KR20110032961A - 반사전극을 갖는 스퍼터 장치 - Google Patents

반사전극을 갖는 스퍼터 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반사전극을 갖는 스퍼터 장치에 관한 것이다. 본 발명의 반사전극을 갖는 스퍼터 장치는 공정챔버; 다중 분할된 복수 개의 소스 타겟 유닛이 설치되어 상기 공정챔버의 내부에 설치된 다중 소스 타겟 어셈블리; 상기 다중 소스 타겟 어셈블리로 서로 다른 주파수의 전원을 공급하기 위한 메인 전원 공급원; 및 상기 복수 개의 소스 타겟 유닛 사이에 설치되는 반사 전극을 포함한다. 본 발명의 반사전극을 갖는 스퍼터 장치에 의하면, 복수개의 소스 타겟 유닛에 의해 대면적화가 용이하고 균일한 물리적 기상 증착이 가능하게 된다. 또한 반사 전극을 이용해 이온화 효율을 높여 스퍼터링 효율을 높일 수 있다. 또한 자석을 이용해 이온화 효율을 높여 스퍼터링 효율을 높일 수 있다.
스퍼터 장치, 타겟, 용량 결합 전극, 스퍼터링, 반사 전극

Description

반사전극을 갖는 스퍼터 장치{Sputtering apparatus having reflective electrode}
본 발명은 반사전극을 갖는 스퍼터 장치에 관한 것으로, 구체적으로는 대면적의 플라즈마를 보다 균일하게 발생하여 대면적의 피처리 대상에 대한 플라즈마 처리 효율을 높일 수 있는 반사전극을 갖는 스퍼터 장치에 관한 것이다.
유리등의 절연기판을 대상물로 진행되는 평판표시장치(plat panel display device) 또는 웨이퍼(wafer)를 대상으로 진행되는 반도체소자의 제조공정에는, 상기 절연기판이나 웨이퍼 등의 대상물(이하, 기판이라 한다.) 상에 박막을 증착하는 공정이 다수 반복하여 포함된다. 이들 박막은 전도체, 유전체 또는 반도체 물질로 이루어질 수 있는데, 단층으로서 회로배선이나 전계생성전극을 구성하기도 하고, 다층으로 적층되어 박막트랜지스터(Thin Film Transistor : TFT) 등의 스위칭소자를 구성하기도 한다. 이때 특히 박막으로 증착되는 물질이 금속일 경우에 스퍼터장치가 사용될 수 있는데, 이는 대면하는 제 1 및 제 2 전극과, 이들 사이에서 서로 대면되는 기판 및 증착될 대상 물질로 이루어진 타겟(target)을 포함한다.
스퍼터장치의 박막증착원리 및 동작을 간단히 설명하면, 기판과 타겟이 존재 되는 영역을 진공으로 조성한 후, 제 1 전극으로 양 전압 그리고 제 2 전극으로 음 전압을 가하면서 상기 진공 영역에 아르곤(Ar) 등의 가스를 주입한다. 그러면 가스 입자는 플라즈마(plasma) 상태로 이온화되는데, 이중 양(+)으로 대전된 입자는 제 2 전극으로 가속됨에 따라 타켓으로 충돌한다. 이 충돌을 통해 타겟 재질의 금속입자를 모재로부터 비산시키고, 이 비산된 입자는 양극 방향으로 가속되어 기판 표면에 증착된다.
플라즈마는 같은 수의 양이온(positive ions)과 전자(electrons)를 포함하는 고도로 이온화된 가스이다. 플라즈마 방전은 이온, 자유 래디컬, 원자, 분자를 포함하는 활성 가스를 발생하기 위한 가스 여기에 사용되고 있다. 활성 가스는 다양한 분야에서 널리 사용되고 있으며 집적 회로 장치, 액정 디스플레이, 태양 전지등과 같은 장치를 제조하기 위한 여러 반도체 제조 공정 예들 들어, 식각(etching), 증착(deposition), 세정(cleaning), 에싱(ashing) 등에 다양하게 사용된다.
