CN108027388A - 物理量传感器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种降低从外部施加的力的影响、可靠性优异的物理量传感器。本发明的物理量传感器具有:重锤或可动电极,其形成于装置基板;以及外周部,其以环绕所述重锤或可动电极的方式配置,所述重锤或可动电极能够在平面内沿转动方向位移,在所述重锤或可动电极在平面内沿转动方向发生了位移时从所述重锤或可动电极的中心位置观察到的端部的外周部设置有转动空间。

Description

物理量传感器
技术领域
本发明涉及一种物理量的测定中使用的物理量传感器的结构。
背景技术
近年来,由于MEMS技术中的微细化加工技术的发展,已出现了运用硅及玻璃等材料的测定加速度、角速度等物理量的各种传感器。使用MEMS技术的物理量传感器有能够形成宽深比(开口宽度与加工深度之比)高于半导体装置的结构体的优点。此外,通过利用运用能够加工高宽深比的槽的ICP(Induction Coupled Plasma,感应耦合等离子体)方式的RIE(Reactive Ion Etching,反应离子刻蚀)装置的干式蚀刻法来形成由硅构成的立体结构及可动结构,能够形成加工精度比机械加工优异的各种结构体。
作为使用这种MEMS技术的物理量传感器,已知有日本专利特开2014-149234号公报(专利文献1)记载的静电电容型传感器。该静电电容型传感器中,振动质量体通过支承部支承在基板上,振动质量体呈悬浮在基板的上部的状态。在振动质量体的中央部形成有扭杆,当被施加与基板的平面方向垂直的加速度时,配置在左右的翼部会以扭杆为中心而转动。通过从固定基板上所形成的两个电极获得的静电电容来检测加速度。振动质量体的周围被与固定基板成为一体的框部围绕。在振动质量体的最外周部形成有凸部,以防止与固定基板的接触。此外,与振动质量体存在于同一平面的延设部形成为从支承部呈复数分支而成的棒状。延设部的目的是作为阻力部分及调整部分而发挥功能,在振动质量体转动时,所述阻力部分产生源于与空气或介质等的摩擦的阻尼转矩,所述调整部分是进行牺牲层蚀刻时的蚀刻液的导入口的调整部分。
此外,在日本专利特开2013-217835号公报(专利文献2)中记载的半导体物理量传感器中,配置有经由多个回折弹簧部而摆动自如地支承在固定部的可动电极部。所述可动电极部配置成被上下配置的玻璃基板夹住,是仅靠四处弹簧部而悬浮的结构。在可动电极部的内部,相对于可动电极的可动方向而言,在平面方向和垂直方向上形成有止动件。止动件的目的在于在发生了碰撞的情况下防止固接。此外,形成于可动电极部的多个梳齿电极中,配置在最两端的梳齿电极形成得比其他梳齿电极短。或者,将梳齿电极的根部形成得较粗。通过设为这种结构,防止了因比传感器制造工序中的频率高而导致配置在最两端的梳齿电极发生共振而出现从根部分的折损。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特开2014-149234号公报
专利文献2:日本专利特开2013-217835号公报
发明内容
发明要解决的问题
通过MEMS工艺形成的材料大多运用硅。硅为脆性材料,在硅上有缺口等的情况下以及当梁发生设计以上程度的大幅位移时,有发生破损之虞。
专利文献1记载的静电电容型传感器中,振动质量体由支承部支承,是像杠杆那样容易沿振动质量体的厚度方向驱动的结构,但能够预测,在从外部施加意料之外的例如10000G左右的冲击力的情况下,源于加速度的冲击力会从多方向施加至单点支承的振动质量体。认为,当所述冲击力施加至传感器时,会以加速度的形式不仅沿传感器的平行方向和垂直方向还沿转动方向施加至传感器。在所述结构下,由于振动质量体是单点支承的,因此成为在转动方向上也容易位移的构成。
结果,在转动方向也会产生位移力,因此,振动质量体与框部有可能因碰撞而发生破损或者产生硅的异物。进而,形成于振动质量体的最外周部的凸部是在转动的情况下容易发生碰撞的结构。同样地,与振动质量体存在于同一平面的延设部中,从支承部呈复数分支而成的棒各自具有固有振动频率,因此,冲击力会导致延设部的顶端部大幅位移而与周边的侧壁部发生碰撞,由此,有可能发生破损或者产生硅的异物。
