大面积基板或多个小基板，例如，具有0.0005m2起的尺寸的小基板。尽管所针对而提供根据本文所述的实施方式的结构及方法的基板或基板载体是大面积基板，但本公开内容不限于此。
图1A示出依据本文中所述的实施方式的被配置为用于在基板上进行溅射沉积的系统100的示意性俯视图。图1B示出依据本文中所述的实施方式的用于溅射沉积腔室的屏蔽装置130的示意性俯视图。
系统100包括具有处理区112的溅射沉积腔室110、布置在处理区112的第一侧处的一或多个溅射沉积源120及布置在处理区112的第二侧处的屏蔽装置130。屏蔽装置130包括安装至溅射沉积腔室110的框架组件132及可分离地安装在框架组件132上的一或多个传导片134。一或多个传导片134提供沿处理区112的至少一部分布置的表面136(例如传导面)。一或多个传导片134(且具体为表面136)被配置为面向处理区112。作为一实例，一或多个传导片134被配置为面向一或多个溅射沉积源120。系统100可为直列式系统，例如直列式RF溅射系统。
依据某些实施方式，屏蔽装置130可具有至少两个传导片、至少四个传导片及更具体地为至少六个传导片。所述多个传导片提供表面136。具体而言，传导片中的各者的表面可为至少0.1m2，具体为至少0.5m2，具体为至少1m2，具体为至少2m2，且更具体为至少3m2。作为一实例，传导片中的各者的表面可约为0.5m2。个别传导片的表面的总和可相对应于表面136。在某些实施方式中，屏蔽装置130可称为“电屏蔽件”、“电屏蔽装置”。所述一或多个传导片可称为“屏蔽板”。
在某些实施方式中，处理区可为可处理基板10的区域或区。例如，基板可定位在处理区中，而材料可沉积在其上，例如，以形成薄膜晶体管的层。处理区112可被定位为面向一或多个溅射沉积源120。处理区112可为区域或区带，其被提供和/或布置为用于进行基板10上的沉积材料的沉积(所欲的沉积)。处理区112可定位在一或多个溅射沉积源120及屏蔽装置130之间。
在某些实现方式中，处理区112的第一侧及第二侧为处理区112的相对的侧面。在图1A的实例中，第一侧为处理区112左侧，而第二侧为处理区112的右侧。第一侧可(紧邻)相邻于一或多个溅射沉积源120。第二侧可(紧邻)相邻于屏蔽装置130，且具体是相邻于一或多个传导片134。
一或多个溅射沉积源120可提供各自的等离子体区(未示出)。在溅射沉积工艺期间，等离子体区可指向处理区112。在等离子体区中提供沉积材料。作为一实例，溅射阴极的磁铁组件可用以约束等离子体以改善溅射状态。在某些实现方式中，等离子体区可被理解为由溅射沉积源提供的溅射等离子体或溅射等离子体区带。等离子体约束亦可用于调整待沉积在基板10上的材料的微粒分布。在某些实施方式中，等离子体区对应于包括靶材料(沉积材料)的原子的区，这些原子从靶喷射或释放。可由磁铁组件(亦即磁控管)约束等离子体区，其中处理气体和/或沉积材料的离子及电子被约束在磁控管或磁铁组件附近。从靶喷射或释放的原子的至少某些部分被沉积在基板上，以形成材料层。
依据可与本文中所述的其他实施方式结合的某些实施方式，一或多个传导片134沿处理区112的整个范围布置。换而言之，一或多个传导片134可在处理区112的整个侧边或长度上延伸。可在平行于延伸穿过处理区112的基板输送路径40的方向上定义处理区112的范围或长度。在某些实现方式中，一或多个传导片134可在处理区112的范围或长度的至少50％、具体地至少70％、具体地至少90％及更具体地100％上延伸。
依据可与本文中所述的其他实施方式结合的某些实施方式，一或多个传导片134的表面被配置为提供等位面。具体而言，可由表面136(例如传导面)提供等位面。如本公开内容各处所使用的术语“等位面”指的是具有实质恒定的纯量电位的表面。具体而言，可针对一或多个溅射沉积源120的至少一个溅射沉积源定义等位面。等位面可实质垂直于穿过等位面的净电场线。要了解的是，例如由于制造容差、对准容差及将所述一或多个传导片安装至框架组件的步骤中的至少一者，一或多个传导片134的表面可具有升高处及下陷处。而且，一或多个传导片134的表面要被理解为“等位面”或“扁平等位面”。
依据某些实施方式，片材具有的厚度比片材的长度及宽度小得多。作为一实例，一或多个传导片134具有小于10mm的厚度，具体为小于5mm，具体为小于3mm，具体为小于2mm，且更具体为小于1mm。作为一实例，一或多个传导片134具有约3mm的厚度。一或多个传导片134由框架组件132支撑且固定至该框架组件，且可具有减少的厚度。可减少用于一或多个传导片134的材料量。可降低制造成本。进一步地，一或多个传导片134具有减少的重量，促进一或多个传导片134的安装及拆卸(例如替换)。在某些实施方式中，一或多个传导片134提供薄的、用后可弃的屏蔽，例如以铝制造的。
