CN107925147B - 带有布线和电极的天线基板及rfid器件的制造方法 - Google Patents

带有布线和电极的天线基板及rfid器件的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明的目的在于提供利用涂布法而精度良好地形成天线基板或带有布线和电极的天线基板的方法。本发明的方式之一为包括以下工序的带有布线和电极的天线基板的制造方法。(1)在绝缘基板上，使用含有导电体和感光性有机成分的感光性糊剂而形成涂布膜的工序；(2‑A)利用光刻将上述涂布膜加工成与天线相对应的图案的工序，(2‑B)将上述涂布膜加工成与布线相对应的图案的工序，(2‑C)将上述涂布膜加工成与电极相对应的图案的工序；(3‑A)使与天线相对应的图案固化而得到天线的工序，(3‑B)使与布线相对应的图案固化而得到布线的工序，(3‑C)使与电极相对应的图案固化而得到电极的工序。

Description

带有布线和电极的天线基板及RFID器件的制造方法
技术领域
本发明涉及天线基板的制造方法。更详细而言，本发明涉及RFID标签等IC标签中的天线基板的制造方法、带有布线和电极的天线基板的制造方法及RFID器件的制造方法。
背景技术
RFID标签是利用RFID(Radio Frequency IDentification)、即基于无线通信的自动识别技术的标签。即，其是利用RFID器件的标签，所述RFID器件具备存储识别码等数据的半导体芯片及用于收发电波的天线，是一类薄型且轻质的小型电子装置。这样的RFID标签被期待用于物流管理、商品管理、防盗、质量管理等多种领域中，并开始引入至交通卡等IC卡、服装的商品标签等的一部分中。
作为形成RFID器件用天线的方法，可举出使用冲刀将铜箔、铝箔等金属箔加工成天线并转印至基材的方法(例如，参见专利文献1)。另外，可举出下述方法：将形成于金属箔上的抗蚀层作为掩模，对贴附于塑料膜等基材上的金属箔进行蚀刻(例如，参见专利文献2)。另外，还有下述方法：在塑料膜等基材上，将导电性糊剂印刷成与天线相对应的图案，并通过热、光使其固化(例如，参见专利文献3、4)等。以下，将在基材上形成有天线的构件记为天线基板。
近年，公开了一种RFID器件的制造方法，其中，在形成天线和IC的工序内的至少一个工序中，包括印刷等涂布工序(例如，参见专利文献5、非专利文献1)。通过以涂布方式形成RFID器件的天线、电极、布线、半导体层及绝缘层等，期待这可以大幅降低RFID器件以及RFID标签的制造成本。以下，将在基材上形成有天线、布线、电极的构件记为带有布线和电极的天线基板。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2004-94590号公报
专利文献2：日本特开2012-8857号公报
专利文献3：日本特开2015-5794号公报
专利文献4：日本特开2008-189758号公报
专利文献5：日本特表2012-510115号公报
非专利文献
非专利文献1：IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES，VOL57，NO.3，p571
发明内容
发明要解决的课题
专利文献1中记载的冲刀方法虽然制造成本低，但存在无法形成具有复杂形状或微细的天线这样的问题。专利文献2中记载的对金属箔进行蚀刻的方法虽然能够形成数百微米左右的图案，但存在制造成本增高这样的问题。
为了解决上述问题，专利文献3、4中公开了利用印刷方法来形成与天线相对应的图案的方法。但是，存在无法形成复杂形状的天线或小型RFID器件所必需的微细天线的问题。
另外，利用专利文献5、非专利文献1中记载的印刷方法形成天线、布线及电极时，由于难以进行微细的图案加工，因而存在布线的线宽或电极尺寸变大、难以进行电路的高集成化这样的问题。例如，在非专利文献1中存在下述这样的问题：布线的线宽成为与天线同等程度(非专利文献1中为1mm)的线宽，进而导致无法缩短源电极与漏电极的间隔(以下记为沟道长度。)。
如上所述，现状是尚未提出能够精度良好地形成天线基板、带有布线和电极的天线基板的方法。
鉴于上述课题，本发明的目的在于提供利用涂布法而精度良好地形成天线基板、带有布线和电极的天线基板的方法。
用于解决课题的手段
即，本发明为包括以下工序的天线基板的制造方法。
(1)在绝缘基板上，使用含有导电体和感光性有机成分的感光性糊剂而形成涂布膜的工序；(2)利用光刻将上述涂布膜加工成与天线相对应的图案的工序；(3)使与天线相对应的图案固化而得到天线的工序。
另外，本发明为包括以下工序的带有布线和电极的天线基板的制造方法。
(1)在绝缘基板上，使用含有导电体和感光性有机成分的感光性糊剂而形成涂布膜的工序；(2-A)利用光刻将上述涂布膜加工成与天线相对应的图案的工序，(2-B)利用光刻将上述涂布膜加工成与布线相对应的图案的工序，(2-C)利用光刻将上述涂布膜加工成与电极相对应的图案的工序；(3-A)使与天线相对应的图案固化而得到天线的工序，(3-B)使与布线相对应的图案固化而得到布线的工序，(3-C)使与电极相对应的图案固化而得到电极的工序。
另外，作为本发明的其他方式，为包括以下工序的带有布线和电极的天线基板的制造方法。
(1-P)在形成有天线的绝缘基板上，使用含有导电体和感光性有机成分的感光性糊剂而形成涂布膜的工序；(2-P-B)利用光刻将上述涂布膜加工成与布线相对应的图案的工序，(2-P-C)利用光刻将上述涂布膜加工成与电极相对应的图案的工序；(3-P-B)使与布线相对应的图案固化而得到布线的工序，(3-P-C)使与电极相对应的图案固化而得到电极的工序。
另外，本发明为包括以下工序的RFID器件的制造方法。
(1)在绝缘基板上，使用含有导电体和感光性有机成分的感光性糊剂而形成涂布膜的工序；(2-A)利用光刻将上述涂布膜加工成与天线相对应的图案的工序，(2-B)利用光刻将上述涂布膜加工成与布线相对应的图案的工序，(2-C)利用光刻将上述涂布膜加工成与电极相对应的图案的工序；(3-A)使与天线相对应的图案固化而得到天线的工序，(3-B)使与布线相对应的图案固化而得到布线的工序，(3-C)使与电极相对应的图案固化而得到电极的工序；(4-S)在得到的带有布线和电极的天线基板的电极上或电极间形成半导体层的工序。
另外，作为本发明的其他方式，为包括以下工序的RFID器件的制造方法。
(1-P)在形成有天线的绝缘基板上，使用含有导电体和感光性有机成分的感光性糊剂而形成涂布膜的工序；(2-P-B)利用光刻将上述涂布膜加工成与布线相对应的图案的工序，(2-P-C)利用光刻将上述涂布膜加工成与电极相对应的图案的工序；(3-P-B)使与布线相对应的图案固化而得到布线的工序，(3-P-C)使与电极相对应的图案固化而得到电极的工序；(4-S)在得到的带有布线和电极的天线基板的电极上或电极间形成半导体层的工序。
发明效果
根据本发明，可利用涂布法而高精度地形成天线基板、带有布线和电极的天线基板。由此，能够形成小型RFID标签所必需的微细天线，并且能够减少制造工序中的缺陷，因此可改善成品率。
附图说明
[图1A]是对本发明的天线基板的制造中涂布膜的形状进行说明的图。
[图1B]是对本发明的天线基板的制造中使用的光掩模的一例进行说明的图。
[图1C]是对本发明的天线的一例进行说明的图。
[图2]是对本发明的天线的一例进行说明的图。
[图3]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的制造中使用的光掩模的一例进行说明的图。
[图4]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的制造中涂布膜的形状进行说明的图。
[图5]是表示在本发明的带有布线和电极的天线基板的制造中与天线相对应的图案、和与布线及电极相对应的图案的一例的图。
[图6]是表示在本发明的带有布线和电极的天线基板的制造中与天线相对应的图案、和与布线及电极相对应的图案的一例的图。
[图7]是表示在本发明的带有布线和电极的天线基板的制造中与天线相对应的图案、和与布线及电极相对应的图案的一例的图。
[图8]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的制造中涂布膜的形状进行说明的图。
[图9A]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的制造中涂布膜的形状进行说明的图。
[图9B]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的制造中天线和涂布膜的形状进行说明的图。
[图10A]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的制造中涂布膜的形状进行说明的图。
[图10B]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的制造中布线及电极、和涂布膜的形状进行说明的图。
[图10C]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的制造中布线与涂布膜的连接部的截面形状进行说明的图。
[图11A]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的制造中涂布膜的形状进行说明的图。
[图11B]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的制造中天线及布线、和涂布膜的形状进行说明的图。
[图12A]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的制造中涂布膜的形状进行说明的图。
[图12B]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的制造中电极、和涂布膜的形状进行说明的图。
[图12C]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的制造中电极、与天线相对应的图案、及与布线相对应的图案的形状进行说明的图。
[图12D]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的制造中与布线相对应的图案与电极的连接部的截面形状进行说明的图。
[图13A]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的制造中天线和涂布膜的形状进行说明的图。
[图13B]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的制造中天线与涂布膜的连接部的截面形状进行说明的图。
[图14A]是对本发明的TFT的结构进行说明的图。
[图14B]是对本发明的TFT的结构进行说明的图。
[图15]是对本发明的天线基板的实施方式的形状进行说明的图。
[图16]是对本发明的天线基板的实施方式的形状进行说明的图。
[图17A]是进行天线基板、或带有布线和电极的天线基板的耐弯折性的评价时的立体示意图。
[图17B]是进行天线基板、或带有布线和电极的天线基板的耐弯折性的评价时的立体示意图。
[图18]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式的形状进行说明的图。
[图19]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式的形状进行说明的图。
[图20]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式的形状进行说明的图。
[图21A]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式的形状进行说明的图。