另一方面,专利文献2记载的半导体物理量传感器的可动电极部是设为利用弹簧部将四个部位悬浮在空中的结构。在该结构下,能够预测在从外部受到意料之外的例如10000G左右的冲击力的情况下弹簧部会大幅位移,在可动电极部的内部,会与相对于可动电极部而言形成于平面的平行方向和垂直方向的止动件发生碰撞,由此,可动电极部有可能发生破损或者因反复的接触而产生硅的异物。在该情况下,由于止动件形状是顶端部呈凸形状,因此冲击力增大,所以能够预测由碰撞引起的损坏也较大。
因此,本发明的目的在于提供一种降低从外部施加的力的影响、可靠性优异的物理量传感器。
解决问题的技术手段
本发明的物理量传感器具有:重锤或可动电极,其形成于装置基板;以及外周部,其以环绕所述重锤或可动电极的方式配置,所述重锤或可动电极能够在平面内沿转动方向位移,在所述重锤或可动电极在平面内沿转动方向发生了位移时从所述重锤或可动电极的中心位置观察到的端部的外周部设置有转动空间。
发明的效果
根据本发明,能够提供一种降低从外部施加的力的影响、可靠性优异的物理量传感器。
附图说明
图1为说明本发明的第一装置基板的俯视图。
图2为说明本发明的第二装置基板的俯视图。
图3为说明本发明的第三装置基板的俯视图。
图4为说明本发明的第三装置基板的截面图。
图5为说明本发明的第四装置基板的俯视图。
图6为说明重锤或可动电极的位移的俯视图。
图7为说明弹性梁的位移的俯视图。
图8为说明本发明的第五装置基板的俯视图。
图9为说明本发明的第五装置基板中的重锤或可动电极的位移的俯视图。
图10为说明装置基板的重锤或可动基板形状的俯视图。
图11为搭载有本发明的装置基板的组件的外观图。
具体实施方式
使用图1,对本发明的物理量传感器的结构例进行说明。图1展示了表示本发明的一例的、表示感测加速度的静电电容型加速度传感器的装置基板结构的俯视图。
在装置基板1上形成有重锤或可动电极3,在其周围形成有诊断用的固定电极2以及检测用的固定电极2a。重锤或可动电极3由2处固定梁20加以支承,呈悬浮在下表面的基板上的状态。图1的水平方向表示X方向,垂直方向表示Y方向。中心位置5表示重锤或可动电极3的中心。再者,在外框的固定电极2与重锤或可动电极3之间形成有间隙6,通常为大气压,以提高阻尼效果。
这种传感器结构是以硅为主材料,通过能够垂直地加工剖面的干式蚀刻法或者进行微小的阶差加工的湿式蚀刻法等基于MEMS技术的加工技术加以制造。例如,形成于重锤或可动电极3的最小间隙为3μm左右。
加速度的物理量的感测为,当受到加速度时,固定电极与可动电极的电极间间隙发生变化。通过静电力来检测由该加速度引起的电极间间隙的变化量,由此检测加速度。
详细而言,当从X方向对加速度传感器施加加速度时,重锤或可动电极3位移,与固定电极2a的间隙距离发生变化。发生了位移的重锤或可动电极3被弹性梁4拉回原位置。
加速度的检测中,式(1)和式(2)的关系通常较为重要。此处,F表示力,m表示重锤或可动电极的重量,a表示加速度,k表示弹簧常数,x表示施加有加速度的情况下的弹性梁的位移。例如,当因破损等而导致重锤或可动电极的重量m和弹簧常数k发生变化时,难以准确地获得加速度。
F=m×a………(1)
F=k×x………(2)
能够预测,当从外部对图1的物理量传感器施加意料之外的较大冲击力时,在2个部位受到支承的重锤或可动电极3不仅会沿X方向、Y方向移动,还会沿平面内的转动方向移动。该情况表示相对于与重锤或可动电极的平面垂直的轴而转动的方向。这时,重锤或可动电极3的在通过中心位置5的对角线103上离中心位置最远的端部105沿平面内的转动方向102A或102B移动,与侧面的固定电极2发生碰撞。
由冲击力引起的重锤或可动电极朝平面内的转动方向的移动是在重锤或可动电极的离中心位置最远的端部105四个部位同时进行。此时,形成于重锤或可动电极3的内部的检测用或诊断用的梁不会破损。其原因在于,在由冲击力引起的重锤或可动电极的转动中,距重锤或可动电极的中心位置较远的部分的位移量最大。另一方面,在距中心位置较近的部分,离心力较小,且位移量也较小。进而,形成于重锤或可动电极3的内部的梁是细长地形成的,整个梁呈柔软且容易变形的结构。
