CN108069456A - 一种碲化镉的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种碲化镉的制备方法,它包括合成和净化两个步骤,首先将碲、镉原料混合装入石英舟中,再将石英舟放入石英管装入到区域熔炼炉中进行加热合成反应,反应完成后再将粗品破碎装入石英管中,封管抽真空装进垂直凝固炉中,加热去除杂质后即得。本发明在合成步骤中使用区域熔炼炉对其进行加热,可以使碲化镉合成反应控制在小范围内,使反应剧烈程度得到有效控制,加以净化步骤,在去除轻质元素杂质的同时能进一步反应合成反应中未反应的碲、镉单质,从而提高产品的纯度和原料利用率。

Description

一种碲化镉的制备方法
技术领域
本发明涉及一种碲化镉的制备方法,属于半导体材料制备技术领域。
背景技术
碲化镉是一种由碲和镉合成的半导体材料,其具有理想的禁带宽度,一般为1.45ev,其光谱响应与太阳的光谱非常匹配,所以其可以作为碲化镉薄膜电池的吸收层材料;碲化镉薄膜太阳能电池具有较高的理论转化率,目前我国碲化镉薄膜太阳能电池正在迅速发展中。
目前碲化镉的制备存在多种方法,主要是采用碲粉和镉粉混合合成。其中专利CN104860272公开了一种碲化镉制备方法,该方法是将碲粉和镉粉按摩尔比1:1进行混合,混合后压制成坯块,将所制的坯块引发高温自蔓延合成,反应完成后,冷却后取出产品。其中专利CN103373715B公开了一种碲化镉制备方法,该方法是将碲和镉按规定摩尔比进行混合,将混合物料装入石墨筒中,再将石墨筒装入石英管再整体抽真空封管,再将石英管放入垂直梯度凝固炉中,经过多段升温方式加热保温,待反应完成后冷却至室温即可取出产品。以上专利公开的方法均不能使高温下的碲镉合成反应得到有效控制,可能出现反应过于剧烈导致物料的损失从而引起碲镉比的失衡,产生碲镉单质,最终会影响产品的质量。
发明内容
有鉴于此,针对现有技术的不足,本发明提供一种碲化镉的制备方法,有效控制了碲镉的合成反应速率,提高了原料利用率,并且有效减少了碲化镉产品中轻质元素的杂质含量,提高了产品质量。
为解决以上技术问题,本发明的技术方案采用了一种碲化镉的制备方法,它包括下述两个步骤:
(1)合成步骤:按照规定摩尔比称取所需的碲、镉原料,将称量好的碲、镉原料分多次交叉装入石英舟中,将装好原料的石英舟放入石英管装入到区域熔炼炉中;然后通入保护性气体排除石英管中的空气,空气排除后通入还原性气体;接着区域熔炼炉加热模块按照设定的升温速率加热升温,升温到碲化镉合成温度后,区域熔炼炉加热模块开始以设定速度移动,完成一次往复后停止;合成完成后,待石英舟冷却到可操作温度后取出石英舟中的碲化镉,破碎;
(2)净化步骤:将步骤(1)中破碎的碲化镉装入石英管中,将石英管抽真空并封管;将封管后的石英管装进垂直凝固炉中,加热到规定温度后保温一段时间后使石英管随炉冷却;冷却后取出石英管打开,去除石英管上部分的轻质杂质蒸发物后,石英管下部分的物质即为本发明制备的碲化镉合成物。
进一步的,上述步骤(1)中碲镉的摩尔比为1︰(1.05~1.10)。
进一步的,上述步骤(1)中石英管中通入的保护性气体为氮气或氩气,还原性气体为氢气。
进一步的,上述步骤(1)中区域熔炼炉加热模块的升温速率为300~400℃/h,移动速率为4~12cm/h。
进一步的,上述步骤(1)中碲化镉的合成温度为800~1020℃。
进一步的,上述步骤(1)中碲化镉的破碎粒度应小于8mm。
进一步的,上述步骤(2)中装入石英管中的碲化镉不超过石英管总长度的1/4。
进一步的,上述步骤(2)中垂直凝固炉的加热规定温度为920~1040℃。
进一步的,上述步骤(2)中石英管在垂直凝固炉中的保温时间为180min。
本发明所用石英舟也可用石墨舟代替;碲原料和镉原料的纯度在4N以上,粒度小于5mm;净化步骤中,清理石英管上部分的杂质应清理干净,避免污染下部分的碲化镉产品,得到的石英管下部分的碲化镉合成物,可根据需要进行破碎和筛分,获得不同粒度的碲化镉产品。
与现有技术相比,本发明在合成步骤中使用区域熔炼炉对其进行加热,可以使碲化镉合成反应控制在小范围内,使反应剧烈程度得到有效控制,加以净化步骤,在去除轻质元素杂质的同时能进一步反应合成反应中未反应的碲、镉单质,从而提高产品的纯度和原料利用率。
附图说明
图1为本发明所用石英舟的结构示意图。
具体实施方式
为了使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。
下述实施例1至3中所用的碲原料和镉原料的纯度在4N以上,粒度小于5mm。所用石英舟的结构见图1所示。
实施例1(本发明优选实施方法):
一种碲化镉的制备方法,包括下述两个步骤:
(1)合成步骤:按照碲镉摩尔比1︰1.05称取所需的碲、镉原料共500g,将称量好的碲、镉原料分多次交叉装入石英舟中,将装好原料的石英舟放入石英管装入到区域熔炼炉中;然后通入氮气排除石英管中的空气,空气排除后通入还原性气体氢气;接着区域熔炼炉加热模块按照300℃/h的升温速率加热升温,升温到碲化镉合成温度800℃后,区域熔炼炉加热模块开始以4cm/h的速度移动,完成一次往复后停止;合成完成后,待石英舟冷却到可操作温度后取出石英舟中的碲化镉,破碎,破碎粒度应小于8mm;