[图21B]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式的形状进行说明的图。
[图21C]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式中天线与布线的连接部的截面形状进行说明的图。
[图21D]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式中天线与布线的连接部的截面形状进行说明的图。
[图22A]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式的形状进行说明的图。
[图22B]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式的形状进行说明的图。
[图22C]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式中天线与布线的连接部的截面形状进行说明的图。
[图22D]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式中天线与布线的连接部的截面形状进行说明的图。
[图23A]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式的形状进行说明的图。
[图23B]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式的形状进行说明的图。
[图23C]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式中天线与布线的连接部的截面形状进行说明的图。
[图23D]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式中天线与布线的连接部的截面形状进行说明的图。
[图24A]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式的形状进行说明的图。
[图24B]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式的形状进行说明的图。
[图24C]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式中天线与布线的连接部的截面形状进行说明的图。
[图24D]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式中天线与布线的连接部的截面形状进行说明的图。
[图25A]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式的形状进行说明的图。
[图25B]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式的形状进行说明的图。
[图25C]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式的形状进行说明的图。
[图25D]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式中天线与布线的连接部的截面形状进行说明的图。
[图25E]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式中天线与布线的连接部的截面形状进行说明的图。
[图26A]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式的形状进行说明的图。
[图26B]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式的形状进行说明的图。
[图26C]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式的形状进行说明的图。
[图26D]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式中天线与布线的连接部的截面形状进行说明的图。
[图26E]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式中天线与布线的连接部的截面形状进行说明的图。
[图27A]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式的形状进行说明的图。
[图27B]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式的形状进行说明的图。
[图27C]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式的形状进行说明的图。
[图27D]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式中天线与布线的连接部的截面形状进行说明的图。
[图27E]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式中天线与布线的连接部的截面形状进行说明的图。
[图28A]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式的形状进行说明的图。
[图28B]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式的形状进行说明的图。
[图28C]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式的形状进行说明的图。
[图28D]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式中天线与布线的连接部的截面形状进行说明的图。
[图28E]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式中天线与布线的连接部的截面形状进行说明的图。
[图29A]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式的形状进行说明的图。
[图29B]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式的形状进行说明的图。
[图29C]是对本发明的带有整流元件的天线基板的实施方式的形状进行说明的图。
[图29D]是表示使用了本发明的带有整流元件的天线基板的整流电路的一例的电路框图。
[图30A]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式的形状进行说明的图。
[图30B]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式的形状进行说明的图。
[图30C]是对本发明的带有整流元件的天线基板的实施方式的形状进行说明的图。
[图30D]是表示使用了本发明的带有整流元件的天线基板的整流电路的一例的电路框图。
[图31A]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式的形状进行说明的图。
[图31B]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式的形状进行说明的图。
[图31C]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式的形状进行说明的图。
[图31D]是对本发明的带有整流元件的天线基板的实施方式的形状进行说明的图。
[图31E]是表示使用了本发明的带有整流元件的天线基板的整流电路的一例的电路框图。
[图32A]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式的形状进行说明的图。
[图32B]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式的形状进行说明的图。
[图32C]是对本发明的带有布线和电极的天线基板的实施方式的形状进行说明的图。
[图32D]是对本发明的带有整流元件的天线基板的实施方式的形状进行说明的图。
[图32E]是表示使用了本发明的带有整流元件的天线基板的整流电路的一例的电路框图。
具体实施方式
以下，对用于实施本发明的方式详细地进行说明。需要说明的是，本发明并不受以下实施方式的限定。
本发明中，所谓天线，是用于收发电波的构件。所谓天线基板，是在绝缘基板上形成有天线的构件。所谓带有布线和电极的天线基板，是在绝缘基板上形成有天线、布线及电极的构件。所谓RFID器件，是在绝缘基板上至少形成有天线和IC的构件，通常被称为嵌体(inlay)。需要说明的是，IC中至少包含整流电路和逻辑电路。作为IC的形成方法，可举出安装IC芯片的方法、或通过印刷等涂布工序形成IC的方法。所谓RFID标签，表示RFID器件与标签贴合而成的构件，在标签上印刷商品信息等而作为商品标签等使用。
(天线基板的制造方法)
本发明的天线基板的制造方法包括以下工序。
(1)在绝缘基板上，使用含有导电体和感光性有机成分的感光性糊剂而形成涂布膜的工序；(2)利用光刻将上述涂布膜加工成与天线相对应的图案的工序；(3)使与天线相对应的图案固化而得到天线的工序。
利用光刻形成与天线相对应的图案的第一个优点为能够使天线的线宽、线间隔变窄。例如，即使是线宽及线间隔分别为100μm以下的图案，也能够精度良好地形成。另一方面，利用丝网印刷难以形成同样线宽及线间隔的图案，即使在能够形成的情况下，也必须使用价格高昂的网版，难以降低制造成本。
利用光刻形成与天线相对应的图案的第二个优点为：与丝网印刷等印刷方法相比，不易引起图案松塌(pattern dripping)、擦伤等缺陷。因此，能够以高的成品率形成天线基板。
所谓与天线相对应的图案，是指最终能够制成天线的图案。例如，通过光、热等将与天线相对应的图案固化，从而得到天线。
对于在绝缘基板上形成涂布膜的区域，可以在整面基板上形成涂布膜，也可以如图1A所示，仅在形成天线的区域形成涂布膜。其中，从降低制造成本的观点考虑，优选为后者。使用描绘有与天线相对应的掩模图案2的光掩模(图1B所示)，对图1A所示的涂布膜1进行光刻加工，由此能够加工成图1C所示的与天线相对应的图案3。
<天线的膜厚>
对于天线的膜厚没有特别限制，优选为1μm～10μm，更优选为1μm～4μm，进一步优选为1μm～2μm。天线图案的膜厚为1μm以上时，能够抑制使电阻增大的趋肤效应，因此能够防止通信距离的降低。另一方面，通过使天线的膜厚为10μm以下，能够防止将天线基板弯折时所发生的断线。此外，膜厚为4μm以下时，通过曝光而充分固化至涂布膜的底部，因此能够进一步提高防止显影时的图案缺陷的效果。膜厚为2μm以下时，基板与图案的密合性提高，能够进一步提高天线基板的耐弯折性。
另外，如后文所述，作为本发明中使用的感光性糊剂的导电体，优选使用银(Ag)。由于Ag的价格高昂，因此为了使RFID标签价格低廉化，天线的膜厚越薄越优选。
<天线的种类>
对于天线的种类没有特别限制，例如可举出在HF(High Frequency)带的通信中使用的环形天线(参见图1C)、螺旋天线、或在UHF(Ultra High Frequency)带的通信中使用的偶极天线(参见图2)、贴片天线等。本说明书中，作为天线图案的例子，主要例举的是环形天线，但本发明并不限定于此。
(带有布线和电极的天线基板的制造方法)
本发明的带有布线和电极的天线基板的制造方法包括以下工序。
