CN108028031B

CN108028031B - 薄膜晶体管阵列及其制造方法

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Publication number: CN108028031B
Application number: CN201680053528.2A
Authority: CN
Inventors: 石崎守
Original assignee: Toppan Printing Co Ltd
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 2015-09-15
Filing date: 2016-09-08
Publication date: 2020-11-06
Anticipated expiration: 2036-09-08
Also published as: US10634963B2; CN108028031A; EP3352157B1; JP2017058458A; JP6597097B2; EP3352157A1; EP3352157A4; WO2017047051A1; US20180203270A1

Abstract

本发明提供能够使源极布线及栅极布线的一方的信号数设为少于一半的薄膜晶体管阵列。薄膜晶体管阵列在绝缘基板上配置有多个栅极布线、多个源极布线以及作为像素以矩阵状配置有多个的晶体管，该晶体管形成在该栅极布线及源极布线的各交点附近，栅电极与所述栅极布线连接，源电极与所述源极布线连接，漏电极与像素电极连接，其中，多个源极布线分别与配置在规定列中的所述像素连接，多个栅极布线的至少一部分分别具有与由规定行的连续的恒定数量的所述像素构成的像素群、与配置有与所述规定行相邻的行的所述像素群的列相邻地连续的列的像素群连接的部分。

Description

薄膜晶体管阵列及其制造方法

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管阵列及其制造方法。

背景技术

以将半导体本身作为基板的晶体管或集成电路技术为基础，在玻璃基板上制造非晶硅(a－Si)或多晶硅(poly－Si)的薄膜晶体管(Thin Film Transistor：TFT)，应用于液晶显示器等中。TFT发挥开关的作用，在通过向栅极布线提供的选择电压而使TFT导通了时，将向源极布线提供的信号电压写入与漏电极连接的像素电极。所写入的电压被保持于由像素电极/栅极绝缘膜/电容器电极构成的蓄积电容器。(在TFT阵列的情况下，源极和漏极的作用根据写入的电压的极性而变化，因此，动作中名称不被决定。于是，方便起见，而将一方称作源极，将另一方称作漏极，这样来统一称呼。本发明中，将与布线连接的那方称作源极，将与像素电极连接的那方称作漏极)。其中，在此，电容器电极不是必须的，也能够将显示介质(在此为液晶)的电容作为蓄积电容器而使用。

近年来，有机半导体及氧化物半导体登场，示出了能够在200℃以下的低温制成TFT的特性，对使用了塑料基板的挠性显示器的期待高涨。除了挠性这样的优点之外，还可以期待可实现轻型、不易损坏、薄型化的优点。此外，通过印刷来形成TFT，由此能够期待以低价实现大面积的显示器。

然而，在显示器的纵横的像素数较大地不同的情况下，源极驱动器或者栅极驱动器的一方被大量地需要，另一方仅被使用于少数的输出，存在导致成本增加的问题。一般而言，将纵布线和横布线之中较多的那方设为源极布线，因此，源极驱动器被大量地需要，栅极驱动器仅被使用于少数的输出。例如在像素数为1200×100的情况下，若设为想要使用输出数为400的源极驱动器和输出数为300的栅极驱动器，则需要3个源极驱动器、1个栅极驱动器。

作为解决这样的问题的方法，对2个源极布线连接共用的源极信号，对连接有共用的源极信号的晶体管连接不同的栅极布线，由此，能够使需要的源极信号的数量成为一半，使需要的栅极信号的数量成为2倍(专利文献1)。但是，在专利文献1中，栅极布线间距成为像素间距的一半，需要在1像素内穿过2根栅极布线。

作为消除上述问题的方法，有从显示部的对置的两边连接栅极布线的方法(图8)。但是，图8中，示出了栅极布线以及源极布线，省略了存在于交点处的晶体管以及像素电极的图示。将栅极布线，在像素部的左半部从左开始进行布线，在右半部从右开始进行布线，因此，无需在1像素中穿过2根栅极布线，只要在1像素中穿过1根栅极布线即可。

但是，这些方法中，仅仅是使源极信号数成为一半而已，无法进一步减少。例如在像素数为1200×100的情况下，若想要使用输出数为400的源极驱动器和输出数为300的栅极驱动器，则需要有2个源极驱动器、1个栅极驱动器。

