CN101350366A - 防静电tft基板及其加工工艺 - Google Patents
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Abstract
一种TFT基板，它属于玻璃技术领域，特别是用于显示器的TFT基板加工技术领域，在TFT基板设置有一具有防静电功能的氧化铟锡膜层；所述的具有防静电功能的氧化铟锡膜层的镀膜材料为氧化铟锡SnO2，其铟锡比例为98∶2，透过率＞88％、方阻在600～1200Ω/□之间；所述的具有防静电功能的氧化铟锡膜层膜厚为80±20；方阻在700～1150(Ω/□)之间。本发明采用低温、多靶、隔位溅射方法在TFT基板上镀制的高透过率、高方阻氧化铟锡膜层，即ITO膜，由于ITO膜的电阻值大，使得镀膜后的TFT基板具有良好的防静电功能，因此不容易吸附灰尘，同时防止镀膜时TFT基板的破碎和防止镀膜后TFT基板老化。
Description
技术领域：
本发明涉及一种TFT基板，它属于玻璃技术领域，特别是用于显示器的TFT基板加工技术领域。
背景技术：
目前TFT基板用于液晶显示面板已经被广泛的使用了，因为TFT型的显示器其具有比较高的对比度，反应速度快，视角较广等特点。但是传统的TFT基板上由于没有进行防静电处理，在加工成为显示器使用时容易吸附空气中的灰尘，表面容易脏，影响显示面板的清晰度。另外，由于TFT基板属于超薄的玻璃，具有易碎的特点。通常，为了对玻璃进行防静电处理，主要采用真空镀膜的方法进行，传统的真空镀膜技术是在较高的温度下进行镀膜的，即镀膜时温度超过100℃，而在高温下镀膜，由于TFT基板又薄又脆的特性，不但会造成TFT基板破碎漏液，而且镀膜后还会造成TFT基板老化，降低显示器的使用寿命，同时也会影响到显示器的整体质量。
发明内容：
本发明的目的在于提供一种不会吸附灰尘，显示器表面可以保持清洁清晰的，加工工艺简单的防静电TFT基板及其加工工艺。
本发明的目的是这样实现的：
一种防静电TFT基板，在TFT基板设置有一具有防静电功能的氧化铟锡膜层。
所述的具有防静电功能的氧化铟锡膜层的镀膜材料为氧化铟锡Sn02，其铟锡比例为98∶2，透过率＞88％、方阻在600～1200Ω/□之间。
所述的具有防静电功能的氧化铟锡膜层膜厚为
方阻在700～1150(Ω/□)之间。
本发明的防静电TFT基板的加工工艺，它包括如下的步骤：
A：在进行镀膜之前对TFT基板进行清洗、热烘干燥后，上架装片镀膜；
B：选用连续磁控溅射镀膜机完成镀膜：首先确定工艺参数：基片加热温度为50～70℃，镀膜室传动速度频率为15～18HZ，加热时间为15～25分钟，按以下方法进行溅射镀膜：镀膜室总气压为0.3～0.5Pa，使用隔位的两个靶或多个靶进行镀膜，镀膜室氩气流量为180～250Sccm，镀膜室真空度3.0*10-1Pa～5.0*10-1Pa之间。基板温度由70℃上升到85℃，经过两个靶位的冷却，基板温度又由85℃下降到70℃，再进行镀第二层氧化铟锡膜层膜层；氧化铟锡膜层膜厚控制在
氩气的气体纯度为99.99％。
其优选的工艺步骤和参数如下：
A：在进行镀膜之前对TFT基板进行清洗、热烘干燥后，上架装片镀膜；
B：采用LHKJ立式全自动连续磁控溅射镀膜机进行氧化铟锡膜层镀膜，基片加热温度为70℃，镀膜室传动速度频率为18HZ，加热时间为15分钟，按以下方法进行溅射镀膜：总气压为0.5Pa，使用隔位的两个靶进行镀膜，基板温度由70℃上升到85℃左右，经过两个靶位的冷却，基板温度又由85℃下降到70℃，再进行镀第二层氧化铟锡膜层，氧化铟锡膜层膜厚控制在
镀膜室氩气的流量为180～250Sccm，镀膜室真空度4.0*10-1Pa～5.0*10-1Pa之间；氩气的气体纯度为99.99％。
本发明的加工工艺的另一个优选的工艺步骤和参数如下：
A：在进行镀膜之前对TFT基板进行清洗、热烘干燥后，上架装片镀膜；
B：采用LHKJ立式全自动连续磁控溅射镀膜机进行氧化铟锡膜层镀膜，基片加热温度为60℃，加热时间为20分钟镀膜室传动速度频率为16HZ，按以下方法进行溅射镀膜：镀膜室的总气压为0.4Pa，使用隔位的两个靶进行镀膜，基板温度由60℃上升到75℃左右，经过两个靶位的冷却，基板温度又由75℃下降到60℃，再进行镀第二层氧化铟锡膜层，膜厚控制在
之间，镀膜室氩气的流量为200～250Sccm，镀膜室真空度3.5*10-1Pa～4.5*10-1Pa之间；氩气的气体纯度为99.99％。