如“传导片”及“传导面”的术语中所使用的术语“传导性的”指的是导电性。作为一实例，传导片和/或传导面可具有20℃时至少105(S/m)的传导性，具体为20℃时至少106(S/m)，且更具体为20℃时至少107(S/m)。S/m表示传导性的SI单位，亦即每米西门子。
依据可与本文中所述的其他实施方式结合的某些实施方式，一或多个传导片134的材料选自由以下所组成的群组：铝、铜、钢(例如不锈钢)、钛及其任何组合。然而，本公开内容不限于此，且其他导电材料可用于一或多个传导片134。
依据可与本文中所述的其他实施方式结合的某些实施方式，一或多个传导片134具有粗化表面。作为一实例，粗化表面可具有Rz10至Rz100的范围中的粗糙度，具体地在Rz20至Rz50的范围中，及更具体地在Rz25至Rz40的范围中。在某些实现方式中，可由喷砂法提供粗化表面，例如，用玻璃珠和/或电刚玉的喷砂法。不到达基板的沉积材料可附着至粗化表面。即使一或多个传导片134颤动(flittering)，亦可减少或甚至避免经沉积材料的剥落。具体而言，可减少或甚至避免归因于一或多个传导片134上沉积的材料片状剥落的微粒产生。可改善基板10上沉积的材料层的纯度。进一步地，可持续较长时间避免微粒产生或片状剥落，且较为不频繁地替换一或多个传导片134。可增加系统的开机时间。
在某些实施方式中，一或多个传导片134涂以粗糙表面涂层或附着涂层以供更佳的附着。作为一实例，面向处理区112或基板输送路径40的一或多个传导片134的表面136可被涂层。依据某些实施方式，一或多个传导片134(例如面向处理区112或基板输送路径40的表面136)可涂以介电涂层及粗糙表面涂层中的至少一者以避免打弧。例如，介电涂层可选自由以下所组成的群组：Al2O3、SiO2及YSZ(氧化钇稳定的氧化锆)。涂层表面可提供等位面。
参照图1A，系统100具有延伸穿过溅射沉积腔室110的一或多个基板输送路径40。具体而言，一或多个基板输送路径40可延伸穿过处理区112。基板输送路径40被配置为用于将基板10或具有定位于基板载体20上的基板10的基板载体20输送穿过溅射沉积腔室110，且具体是穿过处理区112。可在屏蔽装置130及一或多个溅射沉积源120之间设置一或多个基板输送路径40。
一或多个传导片134可被配置为面向基板输送路径40。具体而言，一或多个传导片134的表面136可被提供为与基板输送路径40相对。可相对于基板输送路径40和/或一或多个溅射沉积源120对准一或多个传导片134。作为一实例，一或多个传导片134的表面136可实质平行于基板输送路径40。
依据某些实施方式，输送路径可为在溅射沉积腔室110中移动或运输基板载体20所沿的路。作为一实例，基板输送路径40可为线性输送路径。基板输送路径40可定义输送方向1供基板载体20穿过溅射沉积腔室110。基板输送路径40可为单向输送路径或可为双向输送路径。在某些实现方式中，可提供二或更多个基板输送路径。作为一实例，所述二或更多个基板输送路径可彼此实质平行而延伸穿过溅射沉积腔室110。
基板载体20被配置为例如在溅射沉积工艺(例如RF溅射工艺)期间支撑基板10。基板载体20可包括配置为用于支撑基板10的板或框架，例如，使用由板或框架所提供的支撑面来支撑。可选地，基板载体20可包括配置为用于将基板10固持在板或框架处的一或多个固持装置(未示出)。所述一或多个固持装置可包括机械和/或磁式夹具中的至少一个。在某些实现方式中，载体为静电夹具。
依据本文中所述的某些实施方式，系统100包括溅射沉积腔室110(亦称为“沉积腔室”或“真空处理腔室”)及溅射沉积腔室110中的一或多个溅射沉积源120，例如第一溅射沉积源122及第二溅射沉积源124。一或多个溅射沉积源120(例如第一溅射沉积源122及第二溅射沉积源124)，例如，可包括具有待沉积在基板上的材料的靶的平面阴极。然而，本公开内容不限于平面的阴极或靶。可类似地实施其他阴极，例如可旋转阴极。
依据可与本文中所述的其他实施方式结合的某些实施方式，屏蔽装置130的框架组件132被安装至溅射沉积腔室110的腔室壁，例如垂直腔室壁。作为一实例，框架组件132可被安装在溅射沉积腔室110的腔室主体或背壁上。