(1)在绝缘基板上，使用含有导电体和感光性有机成分的感光性糊剂而形成涂布膜的工序；(2-A)利用光刻将上述涂布膜加工成与天线相对应的图案的工序，(2-B)利用光刻将上述涂布膜加工成与布线相对应的图案的工序，(2-C)利用光刻将上述涂布膜加工成与电极相对应的图案的工序；(3-A)使与天线相对应的图案固化而得到天线的工序，(3-B)使与布线相对应的图案固化而得到布线的工序，(3-C)使与电极相对应的图案固化而得到电极的工序。
通常，对于与布线相对应的图案、与电极相对应的图案的加工而言，需要100μm以下的加工精度。例如，从TFT的性能的观点考虑，作为薄膜晶体管(TFT)的源·漏电极间的间隔的沟道长度优选为100μm以下，进一步优选为50μm以下，尤其优选为20μm以下。利用丝网印刷难以精度良好地形成100μm以下的沟道长度的源·漏电极，但若利用光刻进行加工，则可容易形成。
另外，从IC的高集成化的观点考虑，布线的线宽优选比天线的线宽小，因此，与布线相对应的图案的线宽优选比与天线相对应的图案的线宽窄。从降低电阻的观点考虑，代表性的天线的线宽为500μm以上，布线的线宽优选为100μm以下，进一步优选为50μm以下。
丝网印刷的情况下，在线宽变窄的部位容易蓄积液体，从而引起印刷物与网版的粘附、印刷物的断线等，因此，在与天线相对应的图案和与布线相对应的图案的连接部那样的线宽发生变化的部位，难以进行图案加工。另一方面，在利用光刻的加工中，无论图案形状、线宽的差异如何，均能够精度良好地形成图案。
所谓与布线相对应的图案、与电极相对应的图案，分别是指最终能够制成布线及电极的图案。例如，通过光、热将与布线相对应的图案、电极固化，从而得到布线及电极。
与天线相对应的图案、与布线相对应的图案、及与电极相对应的图案可以各自分别加工而形成，也可以将它们中的至少两者一并加工而形成，还可以将它们三者一并加工而形成。从减少加工工序及图案的连接的观点考虑，优选将与天线相对应的图案、与布线相对应的图案、及与电极相对应的图案这三者一并加工。即，优选为一并进行上述(2-A)工序、上述(2-B)工序和上述(2-C)工序的带有布线和电极的天线基板的制造方法。
所谓利用光刻将与天线相对应的图案、与布线相对应的图案、与电极相对应的图案一并加工，是利用一次显影工序使这些图案在同一时间形成。曝光的次数可以为一次也可以为多次。
所谓多次曝光，是指例如使用描绘有与各图案相对应的掩模图案的3种掩模，每个分别进行一次，即共三次曝光；或者使用描绘有与天线相对应的掩模图案的掩模、和描绘有与布线及电极图案相对应的掩模图案的2种掩模，每个分别进行一次，即共两次曝光等。
与天线相对应的图案、与布线相对应的图案、及与电极相对应的图案可以各自分别固化，也可以将它们中的至少两者一并固化，还可以将它们三者一并固化。
<与天线、布线、电极相对应的图案的一并加工>
作为将与天线相对应的图案、与布线相对应的图案、及与电极相对应的图案一并加工的例子，可举出下述方法：使用如图3所示的描绘有与天线相对应的掩模图案4、与布线相对应的掩模图案5及与电极相对应的掩模图案6的光掩模，进行涂布膜的曝光及显影。在该情况下，通过一次的涂布、曝光、显影工序，便能够形成与天线相对应的图案、与布线相对应的图案、与电极相对应的图案。对于在绝缘基板上形成涂布膜的区域，可以在整面上形成涂布膜，也可以如图4所示仅在形成天线、布线、电极的区域形成涂布膜7。其中，从降低制造成本的观点考虑，优选为后者。
与天线相对应的图案和与布线相对应的图案的连接部是不是连续相均可。其中，从最终得到的天线基板的耐弯折性的观点考虑，在上述的(2)工序中，与天线相对应的图案和与布线相对应的图案的连接部优选以成为连续相的方式形成。
此外，在RFID器件的天线、布线中流动有100kHz～数GHz的高频率的交流电流，因此，当在天线与布线的连接部存在连接电阻时，会引起电流的反射、损失，与流动在天线中的交流电流的电压相比，流动在布线部中的交流电流的电压低。当天线与布线形成连续相时，在天线与布线的连接部不存在连接电阻，因此流动在天线和布线中的交流电流的电压相同。需要说明的是，流动在天线、布线中的交流电流的电压可利用示波器进行测定。
所谓两个图案为连续相，是指这些图案一体化而在连接部不存在连接界面的情况。将两个图案为连续相的情况的例子示于图5中。在与布线相对应的图案中有和与天线相对应的图案8相连接的图案9A、以及和与电极相对应的图案10相连接的图案9B。与天线相对应的图案8和与布线相对应的图案9A一体化，在两者的连接部不存在连接界面。
需要说明的是，作为天线与布线的连接部为非连续相的情况的第1个例子，可举出如图6所示的与天线相对应的图案8和与布线相对应的图案9A隔有间隙而形成的情况。该情况下，在将各图案固化而形成天线和布线后，使用碳糊剂、铟糊剂等导电糊剂将天线与布线连接。然而，天线与布线的连接电阻变大，由向布线输入交流电流所带来的电压大大降低。
作为天线与布线的连接部为非连续相的情况的第2个例子，可举出天线与布线重叠的情况。例如如下而得到，如后文所述，在形成与布线相对应的图案并将其固化而制成布线后，以与布线的一部分重叠的方式形成与天线相对应的图案形成用的涂布膜。与上述使用导电糊剂将天线与布线连接的情况相比，该情况下天线与布线的连接电阻较小，由向布线输入交流电流所带来的电压降(voltage drop)也较小。
作为天线与布线的连接部为非连续相的情况的第3个例子，可举出天线与布线的连接部处于断线的状态。在该情况下，无法从天线向布线输入交流电流。
作为与天线相对应的图案和与布线相对应的图案的连接部以成为连续相的方式形成的方法，例如可举出使用与天线相对应的掩模图案4和与布线相对应的掩模图案5相连接的光掩模(如图3所示)，进行涂布膜的曝光及显影。如上所述，对于利用光刻的加工而言，无论图案形状如何，均能够精度良好地形成图案，因此容易使与天线相对应的图案及与布线相对应的图案的一部分以成为连续相的方式形成。另一方面，如上所述的丝网印刷的情况下，在与天线相对应的图案和与布线相对应的图案的连接部蓄积有液体，由此导致与天线相对应的图案和与布线相对应的图案的连接部容易发生断线，因此难以形成连续相。
通过使与天线相对应的图案及与布线相对应的图案的一部分以成为连续相的方式形成，在最终得到的天线基板中，天线与布线的连接部成为连续相。天线与布线的连接部为连续相的情况下，二者一体化，因此当将天线基板弯折时，不易引起天线与布线的连接部处的断线。
天线与布线的连接部为连续相的情况可通过利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)等对连接部的截面进行观察而确认。
需要说明的是，图6中例举了环形天线情况下的带有布线和电极的天线基板，但也可以应用如图7所示的偶极天线情况下的带有布线和电极的天线基板。
<天线形成区域与布线及电极形成区域的涂布膜不同的情况>
可以分别进行在天线形成区域的涂布膜形成和在布线及电极形成区域的涂布膜形成，并在之后利用光刻进行图案加工。
具体而言为如下天线基板的制造方法：上述(1)工序包括以下(1-A)工序及(1-B)工序，(1-A)在绝缘基板上，使用含有导电体和感光性有机成分的第一感光性糊剂形成第一涂布膜的工序，(1-B)在绝缘基板上，使用含有导电体和感光性有机成分的第二感光性糊剂形成第二涂布膜的工序；上述(2-A)工序为利用光刻将上述第一涂布膜加工成与天线相对应的图案的工序，上述(2-B)工序包括利用光刻将上述第二涂布膜加工成与布线相对应的图案的工序，上述(2-C)工序包括利用光刻将上述第二涂布膜加工成与电极相对应的图案的工序。
[与天线、布线及电极相对应的图案的一并加工]
将形成有上述第一、第二涂布膜的状态示于图8。图8中存在如下两种涂布膜，即用于形成与天线相对应的图案的涂布膜11、以及用于形成与布线相对应的图案及与电极相对应的图案的涂布膜12。通过对它们进行曝光及显影加工，可一并加工成与天线、布线及电极相对应的图案。需要说明的是，曝光的次数为一次或多次均可。也即，为一并进行上述(2-A)工序、上述(2-B)工序、上述(2-C)工序的天线基板的制造方法。需要说明的是，将与天线相对应的图案、与电极相对应的图案、及与布线相对应的图案固化，分别得到天线、电极及布线。
第一感光性糊剂和第二感光性糊剂可以为相同组成的糊剂，也可以为不同组成的糊剂。另外，对于天线的膜厚没有特别限制，优选为1μm～10μm，更优选为1μm～4μm，进一步优选为1μm～2μm。对于布线及电极的膜厚没有特别限制，可以与天线的膜厚相同，也可以不同。
[与布线及电极相对应的图案的一并加工]
可以将与布线相对应的图案和与电极相对应的图案一并加工，而另行加工与天线相对应的图案。根据该方法，将与天线相对应的图案、和与布线及电极相对应的图案进行加工时的显影工序成为不同的工序，因此可结合各自的涂布膜的溶解速度、图案尺寸的差异而设定加工条件，由此能够进行更高精度的图案加工。
具体而言为如下的天线基板的制造方法：上述(1)工序包括以下(1-A)工序及(1-B)工序，(1-A)在绝缘基板上，使用含有导电体和感光性有机成分的第一感光性糊剂形成第一涂布膜的工序，(1-B)在绝缘基板上，使用含有导电体和感光性有机成分的第二感光性糊剂形成第二涂布膜的工序；上述(2-A)工序是利用光刻将上述第一涂布膜加工成与天线相对应的图案的工序，上述(2-B)工序包括利用光刻将上述第二涂布膜加工成与布线相对应的图案的工序，上述(2-C)工序包括利用光刻将上述第二涂布膜加工成与电极相对应的图案的工序，此外一并进行上述(2-B)工序和上述(2-C)工序。
需要说明的是，将与天线相对应的图案、与电极相对应的图案、及与布线相对应的图案固化，分别得到天线、电极及布线。
作为具体例，可举出以下两种方法。
(A)在形成天线后形成布线及电极的方法
(i)在绝缘基板上，使用含有导电体和感光性有机成分的第一感光性糊剂而形成第一涂布膜的工序；
(ii)利用光刻将上述第一涂布膜加工成与天线相对应的图案的工序；
(iii)将上述与天线相对应的图案固化而形成天线的工序；
(iv)在上述形成有天线的绝缘基板上，使用含有导电体和感光性有机成分的第二感光性糊剂而形成第二涂布膜的工序；
(v)利用光刻将上述第二涂布膜加工成与布线相对应的图案、和与电极相对应的图案的工序；
(vi)将上述与布线相对应的图案、和上述与电极相对应的图案固化而形成布线及电极的工序。
将形成有用于形成与天线相对应的图案的涂布膜11(其作为第一涂布膜)的状态示于图9A。另外，将形成有天线13、和形成有用于形成与布线相对应的图案及与电极相对应的图案的涂布膜12(其作为第二涂布膜)的状态示于图9B。
(B)在形成布线及电极后形成天线的方法
(i)在绝缘基板上，使用含有导电体和感光性有机成分的第二感光性糊剂而形成第二涂布膜的工序；
(ii)利用光刻将上述第二涂布膜一并加工成与布线相对应的图案、和与电极相对应的图案的工序；
(iii)将上述与布线相对应的图案、和上述与电极相对应的图案固化而形成布线及电极的工序；
(iv)在上述形成有布线及电极的绝缘基板上，使用含有导电体和感光性有机成分的第一感光性糊剂而形成第一涂布膜的工序；
(v)利用光刻将上述第一涂布膜加工成与天线相对应的图案的工序；
(vi)将上述与天线相对应的图案固化而形成天线的工序。
将形成有用于形成与布线相对应的图案及与电极相对应的图案的涂布膜12(其作为第二涂布膜)的状态示于图10A。另外，将形成有布线14A及14B、及电极15、且形成有用于形成与天线相对应的图案的涂布膜11(其作为第一涂布膜)的状态示于图10B。
用于形成与天线相对应的图案的感光性糊剂、与用于形成与布线及电极相对应的图案的感光性糊剂可以为相同组成的糊剂，也可以为不同组成的糊剂。
如上所述，对于天线的膜厚没有特别限制，优选为1μm～10μm，更优选为1μm～4μm，进一步优选为1μm～2μm。对于布线及电极的膜厚也没有特别限制，可以与天线的膜厚相同，也可以不同。
从降低导电体的使用量的观点、及容易在电极上均匀地形成绝缘层、半导体层的方面考虑，布线及电极的膜厚越薄越优选。具体而言，优选为2μm以下，进一步优选为1.0μm以下，尤其优选为0.5μm以下。另外，从导电性的观点考虑，优选为0.05μm以上。
