CN101821791A - 有源矩阵基板及液晶显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种有源矩阵基板和液晶显示装置。让设置为其中的各条源极线在设置为三角形排布的多个像素电极之间交替地弯曲，相互间平行延伸的多条源极线具有：沿着各个像素电极的侧边延伸的多个第一线状部、与各个第一线状部连接，沿着各个像素电极的侧边延伸到该侧边的中间部分的多个第二线状部、以及从各个第二线状部的一端沿着各个像素电极的侧边延伸的多个突出部。

Description

有源矩阵基板及液晶显示装置

技术领域

本发明涉及一种有源矩阵基板及液晶显示装置。

背景技术

到目前为止，液晶显示装置以其薄、低功耗之特征，被广泛地用作电视、个人电脑、手机以及个人数字助理(PDA：PersonalDigital Assistant)等的显示屏。

有源矩阵驱动的液晶显示装置包括：形成有多个像素电极和TFT(Thin Film Transistor)的有源矩阵基板、与有源矩阵基板相向而设且形成有共用电极的相向基板、以及在两基板之间被封入在框状的密封材的内侧的液晶层。该液晶显示装置具有由多个像素构成、进行图像显示的显示部。

适合于显示活动图像的三角形排布作为构成显示部的像素的排布方式为众人所知(例如参照专利文献1)。图11是俯视图，概略地放大示出了现有三角形排布液晶显示装置中的有源矩阵基板的一部分。此外，在图11及后面参照的图12中，透过绝缘膜106，示出了各个布线103、104及TFT105。

如图11所示，在三角形排布的液晶显示装置的有源矩阵基板中，构成各个像素的多个像素电极101被设置为三角形排布。各个像素电极101排成线状，构成多个行102。在相邻的各个行102a、102b中，像素电极101在行方向(图中横向)相互错开半个间距而设。

在各个像素电极101之间设置有多条栅极线103和多条源极线104。其中，多条栅极线103被设置为沿着各行102a、102b相互平行地延伸；多条源极线104被设置为：各条源极线在图中左右交替地弯曲，各条源极线相互间在与各条栅极线103交叉的方向上延伸。

TFT105分别连接在各个像素电极101上。绝缘膜106层叠在各个TFT105上，漏电极107经由形成在绝缘膜106中的接触孔106a连接在像素电极101上。从提高各个像素的开口率的观点来看，各个TFT105被设置在各条栅极线103和各条源极线104的交叉部附近。

各条源极线104具有多个第一线状部104a和多个第二线状部104b。其中，该多个第一线状部104a沿着各个像素电极101的图中左侧的侧边延伸；该多个第二线状部104b与各个第一线状部104a连接，沿着各个像素电极101的图中上下两侧的侧边延伸到这些侧边的中间部分。对沿着各条源极线104而设的各个第二线状部104b，每隔一个，便在它的一端设置一个突出部104c，该突出部104c沿着各个像素电极101的图中上侧或者图中下侧的侧边延伸。所述各个TFT105，沿着各条源极线104交替地连接在各个突出部104c和各个第二线状部104b。这样有源矩阵基板便具有：连接在各个像素电极101上的TFT105的位置，相对于各个像素电极101而言皆相同的非颠倒结构。

具有上述非颠倒结构的三角形排布液晶显示装置，即使构成有源矩阵基板和相向基板的各个像素的区域相互错开，也会因为各个彩色滤色膜和各个像素电极相重合的面积的减少在相邻行的各个像素相等，而难以在显示图像时出现横条状明暗不匀、明暗随机不匀等不良现象。

专利文献1：日本公开特许公报特开平11-119254号公报

发明内容

-发明要解决的技术问题-

在各个像素电极和源极线之间会产生寄生电容。像素电极和源极线的距离越近，寄生电容越大；沿着像素电极的源极线延伸的长度越长，寄生电容越大。该寄生电容，根据其大小的不同，使施加在像素电极和共用电极之间的电压下降的程度也不同，从而使液晶层的透过率下降的程度也不同。