在某些实现方式中，屏蔽装置130(且具体是一或多个传导片134)相对于处理区112、基板输送路径40及一或多个溅射沉积源120中的至少一者对准。作为一实例，屏蔽装置130(且具体是一或多个传导片134)被对准或定位，使得一或多个传导片134针对一或多个溅射沉积源120(例如，平面阴极或平面靶的表面)提供等位面。具体而言，可沿一个几何线将屏蔽与直列式RF溅射沉积系统(例如，平面靶)对准，以提供扁平等位面或区域。
在某些实施方式中，面向基板输送路径40或处理区112的一或多个传导片134的表面136及面向基板输送路径40或处理区112的平面靶的表面可为实质平行的。用语“实质平行的”涉及实质平行的定向，例如，一或多个传导片134的表面与平面靶的表面的实质平行的定向，其中从精确的平行定向偏差几度(例如高达10°或甚至高达15°)仍被视为“实质平行的”。
如图1A中所指示，另外的腔室111可被提供为相邻于溅射沉积腔室110。溅射沉积腔室110可由阀113与相邻的腔室分离，这些阀例如具有阀外壳及阀单元。在其上具有基板10的基板载体20被插入溅射沉积腔室110之后，可关闭阀113。在某些实现方式中，在相邻的腔室之间不提供阀。可通过以下方式个别控制溅射沉积腔室内的气氛：产生技术性真空，例如，以连接至溅射沉积腔室110的真空泵来产生，和/或在溅射沉积腔室110中的沉积区带中接入处理气体。
依据某些实施方式，处理气体可包括惰性气体(诸如氩)和/或反应性气体(诸如，氧、氮、氢及氨(NH3)、臭氧(O3))、活化气体等等。在溅射沉积腔室110内，可提供包括辊及磁性装置中的至少一者的输送系统，以沿基板输送路径40将基板载体20输送进、穿过及出溅射沉积腔室110。
溅射沉积工艺可使用AC功率、DC功率或其组合中的至少一者。作为一实例，溅射沉积工艺可为AC溅射沉积工艺。AC溅射沉积工艺可为阴极电压的符号以预定速率(例如2MHz、13.56MHz、具体为27.12MHz、更具体为40.68MHz、13.56MHz的倍数或其任何组合)变化的溅射沉积工艺。依据可与本文中所述的其他实施方式结合的某些实施方式，AC溅射沉积工艺可为HF(高频)或RF(射频)溅射沉积工艺。然而，本公开内容不限于使用AC功率的溅射沉积工艺，且本文中所述的实施方式可用在其他溅射沉积工艺中，例如，DC溅射沉积工艺。
依据本文中所述的某些实施方式，系统100可具有连接至一或多个溅射沉积源120的一或多个电源。在某些实现方式中，各溅射沉积源可具有其自身的电源。作为一实例，一或多个电源的第一电源126可连接至第一溅射沉积源122，例如，经由第一匹配盒(matchbox)127来连接。一或多个电源的第二电源128可连接至第二溅射沉积源124，例如，经由第二匹配盒129来连接。在其他实现方式中，一或多个溅射沉积源120可连接至相同的电源，例如，经由一或多个匹配盒来连接。
在某些实现方式中，电源馈入件经由匹配盒连接至靶，而围绕靶的喷气器与腔室主体(RF接地)电连接且用作通往相应的匹配盒及相应的电源的RF回传路径。相反侧上的电屏蔽件亦是DC的且RF接地至腔室主体且提供通往前面的受限定的RF回传路径。
依据某些实施方式，所述一或多个电源可被配置为用于AC电源、DC电源、脉冲式DC电源、AC/DC电源及混合式信号电源中的至少一者。AC电源被配置为用于产生AC(正弦或脉冲式)功率或功率信号。AC/DC电源被配置为用于产生AC及DC功率或功率信号的组合。混合式信号电源被配置为用于产生具有有着不同频率或振幅的AC信号或脉冲的功率或功率信号。作为一实例，电源可选自由以下所组成的群组：AC电源、DC电源、DC及AC电源的组合、混合式AC电源、脉冲式DC电源、脉冲式DC及AC电源的组合、DC及混合式AC电源的组合、脉冲式DC及混合式AC电源的组合及其任何组合。
依据本文中所述的某些实施方式，溅射沉积工艺可以以磁控溅射的方式进行。如本文中所使用的，“磁控溅射”指的是使用磁铁组件(例如能够产生磁场的单元)来执行的溅射。此类磁铁组件可以由永久磁铁组成。此永久磁铁可被布置为以一方式耦接至平面靶，使得在靶表面下方所产生的产生磁场内捕捉自由电子。
依据可与本文中所述的其他实施方式结合的某些实施方式，系统100可被配置为在基板10上沉积绝缘材料。作为一实例，系统100可使用绝缘靶材料以供沉积在基板10上。系统100可用于沉积选自由以下所组成的群组的至少一种材料：半导体(例如InGaZnO)、透明导电氧化物(透明导电氧化物(TCO)，例如ITO、AZO、IZO)、电池电解液(例如LiPON)及电池阴极材料(例如LiCoO、LiCoAlO、LiGaCoO、LiNiCoO、LiMnO、LiMgCoO、LiFePO、LiMFePO4(M＝Zr、Nb、Mg、Co、Mn、Ni或其组合)、LiBMnO及氧化钒)。