作为制造天线的膜厚不同于布线及电极的膜厚的带有布线和电极的天线基板的方法，第一，可举出改变感光性糊剂的种类。例如，通过使与布线相对应的图案及与电极相对应的图案形成用的感光性糊剂所含的导电体的粒径比与天线相对应的图案形成用的感光性糊剂所含的导电体的粒径小，从而能够使布线及电极的膜厚比天线的膜厚薄。另外，与布线、电极相对应的图案形成用的涂布膜的面积比与天线相对应的图案形成用的涂布膜的面积小，作为其涂布方法，优选喷墨涂布、分配器涂布。
第二，在与天线相对应的图案、和与布线相对应的图案及与电极相对应的图案的形成中使用相同组成的感光性糊剂的情况下，通过调节涂布膜的制膜条件，使与天线相对应的图案、和与布线相对应的图案及与电极相对应的图案的膜厚各自不同，从而能够使天线、与布线及电极的膜厚各自不同。例如，在感光性糊剂的涂布中利用丝网印刷时，通过改变网版的网眼的厚度、开口率，从而能够改变涂布膜的膜厚。
在分别加工与天线相对应的图案、和与布线相对应的图案及与电极相对应的图案的情况下，优选的是，在最终得到的带有布线和电极的天线基板中，上述天线与上述布线的一部分重叠。因此，例如在上述(A)的制造方法中，当在形成有天线的绝缘基板上形成第二涂布膜时，可以将第二感光性糊剂以与天线的一部分相重叠的方式进行涂布。即，优选下述带有布线和电极的天线基板的制造方法，即在上述(1-B)工序中，以与天线的一部分相重叠的方式形成第二涂布膜。
另外，在上述(B)的制造方法中，当在形成有布线和电极的绝缘基板形成第一涂布膜时，可以以第一感光性糊剂与布线的一部分重叠的方式进行涂布。通过如此操作，在最终得到的带有布线和电极的天线基板中，天线与布线的接合变牢固，当将天线基板弯折时不易发生断线。此外，能够使天线与布线的连接电阻小，能够减少基于自天线向布线的输入的电压降。
在上述(B)的制造方法中，如图10B所示，利用丝网印刷等将感光性糊剂涂布于形成有布线14A和14B及电极15的基板上的一部分，形成涂布膜11。图10C是在图10B中从箭头的方向观察布线14A与涂布膜11的连接部16时的截面图。如图10C所示，以与布线14A重叠的方式形成涂布膜11，将该涂布膜加工成与天线相对应的图案，并使其固化，由此能够形成天线与布线的一部分相重叠的带有布线和电极的天线基板。
[与天线及布线相对应的图案的一并加工]
可以将与天线相对应的图案和与布线相对应的图案一并加工，而另行加工与电极相对应的图案。
具体而言为如下的带有布线和电极的天线基板的制造方法：上述(1)工序包括以下的(1-A)及(1-B)工序，
(1-A)在绝缘基板上，使用含有导电体和感光性有机成分的第一感光性糊剂而形成第一涂布膜的工序，(1-B)在绝缘基板上，使用含有导电体和感光性有机成分的第二感光性糊剂而形成第二涂布膜的工序；上述(2-A)、(2-B)工序是利用光刻将上述第一涂布膜一并加工成与天线相对应的图案和与布线相对应的图案的工序，(2-C)工序包括利用光刻将上述第二涂布膜加工成与电极相对应的图案的工序。
需要说明的是，将与天线相对应的图案、与布线相对应的图案、与电极相对应的图案固化，分别得到天线、布线、电极。
作为具体例，可举出以下两种方法。
(A)在形成天线及布线后形成电极图案的方法
(i)在绝缘基板上，使用含有导电体和感光性有机成分的第一感光性糊剂而形成第一涂布膜的工序；
(ii)利用光刻将上述第一涂布膜加工成与天线相对应的图案和与布线相对应的图案的工序；
(iii)将上述与天线相对应的图案和与布线相对应的图案固化而形成天线及布线的工序；
(iv)在上述形成有天线及布线的绝缘基板上，使用含有导电体和感光性有机成分的第二感光性糊剂而形成第二涂布膜的工序；
(v)利用光刻将上述第二涂布膜加工成与电极相对应的图案的工序；
(vi)将上述与电极相对应的图案固化而形成电极的工序。
将形成有用于形成与天线相对应的图案及与布线相对应的图案的涂布膜17(其作为第一涂布膜)的状态示于图11A。另外，将形成有天线13、及布线14A和14B且形成有用于形成与电极相对应的图案的涂布膜18(其作为第二涂布膜)的状态示于图11B。
(B)在形成电极后形成天线及布线的方法
(i)在绝缘基板上，使用含有导电体和感光性有机成分的第二感光性糊剂而形成第二涂布膜的工序；
(ii)利用光刻将上述第二涂布膜加工成与电极相对应的图案的工序；
(iii)将与电极相对应的图案固化而形成电极的工序；
(iv)在上述形成有电极的在绝缘基板上，使用含有导电体和感光性有机成分的第一感光性糊剂而形成第一涂布膜的工序；
(v)利用光刻将上述第一涂布膜加工成与天线相对应的图案和与布线相对应的图案的工序；
(vi)将上述与天线相对应的图案和与布线相对应的图案固化而形成天线及布线的工序。
将形成有用于形成与电极相对应的图案的涂布膜18(其作为第一涂布膜)的状态示于图12A。另外，将形成有电极15且形成有用于形成与天线相对应的图案和与布线相对应的图案的涂布膜17(其作为第二涂布膜)的状态示于图12B。需要说明的是，图12B中，电极15被涂布膜17覆盖，因此未图示。
用于形成与天线相对应的图案和与布线相对应的图案的感光性糊剂、与用于形成与电极相对应的图案的感光性糊剂可以为相同组成的糊剂，也可以为不同组成的糊剂。
对于天线及布线的膜厚没有特别限制，优选为1μm～10μm，更优选为1μm～4μm，进一步优选为1μm～2μm。对于电极的膜厚也没有特别限制，可以与天线及布线的膜厚相同，也可以不同。
从降低导电体的使用量的观点及容易在电极上均匀地形成绝缘层、半导体层的方面考虑，电极的膜厚越薄越优选，优选为2.0μm以下，进一步优选为1.0μm以下，尤其优选为0.5μm以下。
作为制造天线及布线的膜厚不同于电极的膜厚的带有布线和电极的天线基板的方法，第一，可举出改变感光性糊剂的种类。例如，通过使与电极相对应的图案形成用的感光性糊剂所含的导电体的粒径小于与天线及布线相对应的图案形成用的感光性糊剂所含导电体的粒径，从而能够使电极的膜厚比天线及布线的膜厚更薄。与电极相对应的图案形成用的涂布膜的面积小于与天线及布线相对应的图案形成用的涂布膜的面积，作为其涂布方法，优选喷墨涂布、分配器涂布。
第二，在与天线及布线相对应的图案和与电极相对应的图案的形成中使用相同组成的感光性糊剂的情况下，通过调节涂布膜的制膜条件，使与天线相对应的图案及与布线相对应的图案、和与电极相对应的图案的膜厚各自不同，从而能够使天线及布线、与电极的膜厚各自不同。例如，在感光性糊剂的涂布中利用丝网印刷时，通过改变网版的网眼的厚度、开口率，从而能够改变涂布膜的膜厚。
将与天线相对应的图案及与布线相对应的图案、和与电极相对应的图案分别进行加工时，优选的是，在最终得到的带有布线和电极的天线基板中，上述布线图案与上述电极图案的一部分相重叠。因此，例如在上述(A)的制造方法中，当在形成有天线和布线的绝缘基板上形成第二涂布膜时，可以将第二感光性糊剂以与布线的一部分相重叠的方式进行涂布。另外，在上述(B)的制造方法中，当在形成有电极的绝缘基板上形成第一涂布膜时，可以以第一感光性糊剂覆盖电极、且与布线相对应的图案与电极的一部分相重叠的方式进行涂布。
具体而言，在上述(B)的制造方法中，如图12B所示，利用丝网印刷等将感光性糊剂涂布于形成有电极15的基板上的一部分，形成涂布膜17，接着进行曝光及显影加工，由此得到形成有图12C所示的电极15、与天线相对应的图案8、与布线相对应的图案9A、9B的基板。图12D是从箭头的方向对图12C中由虚线四边形包围的、电极15和与布线相对应的图案9B的连接部进行观察时的截面图。如图12D所示，通过以与电极15相重叠的方式形成与布线相对应的图案9B，并使其固化，从而能够形成布线与电极的一部分相重叠的带有布线和电极的天线基板。在微细的电极图案及布线图案的情况下，难以通过碳糊剂、铟糊剂等导电糊剂精度良好地进行接合，因此优选通过使布线与电极的一部分重叠而将两者连接。
[制造方法的其他方式]
作为其他方式，可举出如下方法：将与天线及电极相对应的图案、和与布线相对应的图案分别进行加工的带有布线和电极的天线基板的制造方法；将与天线相对应的图案、与布线相对应的图案、与电极相对应的图案分别进行加工的带有布线和电极的天线基板的制造方法等。
<带有布线和电极的天线基板的制造方法的第二方式>
本发明的天线基板的制造方法的第二方式包括以下工序。
(1-P)在形成有天线的绝缘基板上，使用含有导电体和感光性有机成分的感光性糊剂而形成涂布膜的工序；(2-P-B)利用光刻将上述涂布膜加工成与布线相对应的图案的工序，(2-P-C)利用光刻将上述涂布膜加工成与电极相对应的图案的工序；(3-P-B)使与布线相对应的图案固化而得到布线的工序，(3-P-C)使与电极相对应的图案固化而得到电极的工序。
只要在上述形成有天线的绝缘基板上至少形成天线即可，也可形成布线、电极的一部分。例如，在使用形成有天线的绝缘基板的情况下，利用(2-P-B)、(2-P-C)工序形成与布线和电极相对应的图案。另一方面，在使用形成有天线和布线的一部分的绝缘基板的情况下，利用上述(2-P-B)形成与布线的一部分相对应的图案，利用(2-P-C)工序形成与电极相对应的图案。
如上所述，作为形成RFID器件用天线的方法，已知有如下方法：使用冲刀将铜箔、铝箔等金属箔加工成天线并转印至基材的方法(以下记为冲刀法)；将形成于金属箔上的抗蚀层作为掩模，对贴附于塑料膜等基材上的金属箔进行蚀刻的方法(以下记为蚀刻法)；在塑料膜等基材上将导电性糊剂印刷成与天线相对应的图案，并通过热、光而使其固化的方法(以下记为印刷法)。在如此制作的天线基板上使用感光性糊剂形成涂布膜，然后使用光刻形成与电极、布线相对应的图案，由此能够形成带有布线和电极的天线基板。需要说明的是，对于天线的形成方法没有特别限定，从使天线的电阻低的观点考虑，优选为使用金属箔的冲刀法、蚀刻法。通过使天线的电阻低，能够延长通信距离。
可以将与布线相对应的图案及与电极相对应的图案各自分别进行加工而形成，也可以将它们一并加工而形成。其中，从减少加工工序、及图案的连接的观点考虑，优选将与布线相对应的图案及与电极相对应的图案一并加工。也即，优选为将上述(2-P-B)工序与上述(2-P-C)工序一并进行的带有布线和电极的天线基板的制造方法。
可以将与布线相对应的图案、及与电极相对应的图案各自分别固化，也可以一并固化。
优选的是，在最终得到的带有布线和电极的天线基板中，上述天线与上述布线的一部分相重叠。因此，当在形成有天线的绝缘基板上形成涂布膜时，可以以感光性糊剂与天线的一部分重叠的方式进行涂布。通过如此操作，在最终得到的带有布线和电极的天线基板中，天线与布线的接合变牢固，当将天线基板弯折时不易发生断线。
对于布线及电极的膜厚也没有特别限制，可以与天线的膜厚相同也可以不同，从降低导电体的使用量的观点及容易在电极上均匀地形成绝缘层、半导体层的方面考虑，优选布线及电极的膜厚较薄。具体而言，优选为2μm以下，进一步优选为1μm以下，尤其优选为0.5μm以下。
将在形成有天线19的绝缘基板上形成有用于形成与布线和电极相对应的图案的涂布膜12的状态示于图13A。图13B是在图13A中从箭头的方向对天线19与涂布膜12的连接部20进行观察时的截面图。如图13B所示，以与天线19重叠的方式形成涂布膜12，将该涂布膜加工成与布线和电极相对应的图案，并使其固化，由此能够形成天线与布线的一部分相重叠的天线基板。通过如此操作，在最终得到的带有布线和电极的天线基板中，天线与布线的接合变牢固，将天线基板弯折时不易发生断线。此外，能够使天线与布线的连接电阻小，能够减少基于自天线向布线的输入的电压降。即，优选如下的带有布线和电极的天线基板的制造方法，即，在上述(1-P)工序中，以与天线的一部分相重叠的方式形成涂布膜。
以下，对本发明的天线基板、带有布线和电极的天线基板及RFID器件的制造中使用的绝缘基板、感光性糊剂进行说明。
(绝缘基板)
