CN108089379A

CN108089379A - 显示装置

Info

Publication number: CN108089379A
Application number: CN201711163692.1A
Authority: CN
Inventors: 朴塞论; 李相宪
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2016-11-21
Filing date: 2017-11-21
Publication date: 2018-05-29
Anticipated expiration: 2037-11-21
Also published as: US10627679B2; KR20180057760A; US11573459B2; TW201827902A; US20180143471A1; US20200249515A1; CN108089379B; TWI733950B; KR102661122B1

Abstract

本发明涉及一种显示装置。该显示装置包括：第一基板和第二基板；在第一基板与第二基板之间并且具有第一颜色的邻近的第一滤色器层和第二滤色器层；在第一基板与第二基板之间并且具有第二颜色的邻近的第三滤色器层和第四滤色器层；在第一滤色器层与第二滤色器层之间并且分别具有第一颜色和第二颜色的第一虚设滤色器层和第二虚设滤色器层；在第一虚设滤色器层与第二基板之间的第一柱状间隔物；以及在第二虚设滤色器层与第二基板之间的第二柱状间隔物。第一虚设滤色器层具有比第二虚设滤色器层大的高度。第一虚设滤色器层的面朝第二基板的表面大于第二虚设滤色器层的面朝第二基板的表面。

Description

显示装置

本申请要求于2016年11月21日递交的韩国专利申请第10-2016-0155046号的优先权以及所有权益，其内容通过引用整体并入于此。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及一种能够提高产量并降低制造成本的显示装置，并且涉及一种制造该显示装置的方法。

背景技术

液晶显示(“LCD”)装置是应用最广的平板显示(“FPD”)装置类型之一。LCD装置通常包括两个基板以及置于两个基板之间的液晶层，两个基板包括形成于其上的两个电极。

当将电压施加至两个基板时，液晶层的液晶分子重新排列，使得可以控制LCD装置中的透光量。

发明内容

本发明的示例性实施例涉及一种显示装置以及该显示装置的制造方法，该显示装置的结构能够以增加的产量和降低的成本进行制造。

根据本发明的示例性实施例，一种显示装置包括：彼此间隔开的第一基板和第二基板；彼此邻近地位于第一基板与第二基板之间并且具有彼此基本相同的颜色的第一滤色器层和第二滤色器层；彼此邻近地位于第一基板和第二基板之间并且具有彼此基本相同的颜色的第三滤色器层和第四滤色器层；位于第一基板的边缘与第一滤色器层之间、或者位于第一滤色器层与第二滤色器层之间的第一虚设滤色器层，其中第一虚设滤色器层具有与第一滤色器层基本相同的颜色；位于第一基板的边缘与第三滤色器层之间、或者位于第三滤色器层与第四滤色器层之间的第二虚设滤色器层，其中第二虚设滤色器层具有与第三滤色器层基本相同的颜色；在第一虚设滤色器层与第二基板之间的第一柱状间隔物；以及在第二虚设滤色器层与第二基板之间的第二柱状间隔物。在此实施例中，第一虚设滤色器层相对于第一基板的参考表面的高度大于第二虚设滤色器层相对于参考表面的高度，并且第一虚设滤色器层的面朝第二基板的表面大于第二虚设滤色器层的面朝第二基板的表面。

在示例性实施例中，第一柱状间隔物的厚度可小于或基本等于第二柱状间隔物的厚度。

在示例性实施例中，第一柱状间隔物相对于参考表面的高度可大于第二柱状间隔物相对于参考表面的高度。

在示例性实施例中，第一虚设滤色器层可连接至第一滤色器层和第二滤色器层中的至少一个。

在示例性实施例中，第一滤色器层、第二滤色器层和第一虚设滤色器层可整体形成为单一的并且不可分割的单元。

在示例性实施例中，第二虚设滤色器层可连接至第三滤色器层和第四滤色器层中的至少一个。

在示例性实施例中，第三滤色器层、第四滤色器层和第二虚设滤色器层可整体形成为单一的并且不可分割的单元。

在示例性实施例中，第一柱状间隔物和第二柱状间隔物中的至少一个可包括透明材料或不透明材料。

在示例性实施例中，显示装置可进一步包括第一基板或第二基板上的遮光层。

在示例性实施例中，遮光层、第一柱状间隔物和第二柱状间隔物可位于第一基板上的基本相同的层上；并且遮光层、第一柱状间隔物和第二柱状间隔物可整体形成为单一的并且不可分割的单元。

在示例性实施例中，第一柱状间隔物和第二柱状间隔物可位于第一基板上，并且遮光层可在第二基板上以与第一柱状间隔物和第二柱状间隔物重叠。

在示例性实施例中，显示装置可进一步包括：第一像素电极，被设置成与第一滤色器层重叠；第二像素电极，对应于第二滤色器层设置；第三像素电极，被设置成与第三滤色器层重叠；第四像素电极，被设置成与第四滤色器层重叠；第一开关元件，连接至第一像素电极；第二开关元件，连接至第二像素电极；第三开关元件，连接至第三像素电极；以及第四开关元件，连接至第四像素电极。

在示例性实施例中，第一柱状间隔物可与第一开关元件和第二开关元件中的一个重叠。

在示例性实施例中，第二柱状间隔物可与第三开关元件和第四开关元件中的一个重叠。

在示例性实施例中，显示装置可进一步包括：第一栅极线，连接至第一开关元件和第二开关元件；第二栅极线，连接至第三开关元件和第四开关元件；第一数据线，连接至第一开关元件和第三开关元件；以及第二数据线，连接至第二开关元件和第四开关元件。

在示例性实施例中，显示装置可进一步包括：第一栅极线，连接至第一开关元件和第三开关元件；第二栅极线，连接至第二开关元件和第四开关元件；第一数据线，连接至第一开关元件和第二开关元件；以及第二数据线，连接至第三开关元件和第四开关元件。

在示例性实施例中，显示装置可进一步包括：第一子像素电极，被设置成与第一滤色器层重叠；第二子像素电极，被设置成与第二滤色器层重叠；第三子像素电极，被设置成与第三滤色器层重叠；第四子像素电极，被设置成与第四滤色器层重叠；第一开关元件，连接至第一子像素电极；第二开关元件，连接至第一开关元件和第二子像素电极；第三开关元件，连接至第三子像素电极；第四开关元件，连接至第三开关元件和第四子像素电极；栅极线，连接至第一开关元件、第二开关元件、第三开关元件和第四开关元件；第一数据线，连接至第一开关元件；以及第二数据线，连接至第三开关元件。

根据本发明的示例性实施例，一种显示装置的制造方法，包括：在第一基板上提供第一光敏有机材料；图案化第一光敏有机材料以形成第一滤色器层、第二滤色器层以及在第一基板的边缘与第一滤色器层之间或者第一滤色器层与第二滤色器层之间的第一虚设滤色器层；在第二基板上提供第二光敏有机材料；图案化第二光敏有机材料以形成第三滤色器层、第四滤色器层以及在第一基板的边缘与第三滤色器层之间或者第三滤色器层与第四滤色器层之间的第二虚设滤色器层；在第一虚设滤色器层上提供第一柱状间隔物，并且在第二虚设滤色器层上提供第二柱状间隔物；以及将第一基板与第二基板彼此结合。在此实施例中，第一虚设滤色器层相对于第一基板的参考表面的高度大于第二虚设滤色器层相对于参考表面的高度，并且第一虚设滤色器层的面朝第二基板的表面大于第二虚设滤色器层的面朝第二基板的表面。

在示例性实施例中，图案化第一光敏有机材料可包括：在第一光敏有机材料上设置第一掩模，其中在第一掩模中定义分别对应于第一滤色器层、第二滤色器层和第一虚设滤色器层的透射区域；以及通过第一掩模曝光第一光敏有机材料。

在示例性实施例中，图案化第二光敏有机材料可包括：在第二光敏有机材料上设置第二掩模，其中在第二掩模中定义分别对应于第三滤色器层、第四滤色器层和第二虚设滤色器层的透射区域；以及通过第二掩模曝光第二光敏有机材料。

在示例性实施例中，第一掩模的对应于第一虚设滤色器层的透射区域的尺寸可大于第二掩模的对应于第二虚设滤色器层的透射区域的尺寸。

在示例性实施例中，第一掩模的对应于第一虚设滤色器层的透射区域可具有与第二掩模的对应于第二虚设滤色器层的透射区域的尺寸基本相等的尺寸，并且在第一光敏有机材料和第二光敏有机材料的曝光过程期间，照射到第一掩模的对应于第一虚设滤色器层的透射区域上的光的量可大于照射到第二掩模的对应于第二虚设滤色器层的透射区域上的光的量。

附图说明

从以下结合附图的详细描述中，本发明的公开内容的上述以及其他特征将被更清楚地理解，在附图中：

图1是图示根据示例性实施例的包括在显示装置中的像素的视图；

图2是沿图1的线I-I’截取的剖视图；

图3是图示图1的像素电极的放大视图；

图4是图示包括具有图1中所图示的结构的多个像素的显示装置的俯视图；

图5是图示图4的第一滤色器层、第二滤色器层、第三滤色器层、第四滤色器层、第五滤色器层和第六滤色器层以及第一虚设滤色器层、第二虚设滤色器层、第三虚设滤色器层、第四虚设滤色器层、第五虚设滤色器层和第六虚设滤色器层的视图；

图6是沿图4的线I-I’截取的剖视图；

图7A至图15B是图示根据示例性实施例的显示装置的制造方法的剖视图；

图16是根据可替代的示例性实施例的沿图4的线I-I’截取的剖视图；

图17是图示根据可替代的示例性实施例的包括图1的多个像素的显示装置的俯视图；

图18是图示图17的第一滤色器层、第二滤色器层、第三滤色器层、第四滤色器层、第五滤色器层和第六滤色器层以及第一虚设滤色器层、第二虚设滤色器层、第三虚设滤色器层、第四虚设滤色器层、第五虚设滤色器层和第六虚设滤色器层的视图；

图19是图示根据可替代的示例性实施例的包括在显示装置中的像素的视图；

图20是沿图19的线I-I’截取的剖视图；

图21是图示根据示例性实施例的包括具有图19中所图示的结构的多个像素的显示装置的俯视图；

图22是图示图21的第一滤色器层、第二滤色器层、第三滤色器层、第四滤色器层、第五滤色器层和第六滤色器层以及第一虚设滤色器层、第二虚设滤色器层、第三虚设滤色器层、第四虚设滤色器层、第五虚设滤色器层和第六虚设滤色器层的视图；

图23是根据示例性实施例的沿图21的线I-I’截取的剖视图；

图24是根据可替代的示例性实施例的沿图21的线I-I’截取的剖视图；

图25是图示根据可替代的示例性实施例的包括具有图19中所图示的结构的多个像素的显示装置的俯视图；

图26是图示图25的第一滤色器层、第二滤色器层、第三滤色器层、第四滤色器层、第五滤色器层和第六滤色器层以及第一虚设滤色器层、第二虚设滤色器层、第三虚设滤色器层、第四虚设滤色器层、第五虚设滤色器层和第六虚设滤色器层的视图；

图27是图示根据另一可替代的示例性实施例的包括在显示装置中的像素的视图；

图28是沿图27的线I-I’截取的剖视图；

图29是沿图27的线II-II’截取的剖视图；

图30是图示包括具有图27中所图示的结构的多个像素的显示装置的俯视图；

图31是图示图30的第一滤色器层、第二滤色器层、第三滤色器层、第四滤色器层、第五滤色器层和第六滤色器层以及第一虚设滤色器层、第二虚设滤色器层和第三虚设滤色器层的视图；

图32是根据示例性实施例的沿图30的线I-I’截取的剖视图；

图33是根据可替代的示例性实施例的沿图30的线I-I’截取的剖视图；

图34是图示根据可替代的示例性实施例的包括具有图27中所图示的结构的多个像素的显示装置的俯视图；以及

图35是图示图34的第一滤色器层、第二滤色器层、第三滤色器层、第四滤色器层、第五滤色器层和第六滤色器层以及第一虚设滤色器层、第二虚设滤色器层和第三虚设滤色器层的视图。

具体实施方式

在下文中，将参照示出了各种实施例的附图更充分地描述本发明。然而，本发明可以以许多不同形式实现，并且不应被理解为受限于本文提出的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域普通技术人员充分地传达本发明的范围。在整个说明书中，相同的附图标记指代相同的元件。

为了进行清楚且便利的描述，附图中多个层和区域的厚度以放大形式图示。当层、区域或板被称为在另一层、区域或板“上”时，其可直接在该另一层、区域或板上，或者其间可存在中间层、区域或板。相反，当层、区域或板被称为“直接”在另一层、区域或板“上”时，其间可不存在中间层、区域或板。进一步，当层、区域或板被称为在另一层、区域或板“下”时，其可直接在该另一层、区域或板下，或者其间可存在中间层、区域或板。相反，当层、区域或板被称为“直接”在另一层、区域或板“下”时，其间可不存在中间层、区域或板。

为了便于描述，本文可使用空间相对术语“下”、“在下方”、“在…之下”、“上”和“在…之上”等来描述如附图中所图示的一个元件或组件与另一元件或组件之间的关系。应理解的是，空间相对术语旨在包含设备在使用或操作中除附图中所描绘的方位之外的不同方位。例如，在附图中图示的设备被翻转的情况下，位于另一设备“下”或“下方”的设备可被置于另一设备“上”。因此，示意性的术语“下”可包含下方位置和上方位置两者。该设备还可在其他方向上取向，并且因此，可根据方向对空间相对术语进行不同的解释。

在整个说明书中，当某元件被称为“连接至”另一元件时，该元件“直接连接至”另一元件，或者“电连接至”该另一元件，在该元件与该另一元件之间插入有一个或多个中间元件。应进一步理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”指定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件的存在，而不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组的存在或添加。

应理解的是，尽管本文可使用术语“第一”、“第二”、“第三”等描述各种元件，但这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。因此，下面讨论的“第一元件”也可被命名为“第二元件”或“第三元件”，并且“第二元件”和“第三元件”也可类似地命名而不脱离本文的教导。

如本文所使用的“约”或“近似”包含所述数值并且意味着在特定值的偏差的可接受范围内，特定值的偏差的可接受范围如由本领域普通技术人员考虑所讨论的测量和与特定数量(即，测量系统的限制)的测量相关联的误差来确定。例如，“约”可能意味着在一个或多个标准偏差内，或者在所述数值的±30％、20％、10％、5％内。

除非另外定义，本文所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域内技术人员通常理解的含义相同含义。应理解的是，除非在本说明书中明确定义，否则在诸如常用字典中定义的那些术语应被解释为具有与其在相关领域的背景下的含义一致的含义，并且不应以理想化或过于正式的方式进行解释。

本文参照剖视图描述示例性实施例，剖视图是理想化实施例的示意性图示。照此，将预计到由例如制造技术和/或制造公差造成的所图示的形状的变化。因此，本文描述的实施例不应被解释为受限于如本文所图示的区域的特定形状，而是将包括例如由制造造成的形状上的偏差。例如，图示为或描述为平坦的区域通常可具有粗糙和/或非线性特征。而且，图示的锐角可能是圆形的。因此，附图中图示的区域本质上是示意性的，并且其形状不旨在图示区域的精确形状，并且不旨在限制本权利要求的范围。

在下文中将参照图1至图35详细描述一种显示装置以及制造该显示装置的方法的示例性实施例。

图1是图示根据示例性实施例的包括在显示装置中的像素的视图，并且图2是沿图1的线I-I’截取的剖视图。

在示例性实施例中，如图1和图2中所图示，显示装置的像素PX1包括开关元件TFT1、像素电极PE1和滤色器层351。

开关元件TFT1包括半导体层321、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。栅电极GE连接至栅极线GL1，源电极SE连接至数据线DL1，并且漏电极DE连接至像素电极PE1。

