CN108274853A - 防静电膜、防静电复合材料及其制备方法 - Google Patents

防静电膜、防静电复合材料及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种防静电膜、防静电复合材料及其制备方法。一种防静电膜，包括：第一防腐蚀层，所述第一防腐蚀层为ATO层，所述第一防腐蚀层中氧化锡与氧化锑的质量比为95:5～85:15；防静电层，所述防静电层层叠于所述第一防腐蚀层的表面，所述防静电层为ITO层；及第二防腐蚀层，所述第二防腐蚀层层叠于所述防静电层远离所述第一防腐蚀层的表面，所述第二防腐蚀层为ATO层，所述第二防腐蚀层中氧化锡与氧化锑的质量比为80:20～70:30。上述防静电膜、防静电复合材料及其制备方法避免了ITO层被基板表面的酸碱性物质侵蚀，且防止了ITO层与空气中的氧气和水分或其他腐蚀性物质接触而发生氧化和腐蚀。

Description

防静电膜、防静电复合材料及其制备方法
技术领域
本发明涉及抗静电材料技术领域，特别是涉及防静电膜、防静电复合材料及其制备方法。
背景技术
目前大部分TFT产品都需要减薄处理，减薄过程中，需要使用HF酸，而玻璃基板中含有Na，Ga等部分杂质物质，这样容易在玻璃基板上形成氟硅酸盐，在生产的过程中，玻璃表面的氟硅酸盐不能保证100％的完全清除，难免会残留氟硅酸盐物质，氟硅酸盐在空气中容易水解呈现酸性。而防静电镀膜产品所镀的膜层为单镀ITO膜层，这样镀膜出来的产品，因玻璃表面残留的氟硅酸盐物质非常少，短期内难以观察到酸性物质对膜层的损害，而时间一长，ITO膜层就非常容易被破坏，出现膜层脏污，影响膜层质量，ITO膜层的附着力差，且ITO膜层易被氧化从而造成电阻增大的现。由于技术指标较低，在日益激烈的触摸屏行业竞争处于越来越不利的地位，随着人们对品质的不断追求，生产更优越的ITO防静电产品将拥有更大得市场。
发明内容
基于此，有必要针对目前的防静电膜中ITO层易被破坏、ITO层附着力差及易被氧化而导致电阻增大的问题，提供一种防静电膜、防静电复合材料及其制备方法。
一种防静电膜，包括：
第一防腐蚀层，所述第一防腐蚀层为ATO层，所述第一防腐蚀层中氧化锡与氧化锑的质量比为95:5～85:15；
防静电层，所述防静电层层叠于所述第一防腐蚀层的表面，所述防静电层为ITO层；及
第二防腐蚀层，所述第二防腐蚀层层叠于所述防静电层远离所述第一防腐蚀层的表面，所述第二防腐蚀层为ATO层，所述第二防腐蚀层中氧化锡与氧化锑的质量比为80:20～70:30。
在其中一个实施方式中，所述第一防腐蚀层的厚度为5nm～20nm。
在其中一个实施方式中，所述防静电层的厚度为10nm～1000nm。
在其中一个实施方式中，所述第二防腐蚀层的厚度为20nm～50nm。
在其中一个实施方式中，所述防静电层中氧化铟与氧化锡的质量比为95:5～80:20。
一种防静电复合材料，，包括基板及上述的防静电膜，所述防静电膜层叠于所述基板。
在其中一个实施方式中，包括以下步骤：
在基板上形成第一防腐蚀层，其中，所述第一防腐蚀层为ATO层，所述第一防腐蚀层中氧化锡与氧化锑的质量比为95:5～85:15；
在所述第一防腐蚀层远离所述基板的表面形成防静电层，所述防静电层为ITO层；及
在所述防静电层远离所述第一防腐蚀层的表面形成第二防腐蚀层，所述第二防腐蚀层为ATO层，所述第二防腐蚀层中氧化锡与氧化锑的质量比为80:20～70:30。
在其中一个实施方式中，采用溅射的方式在所述基板上形成第一防腐蚀层，其中，采用溅射的方式在所述基板上形成第一防腐蚀层时采用射频电源、中频电源或直流电源，溅射温度为100℃～200℃，通入氩气的流量为100SCCM～200SCCM，通入氧气的流量为0～5SCCM。