本文中所述的系统、屏蔽装置及方法可用于垂直基板处理。依据某些实施方式，本公开内容的载体20被配置为以实质垂直的定向固持基板10。术语“垂直基板处理”被理解为区别于“水平基板处理”。例如，垂直基板处理涉及载体20及基板10在基板处理期间的实质垂直定向，其中从精确的垂直定向偏差数度(例如高达10°或甚至15°)仍被视为垂直基板处理。垂直方向可实质平行于重力。作为一实例，被配置为用于在基板10上进行溅射沉积的系统100可被配置为用于在垂直定向的基板上进行溅射沉积。
依据可与本文中所述的其他实施方式结合的某些实施方式，载体20及基板10在溅射沉积材料期间为静态或动态的。依据本文中所述的某些实施方式，可提供动态溅射沉积工艺，例如以供进行电池或显示器制造。本公开内容的实施方式可特别有益于此类动态溅射沉积工艺，因为移动穿过RF等离子体的导电材料可能由于不同的电位而造成打弧。由本公开内容的实施方式提供的屏蔽装置可在此类动态系统中减少或甚至避免打弧的发生。并且，屏蔽装置帮助将RF等离子体状态保持为均质的，其益于在均匀薄膜属性的情况下进行薄膜沉积。
图2示出依据本文中所述的进一步实施方式的被配置为用于在基板(未示出)上进行溅射沉积的系统的示意性俯视图。
依据可与本文中所述的其他实施方式结合的某些实施方式，系统具有二或更多个溅射沉积腔室，例如第一溅射沉积腔室272及第二溅射沉积腔室274。可使用阀278(类似于针对图1A所述的阀)来分离所述二或更多个溅射沉积腔室。
所述二或更多个溅射沉积腔室的各溅射沉积腔室可具有一或多个溅射沉积源250。作为一实例，第一溅射沉积腔室272可具有第一溅射沉积源251及第二溅射沉积源252。第二溅射沉积腔室274可具有第三溅射沉积源253及第四溅射沉积源254。基板输送路径40可至少延伸穿过所述二或更多个溅射沉积腔室。在某些实现方式中，可将基板输送穿过所述二或更多个溅射沉积腔室以供在基板上沉积二或更多个材料层。
依据某些实施方式，各溅射沉积腔室包括屏蔽装置。作为一实例，第一溅射沉积腔室272可包括第一屏蔽装置，而第二溅射沉积腔室274可包括第二屏蔽装置。屏蔽装置可被安装至溅射沉积腔室的腔室壁(例如背壁276)。两个相邻溅射沉积腔室的屏蔽装置(且具体是相应的屏蔽装置的一或多个传导片240)可被配置为实质无缝地接合在一起。具体而言，屏蔽装置(且具体是屏蔽装置的一或多个传导片240)可彼此相对对准，以便提供延伸穿过所述二或更多个溅射沉积腔室的实质连续等位面。具体而言，亦可在相邻溅射沉积腔室的连接区带(例如阀278的区带中)中提供实质连续的等位面。
依据可与本文中所述的其他实施方式结合的某些实施方式，框架组件包括基座框架210、安装框架220及一或多个侧框架元件230。一或多个传导片240可被安装至安装框架220。框架组件可允许在溅射沉积腔室中正确地定位屏蔽装置。具有三重框架结构的框架组件可允许便利地维护屏蔽装置(例如，替换一或多个传导片240)。进一步参照图3至6来解释屏蔽装置的框架组件。
图3示出依据本文中所述的实施方式的用于溅射沉积腔室的屏蔽装置300的透视前视图。图4示出图3的屏蔽装置300的透视后视图。图5示出依据本文中所述的实施方式的屏蔽装置300的框架组件的示意图。图6示出图5的框架组件的截面示意图。
依据可与本文中所述的其他实施方式结合的某些实施方式，框架组件包括可连接至溅射沉积腔室的基座框架310。具体而言，基座框架310可连接至腔室壁(例如溅射沉积腔室的背壁)。依据某些实施方式，基座框架310可分离地连接至溅射沉积腔室，例如，使用螺钉及夹具中的至少一个来连接。在其他实施方式中，基座框架310可被焊接至溅射沉积腔室，例如溅射沉积腔室的背壁。
在某些实现方式中，基座框架310具有一或多个纵向基棒311，例如一或多个垂直基棒。基座框架310可具有一或多个交叉基棒312，例如一或多个水平基棒。基座框架310可以选自由以下所组成的群组的材料制造：SuS(“钢用不锈钢(Steel Use Stainless)”：日本钢材分级)材料、铝及AlMg3。
