TWI733950B - 顯示裝置 - Google Patents

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TWI733950B
TWI733950B TW106140311A TW106140311A TWI733950B TW I733950 B TWI733950 B TW I733950B TW 106140311 A TW106140311 A TW 106140311A TW 106140311 A TW106140311 A TW 106140311A TW I733950 B TWI733950 B TW I733950B
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朴塞論
李相憲
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Abstract

一種顯示裝置,其包含:第一基板及第二基板;位於第一基板及第二基板之間且具有第一色彩的相鄰的第一彩色濾光層及第二彩色濾光層;位於第一基板及第二基板之間且具有第二色彩的相鄰的第三彩色濾光層及第四彩色濾光層;位於第一彩色濾光層及第二彩色濾光層之間且分別具有第一色彩及第二色彩的第一虛設彩色濾光層及第二虛設彩色濾光層;位於第一虛設彩色濾光層及第二基板之間的第一柱狀間隔器;以及位於第二虛設彩色濾光層及第二基板之間的第二柱狀間隔器。第一虛設彩色濾光層具有大於第二虛設彩色濾光層高度的高度。面對第二基板的第一虛設彩色濾光層的表面大於第二虛設彩色濾光層的表面。

Description

顯示裝置
本文的申請書主張於2016年11月21日向韓國智慧財產局申請之韓國專利申請案第10-2016-0155046號之優先權,其全部內容於此藉由併入本文中作為參考。
本發明的例示性實施例涉及一種能夠提高產量並降低製造成本的顯示裝置,以及一種製造該顯示裝置的方法。
液晶顯示器(LCD)裝置是使用最廣泛的平板顯示器(FPD)裝置的類型之一。LCD裝置通常包含兩個包含其上形成兩個電極及其之間插入液晶層的基板。
在對兩個電極施加電壓時,液晶層的液晶分子重新排列,使在LCD裝置中控制透射光的量。
本發明的例示性實施例針對一種具有以提高製造的產量及降低製造的成本的顯示裝置結構,以及一種製造該顯示裝置的方法。
根據本發明的例示性實施例,一種顯示裝置,其包含:彼此間隔開的第一基板及第二基板;位於第一基板及第二基板之間彼此相鄰且彼此具有實質上相同的色彩的;第三彩色濾光層及第彩色濾光層,位於第一基板及第二基板之間彼此相鄰且彼此具有實質上相同的色彩的第三彩色濾光層及第四彩色濾光層;位於第一基板的邊緣及第一彩色濾光層之間或位於第一彩色濾光層與第二彩色濾光層之間的第一虛設彩色濾光層,其中第一虛設彩色濾光層具有與該第一色彩過濾層實質上相同的色彩;位於第一基板的邊緣及第三彩色濾光層之間或位於第三彩色濾光層及第四彩色濾光層之間的第二虛設彩色濾光層,其中第二虛設彩色濾光層具有與第三彩色濾光層實質上相同的色彩;位於第一虛設彩色濾光層及第二基板之間的第一柱狀間隔器;以及位於第二虛設彩色濾光層及第二基板之間的第二柱狀間隔器。在此實施例中,從第一基板的參考表面至第一虛設彩色濾光層的高度大於從參考表面至第二虛設彩色濾光層的高度,以及面向第二基板的第一虛設彩色濾光層的表面大於面向第二基板的第二虛設彩色濾光層的表面。
本實施例中,第一柱狀間隔器的厚度可小於或實質上等於第二柱狀間隔器的厚度。
本實施例中,從參考表面至第一柱狀間隔器的高度可大於從參考表面的高度至第二柱狀間隔器。
本實施例中,第一虛設彩色濾光層可連接至至少第一彩色濾光層及第二彩色濾光層中的一個。
本實施例中,第一彩色濾光層、第二彩色濾光層及第一虛設彩色濾光層可一體形成為單一且不可分割的單元。
本實施例中,第二虛設彩色濾光層可連接至至少第三彩色濾光層及第四彩色濾光層中的一個。
本揭露例示性實施例中,第三彩色濾光層、第四彩色濾光層及第二虛設彩色濾光層可一體形成為單一且不可分割的單元。
本實施例中,至少第一柱狀間隔器及第二柱狀間隔器中的一個可包含透明材料或不透明材料。
本實施例中,顯示裝置可進一步包含在第一基板或第二基板上的遮光層。
本實施例中,遮光層、第一柱狀間隔器及第二柱狀間隔器可位於第一基板上實質上相同的層上;且遮光層、第一柱狀間隔器及第二柱狀間隔器可一體地形成單一且不可分割的單元。
本實施例中,第一柱狀間隔器及第二柱狀間隔器可位於第一基板上,而遮光層可位於第二基板上以重疊於第一柱狀間隔器及第二柱狀間隔器。
本實施例中,顯示裝置還可進一步包含被設置以重疊於第一彩色濾光層的第一像素電極;位於對應於第二彩色濾光層的第二像素電極;被設置以重疊於第三彩色濾光層的第三像素電極;被設置以重疊於第四彩色濾光層的第四像素電極;第一開關元件連接至第一像素電極;第二開關元件連接至第二像素電極;第三開關元件連接至第三像素電極;而第四開關元件連接至第四像素電極。
本實施例中,第一柱狀間隔器可重疊於第一開關元件及第二開關元件中的一個。
本實施例中,第二柱狀間隔器可重疊於第三開關元件及第四開關元件中的一個。
本實施例中,顯示裝置可進一步包含第一閘極線連接至第一開關元件及第二開關元件;第二閘極線連接至第三開關元件及第四開關元件;第一資料線連接至第一開關元件及第三開關元件;以及第二資料線連接至第二開關元件及第四開關元件。
本實施例中,顯示裝置可進一步包含第一閘極線連接至第一開關元件及第三開關元件;第二閘極線連接至第二開關元件及第四開關元件;第一資料線連接至第一開關元件及第二開關元件;以及第二資料線連接至第三開關元件及第四開關元件。
本實施例中,顯示裝置可進一步包含被設置以重疊於第一彩色濾光層的第一子像素電極;被設置以重疊於第二彩色濾光層的第二子像素電極;被設置以重疊於第三彩色濾光層的第三子像素電極;被設置以重疊於第四彩色濾光層的第四子像素電極;第一開關元件連接至第一子像素電極;第二開關元件連接至第一開關元件及第二子像素電極;第三開關元件連接至第三子像素電極;第四開關元件連接至第三開關元件及第四子像素電極;閘極線連接至第一開關元件、第二開關元件、第三開關元件及第四開關元件;第一資料線連接至第一開關元件;以及第二資料線連接至第三開關元件。
根據本發明例示性實施例中,一種製造顯示裝置的方法包含步驟:提供第一光敏有機材料在第一基板上;位於第一基板的邊緣及第一彩色濾光層之間或位於第一彩色濾光層及第二彩色濾光層之間圖案化第一光敏有機材料以形成第一彩色濾光層、第二彩色濾光層及第一虛設彩色濾光層;位於第一基板的邊緣及第三彩色濾光層之間或位於第三彩色濾光層及第四彩色濾光層之間圖案化第二光敏有機材料以形成第三彩色濾光層、第四彩色濾光層及第二虛設彩色濾光層;在第一虛設彩色濾光層上提供第一柱狀間隔器,且在第二虛設彩色濾光層上提供第二柱狀間隔器;以及將第一基板及第二基板彼此接黏。在此實施例中,從第一基板的參考表面至第一虛設彩色濾光層的高度大於從參考表面至第二虛設彩色濾光層的高度,而面對第二基板的第一虛設彩色濾光層的表面比面對第二基板的第二虛設彩色濾光層的表面大。
本實施例中,第一柱狀間隔器的厚度可小於或實質上等於第二柱狀間隔器的厚度。
本揭露例示性實施例中,圖案化第一光敏有機材料的步驟可包含設置第一遮罩在第一光敏有機材料上,其中透射區域被定義在第一遮罩中以對應於第一彩色濾光層、第二彩色濾光層及第一虛設彩色濾光層;並透過第一遮罩曝光第一光敏有機材料。
本實施例中,圖案化第二光敏有機材料的步驟可包含設置第二遮罩在第二光敏有機材料上,其中透射區域被定義在第二遮罩中以對應於第三彩色濾光層、第四濾彩色濾光層及第二虛設彩色濾光層;並透過第二遮罩曝光第二光敏有機材料。
本實施例中,對應於第一虛設彩色濾光層的第一遮罩的透射區域可具有比對應於第二虛設彩色濾光層的第二遮罩的透射區域的尺寸大。
本實施例中,對應於第一虛設彩色濾光層的第一遮罩的透射區域可具有比對應於第二虛設彩色濾光層的第二遮罩的透射區域的尺寸實質上相同的尺寸,且在曝光第一光敏有機材料及第二光敏有機材料期間,可照射至對應於第一虛設彩色濾光層的第一遮罩的透射區域的光量比照射至對應於第二虛設彩色濾光層的第二遮罩的透射區域的光量多。
現在將參考繪示各種實施例的圖式於下文中更全面地描述本發明。然而,本發明可多樣化的形式來實施,且不應被解釋為限於在此闡述的實施例。相反,提供這些實施例使本揭露的內容徹底且完整,並將本發明的範圍充分地傳達至本領域中具有通常知識者。全文中相同的元件符號代表相同的元件。
在圖式中,複數個層及區域的厚度將以放大的方式繪示出使其清楚且易於描述。當層、區域或基板被稱作為在另一層、區域或基板「上(on)」時,其可直接在另一層、區域或基板上,或也可在之間存在中間層、區域或基板。相反地,當層、區域或基板被稱作為「直接… 上(directly on)」在另一層、區域或基板時,其之間可不存在中間層、區域或基板。此外,當層、區域或基板被稱作為在另一層、區域或基板的「下(below)」時,其可直接在另一層、區域或基板的下,或可存在中間層、區域或基板之間。相反地,當層、區域或基板被稱作為「直接…下(directly below)」在另一層、區域或基板時,其之間可不存在中間層、區域或基板。
空間相關術語「下(below)」、「之下(beneath)」、 「少(less)」、 「上(above)」、 「之上(upper)」等可使用於本文中以便於描述如圖式中所繪式一個元件或部件及另一個元件或部件之間的描述。應該理解的是除了圖式描繪的方向之外,空間相關術語旨包含使用或操作裝置中的不同方位。舉例來說,在圖式中繪式的裝置翻轉的情況下,位於另一裝置「下(below)」或「之下(beneath)」可被置放在另一裝置「上(above)」。因此,說明性術語「下(below)」可同時包含較低及較高的位置。該裝置也可在另一個方向上取向,因此空間相關術語可根據不同的方向來解釋。
在整個說明書中,當元件被稱作為「連接(connected)」另一元件時,該元件「直接連接(directly connected)」至另一元件,或「電連接(electrically connected)」至具有一個或多個中間元件插入其之間的另一個元件。將進一步理解的是,當術語「包含(comprises)」、「包含(comprising)」、「包含(includes)」和/或「包含(including)」被使用於本說明書中時,是指明所述特徵、整體、步驟、操作、元件和/或部件,但不排除一或更多其它特徵、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其群族的存在或增添。
應該理解的是,儘管術語「第一(first)」、「第二(second)」、 「第三(third)」等,可用於本文中描述各種元件,但這些元件不應限於此術語。這些術語僅用於辨識一個元件及另一個元件。因此,在不偏離本文教學下,下面討論的「第一元件(a first element)」可被稱為「第二元件(a second element)」或「第三元件(a third element)」,且「第二元件(a second element)」和「第三元件(a third element)」可被類似地命名。
考慮量測的問題及相關的誤差(即測量系統的限制),如本文使用的「約(about)」或「大約(approximately)」是包含本領域中具有通常知識者所確定的特定值可接受的偏差範圍之中的所述值和手段。舉例來說,「約(about)」可表示為一個或多個標準偏差內,或在所述值的±30%、20%、10%、5%內。
除非另外定義,否則本文中使用的所有術語(包含技術及科學術語)具有與本揭露所屬技術領域中具有通常知識者一般理解為相同的含義。進一步將理解的是,那些定義於常用字典之術語,應被解釋為具有與其在相關領域的上下文中意義一致,且除非在本說明書中明確定義,否則將不應被解釋為理想的或過度形式的意義。
本文參考作為理想實施例示意圖的截面圖來描述例示性實施例。因此,由於製造技術和/或允許誤差為例,結果出現圖式形狀的變化是可預期的。因此,本文描述的實施例不應被解釋為限於如本文繪式的特定形狀範圍,而是包含例如製造引起的形狀偏差。舉例來說,圖式或描述為平坦的區域通常可具有粗糙和/或非線性特徵。而且,所示的銳角可為圓形的。因此,圖式所示的區域本質上是示意性的,且它們的形狀不是意在繪示其精確形狀,也不意在限制本申請專利的範圍。
在下文中,將參照第1圖至第35圖詳細描述顯示裝置的例示性實施例及製造顯示裝置的方法。
第1圖係繪示根據例示性實施例包含在顯示裝置中的像素,第2圖係沿著第1圖的線I-I'的截面圖。
在例示性實施例中,如第1圖及第2圖繪示,顯示裝置的像素PX1包含開關元件TFT1、像素電極PE1及彩色濾光層351。
開關元件TFT1包含半導體層321、閘極電極GE、源極電極SE及汲極電極DE。閘極電極GE連接至閘極線GL1,源極電極SE連接至資料線DL1,而汲極電極DE連接至像素電極PE1。
在例示性實施例中,像素PX1位於第一基板301及第二基板302之間。在此實施例中,如第2圖所繪示,顯示裝置包含以預定距離彼此間隔開的第一基板301及第二基板302,且開關元件TFT1、像素電極PE1及彩色濾光層351位於(或設置)第一基板301及第二基板302之間。
在此實施例中,閘極線GL1、維持線721、預傾斜控制層500、遮光膜182、閘極絕緣層311、資料線DL1、保護層320、虛設彩色濾光層801、屏蔽電極961、絕緣夾層325、遮光層376、柱狀間隔器901、液晶層333及共電極330位於第一基板301及第二基板302之間。
第一基板301及第二基板302中的至少一個可為例如包含玻璃或塑料的絕緣基板。
在例示性實施例中,當第一基板310的表面及第二基板302的彼此面對的表面分別被定義為相應基板的內表面,而與內表面相反的表面被定義為相應的外表面時,第一偏光板(未繪示)可分別地進一步設置在第一基板310的外表面上,且第二偏光板(未繪示)可分別地進一步設置在第二基板302的外表面上。第一偏振片的透射軸可與第二偏振片的透射軸實質上正交。
在例示性實施例中,可使用偏光層代替第一偏光板及第二偏光板,且在此實施方式中,偏光層可位於第一基板301及第二基板302之間。
在例示性實施例中,如第1圖所示,閘極線GL1在與X軸平行的方向(下文稱X軸方向)上延伸。在此實施例中,如第2圖所示,閘極線GL1位於第一基板301上。
在例示性實施例中,如第1圖所示,閘極線GL1連接至閘極電極GE。閘極線GL1及閘極電極GE可一體形成為單一且不可分割的單元。
儘管未繪示,閘極線GL1的末端可具有比閘極線GL1的另一端更大的面積,以連接至另一層或外部驅動電路。閘極線GL1可從外部驅動電路接收閘極訊號。
在例示性實施例中,閘極線GL1可包含或由鋁(Al)或其合金、銀(Ag)或其合金、銅(Cu)或其合金和/或鉬(Mo)或其合金形成。在可選的例示性實施例中,閘極線GL1可包含或由鉻(Cr)、鉭(Ta)及鈦(Ti)中的一種形成。在例示性實施例中,閘極線GL1可具有包含至少兩個彼此具有不同物理特性的導電層的多層結構。
在例示性實施例中,如第1圖所示,閘極電極GE可具有由閘極線GL1向維持線721突出的形狀。閘極電極GE可是閘極線GL1的一部分。閘極電極GE及閘極線GL1可一體形成為單一且不可分割的單元。
在例示性實施例中,如第2圖所示,閘極電極GE位於第一基板301上。閘極電極GE可包含與閘極線GL1實質上相同的材料,且可具有與閘極線GL1實質上相同的結構(多層結構)。閘極電極GE及閘極線GL1可在實質上相同的程序彼此同時形成。
在例示性實施例中,如第1圖所示,維持線721沿X軸方向延伸。在此實施例中,如第2圖所示,維持線721可在與Y軸(下文稱Y軸方向)平行的方向上延伸,維持線721與閘極線GL1實質上平行。在此實施例中,如第2圖所示,維持線721位於第一基板301上。
在例示性實施例中,儘管未繪示,維持線721的末端可具有比維持線721的另一端更大的面積,以連接至另一層或外部驅動電路。維持線721可從外部驅動電路接收維持電壓。維持電壓是直流(DC)電壓,且可具有與施加於共用電極330的電壓電位實質上相同的電壓電位。
預傾斜控制層500控制液晶層333的液晶分子的預傾角。在此實施例中,預傾斜控制層500控制像素電極PE1上的液晶分子傾斜在相對傾斜於預傾斜控制層500的預定方向。
在例示性實施例中,如第1圖所示,預傾斜控制層500的位於對應於像素電極PE1的相對的邊緣及像素電極PE1的中心部分的位置。在此實施例中,預傾斜控制層500可包含彼此分離的第一控制層501、第二控制層502及第三控制層503。第一控制層501及第二控制層502分別位於像素電極PE1彼此面對的相對的邊緣處,且第三控制層503位於像素電極PE1的中心部位。第三控制層503位於第一控制層501及第二控制層502之間。
在例示性實施例中,如第1圖所示,每個第一控制層501、第二控制層502及第三控制層503可具有在Y軸方向上延伸的長條形狀。
在例示性實施例中,如第2圖所示,預傾斜控制層500位於第一基板301上。
預傾斜控制層500可包含與閘極線GL1實質上相同材料,且與閘極線GL1實質上相同的結構(例如,多層結構)。預傾斜控制層500及閘極線GL1可在實質上相同的程序彼此同時形成。
