KR20180086217A - 기판 상의 스퍼터 증착을 위해 구성된 시스템, 스퍼터 증착 챔버를 위한 차폐 디바이스, 및 스퍼터 증착 챔버에서 전기적 차폐를 제공하기 위한 방법 - Google Patents

기판 상의 스퍼터 증착을 위해 구성된 시스템, 스퍼터 증착 챔버를 위한 차폐 디바이스, 및 스퍼터 증착 챔버에서 전기적 차폐를 제공하기 위한 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20180086217A
KR20180086217A KR1020187017101A KR20187017101A KR20180086217A KR 20180086217 A KR20180086217 A KR 20180086217A KR 1020187017101 A KR1020187017101 A KR 1020187017101A KR 20187017101 A KR20187017101 A KR 20187017101A KR 20180086217 A KR20180086217 A KR 20180086217A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sputter deposition
conductive sheets
deposition chamber
substrate
shielding device
Prior art date
Application number
KR1020187017101A
Other languages
English (en)
Inventor
토마스 베르너 칠바우어
우베 헨켈
요한네스 티엘
카말 엘 자아르
슈테판 켈러
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20180086217A publication Critical patent/KR20180086217A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3441—Dark space shields
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3471—Introduction of auxiliary energy into the plasma
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32605—Removable or replaceable electrodes or electrode systems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32651—Shields, e.g. dark space shields, Faraday shields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/3288—Maintenance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3438—Electrodes other than cathode

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 개시내용은 기판(10) 상의 스퍼터 증착을 위해 구성된 시스템(100)을 제공한다. 시스템(100)은 프로세싱 구역(112)을 갖는 스퍼터 증착 챔버(110), 프로세싱 구역(112)의 제1 측에 배열된 하나 또는 그 초과의 스퍼터 증착 소스들(120), 및 프로세싱 구역(112)의 제2 측에 배열된 차폐 디바이스(130)를 포함하며, 차폐 디바이스(130)는 스퍼터 증착 챔버(110)에 장착된 프레임 어셈블리(132) 및 프레임 어셈블리(132) 상에 분리가능하게 장착된 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(134)을 포함하고, 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(134)은 프로세싱 구역(112)을 따라 배열된 표면(136)을 제공한다.

Description

기판 상의 스퍼터 증착을 위해 구성된 시스템, 스퍼터 증착 챔버를 위한 차폐 디바이스, 및 스퍼터 증착 챔버에서 전기적 차폐를 제공하기 위한 방법
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 기판 상의 스퍼터 증착을 위해 구성된 시스템, 스퍼터 증착 챔버를 위한 차폐 디바이스, 및 스퍼터 증착 챔버에서 전기적 차폐를 제공하기 위한 방법에 관한 것이다. 본 개시내용의 실시예들은 구체적으로, AC 스퍼터링 또는 AC 컴포넌트를 갖는 스퍼터링, 특히 RF 스퍼터링에서 사용되는 전기적 차폐에 관한 것이다.
[0002] 기판 상의 층 증착을 위한 기법들은, 예컨대, 스퍼터 증착(sputter deposition), 열적 증발(thermal evaporation), 및 화학 기상 증착(CVD; chemical vapor deposition)을 포함한다. 스퍼터 증착 프로세스는 기판 상에 재료 층, 예컨대, 막, 이를테면, 절연 재료의 층을 증착하는 데 사용될 수 있다. 스퍼터 증착 프로세스 동안, 기판 상에 증착될 타겟 재료를 갖는 타겟은 플라즈마 구역에서 생성된 이온들로 타격되어(bombarded), 타겟의 표면으로부터 타겟 재료의 원자들이 축출(dislodge)된다. 축출된 원자들은 기판 상에 재료 층을 형성할 수 있다. 반응성 스퍼터 증착 프로세스에서, 축출된 원자들은 플라즈마 구역의 가스, 예컨대 질소 또는 산소와 반응하여, 기판 상에 타겟 재료의 산화물, 질화물 또는 산질화물을 형성할 수 있다.
[0003] 예컨대, 디스플레이들, 터치 스크린 패널들 또는 박막 배터리들의 제조에서, 스퍼터 증착 프로세스 동안, 진공 프로세싱 챔버, 이를테면, 스퍼터 증착 챔버 내의 전위차들로 인해, 불균일한 막 증착 또는 아킹(arcing)이 발생할 수 있다. 아킹은, 예컨대, 기판 캐리어 및/또는 기판을 손상시킬 수 있다. 또한, 아킹은 기판 상에 증착되는 재료 층의 균질성(homogeneity) 및/또는 순도(purity)에 영향을 미칠 수 있다. 더욱이, AC 전력 소스로부터 진공 프로세싱 챔버 내의 구조들, 예컨대, 접지된 구조들로의 그리고 AC 전력 소스로 리턴되는 전기 경로들의 존재는 기생 플라즈마(parasitic plasma)의 형성을 초래할 수 있다. 기생 플라즈마는 스퍼터 증착 프로세스의 효율, 예컨대, 기판 표면 상의 증착 레이트 및 스퍼터링 전력을 감소시킬 수 있다. 또한, 재료 층의 품질, 예컨대, 균질성 및/또는 순도가 감소될 수 있다.
[0004] 또한, 스퍼터 증착 시스템의 효율은, 기판의 영역에 걸쳐 그리고/또는 막 두께에 걸쳐, 막 특성들의 균질성에 관해 균질한 막 증착을 생성하는, 스퍼터 증착 시스템의 능력에 의존할 수 있다. 예컨대, 스퍼터 증착 시스템의 증착 구역을 정의하는 컴포넌트들의 입체적 어레인지먼트(steric arrangement)와 관련하여 공간 내에서의 그리고 시간 내에서의 기하학적 및 전기적 균질성은, 예컨대, 인-라인 증착 시스템(in line deposition system) 내의 증착 구획으로부터 증착 구획으로와 같은, 기판의 이송 방향을 따라 유익하다.
[0005] 상기 내용을 고려하여, 당해 기술분야의 문제점들 중 적어도 일부를 극복하는, 기판 상의 스퍼터 증착을 위해 구성된 새로운 시스템들, 스퍼터 증착 챔버를 위한 차폐 디바이스들, 및 스퍼터 증착 챔버에서 전기적 차폐를 제공하기 위한 방법들이 유익하다. 본 개시내용은 특히, 스퍼터 증착 챔버에서 아킹 및/또는 기생 플라즈마들의 발생을 감소시키거나 또는 심지어 방지할 수 있는 시스템, 차폐 디바이스, 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
[0006] 상기 내용을 고려하여, 기판 상의 스퍼터 증착을 위해 구성된 시스템, 스퍼터 증착 챔버를 위한 차폐 디바이스, 및 스퍼터 증착 챔버에서 전기적 차폐를 제공하기 위한 방법이 제공된다. 본 개시내용의 추가의 양상들, 이익들, 및 특징들은 청구항들, 설명 및 첨부 도면들로부터 명백하다.
[0007] 본 개시내용의 양상에 따르면, 기판 상의 스퍼터 증착을 위해 구성된 시스템이 제공된다. 시스템은 프로세싱 구역을 갖는 스퍼터 증착 챔버, 프로세싱 구역의 제1 측에 배열된 하나 또는 그 초과의 스퍼터 증착 소스들, 및 프로세싱 구역의 제2 측에 배열된 차폐 디바이스를 포함하며, 차폐 디바이스는 스퍼터 증착 챔버에 장착된 프레임 어셈블리 및 프레임 어셈블리 상에 분리가능하게 장착된 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들을 포함하고, 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들은 프로세싱 구역을 따라 배열된 표면을 제공한다.
[0008] 본 개시내용의 다른 양상에 따르면, 스퍼터 증착 챔버를 위한 차폐 디바이스가 제공된다. 차폐 디바이스는 스퍼터 증착 챔버에 그리고 스퍼터 증착 챔버 내의 프로세싱 구역을 따라 장착되도록 구성된 프레임 어셈블리, 및 프레임 어셈블리 상에 분리가능하게 장착된 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들을 포함하며, 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들은 프로세싱 구역 쪽으로 향하도록 구성된다.
[0009] 본 개시내용의 또 다른 양상에 따르면, 스퍼터 증착 챔버에서 전기적 차폐를 제공하기 위한 방법이 제공된다. 방법은, 프레임 어셈블리 상에 분리가능하게 장착된 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들을 사용하여 스퍼터 증착 챔버 내의 프로세싱 구역을 따라 등전위면(equipotential surface)을 제공하는 단계를 포함한다.
[0010] 실시예들은 또한, 개시된 방법들을 수행하기 위한 장치들에 관한 것이며, 각각의 설명된 방법 양상을 수행하기 위한 장치 부분들을 포함한다. 이들 방법 양상들은 하드웨어 컴포넌트들에 의해, 적절한 소프트웨어에 의해 프로그래밍된 컴퓨터에 의해, 이들 둘의 임의의 조합에 의해, 또는 임의의 다른 방식으로 수행될 수 있다. 게다가, 본 개시내용에 따른 실시예들은 또한, 설명되는 장치를 동작시키기 위한 방법들에 관한 것이다. 설명된 장치를 동작시키기 위한 방법들은 장치의 모든 각각의 기능을 수행하기 위한 방법 양상들을 포함한다.
[0011] 본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있다. 첨부 도면들은 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이고, 하기에서 설명된다:
도 1a는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 기판 상의 스퍼터 증착을 위해 구성된 시스템의 개략적인 평면도를 도시하고;
도 1b는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 스퍼터 증착 챔버를 위한 차폐 디바이스의 개략적인 평면도를 도시하고;
도 2는 본원에서 설명되는 다른 실시예들에 따른, 기판 상의 스퍼터 증착을 위해 구성된 시스템의 개략적인 평면도를 도시하고;
도 3은 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 스퍼터 증착 챔버를 위한 차폐 디바이스의 정면 사시도를 도시하고;
도 4는 도 3의 차폐 디바이스의 배면 사시도를 도시하고;
도 5는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 차폐 디바이스의 프레임 어셈블리의 개략도를 도시하고;
도 6은 도 5의 프레임 어셈블리의 단면 개략도를 도시하고;
도 7은 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 차폐 디바이스에 부착된 접지 디바이스의 개략도를 도시하고;
도 8a 및 8b는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 차폐 디바이스의 장착 구조의 개략도들을 도시하고;
도 9는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 차폐 디바이스의 장착 디바이스의 개략도들을 도시하고; 그리고
도 10은 본원에서 설명되는 실시예들에 따라, 스퍼터 증착 챔버에서 전기적 차폐를 제공하기 위한 방법의 흐름도를 도시한다.
[0012] 이제 본 개시내용의 다양한 실시예들이 상세하게 참조될 것이며, 다양한 실시예들의 하나 또는 그 초과의 예들은 도면들에서 예시된다. 도면들의 다음의 설명 내에서, 동일한 참조 번호들은 동일한 컴포넌트들을 지칭한다. 일반적으로, 개별적인 실시예들에 대한 차이들만이 설명된다. 각각의 예는 본 개시내용의 설명으로 제공되며, 본 개시내용의 제한으로서 의도되지 않는다. 또한, 일 실시예의 부분으로서 예시되거나 또는 설명되는 특징들은 또 다른 추가의 실시예를 산출하기 위해, 다른 실시예들에 대해 또는 다른 실시예들과 함께 사용될 수 있다. 설명은 이러한 수정들 및 변형들을 포함하도록 의도된다.