在示例性实施例中，像素PX1位于第一基板301与第二基板302之间。在此实施例中，如图2中所图示，显示装置包括以预定距离彼此间隔开的第一基板301和第二基板302，并且开关元件TFT1、像素电极PE1和滤色器层351位于(或布置在)第一基板301与第二基板302之间。

在此实施例中，栅极线GL1、维持线721、预倾控制层500、遮光膜182、栅极绝缘层311、数据线DL1、保护层320、虚设滤色器层801、屏蔽电极961、绝缘层间层325、遮光层376、柱状间隔物901、液晶层333以及公共电极330位于第一基板301与第二基板302之间。

第一基板301和第二基板302中的至少一个可为例如包括玻璃或塑料的绝缘基板。

在示例性实施例中，当面朝彼此的第一基板301的表面和第二基板302的表面分别被定义为相应基板的内表面、并且与内表面相对的表面分别被定义为相应基板的外表面时，可在第一基板301的外表面上进一步布置第一偏光板(未图示)，并且可在第二基板302的外表面上进一步布置第二偏光板(未图示)。第一偏光板的透光轴可基本正交于第二偏光板的透光轴。

在示例性实施例中，可使用偏光层代替第一偏光板和第二偏光板，并且在此实施例中，偏光层可位于第一基板301与第二基板302之间。

在示例性实施例中，如图1中所图示，栅极线GL1在平行于X轴的方向(在下文中，X轴方向)上延伸。在此实施例中，如图2中所图示，栅极线GL1位于第一基板301上。

在示例性实施例中，如图1中所图示，栅极线GL1连接至栅电极GE。栅极线GL1和栅电极GE可整体形成为单一的并且不可分割的单元。

尽管未图示，但栅极线GL1的端部可具有比栅极线GL1的其他部分的面积大的面积，以用于连接至其他层或外部驱动电路。栅极线GL1可从外部驱动电路接收栅极信号。

在示例性实施例中，栅极线GL1可包括铝(Al)或其合金、银(Ag)或其合金、铜(Cu)或其合金和/或钼(Mo)或其合金，或者可由铝(Al)或其合金、银(Ag)或其合金、铜(Cu)或其合金和/或钼(Mo)或其合金形成。在可替代的示例性实施例中，栅极线GL1可包括铬(Cr)、钽(Ta)和钛(Ti)中的至少一种，或者可由铬(Cr)、钽(Ta)和钛(Ti)中的至少一种形成。在示例性实施例中，栅极线GL1可具有包括至少两个导电层的多层结构，该至少两个导电层具有彼此不同的物理属性。

在示例性实施例中，如图1中所图示，栅电极GE可具有从栅极线GL1朝向维持线721突出的形状。栅电极GE可为栅极线GL1的一部分。栅电极GE和栅极线GL1可整体形成为单一的并且不可分割的单元。

在示例性实施例中，如图2中所图示，栅电极GE位于第一基板301上。栅电极GE可包括与栅极线GL1基本相同的材料，并且可具有与栅极线GL1基本相同的结构(多层结构)。栅电极GE和栅极线GL1可以以基本相同的工艺彼此同时形成。

在示例性实施例中，如图1中所图示，维持线721在X轴方向上延伸。此外，维持线721可在平行于Y轴的方向(在下文中，Y轴方向)上延伸。维持线721基本平行于栅极线GL1。在此实施例中，如图2中所图示，维持线721位于第一基板301上。

在示例性实施例中，尽管未图示，但维持线721的端部可具有比维持线721的其他部分的面积大的面积，以用于连接至其他层或外部驱动电路。维持线721可从外部驱动电路接收维持电压。维持电压为直流(“DC”)电压，并且可具有与施加至公共电极330的公共电压的电压水平基本相同的电压水平。

预倾控制层500控制液晶层333的液晶分子的预倾角。在此实施例中，预倾控制层500将像素电极PE1上的液晶分子控制为相对于预倾控制层500在预定方向上倾斜。

在示例性实施例中，如图1中所图示，预倾控制层500对应于像素电极PE1的相对边缘以及像素电极PE1的中心部分定位。在此实施例中，预倾控制层500可包括彼此分离的第一控制层501、第二控制层502和第三控制层503。第一控制层501和第二控制层502分别位于像素电极PE1的面朝彼此的相对边缘处，并且第三控制层503位于像素电极PE1的中心部分处。第三控制层503位于第一控制层501与第二控制层502之间。

在示例性实施例中，如图1中所图示，第一控制层501、第二控制层502和第三控制层503中的每一个可具有在Y轴方向上延伸的条状。

在示例性实施例中，如图2中所图示，预倾控制层500位于第一基板301上。

预倾控制层500可包括与栅极线GL1基本相同的材料，并且可具有与栅极线GL1基本相同的结构(例如，多层结构)。预倾控制层500和栅极线GL1可以以基本相同的工艺彼此同时形成。

预倾控制层500具有不连接至包括栅极线GL1和数据线DL1的任何导线的孤立形状。在此实施例中，第一控制层501、第二控制层502和第三控制层503中的每一个都不与显示装置的任何信号线直接物理连接。如本文所使用的，信号线包括直接从信号源接收信号的线、通过至少一条其他线间接从信号源接收信号的线、通过至少一个电容器间接从信号源接收信号的线或者通过至少一个开关间接从信号源接收信号的线。

在示例性实施例中，如图1和图2中所图示，遮光膜182对应于漏接触孔11位于第一基板301上。在漏接触孔11被定义为因掩模未对准而严重偏离漏电极DE的情况下，可能通过漏接触孔11发生漏光。在示例性实施例中，遮光膜182位于漏接触孔11下以阻挡此漏光。遮光膜182具有不连接至包括栅极线GL1和数据线DL1的任何导线的孤立形状。遮光膜182可与第一控制层501整体形成为单一的并且不可分割的单元。

遮光膜182可包括与栅极线GL1基本相同的材料，并且可具有与栅极线GL1基本相同的结构(多层结构)。遮光膜182和栅极线GL1可以以基本相同的工艺彼此同时形成。

在示例性实施例中，如图2中所图示，栅极绝缘层311位于栅极线GL1、栅电极GE、维持线721、预倾控制层500和遮光膜182上。在此实施例中，栅极绝缘层311可被提供或被形成在包括栅极线GL1、栅电极GE、维持线721、预倾控制层500和遮光膜182的第一基板301的整个表面上方。

栅极绝缘层311可包括例如氮化硅(SiN_x)、氧化硅(SiO_x)等。栅极绝缘层311可具有包括至少两个绝缘层的多层结构，该至少两个绝缘层具有彼此不同的物理属性。

在示例性实施例中，如图1中所图示，半导体层321与栅电极GE、源电极SE和漏电极DE重叠。在此实施例中，如图2中所图示，半导体层321位于栅极绝缘层311上。半导体层321可包括例如非晶硅、多晶硅等。

在示例性实施例中，如图1中所图示，数据线DL1在Y轴方向上延伸。在示例性实施例中，如图1中所图示，数据线DL1与栅极线GL1相交。

在示例性实施例中，尽管未图示，但数据线DL1在数据线DL1与栅极线GL1相交处可具有比数据线DL1的其他部分的线宽小的线宽。在本文中，数据线DL1的线宽意味着数据线DL1的沿X轴方向测得的宽度。在此实施例中，栅极线GL1在数据线DL1与栅极线GL1相交处可具有比栅极线GL1的其他部分的线宽小的线宽。在本文中，栅极线GL1的线宽意味着栅极线GL1的沿Y轴方向测得的宽度。在此实施例中，由于数据线DL1的线宽和栅极线GL1的线宽在数据线DL1与栅极线GL1相交处相对小，因此可降低数据线DL1与栅极线GL1之间的寄生电容。

在示例性实施例中，尽管未图示，但数据线DL1的端部可具有比数据线DL1的其他部分的面积大的面积，以用于连接至其他层或外部驱动电路。数据线DL1可从外部驱动电路接收数据电压(即，图像数据电压)。

在示例性实施例中，尽管图2中未图示，但数据线DL1位于栅极绝缘层311上。在此实施例中，数据线DL1可如图2中所图示的源电极SE那样位于栅极绝缘层311上。

数据线DL1可包括难熔金属，诸如钼、铬、钽和钛，或者其合金。数据线DL1可具有包括难熔金属层和低阻导电层的多层结构。在一个示例性实施例中，例如，此多层结构可包括：包括铬或钼(合金)下层和铝(合金)上层的双层结构；以及包括钼(合金)下层、铝(合金)中间层和钼(合金)上层的三层结构。在示例性实施例中，数据线DL1可包括除前述材料之外的任意适当金属或导体，或者可由除前述材料之外的任意适当金属或导体形成。

在示例性实施例中，如图1和图2中所图示，源电极SE与栅电极GE和半导体层321重叠。在此实施例中，如图2中所图示，源电极SE位于栅极绝缘层311和半导体层321上。

源电极SE可具有从数据线DL1朝向像素电极PE1突出的形状。源电极SE可为数据线DL1的一部分。源电极SE和数据线DL1可整体形成为单一的并且不可分割的单元。

源电极SE可具有I型形状、C型形状和U型形状中的一种形状。在示例性实施例中，如图1中所示，源电极SE具有U型形状，并且源电极SE的凸出部分指向栅极线GL1。

源电极SE可包括与数据线DL1基本相同的材料，并且可具有与数据线DL1基本相同的结构(多层结构)。源电极SE和数据线DL1可以以基本相同的工艺彼此同时形成。

在示例性实施例中，如图1和图2中所图示，漏电极DE位于栅极绝缘层311和半导体层321上，以预定距离与源电极SE间隔开。漏电极DE与半导体层321和栅电极GE重叠。开关元件TFT1的沟道区位于半导体层321的在漏电极DE与源电极SE之间的部分处。

漏电极DE可包括与数据线DL1基本相同的材料，并且可具有与数据线DL1基本相同的结构(多层结构)。漏电极DE和数据线DL1可以以基本相同的工艺彼此同时形成。

第一欧姆接触层321a位于半导体层321与源电极SE之间。半导体层321与源电极SE之间的界面电阻可由于第一欧姆接触层321a而减小。

第一欧姆接触层321a可包括硅化物或者掺杂有高浓度n型杂质离子的n+氢化非晶硅薄膜，n型杂质离子例如磷(P)或磷的氢化物(PH₃)。

第二欧姆接触层321b位于半导体层321与漏电极DE之间。半导体层321与漏电极DE之间的界面电阻可由于第二欧姆接触层321b而减小。第二欧姆接触层321b可包括与第一欧姆接触层321a基本相同的材料，并且可具有与第一欧姆接触层321a基本相同的结构(例如，多层结构)。第二欧姆接触层321b和第一欧姆接触层321a可以以基本相同的工艺彼此同时形成。

在示例性实施例中，可省略第一欧姆接触层321a和第二欧姆接触层321b。

在示例性实施例中，尽管未图示，但可进一步在栅极绝缘层311与源电极SE之间布置半导体层(在下文中，“第一附加半导体层”)。在示例性实施例中，可进一步在栅极绝缘层311与漏电极DE之间布置半导体层(在下文中，“第二附加半导体层”)。在示例性实施例中，可进一步在栅极绝缘层311与数据线DL1之间布置半导体层(在下文中，“第三附加半导体层”)。

在示例性实施例中，尽管未图示，但可进一步在第一附加半导体层与源电极SE之间布置欧姆接触层。在示例性实施例中，可进一步在第二附加半导体层与漏电极DE之间布置欧姆接触层。在示例性实施例中，可进一步在第三附加半导体层与数据线DL1之间布置欧姆接触层。

在示例性实施例中，如图2中所图示，保护层320位于栅极绝缘层311、数据线DL1、源电极SE和漏电极DE上。在此实施例中，保护层320可位于包括栅极绝缘层311、数据线DL1、源电极SE和漏电极DE的第一基板301的整个表面上方。

在示例性实施例中，在保护层320中的对应于漏电极DE的位置处定义开口，从而暴露漏电极DE的一部分。保护层320的开口可为漏接触孔11的一部分。

保护层320可包括无机绝缘材料，诸如氮化硅(SiN_x)、氧化硅(SiO_x)等。在此实施例中，无机绝缘材料可具有光敏性和约4.0的介电常数。在可替代的示例性实施例中，保护层320可具有包括下无机层和上有机层的双层结构。保护层320可具有大于或等于约的厚度，例如在约至约的范围内。

在示例性实施例中，如图1和图2所图示，滤色器层351对应于像素电极PE1、栅极线GL1和维持线721位于保护层320上。滤色器层351可具有预定颜色。在此实施例中，滤色器层351可包括对应于预定颜色的颜料。

在示例性实施例中，如图1中所图示，虚设滤色器层801可位于滤色器层351与第一基板301的边缘之间。在示例性实施例中，虚设滤色器层801可位于具有彼此基本相同的颜色的两个邻近滤色器层之间。稍后将详细描述虚设滤色器层801。

在示例性实施例中，如图2中所图示，绝缘层间层325位于滤色器层351和保护层320上。绝缘层间层325可位于包括滤色器层351和保护层320的第一基板301的整个表面上方。

在对应于漏电极DE的位置处定义通过绝缘层间层325的开口，从而暴露漏电极DE。绝缘层间层325的开口是漏接触孔11的一部分。在此实施例中，漏接触孔11包括上述保护层320的开口以及绝缘层间层325的开口。

绝缘层间层325可包括与上述保护层320基本相同的材料。在示例性实施例中，例如，绝缘层间层325和保护层320中的每一个可包括光敏有机材料。绝缘层间层325的高度差或台阶覆盖可随光敏有机材料的特性而变化。

在示例性实施例中，如图1中所图示，像素电极PE1可位于由栅极线GL1、维持线721以及彼此邻近的数据线DL1和DL2围绕的区域中未被遮光层376覆盖的区域(在下文中，像素区域)处。在此实施例中，像素电极PE1的边缘中的与维持线721邻近的至少一个边缘可与维持线721重叠。

像素电极PE1可包括透明导电材料，诸如ITO或IZO。在此实施例中，ITO可为多晶材料或单晶材料，而IZO也可为多晶材料或单晶材料。可替代地，IZO可为非晶材料。

图3是图示图1的像素电极的放大视图。

在示例性实施例中，如图3中所图示，像素电极PE1包括主干电极613以及从主干电极613延伸的多个分支电极601a、601b、601c和601d。主干电极613以及分支电极601a、601b、601c和601d可整体形成为单一的并且不可分割的单元。

主干电极613将像素区域P划分为多个畴。在示例性实施例中，例如，主干电极613包括彼此相交的水平部分611和垂直部分612。水平部分611将像素区域P划分为两个畴，而垂直部分612将所划分的两个畴中的每一个畴划分为两个更小的畴。相应地，在此实施例中，像素区域P被包括水平部分611和垂直部分612的主干电极613划分为四个畴A、B、C和D。

分支电极包括分别在不同方向上从主干电极613延伸的第一分支电极601a、第二分支电极601b、第三分支电极601c和第四分支电极601d。在此实施例中，第一分支电极601a、第二分支电极601b、第三分支电极601c和第四分支电极601d从主干电极613分别延伸到畴A、畴B、畴C和畴D中。在一个示例性实施例中，例如，第一分支电极601a布置在第一畴A中，第二分支电极601b布置在第二畴B中，第三分支电极601c布置在第三畴C中，并且第四分支电极601d布置在第四畴D中。

在示例性实施例中，第一分支电极601a和第二分支电极601b相对于垂直部分612形成对称的形状，并且第三分支电极601c和第四分支电极601d相对于垂直部分612形成对称的形状。在此实施例中，第一分支电极601a和第四分支电极601d相对于水平部分611形成对称的形状，并且第二分支电极601b和第三分支电极601c相对于水平部分611形成对称的形状。