플라즈마를 발생하기 위한 플라즈마 소스는 여러 가지가 있는데 무선 주파수(radio frequency)를 사용한 용량 결합 플라즈마(capacitive coupled plasma)와 유도 결합 플라즈마(inductive coupled plasma)가 그 대표적인 예이다. 용량 결합 플라즈마 소스는 정확한 용량 결합 조절과 이온 조절 능력이 높아서 타 플라즈마 소스에 비하여 공정 생산력이 높다는 장점을 갖는다.
용량 결합 플라즈마 소스를 사용하는 물리적 기상 증착 설비는 고진공의 플라즈마 반응기 내부에 낮은 압력의 스퍼터링 기체, 보통 아르곤을 흘려주고 DC 또는 RF 전원을 두 전극 사이에 가해 이온화를 야기하여 플라즈마를 발생한다. 이때, 소스 타겟 물질로 덮여있는 음극판은 기판에 비해 음전위로 유지되므로 양전하인 아르곤 이온은 소스 타겟 쪽으로 가속되며 강하게 충돌하여 타겟 물질이 증기 형태로 방출되며, 중성 상태의 타겟 증기는 마주보고 있는 웨이퍼 기판에 증착하게 된다.
그러나 대형화되는 피처리 기판을 처리하기 위하여 용량 결합 전극을 대형화하는 경우 전극의 열화에 의해 전극에 변형이 발생되거나 손상될 수 있다. 이러한 경우 전계 강도가 불균일하게 되어 플라즈마 밀도가 불균일하게 발생될 수 있다. 그러므로 불균일하게 발생된 플라즈마는 스퍼터 장치의 타겟을 균일하게 이온화지 못하여 효율적인 스퍼터링 작업이 어렵게 된다.
본 발명의 목적은 대면적의 균일한 플라즈마를 유도하여 효율적인 스퍼터링을 할 수 있는 반사전극을 갖는 스퍼터 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 복수 개의 소스 타겟 유닛들의 상호 용량 결합을 균일하게 제어하여 고밀도의 플라즈마를 균일하게 유도하고, 반사전극을 이용하여 스퍼터된 타겟을 효율적으로 피처리 기판에 증착할 수 있는 반사전극을 갖는 스퍼터 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 자석을 이용하여 이온화 효율을 높여 스퍼터링 효율을 높일 수 있는 반사전극을 갖는 스퍼터 장치를 제공하는데 있다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일면은 반사전극을 갖는 스퍼터 장치에 관한 것이다. 본 발명의 반사전극을 갖는 스퍼터 장치는 공정챔버; 다중 분할된 복수 개의 소스 타겟 유닛이 설치되어 상기 공정챔버의 내부에 설치된 다중 소스 타겟 어셈블리; 상기 다중 소스 타겟 어셈블리로 서로 다른 주파수의 전원을 공급하기 위한 메인 전원 공급원; 및 상기 복수 개의 소스 타겟 유닛 사이에 설치되는 반사 전극을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 소스 타겟 유닛은 상기 메인 전원 공급원으로부터 전원을 공급받는 용량 결합 전극; 및 상기 용량 결합 전극에 설치되어 상기 용량 결합 전극을 통해 유도된 플라즈마에 의해 이온화되어 피처리 기판에 증착되는 타겟을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 소스 타겟 유닛은 소스 타겟의 기능과 용량 결합 전극의 기능을 겸하는 타겟 전극을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 다중 소스 타겟 어셈블리는 상기 복수 개의 소스 타겟 유닛이 장착되는 전극 장착판을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 전극 장착판은 복수 개의 가스 분사홀을 포함하고, 상기 가스 분사홀을 통해 상기 공정챔버의 내부로 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 용량 결합 전극은 적어도 하나의 자석을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 용량 결합 전극은 상기 용량 결합 전극의 냉각을 위한 냉각 채널을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 메인 전원 공급원과 상기 다중 소스 타겟 어셈블리 사이에 구성되어 임피던스 정합을 수행하는 임피던스 정합기를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 소스 타겟 유닛은 피처리 기판과 마주하는 위치에 절연판을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 소스 타겟 유닛은 상기 절연판의 하부에 반사 전극을 더 포함한다.