[0013] 기판 상의 스퍼터 증착을 위해 구성된 시스템들은 예컨대, 디스플레이들 또는 디스플레이들의 컴포넌트들, 이를테면, 박막 트랜지스터들의 제조에서 사용될 수 있다. 스퍼터 증착 프로세스 동안, 아킹 및/또는 기생 플라즈마가 발생할 수 있다. 아킹 및 기생 플라즈마들은 스퍼터 증착 프로세스의 프로세스 안정성, 프로세스 효율 및 프로세스 품질 중 적어도 하나에 영향을 미칠 수 있다.
[0014] 특히, 아킹은 스퍼터 증착 챔버 내의 전위차들로 인해 발생할 수 있다. 아킹은 예컨대, 기판 및/또는 기판이 상부에 포지셔닝된 캐리어를 손상시킬 수 있다. 또한, 아킹은 기판 상에 증착되는 재료 층의 균질성 및 순도 중 적어도 하나에 영향을 미칠 수 있다. 더욱이, AC 전력 소스로부터 스퍼터 증착 챔버 내의 구조들, 예컨대, 접지된 구조들로의 전기 경로들이 존재할 수 있으며, 이는 기생 플라즈마의 형성을 초래할 수 있다. 기생 플라즈마는 스퍼터 증착 프로세스의 효율, 이를테면, 기판 표면 상의 증착 레이트를 감소시킬 수 있다. 또한, 재료 층의 품질, 예컨대, 균질성 및/또는 순도가 감소될 수 있다.
[0015] 더욱이, 비-균질 AC 피드-인(feed-in) 및 AC 리턴 경로들로 인한 전위차들은 비-균질 플라즈마 조건들을 초래한다. 이는 불균일 막 증착 조건들 및 막의 예상되는 특성들, 이를테면, 기계적, 광학적, 전기적 및/또는 화학적 특성들과 관련하여 감소된 균일성을 갖는 막을 초래할 수 있다.
[0016] 본 개시내용은, AC 환경에서의 그것의 정의된 전기적 등전위면으로 인해 캐소드로서 동작되는 스퍼터 타겟에 대한 정의된 그리고 효과적인 애노드로서 작용하는 스퍼터 증착 챔버의 프로세싱 구역의 적어도 일부를 따라 장착된 차폐 디바이스, 이를테면, 전기적 차폐를 제공한다. 차폐 디바이스의 전기적 차폐는 프레임 어셈블리 상에 분리가능하게 장착된 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들에 의해 제공된다. 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들은 평평한 등전위면 또는 영역을 제공한다. 스퍼터 증착 프로세스 동안의 아킹 및/또는 기생 플라즈마들의 발생이 감소되거나 또는 심지어 회피될 수 있다. 특히, 아킹으로 인한 기판에 대한 손상이 방지될 수 있다. 아킹 및/또는 기생 플라즈마들에 의해 생성되는 입자들로 인한 재료 층의 오염이 감소되거나 또는 심지어 회피될 수 있다. 기판 상에 증착되는 재료 층의 균질성 및 순도가 개선될 수 있다.
[0017] 또한, 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들은 프레임 어셈블리 상에 분리가능하게 장착된다. 차폐 디바이스는 시스템, 예컨대, 인-라인 프로세싱 시스템의 용이해진 유지보수 및 감소된 작동불능시간(downtime)을 가능하게 한다. 시스템의 효율 및 스루풋이 증가될 수 있다. 일부 구현들에서, 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들은 재사용가능하거나 또는 일회용일 수 있다. 특히, 재사용가능한 전도성 시트들로부터 증착 재료를 제거하기 위해, 화학적 세정 및/또는 샌드블라스팅(sandblasting)이 이용될 수 있다. 다른 구현들에서, 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들은 일회용일 수 있으며, 예컨대, 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들이 손상되고 그리고/또는 증착 재료로 과도하게 커버될 때 교체될 수 있다. 일회용 전도성 시트들은 얇게 제조될 수 있는데, 왜냐하면, 전도성 시트들을 손상시키거나 또는 변형시킬 샌드블라스팅과 같은 어떤 세정 프로세스도 수행되지 않기 때문이다.
[0018] 본원에서 사용되는 바와 같은 "아킹"이라는 용어는 상이한 전기 전위들을 갖는 2개의 포인트들 사이의 전기적 플래시오버(electric flashover)를 지칭한다. 예로서, "아킹"은 상이한 전기 전위들을 갖는 2개의 포인트들(즉, 2개의 포인트들 사이에 전위차가 존재함) 사이의 개방 공간에 걸쳐 또는 재료 표면, 이를테면, 유전체 재료 표면을 따라 흐르는 전류로서 이해될 수 있다. 전위차가 임계값을 초과하는 경우에, 아킹이 발생될 수 있다. 임계값은 "플래시-오버 전압(flash-over voltage)" 또는 "스파크오버(sparkover)" 전압으로 지칭될 수 있다. 상이한 전기 전위들의 2개의 포인트들은, 스퍼터 증착 소스(예컨대, 타겟), 및 예컨대, 캐리어, 기판 및 스퍼터 증착 소스가 내부에 로케이팅된 스퍼터 증착 챔버 내에 제공된 다른 포인트 또는 캐리어의 일부에 의해 제공될 수 있다. 재료 표면에 걸친 마크들 또는 아킹 이벤트들은 또한, "크레이징(crazing)"으로 지칭될 수 있다.
[0019] 본 개시내용의 차폐 디바이스는 아킹 및 크레이징을 감소시키기 위해 AC 환경에서 등전위면을 제공하는 평평한 전기 전도성 표면을 갖는다. 또한, 차폐 디바이스는, 기생 플라즈마의 발생을 감소시키거나 또는 심지어 방지하기 위해, 챔버 벽의 데드 볼륨(dead volume)들을 실질적으로 RF-타이트(RF-tight)하게 커버한다.
[0020] 본 개시내용의 시스템, 차폐 디바이스, 및 방법은 AC 신호 또는 AC 신호 부분 및/또는 DC 신호 또는 DC 신호 부분을 제공하는 전력 공급부를 사용하여 스퍼터 증착 프로세스에서 사용되도록 구성될 수 있다. 예로서, 스퍼터 증착 프로세스는 AC 스퍼터 증착 프로세스일 수 있다. AC 스퍼터 증착 프로세스는, 캐소드 전압의 부호가 미리 결정된 레이트, 예컨대, 2 MHz, 13.56 MHz, 구체적으로는 27.12 MHz, 더 구체적으로는 40.68 MHz, 13.56 MHz의 배수, 또는 이들의 임의의 조합으로 변화되는 스퍼터 증착 프로세스이다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 스퍼터 증착 프로세스는 AC 전력 공급부, 이를테면, 고주파(HF; high frequency) 또는 라디오 주파수(RF; radio frequency) 전력 공급부, DC 전력 공급부, DC 및 AC 전력 공급부의 조합, 상이한 주파수들 및/또는 진폭들을 갖는 AC 신호들 또는 펄스들이 제공되는 혼합형 AC 전력 공급부, 펄스형 DC 전력 공급부, 펄스형 DC 및 AC 전력 공급부의 조합, DC 및 혼합형 AC 전력 공급부의 조합, 또는 펄스형 DC 및 혼합형 AC 전력 공급부의 조합을 활용할 수 있다.
[0021] 일부 구현들에서, 기판은 비가요성 기판, 예컨대, 플레이트, 또는 가요성 기판, 이를테면, 웹 또는 포일이다. 예로서, 기판은 1 mm 미만, 구체적으로는 0.1 mm 미만, 더 구체적으로는 50 ㎛ 미만의 두께를 가질 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 기판은 재료 증착에 적절한 임의의 재료로 제조될 수 있다. 예컨대, 기판은, 증착 프로세스에 의해 코팅될 수 있는, 유리(예컨대, 소다-석회 유리(soda-lime glass), 보로실리케이트 유리 등), 반도체, 금속, 폴리머, 세라믹, 이를테면, 유리 세라믹 또는 이트리아-안정화 지르코니아(YSZ; yttria-stabilized zirconia), 화합물 재료들, 탄소 섬유 재료들, 마이카(mica) 또는 임의의 다른 재료 또는 재료들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료로 제조될 수 있다. 예로서, 기판은 유리 세라믹, 이를테면, LAS 계들(예컨대, Li2O, Al2O3, SiO2 계), MAS 계들(MgO, Al2O3, SiO2 계) 및 ZAS 계들(ZnO, Al2O3, SiO2 계)로 제조될 수 있다.
[0022] 본원에서 설명되는 실시예들은, 예컨대, 배터리 또는 디스플레이 제조를 위해, 기판들 상의 물리적 증착, 이를테면, 물리 기상 증착을 위해 활용될 수 있다. 특히, 기판들은 대면적 기판들일 수 있다. 대면적 기판들은 0.01 ㎡부터 시작하는 사이즈들을 가질 수 있다. 예컨대, 대면적 기판 또는 캐리어는, 대략 0.67 ㎡ 기판들(0.73 × 0.92 m)에 대응하는 GEN 4.5, 대략 1.4 ㎡ 기판들(1.1 m × 1.3 m)에 대응하는 GEN 5, 대략 4.29 ㎡ 기판들(1.95 m × 2.2 m)에 대응하는 GEN 7.5, 대략 5.7 ㎡ 기판들(2.2 m × 2.5 m)에 대응하는 GEN 8.5, 또는 심지어 대략 8.7 ㎡ 기판들(2.85 m × 3.05 m)에 대응하는 GEN 10일 수 있다. 훨씬 더 큰 세대(generation)들, 이를테면, GEN 11 및 GEN 12, 및 대응하는 기판 면적들이 유사하게 구현될 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 본 개시내용에 따른 캐리어들은, 예컨대 0.0005 ㎡부터 시작하는 사이즈들을 갖는 하나의 대면적 기판 또는 다수의 소형 기판들을 지지하도록 구성될 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 구조들 및 방법들이 제공되는 기판들 또는 기판 캐리어들은 대면적 기판이지만, 본 개시내용은 이들로 제한되지 않는다.
[0023] 도 1a는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 기판 상의 스퍼터 증착을 위해 구성된 시스템(100)의 개략적인 평면도를 도시한다. 도 1b는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 스퍼터 증착 챔버를 위한 차폐 디바이스(130)의 개략적인 평면도를 도시한다.
[0024] 시스템(100)은 프로세싱 구역(112)을 갖는 스퍼터 증착 챔버(110), 프로세싱 구역(112)의 제1 측에 배열된 하나 또는 그 초과의 스퍼터 증착 소스들(120), 및 프로세싱 구역(112)의 제2 측에 배열된 차폐 디바이스(130)를 포함한다. 차폐 디바이스(130)는 스퍼터 증착 챔버(110)에 장착된 프레임 어셈블리(132) 및 프레임 어셈블리(132) 상에 분리가능하게 장착된 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(134)을 포함한다. 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(134)은 프로세싱 구역(112)의 적어도 일부를 따라 배열된 표면(136), 이를테면, 전도성 표면을 제공한다. 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(134), 특히 표면(136)은 프로세싱 구역(112) 쪽으로 향하도록 구성된다. 예로서, 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(134)은 하나 또는 그 초과의 스퍼터 증착 소스들(120) 쪽으로 향하도록 구성된다. 시스템(100)은 인-라인 시스템, 예컨대 인-라인 RF 스퍼터링 시스템일 수 있다.