此外,对于重锤或可动电极3和固定电极2而言,当因意料之外的较大冲击力而导致两者发生碰撞时,重锤或可动电极有因碰撞而破损或者因接触时的摩擦而产生异物之虞。
当发生破损或者产生异物时,破损的物质会夹在重锤或可动电极3与固定电极2的间隙6中,从而有无法再进行良好的感测之虞。进而,破损会导致重锤或可动电极的重量发生变化,因此会对加速度检测的精度产生影响。结果,担忧可靠性降低。
因此,在本发明中,为了避免碰撞,在固定电极2的重锤或可动电极的离中心位置最远的端部105的周边设置有空间101A及101B。通过设置该空间101A及101B,即便在从外部对物理量传感器施加意料之外的较大冲击力的情况下,也能避免重锤或可动电极3与固定电极2接触。由此,能够抑制因碰撞而发生的破损或者因反复的接触而产生硅的异物这一问题,从而能够提供一种对从外部施加的力的抗性强、可靠性优异的物理量传感器。
再者,为了避免重锤或可动电极3与固定电极2的接触,也可增大重锤或可动电极3与外周部的固定电极2的间隙。
接着,使用图2,对本发明的第2物理量传感器的结构例进行说明。在图2的结构中,将重锤或可动电极3的在通过中心位置5的对角线103上离中心位置最远的端部的周边部形成为倒角结构106。
由此,即便在从外部对物理量传感器施加意料之外的较大冲击力的情况下,即便重锤或可动电极沿平面内的转动方向102C或102D移动,也能避免重锤或可动电极3与固定电极2接触。如此,在本实施例中,能够设置在从外部施加意料之外的较大冲击力的情况下对固定基板或重锤或可动电极都会防止接触的结构。由此,能够抑制因碰撞而发生的破损或者因反复的接触而产生硅的异物这一问题,从而能够提供一种对从外部施加的力的抗性强、可靠性优异的物理量传感器。
接着,使用图3,对本发明的第3物理量传感器的结构例进行说明。图3的结构展示重锤或可动电极3由配置在下表面的来自基板的支柱8加以单点支承的结构。因此,呈在从外部施加意料之外的较大冲击力的情况下重锤或可动电极容易沿平面内的转动方向移动的结构。
重锤或可动电极3与配置在周围的固定电极2的距离为如下结构:配置在X方向及Y方向上离重锤或可动电极的中心位置即支柱8最近的间隙104A,将在对角线方向上离支柱最远的间隙104B配置得较大。
其原因在于,如前文所述,在重锤或可动电极沿平面内的转动方向发生位移的情况下,距中心的距离使得各个位置上的位移量不一样,该结构在碰撞或接触的防止上较为有效。
另一方面,在重锤或可动电极3的内部形成有弹性梁4,呈弹性梁的顶端部4b容易以弹性梁的根部4a为支点独自移动的结构。因此,在从外部施加意料之外的较大冲击力的情况下,会以固有的共振频率振动。当发生所述振动时,在重锤或可动电极3的内部会发生碰撞或接触,从而有可能发生弹性梁的破损或者因反复接触而产生硅的异物。其原因在于,在重锤或可动电极的加工中使用的是干式蚀刻法,因此会在接触的剖面上形成扇形褶皱,所以存在凹凸。因此,在硅彼此接触时,会发生磨耗(磨损),从而产生硅的异物。进而,弹性梁的顶端部未必是平行地移动,也有可能是一边上下移动一边与侧面碰撞。在该情况下,认为弹性梁还可能倾斜地与侧面的角部接触,从而产生硅的异物。
因此,图3的结构是在弹性梁的顶端部4b的侧面设置间隙104C这一间隙来防止碰撞或接触的结构。由此,能够抑制因碰撞而发生的破损或者因反复的接触而产生硅的异物这一问题,从而能够提供一种对从外部施加的力的抗性强、可靠性优异的物理量传感器。
详细的剖面结构示于图4。由装置基板1被下表面的固定基板14以及电极基板13夹住的至少3层结构构成。为重锤或可动电极由支柱5加以支承、支柱以外的部分悬浮在空中的结构。支柱与固定基板14形成为一体。在固定基板14上形成有由氧化膜9构成的SiO2作为接合部,在其上形成有装置基板1。在装置层的上部配置有电极基板13。图4的测定加速度的感测空间16为密闭空间。所述感测空间是与上下配置的固定基板14及电极基板13的密闭空间,该密闭空间内,压力环境为10000Pa至50000Pa左右。