(2)净化步骤:将步骤(1)中破碎的碲化镉装入石英管中,碲化镉的装载量不超过石英管总长度的1/4,将石英管抽真空并封管;将封管后的石英管装进垂直凝固炉中,加热到920℃温度后保温180min后使石英管随炉冷却;冷却后取出石英管打开,去除石英管上部分的轻质杂质蒸发物后,得到石英管下部分的物质即为本发明制备的碲化镉合成物共493.3g。
实施例2(本发明优选实施方法):
一种碲化镉的制备方法,包括下述两个步骤:
(1)合成步骤:按照碲镉摩尔比1︰1.1称取所需的碲、镉原料共500g,将称量好的碲、镉原料分多次交叉装入石英舟中,将装好原料的石英舟放入石英管装入到区域熔炼炉中;然后通入氩气排除石英管中的空气,空气排除后通入还原性气体氢气;接着区域熔炼炉加热模块按照400℃/h的升温速率加热升温,升温到碲化镉合成温度1020℃后,区域熔炼炉加热模块开始以12cm/h的速度移动,完成一次往复后停止;合成完成后,待石英舟冷却到可操作温度后取出石英舟中的碲化镉,破碎,破碎粒度应小于8mm;
(2)净化步骤:将步骤(1)中破碎的碲化镉装入石英管中,碲化镉的装载量不超过石英管总长度的1/4,将石英管抽真空并封管;将封管后的石英管装进垂直凝固炉中,加热到1040℃温度后保温180min后使石英管随炉冷却;冷却后取出石英管打开,去除石英管上部分的轻质杂质蒸发物后,得到石英管下部分的物质即为本发明制备的碲化镉合成物共492.6g。
实施例3(无净化步骤的碲化镉制备方法):
一种碲化镉的制备方法,它是按照碲镉摩尔比1︰1.05称取所需的碲、镉原料共500g,将称量好的碲、镉原料分多次交叉装入石英舟中,将装好原料的石英舟放入石英管装入到区域熔炼炉中;然后通入氮气排除石英管中的空气,空气排除后通入还原性气体氢气;接着区域熔炼炉加热模块按照300℃/h的升温速率加热升温,升温到碲化镉合成温度800℃后,区域熔炼炉加热模块开始以4cm/h的速度移动,完成一次往复后停止;合成完成后,待石英舟冷却到可操作温度后取出石英舟中合成的碲化镉成品495g。
实施例4(现有技术专利CN103373715B公开的碲化镉制备方法):
将5N镉锭和5N碲块按1∶1.05的摩尔比例称取物料共500g装入石墨筒中,把石墨筒放入石英管中,拿到封管炉里抽真空封管,其中抽真空获得的真空度为4.0×10-3Pa。把封好的石英管装进VGF炉里,升温加热。升温加热程序为分段加热保温,最高温升至1050℃,在1050℃下保温3h。具体为,25min从室温升至300℃,300℃下保温10min;之后,25min升至500℃,500℃下保温6h;之后,30min升至700℃,700℃保温8h;之后,4h升至1050℃,1050℃下保温3h。升温加热程序执行完毕以后,随炉冷却至室温,打开石英管,从石墨筒中取出合成反应获得的5N碲化镉物料490g。
最后将上述实施例1至4中得到的碲化镉物料进行杂质元素含量检测,检测方法采用电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)进行检测,II),该设备的检测条件为:温度为18℃-28℃,相对湿度为30-70%,洁净度为1000级。检测原理:电感耦合等离子体质谱仪检测方式:待测元素经过等离子体高温电离后,以正电荷形式进入质量分析器,根据质量/电荷比的差异,被检测器接收,产生信号。待测元素产生的信号和标准物质该元素信号比值得出待测元素含量。具体结果见下表所示:
从上表中可以看出,实施例1和2的杂质元素含量低于实施例3和实施例4,本发明方法制备得到的碲化镉产品的纯度更高,此外从实施例1和2的原料重量和获得的碲化镉重量看,可以实现高收率的碲化镉产品制备。
综上,本发明在合成步骤中使用区域熔炼炉对其进行加热,可以使碲化镉合成反应控制在小范围内,使反应剧烈程度得到有效控制,加以净化步骤,在去除轻质元素杂质的同时能进一步反应合成反应中未反应的碲、镉单质,从而提高产品的纯度和原料利用率。
应当指出的是,上述实施方式不应视为对本发明的限制,本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明的精神和范围内,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种碲化镉的制备方法,其特征在于:包括下述步骤:
(1)合成步骤:按照规定摩尔比称取所需的碲、镉原料,将称量好的碲、镉原料分多次交叉装入石英舟中,将装好原料的石英舟放入石英管装入到区域熔炼炉中;然后通入保护性气体排除石英管中的空气,空气排除后通入还原性气体;接着区域熔炼炉加热模块按照设定的升温速率加热升温,升温到碲化镉合成温度后,区域熔炼炉加热模块开始以设定速度移动,完成一次往复后停止;合成完成后,待石英舟冷却到可操作温度后取出石英舟中的碲化镉,破碎;
(2)净化步骤:将步骤(1)中破碎的碲化镉装入石英管中,将石英管抽真空并封管;将封管后的石英管装进垂直凝固炉中,加热到规定温度后保温一段时间后使石英管随炉冷却;冷却后取出石英管打开,去除石英管上部分的轻质杂质蒸发物后,石英管下部分的物质即为本发明制备的碲化镉合成物。
2.根据权利要求1所述的一种碲化镉的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中碲镉的摩尔比为1︰(1.05~1.10)。
3.根据权利要求1所述的一种碲化镉的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中石英管中通入的保护性气体为氮气或氩气,还原性气体为氢气。