如图11所示，上述具有非颠倒结构的三角形排布液晶显示装置，各条源极线104中，沿相邻行102a、102b中之一方即行102a的各个像素电极101的图中上侧的侧边延伸的部分104d和沿图中下侧的侧边延伸的部分104e的长度出现差别；沿相邻行102a、102b中之另一方即行102b的各个像素电极101的图中上侧的侧边延伸的部分104f和沿图中下侧的侧边延伸的部分104g的长度出现差别。具体而言，各条源极线104中，沿上述一方即行102a的各个像素电极101的图中上侧的侧边延伸的部分104d比沿图中下侧的侧边延伸的部分104e长出一个突出部104c的长度；沿上述另一方即行102b的各个像素电极101的图中下侧的侧边延伸的部分104g也比沿图中上侧的侧边延伸的部分104f长出一个突出部104c。

如图中所示，该有源矩阵基板被设计成为：在各个像素电极101和各条源极线104形成在所希望的位置，使得各个像素电极101和各条源极线104的距离在图中上下方向的两侧一定的情况下，各个像素电极101和源极线104之间的寄生电容相互间都相等。

但是，如图12所示，在各个像素电极101相对于各条源极线104的形成位置例如偏向图中左上方的情况下，相邻行102a、102b中之一方即行102a的各个像素电极101便接近各条源极线104中较长的部分104d，并同时远离较短的部分104e；相邻行102a、102b中之另一方即行102b的各个像素电极101便接近各条源极线104中较短的部分104f，并同时远离较长的部分104g。于是，相邻行102a、102b间的各个像素电极101和源极线104之间的寄生电容就产生差别。

如果相邻行102a、102b间的各个像素电极101和源极线104之间的寄生电容这样出现差别，相邻行中之一行上的各个像素电极所构成的像素的透过率就会变得比另一行上的各个像素电极所构成的像素的透过率低。其结果，在显示图像时，容易出现横条状明暗不匀、明暗随机不匀等不良现象，显示质量就会下降。

发明内容

本发明正是鉴于上述情况而完成的，其目的在于：抑制被设置为三角形排布的多个像素电极的相邻行间的各个像素电极和源极线间的寄生电容差。

-为解决技术问题所采取的技术方案-

为达成上述目的，在本发明中，让设置为各条源极线在设置为三角形排布的多个像素电极之间交替地弯曲着延伸，并具有：沿着各个像素电极的侧边延伸的多个第一线状部、和与各个第一线状部连接，沿着各个像素电极的侧边延伸到该边的中间部分的多个第二线状部的多条源极线，具有：从该各个第二线状部的一端沿着各个像素电极的侧边延伸的多个突出部。

具体而言，本发明所涉及的有源矩阵基板，包括：设置为三角形排布的多个像素电极；设置为在所述各个像素电极之间相互平行延伸的线条状的多条栅极线；设置为其中的各条源极线在所述各个像素电极之间交替地弯曲，各条源极线相互间在与所述各条栅极线交叉的方向上平行延伸的多条源极线；以及各个薄膜晶体管分别连接在所对应的所述各个像素电极上的多个薄膜晶体管。所述各条源极线具有：设置为沿着所述各个像素电极的侧边延伸的多个第一线状部；设置为：与该各个第一线状部连接，沿着所述各个像素电极的侧边延伸到该边的中间部分的多个第二线状部；以及设置为：从该各个第二线状部的一端沿着所述各个像素电极的侧边延伸的多个突出部。所述各个薄膜晶体管，沿着所述各条源极线交替地连接在所述各个第一线状部与所述各个突出部上，或者交替地连接在所述各个第二线状部与所述各个突出部上。