在其中一个实施方式中，采用溅射的方式在所述第一防腐蚀层远离所述基板的表面形成防静电层，其中，采用溅射的方式在所述第一防腐蚀层远离所述基板的表面形成防静电层时采用射频电源、中频电源或直流电源，溅射温度为0℃～80℃，通入氩气的流量为100SCCM～200SCCM，通入氧气的流量为0～5SCCM。
在其中一个实施方式中，采用溅射的方式在所述防静电层远离所述第一防腐蚀层的表面形成第二防腐蚀层，其中，采用溅射的方式在所述防静电层远离所述第一防腐蚀层的表面形成第二防腐蚀层时采用射频电源、中频电源或直流电源，溅射温度为0℃～80℃，通入氩气的流量为100SCCM～200SCCM，通入氧气的流量为8SCCM～15SCCM。
上述防静电膜、防静电复合材料及其制备方法，在基板上依次层叠第一防腐蚀层、防静电层和第二防腐蚀层，采用第一防腐蚀层能够避免ITO层与基板直接接触而被基板上残余的酸碱性物质侵蚀，采用第二方腐蚀层防止了ITO层与空气中的氧气和水分或其他腐蚀性物质接触而发生氧化和腐蚀。其次，第一防腐蚀层中氧化锡与氧化锑的质量比为95:5～85:15；第二防腐蚀层中氧化锡与氧化锑的质量比为80:20～70:30，减小第一防腐蚀层中氧化锑的含量，有利于形成的ATO层的结晶性能的提高，从而提高膜层的附着力，而相应增加第二防腐蚀层中氧化锑的含量，有利于降低电阻值，保证了防静电膜较好的防静电性能。
附图说明
图1为一实施方式的防静电复合材料的结构示意图；
图2为一实施方式的防静电复合材料的制备方法的工艺流程图。
具体实施方式
下面将结合具体实施方式对防静电膜、防静电复合材料及其制备方法做进一步的详细说明。
请参阅图1，一实施方式的防静电复合材料10包括基板110及防静电膜。
在图示的实施方式中，基板110为玻璃基板或有机高分子材料基板。进一步的，玻璃基板选自钠钙玻璃、硼硅玻璃或铝硅玻璃。有机高分子材料基板选自聚丙烯基板、聚乙烯基板、聚四氟乙烯基板或聚甲基丙烯酸甲酯基板。
在其中一个实施方式中，基板110的厚度为0.2mm～10mm。
具体到本实施方式中，基板110为经过减薄处理后的TFT产品中的玻璃基板，进行减薄处理时采用氢氟酸进行减薄。
在其中一个实施方式中，防静电膜包括第一防腐蚀层120、防静电层130及第二防腐蚀层140。
在图示的实施方式中，第一防腐蚀层120层叠在基板110的表面。第一防腐蚀层120为ATO(氧化锡锑)层。进一步地，第一防腐蚀层120中氧化锡与氧化锑的质量比为95:5～85:15。更进一步地，第一防腐蚀层120中氧化锡与氧化锑的质量比为95:5～92:8。
在其中一个实施方式中，第一防腐蚀层120的厚度为5nm～20nm。进一步地，第一防腐蚀层120的厚度为8nm～16nm。
ATO层具有较强的耐酸碱腐蚀能力和抗氧化能力，先在基板的表面形成ATO层能够避免ITO层与基板直接接触，特别是在TFT玻璃基板上沉积形成ITO层时，避免ITO层被玻璃基板上残余的酸性物质侵蚀。
且控制第一防腐蚀层120中的氧化锡与氧化锑的质量比为95:5～85:15。在氧化锡锑结晶材料中，氧化锡及其掺杂物都具有正四面体金红石型结构，在氧化锡中掺杂氧化锑时，锑元素会进入氧化锡晶相中，进入氧化锡晶相的锑元素会对氧化锡晶介产生一种钉扎作用，从而阻碍晶界的移动，最终阻碍了晶粒的长大，因此相应的提高氧化锡锑中氧化锡的含量，对应减少氧化锑的含量，有利于起到促进晶粒增长的作用，进而使得ATO层的结晶性能提高，膜层的附着力也随之提高。
在其中一个实施方式中，防静电层130层叠于第一防腐蚀层120远离基板110的表面。
在其中一个实施方式中，防静电层130为ITO(氧化铟锡)层。进一步的，防静电层130的厚度为10nm～1000nm。更进一步的，防静电层130的厚度为15nm～30nm。
在其中一个实施方式中，ITO层中氧化铟与氧化锡的质量比为95:5～80:20。优选的，ITO层中氧化铟与氧化锡的质量比为90:10～85:15。
在图示的实施方式中，第二防腐蚀层140层叠于防静电层130远离第一防腐蚀层120的表面。