依据可与本文中所述的其他实施方式结合的某些实施方式，框架组件包括具有安装面的安装框架320。一或多个传导片340可以可分离地安装于安装面上。作为一实例，安装框架320可被配置为支撑一或多个传导片340。一或多个传导片340可被固定地安装至安装框架320，以便减少或甚至避免一或多个传导片340的移动(例如颤动)。在某些实现方式中，安装框架320可称为“连接器框架”。
依据某些实施方式，安装框架320可在一或多个传导片340及基座框架310之间提供连接或界面。在某些实施方式中，安装框架320可被配置为可分离地安装至基座框架310，例如，使用螺钉及夹具中的至少一个来安装。在其他实施方式中，安装框架320可被焊接至基座框架310。
在某些实现方式中，安装框架320具有一或多个纵向安装棒321，例如一或多个垂直安装棒。基座框架320可具有一或多个交叉安装棒322，例如一或多个水平安装棒。安装框架320可以铝制造。
用语“水平的”被理解为区别于“垂直的”。亦即，“水平的”及“垂直的”涉及实质水平或垂直的定向，例如框架组件或基座框架310的棒和/或安装框架320的实质水平或垂直的定向，其中从精确的水平或垂直定向偏差数度(例如高达10°或甚至高达15°)仍被视为“水平的”或“垂直的”。垂直方向可实质平行于重力。
依据可与本文中所述的其他实施方式结合的某些实施方式，框架组件包括一或多个侧框架元件330。一或多个侧框架元件330可提供屏蔽装置300的侧向终端，且具体是一或多个传导片340的侧向终端。一或多个侧框架元件330可密封屏蔽装置330及溅射沉积腔室的一或多个壁之间的空间，例如基座框架310及安装框架320中的至少一者及溅射沉积腔室的一或多个壁之间的空间。可将屏蔽装置300后面的容积(例如，无效容积)密封或覆盖为抵抗RF穿透。可防止如此容积中的RF波穿透，以减少或甚至避免了寄生等离子体的发生。具体而言，可避免(壁)屏蔽件后面的RF泄露及寄生等离子体的发生。在某些实现方式中，一或多个侧框架元件330可称为“侧连接器框架”。
在某些实现方式中，一或多个侧框架元件330可为棒，例如，L形棒。例如，一或多个侧框架元件330可具有安装面，其中一或多个传导片340的至少一部分可分离地安装于一或多个侧框架元件330的安装面上。一或多个侧框架元件330的安装面可在框架组件被组装的状态下实质平行于安装框架320的安装面。所述一或多个侧框架元件可以铝制造。
依据可与本文中所述的其他实施方式结合的某些实施方式，屏蔽装置300包括一或多个安装装置360，所述一或多个安装装置被配置为将一或多个传导片340安装至框架组件。作为一实例，一或多个安装装置360为螺钉。进一步参照图9来解释安装装置。
在某些实现方式中，一或多个传导片340可具有叠边或卷边(beading)342，例如在一或多个传导片340的顶侧及底侧中的至少一处的叠边或卷边342。具体而言，所述一或多个传导片可具有顶侧、底侧及侧向侧。在一或多个传导片340处于直立位置下(例如垂直定向)时，顶侧可被定义为一或多个传导片340的上侧。叠边或卷边342可稳定一或多个传导片340，例如，以抵抗水平弯曲。
依据可与本文中所述的其他实施方式结合的某些实施方式，框架组件包括于框架组件的顶部(例如顶侧)及底部(例如底侧)中的至少一者处提供的传导网格354或格栅(grid)。传导网格354可为金属网格。作为一实例，金属网格的材料可选自由以下所组成的群组：金属、Cu及钢(例如，不锈钢)。在某些实现方式中，框架组件包括网格组件350，该网格组件包括网格框架352及传导网格354。网格框架352可具有孔开口，其中可将传导网格354提供在孔开口中。网格框架352可被配置为安装在框架组件的顶侧和/或底侧上。例如，网格框架352可被配置为安装至基座框架310。
网格组件350可覆盖屏蔽装置300(例如，一或多个传导片340中的至少一者)与溅射沉积腔室的一或多个壁(例如背壁)之间的空间。传导网格354可减少或甚至防止屏蔽件(所述一或多个传导片)后面的RF泄露，以避免屏蔽件后面容积中的寄生等离子体产生。传导网格354亦可称为“RF网格”。在某些实现方式中，传导网格354可具有开口，其中开口的尺寸(例如直径)可被配置为防止RF波穿过传导网格354。依据某些实施方式，开口的尺寸可小于RF波的波长。例如，开口的尺寸小于RF波的波长。
传导网格354的开口允许真空泵取背侧容积，例如一或多个传导片340后面的容积。一或多个传导片340后面的容积可包括或为溅射沉积腔室的背壁及屏蔽装置300之间的容积。甚至可在已(例如在背壁前面)安装屏蔽装置300之后在溅射沉积腔室中建立真空状态。