这样，在纵横的像素数较大地不同的情况下，很难高效地组合使用源极驱动器以及栅极驱动器。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:特开平4－360127公报。

发明内容

发明要解决的课题

本发明鉴于该现有技术的状况而做出，课题在于提供一种将源极布线以及栅极布线的一方的需要信号数设为比一半小的薄膜晶体管阵列。此外，课题在于提供一种适于该薄膜晶体管阵列的制造方法。

用于解决课题的手段

用于解决上述课题的本发明的一方面为一种薄膜晶体管阵列，在绝缘基板上具有多个栅极布线、多个源极布线、以及作为像素以矩阵状配置有多个的晶体管，该晶体管形成在该栅极布线及源极布线的各交点附近，栅电极与栅极布线连接，源电极与源极布线连接，漏电极与像素电极连接，其中，多个源极布线分别与配置在规定列中的像素连接，多个栅极布线的至少一部分分别具有与由规定行的连续的恒定数量的像素构成的像素群、与配置有与规定行相邻的行的像素群的列相邻地连续的列的像素群连接的部分。

此外，也可以是，像素数配置成M列×N行，i个源极布线上连接有共用的源极信号，共用的源极信号所连接的像素上连接有不同的栅极布线，由此，需要的源极信号的数量为M/i，需要的栅极信号的数量为N×i，其中，i为2以上的整数。

此外，也可以是，将上述恒定数量设为k时，k为1以上，M/(i×N)以下。

此外，也可以是，像素的配置为等间距。

此外，也可以是，还具有：半导体图案，形成在源电极与漏电极之间；以及绝缘膜，至少覆盖半导体图案、源电极以及源极布线，在像素电极上具有开口，半导体图案为与源极布线平行的条纹状，由在相同列中排列的多个像素共用。

此外，也可以是，还具有：上部像素电极，经由开口而与像素电极连接。

此外，本发明的其他方面为一种薄膜晶体管阵列的制造方法，至少包括：在绝缘基板上形成栅电极、与栅电极连接的栅极布线、电容器电极、与电容器电极连接的电容器布线的工序；在绝缘基板、栅电极、栅极布线、电容器电极、电容器布线之上形成栅极绝缘膜的工序；在栅极绝缘膜之上形成源电极、与源电极连接的源极布线、漏电极、与漏电极连接的像素电极的工序；在源电极与漏电极之间形成半导体图案的工序；以及形成至少覆盖半导体图案、源电极以及源极布线且在像素电极上具有开口的绝缘膜的工序；形成栅电极、与栅电极连接的栅极布线、电容器电极、与电容器电极连接的电容器布线的工序包括：形成为包含使栅极布线及电容器布线的至少一部分按照每恒定像素数分别错开1行的部分的形状的工序，源电极、与源电极连接的源极布线、漏电极、与漏电极连接的像素电极的工序包括以使源极布线沿着列方向排列的方式印刷电极用油墨的工序。