預傾斜控制層500具有不連接至包含閘極線GL1及資料線DL1的任何導線的間隔形狀。在此實施例中,每個第一控制層501、第二控制層502及第三控制層50皆無物理性直接地連接至顯示裝置的任何訊號線。本文所使用的,訊號線包含直接從訊號源接收訊號的線,通過至少一條其它線間接接收來自訊號源的訊號的線,通過至少一個電容器間接接收來自訊號源的訊號的線,或通過至少一個開關間接接收來自訊號源的訊號的線。
在例示性實施例中,如第1圖及第2圖所示,遮光膜182位於與汲極接觸孔11對應的第一基板301上。在汲極接觸孔11被定義為因為遮罩未對準而大量地偏離汲極電極DE的情況下,透過汲極接觸孔11洩漏光可產生並。在例示性實施例中,遮光膜182位於汲極接觸孔11下方以阻擋此洩漏光。遮光膜182具有不連接至包含閘極線GL1及資料線DL1的任何導線的間隔形狀。遮光膜182可與第一控制層501一體形成為單一且不可分割的單元。
遮光膜182可包含與閘極線GL1實質上相同的材料,且可具有與閘極線GL1實質上相同的結構(多層結構)。遮光膜182及閘極線GL1可在實質上相同的程序彼此同時形成。
在例示性實施例中,如第2圖所示,閘極絕緣層311位於閘極線GL1、閘極電極GE、維持線721、預傾斜控制層500及遮光膜182上。在此實施例中,閘極絕緣層311可設置或形成覆蓋在第一基板301其上設置有閘極線GL1、閘極電極GE、維持線721、預傾斜控制層500及遮光膜182的整個表面上。
舉例來說,閘極絕緣層311可包含氮化矽(SiNx),氧化矽(SiOx)等。閘極絕緣層311可具有至少兩個包含彼此具有不同物理性質的絕緣層的多層結構。
在例示性實施例中,如第1圖所示,半導體層321與閘極電極GE、源極電極SE及汲極電極DE重疊。在此實施例中,如第2圖所示,半導體層321位於閘極絕緣層311上。例如:半導體層321可包含非晶矽、多晶矽等。
在例示性實施例中,如第1圖所示,資料線DL1沿Y軸方向延伸。在例示性實施例中,如第1圖所示,資料線DL1與閘極線GL1相交。
在例示性實施例中,儘管未繪示,資料線DL1在資料線DL1及閘極線GL1的交叉處可具有比另一端的線寬更小的線寬。於此,資料線DL1的線寬表示資料線DL1在X軸方向上測量的寬度。在此實施例中,閘極線GL1在資料線DL1及閘極線GL1的交叉處可具有比另一端的線寬更小的線寬。於此,閘極線GL1的線寬表示在Y軸方向上測量的寬度。在此實施例中,當資料線DL1及閘極線GL1的線寬相對小於資料線DL1及閘極線GL1的交叉處時,資料線DL1及閘極線GL1之間的寄生電容可被減少。
在例示性實施例中,儘管未繪示,資料線DL1的末端可具有比另一端較大的面積,以連接至另一層或外部驅動電路。資料線DL1可接收從外部驅動電路的資料電壓(即,圖像資料電壓)。
在例示性實施例中,儘管在第2圖未繪示,資料線DL1位於閘極絕緣層311上。在此實施例中,資料線DL1可位於如第2圖所示的源極電極SE的閘極絕緣層311上。
資料線DL1可包含像是鉬、鉻、鉭及鈦或其合金的難熔金屬。資料線DL1可具有包含難熔金屬層及低電阻導電層的多層結構。在一個例示性實施例中,這樣的多層結構可包含:鉻或鉬(合金)下層及鋁(合金)上層的雙層結構;以及鉬(合金)下層、鋁(合金)中間層與鉬(合金)上層的三層結構。在例示性實施例中,資料線DL1可包含或由任何合適的金屬或導體行程除了上述材料之外。
在例示性實施例中,如第1圖及第2圖所示,源極電極SE重疊於閘極電極GE及半導體層321。在此實施例中,如第2圖所示,源極電極SE位於閘極絕緣層311及半導體層321上。
源極電極SE可具有從資料線DL1向像素電極PE1突出的形狀。源極電極SE可為資料線DL1的一部分。源極電極SE及資料線DL1可一體形成為單一且不可分割的單元。
源極電極SE可具有I形形狀、C形形狀及U形形狀中的一種。在例示性實施例中,如第1圖所示,源極電極SE具有U形形狀,且源極電極SE的凸起部指向閘極線GL1。
源極電極SE可包含與資料線DL1實質上相同的材料且可具有與資料線DL1實質上相同的結構(多層結構)。源極電極SE及資料線DL1可在實質上相同的程序彼此同時形成。
在例示性實施例中,如第1圖及第2圖所示,汲極電極DE位於閘極絕緣層311及半導體層321上,與源極電極SE間隔開預定距離。汲極電極DE與半導體層321及閘極電極GE重疊。開關元件TFT1的通道區域位於汲極電極DE及源極電極SE之間的半導體層321的一部分處。
汲極電極DE可包含與資料線DL1實質上相同的材料,且可具有與資料線DL1實質上相同的結構(多層結構)。汲極電極DE及資料線DL1可在實質上相同的程序彼此同時形成。
第一電阻接觸層321a位於半導體層321及源極電極SE之間。由於第一電阻接觸層321a使得半導體層321及源極電極SE之間的界面電阻可減少。
第一電阻接觸層321a可包含矽化物或具有高濃度摻雜n型雜質離子的n +氫化非晶矽例如:磷(P)或磷化氫(PH3)。
第二電阻接觸層321b位於半導體層321及汲極電極DE之間。由於第二電阻接觸層321b使得半導體層321及汲極電極DE之間的界面電阻可減少。第二電阻接觸層321b可包含與第一電阻接觸層321a實質上相同的材料,且可具有與第一電阻接觸層321a實質上相同的結構(例如:多層結構)。第二電阻接觸層321b及第一電阻接觸層321a可在實質上相同的程序彼此同時形成。
在例示性實施例中,可省略第一電阻接觸層321a及第二電阻接觸層321b。
在例示性實施例中,儘管未繪示,半導體層(下文稱,「第一附加半導體層(a first additional semiconductor layer)」)可進一步設置在閘極絕緣層311及源極電極SE之間。在例示性實施例中,半導體層(下文稱,「第二附加半導體層(a second additional semiconductor layer)」)可進一步設置在閘極絕緣層311及汲極電極DE之間。在例示性實施例中,半導體層(下文稱,「第三附加半導體層(a third additional semiconductor layer)」)可進一步設置在閘極絕緣層311及資料線DL1之間。
在例示性實施例中,儘管未繪示,電阻接觸層可進一步設置在第一附加半導體層及源極電極SE之間。在例示性實施例中,電阻接觸層可進一步設置在第二附加半導體層及汲極電極DE之間。在例示性實施例中,電阻接觸層可進一步設置在第三附加半導體層及資料線DL1之間。
在例示性實施例中,如第2圖所示,保護層320位於閘極絕緣層311、資料線DL1、源極電極SE及汲極電極DE上。在此實施例中,保護層320可位於第一基板301上其上設置有閘極絕緣層311、資料線DL1、源極電極SE及汲極電極DE的整個表面上。
在例示性實施例中,在保護層320中的對應汲極電極DE的位置定義一開口,從而曝光汲極電極DE的一部分。保護層320的開口可為汲極接觸孔11的一部分。
保護層320可包含像是氮化矽(SiNx)、氧化矽(SiOx)等的無機絕緣材料。在此實施例中,無機絕緣材料可具有大約4.0的光敏性及介電常數。在可選的例示性實施例中,保護層320可具有包含下無機層及上有機層的雙層結構。保護層320可具有大於或等於5000埃(Å)的厚度,例如:在約5000埃至8000範圍中埃。
在例示性實施例中,如第1圖及第2圖所示,彩色濾光層351對應於像素電極PE1、閘極線GL1及維持線721位於保護層320上。彩色濾光層351可具有預定色彩。在此實施例中,彩色濾光層351可包含對應於預定色彩的顏料。
在例示性實施例中,虛設彩色濾光層(dummy color filter layer)801可位於彩色濾光層351及第一基板301的邊緣之間。在例示性實施例中,虛設彩色濾光層801可位於彼此具有實質上相同的色彩的兩個相鄰的彩色濾光層之間。將在後面更詳細地描述虛設彩色濾光層801。
在例示性實施例中,如第2圖所示,絕緣夾層325位於彩色濾光層351及保護層320上。絕緣夾層325可位於第一基板301其上設置有彩色濾光層351及保護層320的整個表面上。
開口係定在透過絕緣夾層325對應於汲極電極DE的位置定義一開口,從而暴露汲極電極DE。絕緣夾層325的開口是汲極接觸孔11的一部分。在此實施例中,汲極接觸孔11包含上述保護層320的開口及絕緣夾層325的開口。
絕緣夾層325可包含與上述的保護層320實質上相同的材料。在一個例示性實施例中,每個絕緣夾層325及保護層320中的可包含光敏有機材料。絕緣夾層325的高度差或階梯覆蓋度可根據光敏有機材料的特性而變化。
在例示性實施例中,如第1圖所示,像素電極PE1可位於未被遮光層376覆蓋的區域的區域(下文稱,像素區域)中,且被閘極線GL1,維持線721及資料線DL1及DL2圍繞。資料線DL1及DL2與閘極線GL1及維持線721相交。在此實施例中,至少一個相鄰於維持線721的像素電極PE1的邊緣可重疊於維持線721。
像素電極PE1可包含像是ITO或IZO的透明導電材料。在此實施例中,ITO可為多晶或單晶材料,且IZO也可為多晶或單晶材料。可選擇地,IZO可為非晶材料。
第3圖係繪示第1圖的像素電極的放大圖。
在例示性實施例中,如第3圖所示,像素電極PE1包含主幹電極613及由主幹電極613延伸的複數個分支電極601a、601b、601c及601d。主幹電極613及分支電極601a、601b、601c及601d可一體形成為單一且不可分割的單位。
主幹電極613將像素區域P分成複數個區域。在一個例示性實施例中,主幹電極613包含彼此相交的水平部分611及垂直部分612。水平部分611將像素區域P劃分兩個區域,且垂直部分612將兩個每個劃分的區域劃分成兩個更小的區域。因此,在此實施例中,通過包含水平部分611及垂直部分612的主幹電極613將像素區域P劃分為四個區域A、B、C及D。
分支電極分別包含從主幹電極613沿不同方向延伸的第一分支電極601a、第二分支電極601b、第三分支電極601c及第四分支電極601d。在此實施例中,第一分支電極601a、第二分支電極601b、第三分支電極601c及第四分支電極從主幹電極613延伸至相應的區域A、B、C及D。在一個例示性實施例中,第一分支電極601a設置在第一區域A,第二分支電極601b設置在第二區域B,第三分支電極601c設置在第三區域C,而第四分支電極601d設置在第四區域D。
在例示性實施例中,相對於垂直部分612第一分支電極601a及第二分支電極601b形成對稱形狀,且相對於垂直部分61第三分支電極601c及第四分支電極601d 2形成對稱形狀。在此實施例中,相對於水平部分611第一分支電極601a及第四分支電極601d形成對稱形狀,且相對於水平部分611第二分支電極601b及第三分支電極601c形成對稱形狀。
複數個第一分支電極601a可設置在第一區域A中。在此實施例中,複數個第一分支電極601a彼此平行排列。在此實施例中,一些第一分支電極601a從相鄰於第一區域A的水平部分611的一側在相對於其一側的對角線方向中延伸。在此實施例中,一些第一分支電極601a從相鄰於第一區域A的垂直部分612的一側在相對於其一側的對角線方向中延伸。
複數個第二分支電極601b可設置在第二區域B中。在此實施例中,複數個第二分支電極601b彼此平行排列。在此實施例中,一些第二分支電極601b從相鄰於第二區域B的水平部分611的一側在相對於其一側的對角線方向中延伸。在此實施例中,一些第二分支電極601b中從相鄰於第二區域B的垂直部分612的一側在相對於其一側的對角線中方向延伸。
複數個第三分支電極601c可設置在第三區域C中。在此實施例中,複數個第三分支電極601c彼此平行排列。在此實施例中,一些第三分支電極601c從相鄰於第三區域C的水平部分611的一側再相對於其一側的對角線方向中延伸。另外,一些第三分支電極601c從相鄰於第三區域C的垂直部分612的一側在相對於其一側的對角線方向中延伸。
複數個第四分支電極601d可設置在第四區域D中。在此實施例中,複數個第四分支電極601d彼此平行排列。在此實施例中,一些第四分支電極601d從相鄰於第四區域D的水平部分611的一側在相對於其一側的對角線方向中延伸。在此實施例中,一些第四分支電極601d從相鄰於第四區域D的垂直部分612的一側在相對於其一側的對角線方向中延伸。
在例示性實施例中,上述主幹電極613可進一步包含第一連接部分614a及第二連接部分614b。第一連接部分614a連接至垂直部分612的一個末端,且第二連接部分614b連接至垂直部分612的另一個末端。第一連接部分614a及第二連接部分614b可平行排列於水平部分611。第一連接部分614a及第二連接部分614b可與水平部分611及垂直部分612一體形成為單一且不可分割的單元。
設置在第一區域A中的至少兩個第一分支電極601a的末端及設置在第二區域B中的至少兩個第二分支電極601b的末端可透過第一連接部分614a彼此連接。同樣地,設置在第四區域D中的至少兩個第四分支電極601d的末端及設置在第三區域C中的至少兩個第三分支電極601c的末端可透過第二連接部分614b彼此連接。
在例示性實施例中,儘管未繪示,至少兩個第一分支電極601a的末端設置在第一區域A中及的至少兩個第二分支電極601b的末端設置在第二區域B中可透過不同的連接部分彼此連接。在此實施例中,至少兩個第三分支電極601c的末端設置在第三區域C中及至少兩個第四分支電極601d的末端設置在第四區域D中的可透過另一不同的連接部分彼此連接。
在例示性實施例中,如第3圖所示,像素電極PE1可進一步包含輔助水平部分630、第一輔助垂直部分651a及第二輔助垂直部分651b。
每個輔助水平部分630、第一輔助垂直部分651a及第二輔助垂直部分651b中的可具有長條形狀。
輔助水平部分630平行於水平部分611。輔助水平部分630連接至垂直部分612。輔助水平部分630可與垂直部分612一體形成為單一且不可分割的單元。
第一輔助垂直部分651a平行於垂直部分612。第一輔助垂直部分651a連接至水平部分611的一側。第一輔助垂直部分651a與水平部分611可一體形成為單一且不可分割的單元,在此實施例中,第一輔助垂直部分651a可重疊於第一控制層501包含在預傾斜控制層500(第2圖所示)中。
第二輔助垂直部分651b平行於垂直部分612。第二輔助垂直部分651b連接至水平部分611的另一側。第二輔助垂直部分651b與水平部分611可一體形成為單一且不可分割的單元。第二輔助垂直部分651b可重疊於包含在預傾斜控制層500中的第二控制層502。
在這樣的實施例中,由於像素電極PE1的未對準,像素之間的電容偏差透過輔助水平部分630、第一輔助垂直部分651a及第二輔助垂直部分651b可減少。
在例示性實施例中,如第1圖及第2圖所示,像素電極PE1可穿過連接電極880連結至開關元件TFT1。在一個例示性實施例中,像素電極PE1可穿過汲極接觸孔11連接至開關元件TFT1的汲極電極DE。連接電極880與像素電極PE1可一體形成為單一且不可分割的單元。
連接電極880可包含與像素電極PE1實質上相同的材料,且可具有與像素電極PE1實質上相同的結構。連接電極880與像素電極PE1可在實質上相同的程序彼此同時形成。
在例示性實施例中,如第1圖所示,屏蔽電極961重疊於每個閘極線GL1、閘極電極GE、維持線721、預傾斜控制層500、資料線DL1、源極電極SE及汲極電極的至少一部分。
在此實施例中,如第1圖所示,屏蔽電極961的一部分(下文稱,「第一電極(a first electrode)」)重疊於閘極線GL1的一部分且具有沿著閘極線GL1的線條形狀,且屏蔽電極961的另一部分,(下文稱,「第一電極(a second electrode)」)重疊於資料線DL1的一部分並且具有沿資料線DL1定位的線條形狀。在此實施例中,屏蔽電極961的第一電極與資料線DL1相交,且其第二電極與閘極線GL1及維持線721相交。在此實施例中,屏蔽電極961的另一部分具有從第一電極向維持線721突出的平面形狀,以至少重疊於源極電極SE、汲極電極DE及閘極電極GE一部分,且屏蔽電極961的另一部分具有從第二電極向像素電極PE1的形狀。
屏蔽電極961可接收與共用電極330電壓實質上相同的電壓。在一個例示性實施例中,屏蔽電極961可從外部驅動電路接收共電壓。
在此實施例中,屏蔽電極961有效防止了在閘極線GL1及像素電極PE1之間產生電場。在此實施例中,由於屏蔽電極961及共用電極330接收實質上相同的電壓,例如:共用電壓,所以屏蔽電極961及共用電極330可變成等電位。因此,穿過屏蔽電極961及共電極330之間的液晶層333的光被阻擋,使得對應於資料線DL1的部分可有效地防止洩漏光。在此實施例中,由於屏蔽電極961可取代閘極線GL1上的遮光層376的一部分,所以可去除在資料線DL1上的遮光層376的部分,使像素PX1的開口率可進一步增加。
屏蔽電極961可包含與像素電極PE1實質上相同的材料,且可具有與像素電極PE1實質上相同的結構(多層結構)。屏蔽電極961及像素電極PE1可在實質上相同的程序彼此同時形成。