多个第一分支电极601a可布置在第一畴A中。在此实施例中，多个第一分支电极601a彼此平行设置。在此实施例中，第一分支电极601a中的一些从水平部分611的邻近于第一畴A的一侧、在相对于水平部分611的这一侧的对角方向上延伸。在此实施例中，第一分支电极601a中的一些从垂直部分612的邻近于第一畴A的一侧、在相对于垂直部分612的这一侧的对角方向上延伸。

多个第二分支电极601b可布置在第二畴B中。在此实施例中，多个第二分支电极601b彼此平行设置。在此实施例中，第二分支电极601b中的一些从水平部分611的邻近于第二畴B的一侧、在相对于水平部分611的这一侧的对角方向上延伸。在此实施例中，第二分支电极601b中的一些从垂直部分612的邻近于第二畴B的一侧、在相对于垂直部分612的这一侧的对角方向上延伸。

多个第三分支电极601c可布置在第三畴C中。在此实施例中，多个第三分支电极601c彼此平行设置。在此实施例中，第三分支电极601c中的一些从水平部分611的邻近于第三畴C的一侧、在相对于水平部分611的这一侧的对角方向上延伸。此外，第三分支电极601c中的一些从垂直部分612的邻近于第三畴C的一侧、在相对于垂直部分612的这一侧的对角方向上延伸。

多个第四分支电极601d可提供在第四畴D处。在此实施例中，多个第四分支电极601d彼此平行设置。在此实施例中，第四分支电极601d中的一些从水平部分611的邻近于第四畴D的一侧、在相对于水平部分611的这一侧的对角方向上延伸。在此实施例中，第四分支电极601d中的一些从垂直部分612的邻近于第四畴D的一侧、在相对于垂直部分612的这一侧的对角方向上延伸。

在示例性实施例中，前述主干电极613可进一步包括第一连接部614a和第二连接部614b。第一连接部614a连接至垂直部分612的一个端部，并且第二连接部614b连接至垂直部分612的另一端部。第一连接部614a和第二连接部614b可平行于水平部分611设置。第一连接部614a和第二连接部614b可与主干电极613整体形成为单一的并且不可分割的单元。

布置在第一畴A中的至少两个第一分支电极601a的端部以及布置在第二畴B中的至少两个第二分支电极601b的端部可通过第一连接部614a彼此连接。类似地，布置在第三畴C中的至少两个第三分支电极601c的端部以及布置在第四畴D中的至少两个第四分支电极601d的端部可通过第二连接部614b彼此连接。

在示例性实施例中，尽管未图示，但布置在第一畴A中的至少两个第一分支电极601a的端部以及布置在第二畴B中的至少两个第二分支电极601b的端部可通过不同的连接部彼此连接。在此实施例中，布置在第三畴C中的至少两个第三分支电极601c的端部以及布置在第四畴D中的至少两个第四分支电极601d的端部可通过另一不同的连接部彼此连接。

在示例性实施例中，如图3中所图示，像素电极PE1可进一步包括辅助水平部分630、第一辅助垂直部分651a和第二辅助垂直部分651b。

辅助水平部分630、第一辅助垂直部分651a和第二辅助垂直部分651b中的每一个可具有条状。

辅助水平部分630平行于水平部分611。辅助水平部分630连接至垂直部分612。辅助水平部分630可与垂直部分612整体形成为单一的并且不可分割的单元。

第一辅助垂直部分651a平行于垂直部分612。第一辅助垂直部分651a连接至水平部分611的一侧。第一辅助垂直部分651a可与水平部分611整体形成为单一的并且不可分割的单元。在此实施例中，第一辅助垂直部分651a可与包括在预倾控制层500(图2中所示)中的第一控制层501重叠。

第二辅助垂直部分651b平行于垂直部分612。第二辅助垂直部分651b连接至水平部分611的另一侧。第二辅助垂直部分651b可与水平部分611整体形成为单一的并且不可分割的单元。第二辅助垂直部分651b可与包括在预倾控制层500中的第二控制层502重叠。

在此实施例中，通过辅助水平部分630、第一辅助垂直部分651a和第二辅助垂直部分651b，可减少各像素之间由于像素电极PE1的未对准而产生的电容偏差。

在示例性实施例中，如图1和图2中所图示，像素电极PE1可通过连接电极880连接至开关元件TFT1。在一个示例性实施例中，例如，像素电极PE1可通过连接电极880和漏接触孔11连接至开关元件TFT1的漏电极DE。连接电极880可与像素电极PE1整体形成为单一的并且不可分割的单元。

连接电极880可包括与像素电极PE1基本相同的材料，并且可具有与像素电极PE1的结构基本相同的结构。连接电极880和像素电极PE1可以以基本相同的工艺彼此同时形成。

在示例性实施例中，如图1中所图示，屏蔽电极961与栅极线GL1、栅电极GE、维持线721、预倾控制层500、数据线DL1、源电极SE和漏电极DE中的每一个的至少一部分重叠。

在此实施例中，如图1中所图示，屏蔽电极961的一部分(在下文中，“第一电极”)与栅极线GL1的一部分重叠，并且具有沿栅极线GL1定位的线的形状；而屏蔽电极961的另一部分(在下文中，“第二电极”)与数据线DL1的一部分重叠，并且具有沿数据线DL1定位的线的形状。在此实施例中，屏蔽电极961的第一电极与数据线DL1相交，并且屏蔽电极961的第二电极与栅极线GL1和维持线721相交。在此实施例中，屏蔽电极961的又一部分具有从第一电极朝向维持线721突出的平坦形状，从而与源电极SE、漏电极DE和栅电极GE中的每一个的至少一部分重叠；而屏蔽电极961的再一部分具有从第二电极朝向像素电极PE1突出的形状。

屏蔽电极961可接收与公共电极330的电压基本相同的电压。在一个示例性实施例中，例如，屏蔽电极961可从外部驱动电路接收公共电压。

在此实施例中，屏蔽电极961有效防止在栅极线GL1与像素电极PE1之间形成电场。在此实施例中，由于屏蔽电极961和公共电极330接收基本相同的电压，例如，公共电压，因此，屏蔽电极961和公共电极330可变成等电位的。相应地，穿过屏蔽电极961与公共电极330之间的液晶层333的光被阻挡，使得可有效防止对应于数据线DL1的部分处的漏光。在此实施例中，由于屏蔽电极961可取代栅极线GL1上的遮光层376的一部分，因此数据线DL1上的遮光层376的该部分可被移除，使得可进一步增加像素PX1的开口率。

屏蔽电极961可包括与像素电极PE1基本相同的材料，并且可具有与像素电极PE1基本相同的结构(多层结构)。屏蔽电极961和像素电极PE1可以以基本相同的工艺彼此同时形成。

在示例性实施例中，如图1中所图示，遮光层376与栅极线GL1和维持线721相交。在此实施例中，如图1中所图示，遮光层376与开关元件TFT1、数据线DL1和漏接触孔11重叠。在此实施例中，遮光层376可进一步与像素电极PE1的一部分、屏蔽电极961的一部分以及连接电极880重叠。在一个示例性实施例中，例如，如图1中所图示，遮光层376可与像素电极PE1的邻近于数据线DL1的边缘中的至少一个边缘重叠。在本文中，数据线DL1意味着与连接至像素电极PE1的开关元件TFT1的源电极SE整体形成为单一的并且不可分割的单元的数据线DL1。在此实施例中，如图2中所图示，遮光层376位于保护层320、像素电极PE1和屏蔽电极961上。

遮光层376可包括光敏有机材料。在此实施例中，光敏有机材料可为正型或负型光敏有机材料。遮光层376的高度差或台阶覆盖可随光敏有机材料的特性而变化。

在示例性实施例中，如图1和图2中所图示，柱状间隔物901位于遮光层376上，以与虚设滤色器层801重叠。在示例性实施例中，如图2中所图示，柱状间隔物901可与遮光层376整体形成为单一的并且不可分割的单元。在此实施例中，当柱状间隔物901和遮光层376整体形成为单一的并且不可分割的单元时，集成结构的与虚设滤色器层801重叠的部分对应于前述柱状间隔物901。

柱状间隔物901可包括与遮光层376基本相同的材料，并且可具有与遮光层376基本相同的结构。柱状间隔物901和遮光层376可以以基本相同的工艺彼此同时形成。

柱状间隔物901的高度h1取决于位于柱状间隔物901下的虚设滤色器层801的高度h11，或者基于位于柱状间隔物901下的虚设滤色器层801的高度h11来确定。虚设滤色器层801的高度h11取决于虚设滤色器层801的面积，或者基于虚设滤色器层801的面积来确定。相应地，柱状间隔物901的高度h1取决于虚设滤色器层801的面积，或者基于虚设滤色器层801的面积来确定。当虚设滤色器层801的面积增加时，虚设滤色器层801的高度h11增加，并且相应地，位于虚设滤色器层801上的柱状间隔物901的高度h1也增加。

在本文中，如图2中所图示，柱状间隔物901的高度h1被定义为从第一基板301的平坦参考表面(即，第一基板301的内表面)到柱状间隔物901的最上层表面的垂直距离，并且该垂直距离意味着在平行于Z轴的方向(在下文中，“Z轴方向”)上测得的距离。第一基板301的参考表面与Z轴方向垂直相交。柱状间隔物901的最上层表面指的是柱状间隔物901的各表面中在Z轴方向上离前述参考表面最远的表面。可替代地，柱状间隔物901的前述高度还可被定义为第二基板302的平坦参考表面(即，第二基板302的内表面)与柱状间隔物901之间的垂直距离。在本文中，第二基板302的参考表面与柱状间隔物901之间的垂直距离意味着在Z轴方向上测得的距离。

可替代地，虚设滤色器层801的高度h11也可被定义为从第一基板301的参考表面到虚设滤色器层801的最上层表面的垂直距离。垂直距离意味着在Z轴方向上测得的距离。

虚设滤色器层801的面积意味着虚设滤色器层801的各表面中最邻近于第二基板302的参考表面的表面S1(在下文中，“对置表面”)的尺寸或面积。在一个示例性实施例中，例如，如图2中所图示，对置表面S1面朝第二基板302的参考表面，并且平行于该参考表面。

图4是图示包括具有图1中所图示的结构的多个像素的显示装置的俯视图，图5是图示图4的第一滤色器层、第二滤色器层、第三滤色器层、第四滤色器层、第五滤色器层和第六滤色器层以及第一虚设滤色器层、第二虚设滤色器层、第三虚设滤色器层、第四虚设滤色器层、第五虚设滤色器层和第六虚设滤色器层的视图，并且图6是沿图4的线I-I’截取的剖视图。

在示例性实施例中，如图4中所图示，显示装置包括多个像素PX1、PX2、PX3、PX4、PX5和PX6。在图4中，图示了包括六个像素PX1、PX2、PX3、PX4、PX5和PX6的显示装置的示例性实施例。图4的第一像素PX1与图1的像素PX1基本相同。在此实施例中，图4中的像素PX1、PX2、PX3、PX4、PX5和PX6中的每一个具有与上述图1中的像素PX1基本相同的结构。

六个像素PX1、PX2、PX3、PX4、PX5和PX6连接至三条栅极线GL1、GL2和GL3以及两条数据线DL1和DL2。在一个示例性实施例中，例如，在X轴方向上彼此邻近的第一像素PX1和第四像素PX4共同连接至第一栅极线GL1，在X轴方向上彼此邻近的第二像素PX2和第五像素PX5共同连接至第二栅极线GL2，并且在X轴方向上彼此邻近的第三像素PX3和第六像素PX6共同连接至第三栅极线GL3。在示例性实施例中，在Y轴方向上彼此邻近的第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3共同连接至第一数据线DL1，并且在Y轴方向上彼此邻近的第四像素PX4、第五像素PX5和第六像素PX6共同连接至第二数据线DL2。

在此实施例中，第一像素PX1连接至第一栅极线GL1和第一数据线DL1，第二像素PX2连接至第二栅极线GL2和第一数据线DL1，第三像素PX3连接至第三栅极线GL3和第一数据线DL1，第四像素PX4连接至第一栅极线GL1和第二数据线DL2，第五像素PX5连接至第二栅极线GL2和第二数据线DL2，并且第六像素PX6连接至第三栅极线GL3和第二数据线DL2。

在示例性实施例中，第一像素PX1包括第一开关元件TFT1、第一像素电极PE1和第一滤色器层351，第二像素PX2包括第二开关元件TFT2、第二像素电极PE2和第二滤色器层352，并且第三像素PX3包括第三开关元件TFT3、第三像素电极PE3和第三滤色器层353。在此实施例中，第四像素PX4包括第四开关元件TFT4、第四像素电极PE4和第四滤色器层354，第五像素PX5包括第五开关元件TFT5、第五像素电极PE5和第五滤色器层355，并且第六像素PX6包括第六开关元件TFT6、第六像素电极PE6和第六滤色器层356。

在X轴方向上彼此邻近的滤色器层具有彼此基本相同的颜色。在一个示例性实施例中，例如，如图5中所图示，第一滤色器层351可具有与第四滤色器层354基本相同的颜色，第二滤色器层352可具有与第五滤色器层355基本相同的颜色，并且第三滤色器层353可具有与第六滤色器层356基本相同的颜色。

在Y轴方向上彼此邻近的滤色器层具有彼此不同的颜色。在一个示例性实施例中，例如，如图5中所图示，第一滤色器层351、第二滤色器层352和第三滤色器层353具有彼此不同的颜色，并且第四滤色器层354、第五滤色器层355和第六滤色器层356具有彼此不同的颜色。

在一个示例性实施例中，例如，第一滤色器层351和第四滤色器层354中的每一个可具有红色，第二滤色器层352和第五滤色器层355中的每一个可具有绿色，并且第三滤色器层353和第六滤色器层356中的每一个可具有蓝色。

在示例性实施例中，如图4中所图示，第一虚设滤色器层801与第一开关元件TFT1重叠，第二虚设滤色器层802与第二开关元件TFT2重叠，并且第三虚设滤色器层803与第三开关元件TFT3重叠。在此实施例中，第四虚设滤色器层804与第四开关元件TFT4重叠，第五虚设滤色器层805与第五开关元件TFT5重叠，并且第六虚设滤色器层806与第六开关元件TFT6重叠。

在示例性实施例中，如图5中所图示，第一虚设滤色器层801位于第一基板301的边缘1000与第一滤色器层351之间，第二虚设滤色器层802位于第一基板301的边缘1000与第二滤色器层352之间，并且第三虚设滤色器层803位于第一基板301的边缘1000与第三滤色器层353之间。在此实施例中，第四虚设滤色器层804位于在X轴方向上彼此邻近并且具有基本相同的颜色的第一滤色器层351与第四滤色器层354之间，第五虚设滤色器层805位于在X轴方向上彼此邻近并且具有基本相同的颜色的第二滤色器层352与第五滤色器层355之间，并且第六虚设滤色器层806位于在X轴方向上彼此邻近并且具有基本相同的颜色的第三滤色器层353与第六滤色器层356之间。

在示例性实施例中，第一虚设滤色器层801可具有和与其邻近的第一滤色器层351基本相同的颜色，第二虚设滤色器层802可具有和与其邻近的第二滤色器层352基本相同的颜色，并且第三虚设滤色器层803可具有和与其邻近的第三滤色器层353基本相同的颜色。在此实施例中，第四虚设滤色器层804可具有和与其邻近的第四滤色器层354基本相同的颜色，第五虚设滤色器层805可具有和与其邻近的第五滤色器层355基本相同的颜色，并且第六虚设滤色器层806可具有和与其邻近的第六滤色器层356基本相同的颜色。

彼此具有基本相同的颜色的滤色器层和虚设滤色器层可整体形成为单一的并且不可分割的单元。在一个示例性实施例中，例如，如图5中所图示，具有红色的第一虚设滤色器层801、具有红色的第一滤色器层351、具有红色的第四虚设滤色器层804和具有红色的第四滤色器层354全部可整体形成为单一的并且不可分割的单元。