본 발명의 반사전극을 갖는 스퍼터 장치에 의하면, 복수개의 소스 타겟 유닛에 의해 대면적화가 용이하고 균일한 물리적 기상 증착이 가능하게 된다. 또한 반사 전극을 이용해 이온화 효율을 높여 스퍼터링 효율을 높일 수 있다. 또한 자석을 이용해 이온화 효율을 높여 스퍼터링 효율을 높일 수 있다.
본 발명을 충분히 이해하기 위해서 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상세히 설명하는 실시예로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공 되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어 표현될 수 있다. 각 도면에서 동일한 부재는 동일한 참조부호로 도시한 경우가 있음을 유의하여야 한다. 본 발명 의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 스퍼터 장치를 보여주는 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 스퍼터 장치(100)는 공정챔버(11), 가스 공급부(20), 다중 소스 타겟 어셈블리(30) 및 반사 전극(60)을 포함한다. 공정챔버(11)는 내부에 피처리 기판(13)이 놓이는 지지대(12)가 구비된다. 공정챔버(11)의 상부에는 복수 개의 소스 타겟 유닛(31)이 설치된 다중 소스 타겟 어셈블리(30)가 구성된다. 가스 공급부(20)는 다중 소스 타겟 어셈블리(30)의 상부에 구성되어 가스 공급원(미도시)으로부터 제공된 공정 가스를 다중 소스 타겟 어셈블리(30)에 구성된 복수 개의 가스 분사홀(32)을 통하여 공정챔버(11)의 내부로 공급한다. 메인 전원 공급원(40)으로부터 발생된 무선 주파수 전원은 임피던스 정합기(41)와 전류 분배 회로(50)를 통하여 다중 소스 타겟 어셈블리(30)에 구비된 복수 개의 소스 타겟 유닛(31)으로 공급된다. 이때 메인 전원 공급원(40)은 둘 이상의 전원 공급원(40a, 40b)으로부터 서로 다른 무선 주파수를 합성하여 공급할 수 있다. 공정챔버(11)의 내부에는 다중 소스 타겟 어셈블리(30)에 의해 공정 가스 예를 들어, 아르곤 가스가 이온화되고, 아르곤 이온이 복수 개의 소스 타겟 유닛(31)으로 가속되어 타겟 증기가 발생되어 피처리 기판(13)에 증착된다. 여기서, 다중 소스 타겟 어셈블리(30)에 구성된 복수 개의 소스 타겟 유닛(31) 사이에는 반사전극(60)이 구비된다. 반사 전극(60)은 반사 전극 전원(62)으 로부터 전원을 공급받아 발생된 타겟 증기를 피처리 기판(13)쪽으로 가속시킴으로써 효율적인 증착이 발생될 수 있도록 한다.
스퍼터 장치(100)는 공정챔버(11)와 그 내부에 피처리 기판(13)이 놓이는 지지대(12)가 구비된다. 공정챔버(11)는 알루미늄, 스테인리스, 구리와 같은 금속 물질이나 코팅된 금속 예를 들어, 양극 처리된 알루미늄이나 니켈 도금된 알루미늄으로 제작될 수도 있다. 또는 내화 금속(refractory metal)로 제작될 수도 있다. 또 다른 대안으로 공정챔버(11)를 전체적 또는 부분적으로 석영, 세라믹과 같은 전기적 절연 물질로 제작하는 것도 가능하다. 이와 같이 공정챔버(11)는 의도된 플라즈마 프로세스가 수행되기에 적합한 어떠한 물질로도 제작될 수 있다. 공정챔버(11)의 구조는 피처리 기판(13)에 따라 그리고 플라즈마의 균일한 발생을 위하여 적합한 구조 예를 들어, 원형 구조나 사각형 구조 그리고 이외에도 어떠한 형태의 구조를 가질 수 있다.
피처리 기판(13)은 예를 들어, 반도체 장치, 디스플레이 장치, 태양전지 등과 같은 다양한 장치들의 제조를 위한 웨이퍼 기판, 유리 기판, 플라스틱 기판 등과 같은 기판들이다. 스퍼터 장치(100)는 진공 펌프(18)에 연결된다.