依据可与本文中所述的其他实施方式结合的某些实施方式，在两个相邻的传导片之间提供间隙344。间隙344可实质垂直地延伸于两个相邻的传导片之间。间隙344允许传导片340以水平方向热膨胀。
图7图示依据本文中所述的实施方式的附接至屏蔽装置的接地装置的示意图。
依据可与本文中所述的其他实施方式结合的某些实施方式，屏蔽装置包括被配置为将框架组件及一或多个传导片340中的至少一者接地的一或多个接地装置。在某些实现方式中，一或多个接地装置可被配置为提供DC(直流)接地及RF接地中的至少一者。作为一实例，所述一或多个接地装置可提供RF回传路径。具体而言，可将屏蔽装置上的RF电流回传，例如，以最小RF损失回传至匹配盒。以附图标号701指示传导片表面上的RF电流方向。溅射沉积腔室的里面(例如腔室主体的内前部)在其表面在不中断的情况下经由RF接地装置连接至相邻于溅射靶的表面时，相对于RF回传路径/RF接地是界定清楚的表面。此相邻表面(例如喷气器)在其连接至匹配盒及电源RF地线/回传路径时针对RF回传充当接收区域。
在某些实现方式中，接地装置包括连接装置710及连接线路720。连接装置710可被配置为将连接线路720连接或附接至屏蔽装置，例如是在屏蔽装置的顶侧处。可提供一个连接装置710以将二或更多个连接线路720连接至屏蔽装置。在其他实现方式中，各连接线路720可使用各自的连接装置来连接至屏蔽装置。
依据某些实施方式，连接装置710可连接至传导片340、传导片340的卷边342、基座框架、连接器框架及侧框架元件中的至少一者。连接装置710可为夹具或线夹，例如铜夹具或铜线夹。线夹可具有第一元件712及第二元件714。连接线路720的一部分及屏蔽装置的一部分(例如，卷边342的一部分)可被夹在第一元件712及第二元件714之间。一或多个螺钉716可用以将第一元件712及第二元件714彼此连接，以便将连接线路720的部分及屏蔽装置的部分机械地夹持在第一元件712及第二元件714之间。连接装置710(例如铜线夹)可具有圆头边缘以促进其周围的RF电流及避免RF天线。
连接线路720可为柔性连接线路。作为一实例，连接线路720可为铜带，例如柔性铜带。连接线路720可连接至溅射沉积腔室，例如壁(例如溅射沉积腔室的背壁)。具体而言，连接线路720可连接至主腔室主体的前侧(例如内腔室主体前部)。
屏蔽装置可包括周期性地布置于屏蔽装置处(例如一或多个传导片340的顶侧(例如水平上侧))的多个接地装置。作为一实例，多个连接装置710可于屏蔽装置处彼此相距预定的距离而布置。依据某些实施方式，预定距离可在5cm至50cm的范围中，具体是在5cm至30cm的范围中，且更具体是在10cm至20cm的范围中。例如，预定距离可约为10cm。
可在一或多个传导片340的RF电流接收侧上对准连接装置710及连接线路720，以提供改良的RF接点以避免RF反射剥离带缘。
图8A及8B图示依据本文中所述的实施方式的屏蔽装置的安装结构的示意图。
依据可与本文中所述的其他实施方式结合的某些实施方式，屏蔽装置300包括一或多个安装装置360，所述一或多个安装装置被配置为将一或多个传导片340安装至框架组件。作为一实例，一或多个安装装置360包括螺钉及内六角钥(Allen keys)中的至少一者。
一或多个传导片340可具有多个通孔。所述多个通孔中的至少某些部分可相对应于连接器框架中相应的孔(例如螺孔)。安装装置360可被配置为穿过待安插入连接器框架中孔的传导片340中的通孔。
在某些实现方式中，通孔被布置在传导片的周边部分处。通孔可被布置在传导片的上周边部分(例如顶侧)、下周边部分(例如底侧)及侧向周边部分(例如左侧及右侧)中的至少一者处。如图8A的实例中所示，通孔可被布置在传导片的上周边部分(例如顶侧)及侧向周边部分(例如左侧及右侧)处。
可沿各自的线路布置通孔。作为一实例，可沿实质水平的线路布置上周边部分(例如顶侧)中的通孔和/或下周边部分(例如底侧)中的通孔。可沿实质垂直的线路布置侧向周边部分(例如右侧及右侧)中的通孔。
依据某些实施方式，通孔中的至少某些部分可为槽或伸长的孔(长孔)。槽或伸长孔可为具有长度及宽度的通孔，其中长度大于宽度。作为一实例，槽或伸长孔可具有有着圆头边缘的实质矩形形状。槽或伸长孔允许传导片格外沿槽或伸长孔的较长尺寸(长度)热膨胀。作为一实例，可提供通孔的图样以适应传导片的水平和/或垂直热膨胀。具体而言，可定向槽或伸长孔以便允许传导片热膨胀(例如水平和/或垂直热膨胀)。可减少或甚至避免传导片的弯曲。