在装置基板1上形成有固定电极2及重锤或可动电极3。它们具有数微米的间隙而形成有多个梳齿。
以10000至50000Pa左右的真空度密封加速度传感器部的压力环境的原因在于,在密闭空间内,当因接合温度而使得温度上升时,密闭空间的压力也会上升。在该情况下,设想某些接合方法下会从接合部剥离的情况。因此,必须预先设为减压状态。
关于装置基板1与外部的电性交互,装置基板1的固定电极2与配置在电极基板13的内部的低电阻硅11a连接在一起,从而与形成于其上的电极极板12a连接在一起,从而经由电极极板12a来进行与外部的电性交互。同样地,检测用的重锤或可动电极3与配置在电极基板13的内部的低电阻硅11b连接在一起,从而与形成于其上的电极极板12b连接在一起。于是,经由电极极板12a来进行电性交互。再者,所述电极极板可以使用金属线路而自由地移动位置。
形成于电极基板13的内部的低电阻硅11的周围通过SiO2等氧化膜9而电性绝缘,其周围被Poly-Si等灌封材料10塞满。
上述物理量传感器结构主要可以运用硅的直接接合法。硅的直接接合是一种牢固的接合方法。首先,对硅晶圆或者表面形成有氧化膜的硅晶圆进行亲水化处理,并在室温附近贴合。由此,通过氢键使得贴合后的2块硅晶圆结合在一起。该状态下,接合强度还较弱,因此在900度~1100度的温度下进行加热处理。由此,形成硅氧烷键结状态,最终获得硅与硅的牢固的结合状态。
再者,基板的接合方法不限定于上述接合法,也可运用金属接合。例如,可以运用金与硅的共晶接合、金与锡的共晶接合、铝与锗的共晶接合等各种金属接合方法。
接着,使用图5,对本发明的第4物理量传感器的结构例进行说明。在图5的结构中,与图4一样,重锤或可动电极3由配置在下表面的来自基板的支柱8加以单点支承。
配置在重锤或可动电极3的周围的固定电极2为如下结构:距重锤或可动电极的中心位置即支柱8的X方向及Y方向上的位置中,重锤或可动电极与固定电极的间隙是104C最近,关于在对角线103上离支柱最远的位置即重锤或可动电极的端部105,重锤或可动电极沿平面内的转动方向位移的情况下的距离成为较宽的间隙104D,所述间隙104C到间隙104D呈倾斜状的斜面15。
所述倾斜状的斜面15a能够形成如下间隙:在从外部施加意料之外的较大冲击力而导致重锤或可动电极沿平面内的转动方向位移时,不会与倾斜状的斜面碰撞或接触。
另一方面,考虑通过在重锤或可动电极内的弹性梁4的侧面两侧也配置倾斜状的斜面15b而使得弹性梁4以不同于重锤或可动电极3的振动频率位移这一情况。其原因在于,重锤或可动电极的质量与弹性梁的质量及可动范围不一样。详细而言,重锤或可动电极是沿以垂直于支柱的轴为基准的转动方向移动,相对于此,弹性梁是其根部分成为支点,在平面上来看,是以此处为基准进行移动。
运用图6的示意图,对从外部施加意料之外的较大冲击力时重锤或可动电极如何位移进行说明。
图6的(a)中,在重锤或可动电极3的周围以具有间隙104E的方式配置有固定电极2。当施加冲击力时,重锤或可动电极3像图6的(b)那样沿平面内的转动方向位移,以重锤或可动电极的离中心位置最远的端部105与固定电极2碰撞或接触。另一方面,图6的(c)及(d)中,由于形成有图5所示的倾斜状的斜面,因此,即便在重锤或可动电极左转19a或右转19b时,也能以重锤或可动电极的侧面进行接触。在像这样进行面接触的情况下,有使力分散的效果,因此能够防止破损。此时,也有因面接触而导致重锤或可动电极与固定电极发生固接的可能。因此,在本实施例中,也可像图6的(e)那样在倾斜状的斜面15形成微小的突起18。
另一方面,使用图7,对设置在重锤或可动电极内的弹性梁部的详情进行说明。图7的(a)展示了静止状态的弹性梁,当受到冲击力时,弹性梁的顶端部4a会像图7的(b)那样以弹性梁4的根部4a为支点而左右大幅振动。因此,弹性梁会因接触而破损或者因摩擦而产生异物等。通过解析,结果预测到,长400μm、宽6μm的弹性梁在频率17630Hz及13764Hz下会成为共振状态而与侧面接触。