优选，所述各个突出部形成为长度互相相等。

本发明所涉及的液晶显示装置。具有：与所述有源矩阵基板相向而设的相向基板，以及设在所述有源矩阵基板与所述相向基板之间的液晶层。

-作用-

接下来，对本发明的作用进行说明。

根据本发明所涉及的有源矩阵基板，设置为一边在设置为三角形排布的多个像素电极之间交替地弯曲，一边延伸，并具有：沿着各个像素电极的侧边延伸的多个第一线状部、和与各个第一线状部连接，沿着各个像素电极的侧边延伸到该侧边的中间部分的多个第二线状部的多条源极线，具有：从该各个第二线状部的一端沿着各个像素电极的侧边延伸的多个突出部。所以，在各条源极线中，在各个像素电极的各行排列方向两侧沿各个像素电极延伸的部分的长度之差变小。这样，即使各个像素电极和各条源极线的形成位置错开了，也能够抑制相邻行间的各个像素电极和源极线间的寄生电容差。

在各个突出部形成为长度互相相等的情形下，因为在各条源极线中，在各个像素电极的各行排列方向两侧沿各个像素电极延伸的部分的长度之差消除了，所以能够尽可能地抑制相邻行间的各个像素电极和源极线之间的寄生电容差。

根据本发明所涉及的液晶显示装置，因为其具有：与所述有源矩阵基板相向而设的相向基板，以及设在所述有源矩阵基板与所述相向基板之间的液晶层，所以即使各个像素电极和各条源极线的形成位置错开了，也能够抑制相邻行间各个像素电极和源极线之间的寄生电容差。结果，得以抑制在所显示的图像中出现横条状明暗不匀、明暗随机不匀等不良现象，显示质量得以提高。

-发明的效果-

根据本发明，设置为其中的各条源极线在设置为三角形排布的多个像素电极之间交替弯曲着延伸，并具有：沿像素电极的侧边延伸的多个第一线状部、和与各个第一线状部连接，沿各个像素电极的侧边延伸到该侧边的中间部分的多个第二线状部的多条源极线，具有：从该各个第二线状部的一端沿着各个像素电极的侧边延伸的多个突出部。即使各个像素电极和各条源极线的形成位置错位了，也能够消除各条源极线中，在各个像素电极的各行排列方向两侧沿各个像素电极延伸的部分的长度之差。

附图说明

图1是概略地示出第一实施方式中的液晶显示装置的的俯视图。

图2是概略地示出沿图1中II-II线剖开的剖面的剖视图。

图3是俯视图，概略地放大示出了有源矩阵基板的一部分。

图4是沿图3中的IV-IV线剖开，概略地示出TFT的剖视图。

图5是将相向基板的一部分放大，概略示出的俯视图。

图6是剖视图，概略地示出形成有栅极线和栅极绝缘膜之状态下的玻璃基板。

图7是剖视图，概略地示出形成有半导体层之状态下的玻璃基板。

图8是剖视图，概略地示出形成有源电极和漏电极之状态下的玻璃基板。

图9是剖视图，概略地示出在半导体层形成有沟道部之状态下的玻璃基板。

图10是剖视图，概略地示出在层叠绝缘膜中形成有接触孔之状态下的玻璃基板。

图11是俯视图，概略地放大示出了现有技术中的有源矩阵基板的一部分。

图12是俯视图，概略地放大示出了在错开地形成了像素电极的情况下，现有技术中的有源矩阵基板的一部分。

-符号说明-

S     液晶显示装置

10    有源矩阵基板

11    像素电极

13    栅极线

14    源极线

14a   第一线状部

14b   第二线状部

14c、14d    突出部

15    TFT(薄膜晶体管)

25    相向基板

30    液晶层

31    密封材

具体实施方式

下面，结合附图对本发明的实施方式进行详细的说明。此外，本发明并不限于以下各实施方式。

(发明的第一实施方式)