图4中的第一开关元件TFT1、第二开关元件TFT2、第三开关元件TFT3、第四开关元件TFT4、第五开关元件TFT5和第六开关元件TFT6中的每一个与上面参照图1描述的前述开关元件TFT1基本相同，并且在下文中将省略其任何重复的详细描述。图4中的第一像素电极PE1、第二像素电极PE2、第三像素电极PE3、第四像素电极PE4、第五像素电极PE5和第六像素电极PE6中的每一个与上面参照图1描述的前述像素电极PE1基本相同，并且在下文中将省略其任何重复的详细描述。图4中的第一滤色器层351、第二滤色器层352、第三滤色器层353、第四滤色器层354、第五滤色器层355和第六滤色器层356中的每一个与上面参照图1描述的前述滤色器层351基本相同，并且在下文中将省略其任何重复的详细描述。图4中的第一虚设滤色器层801、第二虚设滤色器层802、第三虚设滤色器层803、第四虚设滤色器层804、第五虚设滤色器层805和第六虚设滤色器层806中的每一个与上面参照图1描述的前述虚设滤色器层801基本相同，并且在下文中将省略其任何重复的详细描述。

在示例性实施例中，如图5和图6中所图示，至少两个虚设滤色器层可具有彼此不同的尺寸。在示例性实施例中，第一虚设滤色器层801的尺寸可不同于第二虚设滤色器层802的尺寸。在示例性实施例中，如图5和图6中所图示，第一虚设滤色器层801的对置表面S1的面积可大于第二虚设滤色器层802的对置表面S2的面积。第三虚设滤色器层803的对置表面S3的面积可基本等于第二虚设滤色器层802的对置表面S2的面积。

在示例性实施例中，第四虚设滤色器层804可具有与第一虚设滤色器层801的面积基本相等的面积。在此实施例中，第五虚设滤色器层805和第六虚设滤色器层806中的每一个可具有与第二虚设滤色器层802的面积基本相等的面积。

第一柱状间隔物901位于第一虚设滤色器层801上，第二柱状间隔物902位于第二虚设滤色器层802上，第三柱状间隔物903位于第三虚设滤色器层803上，第四柱状间隔物904位于第四虚设滤色器层804上，第五柱状间隔物905位于第五虚设滤色器层805上，并且第六柱状间隔物906位于第六虚设滤色器层806上。

在示例性实施例中，如图4和图5中所图示，至少两个柱状间隔物的尺寸可彼此不同。在一个示例性实施例中，例如，第一柱状间隔物901的尺寸可大于第二柱状间隔物902的尺寸。

在示例性实施例中，第四柱状间隔物904可具有与第一柱状间隔物901的尺寸基本相等的尺寸。在此实施例中，第三柱状间隔物903、第五柱状间隔物905和第六柱状间隔物906中的每一个可具有与第二柱状间隔物902的尺寸基本相等的尺寸。

由于上述各虚设滤色器层之间的面积差异，因此可在各柱状间隔物之间形成高度差，这将参照图6进行描述。

在示例性实施例中，如上所述，第一虚设滤色器层801具有比第二虚设滤色器层802的面积大的面积，并且在此实施例中，第一虚设滤色器层801的一侧的长度L1可大于第二虚设滤色器层802的与第一虚设滤色器层801的这一侧相对应的一侧的长度L2。在示例性实施例中，第二虚设滤色器层802的一侧的长度L2可基本等于第三虚设滤色器层803的与第二虚设滤色器层802的这一侧相对应的一侧的长度L3。

由于第一虚设滤色器层801具有比第二虚设滤色器层802的面积大的面积，因此第一虚设滤色器层801具有比第二虚设滤色器层802的高度大的高度。在此实施例中，第一虚设滤色器层801的高度h11大于第二虚设滤色器层802的高度h22。

由于第一虚设滤色器层801具有比第二虚设滤色器层802的高度大的高度，因此第一虚设滤色器层801上的第一柱状间隔物901具有比第二柱状间隔物902的高度大的高度。在此实施例中，第一柱状间隔物901的高度h1大于第二柱状间隔物902的高度h2。相应地，第二基板302的参考表面(即，第二基板302的内表面)与第一柱状间隔物901之间的距离小于第二基板302的参考表面与第二柱状间隔物902之间的距离。

在示例性实施例中，第三虚设滤色器层803具有与第二虚设滤色器层802的面积基本相等的面积，并且因此，第三虚设滤色器层803上的第三柱状间隔物903具有与第二虚设滤色器层802上的第二柱状间隔物902的高度基本相等的高度(即，h3＝h2)。相应地，第二基板302的参考表面与第三柱状间隔物903之间的距离基本等于第二基板302的参考表面与第二柱状间隔物902之间的距离。

在此实施例中，因为如上所述，第一柱状间隔物901下的第一虚设滤色器层801的面积大于第二柱状间隔物902下的第二虚设滤色器层802的面积，并且第三柱状间隔物903下的第三虚设滤色器层803的面积基本等于第二虚设滤色器层802的面积，所以第一柱状间隔物901具有比第二柱状间隔物902的高度大的高度，并且第三柱状间隔物903具有与第二柱状间隔物902的高度基本相等的高度。

具有相对大的高度h1的第一柱状间隔物901被定义为主柱状间隔物，并且具有相对小的高度h2和h3的第二柱状间隔物902和第三柱状间隔物903中的每一个被定义为子柱状间隔物。

在示例性实施例中，如图6中所图示，由于第一虚设滤色器层801具有比第二虚设滤色器层802的面积大的面积，而具有相对大的面积的虚设滤色器层上的柱状间隔物具有相对高的平坦性，因此第一虚设滤色器层801上的第一柱状间隔物901的厚度d1小于第二虚设滤色器层802上的第二柱状间隔物902的厚度d2。在此实施例中，第一柱状间隔物901和第二柱状间隔物902可在其制造过程期间通过基本相同量的光进行曝光，并且在此实施例中，具有相对大的面积的第一虚设滤色器层801上的第一柱状间隔物901可具有相对小的厚度。在示例性实施例中，第一柱状间隔物901的厚度d1可与第二虚设滤色器层802上的第二柱状间隔物902的厚度d2基本相同。

第三柱状间隔物903的厚度d3与第二柱状间隔物902的厚度d2基本相同。第一柱状间隔物901、第二柱状间隔物902和第三柱状间隔物903可在其制造过程期间全部通过基本相同量的光进行曝光。

如图2中所图示，公共电极330位于第二基板302上。公共电极330可位于第二基板302的整个表面上方。公共电极330可从外部驱动电路接收公共电压。公共电压为DC电压。

公共电极330可包括与上述像素电极PE1基本相同的材料。可替代地，当像素电极PE1包括IZO时，公共电极330可包括ITO。

液晶层333位于第一基板301与第二基板302之间。液晶层333可包括具有负的介电各向异性并且垂直取向的液晶分子。可替代地，液晶层333可包括光聚合物材料，并且在此实施例中，光聚合物材料可为反应性单体或反应性液晶基元。

图7A至图15B是图示根据示例性实施例的显示装置的制造方法的剖视图。更具体地，图7A、图8A、图9A、图10A、图13A、图14A和图15A对应于沿图1的线I-I’截取的剖视图，并且图7B、图8B、图9B、图10B、图11、图12、图13B、图14B和图15B对应于沿图4的线I-I’截取的剖视图。

在显示装置的制造方法的示例性实施例中，尽管未图示，但栅极金属层沉积在第一基板301的整个表面上方。例如可通过诸如溅射的物理气相沉积(“PVD”)方法沉积栅极金属层。

然后，通过光刻工艺图案化前述栅极金属层，使得形成如图7A和图7B所图示的栅极线GL1、栅电极GE、预倾控制层500和维持线721。

可通过使用刻蚀剂的湿法刻蚀方法来去除栅极金属层。

栅极金属层可包括用于前述栅极线GL1的制造的材料。

随后，在包括栅极线GL1、栅电极GE、预倾控制层500和维持线721的第一基板301的整个表面上方沉积栅极绝缘层311。可通过化学气相沉积(“CVD”)方法沉积栅极绝缘层311。

栅极绝缘层311可包括用于前述栅极绝缘层311的制造的基本相同的材料。

随后，尽管未图示，但在包括栅极绝缘层311的第一基板301的整个表面上方按顺序沉积半导体材料和杂质半导体材料。可通过CVD方法沉积半导体材料和杂质半导体材料。

半导体材料可包括用于前述半导体层321的制造的材料。杂质半导体材料可包括用于上述第一欧姆接触层321a和第二欧姆接触层321b的制造的材料。

随后，通过光刻工艺图案化半导体材料和杂质半导体材料，使得在栅极绝缘层311上形成与栅电极GE重叠的半导体层321，并且在半导体层321上形成具有与半导体层321基本相同的形状的杂质半导体图案。

可以以使用刻蚀气体的干法刻蚀去除半导体材料和杂质半导体材料。

随后，尽管未图示，但在包括半导体层321和杂质半导体图案的第一基板301的整个表面上沉积源极金属层。

源极金属层可包括用于前述数据线DL1的制造的材料。

随后，通过光刻工艺图案化源极金属层，使得在栅极绝缘层311上形成与栅极线GL1相交的数据线DL1，并且在杂质半导体图案上形成与半导体层321的相对侧重叠的源电极SE和漏电极DE。

随后，使用源电极SE和漏电极DE作为掩模、通过刻蚀工艺图案化杂质半导体图案，使得形成如图7A和图7B中所图示的第一欧姆接触层321a和第二欧姆接触层321b。第一欧姆接触层321a形成在源电极SE与半导体层321之间，并且第二欧姆接触层321b形成在漏电极DE和半导体层321之间。

在示例性实施例中，在上述杂质半导体图案的刻蚀工艺中，杂质半导体图案下的半导体层321的一部分被去除。相应地，减小了半导体层321的对应于沟道区的部分的厚度。

随后，如图7A和图7B中所图示，在包括数据线DL1、源电极SE和漏电极DE的第一基板301的整个表面上方沉积保护层320。

保护层320可包括用于前述保护层320的制造的材料。在一个示例性实施例中，例如，保护层320可包括无机材料。

随后，如图7A和图7B中所图示，在包括保护层320的第一基板301的整个表面上方沉积第一光敏有机材料350a。在此实施例中，第一光敏有机材料350a具有比足以形成平坦化表面的厚度小的厚度。相应地，如图7A和图7B中所图示，第一光敏有机材料350a的上表面不被平坦化。第一光敏有机材料350a是负型光敏有机材料。第一光敏有机材料350a可包括红色颜料。

随后，如图8A和图8B中所图示，在第一光敏有机材料350a上布置第一掩模M1。第一掩模M1包括透射光的透射区域TA以及阻挡光的遮光区域BA。

随后，诸如紫外线的光L通过第一掩模M1选择性地照射到第一光敏有机材料350a，使得第一光敏有机材料350a被曝光。当对曝光的第一光敏有机材料350a进行显影时，形成如图9A和图9B中所图示的第一滤色器层351和第一虚设滤色器层801。在此实施例中，第一滤色器层351和第一虚设滤色器层801整体形成为单一的并且不可分割的单元。

随后，如图10A和图10B中所图示，在包括第一滤色器层351、第一虚设滤色器层801和保护层320的第一基板301的整个表面上形成第二光敏有机材料350b。在此实施例中，第二光敏有机材料350b具有比足以形成平坦化表面的厚度小的厚度。相应地，如图10A和图10B中所图示，第二光敏有机材料350b的上表面可不被平坦化。第二光敏有机材料350b是负型光敏有机材料。第二光敏有机材料350b可包括绿色颜料。

随后，如图10A和图10B中所图示，在第二光敏有机材料350b上布置第二掩模M2。第二掩模M2包括透射光的透射区域TA以及阻挡光的遮光区域BA。在此实施例中，图10B中所图示的第二掩模M2的透射区域(在下文中，“第二透射区域”)小于图8B中所图示的第一掩模M1的透射区域(在下文中，“第一透射区域”)。在此实施例中，第二透射区域是对应于第二虚设滤色器层的透射区域，并且第一透射区域是对应于第一虚设滤色器层的透射区域。

随后，诸如紫外线的光L通过第二掩模M2选择性地照射到第二光敏有机材料350b，使得第二光敏有机材料350b被曝光。当对曝光的第二光敏有机材料350b进行显影时，形成如图11中所图示的第二虚设滤色器层802。在示例性实施例中，尽管未图示，但当对第二光敏有机材料350b进行显影时，形成第二滤色器层352。在此实施例中，第二滤色器层352和第二虚设滤色器层802整体形成为单一的并且不可分割的单元。

随后，尽管未图示，但在包括该第一滤色器层351、第一虚设滤色器层801、第二滤色器层352、第二虚设滤色器层802和保护层320的第一基板301的整个表面上方形成第三光敏有机材料。在此实施例中，第三光敏有机材料具有比足以形成平坦化表面的厚度小的厚度。相应地，第三光敏有机材料的上表面可不被平坦化。第三光敏有机材料是负型光敏有机材料。第三光敏有机材料可包括蓝色颜料。

随后，尽管未图示，但在第三光敏有机材料上布置第三掩模。第三掩模包括透射光的透射区域TA以及阻挡光的遮光区域BA。在此实施例中，第三掩模的对应于第三虚设滤色器层的透射区域(在下文中，“第三透射区域”)具有与前述第二掩模M2的第二透射区域的尺寸基本相同的尺寸。

随后，诸如紫外线的光L通过第三掩模选择性地照射到第三光敏有机材料，使得第三光敏有机材料被曝光。当对曝光的第三光敏有机材料进行显影时，形成如图12中所图示的第三虚设滤色器层803。在示例性实施例中，尽管未图示，但当对第三光敏有机材料进行显影时，形成第三滤色器层353。在此实施例中，第三滤色器层353和第三虚设滤色器层803整体形成为单一的并且不可分割的单元。

第一透射区域TA大于第二透射区域TA和第三透射区域。相应地，在前述曝光工艺中，使用比照射到第二透射区域TA的第二光敏有机材料350b的光的量以及照射到第三透射区域的第三光敏有机材料的光的量大的光的量来照射第一透射区域TA的第一光敏有机材料350a。相应地，第一虚设滤色器层801的对置表面S1具有比第二虚设滤色器层802的对置表面S2的面积大的面积，并且第三虚设滤色器层803的对置表面S3具有与第二虚设滤色器层802的对置表面S2的面积基本相等的面积。相应地，如图12中所图示，第一虚设滤色器层801的高度h11大于第二虚设滤色器层802的高度h22，并且第三虚设滤色器层803的高度h33基本等于第二虚设滤色器层802的高度h22。在此实施例中，由于虚设滤色器层的面积增加，因此虚设滤色器层的高度增加。

在可替代的示例性实施例中，第一透射区域TA、第二透射区域TA和第三透射区域彼此可具有基本相等的尺寸。在此实施例中，相对大的光的量可通过局部曝光法照射到第一透射区域TA。在一个示例性实施例中，例如，相对大的光的量可通过局部曝光法选择性地仅照射到对应于第一虚设滤色器层801的一部分。相应地，在此实施例中，可使用比照射到第二虚设滤色器层802的光的量以及照射到第三虚设滤色器层803的光的量大的光的量来照射第一虚设滤色器层801。在此实施例中，第一虚设滤色器层801具有比第二虚设滤色器层802的面积以及第三虚设滤色器层803的面积大的面积。

随后，如图13A和图13B中所图示，在包括保护层320、第一滤色器层351、第二滤色器层352、第三滤色器层353、第一虚设滤色器层801、第二虚设滤色器层802和第三虚设滤色器层803的第一基板301的整个表面上方沉积绝缘层间层325。