本发明中使用的绝缘基板优选包含例如聚酰亚胺(PI)树脂、聚酯树脂、聚酰胺树脂、环氧树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚醚酰亚胺树脂、聚醚酮树脂、聚砜树脂、聚苯硫醚(PPS)树脂、环烯烃树脂等，但并不限定于这些。这些中，优选包含选自聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯、PPS、聚苯砜、环烯烃聚合物、聚酰胺或PI中的至少一种树脂，从价格低廉的观点考虑，优选为PET。
另外，从天线、布线及电极这三者与基材的密合性的观点考虑，优选为聚砜树脂、PPS树脂。推测其原因在于，天线、布线及电极中的金属原子与这些树脂中含有的硫原子强烈地相互作用。通过使导电图案与基材的密合性提高，能够抑制将天线基板、带有布线和电极的天线基板弯曲时图案发生剥离。
(感光性糊剂)
本发明中，形成天线、布线及电极的感光性糊剂主要由导电体及感光性有机成分构成。
(导电体)
作为导电体，优选为包含Ag、Au、Cu、Pt、Pb、Sn、Ni、Al、W、Mo、氧化钌、Cr、Ti、碳或铟中的至少一种的导电性粉末，可以将这些导电性粉末以单独、合金或混合粉末的形式使用。这些中，从导电性的观点考虑，优选为Ag、Cu及Au，从成本、稳定性的观点考虑，更优选为Ag。此外，从降低涂布膜的低温固化时的电阻率的观点考虑，进一步优选并用Ag与炭黑。
导电性粉末的体积平均粒径优选为0.02μm～10μm，更优选为0.02μm～5μm，进一步优选为0.02μm～2μm。体积平均粒径为0.1μm以上时，导电性粉末彼此的接触概率提高，能够使制作的导电图案的比电阻及断线概率降低。此外，能够使曝光时的光化射线顺利地透过膜中，因此容易进行微细图案化。另外，体积平均粒径为10μm以下时，印刷后的电路图案的表面平滑度、图案精度、尺寸精度提高。另外，对于图案的薄膜化而言需要降低粒径。例如形成膜厚为2μm的天线时，粒径也必须为2μm以下。需要说明的是，体积平均粒径可利用库尔特计数法、光子相关法及激光散射法等求出。
作为导电性粉末的添加量，相对于感光性糊剂中的全部固态成分而言，优选在70质量％～95质量％的范围内，更优选为80质量％～90质量％。通过为70质量％以上，尤其能够使固化时的固化收缩中的导电性粉末彼此的接触概率提高，且使制作的导电图案的比电阻及断线概率降低。另外，通过为95质量％以下，尤其能够使曝光时的活性光线顺利地透过膜中，容易进行微细图案化。另外，所谓固态成分，是指从感光性糊剂中除去溶剂而得到的成分。
(感光性有机成分)
感光性有机成分为包括分子内具有聚合性不饱和基团的单体、寡聚物或聚合物的成分。
作为分子内具有聚合性不饱和基团的单体，可以使用具有活性碳-碳不饱和双键的化合物。可以使用具有乙烯基、烯丙基、丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基、丙烯酰胺基作为官能团的单官能及多官能化合物。
作为具体例，可举出烯丙基化环己基二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、双(三羟甲基丙烷)四丙烯酸酯、丙三醇二丙烯酸酯、甲氧基化环己基二丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯、丙二醇二丙烯酸酯、聚丙二醇二丙烯酸酯、三丙三醇二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、双酚A二丙烯酸酯、双酚A-环氧乙烷加成物的二丙烯酸酯、双酚A-环氧丙烷加成物的二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、三丙二醇二丙烯酸酯、丙烯酸2-(2-乙氧基乙氧基)乙酯、丙烯酸四氢糠酯、丙烯酸月桂酯、丙烯酸2-苯基乙酯、丙烯酸异癸酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸十三烷基酯、1，3-丁二醇二丙烯酸酯、1，4-丁二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二丙烯酸酯、四乙二醇二丙烯酸酯、三乙二醇二丙烯酸酯或将上述化合物的丙烯酸系基团的一部分或全部替代为甲基丙烯酸系基团而得到的化合物等。
本发明中，可以使用1种或2种以上的这些化合物。以相对于感光性糊剂中的全部固态成分而言为1质量％～15质量％的范围添加上述单体，更优选在2质量％～10质量％的范围内添加。上述单体低于1质量％时，灵敏度降低，难以形成良好的图案。另一方面，若上述单体超过15质量％，则在干燥膜中产生粘性，曝光时与光掩模接触，导致产生光掩模被污染的问题、涂膜表面混乱的问题。
作为分子内具有聚合性不饱和基团的寡聚物或聚合物，可通过选自具有碳-碳双键的化合物的成分的聚合或共聚而得到。对于这样的寡聚物或聚合物，将光反应性基团加成至其侧链或分子末端，由此能够得到分子内具有聚合性不饱和基团的寡聚物或聚合物。
优选的聚合性不饱和基团为具有烯键式不饱和基的基团。作为烯键式不饱和基，可举出乙烯基、烯丙基、丙烯酸系基团、甲基丙烯酸系基团等。
将这样的侧链加成至寡聚物或聚合物的方法有如下方法：使寡聚物或聚合物中的巯基、氨基、羟基、羧基，与具有缩水甘油基、异氰酸酯基的烯键式不饱和化合物、丙烯酰氯、甲基丙烯酰氯或烯丙基氯进行加成反应而制作。
作为具有缩水甘油基的烯键式不饱和化合物，可举出丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、烯丙基缩水甘油醚、乙基丙烯酸缩水甘油酯、巴豆酰基缩水甘油醚、巴豆酸缩水甘油醚、异巴豆酸缩水甘油醚等。作为具有异氰酸酯基的烯键式不饱和化合物，有(甲基)丙烯酰基异氰酸酯、(甲基)丙烯酰基乙基异氰酸酯等。另外，具有缩水甘油基、异氰酸酯基的烯键式不饱和化合物、丙烯酰氯、甲基丙烯酰氯或烯丙基氯优选以0.05摩尔当量～1摩尔当量的量与寡聚物或聚合物中的巯基、氨基、羟基、羧基进行加成。
从进一步提高抑制将天线基板、带有布线和电极的天线基板弯曲时图案剥离的效果的观点考虑，感光性有机成分优选包含具有氨基甲酸酯基的化合物。例如，上述寡聚物或聚合物优选包含使具有异氰酸酯基的化合物与侧链上具有羟基的寡聚物或聚合物反应而得到的氨基甲酸酯改性化合物。
对于这样的在分子内具有聚合性不饱和基团的寡聚物或聚合物而言，优选重均分子量(Mw)在2000～200000的范围内、数均分子量(Mn)在1000～50000的范围内，更优选Mw在5000～100000的范围内、Mn在1000～30000的范围内。通过使Mw、Mn在上述范围内，从而操作性良好，在光固化时能够获得均匀的固化性。
本发明中使用的感光性糊剂含有在分子内具有聚合性不饱和基团的单体、寡聚物或聚合物，但这些成分均不具有吸收活性光线的能量的能力，因此为了进行光固化，必须使用光聚合引发剂。光聚合引发剂根据光固化中使用的光源进行选择，可以使用光自由基聚合引发剂、光阳离子聚合引发剂等。
作为光自由基聚合引发剂，可举出二乙氧基苯乙酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、苄基二甲基缩酮、1-(4-异丙基苯基)-2-羟基-2-甲基丙烷-1-酮、4-(2-羟基乙氧基)苯基-(2-羟基-2-丙基)酮、1-羟基环己基-苯基酮、1-苯基-1，2-丙烷二酮-2-(邻乙氧基羰基)肟、2-甲基-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉基丙烷-1-酮、2-苄基-2-二甲基氨基-1-(4-吗啉基苯基)-丁酮-1、苯偶姻、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙基醚、苯偶姻异丙基醚、苯偶姻异丁基醚、二苯甲酮、邻苯甲酰基苯甲酸甲酯、4-苯基二苯甲酮、4，4-二氯二苯甲酮、羟基二苯甲酮、4-苯甲酰基-4’-甲基-二苯基硫醚、烷基化二苯甲酮、3，3’，4，4’-四(叔丁基过氧化羰基)二苯甲酮、4-苯甲酰基-N，N-二甲基-N-[2-(1-氧代-2-丙烯氧基)乙基]苯甲基溴化胺、(4-苯甲酰基苄基)三甲基氯化铵、2-羟基-3-(4-苯甲酰基苯氧基)-N，N，N-三甲基-1-丙烯氯化铵一水合盐、2-异丙基噻吨酮、2，4-二甲硫基呫吨酮、2，4-二乙基噻吨酮、2，4-二氯噻吨酮、2-羟基-3-(3，4-二甲基-9-氧代-9H-噻吨-2-基氧基)-N，N，N-三甲基-1-丙烷氯化铵、2，4，6-三甲基苯甲酰基苯基氧化膦、2，2’-双(邻氯苯基)-4，5，4’，5’-四苯基-1，2-联咪唑、10-丁基-2-氯吖啶酮、2-乙基蒽醌、苯偶酰、9，10-菲醌、莰醌、甲基苯基乙醛酸酯(methylphenyl glyoxyester)、η5-环戊二烯基-η6-枯基-铁(1+)-六氟磷酸盐(1-)、二苯基硫醚衍生物、双(η5-2，4-环戊二烯-1-基)-双(2，6-二氟-3-(1H-吡咯-1-基)-苯基)钛、4，4-双(二甲基氨基)二苯甲酮、4，4-双(二乙基氨基)二苯甲酮、噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2-氯噻吨酮、4-苯甲酰基-4-甲基苯基酮、二苄基酮、芴酮、2，3-二乙氧基苯乙酮、2，2-二甲氧基-2-苯基-2-苯基苯乙酮、2-羟基-2-甲基苯丙酮、对叔丁基二氯苯乙酮、苄基甲氧基乙基乙缩醛、蒽醌、2-叔丁基蒽醌、2-氨基蒽醌、β-氯蒽醌、蒽酮、苯并蒽酮、二苯并环庚酮、亚甲基蒽酮、4-叠氮亚苄基乙酰苯、2，6-双(对叠氮亚苄基)环己烷、2，6-双(对叠氮亚苄基)-4-甲基环己酮、2-苯基-1，2-丁二酮-2-(邻甲氧基羰基)肟、1，3-二苯基丙烷三酮-2-(邻乙氧基羰基)肟、N-苯基甘氨酸、四丁基铵(+1)正丁基三苯基硼酸盐(1-)、萘磺酰氯、喹啉磺酰氯、N-苯基硫代吖啶酮、4，4-偶氮双异丁腈、苯并噻唑二硫醚、三苯基膦、四溴化碳、三溴苯砜、过氧化苯甲酰及曙红、亚甲基蓝等光还原性的色素与抗坏血酸、三乙醇胺等还原剂的组合等；对近紫外具有吸收的阳离子染料与硼酸根阴离子的络合物；将由近红外增敏色素增敏的卤化银与还原剂组合而得到的物质；二茂钛、铁芳烃络合物、有机过氧化物、六芳基系化合物(hexaaryl)、联咪唑、N-苯基甘氨酸、二芳基碘鎓盐等自由基产生剂中的至少一种。此外，根据需要可举出3-取代香豆素、花青色素、部花青色素、噻唑系色素、吡喃鎓系色素等增敏色素等。
作为光阳离子聚合引发剂，可举出碘鎓盐、锍盐、磷酸盐、锑酸盐等。
本发明中，可以使用1种或2种以上的这些光聚合引发剂。光聚合引发剂以相对于感导电糊剂而言为0.05质量％～10质量％的范围内添加，更优选为0.1质量％～10质量％。若光聚合引发剂的量过少，则会导致光固化不足，光聚合引发剂的量过多时，可能导致相溶性不佳。
通过将增敏剂与光聚合引发剂一同使用，可使灵敏度提高、扩大对反应有效的波长范围。
作为增敏剂的具体例，可举出2，3-双(4-二乙基氨基苯亚甲基)环戊酮、2，6-双(4-二甲基氨基苯亚甲基)环己酮、2，6-双(4-二甲基氨基苯亚甲基)-4-甲基环己酮、4，4-双(二甲基氨基)查耳酮、4，4-双(二乙基氨基)查耳酮、对二甲基氨基亚肉桂基茚满酮、对二甲基氨基亚苄基茚满酮、2-(对二甲基氨基苯基亚乙烯基)异萘并噻唑、1，3-双(4-二甲基氨基苯基亚乙烯基)异萘并噻唑、1，3-双(4-二甲基氨基苯亚甲基)丙酮、1，3-羰基双(4-二乙基氨基苯亚甲基)丙酮、3，3-羰基双(7-二乙基氨基香豆素)、三乙醇胺、甲基二乙醇胺、三异丙醇胺、N-苯基-N-乙基乙醇胺、N-苯基乙醇胺、N-甲苯基二乙醇胺、4-二甲基氨基苯甲酸甲酯、4-二甲基氨基苯甲酸乙酯、二甲基氨基苯甲酸异戊酯、二乙基氨基苯甲酸异戊酯、苯甲酸(2-二甲基氨基)乙酯、4-二甲基氨基苯甲酸(正丁氧基)乙酯、4-二甲基氨基苯甲酸2-乙基己酯、3-苯基-5-苯甲酰基硫代四唑、1-苯基-5-乙氧基羰基硫代四唑等。