在其中一个实施方式中，第二防腐蚀层140为ATO层。进一步地，第二防腐蚀层140中氧化锡与氧化锑的质量比为80:20～70:30。更进一步地，第二防腐蚀层140中氧化锡与氧化锑的质量比为75:25～70:30。
在其中一个实施方式中，第二防腐蚀层140的厚度为20nm～50nm。进一步地，第二防腐蚀层140的厚度为25nm～30nm。
第二防腐蚀层140为ATO层，ATO层具有较强的耐酸碱腐蚀能力和抗氧化能力，在ITO膜层的表面再形成ATO层能够避免ITO层被环境中可能接触到的潮湿及酸碱物质破坏和腐蚀。且第二防腐蚀层140相比第二防腐蚀层120增加氧化锑的含量，有利于降低电阻率，抑制了防静电膜因为与空气中的氧气和水分或其他腐蚀性物质接触发生氧化反应而造成的阻值增大。
上述防静电膜及防静电复合材料，在基板上依次层叠第一防腐蚀层、防静电层和第二防腐蚀层，采用第一防腐蚀层能够避免ITO层与基板直接接触而被基板上残余的酸碱性物质侵蚀，采用第二方腐蚀层防止了ITO层与空气中的氧气和水分或其他腐蚀性物质接触而发生氧化和腐蚀。其次，第一防腐蚀层中氧化锡与氧化锑的质量比为95:5～85:15；第二防腐蚀层中氧化锡与氧化锑的质量比为80:20～70:30，减小第一防腐蚀层中氧化锑的含量，有利于形成的ATO层的结晶性能的提高，使得形成的晶粒更小，从而提高膜层的附着力，而相应增加第二防腐蚀层中氧化锑的含量，有利于降低电阻值，保证了防静电膜较好的防静电性能。
请进一步参阅图2，一实施方式的防静电复合材料的制备方法，包括以下步骤：
S110、在基板的表面上形成第一防腐蚀层。
在其中一个实施方式中，采用溅射的方式在基板的表面形成第一防腐蚀层。
在其中一个实施方式中，第一防腐蚀层为ATO层。
在其中一个实施方式中，采用溅射的方式在基板上形成第一防腐蚀层时采用射频电源、中频电源或直流电源。
在其中一个实施方式中，溅射温度为100℃～200℃，通入氩气的流量为100SCCM～200SCCM，通入氧气的流量为0SCCM～5SCCM。
S120、在第一防腐蚀层远离基板的表面形成防静电层。
在其中一个实施方式中，采用溅射的方式在第一防腐蚀层远离基板的表面形成防静电层。
在其中一个实施方式中，防静电层为ITO层。
在其中一个实施方式中，采用溅射的方式在第一防腐蚀层远离基板的表面形成防静电层时采用射频电源、中频电源或直流电源。
在其中一个实施方式中，溅射温度为0～80℃，通入氩气的流量为100SCCM～200SCCM，通入氧气的流量为0～5SCCM。
S130、在防静电层远离第一防腐蚀层的表面形成第二防腐蚀层。
在其中一个实施方式中，采用溅射的方式在防静电层远离第一防腐蚀层的表面形成第二防腐蚀层。
在其中一个实施方式中，采用溅射的方式在防静电层远离第一防腐蚀层的表面形成第二防腐蚀层时采用射频电源、中频电源或直流电源。
在其中一个实施方式中，溅射温度为0～80℃，通入氩气的流量为100SCCM～200SCCM，通入氧气的流量为8SCCM～15SCCM。
上述防静电复合材料的制备方法，在形成第一防腐蚀层时溅射温度为100℃～200℃主要是由于在基板上形成第一防腐蚀层时升高温度，有利于基底表面的原子的迁移，使其更容易成核生长，进而有利于ATO层结晶度的提高；而在形成第二防腐蚀层时溅射温度为0～80℃，主要是由于降低溅射温度时，基底表面的原子迁移率小，不易迁移成核，使得形成的第二防腐蚀层更加接近于形成非晶态，从而使得第二防腐蚀层的电阻率降低，从而抑制了防静电膜表面由于氧化作用而导致的电阻增大的现象。
另外，上述防静电复合材料的制备方法，在形成第一防腐蚀层时通入氧气的流量为0SCCM～5SCCM，而在形成第二防腐蚀层时通入氧气的流量为8SCCM～15SCCM，主要是由于减少溅射时的氧气流量能够有利于提高ATO层的结晶性能，而在形成第二防腐蚀层时增大氧气流量，能够促进锑被氧化成锑的五价阳离子，同时增加锡被氧化形成二氧化锡的几率，从而使得形成的第二防腐蚀层的电阻率降低。