[0025] 일부 실시예들에 따르면, 차폐 디바이스(130)는 적어도 2개의 전도성 시트들, 적어도 4개의 전도성 시트들, 더 구체적으로 적어도 6개의 전도성 시트들을 가질 수 있다. 복수의 전도성 시트들은 표면(136)을 제공한다. 특히, 전도성 시트들 각각의 표면은 적어도 0.1 ㎡, 구체적으로는 적어도 0.5 ㎡, 구체적으로는 적어도 1 ㎡, 구체적으로는 적어도 2 ㎡, 더 구체적으로는 적어도 3 ㎡일 수 있다. 예로서, 전도성 시트들 각각의 표면은 대략 0.5 ㎡일 수 있다. 개별 전도성 시트들의 표면들의 합은 표면(136)에 대응할 수 있다. 일부 구현들에서, 차폐 디바이스(130)는 "전기적 차폐부", "전기적 차폐 디바이스"로 지칭될 수 있다. 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들은 "차폐 플레이트들"로 지칭될 수 있다.
[0026] 일부 실시예들에서, 프로세싱 구역은, 기판(10)이 프로세싱될 수 있는 영역 또는 구역일 수 있다. 예컨대, 기판은 프로세싱 구역 내에 포지셔닝될 수 있고, 재료가 상부에 증착되어, 예컨대 박막 트랜지스터를 위한 층을 형성할 수 있다. 프로세싱 구역(112)은 하나 또는 그 초과의 스퍼터 증착 소스들(120)을 향하도록 로케이팅될 수 있다. 프로세싱 구역(112)은, 기판(10) 상에서의 증착 재료의 증착(의도된 증착)을 위해 제공 및/또는 배열된 영역 또는 구역일 수 있다. 프로세싱 구역(112)은 하나 또는 그 초과의 스퍼터 증착 소스들(120)과 차폐 디바이스(130) 사이에 포지셔닝될 수 있다.
[0027] 일부 구현들에서, 프로세싱 구역(112)의 제1 측 및 제2 측은 프로세싱 구역(112)의 대향 측들이다. 도 1a의 예에서, 제1 측은 프로세싱 구역(112)의 좌측이고, 제2 측은 프로세싱 구역(112)의 우측이다. 제1 측은 하나 또는 그 초과의 스퍼터 증착 소스들(120) (바로) 근처에 있을 수 있다. 제2 측은 차폐 디바이스(130) (바로) 근처에, 특히 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(134) 근처에 있을 수 있다.
[0028] 하나 또는 그 초과의 스퍼터 증착 소스들(120)은 각각의 플라즈마 구역들(도시되지 않음)을 제공할 수 있다. 스퍼터 증착 프로세스 동안, 플라즈마 구역들은 프로세싱 구역(112) 쪽으로 지향될 수 있다. 증착 재료가 플라즈마 구역에 제공된다. 예로서, 스퍼터 캐소드들의 자석 어셈블리들은 개선된 스퍼터링 조건들을 위해 플라즈마를 한정(confine)하는 데 활용될 수 있다. 일부 구현들에서, 플라즈마 구역은 스퍼터 증착 소스에 의해 제공되는 스퍼터링 플라즈마 구역으로 이해될 수 있다. 플라즈마 한정은 또한, 기판(10) 상에 증착될 재료의 입자 분포를 조정하는 데 활용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 플라즈마 구역은, 타겟으로부터 방출 또는 릴리즈되는 타겟 재료(증착 재료)의 원자들을 포함하는 구역에 대응한다. 플라즈마 구역은 자석 어셈블리들, 즉, 마그네트론들에 의해 한정될 수 있으며, 프로세싱 가스들 및/또는 증착 재료의 이온들 및 전자들은 마그네트론들 또는 자석 어셈블리 근처로 한정된다. 타겟으로부터 방출된 또는 릴리즈된 원자들 중 적어도 일부는 기판 상에 증착되어 재료 층을 형성한다.
[0029] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(134)은 프로세싱 구역(112)의 전체 범위를 따라 배열된다. 다시 말해서, 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(134)은 프로세싱 구역(112)의 전체 면(side) 또는 길이에 걸쳐 연장될 수 있다. 프로세싱 구역(112)의 범위 또는 길이는 프로세싱 구역(112)을 통해 연장되는 기판 이송 경로(40)에 평행한 방향으로 정의될 수 있다. 일부 구현들에서, 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(134)은 프로세싱 구역(112)의 범위 또는 길이의 적어도 50%, 구체적으로는 적어도 70%, 구체적으로는 적어도 90%, 더 구체적으로는 100% 에 걸쳐 연장될 수 있다.
[0030] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(134)의 표면은 등전위면을 제공하도록 구성된다. 특히, 등전위면은 표면(136), 예컨대 전도성 표면에 의해 제공될 수 있다. 본 개시내용 전반에 걸쳐 사용되는 바와 같은 "등전위면"이라는 용어는, 실질적으로 일정한 스칼라 전위의 표면을 나타낸다. 특히, 등전위면은 하나 또는 그 초과의 스퍼터 증착 소스들(120) 중 적어도 하나의 스퍼터 증착 소스에 대해 정의될 수 있다. 등전위면은 등전위면을 통과하는 네트 전계 라인(net electric field line)들에 실질적으로 수직일 수 있다. 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(134)의 표면은, 예컨대, 제조 허용오차들, 정렬 허용오차들, 및 프레임 어셈블리에 대한 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들의 장착 중 적어도 하나로 인한 상승부(elevation)들 및/또는 오목부(depression)들을 가질 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 또한, 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(134)의 표면은 "등전위면"또는 "평평한 등전위면"으로 이해되어야 한다.
[0031] 일부 실시예들에 따르면, 시트는 시트의 길이 및 폭보다 상당히 더 작은 두께를 갖는다. 예로서, 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(134)은 10 mm 미만, 구체적으로는 5 mm 미만, 구체적으로는 3 mm 미만, 구체적으로는 2 mm 미만, 더 구체적으로는 1 mm 미만의 두께를 갖는다. 예로서, 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(134)은 대략 3 mm의 두께를 갖는다. 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(134)은 프레임 어셈블리(132)에 의해 지지되고 프레임 어셈블리(132)에 고정되며, 감소된 두께를 가질 수 있다. 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(134)을 위해 사용되는 재료의 양은 감소될 수 있다. 제조 비용들이 낮아질 수 있다. 또한, 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(134)은 감소된 중량을 가져서, 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(134)의 장착 및 장착해제(demounting)(예컨대, 교체)를 용이하게 한다. 일부 구현들에서, 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(134)은, 예컨대, 알루미늄으로 제조된 얇은 일회용 차폐부를 제공한다.
[0032] "전도성 시트"및 "전도성 표면"과 같은 용어들에서 사용되는 "전도성"이라는 용어는 전기 전도도를 나타낸다. 예로서, 전도성 시트들 및/또는 전도성 표면은 20℃에서 적어도 105 (S/m), 구체적으로는 20℃에서 적어도 106 (S/m), 더 구체적으로는 20℃에서 적어도 107 (S/m)의 전도도를 가질 수 있다. S/m은 전도도의 SI 단위, 즉, 미터 당 지멘스(Siemens per meter)를 의미한다.
[0033] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(134)의 재료는 알루미늄, 구리, 강철(예컨대, 스테인리스 강), 티타늄, 및 이들의 임의의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택된다. 그러나, 본 개시내용은 이들로 제한되지 않으며, 다른 전기 전도성 재료들이 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(134)을 위해 사용될 수 있다.
[0034] 본원에서 설명된 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(134)은 거친 표면(roughened surface)을 갖는다. 예로서, 거친 표면은 Rz10 내지 Rz100의 범위, 구체적으로는 Rz20 내지 Rz50의 범위, 더 구체적으로는 Rz25 내지 Rz40의 범위의 거칠기(roughness)를 가질 수 있다. 일부 구현들에서, 거친 표면은, 예컨대 유리 비드(glass bead)들 및/또는 일렉트로 커런덤(electro corundum)을 이용한 샌드블라스팅에 의해 제공될 수 있다. 기판에 도달하지 않은 증착 재료는 거친 표면에 부착될 수 있다. 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(134)이 플리터링(flittering)되더라도, 증착된 재료의 플레이킹(flaking)은 감소되거나 또는 심지어 회피될 수 있다. 특히, 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(134) 상에 증착된 재료의 플레이크 오프(flake off)로 인한 입자 발생이 감소되거나 또는 심지어 회피될 수 있다. 기판(10) 상에 증착되는 재료 층의 순도가 개선될 수 있다. 또한, 입자 발생 또는 플레이킹이 더 긴 기간 동안 회피될 수 있으며, 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(134)은 덜 빈번하게 교체될 수 있다. 시스템 가동시간(system uptime)이 증가될 수 있다.
[0035] 일부 구현들에서, 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(134)은 더 양호한 접착을 위해 거친 표면 코팅(rough surface coating) 또는 접착제 코팅(adhesive coating)으로 코팅된다. 예로서, 프로세싱 구역(112) 또는 기판 이송 경로(40) 쪽으로 향하는 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(134)의 표면(136)이 코팅될 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(134), 예컨대 프로세싱 구역(112) 또는 기판 이송 경로(40) 쪽으로 향하는 표면(136)은, 아킹을 회피하기 위해 유전체 코팅 및 거친 표면 코팅 중 적어도 하나로 코팅될 수 있다. 예컨대, 유전체 코팅은 Al2O3, SiO2, 및 이트리아-안정화 지르코니아(YSZ; yttria-stabilized zirconia)로 이루어진 그룹으로부터 선택될 수 있다. 코팅의 표면은 등전위면을 제공할 수 있다.
[0036] 도 1a를 참조하면, 시스템(100)은 스퍼터 증착 챔버(110)를 통해 연장되는 하나 또는 그 초과의 기판 이송 경로들(40)을 갖는다. 구체적으로, 하나 또는 그 초과의 기판 이송 경로들(40)은 프로세싱 구역(112)을 통해 연장될 수 있다. 기판 이송 경로(40)는, 스퍼터 증착 챔버(110)를 통한, 특히, 프로세싱 구역(112)을 통한, 기판(10) 또는 기판(10)이 상부에 포지셔닝된 기판 캐리어(20)의 이송을 위해 구성된다. 하나 또는 그 초과의 기판 이송 경로들(40)은 차폐 디바이스(130)와 하나 또는 그 초과의 스퍼터 증착 소스들(120) 사이에 제공될 수 있다.
[0037] 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(134)은 기판 이송 경로(40) 쪽으로 향하도록 구성될 수 있다. 특히, 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(134)의 표면(136)은 기판 이송 경로(40)에 대향하여 제공될 수 있다. 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(134)은 기판 이송 경로(40) 및/또는 하나 또는 그 초과의 스퍼터 증착 소스들(120)에 대해 정렬될 수 있다. 예로서, 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(134)의 표면(136)은 기판 이송 경로(40)에 실질적으로 평행할 수 있다.
[0038] 일부 실시예들에 따르면, 이송 경로는, 기판 캐리어(20)가 스퍼터 증착 챔버(110)에서 이동 또는 운반될 수 있는 길(way)이다. 예로서, 기판 이송 경로(40)는 선형 이송 경로일 수 있다. 기판 이송 경로(40)는 스퍼터 증착 챔버(110)를 통해 기판 캐리어(20)에 대한 이송 방향(1)을 정의할 수 있다. 기판 이송 경로(40)는 단방향 이송 경로일 수 있거나 또는 양방향 이송 경로일 수 있다. 일부 구현들에서, 2개 또는 그 초과의 기판 이송 경로들이 제공될 수 있다. 예로서, 2개 또는 그 초과의 기판 이송 경로들은 스퍼터 증착 챔버(110)를 통해 실질적으로 서로 평행하게 연장될 수 있다.
