CN108101065A - 一种制备工业级四氯化硅的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种制备工业级四氯化硅的方法。以硅粉为原料,硅粉和HCl气体发生氯化反应,反应产物含有氢气、二氯二氢硅、三氯氢硅、四氯化硅及少量未反应的HCl和硅粉,尾气至后续处理,三氯氢硅除尘后进行下一步反应;以紫外光作为光源,三氯氢硅和氯气进行反应,光化学反应温度为25‑50℃,得到四氯化硅;未反应的氯气和生成的HCl经后续工序分离;未反应的氯气和生成的HCl经分离后,氯气返回进行反应,HCl返回进行反应。本发明反应温度低,大大降低了制备四氯化硅对设备的腐蚀和能耗;副反应产物少,四氯化硅选择性≥98%。对硅粉质量要求低。
Description
技术领域
本发明属于化工领域,具体涉及一种制备工业级四氯化硅的方法。
背景技术
四氯化硅是一种重要的化工原料,可用于制备有机硅化合物如气相法白炭黑、有机硅油、有机硅树脂、硅橡胶及耐热垫衬材料。高纯度的四氯化硅可用于制备多晶硅、高纯二氧化硅及石英纤维材料,军事工业用于制备烟幕剂等。
目前,四氯化硅的工业化生产方法是采用工业硅作为原料,在450℃高温情况下与Cl2反应生成四氯化硅。该工艺有以下优点:以硅粉为原料,原料易得,产物易于纯化,产率和纯度较高;该工艺为气固直接反应,使用流化床反应器,装置简单,易于实现。然而缺点亦比较明显:反应温度450℃,对设备要求高,而且高温情况下氯气对设备腐蚀严重,大大增加了生成成本;反应过程四氯化硅的选择性80%-90%,副反应产生的如三氯氢硅等副反应产物,对后续四氯化硅的纯化造成影响。
专利CN103420382A提供了一种四氯化硅的合成方法,以硅粉为主要原料,在不添加任何催化剂的情况下,与氯气进行气固反应制备四氯化硅,反应温度250-450℃,四氯化硅选择性可达95%。
专利CN104276575提供了一种四氯化硅的制备方法,该方法将硅矿石、氯化原料和还原剂混合,进行氯化反应,得到四氯化硅产品,反应温度500-1500℃。该法以硅矿石为原料,省去了金属冶炼工序,降低了生产成本。
然而上述方法无法避免反应温度高,氯气腐蚀性强,发生较多副反应等问题。因此亟需一种能在较低温度下反应、高选择性的制备四氯化硅的新方法。
本发明提出了一种制备工业级四氯化硅的新方法,以硅粉为原料,首先通过硅粉和氯化氢反应制备三氯氢硅,然后将三氯氢硅在光化学反应器中与氯气反应制备四氯化硅,反应产生的HCl回收后作为循环物料继续与硅粉反应。该方法四氯化硅选择性高、反应温度低、能耗低,且副反应少,产物易于纯化,对硅粉质量要求低。
发明内容
本发明提出了一种制备工业级四氯化硅的方法,以硅粉为原料,首先通过硅粉和氯化氢反应制备三氯氢硅,然后将三氯氢硅在光化学反应器中与氯气反应制备四氯化硅,反应产生的HCl回收后作为循环物料继续与硅粉反应。该方法四氯化硅选择性高,反应温度低,且副反应少,产物易于纯化,对硅粉质量要求低。
为实现上述目的,本发明采用如下的技术方案来实现:
一种制备工业级四氯化硅的方法,包括步骤如下:
1)、以硅粉为原料,硅粉和HCl气体发生氯化反应,反应产物含有氢气、二氯二氢硅、三氯氢硅、四氯化硅及少量未反应的HCl和硅粉,尾气至后续处理,三氯氢硅除尘后进行下一步反应;
2)、以紫外光作为光源,三氯氢硅和氯气进行反应,得到四氯化硅;未反应的氯气和生成的HCl经后续工序分离;
3)、未反应的氯气和生成的HCl经分离后,氯气返回步骤2)进行反应,HCl返回步骤1)进行反应。
所述的步骤1)氯化反应温度300-500℃,压力0.02-2MPa,硅粉与氯化氢摩尔比1:4-1:10。
所述的步骤2)光源为波长330-425nm的紫外光。
所述的步骤2)光化学反应温度为25-50℃,反应时间为0.5-2h。
所述步骤2)氯气和三氯氢硅摩尔比为1:1-10:1
本发明提出了一种制备工业级四氯化硅的新方法,以硅粉为原料,首先通过硅粉和氯化氢反应制备三氯氢硅,然后将三氯氢硅在光化学反应器中与氯气反应制备四氯化硅,反应产生的HCl回收后作为循环物料继续与硅粉反应。
本发明的有益成果是:
a)反应温度低,大大降低了制备四氯化硅对设备的腐蚀和能耗。