在例示性實施例中,如第1圖所示,遮光層376與閘極線GL1及維持線721相交。在此實施例中,如第1圖所示,遮光層376重疊於開關元件TFT1,資料線DL1及汲極接觸孔11。在此實施例中,遮光層376可進一步重疊於部分的像素電極PE1,部分的屏蔽電極961及連接電極880。在一個例示性實施例中,如第1圖所示,遮光層376可至少重疊於相鄰於資料線DL1的像素電極PE1一個邊緣。在此,資料線DL1表示資料線,其與開關元件TFT1的源極電極SE連接至像素電極PE1一體形成為單一且不可分割的單元。在此實施例中,如第2圖所示,遮光層376位於保護層320、像素電極PE1以及屏蔽電極961上。
遮光層376可包含光敏有機材料。在此實施例中,光敏有機材料可為正型或負型的光敏有機材料。遮光層376的高度差或階梯覆蓋度可根據光敏有機材料的特性而變化。
在例示性實施例中,如第1圖及第2圖所示,柱狀間隔器901位於遮光層376上以重疊於虛設彩色濾光層801。在例示性實施例中,如第2圖所示,柱狀間隔器901可與遮光層376一體形成為單一且不可分割的單元。在此實施例中,其柱狀間隔器901及遮光層376一體形成為單一且不可分割的單元,對應於上述柱狀間隔器901重疊於虛設彩色濾光層801的集成結構一部分。
柱狀間隔器901可包含與遮光層376實質上相同的材料,且可具有與遮光層376實質上相同的結構。柱狀間隔器901及遮光層376可在實質上相同的程序彼此同時形成。
柱狀間隔器901的高度h1取決於或基於位於柱狀間隔器901下方的虛設彩色濾光層801的高度h11來定義。虛設彩色濾光層801的高度h11取決或基於虛設彩色濾光層801的面積來定義。因此,柱狀間隔器901的高度h1取決或基於虛設彩色濾光層801的面積來定義。當虛設彩色濾光層801的面積增加時,虛設彩色濾光層801的高度h11增加,且因此位於虛設彩色濾光層801上的柱狀間隔器901的高度h1也增加。
在此,如第2圖所示,柱狀間隔器901的高度h1被定義為從第一基板301的平坦參考表面(即,第一基板301的內表面)至柱狀間隔器901的最上層表面的垂直距離,且垂直距離是指測量平行於Z軸的方向的距離(下文稱,「Z軸方向(a Z-axis direction)」)。第一基板301的參考表面與Z軸方向垂直地相交。柱狀間隔器901的最上層表面是指柱狀間隔器901距上述參考表面最遠的Z軸方向上的一個表面。此外,柱狀間隔器901的上述高度也可定義在第二基板302的平坦參考表面(即,第二基板302的內表面)與柱狀間隔器901之間的垂直距離。在本文中,第二基板302的參考表面與柱狀間隔器901之間的距離是指Z軸方向測量的垂直距離。
此外,虛設彩色濾光層801的高度h11也可被定義為從第一基板301的參考表面至虛設彩色濾光層801的最上層表面的垂直距離。垂直距離是指在Z軸方向中測量的距離。
虛設彩色濾光層801的面積是指到虛設彩色濾光層801的表面的第二基板302的參考表面最鄰近的面S1(下文稱,「相對面(an opposing surface)」)的尺寸或面積。在一個實施例中,如第2圖所示,相對面S1及第二基板302的參考表面相對,並與參考表面平行。
第4圖係繪示包含具有第1圖所示的複數個像素的顯示裝置平面圖。第5圖係繪示第一彩色濾光層、第二彩色濾光層、第三彩色濾光層、第四彩色濾光層、第五彩色濾光層及第六彩色濾光層與第四圖的第一虛設彩色濾光層、第二虛設彩色濾光層、第三虛設彩色濾光層、第四虛設彩色濾光層、第五虛設彩色濾光層及第六虛設彩色濾光層,以及第6圖係沿著第4圖的線I-I'截取的截面圖。
在例示性實施例中,如第4圖所示,顯示裝置包含複數個像素PX1、PX2、PX3、PX4、PX5及PX6。在第4圖中繪示了包含六個像素PX1、PX2、PX3、PX4、PX5及PX6的顯示裝置的例示性實施例。第1屠的第一像素PX1。第4圖的第一像素PX1實質上與第1圖的像素PX1相同。在此實施例中,第4圖中每個像素PX1、PX2、PX3、PX4、PX5及PX6,具有與如上所述第1圖中的像素PX1實質上相同的結構。
六個像素PX1、PX2、PX3、PX4、PX5及PX6連接至兩條閘極線GL1及GL2以及兩條資料線DL1及DL2。在一個例示性實施例中,在X軸方向上彼此相鄰的第一像素PX1及第四像素PX4係共同連接至第一閘極線GL1,在X軸方向上彼此相鄰的第二像素PX2及第五像素PX5係共同連接至第二閘極線GL2,而在X軸方向上彼此相鄰的第三像素PX3及第六像素PX6係共同連接至第三閘極線GL3。在例示性實施例中,在Y軸方向上彼此相鄰的第一像素PX1、第二像素PX2及第三像素PX3係共同連接至第一資料線DL1,而在Y軸方向上彼此相鄰的第四像素PX4、第五像素PX5及第六像素PX6係共同連接至第二資料線DL2。
在此實施例中,第一像素PX1連接至第一閘極線GL1及第一資料線DL1、第二像素PX2連接至第二閘極線GL2及第一資料線DL1、第三像素PX3連接至第三閘極線GL3及第一資料線DL1、第四像素PX4連接至第一閘極線GL1及第二資料線DL2、第五像素PX5連接至第二閘極線GL2及第二資料線DL2,而第六像素PX6連接至第三閘極線GL3及第二資料線DL2。
在例示性實施例中,第一像素PX1包含第一開關元件TFT1、第一像素電極PE1及第一彩色濾光層351,第二像素PX2包含第二開關元件TFT2、第二像素電極PE2及第二彩色濾光層352,而第三像素PX3包含第三開關元件TFT3、第三像素電極PE3及第三彩色濾光層353。在此實施例中,第四像素PX4包含第四開關元件TFT4、第四像素電極PE4及第四彩色濾光層354,第五像素PX5包含第五開關元件TFT5、第五像素電極PE5及第五彩色濾光層355,而第六像素PX6包含第六開關元件TFT6、第六像素電極PE6及第六彩色濾光層356。
在X軸方向上彼此相鄰的彩色濾光層彼此具有實質上相同的色彩。在一個例示性實施例中,如第5圖所示,第一彩色濾光層351可具有與第四彩色濾光層354實質上相同的色彩,第二彩色濾光層352可具有與第五彩色濾光層355實質上相同的色彩,且第三彩色濾光層353可具有與第六彩色濾光層356實質上相同的色彩。
在Y軸方向上彼此相鄰的彩色濾光層彼此具有不同的色彩。在一個例示性實施例中,如第5圖所示,第一彩色濾光層351、第二彩色濾光層352及第三彩色濾光層353具有不同的色彩,第四彩色濾光層354、第五彩色濾光層355及第六彩色濾光層356彼此具有不同的色彩。
在一個例示性實施例中,每個第一彩色濾光層351及第四彩色濾光層354可具有紅色,每個第二彩色濾光層352及第五彩色濾光層355可具有綠色,而每個第三彩色濾光層353及第六彩色濾光層356可具有藍色。
在例示性實施例中,如第4圖所示,第一虛設彩色濾光層801重疊於第一開關元件TFT1,第二虛設彩色濾光層802重疊於第二開關元件TFT2,而第三虛設彩色濾光層803重疊於第三開關元件TFT3。在此實施例中,第四虛設彩色濾光層804重疊於第四開關元件TFT4,第五虛設彩色濾光層805重疊於第五開關元件TFT5,而第六虛設彩色濾光層806重疊於第六開關元件TFT6。
在例示性實施例中,如第5圖所示,第一虛設彩色濾光層801位於第一基板301的邊緣1000及第一彩色濾光層351之間,第二虛設彩色濾光層802位於第一基板301的邊緣1000及第二彩色濾光層352之間,而第三虛設彩色濾光層803位於第一基板301的邊緣1000及第三彩色濾光層353之間。在此實施例中,第四虛設彩色濾光層804位於在X軸方向上彼此相鄰且具有實質上相同的色彩的第一彩色濾光層351及第四彩色濾光層354之間,第五虛設彩色濾光層805位於在X軸方向上彼此相鄰且具有實質上相同的色彩的第二彩色濾光層352及第五彩色濾光層355之間,而第六虛設彩色濾光層806位於在X軸方向上彼此相鄰且具有實質上相同的色彩的第三彩色濾光層353及第六彩色濾光層356之間。
在例示性實施例中,第一虛設彩色濾光層801可具有與其相鄰的第一彩色濾光層351實質上相同的色彩,第二虛設彩色濾光層802可具有與其鄰近的第二彩色濾光層352實質上相同的色彩,而第三虛設彩色濾光層803可具有與其相鄰的第三彩色濾光層353實質上上相同的色彩。在此實施例中,第四虛設彩色濾光層804可具有與其相鄰的第四濾彩色濾光層354實質上相同的色彩,第五虛設彩色濾光層805可具有與其相鄰的第五彩色濾光層355實質上相同的色彩,而第六虛設彩色濾光層806可具有與其相鄰的第六彩色濾光層356實質上相同的色彩。
彼此具有實質上相同色彩的彩色濾光層及虛設彩色濾光層可一體形成為單一且不可分割的單元。在一個例示性實施例中,如第5圖所示,具有紅色之色彩的第一虛設彩色濾光層801、具有紅色之色彩的第一彩色濾光層351、具有紅色之色彩的第四虛設彩色濾光層804及具有紅色之色彩的第四彩色濾光層354可全部一體形成為單一且不可分割的單元。
每個第4圖中的第一開關元件TFT1、第二開關元件TFT2、第三開關元件TFT3、第四開關元件TFT4、第五開關元件TFT5及第六開關元件TFT6,其與上述參考第1圖的開關元件TFT1的說明實質上相同,在下文中將省略對其的任何重複詳細描述。第4圖中的第一像素電極PE1、第二像素電極PE2、第三像素電極PE3、第四像素電極PE4、第五像素電極PE5及第六像素電極PE6的每一個,與上述參考第1圖的第一像素電極PE1的說明實質上相同,在下文中將省略對其的任何重複詳細描述。第4圖中的第一彩色濾光層351、第二彩色濾光層352、第三彩色濾光層353、第四彩色濾光層354、第五彩色濾光層355及第六彩色濾光層356的每一個,與上述參考第1圖的彩色濾光層351的說明實質上相同,在下文中將省略對其的任何重複詳細描述。第4圖中的第一虛設彩色濾光層801、第二虛設彩色濾光層802、第三虛設彩色濾光層803、第四虛設彩色濾光層804、第五虛設彩色濾光層805及第六虛設彩色濾光層806的每一個,與上述參考第1圖的虛設彩色濾光層801的說明實質上相同,在下文中將省略對其的任何重複詳細描述。
在例示性實施例中,如第5圖及第6圖所示,至少兩個虛設彩色濾光層可彼此具有不同的尺寸。在例示性實施例中,第一虛設彩色濾光層801的尺寸可與第二虛設彩色濾光層802的尺寸不同。在例示性實施例中,如第5圖及第6圖所示,第一虛設彩色濾光層801的相對面S1的面積可大於第二虛設彩色濾光層802的相對面S2的面積。第三虛設彩色濾光層803的相對面S3的面積可實質上等於第二虛設彩色濾光層802的相對表面S2的面積。
在例示性實施例中,第四虛設彩色濾光層804可具有與第一虛設彩色濾光層801的面積實質上相同的面積。在此實施例中,每個第五虛設彩色濾光層805及第六虛設彩色濾光層806可具有與第二虛設彩色濾光層802的面積實質上相同的面積。
第一柱狀間隔器901位於第一虛設彩色濾光層801上,第二柱狀間隔器902位於第二虛設彩色濾光層802上,第三柱狀間隔器903位於第三虛設彩色濾光層803上,第四柱間隔器904位於第四虛設彩色濾光層804上,第五柱狀間隔器905位於第五虛設彩色濾光層805上,而第六柱狀間隔器906位於第六虛設彩色濾光層806上。
在例示性實施例中,如第4圖及第5圖所示,至少兩個柱狀間隔器的尺寸可彼此不同。在一個例示性實施例中,第一柱狀間隔器901的尺寸可大於第二柱狀間隔器902的尺寸。
在例示性實施例中,第四柱狀間隔器904可具有與第一柱狀間隔器901的尺寸實質上相同的尺寸。在此實施例中,第三柱狀間隔器903、第五柱狀間隔器905及第六列柱狀間隔器906的每一個可具有與第二柱狀間隔器902實質上相同的尺寸。
由於上述虛設彩色濾光層之間的面積差異,在柱狀間隔器之間可產生高度差,其將參考第6圖進行描述。
在例示性實施例中,如上所述,第一虛設彩色濾光層801具有比第二虛設彩色濾光層802的面積更大的面積,而在此實施例中,第一虛設彩色濾光層801的一側長度L1可大於與其對應的第二虛設彩色濾光層802的一側長度L2。在例示性實施例中,第二虛設彩色濾光層802的一側長度L2可實質上與第三虛設彩色濾光層803的一側長度L3相同。
由於第一虛設彩色濾光層801具有大於第二虛設彩色濾光層802面積的面積,所以第一虛設彩色濾光層801具有大於第二虛設彩色濾光層802高度的高度。在此實施例中,第一虛設彩色濾光層801的高度h11大於第二虛設彩色濾光層802的高度h22。
由於第一虛設彩色濾光層801具有大於第二虛設彩色濾光層802高度的高度,因此第一虛設彩色濾光層801上的第一柱狀間隔器901具有大於第二柱狀間隔器902高度的高度。在此實施例中,第一柱狀間隔器901的高度h1大於第二柱狀間隔器902的高度h2。因此,第二基板302的參考表面(即,第二基板302的內表面)與第一柱狀間隔器901之間的距離小於第二基板302的參考表面及第二柱狀間隔器902之間的距離。
在例示性實施例中,第三虛設彩色濾光層803具有與第二虛設彩色濾光層802的面積實質上相同的面積,因此第三虛設彩色濾光層803上的第三柱狀間隔器903具有與第二虛設彩色濾光層802上的第二柱狀間隔器902高度實質上相同的高度(即h3 = h2)。因此,第二基板302的參考表面及第三柱狀間隔器903之間的距離實質上等於第二基板302的參考表面及第二柱狀間隔器902之間的距離。
在此實施例中,第一柱狀間隔器901具有大於第二柱狀間隔器902高度的高度,而第三柱狀間隔器903具有與第二柱狀間隔器902的高度實質上相同的高度,因為第一柱狀間隔器902的面積在第一柱狀間隔器901下方的虛設彩色濾光層801的面積大於第二柱狀間隔器902下方的第二虛設彩色濾光層802的面積,而第三柱狀間隔器903下方的第三虛設彩色濾光層803的面積實質上等於上述第二虛設彩色濾光層802的面積。
具有相對較大高度h1的第一柱狀間隔器901被定義為主柱狀間隔器,而具有較小高度h2及h3的每個第二柱狀間隔器902及第三柱狀間隔器903被定義為子柱狀間隔器。
在例示性實施例中,如第6圖所示,由於第一虛設彩色濾光層801具有大於第二虛設彩色濾光層802面積的面積,而具有相對較大的面積的虛設彩色濾光層上的柱狀間隔器具有較高的平坦度,因此第一虛設彩色濾光層801上的第一柱狀間隔器901的厚度d1小於第二虛設彩色濾光層802上的第二柱狀間隔器902的厚度d2。在此實施例中,第一柱狀間隔器901及第二柱狀間隔器902在製造過程中可曝光於實質上相同的光量,且在此實施例中,具有較大面積的第一虛設彩色濾光層801上的第一柱狀間隔器901可具有相對較小的厚度。在例示性實施例中,第一柱狀間隔器901的厚度d1可與第二虛設彩色濾光層802上的第二柱狀間隔器902的厚度d2實質上相同。
第三柱狀間隔器903的厚度d3與第二柱狀間隔器902的厚度d2實質上相同。第一柱狀間隔器901、第二柱狀間隔器902及第三柱狀間隔器903在製造過程中可曝光於實質上相同的光量。
如第2圖所示,共用電極330位於第二基板302上。共用電極330可位於第二基板302的整個表面上。共用電極330從外部驅動電路接收共電壓。共用電壓係為直流(DC)電壓。
共用電極330可包含與上述像素電極PE1實質上相同的材料。此外,當像素電極PE1包含IZO時,共用電極330可包含ITO。
液晶層333位於第一基板301及第二基板302之間。液晶層333可包含具有負介電各向異性且垂直排列的液晶分子。此外,液晶層333可包含光聚合性材料,且在此實施例中,光聚合性材料可為反應性單元體或反應性液晶原。
第7A圖至第15B圖係繪示根據例示性實施例的顯示裝置的製造方法的截面圖。更具體地說,第7A圖、第8A圖、第9A圖、第10A圖、第13A圖、第14A圖及第15A圖分別對應於沿著第1圖的線I-I'截取的截面圖,而第7B圖、第8B圖、第9B圖、第10B圖、第11圖、第12圖、第13B圖、第14B圖及第15B圖分別對應於沿著第4圖的線I-I'截取的截面圖。
在顯示裝置的製造方法的例示性實施例中,儘管未繪示,閘極金屬層被沉積在第一基板301的整個表面上。例如:閘極金屬層可透過物理氣相沉積(PVD) 諸如濺射來沉積。
然後,上述閘極金屬層是通過光刻製程被圖案化,使得閘極線GL1、閘極電極GE、預傾斜控制層500及維持線721如第7A圖及第7B圖所示形成。
透過使用蝕刻劑的濕蝕刻方法可去除閘極金屬層。
閘極金屬層可包含用於上述閘極線GL1的製造的材料。
接著,閘極絕緣層311被沉積在其上設置有閘極線GL1、閘極電極GE、預傾斜控制層500及維持線721的第一基板301的整個表面上。閘極絕緣層311可透過化學氣相沉積(CVD)方法沉積。
閘極絕緣層311可包含被用於上述閘極絕緣層311的製造實質上相同的材料。
接著,儘管未繪示,半導體材料及摻雜(impure)的半導體材料係相繼沉積於其上設置有閘極絕緣層311上的第一基板301的整個表面上。半導體材料及摻雜的半導體材料可透過CVD方法沉積。
半導體材料可包含被用於上述半導體層321的製造的材料。摻雜的半導體材料可包含被用於上述第一電阻接觸層321a及第二電阻接觸層321b的製造的材料。
接著,透過光刻製程,半導體材料及摻雜的半導體材料被圖案化,使得與閘極電極GE重疊的半導體層321形成在閘極絕緣層311上,且具有與半導體層321實質上相同的形狀形成的摻雜的半導體圖案在半導體層321上形成。
可以使用蝕刻氣體以乾蝕刻方法去除半導體材料及摻雜的半導體材料。