绝缘层间层325可包括用于前述保护层320的制造的材料。在一个示例性实施例中，例如，绝缘层间层325可包括负型光敏有机材料。在此实施例中，光敏有机材料具有比足以形成平坦化表面的厚度小的厚度。相应地，如图13A和图13B中所图示，光敏有机材料的上表面不被平坦化。

随后，使用光刻工艺形成通过绝缘层间层325和保护层320的漏接触孔11，以暴露漏电极DE。

随后，尽管未图示，但在包括绝缘层间层325的第一基板301的整个表面上方沉积透明金属层。

随后，当通过光刻工艺图案化透明金属层时，在绝缘层间层325上方形成如图13A和图13B中所图示的连接电极880、像素电极PE1和屏蔽电极961。在此实施例中，连接电极880通过漏接触孔11连接至漏电极DE。

透明金属层可包括用于前述像素电极PE1的制造的材料。

随后，如图14A和图14B中所图示，在包括绝缘层间层325、连接电极880、像素电极PE1和屏蔽电极961的第一基板301的整个表面上方形成第四光敏有机材料370。在此实施例中，第四光敏有机材料370具有比足以形成平坦化表面的厚度小的厚度。相应地，如图14A和图14B中所图示，第四光敏有机材料370的上表面可不被平坦化。第四光敏有机材料370是负型光敏有机材料，并且可包括黑色颜料。

随后，如图14A和图14B中所图示，在第四光敏有机材料370上布置第四掩模M4。第四掩模M4包括透射光的透射区域TA以及阻挡光的遮光区域BA。

随后，诸如紫外线的光L通过第四掩模M4选择性地照射到第四光敏有机材料370，使得第四光敏有机材料370被曝光。当对曝光的第四光敏有机材料370进行显影时，形成如图15A和图15B中所图示的遮光层376、第一柱状间隔物901、第二柱状间隔物902和第三柱状间隔物903。

遮光层376、第一柱状间隔物901、第二柱状间隔物902和第三柱状间隔物903在其制造过程期间通过基本相同量的光进行曝光。

第一柱状间隔物901位于第一虚设滤色器层801上，第二柱状间隔物902位于第二虚设滤色器层802上，并且第三柱状间隔物903位于第三虚设滤色器层803上。在此实施例中，遮光层376、第一柱状间隔物901、第二柱状间隔物902和第三柱状间隔物903整体形成为单一的并且不可分割的单元。

在示例性实施例中，如上所述，由于第一虚设滤色器层801的高度h11大于第二虚设滤色器层802的高度h22，因此第一虚设滤色器层801上的第一柱状间隔物901的高度h1大于位于第二虚设滤色器层802上的第二柱状间隔物902的高度h2。

在示例性实施例中，由于第三虚设滤色器层803具有与第二虚设滤色器层802的面积基本相等的面积，因此位于第三虚设滤色器层803上的第三柱状间隔物903的高度h3基本等于第二柱状间隔物902的高度h2。

图16是根据可替代的示例性实施例的沿图4的线I-I’截取的剖视图。

如图16中所图示，第一柱状间隔物901、第二柱状间隔物902和第三柱状间隔物903可位于绝缘层间层325上。在示例性实施例中，例如，第一柱状间隔物901可位于绝缘层间层325上以与第一虚设滤色器层801重叠，第二柱状间隔物902可位于绝缘层间层325上以与第二虚设滤色器层802重叠，并且第三柱状间隔物903可位于绝缘层间层325上以与第三虚设滤色器层803重叠。

在此实施例中，图16中的第一虚设滤色器层801、第二虚设滤色器层802和第三虚设滤色器层803可与上面参照图1、图2、图3、图4、图5和图6描述的第一虚设滤色器层801、第二虚设滤色器层802和第三虚设滤色器层803基本相同，并且在下文中将省略其任何重复的详细描述。

图16中的第一柱状间隔物901、第二柱状间隔物902和第三柱状间隔物903中的至少一个可包括透明材料。在一个示例性实施例中，例如，第一柱状间隔物901、第二柱状间隔物902和第三柱状间隔物903中的每一个可为包括透明材料的柱状间隔物。

在示例性实施例中，如图16中所图示，遮光层376可位于第二基板302上。在示例性实施例中，例如，遮光层376可位于第二基板302与公共电极330之间。在此实施例中，当从俯视图(例如，俯视平面图)查看时，图16的遮光层376可具有与图1的前述遮光层376基本相同的形状。

图16的遮光层376可包括与包括在柱状间隔物901中的每一个中的材料不同的材料。在一个示例性实施例中，例如，遮光层376可包括不透明的光敏有机材料，并且柱状间隔物中的每一个可包括透明的光敏有机材料。

图17是图示根据可替代的示例性实施例的包括图1的多个像素的显示装置的俯视图，并且图18是图示图17的第一滤色器层、第二滤色器层、第三滤色器层、第四滤色器层、第五滤色器层和第六滤色器层以及第一虚设滤色器层、第二虚设滤色器层、第三虚设滤色器层、第四虚设滤色器层、第五虚设滤色器层和第六虚设滤色器层的视图。

在示例性实施例中，如图17和图18中所图示，第一虚设滤色器层801位于第一基板301的边缘1000与第一滤色器层351之间，第二虚设滤色器层802位于第一基板301的边缘1000与第二滤色器层352之间，并且第三虚设滤色器层803位于第一基板301的边缘1000与第三滤色器层353之间。在此实施例中，第四虚设滤色器层804位于在X轴方向上彼此邻近并且具有基本相同的颜色的第一滤色器层351与第四滤色器层354之间，第五虚设滤色器层805位于在X轴方向上彼此邻近并且具有基本相同的颜色的第二滤色器层352与第五滤色器层355之间，并且第六虚设滤色器层806位于在X轴方向上彼此邻近并且具有基本相同的颜色的第三滤色器层353与第六滤色器层356之间。

在此实施例中，第一虚设滤色器层801、第二虚设滤色器层802、第三虚设滤色器层803、第四虚设滤色器层804、第五虚设滤色器层805和第六虚设滤色器层806不连接至滤色器层。在此实施例中，第一虚设滤色器层801、第二虚设滤色器层802、第三虚设滤色器层803、第四虚设滤色器层804、第五虚设滤色器层805和第六虚设滤色器层806具有与滤色器层分离并且间隔开的形状。

在可替代的示例性实施例中，第一虚设滤色器层801、第二虚设滤色器层802、第三虚设滤色器层803、第四虚设滤色器层804、第五虚设滤色器层805和第六虚设滤色器层806中的至少一个可连接至各滤色器层中的与其邻近布置的一个滤色器层，并且具有与各滤色器层中的该一个滤色器层基本相同的颜色。在此实施例中，第一虚设滤色器层801、第二虚设滤色器层802、第三虚设滤色器层803、第四虚设滤色器层804、第五虚设滤色器层805和第六虚设滤色器层806中的至少一个可和与其邻近的滤色器层整体形成为单一的并且不可分割的单元，并且具有与该滤色器层基本相同的颜色。在一个示例性实施例中，例如，第一滤色器层351与第四滤色器层354之间的第四虚设滤色器层804可要么连接至第一滤色器层351，要么连接至第四滤色器层354。

在图17和图18中，第一虚设滤色器层801的面积大于第二虚设滤色器层802的面积，并且第三虚设滤色器层803的面积基本等于第二虚设滤色器层802的面积。

在示例性实施例中，在具有分离的形状的虚设滤色器层的面积相当小的情况下，可减小虚设滤色器层与保护层320之间的结合力，并且虚设滤色器层可在制造过程期间从保护层320脱离。在此实施例中，当虚设滤色器层的面积相当小时，虚设滤色器层的至少一部分可连接至滤色器层，以防止虚设滤色器层从保护层320脱离。

图19是图示根据可替代的示例性实施例的包括在显示装置中的像素的视图，并且图20是沿图19的线I-I’截取的剖视图。

在示例性实施例中，如图19和图20中所图示，像素PX1包括开关元件TFT1、像素电极PE1和滤色器层351。

像素PX1位于第一基板301与第二基板302之间。在此实施例中，如图20中所图示，显示装置包括以预定距离彼此间隔开的第一基板301和第二基板302，并且开关元件TFT1、像素电极PE1和滤色器层351位于第一基板301与第二基板302之间。

在此实施例中，栅极线GL1、维持线721、第一维持电极771、第二维持电极772、预倾控制层500、遮光膜182、栅极绝缘层311、数据线DL1、保护层320、虚设滤色器层801、绝缘层间层325、遮光层376、柱状间隔物901、液晶层333和公共电极330位于第一基板301与第二基板302之间。

在此实施例中，如图19中所图示，第一维持电极771和第二维持电极772具有从维持线721突出的形状。第一维持电极771和第二维持电极772可具有在Y轴方向上从维持线721突出的条状。

第二维持电极772可平行于第一维持电极771。第一维持电极771和第二维持电极772可具有彼此基本相同的长度，或者可具有彼此不同的长度。在本文中，第一维持电极771和第二维持电极772各自的长度分别意味着在Y轴方向上测得的第一维持电极771和第二维持电极772各自的长度。第一维持电极771、第二维持电极772和维持线721可整体形成为单一的并且不可分割的单元。

第一维持电极771和第二维持电极772中的每一个可与像素电极PE1的边缘重叠。在一个示例性实施例中，例如，第一维持电极771与像素电极PE1的和连接至像素PX1的数据线DL1邻近的一个边缘重叠，并且第二维持电极772与像素电极PE1的面朝像素电极PE1的这一个边缘的另一边缘重叠。像素电极PE1的这另一边缘与连接至另一像素的数据线DL2邻近。

在可替代的示例性实施例中，第一维持电极771可位于连接至像素PX1的数据线DL1与像素PX1的像素电极PE1之间，且不与像素PX1的像素电极PE1重叠。在此实施例中，第二维持电极772可位于连接至另一像素的数据线DL2与像素PX1的像素电极PE1之间，且不与像素PX1的像素电极PE1重叠。

图19的预倾控制层500位于第一维持电极771与第二维持电极772之间。预倾控制层500可具有平行于第一维持电极771而在Y轴方向上延伸的条状。

在示例性实施例中，如图19和图20所示，遮光层376与数据线DL1相交。在此实施例中，如图19中所图示，遮光层376与开关元件TFT1、栅极线GL1、维持线721和漏接触孔11重叠。在此实施例中，遮光层376可进一步与像素电极PE1的一部分、屏蔽电极961的一部分以及连接电极880重叠。在一个示例性实施例中，例如，如图19中所图示，遮光层376可和像素电极PE1的与维持线721和栅极线GL1邻近的边缘中的至少一个边缘重叠。如图20中所图示，遮光层376位于保护层320、像素电极PE1和屏蔽电极961上。

遮光层376可包括光敏有机材料。在此实施例中，光敏有机材料可为负型或正型的光敏有机材料。

在此实施例中，开关元件TFT1、半导体层321、栅电极GE、源电极SE、漏电极DE、栅极线GL1、数据线DL1、维持线721、栅极绝缘层311、保护层320、滤色器层351、虚设滤色器层801、绝缘层间层325、柱状间隔物901、液晶层333和公共电极330与上面参照图1和图2描述的那些基本相同，并且在下文中将省略其任何重复的详细描述。

图21是图示根据示例性实施例的包括具有图19中所图示的结构的多个像素的显示装置的俯视图，图22是图示图21的第一滤色器层、第二滤色器层、第三滤色器层、第四滤色器层、第五滤色器层和第六滤色器层以及第一虚设滤色器层、第二虚设滤色器层、第三虚设滤色器层、第四虚设滤色器层、第五虚设滤色器层和第六虚设滤色器层的视图，并且图23是根据示例性实施例的沿图21的线I-I’截取的剖视图。

在示例性实施例中，如图21中所图示，显示装置包括多个像素。在一个示例性实施例中，例如，如图21所示，显示装置包括六个像素PX1、PX2、PX3、PX4、PX5和PX6。图21中的像素PX1、PX2、PX3、PX4、PX5和PX6中的每一个具有与上面参照图19所述的像素PX1基本相同的结构。

六个像素PX1、PX2、PX3、PX4、PX5和PX6连接至两条栅极线GL1和GL2以及三条数据线DL1、DL2和DL3。在一个示例性实施例中，例如，在X轴方向上彼此邻近的第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3共同连接至第一栅极线GL1，并且在X轴方向上彼此邻近的第四像素PX4、第五像素PX5和第六像素PX6共同连接至第二栅极线GL2。在示例性实施例中，在Y轴方向上彼此邻近的第一像素PX1和第四像素PX4共同连接至第一数据线DL1，在Y轴方向上彼此邻近的第二像素PX2和第五像素PX5共同连接至第二数据线DL2，并且在Y轴方向上彼此邻近的第三像素PX3和第六像素PX6共同连接至第三数据线DL3。

在此实施例中，第一像素PX1连接至第一栅极线GL1和第一数据线DL1，第二像素PX2连接至第一栅极线GL1和第二数据线DL2，第三像素PX3连接至第一栅极线GL1和第三数据线DL3，第四像素PX4连接至第二栅极线GL2和第一数据线DL1，第五像素PX5连接至第二栅极线GL2和第二数据线DL2，并且第六像素PX6连接至第二栅极线GL2和第三数据线DL3。

在此实施例中，第一像素PX1包括第一开关元件TFT1、第一像素电极PE1和第一滤色器层351，第二像素PX2包括第二开关元件TFT2、第二像素电极PE2和第二滤色器层352，并且第三像素PX3包括第三开关元件TFT3、第三像素电极PE3和第三滤色器层353。在此实施例中，第四像素PX4包括第四开关元件TFT4、第四像素电极PE4和第四滤色器层354，第五像素PX5包括第五开关元件TFT5、第五像素电极PE5和第五滤色器层355，并且第六像素PX6包括第六开关元件TFT6、第六像素电极PE6和第六滤色器层356。

在示例性实施例中，在Y轴方向上彼此邻近的滤色器层具有彼此基本相同的颜色。在一个示例性实施例中，例如，如图22中所图示，第一滤色器层351可具有与第四滤色器层354基本相同的颜色，第二滤色器层352可具有与第五滤色器层355基本相同的颜色，并且第三滤色器层353可具有与第六滤色器层356基本相同的颜色。

在可替代的示例性实施例中，在X轴方向上彼此邻近的滤色器层具有彼此不同的颜色。在一个示例性实施例中，例如，如图22中所图示，第一滤色器层351、第二滤色器层352和第三滤色器层353具有彼此不同的颜色，并且第四滤色器层354、第五滤色器层355和第六滤色器层356具有彼此不同的颜色。

在示例性实施例中，如图21中所图示，第一虚设滤色器层801与第一开关元件TFT1重叠，第二虚设滤色器层802与第二开关元件TFT2重叠，第三虚设滤色器层803与第三开关元件TFT3重叠，第四虚设滤色器层804与第四开关元件TFT4重叠，第五虚设滤色器层805与第五开关元件TFT5重叠，并且第六虚设滤色器层806与第六开关元件TFT6重叠。

在示例性实施例中，如图22中所示，第一虚设滤色器层801位于在Y轴方向上彼此邻近并且彼此具有基本相同的颜色的第一滤色器层351与第四滤色器层354之间，第二虚设滤色器层802位于在Y轴方向上彼此邻近并且彼此具有基本相同的颜色的第二滤色器层352和第五滤色器层355之间，第三虚设滤色器层803位于在Y轴方向上彼此邻近并且彼此具有基本相同的颜色的第三滤色器层353与第六滤色器层356之间。在实施例中，第四虚设滤色器层804位于在Y轴方向上彼此邻近并且彼此具有基本相同的颜色的第四滤色器层354与第七滤色器层(未图示)之间，第五虚设滤色器层805位于在Y轴方向上彼此邻近并且彼此具有基本相同的颜色的第五滤色器层355与第八滤色器层(未图示)之间，并且第六虚设滤色器层806位于在Y轴方向上彼此邻近并且彼此具有基本相同的颜色的第六滤色器层356与第九滤色器层(未图示)之间。