此外，也可以是，形成半导体图案的工序包括将半导体用油墨以与源极布线平行的条纹状进行印刷的工序。

发明效果

通过以上的说明可以理解，本发明中具有以下的效果。其一为，能够提供能够减少需要的源极信号数的薄膜晶体管阵列。另一为，能够容易地通过印刷来制造薄膜晶体管阵列。

附图说明

图1是表示本发明的一实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的俯视图。

图2是表示用于对薄膜晶体管阵列进行驱动的图像数据的一例的图。

图3A是表示本发明的一实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的制造工序的俯视图。

图3B是表示本发明的一实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的制造工序的俯视图。

图3C是表示本发明的一实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的制造工序的俯视图。

图3D是表示本发明的一实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的制造工序的俯视图。

图3E是表示本发明的一实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的制造工序的俯视图。

图3F是表示本发明的一实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的制造工序的俯视图。

图4A是表示本发明的一实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的制造工序的俯视图。

图4B是表示本发明的一实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的制造工序的俯视图。

图4C是表示本发明的一实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的制造工序的俯视图。

图4D是表示本发明的一实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的制造工序的俯视图。

图4E是表示本发明的一实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的制造工序的俯视图。

图4F是表示本发明的一实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列的制造工序的俯视图。

图5是表示图像显示装置的一例的截面图。

图6是表示现有技术所涉及的薄膜晶体管阵列的俯视图。

图7是表示用于对现有技术所涉及的薄膜晶体管阵列进行驱动的图像数据的一例的图。

图8是表示现有技术所涉及的薄膜晶体管阵列的俯视图。

图9是表示用于对现有技术所涉及的薄膜晶体管阵列进行驱动的图像数据的一例的图。

图10是表示对现有技术的课题进行表示的薄膜晶体管阵列的俯视图。

图11是表示对现有技术的课题进行表示的薄膜晶体管阵列进行驱动的图像数据的一例的图。

具体实施方式

以下参照附图来详细地说明本发明的实施方式。另外，以下参照的附图中，为了便于说明，并未正确地描画比例尺。此外，“行”是指沿着各图的纸面左右方向排列的像素30的一群，“列”是指沿着纸面上下方向排列的像素30的一群。

图1示出了对本发明的一实施方式所涉及的薄膜晶体管阵列20进行表示的俯视图，图3A～图3F示出了薄膜晶体管阵列20的制造工序，图4A～图4F示出了将4个像素放大来表示制造工序的俯视图。薄膜晶体管阵列20如图1、图3A～图3F以及图4A～图4F所示，是将具备栅电极2、源电极4、漏电极5、与漏电极5连接的像素电极7的像素30在绝缘基板1上以矩阵状排列多个、并通过多个栅极布线G以及多个源极布线S进行了连接的薄膜晶体管阵列20，源极布线分别与配置于相同列的像素30连接，栅极布线的一部分具有与由在规定行中排列配置的恒定数量的像素30构成的像素群30’、以及在与规定行相邻的行中与像素群30’的行方向相邻的其他像素群30’连接的部分。在此，源极布线S与源极驱动器连接，栅极布线G与栅极驱动器连接。若将像素的排列设为M列×N行的长方形，则i个源极布线S上连接有共用的源极信号，连接有共用的源极信号S的像素30上连接着不同的栅极布线G，由此，需要的源极信号的数量成为M/i，需要的栅极信号的数量成为N×i(其中，i为2以上的整数)。图1中，M＝24，N＝4，i＝3。在此为了使图易懂，M及N设为较小的值。但是，图1中，仅示出了栅极布线G以及源极布线S，省略了在交点处存在的像素电极7等的图示。

另外，在图1、图3A～图3F以及图4A～图4F中，栅极布线G成为向右下方错开的形状，但是也可以是向右上方错开。此外，在此为从右侧向栅极布线G进行给电，但是也可以是从左侧。

在此，对现有技术进行说明。图6、7中分别示出了表示现有技术所涉及的薄膜晶体管阵列的俯视图、以及用于对其进行驱动的图像数据的一例。在像素数24×4点的情况下，在以往的基本构成中，如图6那样，使用源极输出24根、栅极输出4根。图像数据为图7那样的24×4点。

在图8、9中分别示出了表示现有技术所涉及的其他薄膜晶体管阵列的俯视图、以及用于对其进行驱动的图像数据的一例。在像素数24×4点的情况下，在以往的将源极布线设为一半的构成中，如图8那样，使用了源极输出12根、栅极输出8根。图像数据为图9那样的12×8点。

在图10、11中分别示出了表示现有技术的课题的薄膜晶体管阵列的俯视图、以及用于进行驱动的图像数据的一例。在像素数24×4点的情况下，若用以往的方法的单纯的延长而将源极布线设为三分之一，则如图10那样，感觉似乎可以是使用源极输出8根、栅极输出12根，然而，需要有用于对中央部的栅极布线群进行拉引的区域，在图10中，从左侧起三分之二的部分产生了非显示部，无法使用。图像数据成为图11那样的8×12点。