图1到图10示出了本发明的第一实施方式。图1是概略地示出液晶显示装置S的俯视图。图2是沿图1中II-II线剖开、概略地示出液晶显示装置S的剖视图。图3到图5分别是放大示出构成液晶显示装置S的一对基板10、25的一部分的图。图4是沿图3中的IV-IV线剖开、概略地示出TFT15的剖视图。

如图1及图2所示，液晶显示装置S包括：有源矩阵基板10、与有源矩阵基板10相向而设的相向基板25、以及设在有源矩阵基板10和相向基板25之间的液晶层30。该液晶显示装置S具有由被设置成三角形排布的多个像素(省略图示)构成、进行图像显示的显示部D。

有源矩阵基板10和相向基板25，例如形成为矩形形状等。在液晶层30一侧的表面上分别设置有取向膜，在与液晶层30相反的一侧的表面上分别设置有偏光片，省略图示。在这些有源矩阵基板10和相向基板25之间，设置有由环氧树脂等形成的框状密封材31，液晶材料被封入在该密封材31的内侧，即构成所述液晶层30。

如图1所示，有源矩阵基板10具有突出部10a作为安装区域。该突出部10a，在一条边一侧突出到比相向基板25靠外的外侧，从相向基板25露出到外部。用于驱动液晶的集成电路芯片和柔性印刷线路板安装在该突出部10a，省略图示。其中，该柔性印刷线路板用于向该集成电路芯片供电，以及从外部电路向有源矩阵基板10和相向基板25提供用以进行图像显示的信号等。

如图3所示，有源矩阵基板10，在显示部D包括：被设置为三角形状的多个像素电极11、被设置为在各个像素电极11之间相互平行延伸的多条栅极线13、在各个像素电极11之间沿与各条栅极线13垂直的方向相互平行延伸的多条源极线14以及分别连接在所对应的各个像素电极11上的多个薄膜晶体管(TFT：Thin FilmTransistor，以下称其为TFT)15。

设置为三角形状的各个像素电极11，构成相互平行排列的多个行12，在相邻的各个行12a、12b，各个像素电极11在行方向(图中横向)相互错开半个间距而设。各个像素电极11例如形成为矩形形状。该有源矩阵基板10具有TFT15的位置相对于各个像素电极11完全相同的非颠倒结构。

此外，在本实施方式中，使各个像素电极11形成为矩形形状。但除此以外，还能够使各个像素电极11形成为以下各种形状，例如，切去矩形形状电极的一部分所形成的形状，让矩形形状电极有一部分突出所形成的形状等。

各条栅极线13设置为分别在各个像素电极11之间沿行方向延伸的线条状。在各条栅极线13之间设置有辅助电容线(省略图示)，这些辅助电容线分别沿各条栅极线13延伸，与各行中后述的TFT15的漏电极21重叠。各条源极线14设置为：在各个像素电极11之间按图中的左右交替地弯曲，换句话说，曲柄状地蛇行，同时在与各条栅极线13交叉的方向上相互平行地延伸。

各条源极线14具有多个第一线状部14a和多个第二线状部14b。其中，多个第一线状部14a以沿着各个像素电极11的图中左侧的侧边延伸的方式而设；多个第二线状部14b以连接在各个第一线状部14a且沿着各个像素电极11的图中上下两侧的边延伸到这些边的中间部分的方式而设。第一线状部14a和第二线状部14b交替连接而构成各条源极线14。

各条源极线14具有多个突出部14c、14d，该多个突出部14c、14d被设置为：从各个第二线状部14b的图中右侧一端沿着各个像素电极11的图中上下两侧的边延伸。各个突出部14c、14d形成为长度相互相等。

各条源极线14经由TFT15与设置在各条源极线14的图中右侧的各个像素电极11连接。各个TFT15，沿着各条源极线14交替地与各个第二线状部14b和各个突出部14c连接。