在本发明中使用的感光性糊剂中，可以使用1种或2种以上的这些增敏剂。将增敏剂添加至本发明的感光性糊剂时，相对于感光性有机成分而言，其添加量通常为0.05质量％～10质量％，更优选为0.1质量％～10质量％。若增敏剂的量过少，则无法发挥提高光固化的效果，若增敏剂的量过多，则可能导致相溶性不佳。
本发明中使用的感光性糊剂优选含有有机溶剂。通过使用有机溶剂，能够对感光性糊剂的粘度进行调节，能够提高涂布膜的表面平滑性。例如，当利用丝网印刷形成涂布膜时，感光性糊剂的优选粘度为10Pa·s～100Pa·s(使用Brookfield型粘度计以3rpm测得的值)。更优选为10Pa·s～50Pa·s。通过使感光性糊剂的粘度在10Pa·s～100Pa·s的范围内，即使存在高低差时，被覆性也良好。感光性糊剂的粘度低于10Pa·s时，因导电粉末沉淀的影响而产生涂布不佳，或者在涂布时发生液体垂延，产生涂布面变得不均匀的问题。另外，若感光性糊剂的粘度超过100Pa·s，则当存在高低差时，被覆性变得不佳。另一方面，当利用喷墨形成涂布膜时，感光性糊剂的粘度优选为100mPa·s以下(使用Brookfield型粘度计测得的值)，更优选为1mPa.s～50mPa·s。通过使感光性糊剂的粘度在100mPa·s以下，能够形成良好的液滴，可得到均匀的涂布膜。通过使感光性糊剂的粘度为1mPa·s以上，涂布膜的膜厚均匀性提高。另外，若感光性糊剂的粘度超过100mPa·s，则无法喷出糊剂，导致无法涂布。
作为有机溶剂，没有特别限定，例如可举出甲基乙基酮、二氧杂环己烷、丙酮、环己酮、环戊酮、异丁醇、异丙醇、四氢呋喃、γ-丁内酯、溴苯、氯苯、二溴苯、二氯苯、溴苯甲酸、氯苯甲酸等、二乙二醇单乙基醚乙酸酯、二乙二醇单丁基醚、二乙二醇单丁基醚乙酸酯、2-甲基-2，4-戊二醇、3-甲基-1，5-戊二醇、2-乙基-1，3-己二醇、松油醇、3-甲基-3-甲氧基丁醇、醇酯十二(TEXANOL)、苄醇、二丙二醇单乙基醚、三丙二醇单甲基醚、丙二醇单甲基醚乙酸酯等。这些可以混合2种以上使用。
本发明中使用的感光性糊剂只要在不损害其期望的特性的范围内，则也可以配合在分子内不具有不饱和双键的非感光性聚合物、增塑剂、匀涂剂、表面活性剂、硅烷偶联剂、消泡剂、颜料等添加剂。作为非感光性聚合物的具体例，可举出环氧树脂、Novolac树脂、酚醛树脂、聚酰亚胺前体、聚酰亚胺等。
作为增塑剂的具体例，可举出邻苯二甲酸二丁酯、邻苯二甲酸二辛酯、聚乙二醇、甘油等。作为匀涂剂的具体例，可举出特殊乙烯基系聚合物、特殊丙烯酸系聚合物等。
作为硅烷偶联剂，可举出甲基三甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、六甲基二硅氮烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷等。
本发明中使用的感光性糊剂是使用分散机、混炼机等制作的。作为这些的具体例，可举出三辊轧机、球磨机、行星式球磨机等，但并不限定于这些。
(图案的形成方法)
以下，对使用感光性糊剂的各种图案的形成方法的详细内容更详细地进行说明。
<在绝缘基板上，使用含有导电体和感光性有机成分的感光性糊剂而形成涂布膜的工序>
对上述工序(1)、上述工序(1-A)、上述工序(1-B)及上述工序(1-C)中的工序进行说明。
作为将感光性糊剂涂布于基板上的方法，利用使用了旋涂机的旋转涂布、喷涂、辊涂、丝网印刷、刮刀涂布机、模涂机、辊压贴合机、弯月面涂布机、棒涂机、凹版印刷法、柔版印刷法、胶版印刷法、浸渍提拉法、喷墨法、分配器法等已知的涂布方法，进行整面或部分涂布。另外，涂布膜厚根据涂布方法、组合物的固态成分浓度、粘度等的不同而不同，因此以干燥后的膜厚成为规定值的方式进行调节。
接着从涂布于基板上的涂布膜中除去溶剂。由此形成涂布膜。作为除去溶剂的方法，可举出利用烘箱、加热板、红外线等的加热干燥、真空干燥等。加热干燥优选在50℃至180℃的范围内进行1分钟至数小时。
<利用光刻将涂布膜加工成与天线、布线、电极相对应的图案的工序>
对于上述工序(2)、上述工序(2-A)、上述工序(2-B)、上述工序(2-C)、上述工序(2-P-B)及上述工序(2-P-C)中的工序进行说明。
利用光刻对除去溶剂后的涂布膜进行图案加工。作为曝光中使用的光源，优选使用汞灯的i线(365nm)、h线(405nm)、g线(436nm)。
曝光后，使用显影液将未曝光部除去，从而得到期望的图案。作为进行碱显影时的显影液，优选四甲基氢氧化铵、二乙醇胺、二乙基氨基乙醇、氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸钠、碳酸钾、三乙胺、二乙胺、甲胺、二甲胺、乙酸二甲基氨基乙酯、二甲基氨基乙醇、甲基丙烯酸二甲基氨基乙酯、环己基胺、乙二胺、1，6-己二胺等化合物的水溶液。另外，根据情况，也可以使用向上述水溶液中添加一种或多种N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、γ-丁内酯等极性溶剂，甲醇、乙醇、异丙醇等醇类，乳酸乙酯、丙二醇单甲基醚乙酸酯等酯类，环戊酮、环己酮、异丁酮、甲基异丁基酮等酮类等而得到的物质作为显影液。另外，还可使用向这些碱性水溶液中添加表面活性剂而得到的物质作为显影液。作为进行有机显影时的显影液，可单独使用N-甲基-2-吡咯烷酮、N-乙酰基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、六甲基磷酰三胺等极性溶剂，或者使用与甲醇、乙醇、异丙醇、二甲苯、水、甲基卡必醇、乙基卡必醇等组合而得到的混合溶液。
显影可通过下述方法进行：一边使基板静置或旋转，一边将上述显影液喷雾至涂布膜面，或将基板浸渍在显影液中，或一边浸渍一边施加超声波等。
显影后，可实施利用水的冲洗处理。此处，也可在水中添加乙醇、异丙醇等醇类、乳酸乙酯、丙二醇单甲基醚乙酸酯等酯类等进行冲洗处理。
<将与天线、布线、电极图案相对应的图案固化的工序>
对上述工序(3)、上述工序(3-A)、上述工序(3-B)、上述工序(3-C)、上述工序(3-P-B)及上述工序(3-P-C)中的工序进行说明。
为了呈现导电性，将涂布膜固化。作为固化的方法，可举出利用烘箱、惰性烘箱、加热板、红外线等的加热固化或真空固化、利用氙闪光灯的固化等。在上述加热固化的情况下，固化温度优选为100℃～300℃的范围，更优选为100℃～200℃，进一步优选为120℃～180℃。通过使加热温度为120℃以上，能够增大树脂的感光性有机成分的体积收缩量，降低电阻率。另外，本发明中使用的感光性糊剂能够通过180℃以下的较低温的固化得到高的导电性，因此能够在耐热性低的基板上使用或与耐热性低的材料并用。
(RFID器件)
利用本发明的天线基板的制造方法在绝缘基板上制造天线，并在上述天线上安装IC芯片，由此能够制造RFID器件。另外，利用本发明的带有布线和电极的天线基板的制造方法形成带有布线和电极的天线基板，并形成在上述电极上或电极间形成有半导体层的TFT、或在上述电极上形成有绝缘层的电容器，由此能够制造RFID器件。所谓在电极上形成半导体层，也包括在形成于电极上的绝缘层上形成半导体层。需要说明的是，将上述TFT或电容器、及布线等组合而构成整流电路、逻辑电路、存储电路等。
(RFID器件的制造方法)
即，本发明的布线与RFID器件的制造方法包括以下工序。
(1)在绝缘基板上，使用含有导电体和感光性有机成分的感光性糊剂而形成涂布膜的工序；(2)利用光刻将上述涂布膜加工成与天线相对应的图案的工序；(3)使与天线相对应的图案固化而得到天线的工序；(4)在得到的天线基板上安装IC芯片的工序。
(在天线基板上安装IC芯片的工序)
对上述工序(4)中的工序进行说明。在天线的IC芯片安装部涂布各向异性导电接着剂(ACP)(例如，KYOCERA Chemical株式会社制TAP0604C)，在该ACP上配置IC芯片(例如，Impinj公司制的Monza3)，然后利用热压接装置(例如，Muehlbauer公司制的TTS300)于160℃的温度施加1.0N的压力，使其密合10秒而将IC芯片固定于天线并连接，由此能够在天线基板上安装IC芯片。
(RFID器件的制造方法的第二方式)
另外，本发明的布线与RFID器件的制造方法的第二方式包括以下工序。
(1)在绝缘基板上，使用含有导电体和感光性有机成分的感光性糊剂而形成涂布膜的工序；(2-A)利用光刻将上述涂布膜加工成与天线相对应的图案的工序，(2-B)利用光刻将上述涂布膜加工成与布线相对应的图案的工序，(2-C)利用光刻将上述涂布膜加工成与电极相对应的图案的工序；(3-A)使与天线相对应的图案固化而得到天线的工序，(3-B)使与布线相对应的图案固化而得到布线的工序，(3-℃)使与电极相对应的图案固化而得到电极的工序；(4-S)在得到的带有布线和电极的天线基板的电极上或电极间形成半导体层的工序。
作为TFT的半导体层，没有特别限制，可以使用氧化物半导体等无机半导体或者并五苯、碳纳米管(CNT)等有机半导体。这些中，从能够于200℃以下的低温下形成的方面、TFT特性(即电荷迁移率、ON电流与OFF电流之比(ON/OFF比)等)的观点考虑，优选为CNT。另外，优选在整流电路及逻辑电路中的至少一个的形成工序中包括将含有CNT的溶液进行涂布的工序。上述整流元件是将由利用天线接收电波而产生的交流电流转换为直流电流的元件。因此，与上述逻辑电路相比需要高速驱动，电荷迁移率越高从交流电流向直流电流的转换效率(以下记为交流-直流转换效率。)就越高。因此，尤其优选在整流电路的半导体层中使用CNT。
分别地，将上述带有布线和电极的天线基板的布线作为整流电路及逻辑电路等的下部布线而使用，将电极作为电容器的下部电极及TFT的下部电极等而使用。在顶栅型的TFT的情况下，下部电极为源·漏电极，如图14A所示，在绝缘基板21上的源电极22与漏电极23之间配置半导体层24，并在半导体层上形成栅绝缘层25、栅电极26。另一方面，在底栅型的TFT的情况下，栅电极成为下部电极，如图14B所示，在绝缘基板21上的栅电极26上形成有栅绝缘层25，并在栅绝缘层上配置源电极22和漏电极23、半导体层20。
(在带有布线和电极的天线基板的电极上或电极间形成半导体层的工序)
关于上述工序(4-S)中的工序，对包括上述工序(4-S)中的工序的形成TFT及电容器的工序进行说明。以下，首先示出顶栅型的TFT及电容器的制造工序的一例。
第一，通过喷墨等将含有CNT的溶液涂布于源·漏电极间，形成半导体层。从CNT在溶液中的分散性的观点考虑，优选在CNT的表面的至少一部分上附着共轭系聚合物。通过使用均匀分散有CNT的溶液，能够形成均匀分散的CNT膜。由此，能够实现高的半导体特性。作为共轭系聚合物，没有特别限定，可举出聚噻吩系聚合物、聚吡咯系聚合物、聚苯胺系聚合物、聚乙炔系聚合物、聚对亚苯基系聚合物、聚对苯乙炔系聚合物等，从容易附着于CNT的方面考虑，优选使用容易形成CNT复合体的聚噻吩系聚合物。特别是，更优选在重复单元中包含在环内具有含氮双键的稠合杂芳基单元和噻吩单元。
第二，在电容器的下部电极上及半导体层、TFT的源·漏电极上形成绝缘层。作为绝缘层中使用的材料，没有特别限定，具体而言可举出聚乙烯醇、聚氯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚偏二氟乙烯、聚硅氧烷或其衍生物、聚乙烯基苯酚或其衍生物等有机高分子材料；或无机材料粉末与有机高分子材料的混合物；或有机低分子材料与有机高分子材料的混合物。这些中，优选使用可通过喷墨等涂布法制作的有机高分子材料。从绝缘层的均匀性的观点考虑，尤其优选使用选自由聚氟乙烯、聚降冰片烯、聚硅氧烷、聚酰亚胺、聚苯乙烯、聚碳酸酯及它们的衍生物、聚丙烯酸衍生物、聚甲基丙烯酸衍生物及包含它们的共聚体组成的组中的有机高分子材料。需要说明的是，电容器的绝缘膜与TFT的绝缘膜可以相同也可以不同。另外，形成的方法没有特别限制，可举出缝模涂布、丝网印刷、喷墨、柔版印刷、凹版胶版印刷等。