本发明的三个靶位溅射镀膜的加工工艺的工艺步骤和参数如下：
A：首先在进行镀膜之前对TFT基板进行清洗、热烘干燥后，上架装片镀膜；
B：采用LHKJ立式全自动连续磁控溅射镀膜机进行氧化铟锡膜层的镀膜，基片加热温度为50℃，加热时间为25分钟，镀膜室传动速度频率为15HZ，按以下方法进行溅射镀膜：镀膜室的总气压为0.3Pa，使用隔位的三个靶进行镀膜，基板温度由50℃上升到65℃左右，经过两个靶位的冷却，基板温度又由65℃下降到50℃，再进行镀第二层氧化铟锡膜层膜层，经过两个靶位的冷却，基板温度由65℃上升到50℃左右，再进行镀第三层氧化铟锡膜层，膜厚控制在
之间，镀膜室氩气的流量为200～230Sccm，镀膜室真空度3.0*10-1Pa～4.0*10-1Pa之间；氩气的气体纯度为99.99％。
本发明采用低温、多靶、隔位溅射方法在TFT基板上镀制的高透过率、高方阻氧化铟锡膜层，即ITO膜，由于ITO膜的电阻值大，使得镀膜后的TFT基板具有良好的防静电功能，因此不容易吸附灰尘，同时防止镀膜时TFT基板的破碎和防止镀膜后TFT基板老化。
具体实施方式：
下面结合实施例，对本发明进行进一步的说明：
实施例1：
本实施例为两个靶位的溅射方法，其工艺步骤如下：
在进行镀膜之前对TFT基板进行清洗、热烘干燥后，上架装片镀膜；采用LHKJ立式全自动连续磁控溅射镀膜机进行氧化铟锡膜层镀膜，即ITO膜，镀膜材料为氧化铟锡SnO2，其铟锡比例为98∶2，基片加热温度为70℃，镀膜室传动速度频率为18HZ，加热时间为15分钟，按以下方法进行溅射镀膜：总气压为0.5Pa，使用隔位的两个靶进行镀膜，基板温度由70℃上升到85℃左右，经过两个靶位的冷却，基板温度又由85℃下降到70℃，再进行镀第二层氧化铟锡膜层，氧化铟锡膜层膜厚控制在
镀膜室氩气的流量为180～250Sccm，镀膜室真空度4.0*10-1Pa～5.0*10-1Pa之间；氩气的气体纯度为99.99％。
镀膜后的TFT基板测试结果：透过率＞88％、方阻在800～1200(Ω/□)之间、ITO膜厚为
实施例2：
本实施例为两个靶位的溅射方法，其工艺步骤和参数如下：
在进行镀膜之前对TFT基板进行清洗、热烘干燥后，上架装片镀膜；采用LHKJ立式全自动连续磁控溅射镀膜机进行氧化铟锡膜层镀膜，即ITO膜，镀膜材料为氧化铟锡SnO2，其铟锡比例为98∶2，基片加热温度为60℃，加热时间为20分钟镀膜室传动速度频率为16HZ，按以下方法进行溅射镀膜：镀膜室的总气压为0.4Pa，使用隔位的两个靶进行镀膜，基板温度由60℃上升到75℃左右，经过两个靶位的冷却，基板温度又由75℃下降到60℃，再进行镀第二层氧化铟锡膜层，膜厚控制在
之间，镀膜室氩气的流量为200～250Sccm，镀膜室真空度3.5*10-1Pa～4.5*10-1Pa之间；氩气的气体纯度为99.99％。
镀膜后的TFT基板测试结果：透过率＞88％、方阻在700～1150Ω/□)之间、ITO膜厚为
实施例3：
本实施例为三个靶位的溅射方法，其工艺步骤和参数如下：
在进行镀膜之前对TFT基板进行清洗、热烘干燥后，上架装片镀膜；采用LHKJ立式全自动连续磁控溅射镀膜机进行氧化铟锡膜层的镀膜，镀膜材料为氧化铟锡SnO2，其铟锡比例为98∶2基片加热温度为50℃，加热时间为25分钟，镀膜室传动速度频率为15HZ，按以下方法进行溅射镀膜：镀膜室的总气压为0.3Pa，使用隔位的三个靶进行镀膜，基板温度由50℃上升到65℃左右，经过两个靶位的冷却，基板温度又由65℃下降到50℃，再进行镀第二层氧化铟锡膜层，经过两个靶位的冷却，基板温度由65℃上升到50℃左右，再进行镀第三层氧化铟锡膜层，膜厚控制在
之间，镀膜室氩气的流量为200～230Sccm，镀膜室真空度3.0*10-1Pa～4.0*10-1Pa之间；氩气的气体纯度为99.99％。
镀膜后的TFT基板测试结果：透过率＞88％、方阻在600～1000(Ω/□)之间、ITO膜厚为
Claims (7)
1、一种防静电TFT基板，其特征在于在TFT基板设置有一具有防静电功能的氧化铟锡膜层。
2、如权利要求1中所示的防静电TFT基板，其特征在于所述的具有防静电功能的氧化铟锡膜层的镀膜材料为氧化铟锡SnO2，其铟锡比例为98∶2，透过率＞88％、方阻在600～1200Ω/□之间。
3、如权利要求1或2中所示的防静电TFT基板，其特征在于所述的具有防静电功能的氧化铟锡膜层膜厚为
方阻在700～1150(Ω/□)之间。
4、一种用于加工权利要求1中的防静电TFT基板的加工工艺，其特征在于它包括如下的步骤：