从提高各个像素的开口率的观点来看，各个TFT15被设置在各条栅极线13和各条源极线14的交叉部附近。如图4所示，各个TFT15是底栅极型TFT，各个TFT15的半导体层19形成在为覆盖各条栅极线13和各个辅助电容线而设的栅极绝缘膜18上，所述各条源极线14也形成在栅极绝缘膜18上。

各个半导体层19，以跨越各条栅极线13的一部分的方式在栅极绝缘膜18上形成为岛屿状。这样一来，经由栅极绝缘膜18与各个半导体层19重叠的各条栅极线13的一部分便构成各个TFT15的栅电极17。

各个半导体层19，例如由本征非晶质硅层19a和n+非晶质硅层19b层叠构成。n+非晶质硅层19b的与栅电极17重叠的区域有一部分被除去，而被割断而成为两个n+非晶质硅层19b，从n+非晶质硅层19b露出的本征非晶质硅层19a的区域构成沟道部19c。

在一n+非晶质硅层19b与栅极绝缘膜18上，形成有与源极线14连接的源电极20；在另一n+非晶质硅层19b及栅极绝缘膜18上形成有与像素电极11连接的漏电极21。

此外，在本实施方式中，使各个TFT15为底栅极型TFT，但除此以外，还可以使各个TFT15为顶栅极型TFT。

各个TFT15上层叠有层叠绝缘膜22，该层叠绝缘膜22通过依次层叠氮化硅膜和含丙烯酸树脂膜(皆省略图示)而构成。在层叠绝缘膜22的表面形成有各个像素电极11。在该层叠绝缘膜22中形成有让各个TFT15中的漏电极21的一部分露出的多个接触孔23，各个漏电极21经由各个接触孔23与各个像素电极11连接。

如图5所示，所述相向基板25，在显示部D设有分别与所述各个像素电极11重叠的多个彩色滤色膜26。多个彩色滤色膜26由例如红色的彩色滤色膜26r、绿色的彩色滤色膜26g以及蓝色的彩色滤色膜26b三色彩色滤色膜等构成，与所述各个像素电极11一样，多个彩色滤色膜26构成多个行27。

具体而言，在行方向上，红色、绿色以及蓝色各彩色滤色膜26r、26g以及26b周期性地线状排列。同一种色彩的各个彩色滤色膜26的布置情形为，每隔一行在行方向上错开1.5个间距。

在相向基板25上，以将各个彩色滤色膜26隔开的方式形成有黑矩阵28，还形成有共用电极(省略图示)以覆盖各个彩色滤色膜26和黑矩阵28。

这样，液晶显示装置S便会进行所希望的显示。具体而言，根据从外部电路输入的规定栅极信号，依次将连接在各条栅极线13上的各个TFT15切换为导通状态，将规定的源极信号供给各条源极线14，由此经由漏电极21将规定的电荷写入特定的像素电极11中。上述规定电荷的写入，便使得在特定的像素电极11和共用电极之间规定的电压施加给了液晶层30，而控制了液晶分子的取向，因此即可进行所希望的显示。

-制造方法-

接下来，对所述有源矩阵基板10的制作方法和所述液晶显示装置S的制造方法进行说明。

按下述方法制造液晶显示装置S。分别制作有源矩阵基板10和相向基板25，利用密封材31将两基板10、25相互贴合在一起，同时利用该密封材31将液晶层30封入有源矩阵基板10和相向基板25之间，之后，将集成电路芯片和柔性印刷配线基板安装到有源矩阵基板10上，将偏光片贴到两基板10、25上，即可制造出液晶显示装置S。本发明所涉及的液晶显示装置S的特征部分是有源矩阵基板10，因此，以下参考图6到图10详细说明有源矩阵基板10的制作方法。图6到图10是用以说明有源矩阵基板10的制作方法的剖视图，放大了形成有TFT15的玻璃基板16的区域并概略地示出。