在本实施例中,可以像图7的(c)那样在弹性梁的侧面部形成倾斜状的斜面15。在该结构下,能以弹性梁的侧面进行接触。在像这样进行面接触的情况下,有使力分散的效果,因此能够防止破损。此时,也有因面接触而导致重锤或可动电极与固定电极发生固接的可能。因此,在本实施例中,也可像图7的(d)那样在倾斜状的斜面15形成微小的突起18。
倾斜状的斜面15结构还能保持其周围的强度。虽然也考虑像图7的(f)那样较大地形成空间的结构,但这时,在重锤或可动电极的综合大小固定的情况下,弹性梁部侧面的宽度107b会变窄。在该情况下,重锤或可动电极会局部发生强度降低,从而有可能因从外部施加的加速度等振动而轻易破损。另一方面,图7的(e)中,由于可以在侧面形成避免破损的宽度107a,因此是不易破损的结构,而且能够实现重锤或可动电极的整体尺寸的小型化。
本实施例的目的在于在施加意料之外的冲击力的情况下防止由碰撞或接触引起的破损,因此,不仅可以将本结构运用于形成于重锤或可动电极内部的弹性梁与其侧面的碰撞或接触,也可以运用于弹性梁结构以外的结构体。
接着,使用图8,对本发明的第5物理量传感器的结构例进行说明。在本实施例中,在重锤或可动电极3沿平面内的转动方向位移时与固定电极部碰撞或接触的位置设置有缓冲部。
具体而言,是在重锤或可动电极3的通过中心5的对角线103上的端部105的侧面设置有两端支承梁21的结构。是同时在重锤或可动电极内部的弹性梁4的顶端部的侧面部设置有两端支承梁21的结构。并且,在所述两端支承梁21的侧面形成有空间101。可以通过该空间101来缓冲冲击力。
使用图9,对接触时的变形进行说明。图9的(a)中,在重锤或可动电极3与外周部的固定电极2发生碰撞或接触的情况下,是以碰撞或接触部17进行接触。在该情况下,当接触到两端支承梁时,如图9的(b)所示,两端支承梁21b会大幅地进行弓状(圆弧)变形,由此,能够吸收冲击力。此时,接触部在两端支承梁的中央部进行接触的结构因对两端支承梁的变形的刚性较大而较佳。此外,两端支承梁能够通过柔软地进行位移来吸收冲击力的结构较佳。重锤或可动电极3的接触部较佳为尽可能没有角的、曲率半径较大的形状。再者,虽然图9中看起来像点接触,但实际上在深度方向上也存在结构体,因此是线接触。该结构下,空间101只要以比接触时的位移量大的方式形成即可,因此对于小型化也较为有效。
另一方面,在工艺上,可以在通过干式蚀刻加工来形成大量梳齿结构的同时通过干式蚀刻加工来形成空间101,关于两端支承梁的形状,只须在光罩上设计空间的形状便能够设计两端支承梁,因此也能容易地进行。
如以上所说明,在本实施例中,通过在与固定电极部碰撞或接触的位置设置缓冲部,能够抑制因碰撞而发生的破损或者因反复的接触而产生硅的异物这一问题,从而能够提供一种对从外部施加的力的抗性强、可靠性优异的物理量传感器。
图10中,作为一例,展示了存在2处支承重锤或可动电极的支点的情况。是在固定电极2的内部通过支柱8及支柱8a而支承有重锤或可动电极3的结构。在冲击力施加至这种结构时,在重锤或可动电极3右侧,在从中心点5延长而来的对角线103上的离重锤或可动电极的中心点最远的那一端,重锤或可动电极是沿平面内的转动方向可动,而在重锤或可动电极3左侧,在从中心点5a延长而来的对角线103A上的离重锤或可动电极的中心点最远那一端,重锤或可动电极是沿平面内的转动方向102A、102B位移。因此,在本实施例中,也可通过位移量的差异来变更空间的间隙或者锥斜面的角度。
如此,不管支承重锤或可动电极的位置存在于哪一位置,冲击力都会使得重锤或可动电极沿平面内的转动方向移动而存在与外周部接触的可能,在该情况下,可以运用各实施例中说明过的各种结构。
接着,在图11中展示组件结构的一例。在引线27上经由粘接层26而配置有控制LSI24,在其上经由粘接层26而配置有加速度传感器1及角速度传感器22,其周围通过树脂模25加以封装。通过将加速度传感器1及角速度传感器22与控制LSI 24一起配置成一个组件,能够提供一种对来自外部的冲击力的抗性强的传感器。