接著,儘管未繪示,源極金屬層是被沉積在其上設置有半導體層321及摻雜的半導體圖案的第一基板301整個表面上。
源極金屬層可包含被用於上述資料線DL1的製造的材料。
接著,源極金屬層通過光刻製程被圖案化,使得與閘極線GL1相交的資料線DL1形成在閘極絕緣層311上,且與半導體層321的相對側重疊的源極電極SE及汲極電極DE係形成在摻雜的半導體圖案上。
接著,透過使用源極電極SE及汲極電極DE作為遮罩的蝕刻製程來圖案化摻雜的半導體圖案,使得第一電阻接觸層321a及第二電阻接觸層321b係如第7A圖及第7B圖所示形成。第一電阻接觸層321a在源極電極SE與半導體層321之間形成,而第二電阻接觸層321b在汲極電極DE與半導體層321之間形成。
在例示性實施例中,在對上述摻雜的半導體圖案的蝕刻製程中,摻雜的半導體圖案下方的半導體層321的一部分被去除。因此,與半導體層321的通道區域對應的部分的厚度減少。
接著,如第7A圖及第7B圖所示,保護層320沉積在其上設置有資料線DL1、源極電極SE及汲極電極DE的第一基板301整個表面上。
保護層320可包含用於上述保護層320的製造的材料。在一個例示性實施例中,保護層320可包含無機材料。
接著,如第7A圖及第7B圖所示,第一光敏有機材料350a在其上設置有保護層320的第一基板301的整個表面上形成。在此實施例中,第一光敏有機材料350a具有小於形成平坦化表面所需厚度的厚度。因此,如第7A圖及第7A圖所示,第一光敏有機材料350a的上表面未被平坦化。第一光敏有機材料350a是負型的光敏有機材料。第一光敏有機材料350a可包含紅色顏料。
接著,如第8A圖及第8B圖所示,第一遮罩M1設置在第一光敏有機材料350a上。第一遮罩M1包含透射光的透射區域TA及阻擋光的阻擋區域BA。
接著,像是紫外線的光L穿過第一遮罩M1選擇性地照射至第一光敏有機材料350a,使得第一光敏有機材料350a被曝光。當曝光的第一光敏有機材料350a被顯影時,第一彩色濾光層351及第一虛設彩色濾光層801如圖第9A圖及第9B圖所示形成。在此實施例中,第一彩色濾光層351及第一虛設彩色濾光層801一體形成為單一且不可分割的單元。
接著,如第10A圖及第10B圖所示,第二光敏有機材料350b在其上設置有第一彩色濾光層351、第一虛設彩色濾光層801及保護層320的第一基板301的整個表面上形成。在此實施例中,第二光敏有機材料350b具有小於形成平坦表面所需厚度的厚度。因此,如第10A圖及第10B圖所示,第二光敏有機材料350b的上表面可不被平坦化。第二光敏有機材料350b是負型的光敏有機材料。第二光敏有機材料350b可包含綠色顏料。
接著,如第10A圖及第10B圖所示,第二遮罩M2設置在第二光敏有機材料350b上。第二遮罩M2包含透射光的透射區域TA及阻擋光線的阻擋區域BA。在此實施例中,第10B圖所示的第二遮罩M2的透射區域(下文稱,「第二透射區域(a second transmissive area)」)小於第8B圖所示的第一遮罩M1的透射區域(下文稱,「第一透射區域(a first transmissive area)」)。在此實施例中,第二透射區域是對應於第二虛設彩色濾光層的透射區域,而第一透射區域是對應於第一虛設彩色濾光層的透射區域。
接著,像是紫外線的光L,穿過第二遮罩M2選擇性地照射至第二光敏有機材料350b,使得第二光敏有機材料350b被曝光。當曝光的第二光敏有機材料350b被顯影時,第二虛設彩色濾光層802如第11圖所示形成。在例示性實施例中,儘管未繪示,當第二光敏有機材料350b被顯影時,第二彩色濾光層352被形成。在此實施例中,第二彩色濾光層351及第二虛設彩色濾光層802一體形成為單一且不可分割的單元。
接著,儘管未繪示,第三光敏有機材料在其上設置有第一彩色濾光層351、第一虛設彩色濾光層801、第二彩色濾光層352、第二虛設彩色濾光層802及保護層320的第一基板301的整個表面上形成。在此實施例中,第三光敏有機材料具有小於形成平坦表面所需厚度的厚度。因此,第三光敏有機材料的上表面可不被平坦化。第三光敏有機材料是負型光敏有機材料。第三光敏有機材料可包含藍色顏料。
接著,儘管未繪示,第三遮罩設置在第三光敏有機材料上。第三遮罩包含透射光的透射區域及阻擋光線的阻擋區域。在此實施例中,對應第三虛設彩色濾光層的第三遮罩的透射區域(下文稱,「第三透射區域(a third transmissive area)」)具有與上述第二遮罩M2的第二透射區域的尺寸實質上相同的尺寸。
接著,像是紫外線的光,穿過第三遮罩選擇性地照射至第三光敏有機材料,使得第三光敏有機材料被曝光。當曝光的第三光敏有機材料被顯影時,第三虛設彩色濾光層803如第12圖所示形成。在例示性實施例中,儘管未繪示,當第三光敏有機材料被顯影時,第三彩色濾光層353形成。在此實施例中,第三彩色濾光層353及第三虛設彩色濾光層803係一體形成為單一且不可分割的單元。
第一透射區域TA大於第二透射區域TA及第三透射區域。因此,在上述曝光製程中,第 一透射區域TA的第一光敏有機材料350a被照射的光量大於照射至第二透射區域TA的第二光敏有機材料350b的光量與照射至第三透射區域的第三光敏有機材料的光量。因此,第一虛設彩色濾光層801的相對面S1具有比第二虛設彩色濾光層802的相對面S2的面積更大的面積,而第三虛設彩色濾光層803的相對面S3面積實質上等於第二虛設彩色濾光層802的相對面S2的面積。因此,如第12圖所示,第一虛設彩色濾光層801的高度h11大於第二虛設彩色濾光層802的高度h22,而第三虛設彩色濾光層803的高度h33實質上等於第二虛設彩色濾光層802的高度h22。在此實施例中,當虛設彩色濾光層的面積增加時,虛設彩色濾光層的高度增加。
在可選的例示性實施例中,第一透射區域TA、第二透射區域TA及第三透射區域可全部彼此具有實質上相同的尺寸。在此實施例中,可通過局部曝光方法將相對大量的光照射至第一透射區域。在一個例示性實施例中,可通過局部曝光方法僅將相對大量的光選擇性地照射至對應於第一虛設彩色濾光層801的部分。因此,在此實施例中,第一虛設彩色濾光層801可被照射的光量大於照射至第二虛設彩色濾光層802的光量及照射至第三虛設彩色濾光層803的光量。在此實施例中,第一虛設彩色濾光層801具有比第二虛設彩色濾光層802的面積及第三虛設彩色濾光層803更大的面積大。
接著,如第13A圖及第13B圖所示,絕緣夾層325沉積在其上設置有保護層320、第一彩色濾光層351、第二彩色濾光層352,第三彩色濾光層353、第一虛設彩色濾光層801、第二虛設彩色濾光層802及第三虛設彩色濾光層803的第一基板301的整個表面上。
絕緣夾層325可包含被用於上述保護層320的製造的材料。在一個例示性實施例中,絕緣夾層325可包含負型的光敏有機材料。在此實施例中,光敏有機材料具有小於形成平坦表面所需厚度的厚度。因此,如第13A圖及第13B圖所示,絕緣夾層325的上表面未被平坦化。
接著,通過使用光刻製成的絕緣夾層325及保護層320形成曝光汲極電極DE的汲極接觸孔11。
接著,儘管未繪示,是透明金屬層沉積在其上設置有絕緣夾層325的第一基板301的整個表面上。
接著,當透明金屬層通過光刻製程被圖案化時,連接電極880、像素電極PE1及屏蔽電極961在絕緣夾層325上如第13A圖及第13B圖所示形成。在此實施例中,連接電極880穿過汲極接觸孔11連接至汲極電極DE。
透明金屬層可包含用於上述像素電極的製造的材料。
接著,參考第14A圖及第14B圖,第四光敏有機材料370在其上設置有絕緣夾層325、連接電極880、像素電極PE1及屏蔽電極961的第一基板301的整個表面上形成。在此實施例中,第四光敏有機材料370具有小於形成平坦表面所需厚度的厚度。因此,第四光敏有機材料370的上表面可如第14A圖及第14B圖所示不平坦化。第四光敏有機材料370係負型的光敏有機材料且可包含黑色顏料。
接著,如第14A圖及第14B圖所示,第四遮罩M4設置在第四光敏有機材料370上。第四遮罩M4包含透射光的透射區域TA及阻擋光的阻擋區域BA。
接著,像是紫外線的光L,穿過第四遮罩M4將選擇性地照射至第四光敏有機材料370,使得第四光敏有機材料370被曝光。當曝光的第四光敏有機材料370被顯影時,遮光層376、第一柱狀間隔器901、第二柱狀間隔器902及第三柱狀間隔器903如第15A圖及第15B圖所示形成。
在其製程過程中,遮光層376、第一柱狀間隔器901、第二柱狀間隔器902及第三柱狀間隔器903曝光實質上相同的光量。
第一柱狀間隔器901位於第一虛設彩色濾光層801上,第二柱狀間隔器902位於第二虛設彩色濾光層802上,而第三柱狀間隔器903位於第三虛設彩色濾光層803上。在此實施例中,遮光層376、第一柱狀間隔器901、第二柱狀間隔器902及第三柱狀間隔器903可一體形成為單一且不可分割的單元。
在例示性實施例中,如上所述,當第一虛設彩色濾光層801的高度h11大於第二虛設彩色濾光層802的高度h22時,在第一虛設彩色濾光層801上的第一柱狀間隔器901的高度h1大於在第二虛設彩色濾光層802上的第二柱狀間隔器902的高度h2。
在例示性實施例中,當第三虛設彩色濾光層803具有與第二虛設彩色濾光層802的面積實質上相同的面積時,位於第三虛設彩色濾光層803上的第三柱狀間隔器903的高度h3實質上等於第二柱狀間隔器902的高度h2。
第16圖是沿著第4圖的線I-I'截取的截面圖。
如第16圖所示,第一柱狀間隔器901、第二柱狀間隔器902及第三柱狀間隔器903可位於絕緣夾層325上。在一個例示性實施例中,第一柱狀間隔器901可位於絕緣夾層325上以重疊於第一虛設彩色濾光層801,第二柱狀間隔器902可位於絕緣夾層325上以重疊於第二虛設彩色濾光層802,且第三柱狀間隔器903可位於絕緣夾層325上以重疊於第三虛設彩色濾光層803。
在此實施例中,第16圖的第一虛設彩色濾光層801、第二虛設彩色濾光層802及第三虛設彩色濾光層803係實質上如上述參考第1圖、第2圖、第3圖、第4圖、第5圖及第6圖的描述相同,而將省略對其的任何重複的詳細描述。
第16圖中第一柱狀間隔器901、第二柱狀間隔器902及第三柱狀間隔器903中的至少一個可包含透明材料。在一個例示性實施例中,每個第一柱狀間隔器901、第二柱狀間隔器902及第三柱狀間隔器903可為包含透明材料的柱狀間隔器。
在例示性實施例中,如第16圖所示,遮光層376可位於第二基板302上。在一個例示性實施例中,遮光層376可位於第二基板302及共用電極330之間。在此實施例中,第16圖所示的遮光層376,當由平面圖觀察時可具有與上述第1圖的遮光層376實質上相同的形狀,例如俯視平面圖。
第16圖的遮光層376可包含從每個柱狀間隔器中含有不同的材料。在一個例示性實施例中,遮光層376可包含不透明的光敏有機材料,且每個柱狀間隔器可包含透明的光敏有機材料。
第17圖根據可選的例示性實施例係繪示包含第1圖的複數個像素的顯示裝置平面圖,以及第18圖係繪示出第17圖的第一彩色濾光層、第二彩色濾光層、第三彩色濾光層、第四彩色濾光層、第五彩色濾光層及第六彩色濾光層以及第一虛設彩色濾光層、第二虛設彩色濾光層、第三虛設彩色濾光層、第四虛設彩色濾光層、第五虛設彩色濾光層及第六虛設彩色濾光層。
在例示性實施例中,如第17圖及第18圖所示,第一虛設彩色濾光層801位於第一基板301的邊緣1000及第一彩色濾光層351之間,第二虛設彩色濾光層802位於第一基板301的邊緣1000及第二彩色濾光層352之間,而第三虛設彩色濾光層803位於第一基板301的邊緣1000及第三彩色濾光層353之間。在此實施例中,第四虛設彩色濾光層804位於在X軸方向上彼此相鄰且具有實質上相同的色彩的第一彩色濾光層351及第四彩色濾光層354之間,第五虛設彩色濾光層805位於在X軸方向上彼此相鄰且具有實質上相同的色彩的第二彩色濾光層352及第五彩色濾光層355之間,而第六虛設彩色濾光層806位於在X軸方向上彼此相鄰且具有實質上相同的色彩的第三彩色濾光層353及第六彩色濾光層356之間。
在此實施例中,第一虛設彩色濾光層801、第二虛設彩色濾光層802、第三虛設彩色濾光層803、第四虛設彩色濾光層804、第五虛設彩色濾光層805及第六虛設彩色濾光層806不連接至彩色濾光層。在此實施例中,第一虛設彩色濾光層801、第二虛設彩色濾光層802、第三虛設彩色濾光層803、第四虛設彩色濾光層804、第五虛設彩色濾光層805及第六虛設彩色濾光層806具有與彩色濾光層分離並間隔開的形狀。
在可選的例示性實施例中,第一虛設彩色濾光層801、第二虛設彩色濾光層802、第三虛設彩色濾光層803、第四虛設彩色濾光層804、第五虛設彩色濾光層805及第六虛設彩色濾光層806的至少一個,可連接至相鄰的一個彩色濾光層,且具有與其實質上相同的色彩。在此實施例中,第一虛設彩色濾光層801、第二虛設彩色濾光層802、第三虛設彩色濾光層803、第四虛設彩色濾光層804、第五虛設彩色濾光層805及第六虛設彩色濾光層806的至少一個,可與其相鄰的彩色濾光層一體形成為單一且不可分割的單元,且具有與其實質上相同的色彩。在一個例示性實施例中,第一彩色濾光層351及第四彩色濾光層354之間的第四虛設彩色濾光層804可連接至第一彩色濾光層351或第四彩色濾光層354。
在第17圖及第18圖中,第一虛設彩色濾光層801的面積大於第二虛設彩色濾光層802的面積,而第三虛設彩色濾光層803的面積與第二虛設彩色濾光層802的面積實質上相同。
在例示性實施例中,當具有分離形狀的虛設彩色濾光層的面積明顯變小時,虛設彩色濾光層與保護層320之間的附著力可減少,而在製程過程中虛設彩色濾光層可從保護層320分離。在此實施例中,當虛設彩色濾光層的面積明顯變小時,至少部分的虛設彩色濾光層的可連接至彩色濾光層,以防止虛設彩色濾光層從保護層320分離。
第19圖係繪示根據可選的例示性實施例的顯示裝置中包含的像素,以及第20圖係沿著第19圖的線I-I'截取的截面圖。
在例示性實施例中,如第19圖及第20圖所示,像素PX1包含開關元件TFT1、像素電極PE1及彩色濾光層351。
開關元件TFT1包含半導體層321、閘極電極GE、源極電極SE及汲極電極DE。閘極電極GE連接至閘極線GL1,源極電極SE連接至資料線DL1,而汲極電極DE連接至像素電極PE1。
像素PX1位於第一基板301及第二基板302之間。在此實施例中,如第20圖所示,顯示裝置包含彼此間隔開預定距離的第一基板301及第二基板302,而開關元件TFT1、像素電極PE1及彩色濾光層351係位於第一基板301及第二基板302之間。
在此實施例中,閘極線GL1、維持線721、第一維持電極771、第二維持電極772、預傾斜控制層500、遮光膜182、閘極絕緣層311、資料線DL1、保護層320、虛設彩色濾光層801、絕緣夾層325、遮光層376、柱狀間隔器901、液晶層333及共用電極330位於在第一基板301及第二基板301之間。
在此實施例中,如第19圖所示,第一維持電極771及第二維持電極772具有從維持線721突出的形狀。第一維持電極771及第二維持電極772可具有在Y軸方向上從維持線721突出的條形。
第二維持電極772可平行於第一維持電極771。第一維持電極771及第二維持電極772可具有彼此實質上相同的長度,或者可具有彼此不同的長度。在此,第一維持電極771及第二維持電極772各自的長度分別表示在Y軸方向上測量的第一維持電極771及第二維持電極772的長度。第一維持電極771、第二維持電極772及維持線721可一體形成為單一且不可分割的單元。
每個第一維持電極771及第二維持電極772中可重疊於像素電極PE1的邊緣。在一個例示性實施例中,第一維持電極771重疊於像素PX1連接的資料線DL1相鄰的像素電極PE1的一個邊緣,且第二維持電極772重疊於面對像素電極PE1的一個邊緣的像素電極PE1的相對邊緣。像素電極PE1的相對邊緣與連接至另一像素的資料線DL2相鄰。
在可選的例示性實施例中,第一維持電極771可位於連接至像素PX1的資料線DL1及不重疊於像素PX1的像素電極PE1的像素PX1的像素電極PE1之間。在此實施例中,第二維持電極772可位於連接至另一個像素的資料線DL2及不重疊於像素PX1的像素電極PE1的像素PX1的像素電極PE1之間。
第19圖的預傾斜控制層500位於第一維持電極771及第二維持電極772之間。預傾斜控制層500可具有在Y軸方向平行於第一維持電極771的長條條形。
在例示性實施例中,如第19圖及第20圖所示,遮光層376與資料線DL1相交。在此實施例中,如第19圖所示,遮光層376重疊於開關元件TFT1、閘極線GL1、維持線721及汲極接觸孔11。在此實施例中,遮光層376可進一步重疊於部分的像素電極PE1的、部分的屏蔽電極961及連接電極880。在一個例示性實施例中,如第19圖所示,遮光層376可至少重疊於像素電極PE1的一個邊緣相鄰於維持線721及閘極線GL1。如第20圖所示,遮光層376位於保護層320、像素電極PE1及屏蔽電極961上。
遮光層376可包含光敏有機材料。在此實施例中,光敏有機材料可為正型或負型的光敏有機材料。