기판 지지대(12)는 바이어스 전원 공급원(42, 43)에 연결되어 바이어스 된다. 예를 들어, 서로 다른 무선 주파수 전원을 공급하는 두 개의 바이어스 전원 공급원(42, 43)이 임피던스 정합기(44)를 통하여 기판 지지대(12)에 전기적으로 연 결되어 바이어스 된다. 기판 지지대(12)의 이중 바이어스 구조는 공정챔버(11)의 내부에 플라즈마 발생을 용이하게 하고, 플라즈마 이온 에너지 조절을 더욱 개선시켜 공정 수율을 향상 시킬 수 있다. 또는 단일 바이어스 구조로 변형 실시할 수도 있다. 또는 기판 지지대(12)는 바이어스 전원의 공급 없이 제로 퍼텐셜(zero potential)을 갖는 구조로 변형 실시될 수도 있다. 기판 지지대(12)는 고정형으로 구성될 수 있지만 기판 지지대(12)는 피처리 기판(13)과 평행하게 선형 또는 회전 이동 가능한 구조로 실시 될 수 있다. 도면에는 미도시 되었으나, 균일한 배기를 위하여 공정챔버(11)의 내측 하부에는 배기 배플이 구성될 수 있다.
가스 공급부(20)는 다중 소스 타겟 어셈블리(30)의 상부에 설치된다. 가스 공급부(20)는 가스 공급원(미도시)에 연결되는 가스 입구(21)와 하나 이상의 가스 분배판(22) 그리고 복수개의 가스 주입구(23)를 구비한다. 복수개의 가스 주입구(23)는 전극 장착판(34)의 복수개의 가스 분사홀(32)에 대응되어 연결된다. 가스 입구(21)를 통하여 입력된 공정 가스는 하나 이상의 가스 분배판(22)에 의해서 고르게 분배되어 복수개의 가스 주입구(23)와 그에 대응된 복수개의 가스 분사홀(32)을 통하여 공정챔버(11)의 내부로 고르게 분사된다. 구체적인 도면의 도시는 생략하였으나, 가스 공급부(20)는 둘 이상의 분리된 가스 공급 채널을 구비하여 서로 다른 가스를 분리하여 공정챔버(11)의 내부로 공급함으로서 플라즈마 처리 효율을 높일 수 있다.
도 2는 다중 소스 타겟 어셈블리를 보여주는 사시도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 다중 소스 타겟 어셈블리(30)는 공정챔버(11)의 내부에 전기적 용량 결합에 의한 플라즈마 방전을 유도하기 위한 복수 개의 소스 타겟 유닛(31)을 구비한다. 복수개의 소스 타겟 유닛(31)은 전극 장착판(34)에 장착된다. 전극 장착판(34)은 공정챔버(11)의 상부를 이루도록 설치될 수 있다. 복수 개의 소스 타겟 유닛(31)은 공정챔버(11)의 상부를 선형으로 가로질러 소정의 간격을 두고 교대적으로 병렬로 배열된 구조를 갖는다. 복수 개의 소스 타겟 유닛(31)은 전극 장착판(34)의 아래로 돌출된 선형의 장벽구조를 갖는다.
전극 장착판(34)은 복수개의 가스 분사홀(32)을 구비한다. 복수 개의 가스 분사홀(32)은 복수 개의 소스 타겟 유닛(31) 사이에 일정 간격을 두고 길이 방향으로 나열된다. 전극 장착판(34)은 가스 공급부(20)와 공정챔버(11) 사이의 전기적 절연을 위하여 절연층의 기능을 담당한다. 전극 장착판(34)은 공정챔버(11)의 상부 구성하도록 설치되지만 기판 처리 효율을 높이기 위하여 공정챔버(11)의 측벽을 따라 설치될 수도 있다. 또는 저면과 측벽에 모두 설치될 수도 있다. 여기서, 복수 개의 소스 타겟 유닛(31) 사이에는 반사 전극(60)이 병렬로 배열되어 이온화된 타겟을 피처리 기판(13)으로 가속시킨다.