相对于以上那样的现有技术或现有技术的延长，在图1所示的薄膜晶体管阵列20中，源极布线S与同列的像素30连接，栅极布线G基本上与行平行但是按照每恒定的像素数分别错开各1行地连接，由此，能够将栅极布线G一根一根地从显示区域引出。如图3A～图3F以及图4A～图4F所示那样，通过使栅极布线G、电容器布线C仅错开1行，进入到相邻像素间的纵向的栅极布线G和电容器布线C仅是1像素的量、即各1根，因此，能够将它们收纳在电容器电极C与栅电极G之间。因此，不会产生图10那样的非显示区域，能够将像素30维持等间距地将源极布线数减少为i分之1(其中，i为2以上的整数)。另外，在i为2的情况下，通过图8的方法也不会产生非显示区域，但是存在除此以外的优点。即，在图8的方法中，在显示部的左右两方需要栅极布线群，因此，存在在显示部的左右、边框(显示部的周围需要的非显示部)变大的问题。但是，在薄膜晶体管阵列20中，从左右的一方(图1中为左侧)的栅极给电是不需要的，能够减小该一方的边框。

另外，在此将像素群30’的恒定的像素数设为k时，优选k为M/(i×N)以下。于是，1根栅极布线G在显示区域内重叠的源极布线S为M/i根以下，因此，能够使用可确保M/i根输出数的源极驱动器。例如在M＝24、N＝4、i＝3的情况下，k为2以下，因此，栅极布线G每2像素改变行即可。能够通过源极输出数8、栅极输出数12进行驱动。此外，例如在M＝1200、N＝100、i＝3的情况下，成为M/i＝400、N×3＝300，如果使用输出数400的源极驱动器和输出数300的栅极驱动器，则1个源极驱动器、1个栅极驱动器即可。该情况下，k为4以下，栅极布线每4列错开1行即可。

另外，k也可以不是整数。例如在M＝1600、N＝75、i＝4的情况下，成为M/i＝400、N×i＝300、k＝16/3＝5.33···，例如栅极布线G反复(每5列错开1行，每5列错开1行，每6列错开1行)，平均每16/3列错开1行，这样即可。即，为了易懂而记载为“恒定的像素数k”，但是并不需要完全是恒定的，平均为k以下即可。

此外，k优选为1以上。在k小于1的情况下，会产生栅极布线G错开各2行的部分，因此，收纳在相邻像素间的纵向的栅极布线G和电容器布线C成为2像素的量、即各2根，很难将它们收纳在电容器电极10与栅电极2之间。

然而，在图1的薄膜晶体管阵列20中，栅极布线G稍微复杂，相应地，驱动图像数据需要调整。即，与栅极布线G错开相应地，需要使图像数据错开。在图1的薄膜晶体管阵列20的情况下，使用图2那样的图像即可。将图7的图像加工成图2那样是非常容易的。

对图3A～图3F以及图4A～图4F进行说明。这些是图1所示的薄膜晶体管阵列20的更具体的例子。

图3A～图3F示出了将图1的显示部之中的右11列按照制造工序的顺序进行表示的情况。图4A～图4F是将进一步放大的4个像素按照制造工序的顺序进行表示的图。薄膜晶体管阵列20是在与栅电极2同一层具有电容器电极10的构造，但是不限于该构造，也可以是不具有电容器电极10的构造、在与栅电极2不同的层具有电容器电极10的构造。图3A示出了在绝缘基板1上形成了栅极布线G2～G10(以下总称为栅极布线G)以及与其连接的栅电极2、电容器布线C以及与其连接的电容器电极10的状态。图4A示出了在绝缘基板1上形成了栅极布线G以及与其连接的栅电极2、电容器布线C以及与其连接的电容器电极10的状态。

图3B示出了在图3A所示的状态的基础上整面地形成栅极绝缘膜3，进而形成了源极布线S1～S8(以下总称为源极布线S)以及与其连接的源电极4(但是，在该例的晶体管中，源极布线S兼做源电极4)、漏电极5以及像素电极7的状态。图4B示出了在图4A所示的绝缘基板1、栅极布线G、栅电极2、电容器布线C以及电容器电极10之上整面地形成栅极绝缘膜3、进而形成了源极布线S以及与其连接的源电极4(该例的晶体管中源极布线S兼做源电极4)、漏电极5以及像素电极7的状态。