[0039] 기판 캐리어(20)는, 예컨대 스퍼터 증착 프로세스, 이를테면, RF 스퍼터링 프로세스 동안 기판(10)을 지지하도록 구성된다. 기판 캐리어(20)는, 예컨대, 플레이트 또는 프레임에 의해 제공되는 지지 표면을 사용하여 기판(10)을 지지하도록 구성된 플레이트 또는 프레임을 포함할 수 있다. 선택적으로, 기판 캐리어(20)는 플레이트 또는 프레임에서 기판(10)을 홀딩하도록 구성된 하나 또는 그 초과의 홀딩 디바이스들(도시되지 않음)을 포함할 수 있다. 하나 또는 그 초과의 홀딩 디바이스들은 기계적 및/또는 자기 클램프(clamp)들 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 일부 구현들에서, 캐리어는 정전 척이다.
[0040] 본원에서 설명되는 일부 실시예들에 따르면, 시스템(100)은 스퍼터 증착 챔버(110)("증착 챔버"또는 "진공 프로세싱 챔버"로 또한 지칭됨), 및 스퍼터 증착 챔버(110) 내의 하나 또는 그 초과의 스퍼터 증착 소스들(120), 이를테면, 제1 스퍼터 증착 소스(122) 및 제2 스퍼터 증착 소스(124)를 포함한다. 하나 또는 그 초과의 스퍼터 증착 소스들(120), 이를테면, 제1 스퍼터 증착 소스(122) 및 제2 스퍼터 증착 소스(124)는, 예컨대, 기판 상에 증착될 재료의 타겟들을 갖는 평면형 캐소드들을 포함할 수 있다. 그러나, 본 개시내용은 평면형 캐소드들 또는 타겟들로 제한되지 않는다. 다른 캐소드들, 이를테면, 회전가능 캐소드들이 유사하게 구현될 수 있다.
[0041] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 차폐 디바이스(130)의 프레임 어셈블리(132)는 스퍼터 증착 챔버(110)의 챔버 벽, 이를테면, 수직 챔버 벽에 장착된다. 예로서, 프레임 어셈블리(132)는 스퍼터 증착 챔버(110)의 챔버 바디 또는 후방 벽 상에 장착될 수 있다.
[0042] 일부 구현들에서, 차폐 디바이스(130), 특히 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(134)은 프로세싱 구역(112), 기판 이송 경로(40) 및 하나 또는 그 초과의 스퍼터 증착 소스들(120) 중 적어도 하나에 대해 정렬된다. 예로서, 차폐 디바이스(130), 특히 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(134)은, 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(134)이 하나 또는 그 초과의 스퍼터 증착 소스들(120), 예컨대, 평면형 캐소드(들) 또는 평면형 타겟(들)의 표면에 대해 등전위면을 제공하도록, 정렬 또는 포지셔닝된다. 특히, 차폐부는, 평평한 등전위면 또는 영역을 제공하기 위해, 하나의 기하학적 라인을 따라, 인-라인 RF 스퍼터 증착 시스템, 예컨대 평면형 타겟들과 정렬될 수 있다.
[0043] 일부 실시예들에서, 기판 이송 경로(40) 또는 프로세싱 구역(112) 쪽으로 향하는 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(134)의 표면(136) 및 기판 이송 경로(40) 또는 프로세싱 구역(112) 쪽으로 향하는 평면형 타겟의 표면은 실질적으로 평행할 수 있다. "실질적으로 평행"이라는 용어는, 예컨대, 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(134)의 표면 및 평면형 타겟(들)의 표면의 실질적으로 평행한 배향에 관한 것이며, 정확한 평행 배향으로부터 몇 도(few degrees), 예컨대, 최대 10° 또는 심지어 최대 15°까지의 편차는 여전히 "실질적으로 평행"한 것으로 간주된다.
[0044] 도 1a에 표시된 바와 같이, 추가의 챔버들(111)이 스퍼터 증착 챔버(110) 근처에 제공될 수 있다. 스퍼터 증착 챔버(110)는, 예컨대 밸브 하우징 및 밸브 유닛을 갖는 밸브들(113)에 의해 근처의 챔버들로부터 분리될 수 있다. 상부에 기판(10)이 있는 기판 캐리어(20)가 스퍼터 증착 챔버(110) 내로 삽입된 후에, 밸브(113)는 폐쇄될 수 있다. 일부 구현들에서, 인접한 챔버들 사이에 어떤 밸브들도 제공되지 않는다. 스퍼터 증착 챔버(110) 내의 분위기(atmosphere)는, 예컨대, 스퍼터 증착 챔버(110)에 연결된 진공 펌프들을 이용하여 기술적인 진공을 생성함으로써, 그리고/또는 스퍼터 증착 챔버(110) 내의 증착 구역에 프로세스 가스들을 삽입함으로써, 개별적으로 제어될 수 있다.
[0045] 일부 실시예들에 따르면, 프로세스 가스들은 불활성 가스들, 이를테면 아르곤, 및/또는 반응성 가스들, 이를테면 산소, 질소, 수소 및 암모니아(NH3), 오존(O3), 활성화된 가스들 등을 포함할 수 있다. 스퍼터 증착 챔버(110) 내에서, 기판 캐리어(20)를 기판 이송 경로(40)를 따라 스퍼터 증착 챔버(110) 내로 그리고 스퍼터 증착 챔버(110)를 통해 그리고 스퍼터 증착 챔버(110) 밖으로 이송하기 위해, 롤러들 및 자기 디바이스들 중 적어도 하나를 포함하는 이송 시스템이 제공될 수 있다.
[0046] 스퍼터 증착 프로세스는 AC 전력, DC 전력, 또는 이들의 조합 중 적어도 하나를 사용할 수 있다. 예로서, 스퍼터 증착 프로세스는 AC 스퍼터 증착 프로세스일 수 있다. AC 스퍼터 증착 프로세스는, 캐소드 전압의 부호가 미리 결정된 레이트, 예컨대, 2 MHz, 13.56 MHz, 구체적으로는 27.12 MHz, 더 구체적으로는 40.68 MHz, 13.56 MHz의 배수, 또는 이들의 임의의 조합으로 변화되는 스퍼터 증착 프로세스일 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, AC 스퍼터 증착 프로세스는 고 주파수(HF; high frequency) 또는 무선 주파수(RF; radio frequency) 스퍼터 증착 프로세스일 수 있다. 그러나, 본 개시내용은 AC 전력을 사용한 스퍼터 증착 프로세스들로 제한되지 않고, 본원에서 설명되는 실시예들은 다른 스퍼터 증착 프로세스들, 이를테면, DC 스퍼터 증착 프로세스들에서 사용될 수 있다.
[0047] 본원에서 설명되는 일부 실시예들에 따르면, 시스템(100)은 하나 또는 그 초과의 스퍼터 증착 소스들(120)에 연결된 하나 또는 그 초과의 전력 공급부들을 가질 수 있다. 일부 구현들에서, 각각의 스퍼터 증착 소스는 자기 자신의 전력 공급부를 가질 수 있다. 예로서, 하나 또는 그 초과의 전력 공급부들 중 제1 전력 공급부(126)는, 예컨대, 제1 매치박스(matchbox)(127)를 통해 제1 스퍼터 증착 소스(122)에 연결될 수 있다. 하나 또는 그 초과의 전력 공급부들 중 제2 전력 공급부(128)는, 예컨대, 제2 매치박스(129)를 통해 제2 스퍼터 증착 소스(124)에 연결될 수 있다. 다른 구현들에서, 하나 또는 그 초과의 스퍼터 증착 소스들(120)은, 예컨대 하나 또는 그 초과의 매치박스들을 통해, 동일한 전력 공급부에 연결될 수 있다.
[0048] 일부 구현들에서, 전력 공급 피드-인(power supply feed-in)은 매치박스를 통해 타겟에 연결되는 반면, 타겟을 둘러싸는 가스 샤워(gas shower)는 챔버 바디(RF- 접지됨)와 전기적으로 연결되고 각각의 매치박스 및 각각의 전력 공급부에 대한 RF 리턴 경로로서 사용된다. 대향 측 상의 전기적 차폐부는 또한, 챔버 바디에 대해 DC 및 RF 접지되며, 전면(front)까지의 정의된 RF 리턴 경로를 제공한다.
[0049] 일부 실시예들에 따르면, 하나 또는 그 초과의 전력 공급부들은 AC 전력 공급부, DC 전력 공급부, 펄스형 DC 전력 공급부, AC/DC 전력 공급부 및 혼합형 신호 전력 공급부 중 적어도 하나를 위해 구성될 수 있다. AC 전력 공급부들은 AC(사인파형 또는 펄스형) 전력 또는 전력 신호들을 생성하도록 구성된다. AC/DC 전력 공급부들은 AC 및 DC 전력 또는 전력 신호들의 조합을 생성하도록 구성된다. 혼합형 신호 전력 공급부들은 상이한 주파수들 또는 진폭들을 갖는 AC 신호들 또는 펄스들을 갖는 전력 또는 전력 신호들을 생성하도록 구성된다. 예로서, 전력 공급부들은, AC 전력 공급부들, DC 전력 공급부들, DC 및 AC 전력 공급부들의 조합들, 혼합형 AC 전력 공급부들, 펄스형 DC 전력 공급부들, 펄스형 DC 및 AC 전력 공급부들의 조합들, DC 및 혼합형 AC 전력 공급부들의 조합들, 펄스형 DC 및 혼합형 AC 전력 공급부들의 조합들, 및 이들의 임의의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택될 수 있다.
[0050] 본원에서 설명되는 일부 실시예들에 따르면, 스퍼터 증착 프로세스는 마그네트론 스퍼터링으로서 실시될 수 있다. 본원에서 사용되는 바와 같이, "마그네트론 스퍼터링"은 자석 어셈블리, 예컨대 자기장을 생성할 수 있는 유닛을 사용하여 수행되는 스퍼터링을 지칭한다. 이러한 자석 어셈블리는 영구 자석으로 구성될 수 있다. 이 영구 자석은, 타겟 표면 아래에 생성되는 생성된 자기장 내에 자유 전자들이 포획되는 방식으로, 평면형 타겟에 커플링되게 배열될 수 있다.
[0051] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 시스템(100)은 기판(10) 상에 절연 재료를 증착하도록 구성될 수 있다. 예로서, 시스템(100)은 기판(10) 상의 증착을 위해 절연 타겟 재료를 사용할 수 있다. 시스템(100)은, 반도체들(예컨대, InGaZnO), 투명 전도성 산화물들(투명 전도성 산화물(TCO; transparent conductive oxide)들, 예컨대, ITO, AZO, IZO), 배터리 전해액들, 이를테면, LiPON, 및 배터리 캐소드 재료들(예컨대, LiCoO, LiCoAlO, LiGaCoO, LiNiCoO, LiMnO, LiMgCoO, LiFePO, LiMFePO4(M=Zr, Nb, Mg, Co, Mn, Ni 또는 이들의 조합) LiBMnO, 및 바나듐 산화물)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 재료의 증착을 위해 사용될 수 있다.