第一虚设滤色器层801可具有和与其邻近的第一滤色器层351基本相同的颜色，第二虚设滤色器层802可具有和与其邻近的第二滤色器层352基本相同的颜色，第三虚设滤色器层803可具有和与其邻近的第三滤色器层353基本相同的颜色，第四虚设滤色器层804可具有和与其邻近的第四滤色器层354基本相同的颜色，第五虚设滤色器层805可具有和与其邻近的第五滤色器层355基本相同的颜色，并且第六虚设滤色器层806可具有和与其邻近的第六滤色器层356基本相同的颜色。

在示例性实施例中，如图22中所示，彼此具有基本相同的颜色的滤色器层和虚设滤色器层可整体形成为单一的并且不可分割的单元。在一个示例性实施例中，例如，如图22中所图示，具有红色的第一滤色器层351、具有红色的第一虚设滤色器层801、具有红色的第四滤色器层354和具有红色的第四虚设滤色器层804全部可整体形成为单一的并且不可分割的单元。

在示例性实施例中，尽管未图示，但与连接至在最下部处的栅极线的像素(在下文中，“最后一个像素”)的开关元件重叠的虚设滤色器层801可位于最后一个像素的滤色器层与第一基板301的边缘之间。在此实施例中，在最下部处的栅极线可为在一个帧时段期间最后被驱动的栅极线。在此实施例中，在第一栅极线GL1为在一个帧时段期间最先被驱动的栅极线的情况下，在最下部处的栅极线可为在一个帧时段期间最后被驱动的最后一条栅极线。

在此实施例中，图21中的第一开关元件TFT1、第二开关元件TFT2、第三开关元件TFT3、第四开关元件TFT4、第五开关元件TFT5和第六开关元件TFT6中的每一个与上面参照图1和图2描述的开关元件TFT1基本相同，并且在下文中将省略其任何重复的详细描述。在此实施例中，图21中的第一像素电极PE1、第二像素电极PE2、第三像素电极PE3、第四像素电极PE4、第五像素电极PE5和第六像素电极PE6中的每一个与上面参照图1、图2和图3描述的像素电极PE1基本相同，并且在下文中将省略其任何重复的详细描述。在此实施例中，图21中的第一滤色器层351、第二滤色器层352、第三滤色器层353、第四滤色器层354、第五滤色器层355和第六滤色器层356中的每一个与上面参照图1和图2描述的滤色器层351基本相同，并且在下文中将省略其任何重复的详细描述。在此实施例中，图21中的第一虚设滤色器层801、第二虚设滤色器层802、第三虚设滤色器层803、第四虚设滤色器层804、第五虚设滤色器层805和第六虚设滤色器层806中的每一个与上面参照图1和图2描述的虚设滤色器层801基本相同，并且在下文中将省略其任何重复的详细描述。

在示例性实施例中，如图22和图23中所图示，第一虚设滤色器层801的对置表面具有扩大的部分，扩大的部分具有比第二虚设滤色器层802的对置表面的面积大的面积。相应地，在此实施例中，第一虚设滤色器层801的一侧的长度L1可大于第二虚设滤色器层802的与第一虚设滤色器层801的这一侧相对应的一侧的长度L2。在示例性实施例中，第二虚设滤色器层802的一侧的长度L2可基本等于第三虚设滤色器层803的与第二虚设滤色器层802的这一侧相对应的一侧的长度L3。

由于第一虚设滤色器层801具有比第二虚设滤色器层802的高度大的高度，因此第一虚设滤色器层801上的第一柱状间隔物901具有比第二虚设滤色器层802上的第二柱状间隔物902的高度大的高度。在此实施例中，如图23中所图示，第一柱状间隔物901的高度h1大于第二柱状间隔物902的高度h2。相应地，第二基板302的参考表面与第一柱状间隔物901之间的距离小于第二基板302的参考表面与第二柱状间隔物902之间的距离。

在示例性实施例中，第三虚设滤色器层803的对置表面S3具有与第二虚设滤色器层802的对置表面S2的面积基本相等的面积，使得第三虚设滤色器层803上的第三柱状间隔物903具有与第二虚设滤色器层802上的第二柱状间隔物902的高度基本相等的高度(即，h3＝h2)。相应地，第二基板302的参考表面与第三柱状间隔物903之间的距离基本等于第二基板302的参考表面与第二柱状间隔物902之间的距离。

在此实施例中，如上所述，因为第一柱状间隔物901下的第一虚设滤色器层801的面积大于第二柱状间隔物902下的第二虚设滤色器层802的面积，并且第三柱状间隔物903下的第三虚设滤色器层803的面积基本等于上述第二虚设滤色器层802的面积，所以第一柱状间隔物901具有比第二柱状间隔物902的高度大的高度，并且第三柱状间隔物903具有与第二柱状间隔物902的高度基本相等的高度。

具有相对大的高度h1的第一柱状间隔物901被定义为主柱状间隔物，并且具有相对较小的高度h2和h3的第二柱状间隔物902和第三柱状间隔物903中的每一个被定义为子柱状间隔物。

在示例性实施例中，如图23中所图示，由于第一虚设滤色器层801具有比第二虚设滤色器层802的面积大的面积，并且具有相对大的面积的虚设滤色器层上的柱状间隔物具有相对高的平坦性，因此第一虚设滤色器层801上的第一柱状间隔物901的厚度d1小于第二虚设滤色器层802上的第二柱状间隔物902的厚度d2。在此实施例中，第一柱状间隔物901和第二柱状间隔物902可在其制造过程期间通过基本相同量的光进行曝光，并且在此实施例中，具有较大面积的第一虚设滤色器层801上的第一柱状间隔物901可具有相对较小的厚度。在示例性实施例中，第一柱状间隔物901的厚度d1可与第二虚设滤色器层802上的第二柱状间隔物902的厚度d2基本相同。

图24是根据可替代的示例性实施例的沿图21的线I-I’截取的剖视图。

在示例性实施例中，如图24中所图示，第一柱状间隔物901、第二柱状间隔物902和第三柱状间隔物903可位于绝缘层间层325上。在一个示例性实施例中，例如，第一柱状间隔物901可位于绝缘层间层325上，以与第一虚设滤色器层801重叠；第二柱状间隔物902可位于绝缘层间层325上，以与第二虚设滤色器层802重叠；并且第三柱状间隔物903可位于绝缘层间层325上，以与第三虚设滤色器层803重叠。

在此实施例中，图24的第一虚设滤色器层801、第二虚设滤色器层802和第三虚设滤色器层803可与上面参照图1、图2、图3、图4、图5和图6描述的那些基本相同，并且在下文中将省略其任何重复的详细描述。

图24中的第一柱状间隔物901、第二柱状间隔物902和第三柱状间隔物903中的至少一个可包括透明材料。在一个示例性实施例中，例如，第一柱状间隔物901、第二柱状间隔物902和第三柱状间隔物903中的每一个可为包括透明材料的柱状间隔物。

在示例性实施例中，如图24中所图示，遮光层376可位于第二基板302上。在一个示例性实施例中，例如，遮光层376可位于第二基板302与公共电极330之间。在此实施例中，当从俯视图中查看时，图24中的遮光层376可具有与图19的前述遮光层376基本相同的形状。

图24的遮光层376可包括与包括在柱状间隔物901中的每一个中的材料不同的材料。在一个示例性实施例中，例如，遮光层376可包括不透明的光敏有机材料，并且柱状间隔物901中的每一个可包括透明的光敏有机材料。

图25是图示根据可替代的示例性实施例的包括具有图19中所图示的结构的多个像素的显示装置的俯视图，并且图26是图示图25的第一滤色器层、第二滤色器层、第三滤色器层、第四滤色器层、第五滤色器层和第六滤色器层以及第一虚设滤色器层、第二虚设滤色器层、第三虚设滤色器层、第四虚设滤色器层、第五虚设滤色器层和第六虚设滤色器层的视图。

在示例性实施例中，如图25和图26中所图示，第一虚设滤色器层801位于在Y轴方向上彼此邻近并且具有基本相同的颜色的第一滤色器层351与第四滤色器层354之间，第二虚设滤色器层802位于在Y轴方向上彼此邻近并且具有基本相同的颜色的第二滤色器层352与第五滤色器层355之间，并且第三虚设滤色器层803位于在Y轴方向上彼此邻近并且具有基本相同的颜色的第三滤色器层353与第六滤色器层356之间。在此实施例中，第四虚设滤色器层804位于在Y轴方向上彼此邻近并且具有基本相同的颜色的第四滤色器层354和第七滤色器层(未图示)之间，第五虚设滤色器层805位于在Y轴方向上彼此邻近并且具有基本相同的颜色的第五滤色器层355与第八滤色器层(未图示)之间，并且第六虚设滤色器层806位于在Y轴方向上彼此邻近并且具有基本相同的颜色的第六滤色器层356与第九滤色器层(未图示)之间。

在可替代的示例性实施例中，第一虚设滤色器层801、第二虚设滤色器层802、第三虚设滤色器层803、第四虚设滤色器层804、第五虚设滤色器层805和第六虚设滤色器层806中的至少一个可连接至各滤色器层中的与其邻近布置的一个滤色器，并且具有与各滤色器层中的该一个滤色器层基本相同的颜色。在此实施例中，第一虚设滤色器层801、第二虚设滤色器层802、第三虚设滤色器层803、第四虚设滤色器层804、第五虚设滤色器层805和第六虚设滤色器层806中的至少一个可和与其邻近的滤色器层整体形成为单一的并且不可分割的单元，并且具有与该滤色器层基本相同的颜色。在一个示例性实施例中，例如，位于第一滤色器层351与第四滤色器层354之间的第一虚设滤色器层801可要么连接至第一滤色器层351，要么连接至第四滤色器层354。

在示例性实施例中，如图25和图26中所图示，第一虚设滤色器层801的面积大于第二虚设滤色器层802的面积，并且第三虚设滤色器层803的面积基本等于第二虚设滤色器层802的面积。

图27是图示根据另一可替代的示例性实施例的包括在显示装置中的像素的视图，图28是沿图27的线I-I’截取的剖视图，并且图29是沿图27的线II-II’截取的剖视图。

在示例性实施例中，如图27、图28和图29中所图示，像素PX1包括第一开关元件TFT1、第二开关元件TFT2、第三开关元件TFT3、第一子像素电极PE1、第二子像素电极PE2、第一滤色器层3351和第二滤色器层3352。

第一开关元件TFT1包括第一栅电极GE1、第一半导体层3321、第一源电极SE1和第一漏电极DE1。第一栅电极GE1连接至栅极线GL，第一源电极SE1连接至数据线DL1，并且第一漏电极DE1连接至第一子像素电极PE1。

第二开关元件TFT2包括第二栅电极GE2、第二半导体层3322、第二源电极SE2和第二漏电极DE2。第二栅电极GE2连接至栅极线GL，第二源电极SE2连接至第一源电极SE1，并且第二漏电极DE2连接至第二子像素电极PE2。

第三开关元件TFT3包括第三栅电极GE3、第三半导体层3323、第三源电极SE3、浮栅电极FE和第三漏电极DE3。第三栅电极GE3连接至栅极线GL，第三源电极SE3连接至第二漏电极DE2，并且第三漏电极DE3连接至第一维持电极7751和第二维持电极7752。

像素PX1位于第一基板3301与第二基板3302之间。在此实施例中，如图28和图29中所图示，显示装置包括以预定距离彼此间隔开的第一基板3301和第二基板3302，并且第一开关元件TFT1、第二开关元件TFT2、第三开关元件TFT3、第一子像素电极PE1、第二子像素电极PE2、第一滤色器层3351以及第二滤色器层3352位于第一基板3301和第二基板3302之间。

在此实施例中，栅极线GL、维持线7720、第一维持电极7751、第二维持电极7752、栅极绝缘层3311、数据线DL1、保护层3320、虚设滤色器层8801、绝缘层间层3325、遮光层3376、柱状间隔物9901、液晶层3333和公共电极3330位于第一基板3301和第二基板3302之间。

在示例性实施例中，如图27和图28中所图示，栅极线GL位于第一基板3301上。在一个示例性实施例中，例如，栅极线GL位于第一基板3301的第一子像素区域P1与第二子像素区域P2之间。

在示例性实施例中，如图27中所图示，第一栅电极GE1可具有从栅极线GL突出的形状。第一栅电极GE1可为栅极线GL的一部分。

第一栅电极GE1可包括与栅极线GL基本相同的材料，并且可具有与栅极线GL基本相同的结构(多层结构)。第一栅电极GE1和栅极线GL可以以基本相同的工艺彼此同时形成。

在示例性实施例中，如图27中所图示，第二栅电极GE2可具有从栅极线GL突出的形状。第二栅电极GE2可为栅极线GL的一部分。

第二栅电极GE2可包括与栅极线GL基本相同的材料，并且可具有与栅极线GL基本相同的结构(多层结构)。第二栅电极GE2和栅极线GL可以以基本相同的工艺彼此同时形成。

在示例性实施例中，如图27中所图示，第三栅电极GE3可具有从栅极线GL突出的形状。第三栅电极GE3可为栅极线GL的一部分。

第三栅电极GE3可包括与栅极线GL基本相同的材料，并且可具有与栅极线GL基本相同的结构(多层结构)。第三栅电极GE3和栅极线GL可以以基本相同的工艺彼此同时形成。

在示例性实施例中，如图27中所图示，第一维持电极7751围绕第一子像素电极PE1。在此实施例中，第一维持电极7751与第一子像素电极PE1的边缘重叠。

第一维持电极7751可包括与前述栅极线GL基本相同的材料，并且可具有与前述栅极线GL基本相同的结构(多层结构)。第一维持电极7751和栅极线GL可以以基本相同的工艺彼此同时形成。

第一维持电极7751从外部驱动电路接收第一维持电压。第一维持电压可基本等于公共电压。

在示例性实施例中，如图27中所图示，第二维持电极7752围绕第二子像素电极PE2。在此实施例中，第二维持电极7752与第二子像素电极PE2的边缘重叠。

第二维持电极7752可包括与前述栅极线GL基本相同的材料，并且可具有与前述栅极线GL基本相同的结构(多层结构)。第二维持电极7752和栅极线GL可以以基本相同的工艺彼此同时形成。

第二维持电极7752从外部驱动电路接收第二维持电压。第二维持电压可基本等于公共电压。在示例性实施例中，沿栅极线GL彼此邻近的像素的第二维持电极7752可彼此连接。在此实施例中，沿数据线DL1彼此邻近的像素的第二维持电极7752和第一维持电极7751可彼此连接。

在示例性实施例中，如图28和图29中所图示，栅极绝缘层3311位于栅极线GL、第一栅电极GE1、第二栅电极GE2、第一维持电极7751和第二维持电极7752上。栅极绝缘层3311可位于包括栅极线GL、第一栅电极GE1、第二栅电极GE2、第一维持电极7751、第二维持电极7752和维持线7720的第一基板3301的整个表面上方。

在与第三接触孔CH3和第四接触孔CH4相对应的位置处定义通过栅极绝缘层3311的开口。在其制造过程期间，第三漏电极DE3的一部分和第一维持电极7751通过第三接触孔CH3暴露，并且第三漏电极DE3的另一部分和第二维持电极7752通过第四接触孔CH4暴露。

在示例性实施例中，如图28中所图示，数据线DL1位于栅极绝缘层3311上。数据线DL1与栅极线GL相交。在此实施例中，尽管未图示，但数据线DL1在数据线DL1与栅极线GL1相交处可具有比数据线DL1的其他部分的线宽小的线宽。数据线DL1可包括与前述数据线DL1基本相同的材料。

在示例性实施例中，如图28中所图示，第一半导体层3321位于栅极绝缘层3311上。如图27和图28中所图示，第一半导体层3321与第一栅电极GE1的至少一部分重叠。第一半导体层3321可包括非晶硅、多晶硅等。