A：在进行镀膜之前对TFT基板进行清洗、热烘干燥后，上架装片镀膜；
B：选用连续磁控溅射镀膜机完成镀膜：首先确定工艺参数：基片加热温度为50～70℃，镀膜室传动速度频率为15～18HZ，加热时间为15～25分钟，按以下方法进行溅射镀膜：镀膜室总气压为0.3～0.5Pa，使用隔位的两个靶或多个靶进行镀膜，镀膜室氩气流量为180～250Sccm，镀膜室真空度3.0*10-1Pa～5.0*10-1Pa之间。基板温度由70℃上升到85℃，经过两个靶位的冷却，基板温度又由85℃下降到70℃，再进行镀第二层氧化铟锡膜层膜层；氧化铟锡膜层膜厚控制在
氩气的气体纯度为99.99％。
5、如权利要求4中所述所述的防静电TFT基板的加工工艺，其特征在于其优选的工艺步骤和参数如下：
A：在进行镀膜之前对TFT基板进行清洗、热烘干燥后，上架装片镀膜；
B：采用LHKJ立式全自动连续磁控溅射镀膜机进行氧化铟锡膜层镀膜，基片加热温度为70℃，镀膜室传动速度频率为18HZ，加热时间为15分钟，按以下方法进行溅射镀膜：总气压为0.5Pa，使用隔位的两个靶进行镀膜，基板温度由70℃上升到85℃左右，经过两个靶位的冷却，基板温度又由85℃下降到70℃，再进行镀第二层氧化铟锡膜层，氧化铟锡膜层膜厚控制在
镀膜室氩气的流量为180～250Sccm，镀膜室真空度4.0*10-1Pa～5.0*10-1Pa之间；氩气的气体纯度为99.99％。
6、如权利要求4中所述所述的防静电TFT基板的加工工艺，其特征在于其另一个优选的工艺步骤和参数如下：
A：在进行镀膜之前对TFT基板进行清洗、热烘干燥后，上架装片镀膜；
B：采用LHKJ立式全自动连续磁控溅射镀膜机进行氧化铟锡膜层镀膜，基片加热温度为60℃，加热时间为20分钟镀膜室传动速度频率为16HZ，按以下方法进行溅射镀膜：镀膜室的总气压为0.4Pa，使用隔位的两个靶进行镀膜，基板温度由60℃上升到75℃左右，经过两个靶位的冷却，基板温度又由75℃下降到60℃，再进行镀第二层氧化铟锡膜层，膜厚控制在
之间，镀膜室氩气的流量为200～250Sccm，镀膜室真空度3.5*10-1Pa～4.5*10-1Pa之间；氩气的气体纯度为99.99％。
7、如权利要求4中所述所述的防静电TFT基板的加工工艺，其特征在于其三个靶位溅射镀膜的加工工艺的工艺步骤和参数如下：
A：首先在进行镀膜之前对TFT基板进行清洗、热烘干燥后，上架装片镀膜；
B：采用LHKJ立式全自动连续磁控溅射镀膜机进行氧化铟锡膜层的镀膜，基片加热温度为50℃，加热时间为25分钟，镀膜室传动速度频率为15HZ，按以下方法进行溅射镀膜：镀膜室的总气压为0.3Pa，使用隔位的三个靶进行镀膜，基板温度由50℃上升到65℃左右，经过两个靶位的冷却，基板温度又由65℃下降到50℃，再进行镀第二层氧化铟锡膜层，经过两个靶位的冷却，基板温度由65℃上升到50℃左右，再进行镀第三层氧化铟锡膜层，膜厚控制在
之间，镀膜室氩气的流量为200～230Sccm，镀膜室真空度3.0*10-1Pa～4.0*10-1Pa之间；氩气的气体纯度为99.99％。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
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| C56 | Change in the name or address of the patentee |
Owner name: SHENZHEN LEAGUER OPTRONICS CO., LTD. Free format text: FORMER NAME: SHENZHEN LEAGUER FILM TECHNOLOGY CO., LTD. |
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Address after: 518024 Guangdong Shenzhen Guangming New District Gongming office Chang Zhen community Changxin science and Technology Industrial Park 16 to three layers Patentee after: Shenzhen Leaguer Optronics Co., Ltd. Address before: 518024, Guangdong, Baoan District, Gongming mayor Shenzhen village fourth industrial zone 19, 20 Patentee before: Shenzhen Leaguer Film Technology Co., Ltd. |