第三，形成电容器的上部电极、TFT的栅电极及上部布线。如上所述进行操作，能够形成顶栅型的TFT及电容器。
另外，示出底栅型的TFT及电容器的制造工序的一例。
第一，在电容器的下部电极上、及TFT的栅电极上形成绝缘层。
第二，形成电容器的上部电极、TFT的源·漏电极及上部布线。
第三，通过喷墨等在源·漏电极间涂布含有CNT的溶液，形成半导体层。如上所述进行操作，能够形成底栅型的TFT及电容器。
如上所述，在本发明中，通过使用光刻，高精度、微细的电极加工成为可能，因此，能够使TFT的源·漏电极间的沟道长度小，例如即使是20um以下的沟道长度，也能够精度良好地形成。上述整流元件的交流-直流转换效率依赖于沟道长度，沟道长度越短则交流-直流转换效率变得越高。因此，通过利用本发明的制造方法制造带有布线和电极的天线基板，能够得到交流-直流转换效率高的RFID器件。
实施例
以下举出实施例等对本发明进行说明，但本发明并不受这些例子的限定。
各实施例及比较例中使用的评价方法如下所示。
<天线的形成性(加工精度)的评价方法>
使用140mm×140mm×50μm厚的PET膜制作天线基板、带有布线和电极的天线基板，对天线的膜厚、图15及图16所示的天线的线宽(Lw)、天线的线间隔(Lc)进行测定，并按照以下基准进行评价。
A(尚可：对于天线的膜厚、天线的线宽、天线的线间隔的全部测定值而言，与设计值的偏差均在10％以内。
B(不可)：对于天线的膜厚、天线的线宽、天线的线间隔中的至少一项测定值而言，与设计值的偏差超过10％。
<膜厚的测定方法>
天线、布线、电极的膜厚使用SURFCOM480A(商品名，(株)东京精密制)进行测定。随机选取3处来测量膜厚，取该3点的平均值。将测定长度设为1mm、扫描速度设为0.3mm/s。
<线宽、线间隔、布线宽度的测定方法>
对于线宽、线间隔、布线宽度而言，采用的是利用光学显微镜随机地对3处位置进行观察并解析图像数据而得到的该3处的值的平均值。
<天线的形成性(加工成品率)的评价方法>
使用140mm×140mm×50μm厚的PET膜，形成100片天线基板、带有布线和电极的天线基板，进行光学显微镜观察，将有无图案缺陷、剥离、断线、擦伤等缺陷作为指标，按照以下基准进行评价。
A(非常良好)：在100片中，可观察到缺陷的片数为1片以下。
B(良好)：在100片中，可观察到缺陷的片数为2片以上且低于5片。
C(尚可)：在100片中，可观察到缺陷的片数为5片以上且低于10片。
D(不可)：在100片中，可观察到缺陷的片数为10片以上。
<电极形成性的评价方法>
使用140mm×140mm×50μm厚的PET膜，制作带有布线和电极的天线基板。对得到的基板进行光学显微镜观察，将电极间距离相对于设计值20μm而言的精度作为指标，并按照以下基准对电极形成性进行评价。
A(尚可)：电极间距离为16～24μm
B(不可)：电极间距离小于16μm或大于24μm。
<天线基板、或带有布线和电极的天线基板的耐弯折性的评价方法>
参照图17A、图17B进行说明。对于天线基板、或带有布线和电极的天线基板30，将直径为30mm的金属圆柱29固定在形成有天线的面上的中央部，沿着该圆柱以圆柱的抱角为0°(样品为平面状态)的状态进行放置(参见图17A)，在对圆柱的抱角成为180°(绕圆柱翻折的状态)的范围(参见图17B)内进行弯折动作。对于耐弯曲性而言，利用光学显微镜对弯曲动作前后的天线、天线与布线的连接部、布线彼此的连接部进行观察，确认有无剥离、断线，并按照以下基准进行评价。
A(非常良好)：即使重复500次弯折动作也未观察到剥离、断线。
B(良好)：即使重复300次弯折动作也未观察到剥离、断线。
C(尚可)：即使重复100次弯折动作也未观察到剥离、断线。
D(不可)：重复弯折动作不足100次即观察到剥离、断线。
<天线与布线的电压差>
使用数字示波器(商品名InfiniiVision DSO-X 6002A，KEYSIGHT Technology公司制)，对流动在天线和布线中的电流的电压(VA、VL)进行测定，将VL/VA作为电压差。
合成例1：化合物P1(聚合性成分：具有聚合性不饱和基团的聚合物)
共聚比率(以质量为基准)：丙烯酸乙酯(以下记为“EA”)/甲基丙烯酸2-乙基己酯(以下记为“2-EHMA”)/苯乙烯(以下记为“St”)/甲基丙烯酸缩水甘油酯(以下记为“GMA”)/丙烯酸(以下记为“AA”)＝20/40/20/5/15。
向氮气氛的反应容器中投入150g的二乙二醇单乙基醚乙酸酯(以下记为“DMEA”)，使用油浴升温至80℃。经1小时向其中滴加包含20g的EA、40g的2-EHMA、20g的St、15g的AA、0.8g的2，2’-偶氮二异丁腈及10g的DMEA的混合物。滴加结束后，进一步进行6小时聚合反应。然后，添加1g的氢醌单甲基醚使聚合反应停止。接着，经0.5小时滴加包含5g的GMA、1g的苄基三乙基氯化铵及10g的DMEA的混合物。滴加结束后，进一步进行2小时加成反应。用甲醇对得到的反应溶液进行纯化，由此除去未反应杂质，进一步进行24小时真空干燥，从而得到化合物P1。
合成例2：化合物P2(聚合性成分：具有聚合性不饱和基团的聚合物)
共聚比率(以质量为基准)：二官能环氧丙烯酸酯单体(环氧酯3002A；共荣社化学(株)制)/二官能环氧丙烯酸酯单体(环氧酯70PA；共荣社化学(株)制)/GMA/St/AA＝20/40/5/20/15。
向氮气氛的反应容器中投入150g的二乙二醇单乙基醚乙酸酯(以下记为“DMEA”)，使用油浴升温至80℃。经1小时向其中滴加包含20g的环氧酯3002A、40g的环氧酯70PA、20g的St、15g的AA、0.8g的2，2’-偶氮二异丁腈及10g的DMEA的混合物。滴加结束后，进一步进行6小时聚合反应。然后，添加1g的氢醌单甲基醚使聚合反应停止。接着，经0.5小时滴加包含5g的GMA、1g的三乙基苄基氯化铵及10g的DMEA的混合物。滴加结束后，进一步进行2小时加成反应。用甲醇对得到的反应溶液进行纯化，由此除去未反应杂质，进一步进行24小时真空干燥，从而得到化合物P2。
合成例3：化合物P3(聚合性成分：具有聚合性不饱和基团的聚合物)
化合物P2的氨基甲酸酯改性化合物
向氮气氛的反应容器中投入100g的二乙二醇单乙基醚乙酸酯(以下记为“DMEA”)，使用油浴升温至80℃。经1小时向其中滴加包含10g的感光性成分P2、3.5g的异氰酸正己酯及10g的DMEA的混合物。滴加结束后，进一步进行3小时反应。用甲醇对得到的反应溶液进行纯化，由此除去未反应杂质，进一步进行24小时真空干燥，从而得到具有氨基甲酸酯键的化合物P3。
制备例1：感光性糊剂A
向100ml洁净瓶中加入16g的化合物P1、4g的化合物P3、4g的光聚合引发剂OXE-01(BASF Japan株式会社制)、0.6g的产酸剂SI-110(三新化学工业株式会社制)、10g的γ-丁内酯(三菱瓦斯化学株式会社制)，使用自转-公转真空搅拌机“脱泡炼太郎”(注册商标)(ARE-310；(株)THINKY制)进行混合，得到46.6g(固态成分为78.5质量％)的感光性树脂溶液。将8.0g得到的感光性树脂溶液与42.0g平均粒径为2μm的Ag粒子混合，使用三辊轧机“EXAKT M-50”(商品名，EXAKT公司制)进行混炼，得到50g的感光性糊剂A。
制备例2：感光性糊剂B
使用平均粒径为0.2μm的Ag粒子，除此以外，以与制备例1同样的方法得到感光性糊剂B。
制备例3：感光性糊剂C
使用20g的化合物P1且不使用化合物P3，除此以外，以与制备例2同样的方法得到感光性糊剂C。
制备例4：感光性糊剂D
使用平均粒径为0.05μm的Ag粒子，除此以外，以与制备例1同样的方法得到感光性糊剂D。
在表1中示出了制备例1～4中得到的感光性糊剂的组成。
Figure GDA0003026143780000421
制备例5：半导体溶液A
在2.0mg聚(3-己基噻吩)(P3HT)(Aldrich(株)制)的10ml氯仿溶液中加入1.0mg的CNT(CNI公司制，单层CNT，纯度95％)，一边使用冰浴冷却，一边使用超声均化器(东京理化器械(株)制VCX-500)以20％输出功率进行4小时超声波搅拌，得到CNT复合体分散液A(CNT复合体相对于溶剂的浓度为0.96g/1)。
接着，制作用于形成半导体层的半导体溶液。使用薄膜过滤器(孔径为10μm，直径为25mm，Millipore Corporation制Omnipore-Membrane)将上述CNT复合体分散液A过滤，除去长度为10μm以上的CNT复合体。在得到的滤液中添加5ml o-DCB(和光纯药工业(株)制)，然后使用旋转蒸发器，将作为低沸点溶剂的氯仿蒸馏除去，用o-DCB将溶剂置换，得到CNT复合体分散液B。向1ml CNT复合体分散液B中添加3ml o-DCB，制成半导体溶液A(CNT复合体相对于溶剂的浓度为0.03g/l)。
制备例6：半导体溶液B
使用以下的化合物[2]来代替P3HT，除此以外，与制备例5同样地操作，得到半导体溶液B(CNT复合体相对于溶剂的浓度为0.03g/l)。
[化学式1]
Figure GDA0003026143780000431
化合物[2]如下式这样进行合成。
[化学式2]
Figure GDA0003026143780000441
将4.3g的化合物(1-a)((株)东京化成工业制)和10g的溴((株)和光纯药工业制)添加至150ml的48％氢溴酸中，于120℃搅拌3小时。将反应溶液冷却至室温，使用玻璃过滤器将析出的固体过滤，以1000ml水和100ml丙酮进行洗涤。于60℃对得到的固体进行真空干燥，得到6.72g的化合物(1-b)。
将10.2g的化合物(1-c)溶解于100ml二甲基甲酰胺中，并添加9.24g的N-溴代琥珀酰亚胺((株)和光纯药工业制)，在氮气氛下，于室温搅拌3小时。在得到的溶液中添加200ml水、200ml正己烷及200ml二氯甲烷，分离提取有机层。用200ml水将得到的有机层洗涤后，用硫酸镁进行干燥。利用柱色谱法(填充材料：硅胶，洗脱液：己烷)对得到的溶液进行纯化，得到14.4g化合物(1-d)。
将14.2g上述化合物(1-d)溶解于200ml四氢呋喃中，冷却至-80℃。添加35ml正丁基锂(1.6M己烷溶液)((株)和光纯药工业制)，然后升温至-50℃，再次冷却至-80℃。添加13.6ml2-异丙氧基-4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂环戊硼烷(2-isopropoxy-4，4，5，5-tetramethyl-1，3，2-dioxaborolane)((株)和光纯药工业制)，升温至室温，在氮气氛下搅拌4小时。向得到的溶液中添加200ml1N氯化铵水溶液和200ml乙酸乙酯，分离提取有机层。用200ml水将得到的有机层洗涤后，用硫酸镁进行干燥。利用柱色谱法(填充材料：硅胶，洗脱液：己烷/二氯甲烷)对得到的溶液进行纯化，得到14.83g化合物(1-e)。
将14.83g上述化合物(1-e)和6.78g的5，5’-二溴-2，2’-联噻吩((株)东京化成工业制)添加至200ml二甲基甲酰胺中，进一步在氮气氛下添加26.6g的磷酸钾((株)和光纯药工业制)及1.7g的[双(二苯基膦基)二茂铁]二氯化钯(Aldrich公司制)，于100℃搅拌4小时。向得到的溶液中添加500ml水和300ml乙酸乙酯，分离提取有机层。用500ml水将得到的有机层洗涤后，用硫酸镁进行干燥。利用柱色谱法(填充材料：硅胶，洗脱液：己烷)对得到的溶液进行纯化，得到4.53g的化合物(1-f)。