在此實施例中,開關元件TFT1、半導體層321、閘極電極GE、源極電極SE、汲極電極DE、閘極線GL1、資料線DL1、維持線721、閘極絕緣層311、保護層320、彩色濾光層351、虛設彩色濾光層801、絕緣夾層325、柱狀間隔器901、液晶層333及共用電極330係實質上相同於上述參考第1圖及第2圖之敘述,並將省略其重複的詳細描述。
第21圖係繪示根據例示性實施例包含具有繪示於第19圖中的複數個像素的顯示裝置的平面圖。第22圖係繪示第21圖的第一彩色濾光層、第二彩色濾光層、第三彩色濾光層、第四彩色濾光層、第五彩色濾光層及第六彩色濾光層以及第一虛設彩色濾光層、第二虛設彩色濾光層、第三虛設彩色濾光層、第四虛設彩色濾光層、第五虛設彩色濾光層及第六虛設彩色濾光層的圖。第23圖係根據例示性實施例沿第21圖的線I-I'截取的截面圖。
在例示性實施例中,如第21圖所示,顯示裝置包含複數個像素。在一個例示性實施例中,顯示裝置包含六個像素PX1、PX2、PX3、PX4、PX5及PX6,如第21圖所示。每個第21圖中的像素PX1、PX2、PX3、PX4、PX5及PX6係具有如上述參考第19圖描述的像素PX1實質上相同的結構。
六個像素PX1、PX2、PX3、PX4、PX5及PX6係連接至三條閘線GL1、GL、GL3及三條資料線DL1、DL2及DL3。在一個例示性實施例中,在X軸方向上彼此相鄰之第一像素PX1、第二像素PX2及第三像素PX3係共同連接至第一閘極線GL1,而在X軸方向上彼此相鄰之第四像素PX4、第五像素PX5及第六像素PX6係共同連接至第二閘極線GL2。在例示性實施例中,在Y軸方向上彼此相鄰之第一像素PX1及第四像素PX4係共同連接至第一資料線DL1,在Y軸方向上彼此相鄰之第二像素PX2及第五像素PX5係共同連接至第二資料線DL2,而在Y軸方向上彼此相鄰之第三像素PX3及第六像素PX6在係共同連接至第三資料線DL3。
在此實施例中,第一像素PX1連接至第一閘極線GL1及第一資料線DL1,第二像素PX2連接至第一閘極線GL1及第二資料線DL2,第三像素PX3連接至第一閘極線GL1及第三資料線DL3,第四像素PX4連接至第二閘極線GL2及第一資料線DL1,第五像素PX5連接至第二閘極線GL2及第二資料線DL2,而第六像素PX6連接至第二閘極線GL2及第三資料線DL3。
在此實施例中,第一像素PX1包含第一開關元件TFT1、第一像素電極PE1及第一彩色濾光層351,第二像素PX2包含第二開關元件TFT2、第二像素電極PE2及第二彩色濾光層352,而第三像素PX3包含第三開關元件TFT3、第三像素電極PE3及第三彩色濾光層353。在此實施例中,第四像素PX4包含第四開關元件TFT4、第四像素電極PE4及第四彩色濾光層354,第五像素PX5包含第五開關元件TFT5、第五像素電極PE5及第五彩色濾光層355,而第六像素PX6包含第六開關元件TFT6、第六像素電極PE6及第六彩色濾光層356。
在例示性實施例中,在Y軸方向上彼此相鄰的彩色濾光層彼此具有實質上相同的色彩。在一個例示性實施例中,如第22圖所示,第一彩色濾光層351可具有與第四彩色濾光層354實質上相同的色彩,第二彩色濾光層352可具有與第五彩色濾光層355實質上相同的色彩,且第三彩色濾光層353可具有與第六彩色濾光層356實質上相同的色彩。
在可選的例示性實施例中,在X軸方向上彼此相鄰的彩色濾光層彼此具有不同的色彩。在一個例示性實施例中,如第22圖所示,第一彩色濾光層351、第二彩色濾光層352及第三彩色濾光層353彼此具有不同的色彩,而第四彩色濾光層354、第五彩色濾光層355及第六彩色濾光層356彼此具有不同的色彩。
在一個例示性實施例中,第一彩色濾光層351及第四彩色濾光層354中的每一個可具有紅色,第二彩色濾光層352及第五彩色濾光層355中的每一個可具有綠色,而第三彩色濾光層353及第六彩色濾光層356中的每一個可具有藍色。
在例示性實施例中,如第21圖所示,第一虛設彩色濾光層801重疊於第一開關元件TFT1,第二虛設彩色濾光層802重疊於第二開關元件TFT2,第三虛設彩色濾光層803重疊於第三開關元件TFT3,第四虛設彩色濾光層804重疊於第四開關元件TFT4,第五虛設彩色濾光層805重疊於第五開關元件TFT5,而第六虛設彩色濾光層806重疊於第六開關元件TFT6。
在例示性實施例中,如第22圖所示,第一虛設彩色濾光層801位於在Y軸方向上彼此相鄰且彼此具有實質上相同的色彩的第一彩色濾光層351及第四彩色濾光層354之間,第二虛設彩色濾光層802位於在Y軸方向上彼此相鄰且彼此具有實質上相同的色彩的第二彩色濾光層352及第五彩色濾光層355之間,而第三虛設彩色濾光層803位於在Y軸方向上彼此相鄰且彼此具有實質上相同的色彩的第三彩色濾光層353及第六彩色濾光層356之間。在此實施例中,第四虛設彩色濾光層804位於在Y軸方向上彼此相鄰且彼此具有實質上相同的色彩的第四彩色濾光層354及第七彩色濾光層(未繪示)之間,第五虛設彩色濾光層805位於在Y軸方向上彼此相鄰且彼此具有實質上相同的色彩的第五彩色濾光層355及第八彩色濾光層(未繪示)之間,而第六虛設彩色濾光層806位於Y軸方向上彼此相鄰且彼此具有實質上相同的色彩的第六彩色濾光層356及第九彩色濾光層(未繪示)之間。
第一虛設彩色濾光層801可具有與其相鄰的第一彩色濾光層351實質上相同的色彩,第二虛設彩色濾光層802可具有與其相鄰的第二彩色濾光層352實質上相同的色彩,第三虛設彩色濾光層803可具有與其相鄰的第三彩色濾光層353實質上相同的色彩,第四虛設彩色濾光層804可具有與其相鄰的第四彩色濾光層354實質上相同的色彩,第五虛設彩色濾光層805可具有與其相鄰的第五彩色濾光層355實質上相同的色彩,而第六虛設彩色濾光層806可具有與其相鄰的第六彩色濾光層356實質上相同的色彩。
在例示性實施例中,如第22圖所示,具有實質上相同的色彩的彩色濾光層及虛設彩色濾光層可一體形成為單一且不可分割單元。在一個例示性實施例中,如第22圖所示,具有紅色的第一彩色濾光層351、具有紅色的第一虛設彩色濾光層801、具有紅色的第四彩色濾光層354及具有紅色的第四虛設彩色濾光層804可一體形成為單一且不可分割的單元。
在例示性實施例中,儘管未繪示,與連接至最底部的閘極線的像素(下文稱,最後一個像素)的開關元件重疊的虛設彩色濾光層801,可位於該最後一個像素的彩色濾光層與第一基本301的邊緣之間。在此實施例中,在最底部的閘極線可為在一個幀週期間最後被驅動的閘極線。在此實施例中,第一閘極線GL1是在一個幀週期間首先被驅動的閘極線,最下面部分的閘極線可為在一個幀週期間最後被驅動的閘極線。
在此實施例中,每個第22圖的第一開關元件TFT1、第二開關元件TFT2、第三開關元件TFT3、第四開關元件TFT4、第五開關元件TFT5及第六開關元件TFT6,與上述參考第1圖及第2圖描述的開關元件TFT1實質上相同,將省略其重複的詳細描述。在此實施例中,每個第21圖的第一像素電極PE1、第二像素電極PE2、第三像素電極PE3、第四像素電極PE4、第五像素電極PE5及第六像素電極PE6,與上述參考第1圖、第2圖及第3圖描述的像素電極PE1實質上相同,將省略其重複的詳細描述。在此實施例中,每個第21圖的第一彩色濾光層351、第二彩色濾光層352、第三彩色濾光層353、第四彩色濾光層354、第五彩色濾光層355及第六彩色濾光層356,與上述參考第1圖及第2圖描述的彩色濾光層351實質上相同,將省略其重複的詳細描述。在此實施例中,每個第21圖的第一虛設彩色濾光層801、第二虛設彩色濾光層802、第三虛設彩色濾光層803、第四虛設彩色濾光層804、第五虛設彩色濾光層805及第六虛設彩色濾光層806,與上述參考第1圖及第2圖描述的虛設彩色濾光層801實質上相同,將省略其重複的詳細描述。
在例示性實施例中,如第22圖及第23圖所示,第一虛設彩色濾光層801的相對面具有比第二虛設彩色濾光層802的相對表面的面積更大的面積的展開部分。因此,在此實施方式中,第一虛設彩色濾光層801一側的長度L1可大於其對應的第二虛設彩色濾光層802一側的長度L2。在例示性實施例中,第二虛設彩色濾光層802一側的長度L2可實質上等於其對應的第三虛設彩色濾光層803一側的長度L3。
當第一虛設彩色濾光層801具有大於第二虛設彩色濾光層802面積的面積,第一虛設彩色濾光層801具有大於第二虛設彩色濾光層802高度的高度。在此實施例中,第一虛設彩色濾光層801的高度h11大於第二虛設彩色濾光層802的高度h22。
當第一虛設彩色濾光層801具有大於第二虛設彩色濾光層802高度的高度,第一虛設彩色濾光層801上的第一柱狀間隔器901具有大於第二虛設彩色濾光層802上的第二柱狀間隔器902高度的高度。在此實施例中,如第23圖所示,第一柱狀間隔器901的高度h1大於第二柱狀間隔器902的高度h2。因此,第二基板302的參考表面及第一柱狀間隔器901之間的距離小於第二基板302的參考表面及第二柱狀間隔器902的距離。
在例示性實施例中,第三虛設彩色濾光層803的相對面S3具有與第二虛設彩色濾光層802的相對表面S2的面積實質上相同的面積,使得第三虛設彩色濾光層803上的第三柱狀間隔器903具有與第二虛設彩色濾光層802上的第二柱狀間隔器902的高度實質上相同的高度(即,h3 = h2)。因此,第二基板302的參考表面及第三柱狀間隔器903之間的距離實質上等於第二基板302的參考表面及第二柱狀間隔器902之間的距離。
在此實施例中,如上所述,第一柱狀間隔器901具有大於第二柱狀間隔器902高度的高度,而第三柱狀間隔器903具有與第二柱狀間隔器902的高度實質上相同的高度,係由於在第一柱狀間隔器901下方的第一虛設彩色濾光層801的面積大於在第二柱狀間隔器902下方的第二虛設彩色濾光層802的面積,且在第三柱狀間隔器903下方的第三虛設彩色濾光層803的面積實質上等於上述第二虛設彩色濾光層802的面積。
具有相對高的高度h1的第一柱狀間隔器901被定義為主要柱狀間隔器,而每個具有相對小的高度h2及高度h3的第二柱狀間隔器902及第三柱狀間隔器903被定義為子柱狀間隔器。
在例示性實施例中,如第23圖所示,當第一虛設彩色濾光層801具有大於第二虛設彩色濾光層802面積的面積,而具有相對大的面積的虛設彩色濾光層上的柱狀間隔器具有相對高的平坦度,第一虛設彩色濾光層801上的第一柱狀間隔器901的厚度d1小於第二虛設彩色濾光層802上的第二柱狀間隔器902的厚度d2。在此實施例中,第一柱狀間隔器901及第二柱狀間隔器902可在其製程過程中曝光於實質上相同的光量,且在此實施例中,具有相對大的面積的第一虛設彩色濾光層801上的第一柱狀間隔器901可具有相對小的厚度。在例示性實施例中,第一柱狀間隔體901的厚度d1可與第二虛設彩色濾光層802上的第二柱狀間隔器902的厚度d2實質上相同。
第24圖係根據可選的例示性實施例沿著第21圖的線I-I'截取的截面圖。
在例示性實施例中,如第24圖所示,第一柱狀間隔器901、第二柱狀間隔器902及第三柱狀間隔器903可位於絕緣夾層325上。在一個例示性實施例中,第一柱狀間隔器901可位於絕緣夾層325上以重疊於第一虛設彩色濾光層801,第二柱狀間隔器902可位於絕緣夾層325上以重疊於第二虛設彩色濾光層802,而第三柱狀間隔器903可位於絕緣夾層325上以重疊於第三虛設彩色濾光層803。
在此實施例中,第24圖的第一虛設彩色濾光層801、第二虛設彩色濾光層802及第三虛設彩色濾光層803實質上與上述參考第1圖、第2圖、第3圖、第4圖、第5圖及第6圖所描述相同,而將省略對其的任何重複的詳細描述。
第24圖中的第一柱狀間隔器901、第二柱狀間隔器902及第三柱狀間隔器903的至少一個可包含透明材料。在一個例示性實施例中,每個第一柱狀間隔器901、第二柱狀間隔器902及第三柱狀間隔器903中可為包含透明材料的柱狀間隔器。
在例示性實施例中,如第24圖所示,遮光層376可位於第二基板302上。在一個例示性實施例中,遮光層376可以位於第二基板302及共電極330之間。在此實施例中,第24圖所示的遮光層376當由平面圖觀察時,其可具有與上述第19圖的遮光層376實質上相同的形狀。
第24圖的遮光層376在每個第一柱狀間隔器901可包含不同材料。在一個例示性實施例中,遮光層376可包含不透明的光敏有機材料,且每個第一柱狀間隔器901可包含透明的光敏有機材料。
第25圖係根據可選的例示性實施例繪示包含具有的第19圖的複數個像素的顯示裝置的平面圖,而第26圖係繪示第25圖的第一彩色濾光層351、第二彩色濾光層352、第三彩色濾光層353、第四彩色濾光層354、第五彩色濾光層355及第六彩色濾光層356以及第一虛設彩色濾光層801、第二虛設彩色濾光層802、第三虛設彩色濾光層803、第四虛設彩色濾光層804、第五虛設彩色濾光層805及第六虛設彩色濾光層806的圖。
在例示性實施例中,如第25圖及第26圖所示,第一虛設彩色濾光層801位於Y軸方向上彼此相鄰且具有實質上相同的色彩的第一彩色濾光層351及第四彩色濾光層354之間,第二虛設彩色濾光層802位於Y軸方向上彼此相鄰且具有實質上相同的色彩的第二彩色濾光層352及第五彩色濾光層355之間,且第三虛設彩色濾光層803位於Y軸方向上彼此相鄰且具有實質上相同的色彩的第三彩色濾光層353及第六彩色濾光層356之間。在此實施例中,第四虛設彩色濾光層804位於Y軸方向上彼此相鄰且具有實質上相同色彩的第四彩色濾光層354及第七彩色濾光層(未繪示)之間,第五虛設彩色濾光層805位於Y軸方向上彼此相鄰且具有實質上相同的色彩的第五彩色濾光層355及第八彩色濾光層(未繪示)之間,且第六虛設彩色濾光層806位於Y軸方向上彼此相鄰且具有實質上相同的色彩的第六彩色濾光層356及第九彩色濾光層(未繪示)之間。
在此實施例中,第一虛設彩色濾光層801、第二虛設彩色濾光層802、第三虛設彩色濾光層803、第四虛設彩色濾光層804、第五虛設彩色濾光層805及第六虛設彩色濾光層806不連接至彩色濾光層。在此實施例中,第一虛設彩色濾光層801、第二虛設彩色濾光層802、第三虛設彩色濾光層803、第四虛設彩色濾光層804、第五虛設彩色濾光層805及第六虛設彩色濾光層806具有與彩色濾光層分開或間隔開的形狀。
在可選的例示性實施例中,第一虛設彩色濾光層801、第二虛設彩色濾光層802、第三虛設彩色濾光層803、第四虛設彩色濾光層804、第五虛設彩色濾光層805及第六虛設彩色濾光層806的至少一個,可連接至與其相鄰設置的彩色濾光層中的一個,且具有與其實質上相同的色彩。在此實施例中,第一虛設彩色濾光層801、第二虛設彩色濾光層802、第三虛設彩色濾光層803、第四虛設彩色濾光層804、第五虛設彩色濾光層805及第六虛設彩色濾光層806的至少一個,可和與其相鄰且實質上具有相同的色彩的彩色濾光層,一體形成為單一且不可分割的單元。在一個例示性實施例中,第一虛設彩色濾光層801位於第一彩色濾光層351及第四彩色濾光層354之間可連接至第一彩色濾光層351或第四濾彩色濾光層354的任一個。
在例示性實施例中,如第25圖及第26圖所示,第一虛設彩色濾光層801的面積大於第二虛設彩色濾光層802的面積,且第三虛設彩色濾光層803的面積實質上等於第二虛設彩色濾光層802的面積。
第27圖係繪示根據可選的例示性實施例顯示裝置中包含的像素,第28圖係沿著第27圖的線I-I'截取的截面圖,以及第29圖係沿著第27圖的線II-II'截的截面圖。
在例示性實施例中,如圖第27圖、第28圖及第29圖所示,像素PX1包含第一開關元件TFT1、第二開關元件TFT2、第三開關元件TFT3、第一子像素電極PE1、第二子像素電極PE2、第一彩色濾光層3351及第二彩色濾光層3352。
第一開關元件TFT1包含第一閘極電極GE1、第一半導體層3321、第一源電極SE1及第一汲極電極DE1。第一閘極電極GE1連接至閘極線GL,第一源極電極SE1連接至資料線DL1,第一汲極電極DE1連接至第一子像素電極PE1。
第二開關元件TFT2包含第二閘極電極GE2、第二半導體層3322、第二源極電極SE2及第二汲極電極DE2。第二閘極電極GE2連接至閘極線GL,第二源極電極SE2連接至第一源極電極SE1,而第二汲極電極DE2連接至第二子像素電極PE2。
第三開關元件TFT3包含第三閘極電極GE3、第三半導體層3323、第三源極電極SE3、浮動電極FE及第三汲極電極DE3。第三閘極電極GE3連接至閘極線GL,第三源極電極SE3連接至第二汲極電極DE2,而第三汲極電極DE3連接至第一維持電極7751及第二維持電極7752。
像素PX1位於第一基板3301及第二基板3302之間。在此實施例中,如第28圖及第29圖所示,顯示裝置包含彼此間隔開預定距離的第一基板3301及第二基板3302,而第一開關元件TFT1、第二開關元件TFT2、第三開關元件TFT3、 第一子像素電極PE1、第二子像素電極PE2、第一彩色濾光層3351及第二彩色濾光層3352係位於第一基板3301及第二基板3302之間。