在示例性实施例中，如图28中所图示，第一欧姆接触层3321a和第二欧姆接触层3321b位于第一半导体层3321上。第一欧姆接触层3321a和第二欧姆接触层3321b面朝彼此，第一欧姆接触层3321a与第二欧姆接触层3321b之间具有第一开关元件TFT1的沟道区。

在示例性实施例中，如图29中所图示，第二半导体层3322位于栅极绝缘层3311上。如图27和图29中所图示，第二半导体层3322与第二栅电极GE2的至少一部分重叠。第二半导体层3322可包括非晶硅、多晶硅等。

在示例性实施例中，如图29中所图示，第三欧姆接触层3322a和第四欧姆接触层3322b位于第二半导体层3322上。第三欧姆接触层3322a和第四欧姆接触层3322b面朝彼此，第三欧姆接触层3322a与第四欧姆接触层3322b之间具有第二开关元件TFT2的沟道区。

第一欧姆接触层3321a与前述第三欧姆接触层3322a彼此连接。在一个示例性实施例中，例如，第一欧姆接触层3321a和前述第三欧姆接触层3322a可整体形成为单一的并且不可分割的单元。

在示例性实施例中，如图29中所图示，第三半导体层3323位于栅极绝缘层3311上。如图27和图29中所图示，第三半导体层3323与第三栅电极GE3的至少一部分重叠。

在示例性实施例中，如图29中所图示，第五欧姆接触层3323a、第六欧姆接触层3323b和第七欧姆接触层3323c位于第三半导体层3323上。第五欧姆接触层3323a和第六欧姆接触层3323b面朝彼此，第五欧姆接触层3323a与第六欧姆接触层3323b之间具有第三开关元件TFT3的第一沟道区，并且第六欧姆接触层3323b和第七欧姆接触层3323c面朝彼此，第六欧姆接触层3323b与第七欧姆接触层3323c之间具有第三开关元件TFT3的第二沟道区。

在示例性实施例中，如图28中所图示，第一源电极SE1位于第一欧姆接触层3321a和栅极绝缘层3311上。在此实施例中，如图28中所图示，第一源电极SE1可具有从数据线DL1突出的形状。尽管未图示，但第一源电极SE1可为数据线DL1的一部分。第一源电极SE1的至少一部分与第一半导体层3321和第一栅电极GE1重叠。

第一源电极SE1可具有I型形状、C型形状和U型形状中的一种形状。在示例性实施例中，在第一源电极SE1具有如图27中所图示的U型形状的情况下，第一源电极SE1的凸出部分指向第二子像素电极PE2。

第一源电极SE1可包括与前述数据线DL1基本相同的材料，并且可具有与前述数据线DL1基本相同的结构(多层结构)。第一源电极SE1和数据线DL1可以以基本相同的工艺彼此同时形成。

在示例性实施例中，如图28中所图示，第一漏电极DE1位于第二欧姆接触层3321b和栅极绝缘层3311上。第一漏电极DE1的至少一部分与第一半导体层3321和第一栅电极GE1重叠。第一漏电极DE1连接至第一子像素电极PE1。

第一漏电极DE1可包括与数据线DL1基本相同的材料，并且可具有与数据线DL1基本相同的结构(多层结构)。第一漏电极DE1和数据线DL1可以以基本相同的工艺彼此同时形成。

第一开关元件TFT1的沟道区位于第一半导体层3321的在第一源电极SE1与第一漏电极DE1之间的部分处。第一半导体层3321的对应于沟道区的部分具有比第一半导体层3321的其他部分的厚度小的厚度。

在示例性实施例中，如图29中所图示，第二源电极SE2位于第三欧姆接触层3322a上。尽管未图示，但第三欧姆接触层3322a也位于栅极绝缘层3311上。第二源电极SE2与第一源电极SE1整体形成为单一的并且不可分割的单元。第二源电极SE2的至少一部分与第二半导体层3322和第二栅电极GE2重叠。

第二源电极SE2可具有I型形状、C型形状和U型形状中的一种形状。在示例性实施例中，在第二源电极SE2具有如图27中所图示的U型形状的情况下，第二源电极SE2的凸出部分指向第一子像素电极PE1。

第二源电极SE2可包括与前述数据线DL1基本相同的材料，并且可具有与前述数据线DL1基本相同的结构(多层结构)。第二源电极SE2和数据线DL1可以以基本相同的工艺彼此同时形成。

在示例性实施例中，如图29中所图示，第二漏电极DE2位于第四欧姆接触层3322b和栅极绝缘层3311上。第二漏电极DE2的至少一部分与第二半导体层3322和第二栅电极GE2重叠。第二漏电极DE2连接至第二子像素电极PE2。

第二漏电极DE2可包括与数据线DL1基本相同的材料，并且可具有与数据线DL1基本相同的结构(多层结构)。第二漏电极DE2和数据线DL1可以以基本相同的工艺彼此同时形成。

第二开关元件TFT2的沟道区位于第二半导体层3322的在第二源电极SE2和第二漏电极DE2之间的部分处。第二半导体层3322的对应于沟道区的部分具有比第二半导体层3322的其他部分的厚度小的厚度。

在示例性实施例中，如图29中所图示，第三源电极SE3位于第五欧姆接触层3323a和栅极绝缘层3311上。第三源电极SE3和第二漏电极DE2整体形成为单一的并且不可分割的单元。第三源电极SE3的至少一部分与第三半导体层3323和第三栅电极GE3重叠。

第三源电极SE3可具有I型形状、C型形状和U型形状中的一种形状。在图27中图示具有U型形状的第三源电极SE3。

第三源电极SE3可包括与数据线DL1基本相同的材料，并且可具有与数据线DL1基本相同的结构(多层结构)。第三源电极SE3和数据线DL1可以以基本相同的工艺彼此同时形成。

在示例性实施例中，如图29中所图示，浮栅电极FE位于第六欧姆接触层3323b上。除第六欧姆接触层3323b之外，浮栅电极FE不与任何导体接触。浮栅电极FE的至少一部分与第三半导体层3323和第三栅电极GE3重叠。

浮栅电极FE可具有I型形状、C型形状和U型形状中的一种形状。图27示出源电极SE具有I型形状的一个示例性实施例。

浮栅电极FE可包括与前述数据线DL1基本相同的材料，并且可具有与前述数据线DL1基本相同的结构(多层结构)。浮栅电极FE和数据线DL1可以以基本相同的工艺彼此同时形成。

在示例性实施例中，如图29中所图示，第三漏电极DE3位于第七欧姆接触层3323c上。在此实施例中，尽管未图示，但第三漏电极DE3也位于栅极绝缘层3311上。第三漏电极DE3的至少一部分与第三半导体层3323和第三栅电极GE3重叠。第三漏电极DE3连接至第一维持电极7751和第二维持电极7752。

第三漏电极DE3可包括与前述数据线DL1基本相同的材料，并且可具有与前述数据线DL1基本相同的结构(多层结构)。第三漏电极DE3和数据线DL1可以以基本相同的工艺彼此同时形成。

第三开关元件TFT3的第一沟道区位于第三半导体层3323的在第三源电极SE3与浮栅电极FE之间的部分处，并且第三开关元件TFT3的第二沟道区位于第三半导体层3323的在浮栅电极FE与第三漏电极DE3之间的部分处。第三半导体层3323的与第一沟道区和第二沟道区相对应的部分的厚度小于第三半导体层3323的其他部分的厚度。

在示例性实施例中，尽管未图示，但第一半导体层3321可进一步布置在栅极绝缘层3311与第一源电极SE1之间。在此实施例中，第一半导体层3321可进一步布置在栅极绝缘层3311与第一漏电极DE1之间。在本文中，位于栅极绝缘层3311与第一源电极SE1之间的半导体层将被称为第一附加半导体层，并且位于栅极绝缘层3311与第一漏电极DE1之间的半导体层将被称为第二附加半导体层。在此实施例中，前述第一欧姆接触层3321a可进一步布置在第一附加半导体层与第一源电极SE1之间，并且前述第二欧姆接触层3321b可进一步布置在第二附加半导体层与第一漏电极DE1之间。

在此实施例中，尽管未图示，但第二半导体层3322可进一步设置在栅极绝缘层3311与第二源电极SE2之间。在此实施例中，第二半导体层3322可进一步布置在栅极绝缘层3311与第二漏电极DE2之间。在本文中，栅极绝缘层3311与第二源电极SE2之间的半导体层将被称为第三附加半导体层，并且栅极绝缘层3311与第二漏电极DE2之间的半导体层将被称为第四附加半导体层。在此实施例中，前述第三欧姆接触层3322a可进一步布置在第三附加半导体层与第二源电极SE2之间，并且前述第四欧姆接触层3322b可进一步布置在第四附加半导体层与第二漏电极DE2之间。

在此实施例中，尽管未图示，但第三半导体层3323可进一步布置在栅极绝缘层3311与第三源电极SE3之间。在此实施例中，第三半导体层3323可进一步布置在栅极绝缘层3311和第三漏电极DE3之间。在本文中，栅极绝缘层3311与第三源电极SE3之间的半导体层可被定义为第五附加半导体层，并且栅极绝缘层3311与第三漏电极DE3之间的半导体层将被称为第六附加半导体层。在此实施例中，前述第五欧姆接触层3323a可进一步布置在第五附加半导体层与第三源电极SE3之间，并且前述第七欧姆接触层3323c可进一步布置在第六附加半导体层与第三漏电极DE3之间。

在此实施例中，尽管未图示，但第一半导体层3321可进一步布置在栅极绝缘层3311与数据线DL1之间。在一个示例性实施例中，例如，第一半导体层3321可进一步布置在栅极绝缘层3311与数据线DL1之间。在本文中，栅极绝缘层3311与数据线DL1之间的半导体层将被称为第七附加半导体层。在此实施例中，前述第一欧姆接触层3321a可进一步布置在第七附加半导体层与数据线DL1之间。

在示例性实施例中，如图28中所图示，保护层3320位于数据线DL1、第一源电极SE1、第二源电极SE2、第三源电极SE3、浮栅电极FE、第一漏电极DE2、第二漏电极DE2和第三漏电极DE3上。保护层3320可位于包括数据线DL1、第一源电极SE1、第二源电极SE2、第三源电极SE3、浮栅电极FE、第一漏电极DE2、第二漏电极DE2和第三漏电极DE3的第一基板3301的整个表面上方。

在与第一接触孔CH1、第二接触孔CH2、第三接触孔CH3和第四接触孔CH4相对应的位置处定义通过保护层3320的开口。在其制造过程期间，第一漏电极DE1通过第一接触孔CH1暴露，并且第二漏电极DE2通过第二接触孔CH2暴露。

在示例性实施例中，如图27和图28中所图示，第一滤色器层3351位于保护层3320上，以与第一子像素电极PE1、第一维持电极7751和数据线DL1重叠。第一滤色器层3351可具有预定颜色。在此实施例中，第一滤色器层3351可包括对应于预定颜色的颜料。

在示例性实施例中，如图27和图29中所图示，第二滤色器层3352位于保护层3320上，以与第二子像素电极PE2、第二维持电极7752和数据线DL1重叠。第二滤色器层3352可具有预定颜色。为此，第二滤色器层3352可包括对应于预定颜色的颜料。第二滤色器层3352具有与第一滤色器层3351基本相同的颜色。

在示例性实施例中，如图27中所图示，虚设滤色器层8801可位于第一滤色器层3351与第二滤色器层3352之间。将在下面更详细地描述虚设滤色器层8801。

第一滤色器层3351、第二滤色器层3352和虚设滤色器层8801不位于第一接触孔CH1、第二接触孔CH2、第三接触孔CH3和第四接触孔CH4处。

绝缘层间层3325位于第一滤色器层3351、第二滤色器层3352、虚设滤色器层8801和保护层3320上。绝缘层间层3325可位于包括第一滤色器层3351、第二滤色器层3352、虚设滤色器层8801和保护层3320的第一基板3301的整个表面上方。在与第一接触孔CH1、第二接触孔CH2、第三接触孔CH3和第四接触孔CH4相对应的位置处定义通过绝缘层间层3325的开口。

第一子像素电极PE1位于绝缘层间层3325上，以与第一滤色器层3351重叠。第一子像素电极PE1通过第一接触孔CH1连接至第一漏电极DE1。

第一子像素电极PE1可包括透明导电材料，诸如ITO或IZO。在此实施例中，ITO可为多晶材料或单晶材料，并且IZO也可为多晶材料或单晶材料。可替代地，IZO可为非晶材料。

第二子像素电极PE2位于绝缘层间层3325上，以与第二滤色器层3352重叠。第二子像素电极PE2通过第二接触孔CH2连接至第二漏电极DE2。第二子像素电极PE2可包括与前述第一子像素电极PE1基本相同的材料。

第一连接电极1881对应于第三接触孔CH3位于绝缘层间层3325上。第一连接电极1881将第三漏电极DE3的一部分与第一维持电极7751连接。第一连接电极1881可包括与前述第一子像素电极PE1基本相同的材料。

第二连接电极1882对应于第四接触孔CH4位于绝缘层间层3325上。第二连接电极1882将第三漏电极DE3的另一部分与第二维持电极7752连接。第二连接电极1882可包括与第二子像素电极PE2基本相同的材料。

在示例性实施例中，如图27中所图示，遮光层3376与数据线DL1相交。在此实施例中，如图27中所图示，遮光层3376与第一开关元件TFT1、第二开关元件TFT2、第三开关元件TFT3、栅极线GL、第一连接电极1881、第二连接电极1882、第一接触孔CH1、第二接触孔CH2、第三接触孔CH3和第四接触孔CH4重叠。在此实施例中，遮光层3376可进一步与第一子像素电极PE1的一部分、第二子像素电极PE2的一部分以及屏蔽电极9961的一部分重叠。

遮光层3376可包括光敏有机材料。在此实施例中，光敏有机材料可为正型或负型光敏有机材料。

在示例性实施例中，如图27和图28中所图示，柱状间隔物9901位于遮光层3376上，以与虚设滤色器层8801重叠。在示例性实施例中，如图27中所图示，柱状间隔物9901和遮光层3376可整体形成为单一的并且不可分割的单元。在此实施例中，在柱状间隔物9901和遮光层3376如上所述整体形成为单一的并且不可分割的单元时，集成结构的与虚设滤色器层8801重叠的部分对应于上述柱状间隔物9901。

柱状间隔物9901可包括与遮光层3376基本相同的材料，并且可具有与遮光层3376基本相同的结构。柱状间隔物9901和遮光层3376可以以基本相同的工艺彼此同时形成。

柱状间隔物9901的高度取决于位于柱状间隔物9901下的虚设滤色器层的高度，或者基于位于柱状间隔物9901下的虚设滤色器层的高度来确定；并且虚设滤色器层的高度取决于虚设滤色器层的面积，或者基于虚设滤色器层的面积来确定。相应地，柱状间隔物9901的高度取决于虚设滤色器层的面积，或者基于虚设滤色器层的面积来确定。当虚设滤色器层8801的面积增加时，虚设滤色器层8801的高度增加，并且相应地，位于虚设滤色器层8801上的柱状间隔物9901的高度也增加。

在示例性实施例中，如图28中所图示，柱状间隔物9901的高度h1是从第一基板301的平坦参考表面(即，第一基板3301的内表面)到柱状间隔物9901的最上层表面的距离，并且意味着在Z轴方向上测得的距离。第一基板3301的参考表面与X轴方向垂直相交。柱状间隔物9901的最上层表面指的是柱状间隔物9901的各表面中在Z轴方向上离前述参考表面最远的表面。在示例性实施例中，柱状间隔物9901的高度h1还可被定义为第二基板3302的平坦参考表面(即，第二基板3302的内表面)与柱状间隔物9901之间的距离。在本文中，第二基板3302的参考表面与柱状间隔物9901之间的距离意味着在Z轴方向上的距离。