도 3은 소스 타겟 유닛의 단면도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 복수 개의 소스 타겟 유닛(31)은 용량 결합 전 극(35)과 타겟(36)으로 구성된다. 용량 결합 전극(35)은 공정챔버(11)의 상부를 선형으로 가로지르며 전극 장착판(34)의 하부에 돌출된 선형의 병렬 장벽구조로 배열된다. 각 용량 결합 전극(35)은 주파수 전원을 공급받아 플라즈마를 유도한다. 타겟(36)은 용량 결합 전극(35)의 양측 외부에 구성되어 복수 개의 용량 결합 전극(35) 사이에서 유도된 플라즈마에 의해 이온화되어 피처리 기판(13)에 증착된다. 소스 타겟 유닛(31)의 변형 예로 소스 타겟(31)의 기능과 용량 결합 전극(35)의 기능을 겸하는 하나의 타겟 전극을 구성할 수도 있다.
여기서, 용량 결합 전극(35)의 하부에는 절연판(37)이 구성된다. 절연판(37)은 용량 결합 전극(35)의 하부에서 유도된 플라즈마가 직접적으로 피처리 기판(13)에 영향을 주는 것을 방지한다. 또한 전극 장착판(34)에 구성된 반사 전극(60)은 가스 공급부(20)에서 공급된 공정가스를 공정챔버(11)의 내부로 공급하기 위한 가스 분사홀(32)이 구성된다. 이때 전극 장착판(34)에 구비된 가스 분사홀(32)과 대응되어 연결된다.
소스 타겟 유닛(31)은 하나 이상의 자석(70)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 용량 결합 전극(35)의 내부에 길이방향으로 하나 이상의 자석(70)이 장착될 수 있다.
소스 타겟 유닛(31)의 용량 결합 전극(35) 내부에는 냉각채널이 구비된다. 즉, 용량 결합 전극(35) 내부로 냉각수(38)를 공급하여 용량 결합 전극(35) 내부에 구비된 자석(70)의 적절한 온도를 제어한다.
도 4 및 도 5는 자석을 수직으로 장착한 소스 타겟 유닛의 단면도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 소스 타겟 유닛(31)은 하나 이상의 자석(70)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 용량 결합 전극(35)의 길이방향으로 복수 개의 N극 자석(72)과 S극 자석(74)이 동일한 극성이 인접하도록 수직으로 배치될 수 있다. 자석(70)은 영구 자석으로 구성되지만, 전자석으로 구성될 수도 있다. 이와 같이, 소스 타겟 유닛(31)에 영구 자석이나 전자석을 포함시킴으로써, 이온화 효율을 높여 타겟(36)의 이온화 효율을 높일 수 있다. 또한 도 5에 도시된 바와 같이, 용량 결합 전극(35)의 길이방향으로 복수 개의 N극 자석(72)과 S극 자석(74)이 교대적으로 극성을 달리하여 수직으로 배치될 수 있다. 용량 결합 전극(35)은 일측과 타측에 각각 냉각수 입구(35a)와 냉각수 출구(35b)가 구성된다. 냉각수 입구(35a)로 공급된 냉각수(38)는 발열된 자석(70)을 냉각시킨 후 냉각수 출구(35b)로 배출된다.
도 6 및 도 7은 자석을 수평으로 장착한 소스 타겟 유닛의 단면도이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 용량 결합 전극(35)의 길이방향으로 복수 개의 N극 자석(72)과 S극 자석(74)이 동일한 극성이 인접하도록 수평으로 배치될 수 있다. 또한 도 7에 도시된 바와 같이, 용량 결합 전극(35)의 길이방향으로 복수 개의 N극 자석(72)과 S극 자석(74)이 교대적으로 극성을 달리하여 수평으로 배치될 수 있다. 여기서도, 용량 결합 전극(35)은 일측과 타측에 각각 냉각수 입구(35a)와 냉각수 출구(35b)가 구성된다. 냉각수 입구(35a)로 공급된 냉각수(38)는 발열된 자석(70)을 냉각시킨 후 냉각수 출구(35b)로 배출된다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 소스 타겟 유닛의 단면도이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 소스 타겟 유닛(31)은 용량 결합 전극(35)의 하부에 구성된 절연판(37)에 반사 전극(64)이 더 구성될 수 있다. 즉, 소스 타겟 유닛(31)에서 이온화된 타겟(36)은 전극 장착판(34)에 구성된 반사 전극(60)과 소스 타겟 유닛(31)의 하부에 구성된 반사 전극(64)에 의해 피처리 기판(13)으로 가속됨으로써 효율적인 기판 처리가 가능하다.