[0052] 본원에서 설명되는 시스템, 차폐 디바이스 및 방법은 수직 기판 프로세싱을 위해 사용될 수 있다. 일부 구현들에 따르면, 본 개시내용의 캐리어(20)는 기판(10)을 실질적 수직 배향으로 홀딩하도록 구성된다. "수직 기판 프로세싱"이라는 용어는 "수평 기판 프로세싱"과 구별되는 것으로 이해된다. 예컨대, 수직 기판 프로세싱은 기판 프로세싱 동안의 캐리어(20) 및 기판(10)의 실질적 수직 배향과 관련되며, 여기서, 정확한 수직 배향으로부터 몇 도(few degrees), 예컨대, 최대 10° 또는 심지어 최대 15°까지의 편차는 여전히 수직 기판 프로세싱으로 간주된다. 수직 방향은 중력에 실질적으로 평행할 수 있다. 예로서, 기판(10) 상의 스퍼터 증착을 위해 구성된 시스템(100)은 수직으로 배향된 기판 상의 스퍼터 증착을 위해 구성될 수 있다.
[0053] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 캐리어(20) 및 기판(10)은 증착 재료의 스퍼터링 동안 정적이거나 또는 동적이다. 본원에서 설명되는 일부 실시예들에 따르면, 동적 스퍼터 증착 프로세스는, 예컨대, 배터리 또는 디스플레이 제조를 위해 제공될 수 있다. 본 개시내용의 실시예들은 그러한 동적 스퍼터 증착 프로세스들에 특히 유익할 수 있는데, 왜냐하면, RF 플라즈마를 통해 이동하는 전기 전도성 재료들이, 상이한 전기 전위들로 인해, 아킹을 야기할 수 있기 때문이다. 본 개시내용의 실시예들에 의해 제공되는 차폐 디바이스는 그러한 동적 시스템에서의 아킹의 발생을 감소시키거나 또는 심지어 회피할 수 있다. 더욱이, 차폐 디바이스는 RF 플라즈마 조건들을 균질하게 유지하는 것을 돕는데, 이는 균일한 막 특성들을 갖는 막 증착에 유익하다.
[0054] 도 2는 본원에서 설명되는 다른 실시예들에 따른, 기판(도시되지 않음) 상의 스퍼터 증착을 위해 구성된 시스템의 개략적인 평면도를 도시한다.
[0055] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 시스템은 2개 또는 그 초과의 스퍼터 증착 챔버들, 이를테면, 제1 스퍼터 증착 챔버(272) 및 제2 스퍼터 증착 챔버(274)를 갖는다. 2개 또는 그 초과의 스퍼터 증착 챔버들은, 도 1a를 참조하여 설명된 밸브와 유사한 밸브들(278)을 사용하여 분리될 수 있다.
[0056] 2개 또는 그 초과의 스퍼터 증착 챔버들 중 각각의 스퍼터 증착 챔버는 하나 또는 그 초과의 스퍼터 증착 소스들(250)을 가질 수 있다. 예로서, 제1 스퍼터 증착 챔버(272)는 제1 스퍼터 증착 소스(251) 및 제2 스퍼터 증착 소스(252)를 가질 수 있다. 제2 스퍼터 증착 챔버(274)는 제3 스퍼터 증착 소스(253) 및 제4 스퍼터 증착 소스(254)를 가질 수 있다. 기판 이송 경로(40)는 적어도, 2개 또는 그 초과의 스퍼터 증착 챔버들을 통해 연장될 수 있다. 일부 구현들에서, 기판은 기판 상에 2개 또는 그 초과의 재료 층들의 증착을 위해 2개 또는 그 초과의 스퍼터 증착 챔버들을 통해 이송될 수 있다.
[0057] 일부 실시예들에 따르면, 각각의 스퍼터 증착 챔버는 차폐 디바이스를 포함한다. 예로서, 제1 스퍼터 증착 챔버(272)는 제1 차폐 디바이스를 포함할 수 있고, 제2 스퍼터 증착 챔버(274)는 제2 차폐 디바이스를 포함할 수 있다. 차폐 디바이스는 스퍼터 증착 챔버의 챔버 벽, 이를테면, 후방 벽(276)에 장착될 수 있다. 2개의 인접한 스퍼터 증착 챔버들의 차폐 디바이스들, 특히 각각의 차폐 디바이스들의 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(240)은 실질적으로 끊김없이(seamlessly) 함께 접합되도록 구성될 수 있다. 특히, 차폐 디바이스들, 특히 차폐 디바이스들의 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(240)은, 2개 또는 그 초과의 스퍼터 증착 챔버들을 통해 연장되는 실질적으로 연속적인 등전위면을 제공하기 위해 서로에 대해 정렬될 수 있다. 특히, 실질적으로 연속적인 등전위면은 또한, 인접한 스퍼터 증착 챔버들의 연결 구역, 이를테면, 밸브(278)의 구역에 제공될 수 있다.
[0058] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 프레임 어셈블리는 베이스 프레임(base frame)(210), 장착 프레임(220) 및 하나 또는 그 초과의 측면 프레임 엘리먼트(side frame element)들(230)을 포함한다. 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(240)은 장착 프레임(220)에 장착될 수 있다. 프레임 어셈블리는, 스퍼터 증착 챔버 내에서의 차폐 디바이스의 정확한 포지셔닝을 가능하게 할 수 있다. 트리플 프레임 구조를 갖는 프레임 어셈블리는, 차폐 디바이스의 용이해진 유지 보수, 예컨대 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(240)의 교체를 가능하게 할 수 있다. 차폐 디바이스의 프레임 어셈블리는 도 3 내지 6을 참조하여 추가로 설명된다.
[0059] 도 3은 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 스퍼터 증착 챔버를 위한 차폐 디바이스(300)의 정면 사시도를 도시한다. 도 4는 도 3의 차폐 디바이스(300)의 배면 사시도를 도시한다. 도 5는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 차폐 디바이스(300)의 프레임 어셈블리의 개략도를 도시한다. 도 6은 도 5의 프레임 어셈블리의 단면 개략도를 도시한다.
[0060] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 프레임 어셈블리는 스퍼터 증착 챔버에 연결가능한 베이스 프레임(310)을 포함한다. 특히, 베이스 프레임(310)은 스퍼터 증착 챔버의 챔버 벽, 이를테면, 후방 벽에 연결가능할 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 베이스 프레임(310)은, 예컨대, 스크루(screw)들 및 클램프들 중 적어도 하나를 사용하여 스퍼터 증착 챔버에 분리가능하게 연결될 수 있다. 다른 구현들에서, 베이스 프레임(310)은 스퍼터 증착 챔버, 예컨대, 스퍼터 증착 챔버의 후방 벽에 용접될 수 있다.
[0061] 일부 구현들에서, 베이스 프레임(310)은 하나 또는 그 초과의 길이방향 베이스 바(longitudinal base bar)들(311), 예컨대, 하나 또는 그 초과의 수직 베이스 바들을 갖는다. 베이스 프레임(310)은 하나 또는 그 초과의 크로스 베이스 바(cross base bar)들(312), 예컨대, 하나 또는 그 초과의 수평 베이스 바들을 가질 수 있다. 베이스 프레임(310)은 SuS("Steel Use Stainless": 일본 강철 등급) 재료, Al, 및 AlMg3로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료로 제조될 수 있다.
[0062] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 프레임 어셈블리는 장착 표면을 갖는 장착 프레임(320)을 포함한다. 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(340)은 장착 표면 상에 분리가능하게 장착될 수 있다. 예로서, 장착 프레임(320)은 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(340)을 지지하도록 구성될 수 있다. 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(340)은, 하나 또는 그 초과의 도전성 시트들(340)의 이동들, 이를테면, 플리터링을 감소시키거나 또는 심지어 회피하기 위해, 장착 프레임(320)에 고정식으로 장착될 수 있다. 일부 구현들에서, 장착 프레임(320)은 "커넥터 프레임"으로 지칭될 수 있다.
[0063] 일부 실시예들에 따르면, 장착 프레임(320)은 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(340)과 베이스 프레임(310) 사이의 연결 또는 인터페이스를 제공할 수 있다. 일부 실시예들에서, 장착 프레임(320)은, 예컨대, 스크루들 및 클램프들 중 적어도 하나를 사용하여 베이스 프레임(310)에 분리가능하게 장착되도록 구성될 수 있다. 다른 구현들에서, 장착 프레임(320)은 베이스 프레임(310)에 용접될 수 있다.
[0064] 일부 구현들에서, 장착 프레임(320)은 하나 또는 그 초과의 길이방향 장착 바들(321), 예컨대, 하나 또는 그 초과의 수직 장착 바들을 갖는다. 장착 프레임(320)은 하나 또는 그 초과의 크로스 장착 바들(322), 예컨대, 하나 또는 그 초과의 수평 장착 바들을 가질 수 있다. 장착 프레임(320)은 알루미늄으로 제조될 수 있다.
[0065] "수평"이라는 용어는 "수직"과 구별되는 것으로 이해된다. 즉, "수평" 및 "수직"은, 예컨대, 장착 프레임(320) 및/또는 베이스 프레임(310)의 바들 또는 프레임 어셈블리의 실질적 수평 또는 수직 배향에 관한 것이며, 정확한 수평 또는 수직 배향으로부터 몇 도(few degrees), 예컨대, 최대 10° 또는 심지어 최대 15°까지의 편차는 여전히 "수평" 또는 "수직"으로 간주된다. 수직 방향은 중력에 실질적으로 평행할 수 있다.
[0066] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 프레임 어셈블리는 하나 또는 그 초과의 측면 프레임 엘리먼트들(330)을 포함한다. 하나 또는 그 초과의 측면 프레임 엘리먼트들(330)은 차폐 디바이스(300), 특히 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(340)의 측방향 종단(lateral termination)을 제공할 수 있다. 하나 또는 그 초과의 측면 프레임 엘리먼트들(330)은, 차폐 디바이스(300)와 스퍼터 증착 챔버의 하나 또는 그 초과의 벽들 사이의, 예컨대 베이스 프레임(310) 및 장착 프레임(320) 중 적어도 하나와 스퍼터 증착 챔버의 하나 또는 그 초과의 벽들 사이의 공간을 밀봉할 수 있다. 차폐 디바이스(300) 뒤(behind)의 볼륨들(예컨대, 데드 볼륨들)은 RF 침투에 대해 밀봉되거나 커버될 수 있다. 이러한 볼륨들에서의 RF 파 침투가 방지될 수 있어서, 기생 플라즈마들의 발생이 감소되거나 또는 심지어 회피될 수 있다. 특히, (벽) 차폐부 뒤의 RF 누출 및 기생 플라즈마의 발생이 회피될 수 있다. 일부 구현들에서, 하나 또는 그 초과의 측면 프레임 엘리먼트들(330)은 "측면 커넥터 프레임"으로 지칭될 수 있다.
[0067] 일부 구현들에서, 하나 또는 그 초과의 측면 프레임 엘리먼트들(330)은 바들, 예컨대, L-형상 바들일 수 있다. 예컨대, 하나 또는 그 초과의 측면 프레임 엘리먼트들(330)은 장착 표면을 가질 수 있으며, 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(340) 중 적어도 일부는 하나 또는 그 초과의 측면 프레임 엘리먼트들(330)의 장착 표면 상에 분리가능하게 장착된다. 하나 또는 그 초과의 측면 프레임 엘리먼트들(330)의 장착 표면은, 프레임 어셈블리가 어셈블링된 상태에서 장착 프레임(320)의 장착 표면에 실질적으로 평행할 수 있다. 하나 또는 그 초과의 측면 프레임 엘리먼트들은 알루미늄으로 제조될 수 있다.