制造有源矩阵基板10时，首先，利用溅射法在玻璃基板16的一个表面整体上形成含有例如铝的金属膜(例如厚度在50nm-500nm左右)后，再利用光刻将该金属膜图案化，形成各条栅极线(各个栅电极17)13和各个辅助电容线，如图6所示。

接下来，利用等离子体CVD(Chemical Vapor Deposition)法，在已形成各条栅极线(各个栅电极17)13和各个辅助电容线的整个表面上，形成氮化硅膜(例如厚度在100nm-500nm左右)等，来形成栅极绝缘膜18。

接下来，利用等离子体CVD法，在各个栅极绝缘膜18的整个面上，连续形成本征非晶质硅膜(例如厚度在50nm-100nm左右)和已掺杂磷等n型杂质元素的n+非晶质硅膜(例如厚度在50nm-100nm左右)后，再对本征非晶质硅层和n+非晶质硅层进行光刻，在栅电极17上，将本征非晶质硅层和n+非晶质硅层图案化为岛屿状，形成各个半导体层19，如图7所示。

这里，各个半导体层19，可以如上所述由非晶质硅膜形成。但除此以外，还可以由多晶硅膜形成。而且，还可以对非晶质硅膜或者多晶硅膜进行激光退火处理，以提高其结晶性。

接下来，利用溅射法在已形成有各个半导体层19的整个栅极绝缘膜18上，形成含有例如铝的金属膜(例如厚度在50nm-500nm左右)后，再利用光刻将该金属膜图案化，形成各个源电极20和各个漏电极21，同时形成各条源极线14，如图8所示。此时，与形成各个第一线状部14a和各个第二线状部14b一起，也形成了各个突出部14c、14d。

接下来，以各个源电极20和各个漏电极21作掩模，蚀刻去除各个半导体层19中的各个n+非晶质硅层19b的一部分，形成沟道部19c，如图9所示，这样便形成了各个TFT15。

接下来，利用等离子体CVD法，形成覆盖各个TFT15的氮化硅膜(例如厚度在100nm-300nm左右)等后，再利用旋转涂布法形成含丙烯酸树脂膜(例如厚度在1000nm-5000nm左右)等，以形成层叠绝缘膜22。

接下来，蚀刻去除层叠绝缘膜22中的与各个漏电极21重叠的区域的一部分，形成各个接触孔23，如图10所示。然后，利用溅射法在已形成有各个接触孔23的整个层叠绝缘膜22上，形成由ITO(Indium Tin Oxide)等形成的透明导电膜(例如厚度在100nm-200nm左右)后，再对该透明导电膜进行光刻而图案化，以形成各个像素电极11。

之后，利用印刷法涂布含聚酰亚胺树脂，以覆盖各个像素电极11后，再进行定向摩擦处理形成取向膜。经过以上工序，即可制作出具有非颠倒结构的有源矩阵基板10。

-第一实施方式的效果-

因此，根据第一实施方式，设置为其中的一条源极线在设置为三角形排布的多个像素电极11之间交替地弯曲着延伸，并具有：沿着各个像素电极11的侧边延伸的多个第一线状部14a、和与各个第一线状部14a连接，沿着各个像素电极11的侧边延伸到该边的中间部分的多个第二线状部14b的多条源极线14，具有：从各个第二线状部14b的一端沿着各个像素电极11的侧边延伸的多个突出部14c、14d。所以，如图3所示，能够缩小各条源极线14中，在各个像素电极11中的各行12的排列方向两侧沿着各个像素电极11的部分14e、14f、14g、14h的长度之差。于是，即使各个像素电极11和各条源极线14的形成位置错位，也能够抑制相邻行12a、12b间，各个像素电极11和源极线14之间的寄生电容差。结果，便能够抑制在所显示的图像中出现横条状明暗不匀、明暗随机不匀等不良现象，从而能够使显示质量提高。