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Assignee: Leaguer Optronics (Wuxi) Co., Ltd. Assignor: Shenzhen Leaguer Optronics Co., Ltd. Contract record no.: 2012440020103 Denomination of invention: Antistatic TFT substrate and processing technique thereof Granted publication date: 20100407 License type: Exclusive License Open date: 20090121 Record date: 20120509 |
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| C56 | Change in the name or address of the patentee | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 518132 Guangdong Shenzhen Guangming New District Gongming office Chang Zhen community Changxin science and Technology Industrial Park 16 to three layers Patentee after: Shenzhen Leaguer Optronics Co., Ltd. Address before: 518024 Guangdong Shenzhen Guangming New District Gongming office Chang Zhen community Changxin science and Technology Industrial Park 16 to three layers Patentee before: Shenzhen Leaguer Optronics Co., Ltd. |
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| EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract |
Application publication date: 20090121 Assignee: Leaguer Optronics (Wuxi) Co., Ltd. Assignor: Shenzhen Leaguer Optronics Co., Ltd. Contract record no.: 2012440020103 Denomination of invention: Antistatic TFT substrate and processing technique thereof Granted publication date: 20100407 License type: Exclusive License Record date: 20120509 |
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| LICC | Enforcement, change and cancellation of record of contracts on the licence for exploitation of a patent or utility model | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20100407 Termination date: 20190709 |
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