[0068] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 차폐 디바이스(300)는 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(340)을 프레임 어셈블리에 장착하도록 구성된 하나 또는 그 초과의 장착 디바이스들(360)을 포함한다. 예로서, 하나 또는 그 초과의 장착 디바이스(360)는 스크루들이다. 장착 디바이스는 도 9를 참조하여 추가로 설명된다.
[0069] 일부 구현들에서, 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(340)은, 예컨대, 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(340)의 최상부 측 및 최하부 측 중 적어도 하나에서, 폴드(fold) 또는 비딩(beading)(342)을 가질 수 있다. 특히, 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들은 최상부 측, 최하부 측 및 측방향 측들을 가질 수 있다. 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(340)이 직립 포지션(upright position)에 있을 때, 예컨대, 수직으로 배향될 때, 최상부 측은 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(340)의 상부 측으로 정의될 수 있다. 폴드 또는 비딩(342)은, 예컨대 수평 벤딩(horizontal bending)에 대해 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(340)을 안정화시킬 수 있다.
[0070] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 프레임 어셈블리는 프레임 어셈블리의 최상부(예컨대, 최상부 측) 및 최하부(예컨대, 최하부 측) 중 적어도 하나에 제공된 전도성 메시(conductive mesh)(354) 또는 그리드(grid)를 포함한다. 전도성 메시(354)는 금속 메시일 수 있다. 예로서, 금속 메시의 재료는 금속, Cu, 및 강철, 이를테면, 스테인리스 강으로 이루어진 그룹으로부터 선택될 수 있다. 일부 구현들에서, 프레임 어셈블리는 메시 프레임(352) 및 전도성 메시(354)를 포함하는 메시 어셈블리(350)를 포함한다. 메시 프레임(352)은 애퍼처 개구(aperture opening)를 가질 수 있으며, 전도성 메시(354)는 애퍼처 개구 내에 제공될 수 있다. 메시 프레임(352)은 프레임 어셈블리의 최상부 측 및/또는 최하부 측 상에 장착되도록 구성될 수 있다. 예컨대, 메시 프레임(352)은 베이스 프레임(310)에 장착되도록 구성될 수 있다.
[0071] 메시 어셈블리(350)는 차폐 디바이스(300)(예컨대, 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(340) 중 적어도 하나)와 스퍼터 증착 챔버의 하나 또는 그 초과의 벽들, 예컨대, 후방 벽 사이의 공간을 커버할 수 있다. 전도성 메시(354)는 차폐부 뒤의 볼륨들에서의 기생 플라즈마 생성을 회피하기 위해 차폐부(하나 또는 그 초과의 전도성 시트들) 뒤에서의 RF 누출을 감소시키거나 또는 심지어 방지할 수 있다. 전도성 메시(354)는 또한 "RF 메시"로 지칭될 수 있다. 일부 구현들에서, 전도성 메시(354)는 개구들을 가질 수 있으며, 개구들의 사이즈(예컨대, 직경)는, RF 파들이 전도성 메시(354)를 통과하는 것을 방지하도록 구성될 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 개구들의 사이즈들은 RF 파들의 파장(들)보다 더 작을 수 있다. 예컨대, 개구들의 사이즈들은 RF 파들의 파장(들)보다 더 작다.
[0072] 전도성 메시(354)의 개구들은 후면측 볼륨, 예컨대 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(340) 뒤의 볼륨의 진공 펌핑을 가능하게 한다. 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(340) 뒤의 볼륨은 스퍼터 증착 챔버의 후방 벽과 차폐 디바이스(300) 사이의 볼륨을 포함하거나 또는 그 볼륨일 수 있다. 차폐 디바이스(300)가, 예컨대, 후방 벽의 전면에 설치된 이후에도, 스퍼터 증착 챔버 내에서 진공 조건들이 확립될 수 있다.
[0073] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 2개의 인접한 전도성 시트들 사이에 갭(344)이 제공된다. 갭(344)은 2개의 인접한 전도성 시트들 사이에서 실질적으로 수직으로 연장될 수 있다. 갭(344)은 수평 방향으로의 전도성 시트들(340)의 열적 팽창을 가능하게 한다.
[0074] 도 7은 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 차폐 디바이스에 부착된 접지 디바이스의 개략도를 도시한다.
[0075] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 차폐 디바이스는 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(340) 및 프레임 어셈블리 중 적어도 하나를 접지시키도록 구성된 하나 또는 그 초과의 접지 디바이스들을 포함한다. 일부 구현들에서, 하나 또는 그 초과의 접지 디바이스들은 직류(DC; direct current) 접지 및 RF 접지 중 적어도 하나를 제공하도록 구성될 수 있다. 예로서, 하나 또는 그 초과의 접지 디바이스들은 RF 리턴 경로를 제공할 수 있다. 특히, 차폐 디바이스 상의 RF 전류는, 예컨대, 최소의 RF 손실들로 매치박스에 리턴될 수 있다. 전도성 시트의 표면 상의 RF-전류의 방향은 도면 부호 701로 표시된다. 스퍼터 증착 챔버의 내부, 예컨대, 챔버 바디의 내부 전면은 RF 리턴-경로/RF 접지에 대해 잘 정의된 표면인데, 왜냐하면, 그 표면은 방해(interruption) 없이 RF 접지 디바이스를 통해 스퍼터 타겟 근처의 표면에 연결되기 때문이다. 이러한 근처의 표면, 예컨대, 가스 샤워는, 매치박스 및 전력 공급부 RF 접지/리턴 경로에 연결될 때, RF 리턴을 위한 수신 영역으로서의 역할을 한다.
[0076] 일부 구현들에서, 접지 디바이스는 연결 디바이스(710) 및 연결 라인(720)을 포함한다. 연결 디바이스(710)는 연결 라인(720)을 차폐 디바이스, 예컨대 차폐 디바이스의 최상부 측에 연결 또는 부착하도록 구성될 수 있다. 2개 또는 그 초과의 연결 라인들(720)을 차폐 디바이스에 연결하기 위해 하나의 연결 디바이스(710)가 제공될 수 있다. 다른 구현들에서, 각각의 연결 라인(720)은 각각의 연결 디바이스를 사용하여 차폐 디바이스에 연결될 수 있다.
[0077] 일부 실시예들에 따르면, 연결 디바이스(710)는 전도성 시트(340), 전도성 시트(340)의 비딩(342), 베이스 프레임, 커넥터 프레임 및 측면 프레임 엘리먼트 중 적어도 하나에 연결가능할 수 있다. 연결 디바이스(710)는 클램프 또는 클리트(cleat), 이를테면, 구리 클램프 또는 구리 클리트일 수 있다. 클리트는 제1 엘리먼트(712) 및 제2 엘리먼트(714)를 가질 수 있다. 연결 라인(720)의 일부 및 차폐 디바이스의 일부, 예컨대 비딩(342)의 일부는 제1 엘리먼트(712)와 제2 엘리먼트(714) 사이에 샌드위치될 수 있다. 연결 라인(720)의 일부 및 차폐 디바이스의 일부를 제1 엘리먼트(712)와 제2 엘리먼트(714) 사이에 기계적으로 클램핑하기 위해, 하나 또는 그 초과의 스크루들(716)이 제1 엘리먼트(712)와 제2 엘리먼트(714)를 서로 연결하는 데 사용될 수 있다. 연결 디바이스(710), 이를테면, 구리 클리트는 그 주위로 RF 전류를 조장하여 RF 안테나들을 회피하도록 둥근 에지들을 가질 수 있다.
[0078] 연결 라인(720)은 가요성 연결 라인일 수 있다. 예로서, 연결 라인(720)은 구리 밴드, 이를테면, 가요성 구리 밴드일 수 있다. 연결 라인(720)은 스퍼터 증착 챔버, 예컨대, 스퍼터 증착 챔버의 벽, 이를테면, 후방 벽에 연결될 수 있다. 특히, 연결 라인(720)은 메인 챔버 바디의 전면 측(예컨대, 내부 챔버 바디 전면)에 연결될 수 있다.
[0079] 차폐 디바이스는, 차폐 디바이스, 이를테면, 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(340)의 최상부 측(예컨대, 수평 상부 측)에 주기적으로 배열된 복수의 접지 디바이스들을 포함할 수 있다. 예로서, 복수의 연결 디바이스들(710)은 차폐 디바이스에서 서로 미리 결정된 거리들로 배열될 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 미리 결정된 거리는 5 cm 내지 50 cm의 범위, 구체적으로는 5 cm 내지 30 cm의 범위, 더 구체적으로는 10 cm 내지 20 cm의 범위일 수 있다. 예컨대, 미리 결정된 거리는 대략 10 cm일 수 있다.
[0080] 연결 디바이스들(710) 및 연결 라인들(720)은, 예컨대, 밴드 에지들의 박리(delaminating)로부터의 RF 반사를 회피하기 위한 개선된 RF-접촉을 제공하기 위해, 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(340)의 RF-전류 수신 측 상에 정렬될 수 있다.
[0081] 도 8a 및 8b는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 차폐 디바이스의 장착 구조의 개략도들을 도시한다.
[0082] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 차폐 디바이스(300)는 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(340)을 프레임 어셈블리에 장착하도록 구성된 하나 또는 그 초과의 장착 디바이스들(360)을 포함한다. 예로서, 하나 또는 그 초과의 장착 디바이스(360)는 스크루들 및 앨런 키(Allen key)들 중 적어도 하나를 포함한다.
[0083] 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들(340)은 복수의 관통 홀(through hole)들을 가질 수 있다. 복수의 관통 홀들 중 적어도 일부는 커넥터 프레임의 각각의 홀들, 이를테면, 스레드형 홀(threaded hole)들에 대응할 수 있다. 장착 디바이스들(360)은 전도성 시트들(340)의 관통 홀들을 통과하여 커넥터 프레임의 홀들에 삽입되도록 구성될 수 있다.
[0084] 일부 구현들에서, 관통 홀들은 전도성 시트의 주변 부분들에 배열된다. 관통 홀들은 전도성 시트의 상부 주변 부분(예컨대, 최상부 측), 하부 주변 부분(예컨대, 최하부 측) 및 측방향 주변 부분들(예컨대, 좌측 및 우측) 중 적어도 하나에 배열될 수 있다. 도 8a의 예에서 도시된 바와 같이, 관통 홀들은 전도성 시트의 상부 주변 부분(예컨대, 최상부 측) 및 측방향 주변 부분들(예컨대, 좌측 및 우측)에 배열될 수 있다.
[0085] 관통 홀들은 각각의 라인들을 따라 배열될 수 있다. 예로서, 상부 주변 부분(예컨대, 최상부 측)의 관통 홀들 및/또는 하부 주변 부분(예컨대, 최하부 측)의 관통 홀들은 실질적 수평 라인을 따라 배열될 수 있다. 측방향 주변 부분들(예컨대, 좌측 및 우측)의 관통 홀들은 실질적 수직 라인을 따라 배열될 수 있다.