在此實施例中,閘極線GL、維持線7720、第一維持電極7751、第二維持電極7752、閘極絕緣層3311、資料線DL1、保護層3320、虛設彩色濾光層8801、絕緣夾層3325、遮光層3376、柱狀間隔器9901、液晶層3333及共電極3330係設置在第一基板3301及第二基板3302之間。
在例示性實施例中,如第27圖及第28圖所示,閘極線GL位於第一基板3301上。在一個例示性實施例中,閘極線GL位於第一基板3301的第一子像素區域P1及第二子像素區域P2之間。
在例示性實施例中,如第27圖所示,第一閘極電極GE1可具有從閘極線GL突出的形狀。第一閘極電極GE1可為閘極線GL的一部分。
第一閘極電極GE1可包含與閘極線GL實質上相同的材料,且可具有與閘極線GL實質上相同的結構(多層結構)。第一閘極電極GE1及閘極線GL可實質上的程序彼此同時形成。
在例示性實施例中,如第27圖所示,第二閘極電極GE2可具有從閘極線GL突出的形狀。第二閘極電極GE2可為閘極線GL的一部分。
第二閘極電極GE2可包含與閘極線GL實質上相同的材料,且可具有與閘極線GL實質上相同的結構(多層結構)。第二閘極電極GE2及閘極線GL可以實質上相同的程序彼此同時形成。
在例示性實施例中,如第27圖所示,第三閘極電極GE3可具有從閘極線GL突出的形狀。第三閘極電極GE3可為閘極線GL的一部分。
第三閘極電極GE3可包含與閘極線GL實質上相同的材料,且可具有與閘極線GL實質上相同的結構(多層結構)。第三閘極電極GE3及閘極線GL可在實質上相同的程序彼此同時形成。
在例示性實施例中,如第27圖所示,第一維持電極7751圍繞第一子像素電極PE1。在此實施例中,第一維持電極7751重疊於第一子像素電極PE1的邊緣。
第一維持電極7751可包含與上述閘極線GL實質上相同的材料,且可具有與上述閘極線GL實質上相同的結構(多層結構)。第一維持電極7751及閘極線GL可在實質上相同的程序彼此同時形成。
第一維持電極7751從外部驅動電路接收第一維持電壓。第一維持電壓可實質上等於共用電壓。
在例示性實施例中,如第27圖所示,第二維持電極7752圍繞第二子像素電極PE2。在此實施例中,第二維持電極7752重疊於第二子像素電極PE2的邊緣。
第二維持電極7752可包含與上述閘極線GL實質上相同的材料,且可具有與上述閘極線GL實質上相同的結構(多層結構)。第二維持電極7752及閘極線GL可在實質上相同的程序彼此同時形成。
第二維持電極7752從外部驅動電路接收第二維持電壓。第二維持電壓可實質上等於共用電壓。在例示性實施例中,沿著閘極線GL彼此相鄰的像素的第二維持電極7752可彼此連接。在此實施例中,沿著資料線DL1彼此相鄰的像素的第二維持電極7752及第一維持電極7751可彼此連接。
在例示性實施例中,如第28圖及第29圖所示,閘極絕緣層3311位於閘極線GL、第一閘極電極GE1、第二閘極電極GE2、第一維持電極7751及第二維持電極7752上。閘極絕緣層3311可位於其上設置有閘極線GL、第一閘極電極GE1、第二閘極電極GE2、第一維持電極7751、第二維持電極7752及維持線7720的第一基板3301整個表面。
透過對應於第三接觸孔CH3及第四接觸孔CH4的閘極絕緣層3311位置定義一開口。在其製造過程中,第三汲極電極DE3及第一維持電極7751的一部分透過第三接觸孔CH3被曝光,而第三汲極電極DE3的另一部分及第二維持電極7752透過第四接觸孔CH4被暴露。
在示例性實施例中,如第28圖所示,資料線DL1位於閘極絕緣層3311上。資料線DL1與閘極線GL相交。在此實施例中,儘管未繪示,資料線DL1可具有小於比其資料線DL1及閘極線GL的交叉處的另一端的線寬的線寬更窄。資料線DL1可包含與上述資料線DL1實質上相同的材料。
在例示性實施例中,如第28圖所示,第一半導體層3321位於閘極絕緣層3311上。如第27圖及第28圖所示,第一半導體層3321重疊於至少部分的第一閘電極GE1重疊。第一半導體層3321可包含非晶矽,多晶矽等。
在例示性實施例中,如第28圖所示,第一電阻接觸層3321a及第二電阻接觸層3321b係位於第一半導體層3321上。第一電阻接觸層3321a與第二電阻接觸層3321b彼此面對面,其間具有第一開關元件TFT1的通道區域。
在例示性實施例中,如第29圖所示,第二半導體層3322位於閘極絕緣層3311上。如第27圖及第29圖所示,第二半導體層3322重疊於至少部分的第二閘極電極GE2。第二半導體層3322可包含非晶矽,多晶矽等。
在例示性實施例中,如第29圖所示,第三電阻接觸層3322a及第四電阻接觸層3322b位於第二半導體層3322上。第三電阻接觸層3322a與第四電阻接觸層3322b彼此面對面,其間具有第二開關元件TFT2的通道區域。
第一電阻接觸層3321a及上述第三電阻接觸層3322a彼此連接。在一個例示性實施例中,第一電阻接觸層3321a及上述第三電阻接觸層3322a可一體形成為單一且不可分割的單元。
在例示性實施例中,如第29圖所示,第三半導體層3323位於閘極絕緣層3311上。如第27圖及第29圖所示,第三半導體層3323重疊於至少部分的第三閘電極GE3。
在例示性實施例中,如第29圖所示,第五電阻接觸層3323a、第六電阻接觸層3323b及第七電阻接觸層3323c係位於第三半導體層3323上。第五電阻接觸層3323a其間具有第三開關元件TFT3的第一通道區域與第六電阻接觸層3323b彼此面對面,且第六電阻接觸層3323b其間具有第三開關元件TFT3的第二通道區域與第七電阻接觸層3323c彼此面對面。
在例示性實施例中,如第28圖所示,第一源極電極SE1位於第一電阻接觸層3321a及閘極絕緣層3311上。在此實施例中,如第28圖所示,第一源極電極SE1可具有從資料線DL1突出的形狀。儘管未繪示,第一源極電極SE1可為資料線DL1的一部分。至少部分的第一源極電極SE1的重疊於第一半導體層3321及第一閘極電極GE1。
第一源極電極SE1可具有I形形狀、C形形狀及U形形狀中的一種。在例示性實施例中,其中第一源極電極SE1具有如第27圖所繪示的U形形狀,第一源極電極SE1的凸起部分指向第二子像素電極PE2。
第一源極電極SE1可包含與上述資料線DL1實質上相同的材料,且可具有與上述資料線DL1實質上相同的結構(多層結構)。第一源極電極SE1及資料線DL1可在實質上相同的程序彼此同時形成。
在例示性實施例中,如第28圖所示,第一汲極電極DE1位於第二電阻接觸層3321b及閘極絕緣層3311上。至少部分的第一汲極電極DE1的至少一部分重疊於第一半導體層3321及第一閘極電極GE1。第一汲極電極DE1連接至第一子像素電極PE1。
第一汲極電極DE1可包含與資料線DL1實質上相同的材料,且可具有與資料線DL1實質上相同的結構(多層結構)。第一汲極電極DE1及資料線DL1可在實質上相同的程序彼此同時形成。
第一開關元件TFT1的通道區域在位於第一源極電極SE1及第一汲極電極DE1之間的第一半導體層3321的一部分。對應於通道區域的第一半導體層3321的一部分的厚度小於第一半導體層3321的另一部分的厚度。
在例示性實施例中,如第29圖所示,第二源極電極SE2位於第三電阻接觸層3322a上。儘管未繪示,第三電阻接觸層3322a也位於閘極絕緣層3311上。第二源極電極SE2與第一源極電極SE1一體形成為單一且不可分割的單元。至少部分的第二源極電極SE2的重疊於第二半導體層3322及第二閘極電極GE2。
第二源極電極SE2可具有I形形狀、C形形狀及U形形狀中的一種。在例示性實施例中,在第二源極電極SE2具有如第27圖所示的U形形狀,第二源極電極SE2的凸起部分指向第一子像素電極PE1。
第二源極電極SE2可包含與上述資料線DL1實質上相同的材料,且可具有與上述資料線DL1實質上相同的結構(多層結構)。第二源極電極SE2及資料線DL1可在實質上相同的程序彼此同時形成。
在例示性實施例中,如第29圖所示,第二汲極電極DE2位於第四電阻接觸層3322b及閘極絕緣層3311上。至少部分的第二汲極電極DE2重疊於第二半導體層3322及第二閘極電極GE2。第二汲極電極DE2連接至第二子像素電極PE2。
第二汲極電極DE2可包含與上述資料線DL1實質上相同的材料,且可具有與上述資料線DL1實質上相同的結構(多層結構)。第二汲極電極DE2及資料線DL1可在實質上相同的程序彼此同時形成。
第二開關元件TFT2的通道區域位於第二源極電極SE2及第二汲極電極DE2之間的第二半導體層3322的一部分。對應於通道區域的第二半導體層3322的一部分的厚度小於第二半導體層3322的另一部分的厚度。
在例示性實施例中,如第29圖所示,第三源極電極SE3位於第五電阻接觸層3323a及閘極絕緣層3311上。第三源極電極SE3及第二汲極電極DE2一體形成為單一且不可分割的單元。至少部分的第三源極電極SE3重疊於第三半導體層3323及第三閘極電極GE3。
第三源極電極SE3可具有I形形狀、C形形狀及U形形狀中的一種。具有U形形狀的第三源極電極SE3在第27圖中繪示出。
第三源極電極SE3可包含與資料線DL1實質上相同的材料,且可具有與資料線DL1實質上相同的結構(多層結構)。第三源極電極SE3及資料線DL1可在實質上相同的程序彼此同時形成。
在例示性實施例中,如第29圖所示,浮動電極FE位於第六電阻接觸層3323b上。浮動電極FE不接觸除第六電阻接觸層3323b之外的任何導體。至少部分的浮動電極FE重疊於第三半導體層3323及第三閘極電極GE3。
浮動電極FE可具有I形形狀、C形形狀及U形形狀中的一種。第27圖繪示出一個例示性實施例其源極電極SE具有I形狀形狀。
浮動電極FE可包含與上述資料線DL1實質上相同的材料,且可具有與上述資料線DL1實質上相同的結構(多層結構)。浮動電極FE及資料線DL1可在實質上相同的程序彼此同時形成。
在例示性實施例中,如第29圖所示,第三汲極電極DE3位於第七電阻接觸層3323c上。在此實施例中,儘管未繪示,第三汲極電極DE3也位於閘極絕緣層3311上。至少部分的第三汲極電極DE3重疊於第三半導體層3323及第三閘極電極GE3。第三汲極電極DE3連接至第一維持電極7751及第二維持電極7752。
第三汲極電極DE3可包含與上述資料線DL1實質上相同的材料,且可具有與上述資料線DL1實質上相同的結構(多層結構)。第三汲極電極DE3及資料線DL1可在實質上相同的程序彼此同時形成。
第三開關元件TFT3的第一通道區域位於在第三源電極SE3及浮動電極FE之間的第三半導體層3323的一部分,而第三開關元件TFT3的第二通道區域位於在浮置電極FE及第三汲極電極DE3之間的第三半導體層3323的一部分。對應於第一通道區域及第二通道區域的第三半導體層3323的部分的厚度小於第三半導體層3323的另一部分的厚度。
在例示性實施例中,儘管未繪示,第一半導體層3321可進一步設置在閘極絕緣層3311及第一源極電極SE1之間。在此實施例中,第一半導體層3321可進一步設置在閘極絕緣層3311及第一汲極電極DE1之間。在此,位於閘極絕緣層3311及第一源極電極SE1之間的半導體層將被稱為第一附加半導體層,位於閘極絕緣層3311及第一汲極電極DE1之間的半導體層將被稱為第二附加半導體層。在此實施例中,上述第一電阻接觸層3321a可進一步設置在第一附加半導體層及第一源極電極SE1之間,而上述第二電阻接觸層3321b可進一步設置在第二附加半導體層及第一附加半導體層汲極電極DE1。
在此實施例中,儘管未繪示,第二半導體層3322可進一步設置在閘極絕緣層3311及第二源極電極SE2之間。在此實施例中,第二半導體層3322可進一步設置在閘極絕緣層3311及第二汲極電極DE2之間。在此,位於閘極絕緣層3311及第二源極電極SE2之間的半導體層將被稱為第三附加半導體層,而位於閘極絕緣層3311及第二汲極電極DE2之間的半導體層將被稱為第四附加半導體層。在此實施例中,上述第三電阻接觸層3322a可進一步設置在第三附加半導體層及第二源極電極SE2之間,而上述第四電阻接觸層3322b可進一步設置在第四附加半導體層及第二汲極電極DE2之間。
在此實施例中,儘管未繪示,第三半導體層3323可進一步設置在閘極絕緣層3311及第三源極電極SE3之間。在此實施例中,第三半導體層3323可進一步設置在閘極絕緣層3311及第三汲極電極DE3之間。在此,位於閘極絕緣層3311及第三源極電極SE3之間的半導體層可被定義為第五附加半導體層,而位於閘極絕緣層3311及第三汲極電極DE3之間的半導體層將被稱為第六附加的半導體層。在這樣的實施例中,上述第五電阻接觸層3323a可進一步設置在第五附加半導體層及第三源電極SE3之間,而上述第七電阻接觸層3323c可進一步設置在第六附加半導體層及第三汲極電極DE3之間。
在此實施例中,儘管未繪示,第一半導體層3321可進一步設置在閘極絕緣層3311及資料線DL1之間。在一個例示性實施例中,第一半導體層3321可進一步設置在閘極絕緣層3311及資料線DL1之間。在此,位於閘極絕緣層3311及資料線DL1之間的半導體層將被稱為第七附加半導體層。在此實施例中,上述第一電阻接觸層3321a可進一步設置在第七附加半導體層及資料線DL1之間。
在例示性實施例中,如第28圖所示,保護層3320位於資料線DL1、第一源極電極SE1、第二源極電極SE2、第三源極電極SE3、浮動電極FE,第一汲極電極DE1、第二汲極電極DE2及第三汲極電極DE3上。保護層3320可位於其上設置有資料線DL1、第一源極電極SE1、第二源極電極SE2、第三源極電極SE3、浮動電極FE,第一汲極電極DE1、第二汲極電極DE2及第三汲極電極DE3的第一基板3301的整個表面上。
開口是透過對應於第一接觸孔CH1、第二接觸孔CH2、第三接觸孔CH3及第四接觸孔CH4的保護層3320的位置定義。在其製造過程中,第一汲極電極DE1透過第一接觸孔CH1暴露,而第二汲極電極DE2透過第二接觸孔CH2暴露。
在例示性實施例中,如第27圖及第28圖所示,第一彩色濾光層3351位於保護層3320上以重疊於與第一子像素電極PE1、第一維持電極7751及資料線DL1。第一彩色濾光層3351可具有預定的色彩。在此實施例中,第一彩色濾光層3351可包含與預定色彩對應的顏料。
在例示性實施例中,如第27圖及第29圖所示,第二彩色濾光層3352位於保護層3320上以重疊於第二子像素電極PE2、第二維持電極7752及資料線DL1。第二彩色濾光層3352可具有預定的色彩。為此,第二彩色濾光層3352可包含與預定色彩對應的顏料。第二彩色濾光層3352具有與第一彩色濾光層3351實質上相同的色彩。
在例示性實施例中,如第27圖所示,虛設彩色濾光層8801可位於第一彩色濾光層3351及第二彩色濾光層3352之間。下面將更詳細地描述虛設彩色濾光層8801。
第一彩色濾光層層3351、第二彩色濾光層3352及虛設彩色濾光層8801不位於第一接觸孔CH1、第二接觸孔CH2、第三接觸孔CH3及第四接觸孔CH4。
絕緣夾層3325位於第一彩色濾光層3351、第二彩色濾光層3352、虛設彩色濾光層8801及保護層3320上。絕緣夾層3325可位於其上設置有第一彩色濾光層3351、第二彩色濾光層3352、虛設彩色濾光層8801及保護層3320的第一基板3301的整個表面上位置。開口是透過對應於第一接觸孔CH1、第二接觸孔CH2、第三接觸孔CH3及第四接觸孔CH4的絕緣夾層3325的位置定義。
第一子像素電極PE1位於絕緣夾層3325上以重疊於第一彩色濾光層3351。第一子像素電極PE1透過第一接觸孔CH1連接至第一汲極電極DE1。
第一子像素電極PE1可包含像是ITO或IZO的透明導電材料。在此實施例中,ITO可為多晶或單晶材料,而IZO也可為多晶或單晶材料。或者,IZO可為非晶材料。
第二子像素電極PE2位於絕緣夾層3325上以重疊第二彩色濾光層3352。第二子像素電極PE2透過第二接觸孔CH2連接至第二汲極電極DE2。第二子像素電極PE2可包含與上述第一子像素電極PE1實質上相同的材料。
第一連接電極1881位於對應於第三接觸孔CH3的絕緣夾層3325上。第一連接電極1881連接至第三汲極電極DE3及第一維持電極7751的一部分。第一連接電極1881可包含與上述第一子像素電極PE1實質上相同的材料。
第二連接電極1882位於對應於第四接觸孔CH4的絕緣夾層3325上。第二連接電極1882連接至第三汲極電極DE3及第二維持電極7752的另一部分。第二連接電極1882可包含與上述第二子像素電極PE2實質上相同的材料。
在例示性實施例中,如第27圖所示,遮光層3376與資料線DL1相交。在此實施例中,如第27圖所示,遮光層3376包含第一開關元件TFT1、第二開關元件TFT2、第三開關元件TFT3、閘極線GL、第一連接電極1881、第二連接電極1882、第一接觸孔CH1、第二接觸孔CH2、第三接觸孔CH3及第四接觸孔CH4。在此實施例中,遮光層3376可進一步重疊於第一子像素電極PE1的一部分、第二子像素電極PE2的一部分及屏蔽電極9961的一部分。
遮光層3376可包含光敏有機材料。在此實施例中,光敏有機材料可為正型或負型的光敏有機材料。