图3C以及图4C示出了在源电极4及漏电极5之间形成了半导体图案6的状态。半导体图案6以与源极布线S平行的条纹状，形成于在相同的列中排列的多个像素30上。但是，该条纹形状是为了使半导体图案6的形成变容易的构造。半导体图案6也可以按照各像素独立。

图3D以及图4D示出了在半导体图案6之上形成了保护层6’的状态。其中，保护层6’用于防止后述的绝缘膜8给半导体图案6带来负面影响，在没有负面影响的情况下是不需要的。

图3E以及图4E示出了在保护层6’、源电极4、漏电极5之上形成了绝缘膜8的状态。绝缘膜8至少对半导体图案6、源电极4、源极布线S、像素电极7进行覆盖，在像素电极7上具有开口。绝缘膜8用于避免源极布线S或源电极4对显示带来影响，至少需要对源极布线S和源电极4进行覆盖。

图3F以及图4F示出了在绝缘膜8之上形成了上部像素电极9的状态。上部像素电极9经由绝缘膜8的开口与像素电极7连接。该上部像素电极9在后述的图像显示装置中作为用于改变显示介质的颜色的像素电极21而起作用。其中，可以省略上部像素电极9。该情况下，绝缘膜8的开口内的像素电极7作为用于改变显示介质13的颜色的像素电极21而起作用。

作为绝缘基板1，能够使用玻璃等无机物、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯、聚酰亚胺(PI)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚苯乙烯(PS)、聚氯乙烯(PVC)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、尼龙(Ny)、环氧等有机物。作为栅电极2、栅极布线G、电容器电极10、电容器布线C，能够使用Al、Ag、Cu、Cr、Ni、Mo、Au、Pt等金属、ITO等导电性氧化物、碳、导电性高分子等。作为制法，可以对油墨进行印刷·烧制，也可以通过在整面成膜后进行光刻·蚀刻·抗蚀剂剥离来形成。或者，在整面成膜后通过抗蚀剂印刷·蚀刻·抗蚀剂剥离来形成。作为栅极绝缘膜3，可以使用SiO₂、SiON、SiN等无机物、聚乙烯苯酚(PVP)、环氧等有机物。作为制法，能够通过溅射、CVD等真空成膜、溶液的涂敷·烧制来获得。作为源电极4、源极布线S、漏电极5、像素电极7，能够使用Ag、Cu、Cr、Ni、Mo、Au、Pt、Al等金属、ITO等导电性氧化物、碳、导电性高分子等。作为制法，可以在整面成膜后通过光刻·蚀刻·抗蚀剂剥离来形成，但优选对油墨进行印刷·烧制而制成。作为印刷方法，优选胶版印刷。在胶版印刷中包含反转胶版印刷、凹版印刷。作为半导体图案6，可以使用聚噻吩系、并苯系、烯丙胺系等有机半导体、In₂O₃系、Ga₂O₃系、ZnO系、SnO₂系、InGaZnO系、InGaSnO系、InSnZnO系等氧化物半导体。作为制法，优选对溶液通过进行喷墨、分配、凸版印刷等来进行印刷·烧制的方法。作为保护层6’，优选氟类树脂、聚乙烯醇等。作为制法，优选为对溶液通过网版印刷、喷墨、分配，凸版印刷等进行印刷·烧制的方法。作为绝缘膜8，可以使用环氧、丙烯等树脂、光致抗蚀剂等。作为制法，可以使用胶版印刷，但是优选为网版印刷或凹版印刷。作为上部像素电极9，优选Ag焊料或C焊料等。作为制法，可以使用网版印刷或凹版印刷。

图5是表示使用了薄膜晶体管阵列20的图像显示装置的说明图。通过在如图3A～图3F或图4A～图4F那样制成的薄膜晶体管阵列20与在另外的基板11上形成的对置电极12之间夹着显示介质13，构成图像显示装置。显示介质13的显示状态由于薄膜晶体管阵列20的像素电极21与另外的基板11上的对置电极12之间的电场而变化，能够显示图像。该像素电极21，在具有上述的上部像素电极9的构造中为上部像素电极9，在不具有上部像素电极9的构造的情况下为绝缘膜8的开口内的像素电极7。