[0086] 일부 실시예들에 따르면, 관통 홀들 중 적어도 일부는 슬롯들 또는 세장형 홀들(긴 홀들)일 수 있다. 슬롯들 또는 세장형 홀들은 길이 및 폭을 갖는 관통 홀들일 수 있으며, 길이는 폭보다 더 크다. 예로서, 슬롯들 또는 세장형 홀들은 둥근 에지들을 갖는 실질적 직사각형 형상을 가질 수 있다. 슬롯들 또는 세장형 홀들은, 특히 슬롯 또는 세장형 홀의 더 긴 치수(길이)를 따라 전도성 시트의 열적 팽창을 가능하게 한다. 예로서, 관통 홀들의 패턴은, 전도성 시트의 수평 및/또는 수직 열적 팽창을 수용하도록 제공될 수 있다. 특히, 슬롯들 또는 세장형 홀들은 전도성 시트의 열적 팽창, 이를테면, 수평 및/또는 수직 열적 팽창을 가능하게 하도록 배향될 수 있다. 전도성 시트의 벤딩은 감소되거나 또는 심지어 회피될 수 있다.
[0087] 일부 구현들에서, 예컨대 상부 주변 부분(예컨대, 최상부 측) 및/또는 하부 주변 부분(예컨대, 최하부 측)에 수평 라인을 따라 배열된 관통 홀들은 수직 방향보다는 수평 방향으로 더 길 수 있다. 예컨대, 측방향 주변 부분들(예컨대, 좌측 및 우측)에 수직 라인을 따라 배열된 관통 홀들은 수평 방향보다는 수직 방향으로 더 길 수 있다.
[0088] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 관통 홀들은, 상부 주변 부분(예컨대, 최상부 측)에 수평 라인을 따라 배열된 제1 관통 홀들(810), 하부 주변 부분(예컨대, 최하부 측)에 수평 라인을 따라 배열된 제2 관통 홀들(820) 및/또는 예컨대, 측방향 주변 부분들(예컨대, 좌측 및 우측)에 수직 라인을 배열된 제3 관통 홀들(830)을 포함한다.
[0089] 상부 주변 부분(예컨대, 최상부 측)에 수평 라인을 따라 배열된 제1 관통 홀들(810)은 수직 방향보다 수평 방향으로 더 길 수 있다. 하부 주변 부분(예컨대, 최하부 측)에 수평 라인을 따라 배열된 제2 관통 홀들(820) 및/또는 예컨대, 측방향 주변 부분들(예컨대, 좌측 및 우측)에 수직 라인을 따라 배열된 제3 관통 홀들(830)은 수평 방향보다는 수직 방향으로 더 길 수 있다.
[0090] 예로서, 하부 주변 부분(예컨대, 최하부 측)에 수평 라인을 따라 배열된 제2 관통 홀들(820) 및 예컨대, 측방향 주변 부분들(예컨대, 좌측 및 우측)에 수직 라인을 따라 배열된 제3 관통 홀들(830)은 실질적으로 동일할 수 있다. 일부 구현들에서, 하부 주변 부분에 수평 라인을 따라 배열된 관통 홀들 및 수직 라인들을 따라 배열된 관통 홀들의 폭(더 작은 치수)은, 상부 주변 부분에 수평 라인을 따라 배열된 관통 홀들의 폭보다 더 크다.
[0091] 다른 실시예들에 따르면, 제1 관통 홀들(810), 제2 관통 홀들(820) 및 제3 관통 홀들(830) 중 적어도 하나는 실질적으로 원형의 관통 홀들일 수 있다. 예로서, 상부 주변 부분에 수평 라인을 따라 배열된 제1 관통 홀들(810)은 실질적으로 원형의 관통 홀들일 수 있다.
[0092] 도 9는 본원에서 설명되는 실시예들에 따라, 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들을 프레임 어셈블리에 장착하도록 구성된 장착 디바이스(900)의 개략도들을 도시한다.
[0093] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 장착 디바이스(900)는 플레이트-형상 또는 디스크-형상일 수 있다. 장착 디바이스(900)는 제1 측 또는 제1 표면(910) 및 제2 측 또는 제2 표면(920)을 가질 수 있다. 제1 측("스퍼터 측")은 프로세싱 구역 또는 기판 이송 경로, 특히 하나 또는 그 초과의 스퍼터 증착 소스들을 향하도록 구성될 수 있다. 제2 측("차폐 측")은 전도성 시트를 향하도록 구성될 수 있다. 제2 측 또는 제2 표면(920)은 전도성 시트의 관통 홀들을 커버하기에 충분한 표면적을 가질 수 있다. 예로서, 표면적은, 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들의 열적 팽창이 관통 홀들의 중심 포지션을 시프트할 때, 프로세스 조건들 하에서 관통 홀들을 커버하기에 충분할 수 있다. 플레이트 또는 디스크의 직경은, 차폐부 뒤의 RF 누출을 회피하기 위해 관통 홀들의 충분한 커버리지를 가능하게 할 수 있다.
[0094] 일부 구현들에서, 장착 디바이스(900)는, 예컨대, 플레이트 또는 디스크의 주변부 또는 외측에 2개 또는 그 초과의 만입부(indentation)들 또는 넛지(nudge)들(912)을 갖는다. 2개 또는 그 초과의 만입부들 또는 넛지들(912)은, 예컨대 장착 디바이스(900)의 장착 및/또는 장착해제를 위한 툴과의 맞물림을 위해 구성될 수 있다. 예로서, 장착 디바이스(900)는 4개의 만입부들 또는 넛지들을 가질 수 있다. 2개 또는 그 초과의 만입부들 또는 넛지들(912)은, 제2 측(예컨대, 스크루 헤드의 최상부) 상에 증착된 재료에도 불구하고, 툴, 이를테면, 렌치(wrench)를 사용한 용이한 개방을 가능하게 한다. 부가적으로 또는 선택적으로, 장착 디바이스(900)는 제1 측 또는 제1 표면(910)에 중심 키, 이를테면, 중심 앨런 키(914)를 갖는다. 중심 키는 장착 디바이스(900)의 용이하고 빠른 어셈블링을 가능하게 한다.
[0095] 일부 실시예들에 따르면, 장착 디바이스(900)는, 예컨대, 장착 프레임의 스레드형 홀들과의 맞물림을 위해 구성된 스레드 또는 스크루(930)를 갖는다. 스레드 또는 스크루(930)는 제2 측 또는 제2 표면(920), 예컨대 제2 측 또는 제2 표면(920)의 중앙에 제공될 수 있다. 일부 구현들에서, 장착 디바이스(900)는 전도성 시트와 접촉하도록 구성된 접촉 돌출부(contact protrusion)(940)를 갖는다. 접촉 돌출부(940)는 제2 측 또는 제2 표면(920), 예컨대, 제2 측 또는 제2 표면(920)의 중앙에 제공될 수 있다. 예로서, 스레드 또는 스크루(930)는 접촉 돌출부(940) 상에 포지셔닝될 수 있다. 전도성 시트와 접촉하도록 구성된, 접촉 돌출부(940)의 표면적은 제2 측 또는 제2 표면(920)의 표면적보다 더 작을 수 있다. 구체적으로, 접촉 돌출부(940)의 표면적은 제2 측 또는 제2 표면(920)의 표면적의 70% 미만, 구체적으로는 50% 미만, 더 구체적으로는 20% 미만일 수 있다.
[0096] 접촉 돌출부(940)는 스페이서(spacer)로서의 역할을 할 수 있다. 접촉 돌출부(940)에 의해 제공되는 감소된 접촉 영역은 전도성 시트의 열적 팽창을 용이하게 한다. 제2 측 또는 제2 표면(920)의 더 큰 영역은 전도성 시트의 관통 홀들의 커버리지를 가능하게 한다.
[0097] 일부 실시예들에 따르면, 장착 디바이스(900)는 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들과 관련하여 설명된 것과 유사하게 거친 표면을 가질 수 있다. 특히, 제1 측 또는 제1 표면(910)은 증착물 플레이킹(deposit flaking)을 회피하기 위한 거친 표면일 수 있다. 일부 구현들에서, 제1 측 또는 제1 표면(910)은 더 양호한 접착을 위해 거친 표면 코팅 또는 접착제 코팅으로 코팅된다. 일부 실시예들에 따르면, 제1 측 또는 제1 표면(910)은 아킹을 회피하기 위해 유전체 코팅 및 거친 표면 코팅 중 적어도 하나로 코팅될 수 있다. 예컨대, 유전체 코팅은 Al2O3, SiO2, 및 이트리아-안정화 지르코니아(YSZ; yttria-stabilized zirconia)로 이루어진 그룹으로부터 선택될 수 있다.
[0098] 일부 구현들에서, 장착 디바이스(900)의 재료는 SuS 재료, 플라스틱, 폴리머 재료, 금속, 알루미늄, 및 스테인리스 강으로 이루어진 그룹으로부터 선택된다.
[0099] 스퍼터 증착 챔버 내에서의 사용 동안, 증착 재료는 장착 디바이스(900) 상에 증착될 수 있고, 예컨대, 제1 측을 커버할 수 있다. 일부 구현들에서, 장착 디바이스(900)는 재사용가능할 수 있다. 예로서, 장착 디바이스(900)로부터 증착 재료를 제거하기 위해 화학적 세정 및/또는 샌드블라스팅이 이용될 수 있다. 다른 구현들에서, 장착 디바이스(900)는 일회용일 수 있다.
[00100] 도 10은 본원에서 설명되는 실시예들에 따라, 스퍼터 증착 챔버에서 전기적 차폐를 제공하기 위한 방법(1000)의 흐름도를 도시한다. 방법(1000)은 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 차폐 디바이스 및 시스템을 활용할 수 있다.
[00101] 방법은, 블록(1100)에서, 프레임 어셈블리 상에 분리가능하게 장착된 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들을 사용하여 스퍼터 증착 챔버 내의 프로세싱 구역 및/또는 기판 이송 경로를 따라 등전위면을 제공하는 단계를 포함한다. 일부 구현들에서, 방법은, 블록(1200)에서, 기판 상에 재료 층을 형성하기 위해 스퍼터 증착 프로세스를 수행하는 단계를 포함한다. 스퍼터 증착 프로세스는 RF 스퍼터 증착 프로세스일 수 있다.
[00102] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 스퍼터 증착 챔버에서 전기적 차폐를 제공하기 위한 방법은, 컴퓨터 프로그램들, 소프트웨어, 컴퓨터 소프트웨어 제품들 및 상호관련된 제어기들을 사용하여 수행될 수 있으며, 제어기들은 CPU, 메모리, 사용자 인터페이스, 및 대면적 기판을 프로세싱하기 위해 장치의 대응하는 컴포넌트들과 통신하는 입력 및 출력 디바이스들을 가질 수 있다.
[00103] 본 개시내용은 스퍼터 증착 챔버에 대해 정렬된 차폐 디바이스, 이를테면, 후방 벽 차폐부(back wall shielding)를 제공한다. 차폐 디바이스는 개선된 프로세스 안정성 및 프로세스 효율 및 균질한 막 증착을 제공할 수 있다. 특히, 공간적 RF 전위차들이 최소화될 수 있다. 아킹, 기생 플라즈마들 및 크레이징 현상들 중 적어도 하나의 발생이 감소되거나 또는 심지어 회피될 수 있다. 차폐부는, 평평한 등전위면 또는 영역을 제공하기 위해, 인-라인 스퍼터 시스템, 이를테면, 인-라인 RF 스퍼터 시스템 내의 하나의 기하학적 라인을 따라 정렬된다. RF 파 침투에 대한 볼륨들은 볼륨들의 진공배기를 가능하게 하는 메시 구조를 사용하여 밀봉되거나 회피된다. 차폐부 상에 증착된 재료로 인한 입자 발생이 감소되거나 또는 심지어 회피될 수 있으며, 예방 유지보수(PM; preventive maintenance) 빈도가 감소될 수 있다. 높은 시스템 가동시간이 제공될 수 있다. 교환가능 또는 일회용 차폐부들, 이를테면, 일회용 후방-벽 차폐부들은 용이해진 유지보수 및/또는 교체를 가능하게 한다. 소유 비용이 감소될 수 있다. 교환가능 또는 일회용 차폐부들의 유지보수 및/또는 교체를 위한 시간이 감소될 수 있다. 차폐 디바이스는 DC 접지될 수 있다. RF-전류 리턴 지지부 또는 경로가 차폐 디바이스에 포함될 수 있다. 프로세스 안정성이 개선될 수 있다.