在例示性實施例中,如第27圖及第28圖所示,柱狀間隔器9901位於遮光層3376上以重疊於虛設彩色濾光層8801。在例示性實施例中,如第27圖所示,柱狀間隔器9901及遮光層3376可一體形成為單一且不可分割的單元。在此實施例中,其如上述柱狀間隔器9901及遮光層3376一體形成為單一且不可分割的單元的情況下,重疊於虛設彩色濾光層8801的積體結構的一部分對應於上述的柱狀間隔器9901。
柱狀間隔器9901可包含與遮光層3376實質上相同的材料,且可具有與遮光層3376實質上相同的結構。柱狀間隔器9901及遮光層3376可在實質上相同的程序彼此同時形成。
柱狀間隔器9901的高度取決或基於位於柱狀間隔器9901下方的虛設彩色濾光層的高度來確定,而虛設彩色濾光層的高度取決或基於虛設彩色濾光層的面積來確定。因此,柱狀間隔器9901的高度取決或基於虛設彩色濾光層的面積來確定。隨著虛設彩色濾光層8801的面積增加,虛設彩色濾光層8801的高度增加,因此位於虛設彩色濾光層8801上的柱狀間隔器9901的高度也增加。
在例示性實施例中,如第28圖所示,柱狀間隔器9901的高度h1是從第一基板的平坦參考表面(即,第一基板3301的內表面)至柱狀間隔器9901的最上層表面的距離,且意味著在Z軸方向上測量的距離。第一基板3301的參考表面垂直相交於X軸方向。柱狀間隔器9901的最上層表面是指柱狀間隔器9901的距離上述基準表面在Z軸方向中最遠的一個表面。在例示性實施例中,柱狀間隔器9901的高度h1可被定義為第二基板3302的平坦參考表面(即,第二基板3302的內表面)及柱狀間隔器9901之間的距離。在此,第二基板3302的參考表面與柱狀間隔器9901之間的距離是指Z軸方向中的距離。
虛設彩色濾光層8801的高度也可定義為由第一基板3301的參考表面至虛設彩色濾光層8801的最上層表面的距離,且在例示性實施例中,距離意味著測量的距離在Z軸方向上。
虛設彩色濾光層8801的面積是指與第二基板3302的參考表面最相鄰的虛設彩色濾光層8801的表面的表面尺寸(下文稱,「相對面(an opposing surface)」)。在一個例示性實施例中,如第28圖所示,相對面面對於第二基板3302的參考表面,且平行於參考表面。
第30圖係繪示出包含繪示於第27圖的結構的複數個像素的顯示裝置平面圖。第31圖係繪示第30圖的第一彩色濾光層、第二彩色濾光層、第三彩色濾光層、第四彩色濾光層、第五彩色濾光層及第六彩色濾光層以及第一虛設彩色濾光層、第二虛設彩色濾光層及第三虛設彩色濾光層的圖。第32圖係繪示根據例示性實施例沿著第30圖的線I-I'截取的截面圖。
在例示性實施例中,如第30圖所示,顯示裝置包含複數個像素PX1、PX2及PX3。在一個例示性實施例中,顯示裝置包括三個像素PX1、PX2及PX3,如第30圖所示。第30圖中每個像素PX1、PX2及PX3具有與上述參考第27圖描述的像素PX1實質上相同的結構。
三個像素PX1、PX2及PX3連接至一條閘極線GL及三條資料線DL1、DL2及DL3。在一個例示性實施例中,在X軸方向上彼此相鄰的第一像素PX1、第二像素PX2及第三像素PX3係共同連接至閘極線GL。在此實施例中,第一像素PX1連接至第一資料線DL1,第二像素PX2連接至第二資料線DL2,而第三像素PX3連接至第三資料線DL3。
在此實施例中,第一像素PX1連接至閘極線GL及第一資料線DL1,第二像素PX2連接至閘極線GL及第二資料線DL2,而第三像素PX3連接至閘極線GL及第三資料線DL3。
第一像素PX1包含第一開關元件TFT1、第二開關元件TFT2、第三開關元件TFT3、第一子像素電極PE1、第二子像素電極PE2、第一彩色濾光層3351及第二彩色濾光層3352。第二像素PX2包含第四開關元件TFT4、第五開關元件TFT5、第六開關元件TFT6、第三子像素電極PE3、第四子像素電極PE4、第三彩色濾光層3353及第四彩色濾光層3354。第三像素PX3包含第七開關元件TFT7、第八開關元件TFT8、第九開關元件TFT9、第五子像素電極PE5、第六子像素電極PE6、第五彩色濾光層3355及第六彩色濾光層3356。
在Y軸方向上彼此相鄰的彩色濾光層具有實質上相同的色彩。在一個例示性實施例中,如第31圖所示。第一彩色濾光層3351可具有與第二彩色濾光層3352實質上相同的色彩,第三彩色濾光層3353可具有與第四彩色濾光層3354實質上相同的色彩,而第五彩色濾光層3355可具有與第六彩色濾光層3356實質上相同的色彩。
在X軸方向上彼此相鄰的彩色濾光層彼此具有不同的色彩。在一個例示性實施例中,如第31圖所示。第一彩色濾光層3351、第三彩色濾光層3353及第五彩色濾光層3355彼此具有不同的色彩,而第二彩色濾光層3352、第四彩色濾光層3354及第六彩色濾光層3356彼此具有不同的色彩。
在一個例示性實施例中,第一彩色濾光層3351及第二彩色濾光層3352可具有紅色,每個第三彩色濾光層3353及第四彩色濾光層3354可具有綠色,每個第五彩色濾光層3355及第六彩色濾光層3356可具有藍色。
在例示性實施例中,如第30圖所示,第一虛設彩色濾光層8801重疊於第一開關元件TFT1及第二開關元件TFT2,第二虛設彩色濾光層8802重疊於第四開關元件TFT4,而第三虛設彩色濾光層8803重疊於第七開關元件TFT7。
在例示性實施例中,如第31圖所示,第一虛設彩色濾光層8801位於在Y軸方向上彼此相鄰且具有實質上相同的色彩的第一彩色濾光層3351及第二彩色濾光層3352之間,第二虛設彩色濾光層8802位於在Y軸方向上彼此相鄰且具有實質上相同的色彩的第三彩色濾光層3353及第四彩色濾光層3354之間,且第三虛設彩色濾光層8803位於在Y軸方向上彼此相鄰且具有實質上相同的色彩的第五彩色濾光層3355及第六彩色濾光層3356。
在例示性實施例中,如上所述,第一虛設彩色濾光層8801具有比第二虛設彩色濾光層8802的面積大的面積。在此實施例中,如第31圖所示,第一虛設彩色濾光層8801的一側長度L1可實質上與其對應的第二虛設彩色濾光層8802的一側長度L2。在例示性實施例中,第二虛設彩色濾光層8802的一側長度L2可實質上等於第三虛設彩色濾光層8803的一側長度L3。
由於第一虛設彩色濾光層8801大於第二虛設彩色濾光層8802面積的面積,所以第一虛設彩色濾光層8801具有大於第二虛設彩色濾光層8802高度的高度。在此實施例中,第一虛設彩色濾光層8801的高度h11大於第二虛設彩色濾光層8802的高度h22。
由於第一虛設彩色濾光層8801具有高於第二虛設彩色濾光層8802高度的高度,因此第一虛設彩色濾光層8801上的第一柱狀間隔器9901具有大於第二虛設彩色濾光層8802上第二柱狀間隔器9902高度的高度。在此實施例中,第一柱狀間隔器9901的高度h1大於第二柱狀間隔器9902的高度h2。因此,第二基板3302的參考表面(即第二基板3302的內表面)及第一柱狀間隔器9901之間的距離小於第二基板3302的參考表面及第二柱狀間隔器9902之間的距離。
在例示性實施例中,第三虛設彩色濾光層8803具有與第二虛設彩色濾光層8802的面積實質上相同的面積,因此第三虛設彩色濾光層8803上的第三柱狀間隔器9903具有與第二虛設彩色濾光層8802上的第二柱狀間隔器9902的高度(即,h3 = h2)實質上相同的高度。因此,第二基板3302的參考表面與第三柱狀間隔器9903之間的距離實質上等於第二基板3302的參考表面與第二柱狀間隔器9902之間的距離。
在此實施例中,因為位於第一柱狀間隔器9901下方的虛設彩色濾光層8801的面積大於位於第二柱狀間隔器9902下方的第二虛設彩色濾光層8802的面積,且第三柱狀間隔器9903下方的第三虛設彩色濾光層8803的面積實質上等於上述第二虛設彩色濾光層8802的面積,所以第一柱狀間隔器9901具有比第二柱狀間隔器9902的高度高的高度,而第三柱狀間隔器9903具有比第二柱狀間隔器9902的高度實質上相同的高度。
具有相對較高的高度h1的第一柱狀間隔器9901被定義為主要柱狀間隔器,且每個具有相對較小的高度h2及h3的第二柱狀間隔器9902及第三柱狀間隔器9903被定義為子柱狀間隔器。
在例示性實施例中,如第32圖所示,由於第一虛設彩色濾光層8801具有大於第二虛設彩色濾光層8802面積的面積,所以第一虛設彩色濾光層8801上的第一柱狀間隔器9901的厚度d1小於第二虛設彩色濾光層8802的厚度d2第二虛設彩色濾光層8802上的第二列間隔器9902。這是因為具有相較較大面積的虛設彩色濾光層上的柱狀間隔器具有較高的平坦度。在此實施例中,第一柱狀間隔器9901及第二柱狀間隔器9902可在其製造過程中曝光於實質上相同的光量,且在此實施例中,具有較大面積的第一虛設彩色濾光層8801上的第一柱狀間隔器9901可具有相對較小的厚度。在例示性實施例中,第一柱狀間隔器9901的厚度d1可實質上等於第二虛設彩色濾光層8802上的第二柱狀間隔器9902的厚度d2。
第三柱狀間隔器9903的厚度d3與第二柱狀間隔器9902的厚度d2實質上相同。在其製造過程中第一柱狀間隔器9901、第二柱狀間隔器9902及第三柱狀間隔器9903可全部曝光於實質上相同的光量。
第33圖根據可選的例示性實施例係沿第30圖的線I-I'截取的截面圖。
在例示性實施例中,如第33圖所示,第一柱狀間隔器9901、第二柱狀間隔器9902及第三柱狀間隔器9903可位於絕緣夾層3325上。在一個例示性實施例中,第一柱狀間隔器9901可位於絕緣夾層3325上以重疊於第一虛設彩色濾光層8801,第二柱狀間隔器9902可位於絕緣夾層3325上以重疊於第二虛設彩色濾光層8802,而第三柱狀間隔器9903可位於絕緣夾層3325上以重疊於第三虛設彩色濾光層8803。
在此實施例中,第33圖中的第一虛設彩色濾光層8801、第二虛設彩色濾光層8802及第三虛設彩色濾光片層8803實質上與上述參考第1圖、第2圖、第3圖、第4圖、第5圖及第6圖所述相同,且將省略對其的任何重複的詳細描述。
第33圖至少第一柱狀間隔器9901、第二柱狀間隔器9902及第三柱狀間隔器9903中的一個可包含透明材料。在一個例示性實施例中,每個第一柱狀間隔器9901、第二柱狀間隔器9902及第三柱狀間隔器9903可包含透明材料的柱狀間隔器。
在例示性實施例中,如第33圖所示,遮光層3376可位於第二基板3302上。在一個例示性實施例中,遮光層3376可位於第二基板3302及共用電極3330之間。在此實施例中,當從平面圖觀察時,第33圖的遮光層3376可具有與第27圖的遮光層3376實質上相同的形狀。
第33圖的遮光層3376可包含來自包含在每個列間隔物9901中的不同的材料。在一個例示性實施例中,光阻擋層3376可包含不透明的光敏有機材料,且每個柱狀間隔器9901可包含透明的光敏有機材料。
第34圖係繪示根據可選的示例性實施例包含具有第27圖繪示的複數個像素的顯示裝置平面圖,而第35圖係繪示第34圖的第一彩色濾光層、第二彩色濾光層、第三彩色濾光層、第四彩色濾光層、第五彩色濾光層及第六彩色濾光層以及第一虛設彩色濾光層、第二虛設彩色濾光層及第三虛設彩色濾光層的圖。
在例示性實施例中,如第34圖及第35圖所示,第一虛設彩色濾光層8801位於在Y軸方向上彼此相鄰且具有實質上相同的色彩的第一彩色濾光層3351及第二彩色濾光層3352之間,第二虛設彩色濾光層8802位於在Y軸方向上彼此相鄰且具有實質上相同的色彩的第三彩色濾光層3353及第四彩色濾光層3354之間且,第三虛設彩色濾光層8803位於在Y軸方向上彼此相鄰且具有實質上相同的色彩的第五彩色濾光層3355及第六彩色濾光層3356。
在此實施例中,第一虛設彩色濾光層8801、第二虛設彩色濾光層8802及第三虛設彩色濾光層8803為不連接至彩色濾光片層。在此實施例中,第一虛設彩色濾光層8801、第二虛設彩色濾光層8802及第三虛設彩色濾光層8803具有與彩色濾光層分開的形狀。
在可選的例示性實施例中,第一虛設彩色濾光層8801、第二虛設彩色濾光層8802及第三虛設彩色濾光層8803中的至少一個可連接至與其相鄰設置的一個彩色濾光層,且具有與其實質上相同的色彩。在此實施例中,第一虛設彩色濾光層8801、第二虛設彩色濾光層8802及第三虛設彩色濾光層8803中的至少一個,可和與其相鄰且具有實質上相同的色彩的彩色濾光層一體形成為單一且不可分割的單元,且具有與其實質上相同的色彩。在一個例示性實施例中,位於第一彩色濾光層3351及第二彩色濾光層3352之間的第一虛設彩色濾光層8801可連接至第一彩色濾光層3351或第二彩色濾光層3352。
在例示性實施例中,如第34圖及第35圖所示,第一虛設彩色濾光層8801的面積大於第二虛設彩色濾光層8802的面積,而第三虛設彩色濾光層8803的面積實質上等於第二虛設彩色濾光層8802的面積。
根據一個或複數個例示性實施例,係基於虛設彩色濾光層的尺寸來控制柱狀間隔器的高度。在此實施例中,虛設彩色濾光層的高度是按照虛設彩色濾光層的面積的變化來控制,因此位於虛設彩色濾光層上方的柱狀間隔器的高度也根據虛設彩色濾光層的尺寸而改變。因此,具有不同高度的柱狀間隔器可有效地製造,而毋須使用傳統的半色調曝光。在此實施例中,可透過控制虛設彩色濾光層的面積來製造主要柱狀間隔器及子柱狀間隔器。
因此,在本揭露的例示性實施例中,可解決或有效地防止在傳統的半色調曝光中可能發生的問題。在傳統的半色調曝光中,例如:當柱狀間隔器及遮光層以彼此實質上相同的程序彼此形成時,在重疊曝光區域中會發生遮光層的厚度增加的問題。在傳統的半色調曝光中,只有具有適於這種曝光方法的特性的材料可選擇性地或有限地用作柱狀間隔物和光阻擋層的材料。
然而,根據本發明的一個或複數個例示性實施例,可製造具有實質上均勻厚度的遮光層,且可擴大用於柱狀間隔器和遮光層的材料選擇範圍。
在本發明的例示性實施例中,由於柱狀間隔器的高度差是由虛設彩色濾光層的高度差異引起,因此可使用相對少量的材料來製造柱狀間隔器。因此,在此實施例中,製造成本可以降低。
從以上所述,應理解的是,根據本揭露的各種實施例已經說明的目的而在本文中進行描述,且可在不脫離本揭露的範疇和精神的情況下進行各種修正。因此,本揭露的各種實施例並非意在限於本教示的真實範圍和精神。上述及其它實施例的各種特徵可用任何方式混合和匹配,以產生與本揭露一致的進一步實施例。
1000‧‧‧第一基板301的邊緣11‧‧‧汲極接觸孔182‧‧‧遮光膜1881‧‧‧第一連接電極1882‧‧‧第二連接電極301,3301‧‧‧第一基板302,3302‧‧‧第二基板311,3311‧‧‧閘極絕緣層320,3320‧‧‧保護層321‧‧‧半導體層321a,3321a‧‧‧第一電阻接觸層321b,3321b‧‧‧第二電阻接觸層325,3325‧‧‧絕緣夾層330,3330‧‧‧共用電極333,3333‧‧‧液晶層3321~3323‧‧‧第一半導體層~第三半導體層3322a‧‧‧第三電阻接觸層3322b‧‧‧第四電阻接觸層3323a‧‧‧第五電阻接觸層3323b‧‧‧第六電阻接觸層3323c‧‧‧第七電阻接觸層350a‧‧‧第一光敏有機材料350b‧‧‧第二光敏有機材料351,3351‧‧‧第一彩色濾光層352,3352‧‧‧第二彩色濾光層353,3353‧‧‧第三彩色濾光層354,3354‧‧‧第四彩色濾光層355,3355‧‧‧第五彩色濾光層356,3356‧‧‧第六彩色濾光層370‧‧‧第四光敏有機材料376,3376‧‧‧遮光層500‧‧‧預傾斜控制層501~503‧‧‧第一控制層~第三控制層601a‧‧‧第一分支電極601b‧‧‧第二分支電極601c‧‧‧第三分支電極601d‧‧‧第四分支電極611‧‧‧水平部分612‧‧‧垂直部分613‧‧‧主幹電極614a‧‧‧第一連接部分614b‧‧‧第二連接部分630‧‧‧輔助水平部分651a‧‧‧第一輔助垂直部分651b‧‧‧第二輔助垂直部分721,7720‧‧‧維持線771,7751‧‧‧第一維持電極772,7752‧‧‧第二維持電極801,8801‧‧‧第一虛設彩色濾光層802,8802‧‧‧第二虛設彩色濾光層803,8803‧‧‧第三虛設彩色濾光層804,8804‧‧‧第四虛設彩色濾光層805,8805‧‧‧第五虛設彩色濾光層806,8806‧‧‧第六虛設彩色濾光層880‧‧‧連接電極901,9901‧‧‧第一柱狀間隔器902,9902‧‧‧第二柱狀間隔器903,9903‧‧‧第三柱狀間隔器904‧‧‧第四柱狀間隔器905‧‧‧第五柱狀間隔器906‧‧‧第六柱狀間隔器961,9961‧‧‧屏蔽電極A‧‧‧第一區域B‧‧‧第二區域C‧‧‧第三區域CH1~CH4‧‧‧第一接觸孔~第四接觸孔D‧‧‧第四區域DE‧‧‧汲極電極DE1~DE3‧‧‧第一汲極電極~第三汲極電極DL1~DL3‧‧‧第一資料線~第三資料線FE‧‧‧浮動電極GE‧‧‧閘極電極GE1~GE3‧‧‧第一閘極電極~第三閘極電極GL1~GL3‧‧‧第一閘極線~第三閘極線M1‧‧‧第一遮罩M2‧‧‧第二遮罩M4‧‧‧第四遮罩P‧‧‧像素區域P1‧‧‧第一子像素區域P2‧‧‧第二子像素區域PE1~PE6‧‧‧第一像素電極~第六像素電極PX1~PX6‧‧‧第一像素~第六像素SE‧‧‧源極電極SE1~SE3‧‧‧第一源極電極~第三源極電極TFT1~TFT9‧‧‧第一開關元件~第九開關元件