이상에서 설명된 본 발명의 반사전극을 갖는 스퍼터 장치의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. 그럼으로 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 형태로만 한정되는 것은 아님을 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다. 또한, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 그 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 스퍼터 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 다중 소스 타겟 어셈블리를 보여주는 사시도이다.
도 3은 소스 타겟 유닛의 단면도이다.
도 4 및 도 5는 자석을 수직으로 장착한 소스 타겟 유닛의 단면도이다.
도 6 및 도 7은 자석을 수평으로 장착한 소스 타겟 유닛의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 소스 타겟 유닛의 단면도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
11: 공정챔버 12: 기판 지지대
13: 피처리 기판 18: 진공 펌프
20: 가스 공급부 21: 가스 입구
22: 가스 분배판 23: 가스 주입구
30: 다중 소스 타겟 어셈블리 31: 소스 타겟 유닛
32: 가스 분사홀 34: 전극 장착판
35: 용량 결합 전극 35a: 냉각수 입구
35b: 냉각수 출구 36: 타겟
37: 절연판 38: 냉각수
40: 메인 전원 공급원 40a, 40b: 전원 공급원
41: 임피던스 정합기 42, 43: 바이어스 전원 공급원
44: 임피던스 정합기 50: 전류 분배 회로
60, 64: 반사 전극 62: 반사 전극 전원
70: 자석 72: N극 자석
74: S극 자석 100: 스퍼터 장치

Claims (10)

  1. 공정챔버;
    다중 분할된 복수 개의 소스 타겟 유닛이 설치되어 상기 공정챔버의 내부에 설치된 다중 소스 타겟 어셈블리;
    상기 다중 소스 타겟 어셈블리로 서로 다른 주파수의 전원을 공급하기 위한 메인 전원 공급원; 및
    상기 복수 개의 소스 타겟 유닛 사이에 설치되는 반사 전극을 포함하는 반사전극을 갖는 스퍼터 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 소스 타겟 유닛은
    상기 메인 전원 공급원으로부터 전원을 공급받는 용량 결합 전극; 및
    상기 용량 결합 전극에 설치되어 상기 용량 결합 전극을 통해 유도된 플라즈마에 의해 이온화되어 피처리 기판에 증착되는 타겟을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사전극을 갖는 스퍼터 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 소스 타겟 유닛은 소스 타겟의 기능과 용량 결합 전극의 기능을 겸하는 타겟 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사전극을 갖는 스퍼터 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 다중 소스 타겟 어셈블리는 상기 복수 개의 소스 타겟 유닛이 장착되는 전극 장착판을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사전극을 갖는 스퍼터 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 전극 장착판은 복수 개의 가스 분사홀을 포함하고, 상기 가스 분사홀을 통해 상기 공정챔버의 내부로 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사전극을 갖는 스퍼터 장치.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 용량 결합 전극은 적어도 하나의 자석을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사전극을 갖는 스퍼터 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 용량 결합 전극은 상기 용량 결합 전극의 냉각을 위한 냉각 채널을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사전극을 갖는 스퍼터 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 메인 전원 공급원과 상기 다중 소스 타겟 어셈블리 사이에 구성되어 임 피던스 정합을 수행하는 임피던스 정합기를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사전극을 갖는 스퍼터 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 소스 타겟 유닛은 피처리 기판과 마주하는 위치에 절연판을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사전극을 갖는 스퍼터 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 소스 타겟 유닛은 상기 절연판의 하부에 반사 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반사전극을 갖는 스퍼터 장치.
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