在某些实现方式中，沿水平线(例如在上周边部分(例如顶侧)和/或下周边部分(例如底侧)中)布置的通孔相较于在垂直方向上在水平方向上可为较长的。沿垂直线(例如在侧向周边部分(例如左侧及右侧)中)布置的通孔可在水平方向上比在垂直方向上更长。
依据可与本文中所述的其他实施方式结合的某些实施方式，通孔包括在上周边部分(例如顶侧)中沿水平线布置的第一通孔810、在下周边部分(例如底侧)中沿水平线布置的第二通孔820和/或沿垂直线布置的第三通孔830，例如在侧向周边部分(例如左侧及右侧)中的第三通孔。
在上周边部分(例如顶侧)中沿水平线布置的第一通孔810可在垂直方向上比在水平方向上更长。在下周边部分(例如底侧)中沿水平线布置的第二通孔820和/或(例如在侧向周边部分(例如左侧及右侧)中)沿垂直线布置的第三通孔830可在水平方向上比在垂直方向上更长。
作为一实例，在下周边部分(例如底侧)中沿水平线布置的第二通孔820及(例如在侧向周边部分(例如左侧及右侧)中)沿垂直线布置的第三通孔830可为实质相同的。在某些实现方式中，在下周边部分中沿水平线布置的通孔及沿垂直线布置的通孔的宽度(较小的尺寸)大于在上周边部分中沿水平线布置的通孔的宽度。
依据进一步实施方式，第一通孔810、第二通孔820及第三孔830中的至少一者可为实质圆形的通孔。作为一实例，在上周边部分中沿水平线布置的第一通孔810可为实质圆形的通孔。
图9示出依据本文中所述的实施方式的安装装置900的示意图，该安装装置被配置为将所述一或多个传导片安装至框架组件。
依据可与本文中所述的其他实施方式结合的某些实施方式，安装装置900可为板形或碟形的。安装装置900可具有第一侧或第一表面910及第二侧或第二表面920。第一侧(“溅射侧”)可被配置为面向处理区或基板输送路径，且具体是面向所述一或多个溅射沉积源。第二侧(“屏蔽侧”)可被配置为面向传导片。第二侧或第二表面920可具有足以覆盖传导片中的通孔的表面区域。作为一实例，表面区域在所述一或多个传导片的热膨胀转移通孔的中心位置的工艺条件下可足以覆盖通孔。板或碟的直径可允许充分覆盖通孔，以避免屏蔽件后面的RF泄露。
在某些实现方式中，安装装置900具有二或更多个凹痕或助推部(nudge)912，例如于板或碟的周边或外面处。二或更多个凹痕或助推部912可被配置为用于与工具接合，例如以供安装和/或拆卸安装装置900。作为一实例，安装装置900可具有四个凹痕或助推部。二或更多个凹痕或助推部912允许易于使用工具(例如扳手)来开启，无论沉积在第二侧(例如螺钉头的顶部)上的材料。另外地或可选地，安装装置900在第一侧或第一表面910处具有中心钥，例如中心内六角钥914。中心钥允许容易及快速组装安装装置900。
依据某些实施方式，安装装置900具有螺纹或螺钉930，例如，被配置为用于与安装框架中的螺孔接合的螺纹或螺钉。可于第二侧或第二表面920处提供螺纹或螺钉930，例如于第二侧或第二表面920的中心处。在某些实现方式中，安装装置900具有被配置为接触传导片的接触突起部940。可于第二侧或第二表面920处提供接触突起部940，例如，于第二侧或第二表面920的中心处。作为一实例，螺纹或螺钉930可定位在接触突起部940上。被配置为接触传导片的接触突起部940的表面区域可小于第二侧或第二表面920的表面区域。具体而言，接触突起部940的表面区域可小于第二侧或第二表面920的表面区域的70％，具体为小于50％的，且更具体为小于20％的。
接触突起部940可充当间隔件。由接触突起部940提供的减少的接触区域促进传导片的热膨胀。第二侧或第二表面920的较大区域允许覆盖传导片中的通孔。
依据某些实施方式，安装装置900可具有粗化表面，类似于如针对所述一或多个传导片所述的。具体而言，第一侧或第一表面910可为粗化表面以避免沉积物剥落。在某些实现方式中，第一侧或第一表面910涂以粗糙表面涂层或附着涂层以供进行更佳的附着。依据某些实施方式，第一侧或第一表面910可涂以介电涂层及粗糙表面涂层中的至少一者以避免打弧。例如，介电涂层可选自由以下所组成的群组：Al2O3、SiO2及YSZ(氧化钇稳定的氧化锆)。
在某些实现方式中，安装装置900的材料选自由以下所组成的群组：SuS材料、塑料、聚合物材料、金属、铝及不锈钢。
在溅射沉积腔室中的使用期间，沉积材料可被沉积在安装装置900上，且例如覆盖第一侧。在某些实现方式中，安装装置900可为可重复使用的。作为一实例，可采用化学清洁和/或喷砂法以从安装装置900移除沉积材料。在其他实现方式中，安装装置900可为用后可弃的。