b)副反应产物少,四氯化硅选择性≥98%。
c)对硅粉质量要求低。
附图说明
图1:一种制备工业级四氯化硅的新方法流程示意图如图1所示。
具体实施方式
下面结合附图1及具体实施方式对本发明作进一步说明。
一种制备工业级四氯化硅的方法,包括氯化反应器、光化学反应器、HCl-Cl2回收设备组成,硅粉用HCl气体送入氯化反应器,反应产物含有氢气、二氯二氢硅、三氯氢硅、四氯化硅及少量未反应的HCl和硅粉,尾气至后续处理,三氯氢硅除尘后进入光化学反应器与氯气进一步反应。在光化学反应器中,以紫外光作为光源,三氯氢硅和氯气进行反应,得到四氯化硅,未反应的氯气和生成的HCl经HCl-Cl2回收设备分离后,HCl返回氯化反应器继续参加反应,氯气返回光化学反应器进行反应。
该方法四氯化硅选择性高、反应温度低、能耗低,且副反应少,产物易于纯化,对硅粉质量要求低。以下结合应用实例对实施方法进行进一步说明。
实施例1
1)、以硅粉为原料,硅粉和HCl气体发生氯化反应,反应温度300℃,压力0.02MPa,硅粉与HCl的摩尔比1:4,反应产物含有氢气、二氯二氢硅、三氯氢硅、四氯化硅及少量未反应的HCl和硅粉,尾气至后续处理,三氯氢硅除尘后进行下一步反应;
2)、以紫外光作为光源,三氯氢硅和氯气进行反应,得到四氯化硅,其中光源为波长330nm的紫外光,反应器温度为25℃,反应时间为2h,氯气和三氯氢硅摩尔比为1:1,四氯化硅选择性98%;未反应的氯气和生成的HCl经后续工序分离;
3)、未反应的氯气和生成的HCl经分离后,氯气返回步骤2)进行反应,HCl返回步骤1)进行反应。
该方法制备的工业级四氯化硅的纯度≥98%。
实施例2
1)、以硅粉为原料,硅粉和HCl气体发生氯化反应,反应温度400℃,压力1MPa,硅粉与HCl的摩尔比1:6,反应产物含有氢气、二氯二氢硅、三氯氢硅、四氯化硅及少量未反应的HCl和硅粉,尾气至后续处理,三氯氢硅除尘后进行下一步反应;
2)、以紫外光作为光源,三氯氢硅和氯气进行反应,得到四氯化硅,其中光源为波长380nm的紫外光,反应器温度为40℃,反应时间为0.5h,氯气和三氯氢硅摩尔比为2:1,四氯化硅选择性99%;未反应的氯气和生成的HCl经后续工序分离;
3)、未反应的氯气和生成的HCl经分离后,氯气返回步骤2)进行反应,HCl返回步骤1)进行反应。
该方法制备的工业级四氯化硅的纯度≥99%。
,实施例3
1)、以硅粉为原料,硅粉和HCl气体发生氯化反应,反应温度400℃,压力1MPa,硅粉与HCl的摩尔比1:10,反应产物含有氢气、二氯二氢硅、三氯氢硅、四氯化硅及少量未反应的HCl和硅粉,尾气至后续处理,三氯氢硅除尘后进行下一步反应;
2)、以紫外光作为光源,三氯氢硅和氯气进行反应,得到四氯化硅,其中光源为波长425nm的紫外光,反应器温度为50℃,反应时间为1h,氯气和三氯氢硅摩尔比为10:1,四氯化硅选择性98%;未反应的氯气和生成的HCl经后续工序分离;
3)、未反应的氯气和生成的HCl经分离后,氯气返回步骤2)进行反应,HCl返回步骤1)进行反应。
该方法制备的工业级四氯化硅的纯度≥98%。
Claims (5)
1.一种制备工业级四氯化硅的方法,其特征是步骤如下:
1)、以硅粉为原料,硅粉和HCl气体发生氯化反应,反应产物含有氢气、二氯二氢硅、三氯氢硅、四氯化硅及少量未反应的HCl和硅粉,尾气至后续处理,三氯氢硅除尘后进行下一步反应;
2)、以紫外光作为光源,三氯氢硅和氯气进行反应,得到四氯化硅;未反应的氯气和生成的HCl经后续工序分离;
3)、未反应的氯气和生成的HCl经分离后,氯气返回步骤2)进行反应,HCl返回步骤1)进行反应。
2.如权利要求1所述的方法,其特征是步骤1)氯化反应温度300-500℃,压力0.02-2MPa。
3.如权利要求1所述的方法,其特征是步骤1)硅粉与氯化氢摩尔比1:4-1:10。
4.如权利要求1所述的方法,其特征是步骤2)光化学反应器温度为25-50℃,反应时间为0.5-2h,光源为波长330-425nm的紫外光。
5.如权利要求1所述的方法,其特征是步骤2)氯气和三氯氢硅摩尔比为1:1-10:1。
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