上述防静电复合材料的制备方法工艺简单，易实现工业化生产。
下面为具体实施例的说明，以下实施例如无特殊说明，则不含有除不可避免的杂质以外的其他未明确指出的组分。
实施例1
(1)获取厚度为0.3mm的玻璃基板；
(2)采用溅射的方式在玻璃基板的表面形成厚度为8nm的第一防腐蚀层，第一防腐蚀层为ATO层，第一防腐蚀层中氧化锡与氧化锑的质量比为93:7；其中，溅射的温度为180℃，通入氩气的流量为150CCM，通入氧气的流量为1SCCM；
(3)采用溅射的方式在第一防腐蚀层远离玻璃基板的表面形成厚度为15nm的ITO层，ITO层中氧化铟与氧化锡的质量比为95:5；其中，溅射的温度为80℃，通入氩气的流量为150SCCM，通入氧气的流量为2SCCM；
(4)采用溅射的方式在ITO层远离第一防腐蚀层的表面形成厚度为35nm的第二防腐蚀层，第二防腐蚀层为ATO层。第二防腐蚀层中氧化锡与氧化锑的质量比为75:25；其中，溅射的温度为40℃，通入氩气的流量为150SCCM，通入氧气的流量为10SCCM。
实施例2
(1)获取厚度为0.2mm的玻璃基板；
(2)采用溅射的方式在玻璃基板的表面形成厚度为15nm的第一防腐蚀层，第一防腐蚀层为ATO层，第一防腐蚀层中氧化锡与氧化锑的质量比为95:5；其中，溅射的温度为200℃，通入氩气的流量为100CCM，通入氧气的流量为2SCCM；
(3)采用溅射的方式在第一防腐蚀层远离玻璃基板的表面形成厚度为23nm的ITO层，ITO层中氧化铟与氧化锡的质量比为80:20；其中，溅射的温度为80℃，通入氩气的流量为100SCCM，通入氧气的流量为5SCCM；
(4)采用溅射的方式在ITO层远离第一防腐蚀层的表面形成厚度为25nm的第二防腐蚀层，第二防腐蚀层为ATO层。第二防腐蚀层中氧化锡与氧化锑的质量比为70:30；其中，溅射的温度为60℃，通入氩气的流量为100SCCM，通入氧气的流量为15SCCM。
实施例3
(1)获取厚度为0.5mm的玻璃基板；
(2)采用溅射的方式在玻璃基板的表面形成厚度为16nm的第一防腐蚀层，第一防腐蚀层为ATO层，第一防腐蚀层中氧化锡与氧化锑的质量比为92:8；其中，溅射的温度为150℃，通入氩气的流量为200CCM，通入氧气的流量为5SCCM；
(3)采用溅射的方式在第一防腐蚀层远离玻璃基板的表面形成厚度为20nm的ITO层，ITO层中氧化铟与氧化锡的质量比为90:10；其中，溅射的温度为80℃，通入氩气的流量为200SCCM，通入氧气的流量为4SCCM；
(4)采用溅射的方式在ITO层远离第一防腐蚀层的表面形成厚度为50nm的第二防腐蚀层，第二防腐蚀层为ATO层。第二防腐蚀层中氧化锡与氧化锑的质量比为78:22；其中，溅射的温度为80℃，通入氩气的流量为200SCCM，通入氧气的流量为12SCCM。
实施例4
(1)获取厚度为1mm的玻璃基板；
(2)采用溅射的方式在玻璃基板的表面形成厚度为20nm的第一防腐蚀层，第一防腐蚀层为ATO层，第一防腐蚀层中氧化锡与氧化锑的质量比为85:15；其中，溅射的温度为100℃，通入氩气的流量为200CCM，通入氧气的流量为4SCCM；
(3)采用溅射的方式在第一防腐蚀层远离玻璃基板的表面形成厚度为58nm的ITO层，ITO层中氧化铟与氧化锡的质量比为85:15；其中，溅射的温度为80℃，通入氩气的流量为200SCCM，通入氧气的流量为2SCCM；
(4)采用溅射的方式在ITO层远离第一防腐蚀层的表面形成厚度为20nm的第二防腐蚀层，第二防腐蚀层为ATO层。第二防腐蚀层中氧化锡与氧化锑的质量比为75:25；其中，溅射的温度为25℃，通入氩气的流量为200SCCM，通入氧气的流量为8SCCM。
实施例5
(1)获取厚度为0.45mm的玻璃基板；