因为各个突出部14c、14d形成为长度互相相等，所以，能够消除各条源极线14中，在各个像素电极11中的各行12的排列方向两侧沿各个像素电极11延伸的部分14e、14f、14g、14h的长度之差。其结果，能够尽可能地抑制相邻行12a、12b间，各个像素电极11和源极线14之间的寄生电容差。

(其它实施方式)

在上述第一实施方式中，使各个突出部14c、14d的长度互相相等，但本发明并不限于此，各个突出部14c、14d的长度可以互相不同。即使这样使各个突出部14c、14d的长度相互不同，也能够消除各条源极线14中，在各个像素电极11中的各行12的排列方向两侧沿各个像素电极11延伸的部分14e、14f、14g、14h的长度之差。从而能够尽可能地抑制所产生的相邻行12a、12b之间的各个像素电极11和源极线14之间的寄生电容差。

在上述第一实施方式中，使各个TFT15交替地连接在各个第二线状部14b和各个突出部14c上，但本发明并不限于此，各个TFT15也可以交替地连接在各个第一线状部14a和各个突出部14c上。

在上述第一实施方式中，说明的是包括有源矩阵基板10的液晶显示装置S，但本发明并不限于此。本发明对有机电致发光显示装置等具有有源矩阵基板的其它显示装置也适用。

在上述第一实施方式中，各条栅极线13设置为分别在各个像素电极11之间线条状延伸。各条源极线14设置为在各个像素电极11之间交替地弯曲，一边沿与各条源极线交叉的方向延伸。但除此以外，还可以将各条源极线设置为分别在各个像素电极之间线条状延伸，将各条栅极线设置为一边在各个像素电极之间交替地弯曲，一边延伸。也就是说，各条栅极线可以具有：设置为沿着各个像素电极的侧边延伸的多个第一线状部；设置为与各个第一线状部连接，沿着各个像素电极的侧边延伸到该边的中间部分的多个第二线状部；以及设置为从各个第二线状部的一端沿着各个像素电极的侧边延伸的多个突出部。

根据所述结构，即使各个像素电极和各条源极线的形成位置错位了，也能够消除各条源极线中，在各个像素电极的各行排列方向两侧沿各个像素电极延伸的部分的长度之差。从而能够尽可能地抑制相邻行间的各个像素电极和源极线之间的寄生电容差。

-产业实用性-

综上所述，本发明对有源矩阵基板及液晶显示装置用处很大，特别适用于具有抑制设置为三角形排布的多个像素电极的相邻行间的各个像素电极和源极线间的寄生电容差的有源矩阵基板和液晶显示装置。

Claims (3)

1.一种有源矩阵基板，包括多个像素电极、多条栅极线、多条源极线以及多个薄膜晶体管，该多个像素电极设置为三角形排布，该多条栅极线设置为在所述各个像素电极之间相互平行延伸的线条状，该多条源极线设置为：各条源极线在所述各个像素电极之间交替地弯曲，各条源极线相互间在与所述各条栅极线交叉的方向上平行延伸，该多个薄膜晶体管中的各个薄膜晶体管连接在所述各个像素电极上，其特征在于：

所述各条源极线具有：

多个第一线状部，所述多个第一线状部设置为沿着所述各个像素电极的侧边延伸，

多个第二线状部，所述多个第二线状部设置为：与该各个第一线状部连接，沿着所述各个像素电极的侧边延伸到该侧边的中间部分，以及

多个突出部，所述多个突出部设置为：从该各个第二线状部的一端沿着所述各个像素电极的侧边延伸；

所述各个薄膜晶体管，沿着所述各条源极线，交替地连接在所述各个第一线状部与所述各个突出部上或者交替地连接在所述各个第二线状部与所述各个突出部上。

2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：

所述各个突出部形成为长度互相相等。

3.一种液晶显示装置，其特征在于：

具有：

权利要求1所述的有源矩阵基板，

与所述有源矩阵基板相向而设的相向基板，以及

设在所述有源矩阵基板与所述相向基板之间的液晶层。

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