图10示出依据本文中所述的实施方式的用于在溅射沉积腔室提供电屏蔽的方法1000的流程图。方法1000可利用依据本文中所述实施方式的屏蔽装置及系统。
该方法于方块1100处包括以下步骤：使用可分离地安装在框架组件上的一或多个传导片在溅射沉积腔室中沿处理区域和/或基板输送路径提供等位面。在某些实现方式中，该方法在方块1200中包括以下步骤：进行溅射沉积工艺以在基板上形成材料层。溅射沉积工艺可为RF溅射沉积工艺。
依据本文中所述的实施方式，用于在溅射沉积腔室中提供电屏蔽的方法可使用电脑程序、软件、电脑软件产品及相关的控制器来进行，这些控制器可具有与该装置的相对应元件通信的CPU、存储器、使用者界面及输入及输出装置，以供处理大面积基板。
本公开内容针对溅射沉积腔室提供了对准的屏蔽装置，例如背壁屏蔽。屏蔽装置可提供改善的工艺稳定性及工艺效率及均质的薄膜沉积。尤其是，可最小化空间性的RF电位差。可减少或甚至避免打弧、寄生等离子体及龟裂现象中的至少一者的发生。在直列式溅射系统(例如直列式RF溅射系统)内沿着一个几何线对准屏蔽，以提供扁平的等位面或区域。使用允许抽空容积的网格结构来避免或密封了RF波穿透的容积。可减少或甚至避免由屏蔽件上沉积的材料所致的微粒产生，且可减少PM(预防维修)频率。可提供高的系统开机时间。可交换式或用后可弃的屏蔽件(例如用后可弃的背壁屏蔽)得以促进维护和/或替换。可减少拥有成本。可减少用于维护和/或替换可交换式或用后可弃的屏蔽件的时间。屏蔽装置可为DC接地的。可将RF电流回传支架或路径包括在屏蔽装置中。可改善工艺稳定性。
虽然前述针对本公开内容的实施方式，在不脱离本公开内容的基本范围的情况下可设计本公开内容的其他的及进一步的实施方式，且本公开内容的范围是由随附的权利要求来确定。

Claims (15)

1.被配置为用于在基板上进行溅射沉积的系统，包括：
溅射沉积腔室，具有处理区；
一或多个溅射沉积源，所述一或多个溅射沉积源布置于所述处理区的第一侧处；及
屏蔽装置，所述屏蔽装置布置于所述处理区的第二侧处，其中所述屏蔽装置包括被安装至所述溅射沉积腔室的框架组件及可分离地安装于所述框架组件上的一或多个传导片，其中所述一或多个传导片提供沿所述处理区布置的表面。
2.如权利要求1所述的系统，其中所述一或多个传导片被配置为提供等位面。
3.如权利要求1或2所述的系统，进一步包括一或多个接地装置，所述一或多个接地装置被配置为将所述框架组件及所述一或多个传导片中的至少一者接地。
4.如权利要求3所述的系统，其中所述接地装置包括连接装置及连接线路，且其中所述连接装置被配置为将所述连接线路连接至所述屏蔽装置。
5.如权利要求1至4任一项所述的系统，其中所述一或多个传导片具有粗化表面，和/或其中所述一或多个传导片被至少部分地涂层。
6.如权利要求1至5任一项所述的系统，其中所述一或多个传导片具有小于3mm的厚度。
7.如权利要求1至6任一项所述的系统，其中所述一或多个传导片的材料选自由以下所组成的群组：铝、铜、钢、钛及其任何组合。
8.用于溅射沉积腔室的屏蔽装置，包括：
框架组件，被配置为安装至所述溅射沉积腔室且在所述溅射沉积腔室中沿处理区而安装；及
一或多个传导片，可分离地安装于所述框架组件上，其中所述一或多个传导片被配置为面向所述处理区。
9.如权利要求8所述的屏蔽装置，其中所述框架组件包括可连接至所述溅射沉积腔室的基座框架。
10.如权利要求8或9所述的屏蔽装置，其中所述框架组件包括具有安装面的安装框架，其中所述一或多个传导片可分离地安装于所述安装面上。
11.如权利要求8至10任一项所述的屏蔽装置，其中所述框架组件包括一或多个侧框架元件，其中所述一或多个侧框架元件提供所述一或多个传导片的侧向终端。
12.如权利要求8至11任一项所述的屏蔽装置，其中所述框架组件包括于所述框架组件的顶侧及底侧中的至少一者处提供的传导网格。
13.如权利要求8至12任一项所述的屏蔽装置，进一步包括一或多个安装装置，所述一或多个安装装置被配置为将所述一或多个传导片安装至所述框架组件。
14.如权利要求1至7任一项所述的系统，其中所述屏蔽装置是依据权利要求8至13任一项来配置的。
15.用于在溅射沉积腔室中提供电屏蔽的方法，包括以下步骤：
使用可分离地安装在框架组件上的一或多个传导片在所述溅射沉积腔室中沿处理区提供等位面。
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