作为另外的基板11，可以使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯、聚酰亚胺(PI)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚苯乙烯(PS)、聚氯乙烯(PVC)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、尼龙(Ny)、环氧等有机物。作为对置电极12，可以使用ITO、IZO、聚苯胺、PEDOT：PSS等透明电极。作为显示介质13，优选使用液晶、光致变色介质、电泳体等。液晶优选为聚合物分散液晶。电泳体中优选为，使带电的2色的粒子分散在液体中的胶囊、使带电的1色的粒子在着色液中分散的构成、使带电的2色的粒子与气体一起封闭起来的构成等。

实施例

(实施例1)

对本发明的实施例1，使用图4A～图4F进行说明。对图4E所示的薄膜晶体管阵列20，利用图4A～图4F所示的工序进行了制成。其中，像素数为1200×100。首先，在作为绝缘基板1的PEN上，通过蒸镀将Al成膜出50nm，通过光刻以及湿式蚀刻形成了栅电极2、栅极布线G、电容器电极10、电容器布线C(图4A)。此时，栅极布线G以及电容器布线C成为每4列错开1行的形状。接下来，对聚乙烯苯酚溶液进行旋涂，进行150℃烧制，由此，作为栅极绝缘膜3而形成了1μm的聚乙烯苯酚。进而，作为源电极4、源极布线S、漏电极5、像素电极7，对Ag油墨进行胶版印刷，并以180℃进行烧制，由此形成了图案(图4B)。

进而，对聚噻吩溶液进行凸版印刷，进行100℃烧制，由此形成了半导体层6(图4C)。接下来，对氟树脂进行网版印刷，进行100℃烧制，由此形成了保护层6’(图4D)。

然后，对环氧进行网版印刷，进行100℃烧制，由此形成了在像素电极7上具有开口的绝缘膜8(图4E)。

对这样制成的薄膜晶体管阵列20，在作为另外的基板11的PET上作为对置电极12而安装ITO，作为显示介质13而粘贴涂覆了聚合物分散液晶的构成，形成了图像显示装置(图5)。将源极驱动器数设为1200列的3分之1即400个，将栅极驱动器数设为100行的3倍即300个，进行了图像显示。

(实施例2)

对本发明的实施例2，使用图4A～图4F进行说明。对图4F所示的薄膜晶体管阵列，利用图4A～图4F的工序进行了制成。但是，像素数为1600×75。首先，在作为绝缘基板1的PEN上，作为栅电极2、栅极布线G、电容器电极10、电容器布线C，通过对Ag油墨进行胶版印刷并以180℃进行烧制，而形成了图案(图4A)。此时，栅极布线G以及电容器布线C为反复(每5列错开1行，每5列错开1行，每6列错开1行)的形状。接下来，对聚乙烯苯酚溶液进行旋涂，进行150℃烧制，由此，作为栅极绝缘膜3而形成了1μm的聚乙烯苯酚。进而，作为源电极4、源极布线S、漏电极5、像素电极7，对Ag油墨进行胶版印刷，以180℃进行烧制，由此形成了图案(图4B)。

然后，对环氧进行网版印刷，进行100℃烧制，由此，形成了在像素电极7上具有开口的绝缘膜8(图4E)。进而，对Ag焊料进行网版印刷，进行100℃烧制，由此形成了上部像素电极9(图4F)。

对这样制成的薄膜晶体管阵列20，在作为另外的基板11的PET上作为对置电极12而安装ITO，作为显示介质13而粘贴涂覆了聚合物分散液晶的构成，形成了图像显示装置(图5)。将源极驱动器数设为1600列的4分之1即400个，将栅极驱动器数设为75行的4倍即300个，进行了图像显示。

如以上说明那样，根据本发明，能够将薄膜晶体管阵列的需要的源极信号数设为i分之1，将需要的栅极信号数设为i倍(i为2以上)，例如，在纵横的像素数较大地不同的情况下，能够调整源极驱动器以及栅极驱动器的各自的需要信号数，能够高效地组合它们来利用。此外，能够使用印刷容易地制造薄膜晶体管阵列，能够提供低价的图像显示装置。此外，还可以调换源极布线和栅极布线而构成。