再者,与外部的电性交互是通过加速度传感器1及角速度传感器22的电极极板12借助金线23与控制LSI 24上的电极极板12A连接在一起、控制LSI与引线27也借助金线(未图示)连接在一起来进行。
以上说明过的构成不限定于加速度传感器,在具有可动部与其外周部因冲击力而局部接触的结构的情况下,通过运用前文展示过的各结构例,能够提供可靠性优异的各种传感器。
再者,在所述组件中,不仅可以组合加速度传感器与角速度传感器,也可以组合高灵敏度的加速度传感器以及低灵敏度的加速度传感器,因此,能够同时测量不同加速度。
由于本加速度传感器在受到预料之外的冲击力的情况下可靠性也优异,因此可以运用于受到振动的汽车用传感器、电梯等大量产品。
以上,对各种结构进行了说明,但本发明并不限定于上述例子,本领域技术人员当轻易理解,可以在权利要求书记载的发明的范围内进行各种变更。
符号说明
1 装置基板
2、2a 固定电极
3 重锤或可动电极
4 弹性梁
5 中心位置
6 间隙
7 倒角部
8 支柱
9 氧化膜
10 灌封材料
11 低电阻硅
12 电极极板
13 电极基板
14 固定基板
15 倾斜状的斜面
16 感测空间
17 碰撞或接触部
18 突起
19 转动方向
20 固定梁
21 两端支承梁
22 角速度传感器
23 金线
24 控制LSI
25 树脂模
26 粘接层
27 引线
28 加速度传感器
101 空间
102 方向
103 对角线
104 重锤或可动电极与固定电极的间隙
105 重锤或可动电极的端部
106 倒角结构
107 宽度。

Claims (12)

1.一种物理量传感器,其具有:重锤或可动电极,其形成于装置基板;以及外周部,其以环绕所述重锤或可动电极的方式配置,所述重锤或可动电极能够在平面内沿转动方向位移,该物理量传感器的特征在于,
在所述重锤或可动电极在平面内沿转动方向发生了位移时,从所述重锤或可动电极的中心位置观察到的端部的外周部,设置有转动空间。
2.根据权利要求2所述的物理量传感器,其特征在于,
在所述端部设置有倒角部。
3.根据权利要求1所述的物理量传感器,其特征在于,
形成于所述装置基板的重锤或可动电极单点支承在固定基板上,
第二间隙的距离比第一间隙的距离大,第二间隙是在平面上看在对角线上离所述重锤或可动电极的支承点最远的位置的重锤或可动电极的端部与平行于该端部地配置在外周部的固定电极之间的间隙,第一间隙是距所述重锤或可动电极的支承点而处于在平面上平行的方向以及在平面上垂直的方向上的重锤或可动电极的端部与平行于该端部地配置在外周部的固定电极之间的间隙。
4.根据权利要求3所述的物理量传感器,其特征在于,
所述第一间隙的距离与所述第二间隙的距离呈倾斜状扩展。
5.根据权利要求4所述的物理量传感器,其特征在于,
在所述倾斜状的斜面设置有突起
6.根据权利要求1所述的物理量传感器,其特征在于,
与形成于所述装置基板的重锤或可动电极内部的弹性梁的顶端部接近的第四间隙的距离比与弹性梁的支点接近的第三间隙的距离大
7.根据权利要求6所述的物理量传感器,其特征在于,
所述第三间隙的距离与所述第四间隙的距离呈倾斜状扩展
8.根据权利要求7所述的物理量传感器,其特征在于,
在所述倾斜状的斜面设置有突起
9.根据权利要求1所述的物理量传感器,其特征在于,
形成于所述装置基板的重锤或可动电极单点支承在固定基板上,
与在对角线上离所述支承点最远的位置的重锤或可动电极的端部相对的外周部上设置有缓冲部
10.根据权利要求1所述的物理量传感器,其特征在于,
在形成于所述装置基板的重锤或可动电极内部的弹性梁的离支点最远的位置的侧壁设置有缓冲部
11.根据权利要求9或10所述的物理量传感器,其特征在于,
所述缓冲部由两端支承梁构成
12.根据权利要求1至9所述的物理量传感器,其特征在于,
该物理量传感器与控制LSI一起配置成一个组件
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