4.根据权利要求1所述的一种碲化镉的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中区域熔炼炉加热模块的升温速率为300~400℃/h,移动速率为4~12cm/h。
5.根据权利要求1所述的一种碲化镉的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中碲化镉的合成温度为800~1020℃。
6.根据权利要求1所述的一种碲化镉的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中碲化镉的破碎粒度应小于8mm。
7.根据权利要求1所述的一种碲化镉的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中装入石英管中的碲化镉不超过石英管总长度的1/4。
8.根据权利要求1所述的一种碲化镉的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中垂直凝固炉的加热规定温度为920~1040℃。
9.根据权利要求1所述的一种碲化镉的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中石英管在垂直凝固炉中的保温时间为180min。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111204718A (zh) * 2020-02-28 2020-05-29 盱眙新远光学科技有限公司 一种碲化镉晶体的低温液相制备方法
CN112194105A (zh) * 2020-10-13 2021-01-08 昆明理工大学 一种碲化镉的制备方法
CN116022743A (zh) * 2022-12-12 2023-04-28 先导薄膜材料(广东)有限公司 一种三碲化二锑及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5141721A (en) * 1990-12-07 1992-08-25 Korea Institute Of Science And Technology Apparatus for growing a single crystal of a semiconductor compound by using a horizontal zone melt technique
CN1643189A (zh) * 2002-03-14 2005-07-20 Axt公司 用于生长ⅱ-ⅵ族和ⅲ-ⅴ族化合物单晶体的装置
CN103183322A (zh) * 2011-12-28 2013-07-03 广东先导稀材股份有限公司 高纯碲的制备方法
CN103274372A (zh) * 2013-06-18 2013-09-04 广东先导稀材股份有限公司 碲化镉的制备方法
CN103420346A (zh) * 2012-05-22 2013-12-04 广东先导稀材股份有限公司 碲化镉的制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5141721A (en) * 1990-12-07 1992-08-25 Korea Institute Of Science And Technology Apparatus for growing a single crystal of a semiconductor compound by using a horizontal zone melt technique
CN1643189A (zh) * 2002-03-14 2005-07-20 Axt公司 用于生长ⅱ-ⅵ族和ⅲ-ⅴ族化合物单晶体的装置
CN103183322A (zh) * 2011-12-28 2013-07-03 广东先导稀材股份有限公司 高纯碲的制备方法
CN103420346A (zh) * 2012-05-22 2013-12-04 广东先导稀材股份有限公司 碲化镉的制备方法
CN103274372A (zh) * 2013-06-18 2013-09-04 广东先导稀材股份有限公司 碲化镉的制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
A.ZAIOUR等: "Electrical Properties Study of Three Highly Purified CdTe Ingots", 《PHYSICS PROCEDIA》 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111204718A (zh) * 2020-02-28 2020-05-29 盱眙新远光学科技有限公司 一种碲化镉晶体的低温液相制备方法
CN112194105A (zh) * 2020-10-13 2021-01-08 昆明理工大学 一种碲化镉的制备方法
CN116022743A (zh) * 2022-12-12 2023-04-28 先导薄膜材料(广东)有限公司 一种三碲化二锑及其制备方法

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