工业上的利用可能性

本发明的薄膜晶体管阵列能够适用于液晶，光致变色介质，电泳体等各种显示介质。特别是在纵横的像素数较大地不同情况下是有用的。此外，在印刷法的制造中是有用的。

附图标记的说明

1 绝缘基板

2 栅电极

G(G1～G12) 栅极布线

3 栅极绝缘膜

4 电极

S(S1～S24) 源极布线

5 漏电极

6 半导体层

6’ 保护层

7 素电极

8 绝缘膜

9 上部像素电极

10 电容器电极

C 电容器布线

11 另外的基板

12 对置电极

13 显示介质

20 薄膜晶体管阵列

21 像素电极

30 像素

30’ 像素群

Claims

1.一种薄膜晶体管阵列，在绝缘基板上具有多个栅极布线、多个源极布线、以及作为像素以矩阵状配置有多个的晶体管，该晶体管形成在该栅极布线及源极布线的各交点附近，栅电极与所述栅极布线连接，源电极与所述源极布线连接，漏电极与像素电极连接，其中，

多个源极布线分别与配置在规定列中的所述像素连接，

多个栅极布线的至少一部分分别具有与由规定行的连续的恒定数量的所述像素构成的像素群、与配置有与所述规定行相邻的行的所述像素群的列相邻地连续的列的像素群连接的部分，

所述像素配置成M列×N行，

i个所述源极布线上连接有共用的源极信号，在所述共用的源极信号所连接的所述像素上连接有不同的所述栅极布线，由此，需要的所述源极信号的数量为M/i，需要的栅极信号的数量为N×i，

其中，i为2以上的整数，

该薄膜晶体管阵列还具有：半导体图案，形成在所述源电极与所述漏电极之间；以及绝缘膜，至少覆盖所述半导体图案、所述源电极以及所述源极布线，在所述像素电极上具有开口，

所述半导体图案为与所述源极布线平行的条纹状，由在相同列中排列的多个所述像素共用。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列，其中，

将所述恒定数量设为k时，k为1以上且M/(i×N)以下。

3.如权利要求1或2所述的薄膜晶体管阵列，其中，

所述像素的配置为等间距。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列，其中，

还具有：

上部像素电极，经由所述开口而与所述像素电极连接。

5.一种薄膜晶体管阵列的制造方法，其中，

至少包括：

在绝缘基板上形成栅电极、与所述栅电极连接的栅极布线、电容器电极、与所述电容器电极连接的电容器布线的工序；

在所述绝缘基板、所述栅电极、所述栅极布线、所述电容器电极、所述电容器布线之上形成栅极绝缘膜的工序；

在所述栅极绝缘膜之上形成源电极、与所述源电极连接的源极布线、漏电极、与所述漏电极连接的像素电极的工序；

在所述源电极与所述漏电极之间形成半导体图案的工序；以及

形成至少覆盖所述半导体图案、所述源电极以及所述源极布线且在所述像素电极上具有开口的绝缘膜的工序；

形成所述栅电极、与所述栅电极连接的栅极布线、电容器电极、与所述电容器电极连接的电容器布线的工序包括：形成为包含使所述栅极布线及所述电容器布线的至少一部分按照每恒定像素数分别错开1行的部分的形状的工序，

形成所述源电极、与所述源电极连接的源极布线、漏电极、与所述漏电极连接的像素电极的工序包括以使所述源极布线沿着列方向排列的方式印刷电极用油墨的工序，

在绝缘基板上形成多个栅极布线、多个源极布线、以及作为像素以矩阵状配置有多个的晶体管，该晶体管形成在该栅极布线及源极布线的各交点附近，

多个源极布线分别与配置在规定列中的所述像素连接，

将所述像素配置成M列×N行，

i个所述源极布线上连接有共用的源极信号，在所述共用的源极信号所连接的所述像素上连接有不同的所述栅极布线，由此，将需要的所述源极信号的数量设为M/i，将需要的栅极信号的数量设为N×i，

其中，i为2以上的整数，

形成所述半导体图案的工序包括将半导体用油墨以与所述源极布线平行的条纹状进行印刷的工序。