虚设滤色器层8801的高度也可被定义为从第一基板3301的参考表面到虚设滤色器层8801的最上层表面的距离，并且在此实施例中，该距离意味着在Z轴方向上测得的距离。

虚设滤色器层8801的面积意味着虚设滤色器层8801的各表面中最邻近于第二基板3302的参考表面的表面(在下文中，“对置表面”)的尺寸。在一个示例性实施例中，例如，如图28中所图示，对置表面面朝第二基板3302的参考表面，并且平行于参考表面。

图30是图示包括具有图27中所图示的结构的多个像素的显示装置的俯视图，图31是图示图30的第一滤色器层、第二滤色器层、第三滤色器层、第四滤色器层、第五滤色器层和第六滤色器层以及第一虚设滤色器层、第二虚设滤色器层和第三虚设滤色器层的视图，并且图32是根据示例性实施例的沿图30的线I-I’截取的剖视图。

在示例性实施例中，如图30中所图示，显示装置包括多个像素PX1、PX2和PX3。在一个示例性实施例中，例如，显示装置包括如图30中所示的三个像素PX1、PX2和PX3。图30中的像素PX1、PX2和PX3中的每一个具有与上面参照图27所描述的像素PX1基本相同的结构。

三个像素PX1、PX2和PX3连接至一条栅极线GL和三条数据线DL1、DL2和DL3。在一个示例性实施例中，例如，在X轴方向上彼此邻近的第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3共同连接至栅极线GL。在此实施例中，第一像素PX1连接至第一数据线DL1，第二像素PX2连接至第二数据线DL2，并且第三像素PX3连接至第三数据线DL3。

在此实施例中，第一像素PX1连接至栅极线GL和第一数据线DL1，第二像素PX2连接至栅极线GL和第二数据线DL2，并且第三像素PX3连接至栅极线GL和第三数据线DL3。

第一像素PX1包括第一开关元件TFT1、第二开关元件TFT2、第三开关元件TFT3、第一子像素电极PE1、第二子像素电极PE2、第一滤色器层3351和第二滤色器层3352。第二像素PX2包括第四开关元件TFT4、第五开关元件TFT5、第六开关元件TFT6、第三子像素电极PE3、第四子像素电极PE4、第三滤色器层3353和第四滤色器层3354。第三像素PX3包括第七开关元件TFT7、第八开关元件TFT8、第九开关元件TFT9、第五子像素电极PE5、第六子像素电极PE6、第五滤色器层3355和第六滤色器层3356。

在Y轴方向上彼此邻近的滤色器层具有基本相同的颜色。在一个示例性实施例中，例如，如图31中所图示，第一滤色器层3351可具有与第二滤色器层3352基本相同的颜色，第三滤色器层3353可具有与第四滤色器层3354基本相同的颜色，并且第五滤色器层3355可具有与第六滤色器层3356基本相同的颜色。

在X轴方向上彼此邻近的滤色器层具有彼此不同的颜色。在一个示例性实施例中，例如，如图31中所图示，第一滤色器层3351、第三滤色器层3353和第五滤色器层3355具有彼此不同的颜色，并且第二滤色器层3352、第四滤色器层3354和第六滤色器层3356具有彼此不同的颜色。

在一个示例性实施例中，例如，第一滤色器层3351和第二滤色器层3352中的每一个可具有红色，第三滤色器层3353和第四滤色器层3354中的每一个可具有绿色，并且第五滤色器层3355和第六滤色器层3356中的每一个可具有蓝色。

在示例性实施例中，如图30中所图示，第一虚设滤色器层8801与第一开关元件TFT1和第二开关元件TFT2重叠，第二虚设滤色器层8802与第四开关元件TFT4重叠，并且第三虚设滤色器层8803与第七开关元件TFT7重叠。

在示例性实施例中，如图31中所图示，第一虚设滤色器层8801位于在Y轴方向上彼此邻近并且具有基本相同的颜色的第一滤色器层3351与第二滤色器层3352之间，第二虚设滤色器层8802位于在Y轴方向上彼此邻近并且具有基本相同的颜色的第三滤色器层3353与第四滤色器层3354之间，并且第三虚设滤色器层8803位于在Y轴方向上彼此邻近并且具有基本相同的颜色的第五滤色器层3355与第六滤色器层3356之间。

在示例性实施例中，如上所述，第一虚设滤色器层8801具有比第二虚设滤色器层8802的面积大的面积。在此实施例中，如图31中所示，第一虚设滤色器层8801的一侧的长度L1可大于第二虚设滤色器层8802的与第一虚设滤色器层8801的这一侧相对应的一侧的长度L2。在示例性实施例中，第二虚设滤色器层8802的一侧的长度L2可基本等于第三虚设滤色器层8803的与第二虚设滤色器层8802的这一侧相对应的一侧的长度L3。

由于第一虚设滤色器层8801具有比第二虚设滤色器层8802的面积大的面积，因此第一虚设滤色器层8801具有比第二虚设滤色器层8802的高度大的高度。在此实施例中，第一虚设滤色器层8801的高度h11大于第二虚设滤色器层8802的高度h22。

由于第一虚设滤色器层8801具有比第二虚设滤色器层8802的高度大的高度，因此第一虚设滤色器层8801上的第一柱状间隔物9901具有比第二虚设滤色器层8802上的第二柱状间隔物9902的高度大的高度。在此实施例中，第一柱状间隔物9901的高度h1大于第二柱状间隔物9902的高度h2。相应地，第二基板3302的参考表面(即，第二基板3302的内表面)与第一柱状间隔物9901之间的距离小于第二基板3302的参考表面与第二柱状间隔物9902之间的距离。

在示例性实施例中，第三虚设滤色器层8803具有与第二虚设滤色器层8802的面积基本相等的面积，并且因此，第三虚设滤色器层8803上的第三柱状间隔物9903具有与第二虚设滤色器层8802上的第二柱状间隔物9902的高度基本相等的高度(即，h3＝h3)。相应地，第二基板3302的参考表面与第三柱状间隔物9903之间的距离基本等于第二基板3302的参考表面与第二柱状间隔物9902之间的距离。

在此实施例中，因为第一柱状间隔物9901下的第一虚设滤色器层8801的面积大于位于第二柱状间隔物9902下的第二虚设滤色器层8802的面积，并且第三柱状间隔物9903下的第三虚设滤色器层8803的面积基本等于上述第二虚设滤色器层8802的面积，所以第一柱状间隔物9901具有比第二柱状间隔物9902的高度大的高度，并且第三柱状间隔物9903具有与第二柱状间隔物9902的高度基本相等的高度。

具有相对大的高度h1的第一柱状间隔物9901被定义为主柱状间隔物，并且具有相对较小的高度h2和h3的第二柱状间隔物9902和第三柱状间隔物9903中的每一个被定义为子柱状间隔物。

在示例性实施例中，如图32中所图示，由于第一虚设滤色器层8801具有比第二虚设滤色器层8802的面积大的面积，因此第一虚设滤色器层8801上的第一柱状间隔物9901的厚度d1小于第二虚设滤色器层8802上的第二柱状间隔物9902的厚度d2。这是因为具有相对大的面积的虚设滤色器层上的柱状间隔物具有相对高的平坦性。在此实施例中，第一柱状间隔物9901和第二柱状间隔物9902可在其制造过程期间通过基本相同量的光进行曝光，并且在此实施例中，具有较大面积的第一虚设滤色器层8801上的第一柱状间隔物9901可具有相对较小的厚度。在示例性实施例中，第一柱状间隔物9901的厚度d1可与第二虚设滤色器层8802上的第二柱状间隔物9902的厚度d2基本相同。

第三柱状间隔物9903的厚度d3与第二柱状间隔物9902的厚度d2基本相同。第一柱状间隔物9901、第二柱状间隔物9902和第三柱状间隔物9903可在其制造过程期间全部通过基本相同量的光进行曝光。

图33是根据可替代的示例性实施例的沿图30的线I-I’截取的剖视图。

在示例性实施例中，如图33中所图示，第一柱状间隔物9901、第二柱状间隔物9902和第三柱状间隔物9903可位于绝缘层间层3325上。在一个示例性实施例中，例如，第一柱状间隔物9901可位于绝缘层间层3325上，以与第一虚设滤色器层8801重叠；第二柱状间隔物9902可位于绝缘层间层3325上，以与第二虚设滤色器层8802重叠；并且第三柱状间隔物9903可位于绝缘层间层3325上，以与第三虚设滤色器层8803重叠。

在此实施例中，图33的第一虚设滤色器层8801、第二虚设滤色器层8802和第三虚设滤色器层8803可与上面参照图1、图2、图3、图4、图5和图6描述的那些基本相同，并且在下文中将省略其任何重复的详细描述。

图33中的第一柱状间隔物9901、第二柱状间隔物9902和第三柱状间隔物9903中的至少一个可包括透明材料。在一个示例性实施例中，例如，第一柱状间隔物9901、第二柱状间隔物9902和第三柱状间隔物9903中的每一个可为包括透明材料的柱状间隔物。

在示例性实施例中，如图33中所图示，遮光层3376可位于第二基板3302上。在一个示例性实施例中，例如，遮光层3376可位于第二基板3302与公共电极3330之间。在此实施例中，当从俯视图查看时，图33的遮光层3376可具有与图27的遮光层3376基本相同的形状。

图33的遮光层3376可包括与包括在柱状间隔物9901中的每一个中的材料不同的材料。在示例性实施例中，例如，遮光层3376可包括不透明的光敏有机材料，并且柱状间隔物9901中的每一个可包括透明的光敏有机材料。

图34是图示根据可替代的示例性实施例的包括具有图27中所图示的结构的多个像素的显示装置的俯视图，并且图35是图示图34的第一滤色器层、第二滤色器层、第三滤色器层、第四滤色器层、第五滤色器层和第六滤色器层以及第一虚设滤色器层、第二虚设滤色器层和第三虚设滤色器层的视图。

在示例性实施例中，如图34和图35中所图示，第一虚设滤色器层8801位于在Y轴方向上彼此邻近并且具有基本相同的颜色的第一滤色器层3351与第二滤色器层3352之间，第二虚设滤色器层8802位于在Y轴方向上彼此邻近并且具有基本相同的颜色的第三滤色器层3353与第四滤色器层3354之间，第三虚设滤色器层8803位于在Y轴方向上彼此邻近并且具有基本相同的颜色的第五滤色器层3355和第六滤色器层3356之间。

在此实施例中，第一虚设滤色器层8801、第二虚设滤色器层8802和第三虚设滤色器层8803不连接至滤色器层。在此实施例中，第一虚设滤色器层8801、第二虚设滤色器层8802和第三虚设滤色器层8803具有与滤色器层分离的形状。

在可替代的示例性实施例中，第一虚设滤色器层8801、第二虚设滤色器层8802和第三虚设滤色器层8803中的至少一个可连接至各滤色器层中与其邻近布置的的一个滤色器层，并且具有与各滤色器层中的这一个滤色器层基本相同的颜色。在此实施例中，第一虚设滤色器层8801、第二虚设滤色器层8802和第三虚设滤色器层8803中的至少一个可和与其邻近的滤色器层整体形成为单一的并且不可分割的单元，并且具有与该滤色器层基本相同的颜色。在一个示例性实施例中，例如，位于第一滤色器层3351与第二滤色器层3352之间的第一虚设滤色器层8801可要么连接至第一滤色器层3351，要么连接至第二滤色器层3352。

在示例性实施例中，如图34和35中所图示，第一虚设滤色器层8801的面积大于第二虚设滤色器层8802的面积，并且第三虚设滤色器层8803的面积基本等于第二虚设滤色器层8802的面积。

根据一个或多个示例性实施例，柱状间隔物的高度基于虚设滤色器层的尺寸而被控制。在此实施例中，虚设滤色器层的高度根据虚设滤色器层的面积的变化而被控制，并且因此，位于虚设滤色器层之上的柱状间隔物的高度也根据虚设滤色器层的尺寸而变化。相应地，可有效制造具有不同高度的柱状间隔物，而无需应用传统的半色调曝光。在此实施例中，可通过控制虚设滤色器层的面积而制造主柱状间隔物和子柱状间隔物。

相应地，在本发明的示例性实施例中，可解决或者有效避免在传统半色调曝光中可能出现的问题。在传统的半色调曝光中，例如，当柱状间隔物和遮光层以基本相同的工艺彼此一起形成时，可能出现遮光层在重叠曝光区域中的厚度增加的问题。在传统的半色调曝光中，仅可选择性地或者有限地将具有适用于此类曝光方法的特性的材料用作柱状间隔物和遮光层的材料。

然而，根据本发明的一个或多个示例性实施例，可制造具有厚度基本均匀的遮光层，并且可扩大用于柱状间隔物和遮光层的材料的选择范围。

在本发明的示例性实施例中，由于柱状间隔物的高度差由虚设滤色器层的高度差引起，因此可采用相对较少量的材料来制造柱状间隔物。相应地，在此实施例中，可降低制造成本。

如前所述，应当理解，为了说明的目的，本文已描述了根据本公开的各种实施例，并且可在不脱离本教导的范围和精神的情况下作出各种修改。相应地，本文描述的各种实施例不旨在限制本教导的真实范围和精神。上述及其他实施例的各种特征可以以任何方式混合并匹配，从而产生与本发明一致的进一步的实施例。

Claims

1.一种显示装置，包括：

彼此间隔开的第一基板和第二基板；

第一滤色器层和第二滤色器层，所述第一滤色器层和所述第二滤色器层彼此邻近地位于所述第一基板与所述第二基板之间并且具有彼此相同的颜色；

第三滤色器层和第四滤色器层，所述第三滤色器层和所述第四滤色器层彼此邻近地位于所述第一基板与所述第二基板之间并且具有彼此相同的颜色；

第一虚设滤色器层，所述第一虚设滤色器层位于所述第一基板的边缘与所述第一滤色器层之间，或者位于所述第一滤色器层与所述第二滤色器层之间，其中所述第一虚设滤色器层具有与所述第一滤色器层相同的颜色；

第二虚设滤色器层，所述第二虚设滤色器层位于所述第一基板的边缘与所述第三滤色器层之间，或者位于所述第三滤色器层与所述第四滤色器层之间，其中所述第二虚设滤色器层具有与所述第三滤色器层相同的颜色；

在所述第一虚设滤色器层与所述第二基板之间的第一柱状间隔物；以及

在所述第二虚设滤色器层与所述第二基板之间的第二柱状间隔物，

其中，所述第一虚设滤色器层相对于所述第一基板的参考表面的高度大于所述第二虚设滤色器层相对于所述参考表面的高度，并且

所述第一虚设滤色器层的面朝所述第二基板的表面大于所述第二虚设滤色器层的面朝所述第二基板的表面。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一柱状间隔物的厚度小于或等于所述第二柱状间隔物的厚度。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一柱状间隔物相对于所述参考表面的高度大于所述第二柱状间隔物相对于所述参考表面的高度。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一虚设滤色器层连接至所述第一滤色器层和所述第二滤色器层中的至少一个。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中所述第一滤色器层、所述第二滤色器层和所述第一虚设滤色器层整体形成为单一的并且不可分割的单元。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第二虚设滤色器层连接至所述第三滤色器层和所述第四滤色器层中的至少一个。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其中所述第三滤色器层、所述第四滤色器层和所述第二虚设滤色器层是一体的。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一柱状间隔物和所述第二柱状间隔物中的至少一个包括透明材料或不透明材料。

9.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：

所述第一基板或所述第二基板上的遮光层。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中

所述遮光层、所述第一柱状间隔物和所述第二柱状间隔物位于所述第一基板上的相同的层上；并且

所述遮光层、所述第一柱状间隔物和所述第二柱状间隔物是一体的。