(2)采用溅射的方式在玻璃基板的表面形成厚度为5nm的第一防腐蚀层，第一防腐蚀层为ATO层，第一防腐蚀层中氧化锡与氧化锑的质量比为90:10；其中，溅射的温度为120℃，通入氩气的流量为100CCM，通入氧气的流量为5SCCM；
(3)采用溅射的方式在第一防腐蚀层远离玻璃基板的表面形成厚度为1000nm的ITO层，ITO层中氧化铟与氧化锡的质量比为90:10；其中，溅射的温度为80℃，通入氩气的流量为100SCCM，通入氧气的流量为5SCCM；
(4)采用溅射的方式在ITO层远离第一防腐蚀层的表面形成厚度为25nm的第二防腐蚀层，第二防腐蚀层为ATO层。第二防腐蚀层中氧化锡与氧化锑的质量比为80:20；其中，溅射的温度为55℃，通入氩气的流量为100SCCM，通入氧气的流量为12SCCM。
实施例6
(1)获取厚度为10mm的玻璃基板；
(2)采用溅射的方式在玻璃基板的表面形成厚度为5nm的第一防腐蚀层，第一防腐蚀层为ATO层，第一防腐蚀层中氧化锡与氧化锑的质量比为90:10；其中，溅射的温度为55℃，通入氩气的流量为100CCM，通入氧气的流量为12SCCM；
(3)采用溅射的方式在第一防腐蚀层远离玻璃基板的表面形成厚度为1000nm的ITO层，ITO层中氧化铟与氧化锡的质量比为90:10；其中，溅射的温度为80℃，通入氩气的流量为100SCCM，通入氧气的流量为5SCCM；
(4)采用溅射的方式在ITO层远离第一防腐蚀层的表面形成厚度为25nm的第二防腐蚀层，第二防腐蚀层为ATO层。第二防腐蚀层中氧化锡与氧化锑的质量比为90:10；其中，溅射的温度为55℃，通入氩气的流量为100SCCM，通入氧气的流量为12SCCM。
实施例7
(1)获取厚度为0.3mm的玻璃基板；
(2)采用溅射的方式在玻璃基板的表面形成厚度为25nm的ITO层，ITO层中氧化铟与氧化锡的质量比为90:10；其中，溅射的温度为80℃，通入氩气的流量为100SCCM，通入氧气的流量为5SCCM；
(3)采用溅射的方式在ITO层远离玻璃基板的表面形成厚度为25nm的第二防腐蚀层，第二防腐蚀层为ATO层。第二防腐蚀层中氧化锡与氧化锑的质量比为90:10；其中，溅射的温度为55℃，通入氩气的流量为100SCCM，通入氧气的流量为12SCCM。
实施例8
(1)获取厚度为0.3mm的玻璃基板；
(2)采用溅射的方式在玻璃基板的表面形成厚度为25nm的ITO层，ITO层中氧化铟与氧化锡的质量比为90:10；其中，溅射的温度为80℃，通入氩气的流量为100SCCM，通入氧气的流量为5SCCM。
对实施例1～8制备得到的防静电复合材料的耐腐蚀性能、膜层附着力进行测试，结果如表1所示。
其中，内层耐腐蚀性的测试方法为将100片未抛光TFT玻璃进行镀膜得到防静电膜，将防静电膜在真空条件下放置一个月后统计膜层的良率；
外层耐酸性通过浸泡24小时10％的HCL测试膜层残留情况；
外层耐碱性通过浸泡24小时10％NaOH测试膜层残留情况；
内层耐腐蚀性是指第一防腐蚀层的耐腐蚀性，外层耐腐蚀性是指第二防腐蚀层的耐腐蚀性。
其中，膜层附着力采用百格刀划定框格后利用3M胶带测试膜层脱落的框格数测试得到(利用显微镜观察各条件20PCS)。
表1
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种防静电膜，其特征在于，包括：
第一防腐蚀层，所述第一防腐蚀层为ATO层，所述第一防腐蚀层中氧化锡与氧化锑的质量比为95:5～85:15；
防静电层，所述防静电层层叠于所述第一防腐蚀层的表面，所述防静电层为ITO层；及
第二防腐蚀层，所述第二防腐蚀层层叠于所述防静电层远离所述第一防腐蚀层的表面，所述第二防腐蚀层为ATO层，所述第二防腐蚀层中氧化锡与氧化锑的质量比为80:20～70:30。
2.根据权利要求1所述的防静电膜，其特征在于，所述第一防腐蚀层的厚度为5nm～20nm。