[00104] 전술한 바가 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 그리고 추가적인 실시예들이, 본 개시내용의 기본적인 범위를 벗어나지 않으면서 고안될 수 있고, 본 개시내용의 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. 기판 상의 스퍼터 증착을 위해 구성된 시스템으로서,
    프로세싱 구역을 갖는 스퍼터 증착 챔버;
    상기 프로세싱 구역의 제1 측에 배열된 하나 또는 그 초과의 스퍼터 증착 소스들; 및
    상기 프로세싱 구역의 제2 측에 배열된 차폐 디바이스를 포함하며,
    상기 차폐 디바이스는 상기 스퍼터 증착 챔버에 장착된 프레임 어셈블리 및 상기 프레임 어셈블리 상에 분리가능하게 장착된 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들을 포함하고, 상기 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들은 상기 프로세싱 구역을 따라 배열된 표면을 제공하는,
    기판 상의 스퍼터 증착을 위해 구성된 시스템.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들은 등전위면(equipotential surface)을 제공하도록 구성되는,
    기판 상의 스퍼터 증착을 위해 구성된 시스템.
  3. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
    상기 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들 및 상기 프레임 어셈블리 중 적어도 하나를 접지시키도록 구성된 하나 또는 그 초과의 접지 디바이스들을 더 포함하는,
    기판 상의 스퍼터 증착을 위해 구성된 시스템.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 접지 디바이스는 연결 디바이스 및 연결 라인을 포함하고, 그리고 상기 연결 디바이스는 상기 연결 라인을 상기 차폐 디바이스에 연결하도록 구성되는,
    기판 상의 스퍼터 증착을 위해 구성된 시스템.
  5. 제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들은 거친 표면(roughened surface)을 갖고, 그리고/또는 상기 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들은 적어도 부분적으로 코팅되는,
    기판 상의 스퍼터 증착을 위해 구성된 시스템.
  6. 제1 항 내지 제5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들은 3 mm 미만의 두께를 갖는,
    기판 상의 스퍼터 증착을 위해 구성된 시스템.
  7. 제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들의 재료는 알루미늄, 구리, 강철, 티타늄 및 이들의 임의의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는,
    기판 상의 스퍼터 증착을 위해 구성된 시스템.
  8. 스퍼터 증착 챔버를 위한 차폐 디바이스로서,
    상기 스퍼터 증착 챔버에 그리고 상기 스퍼터 증착 챔버 내의 프로세싱 구역을 따라 장착되도록 구성된 프레임 어셈블리; 및
    상기 프레임 어셈블리 상에 분리가능하게 장착된 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들을 포함하며,
    상기 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들은 상기 프로세싱 구역 쪽으로 향하도록 구성되는,
    스퍼터 증착 챔버를 위한 차폐 디바이스.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 프레임 어셈블리는 상기 스퍼터 증착 챔버에 연결가능한 베이스 프레임을 포함하는,
    스퍼터 증착 챔버를 위한 차폐 디바이스.
  10. 제8 항 또는 제9 항에 있어서,
    상기 프레임 어셈블리는 장착 표면을 갖는 장착 프레임을 포함하며, 상기 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들은 상기 장착 표면 상에 분리가능하게 장착되는,
    스퍼터 증착 챔버를 위한 차폐 디바이스.
  11. 제8 항 내지 제10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 프레임 어셈블리는 하나 또는 그 초과의 측면 프레임 엘리먼트(side frame element)들을 포함하며, 상기 하나 또는 그 초과의 측면 프레임 엘리먼트들은 상기 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들의 측방향 종단(lateral termination)을 제공하는,
    스퍼터 증착 챔버를 위한 차폐 디바이스.
  12. 제8 항 내지 제11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 프레임 어셈블리는 상기 프레임 어셈블리의 최상부 측 및 최하부 측 중 적어도 하나에 제공된 전도성 메시(conductive mesh)를 포함하는,
    스퍼터 증착 챔버를 위한 차폐 디바이스.
  13. 제8 항 내지 제12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들을 상기 프레임 어셈블리에 장착하도록 구성된 하나 또는 그 초과의 장착 디바이스들을 더 포함하는,
    스퍼터 증착 챔버를 위한 차폐 디바이스.
  14. 제1 항 내지 제7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 차폐 디바이스는 제8 항 내지 제13 항 중 어느 한 항에 따라 구성되는,
    기판 상의 스퍼터 증착을 위해 구성된 시스템.
  15. 스퍼터 증착 챔버에서 전기적 차폐를 제공하기 위한 방법으로서,
    프레임 어셈블리 상에 분리가능하게 장착된 하나 또는 그 초과의 전도성 시트들을 사용하여 상기 스퍼터 증착 챔버 내의 프로세싱 구역을 따라 등전위면을 제공하는 단계를 포함하는,
    스퍼터 증착 챔버에서 전기적 차폐를 제공하기 위한 방법.
KR1020187017101A 2015-12-09 2015-12-09 기판 상의 스퍼터 증착을 위해 구성된 시스템, 스퍼터 증착 챔버를 위한 차폐 디바이스, 및 스퍼터 증착 챔버에서 전기적 차폐를 제공하기 위한 방법 KR20180086217A (ko)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/IB2015/002317 WO2017098292A1 (en) 2015-12-09 2015-12-09 System configured for sputter deposition on a substrate, shielding device for a sputter deposition chamber, and method for providing an electrical shielding in a sputter deposition chamber

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20180086217A true KR20180086217A (ko) 2018-07-30

Family

ID=59012738

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187017101A KR20180086217A (ko) 2015-12-09 2015-12-09 기판 상의 스퍼터 증착을 위해 구성된 시스템, 스퍼터 증착 챔버를 위한 차폐 디바이스, 및 스퍼터 증착 챔버에서 전기적 차폐를 제공하기 위한 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20180358212A1 (ko)
EP (1) EP3387162A4 (ko)
JP (1) JP2018536768A (ko)
KR (1) KR20180086217A (ko)
CN (1) CN108291293A (ko)
TW (1) TW201721708A (ko)
WO (1) WO2017098292A1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10727034B2 (en) * 2017-08-16 2020-07-28 Sputtering Components, Inc. Magnetic force release for sputtering sources with magnetic target materials
CN109473331B (zh) * 2017-09-08 2022-11-25 北京北方华创微电子装备有限公司 腔室屏蔽装置和半导体处理腔

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01152271A (ja) * 1987-12-09 1989-06-14 Toshiba Corp スパッタ装置
JPH0489548U (ko) * 1990-12-17 1992-08-05
US7182816B2 (en) * 2003-08-18 2007-02-27 Tokyo Electron Limited Particulate reduction using temperature-controlled chamber shield
JP2010024532A (ja) * 2008-07-24 2010-02-04 Asahi Glass Co Ltd マグネトロンスパッタ装置、成膜方法、及び光学部品の製造方法
WO2010013476A1 (ja) * 2008-07-31 2010-02-04 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理装置および電子デバイスの製造方法
JP2010090445A (ja) * 2008-10-09 2010-04-22 Ulvac Japan Ltd スパッタリング装置、および成膜方法
KR101841236B1 (ko) * 2009-04-03 2018-03-22 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 고압 ｒｆ-ｄｃ 스퍼터링과 이 프로세스의 단차 도포성 및 막 균일성을 개선하기 위한 방법
CN102080210B (zh) * 2009-11-30 2013-04-10 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 蒸镀装置
US8303779B2 (en) * 2009-12-16 2012-11-06 Primestar Solar, Inc. Methods for forming a transparent conductive oxide layer on a substrate
US9728429B2 (en) * 2010-07-27 2017-08-08 Lam Research Corporation Parasitic plasma prevention in plasma processing chambers
DE102010049017A1 (de) * 2010-10-21 2012-04-26 Leybold Optics Gmbh Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats
EP2487275B1 (en) * 2011-02-11 2016-06-15 SPTS Technologies Limited Composite shielding
US8926806B2 (en) * 2012-01-23 2015-01-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Shielding design for metal gap fill
CN102719798B (zh) * 2012-06-04 2015-06-17 深圳市华星光电技术有限公司 磁控溅射系统
US20130319855A1 (en) * 2012-06-04 2013-12-05 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. Magnetron sputtering system
JP2014141727A (ja) * 2013-01-25 2014-08-07 Renesas Electronics Corp スパッタリング方法
CN103132044B (zh) * 2013-03-25 2015-11-18 深圳市创益科技发展有限公司 一种改善平面靶镀膜均匀性的屏蔽罩

Also Published As

Publication number Publication date
US20180358212A1 (en) 2018-12-13
EP3387162A4 (en) 2019-07-24
JP2018536768A (ja) 2018-12-13
WO2017098292A1 (en) 2017-06-15
TW201721708A (zh) 2017-06-16
CN108291293A (zh) 2018-07-17
EP3387162A1 (en) 2018-10-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102000769B1 (ko) 박막 배터리들의 제조시 리튬 증착 프로세스에서 사용하기 위한 마스킹 디바이스, 리튬 증착 프로세스를 위해 구성된 장치, 박막 배터리들의 전극들을 제조하기 위한 방법, 및 박막 배터리
US7347919B2 (en) Sputter source, sputtering device, and sputtering method
US8557093B2 (en) Deposition system with electrically isolated pallet and anode assemblies
CN204375716U (zh) 遮蔽框、基板支撑件以及等离子体增强型化学气相沉积设备
KR20180071360A (ko) 기판 상의 진공 증착을 위한 장치 및 진공 증착 동안에 기판을 마스킹하기 위한 방법
US20050022740A1 (en) Plasma processing system and cleaning method for the same
KR101050121B1 (ko) 스퍼터링 장치 및 스퍼터링 방법
JP5969856B2 (ja) スパッタリング装置
WO2013099061A1 (ja) スパッタリング装置
US20210164099A1 (en) High throughput Vacuum Deposition Sources and System
JP2012052191A (ja) スパッタ装置
KR20180086217A (ko) 기판 상의 스퍼터 증착을 위해 구성된 시스템, 스퍼터 증착 챔버를 위한 차폐 디바이스, 및 스퍼터 증착 챔버에서 전기적 차폐를 제공하기 위한 방법
US20090178916A1 (en) Double-coating device with one process chamber
CN101784694B (zh) 溅射方法
JP7335495B2 (ja) スパッタリング装置
US20180171466A1 (en) Carrier for supporting at least one substrate during a sputter deposition process, apparatus for sputter deposition on at least one substrate, and method for sputter deposition on at least one substrate
JP5095087B2 (ja) 成膜装置及び成膜方法
KR20170061764A (ko) 스퍼터링 장치
JP6328089B2 (ja) プラズマスパッタ装置
KR20140071071A (ko) 스퍼터링 장치 및 이를 이용한 표시 기판의 제조 방법
KR20110032961A (ko) 반사전극을 갖는 스퍼터 장치
US20170275762A1 (en) Polygon deposition sources with high materials utilization and increased time between chamber cleanings