從以下結合圖式的詳細描述中,將更清楚地理解本發明揭露的上述內容及其它特徵,其中:
第1圖係繪示根據例示性實施例包含在顯示裝置中的像素;
第2圖係沿著第1圖的線I-I'的截面圖;
第3圖係繪示第1圖的像素電極放大圖;
第4圖係繪示包含具有第1圖繪示的複數個像素的顯示裝置的平面圖;
第5圖係繪示第4圖的第一彩色濾光層、第二彩色濾光層、第三彩色濾光層、第四彩色濾光層、第五彩色濾光層及第六彩色濾光層,與第4圖的第一虛設彩色濾光層、第二虛設彩色濾光層、第三虛設彩色濾光層、第四虛設彩色濾光層、第五虛設彩色濾光層及第六虛設彩色濾光層;
第6圖係沿著第4圖的線I-I'的截面圖;
第7A圖至第15B圖係繪示根據例示性實施例顯示裝置的製造方法的截面圖;
第16圖係根據例示性實施例係沿著第4圖的線I-I'的截面圖;
第17圖係根據可選的例示性實施例所繪示包含第1圖的複數個像素的顯示裝置的平面圖;
第18圖係繪示第17圖的第一彩色濾光層、第二彩色濾光層、第三彩色濾光層、第四彩色濾光層、第五彩色濾光層及第六彩色濾光層,與第17圖的第一虛設彩色濾光層、第二虛設彩色濾光層、第三虛設彩色濾光層、第四虛設彩色濾光層、第五虛設彩色濾光層及第六虛設彩色濾光層;
第19圖係繪示根據可選的例示性實施例顯示裝置中包含的像素;
第20圖係根據例示性實施例沿著第19圖的線I-I'的截面圖;
第21圖係繪示根據例示性實施例包含具有繪示於第19圖中的結構的複數個像素的顯示裝置的平面圖;
第22圖係繪示第21圖的第一彩色濾光層、第二彩色濾光層、第三彩色濾光層、第四彩色濾光層、第五彩色濾光層及第六彩色濾光層,與第21圖的第一虛設彩色濾光層、第二虛設彩色濾光層、第三虛設彩色濾光層、第四虛設彩色濾光層、第五虛設彩色濾光層及第六虛設彩色濾光層的圖;
第23圖係根據例示性實施例沿著第21圖的線I-I的截面圖;
第24圖係根據可選的例示性實施例沿著第21圖的線段I-I'的截面圖;
第25圖係繪示根據可選的例示性實施例包含具有繪示於第19圖的結構的複數個像素的顯示裝置的平面圖;
第26圖係繪示第25圖的第一彩色濾光層、第二彩色濾光層、第三彩色濾光層、第四彩色濾光層、第五彩色濾光層及第六彩色濾光層,與第25圖的第一虛設彩色濾光層、第二虛設彩色濾光層、第三虛設彩色濾光層、第四虛設彩色濾光層、第五虛設彩色濾光層及第六虛設彩色濾光層的圖;
第27圖係繪示根據可選的例示性實施例顯示裝置中包含的像素;
第28圖係繪示係沿著第27圖的線I-I'的截面圖;
第29圖係繪示係沿著第27圖的線II-II'的截面圖;
第30圖係繪示包含具有繪示於第27圖的結構的複數個像素的顯示裝置的平面圖;
第31圖係繪示第30圖的第一彩色濾光層、第二彩色濾光層、第三彩色濾光層、第四彩色濾光層、第五彩色濾光層及第六彩色濾光層,與第30圖的第一虛設彩色濾光層、第二虛設彩色濾光層及第三虛設彩色濾光層的圖;
第32圖係根據例示性實施例沿著第30圖的線I-I的截面圖;
第33圖係根據可選的例示性實施例沿著第30圖的線段I-I'的截面圖;
第34圖係繪示根據可選的例示性實施例包含具有繪示於第27圖的結構的複數個像素的顯示裝置的平面圖;以及
第35圖係繪示第34圖的第一彩色濾光層、第二彩色濾光層、第三彩色濾光層、第四彩色濾光層、第五彩色濾光層及第六彩色濾光層,與第34圖的第一虛設彩色濾光層、第二虛設彩色濾光層及第三虛設彩色濾光層的圖。
351~356‧‧‧第一彩色濾光層~第六彩色濾光層
376‧‧‧遮光層
801~806‧‧‧第一虛設彩色濾光層~第六虛設彩色濾光層
901~906‧‧‧第一柱狀間隔器~第六柱狀間隔器
DL1‧‧‧第一資料線
DL2‧‧‧第二資料線
GL1‧‧‧第一閘極線
GL2‧‧‧第二閘極線
PE1~PE6‧‧‧第一像素電極~第六像素電極
PX1~PX6‧‧‧第一像素~第六像素
TFT1~TFT6‧‧‧第一開關元件~第六開關元件

Claims (10)

  1. 一種顯示裝置,其包含: 一第一基板及一第二基板,彼此間隔開; 一第一彩色濾光層及一第二彩色濾光層,其彼此相鄰而位於該第一基板及該第二基板之間,且彼此具有實質上相同的色彩; 一第三彩色濾光層及一第四彩色濾光層,其彼此相鄰而位於該第一基板及該第二基板之間,且彼此具有實質上相同的色彩; 一第一虛設彩色濾光層,其位於該第一基板的邊緣及該第一彩色濾光層之間或位於該第一彩色濾光層與該第二彩色濾光層之間,其中該第一虛設彩色濾光層具有與該第一彩色濾光層實質上相同的色彩; 一第二虛設彩色濾光層,其位於該第一基板的邊緣及該第三彩色濾光層之間或位於該第三彩色濾光層及該第四彩色濾光層之間,其中該第二虛設彩色濾光層具有與該第三彩色濾光層實質上相同的色彩; 一第一柱狀間隔器,位於該第一虛設彩色濾光層及該第二基板之間;以及 一第二柱狀間隔器,位於該第二虛設彩色濾光層及該第二基板之間, 其中從該第一基板的參考表面至該第一虛設彩色濾光層的高度大於從該參考表面至該第二虛設彩色濾光層的高度,且 面對於該第二基板的該第一虛設彩色濾光層的表面大於面對於該第二基板的該第二虛設彩色濾光層的表面。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置,其中該第一柱狀間隔器的厚度小於或實質上等於該第二柱狀間隔器的厚度。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置,其中從該參考表面至該第一柱狀間隔器的高度大於從該參考表面至該第二柱狀間隔器的高度。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置,其中該第一虛設彩色濾光層係連接至該第一彩色濾光層及該第二彩色濾光層中的至少一個。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之顯示裝置,其中該第一彩色濾光層、該第二彩色濾光層及該第一虛設彩色濾光層係一體地形成為一單一且不可分割的單元。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置,其中該第二虛設彩色濾光層係連接至該第三彩色濾光層及該第四彩色濾光層中的至少一個。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之顯示裝置,其中該第三彩色濾光層、該第四彩色濾光層及該第二虛設彩色濾光層係為一整體。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置,其中該第一柱狀間隔器及該第二柱狀間隔器中的至少一個包含透明材料或不透明材料。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置,進一步包含: 一遮光層,位於該第一基板或該第二基板上。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置,其中 該遮光層、該第一柱狀間隔器及該第二柱狀間隔器位於該第一基板上的一實質上相同的層上;且 該遮光層、第一柱狀間隔器及第二柱狀間隔器係為一整體。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102079253B1 (ko) * 2013-06-26 2020-02-20 삼성디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 기판, 이를 구비하는 유기 발광 장치, 박막트랜지스터 기판 제조방법 및 유기 발광 장치 제조방법
US10802362B2 (en) * 2018-07-25 2020-10-13 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel and manufacturing method for the same
CN111462639B (zh) * 2019-01-21 2022-04-12 群创光电股份有限公司 显示装置
CN110716359A (zh) * 2019-10-14 2020-01-21 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及其制造方法与对准精度检测方法
KR20210061506A (ko) * 2019-11-19 2021-05-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110931426B (zh) * 2019-11-27 2022-03-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板的制作方法
KR20210130291A (ko) 2020-04-21 2021-11-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI272439B (en) * 2004-03-09 2007-02-01 Sharp Kk Liquid crystal display device
US7633595B2 (en) * 2003-12-30 2009-12-15 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display panel having dummy color filter and fabricating method thereof
TWI349800B (en) * 2005-08-18 2011-10-01 Toshiba Matsushita Display Tec Liquid crystal display device
TW201405818A (zh) * 2012-05-31 2014-02-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置
TWI484255B (zh) * 2009-01-30 2015-05-11 Semiconductor Energy Lab 液晶顯示裝置
TW201520663A (zh) * 2008-11-28 2015-06-01 Semiconductor Energy Lab 液晶顯示裝置
TWI541601B (zh) * 2011-08-17 2016-07-11 Jsr股份有限公司 彩色濾光片、液晶顯示元件及彩色濾光片的製造方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4775225A (en) 1985-05-16 1988-10-04 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal device having pillar spacers with small base periphery width in direction perpendicular to orientation treatment
DE69332142T2 (de) 1992-12-25 2003-03-06 Sony Corp., Tokio/Tokyo Substrat mit aktiver Matrix
JP3240858B2 (ja) 1994-10-19 2001-12-25 ソニー株式会社 カラー表示装置
JP4771038B2 (ja) * 2001-09-13 2011-09-14 ゲットナー・ファンデーション・エルエルシー 液晶表示装置
KR101198819B1 (ko) 2003-06-25 2012-11-07 엘지디스플레이 주식회사 씨오티 구조 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20070059555A (ko) 2005-12-07 2007-06-12 삼성전자주식회사 컬러필터 기판 및 이를 포함하는 액정표시장치
KR20070065077A (ko) * 2005-12-19 2007-06-22 삼성전자주식회사 터치 스크린 패널 및 이의 제조 방법
KR20070080106A (ko) * 2006-02-06 2007-08-09 삼성전자주식회사 색필터 표시판 및 이의 제조방법
JP4793063B2 (ja) * 2006-04-04 2011-10-12 凸版印刷株式会社 カラーフィルタ用フォトマスク及びカラーフィルタの製造方法
KR101404548B1 (ko) * 2008-01-17 2014-06-10 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
JP5618464B2 (ja) * 2008-05-22 2014-11-05 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置およびその製造方法
KR101604650B1 (ko) 2009-10-27 2016-03-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판, 이의 제조 방법 및 표시패널의 제조 방법
KR101761180B1 (ko) * 2010-08-10 2017-07-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판, 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20130008166A (ko) * 2011-07-12 2013-01-22 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 이의 제조 방법
KR101611923B1 (ko) 2012-02-27 2016-04-14 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101552902B1 (ko) * 2014-06-24 2015-09-15 엘지디스플레이 주식회사 곡면 액정표시장치
KR102189578B1 (ko) * 2014-07-30 2020-12-14 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 패널 및 그 제조 방법
KR102249284B1 (ko) * 2014-12-12 2021-05-07 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR102294835B1 (ko) * 2015-01-13 2021-08-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102334808B1 (ko) * 2015-04-30 2021-12-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
CN106094357B (zh) * 2016-08-08 2019-01-04 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板以及液晶显示面板

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7633595B2 (en) * 2003-12-30 2009-12-15 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display panel having dummy color filter and fabricating method thereof
TWI272439B (en) * 2004-03-09 2007-02-01 Sharp Kk Liquid crystal display device
TWI349800B (en) * 2005-08-18 2011-10-01 Toshiba Matsushita Display Tec Liquid crystal display device
TW201520663A (zh) * 2008-11-28 2015-06-01 Semiconductor Energy Lab 液晶顯示裝置
TWI484255B (zh) * 2009-01-30 2015-05-11 Semiconductor Energy Lab 液晶顯示裝置
TWI541601B (zh) * 2011-08-17 2016-07-11 Jsr股份有限公司 彩色濾光片、液晶顯示元件及彩色濾光片的製造方法
TW201405818A (zh) * 2012-05-31 2014-02-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置

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