3.根据权利要求1所述的防静电膜，其特征在于，所述防静电层的厚度为10nm～1000nm。
4.根据权利要求1所述的防静电膜，其特征在于，所述第二防腐蚀层的厚度为20nm～50nm。
5.根据权利要求1所述的防静电膜，其特征在于，所述防静电层中氧化铟与氧化锡的质量比为95:5～80:20。
6.一种防静电复合材料，其特征在于，包括基板及如权利要求1～5任一项所述的防静电膜，所述防静电膜层叠于所述基板。
7.如权利要求6所述的防静电复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在基板上形成第一防腐蚀层，其中，所述第一防腐蚀层为ATO层，所述第一防腐蚀层中氧化锡与氧化锑的质量比为95:5～85:15；
在所述第一防腐蚀层远离所述基板的表面形成防静电层，所述防静电层为ITO层；及
在所述防静电层远离所述第一防腐蚀层的表面形成第二防腐蚀层，所述第二防腐蚀层为ATO层，所述第二防腐蚀层中氧化锡与氧化锑的质量比为80:20～70:30。
8.根据权利要求7所述的防静电复合材料的制备方法，其特征在于，采用溅射的方式在所述基板上形成第一防腐蚀层，其中，采用溅射的方式在所述基板上形成第一防腐蚀层时采用射频电源、中频电源或直流电源，溅射温度为100℃～200℃，通入氩气的流量为100SCCM～200SCCM，通入氧气的流量为0～5SCCM。
9.根据权利要求7所述的防静电复合材料的制备方法，其特征在于，采用溅射的方式在所述第一防腐蚀层远离所述基板的表面形成防静电层，其中，采用溅射的方式在所述第一防腐蚀层远离所述基板的表面形成防静电层时采用射频电源、中频电源或直流电源，溅射温度为0℃～80℃，通入氩气的流量为100SCCM～200SCCM，通入氧气的流量为0～5SCCM。
10.根据权利要求7所述的防静电复合材料的制备方法，其特征在于，采用溅射的方式在所述防静电层远离所述第一防腐蚀层的表面形成第二防腐蚀层，其中，采用溅射的方式在所述防静电层远离所述第一防腐蚀层的表面形成第二防腐蚀层时采用射频电源、中频电源或直流电源，溅射温度为0℃～80℃，通入氩气的流量为100SCCM～200SCCM，通入氧气的流量为8SCCM～15SCCM。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101235480A (zh) * 2008-03-06 2008-08-06 昆明理工大学 锑掺杂氧化锡薄膜载体材料的制备方法
CN101350366A (zh) * 2008-07-09 2009-01-21 深圳市力合薄膜科技有限公司 防静电tft基板及其加工工艺
WO2017065472A1 (ko) * 2015-10-13 2017-04-20 주식회사 엘지화학 전기 변색 소자 및 이의 제조방법
CN106873229A (zh) * 2008-07-18 2017-06-20 Lg化学株式会社 偏振片和液晶显示器

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101235480A (zh) * 2008-03-06 2008-08-06 昆明理工大学 锑掺杂氧化锡薄膜载体材料的制备方法
CN101350366A (zh) * 2008-07-09 2009-01-21 深圳市力合薄膜科技有限公司 防静电tft基板及其加工工艺
CN106873229A (zh) * 2008-07-18 2017-06-20 Lg化学株式会社 偏振片和液晶显示器
WO2017065472A1 (ko) * 2015-10-13 2017-04-20 주식회사 엘지화학 전기 변색 소자 및 이의 제조방법

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