将4.53g的上述化合物(1-f)溶解于40ml四氢呋喃中，冷却至-80℃。添加6.1ml正丁基锂(1.6M己烷溶液)后，升温至-5℃，再次冷却至-80℃。添加2.3ml2-异丙氧基-4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂环戊硼烷，升温至室温，在氮气氛下搅拌2小时。向得到的溶液中添加150ml1N氯化铵水溶液和200ml乙酸乙酯，分离提取有机层。用200ml水将得到的有机层洗涤后，用硫酸镁进行干燥。利用柱色谱法(填充材料：硅胶，洗脱液：二氯甲烷/己烷)对得到的溶液进行纯化，得到2.31g的化合物(1-g)。
将0.498g上述化合物(1-b)和2.31g上述化合物(1-g)添加至17ml二甲基甲酰胺中，进一步在氮气氛下添加2.17g的磷酸钾及0.14g的[双(二苯基膦基)二茂铁]二氯化钯(Aldrich公司制)，于90℃搅拌7小时。向得到的溶液中添加200ml水和100ml氯仿，分离提取有机层。用200ml水将得到的有机层洗涤后，用硫酸镁进行干燥。利用柱色谱法(填充材料：硅胶，洗脱液：二氯甲烷/己烷)对得到的溶液进行纯化，得到1.29g的化合物(1-h)。示出化合物(1-h)的1H-NMR分析结果。
1H-NMR(CD2Cl2，(d＝ppm))：8.00(s，2H)，7.84(s，2H)，7.20-7.15(m，8H)，7.04(d，2H)，6.95(d，2H)，2.88(t，4H)，2.79(t，4H)，1.77-1.29(m，48H)，0.88(m，12H)。
将0.734g的上述化合物(1-h)溶解于15ml氯仿中，添加0.23g的N-溴代琥珀酰亚胺/10ml二甲基甲酰胺，在氮气氛下，于室温搅拌9小时。向得到的溶液中添加100ml水和100ml氯仿，分离提取有机层。用200ml水将得到的有机层洗涤后，用硫酸镁进行干燥。利用柱色谱法(填充材料：硅胶，洗脱液：二氯甲烷/己烷)对得到的溶液进行纯化，得到0.58g的化合物(1-i)。
将0.5g的化合物(1-j)、0.85g的双(频哪醇合)二硼(BASF制)、0.86g的乙酸钾((株)和光纯药工业制)添加至7ml1，4-二氧杂环己烷中，进而在氮气氛下添加0.21g[双(二苯基膦基)二茂铁]二氯化钯，于80℃搅拌7小时。向得到的溶液中添加100ml水和100ml乙酸乙酯，分离提取有机层。用100ml水将得到的有机层进行洗涤，然后用硫酸镁进行干燥。利用柱色谱法(填充材料：硅胶，洗脱液：二氯甲烷)对得到的溶液进行纯化，得到57mg的化合物(1-k)。
将93mg的上述化合物(1-i)和19.3mg的上述化合物(1-k)溶解于6ml甲苯中。向其中添加2ml水、0.18g的碳酸钾、7.7mg的四(三苯基膦)钯(0)((株)东京化成工业制)及1滴Aliquat(R)336(Aldrich公司制)，在氮气氛下，于100℃搅拌25小时。接着，添加40mg的苯基硼酸，于100℃搅拌7小时。向得到的溶液中添加50ml甲醇，滤取生成的固体，以甲醇、水、甲醇、丙酮的顺序进行洗涤。使得到的固体溶解于氯仿，通过硅胶短柱(洗脱液：氯仿)后进行浓缩干固，得到30mg的化合物[2]。重均分子量为4367，数均分子量为3475，聚合度n为3.1。
制备例7：绝缘层溶液A
将61.29g(0.45摩尔)的甲基三甲氧基硅烷、12.31g(0.05摩尔)的β-(3，4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、及99.15g(0.5摩尔)的苯基三甲氧基硅烷溶解于203.36g的丙二醇单丁基醚(沸点170℃)中，一边搅拌一边向其中添加54.90g的水、0.864g的磷酸。将得到的溶液于105℃浴温下加热2小时，将内温升至90℃，使主要包含副产物甲醇的成分馏出。接着于130℃浴温下加热2.0小时，将内温升至118℃，使主要包含水和丙二醇单丁基醚的成分馏出，然后冷却至室温，得到固态成分浓度为26.0质量％的绝缘层溶液A。
制备例8：绝缘层溶液B
称取10g的绝缘层溶液A，并混合13g的双(乙基乙酰基乙酸酯)单(2，4-戊二酮酸)铝(商品名“Aluminum chelate D”，Kawaken Fine Chemicals Co.，Ltd.制，以下称为Aluminum chelate D)和42g的丙二醇单乙基醚乙酸酯(以下称为PGMEA)，于室温搅拌2小时，得到绝缘层溶液B(固态成分浓度为24质量％)。本溶液中的上述聚硅氧烷相对于100质量份的Aluminum chelate D而言的含量为20质量份。
实施例1
利用丝网印刷将感光性糊剂A涂布于膜厚为50μm的PET膜上，用干燥烘箱于100℃进行10分钟预烘烤。然后，使用曝光装置“PEM-8M”(商品名，Union光学(株)制)以曝光量70mJ/cm2(以波长365nm换算)进行全光线曝光，用0.5％Na2CO3溶液进行30秒浸渍显影，以超纯水进行冲洗后，使用干燥烘箱于140℃进行30分钟固化，制作具有图15所示形状的天线27的天线基板。将制作条件示于表2。对于得到的天线基板，进行天线的形成性的评价、及耐弯折性的评价。将评价结果示于表3。
实施例2～5
在表2所示的制作条件下，利用与实施例1同样的方法制作天线基板。对于得到的天线基板，进行天线的形成性的评价、及耐弯折性的评价。将评价结果示于表3。
实施例6
利用丝网印刷将感光性糊剂A涂布于膜厚为50μm的PET膜上，用干燥烘箱于100℃进行10分钟预烘烤。然后，使用曝光装置“PEM-8M”(商品名，Union光学(株)制)以曝光量70mJ/cm2(以波长365nm换算)进行全光线曝光，用0.5％Na2CO3溶液进行30秒浸渍显影，以超纯水进行冲洗后，使用干燥烘箱于140℃进行30分钟固化，制作具有图16所示形状的天线28的天线基板。将制作条件示于表2。对于得到的天线基板，进行天线的形成性的评价、及耐弯折性的评价。将评价结果示于表3。
实施例7～8
在表2所示的制作条件下，利用与实施例6同样的方法制作天线基板。对于得到的天线基板，进行天线的形成性的评价、及耐弯折性的评价。将评价结果示于表3。
实施例9
利用丝网印刷将感光性糊剂B涂布于膜厚为50μm的PET膜上，用干燥烘箱于100℃进行10分钟预烘烤。然后，使用曝光装置“PEM-8M”(商品名，Union光学(株)制)，隔着光掩模(该光掩模中，与天线相对应的掩模图案和与布线相对应的掩模图案未相连接)，以曝光量70mJ/cm2(以波长365nm换算)进行全光线曝光，用0.5％Na2CO3溶液进行30秒浸渍显影，以超纯水进行冲洗后，使用干燥烘箱于140℃进行30分钟固化，制作具有图18所示形状的天线27、布线32A、及布线·电极33的带有布线和电极的天线基板。将制作条件示于表2。需要说明的是，在布线·电极33中，与布线32B连接的电极34以规定的间隔相向形成，这些电极尺寸的设计值设为100×100μm，电极间距离的设计值设为20μm。自布线·电极33延伸的布线32A与天线27不是连续相，而是隔着1mm的间隙而形成的，用铟系的导电糊膜35将它们之间连接。对于得到的带有布线和电极的天线基板，进行天线的形成性的评价、电极形成性的评价、耐弯折性的评价、及天线27与布线32A的电压差的评价。将评价结果示于表3。
实施例10
利用丝网印刷将感光性糊剂B涂布于膜厚为50μm的PET膜上，用干燥烘箱于100℃进行10分钟预烘烤。然后，使用曝光装置“PEM-8M”(商品名，Union光学(株)制)，隔着光掩模(该光掩模中，与天线相对应的掩模图案和与布线相对应的掩模图案相连接)，以曝光量70mJ/cm2(以波长365nm换算)进行全光线曝光，用0.5％Na2CO3溶液进行30秒浸渍显影，以超纯水进行冲洗后，使用干燥烘箱于140℃进行30分钟固化，制作具有图19所示形状的天线27、布线32A及布线·电极33的带有布线和电极的天线基板。将制作条件示于表2。需要说明的是，布线·电极33的设计与实施例9同样，但自布线·电极33延伸的布线32A与天线27为连续层。对于得到的带有布线和电极的天线基板，进行天线的形成性的评价、电极形成性的评价、耐弯折性的评价、及天线27与布线32A的电压差的评价。将评价结果示于表3。
实施例11
在表2所示的制作条件下，利用与实施例10同样的方法制作图20所示的带有布线和电极的天线基板。对于得到的带有布线和电极的天线基板，进行天线的形成性的评价、耐弯折性的评价、及天线28与布线32A的电压差的评价。将评价结果示于表3。
实施例12
利用丝网印刷将感光性糊剂A涂布于膜厚为50μm的PET膜上，使用干燥烘箱于100℃进行10分钟预烘烤。然后，使用曝光装置“PEM-8M”(商品名，Union光学(株)制)，以曝光量70mJ/cm2(以波长365nm换算)进行全光线曝光，用0.5％Na2CO3溶液进行30秒浸渍显影，以超纯水进行冲洗后，使用干燥烘箱于140℃进行30分钟固化，形成图21A所示的布线32A及布线·电极33，制作带有布线和电极的基板。接着，利用丝网印刷将感光性糊剂A涂布于带有布线和电极的基板上，使用干燥烘箱于100℃进行10分钟预烘烤。然后，使用曝光装置“PEM-8M”(商品名，Union光学(株)制)，以曝光量70mJ/cm2(以波长365nm换算)进行全光线曝光，用0.5％Na2CO3溶液进行30秒浸渍显影，以超纯水进行冲洗后，使用干燥烘箱于140℃进行30分钟固化，形成天线27，从而制作图21B所示的带有布线和电极的天线基板。将制作条件示于表2。对于天线27与布线32A的连接部36，将从图21B中的箭头α、β的方向观察时的截面结构分别示于图21C、图21D。如图21C、图21D所示，天线27与布线32A重叠，在图21C、图21D中，天线27与布线32A的重叠宽度分别为50μm、100μm。对于得到的带有布线和电极的天线基板，进行天线的形成性的评价、电极形成性的评价、耐弯折性的评价、及天线27与布线32A的电压差的评价。将评价结果示于表2。
实施例13
在布线32A及布线·电极33的形成中使用感光性糊剂B，除此以外，利用与实施例12同样的方法制作带有布线和电极的天线基板。对于得到的带有布线和电极的天线基板，进行天线的形成性的评价、电极形成性的评价、耐弯折性的评价、及天线27与布线32A的电压差的评价。将评价结果示于表3。
实施例14
利用丝网印刷将感光性糊剂A涂布于膜厚为50μm的PET膜上，使用干燥烘箱于100℃进行10分钟预烘烤。然后，使用曝光装置“PEM-8M”(商品名，Union光学(株)制)，以曝光量70mJ/cm2(以波长365nm换算)进行全光线曝光，用0.5％Na2CO3溶液进行30秒浸渍显影，以超纯水进行冲洗后，使用干燥烘箱于140℃进行30分钟固化，形成天线27，从而制作图22A所示的天线基板。接着，利用丝网印刷将感光性糊剂B涂布于天线基板上，使用干燥烘箱于100℃进行10分钟预烘烤。然后，使用曝光装置“PEM-8M”(商品名，Union光学(株)制)，以曝光量70mJ/cm2(以波长365nm换算)进行全光线曝光，用0.5％Na2CO3溶液进行30秒浸渍显影，以超纯水进行冲洗后，使用干燥烘箱于140℃进行30分钟固化，形成布线32A及布线·电极33，制作图22B所示的带有布线和电极的天线基板。将制作条件示于表2。对于天线27与布线32A的连接部36，将从图22B中的箭头α、β的方向观察时的截面结构分别示于图22C、图22D。如图22C、图22D所示，天线27与布线32A重叠，在图22C、图22D中，天线27与布线32A的重叠宽度分别为100μm、100μm。对于得到的带有布线和电极的天线基板，进行天线的形成性的评价、电极形成性的评价、耐弯折性的评价、及天线27与布线32A的电压差的评价。将评价结果示于表3。
实施例15～17
在表2所示的制作条件下，利用与实施例10同样的方法制作带有布线和电极的天线基板。对于得到的带有布线和电极的天线基板，进行天线的形成性的评价、电极形成性的评价、耐弯折性的评价、及天线27与布线32A的电压差的评价。将评价结果示于表3。
实施例18～20
在表2所示的制作条件下，在布线32A及布线·电极33的形成中使用感光性糊剂D，使用喷墨装置(Cluster Technology(株)制)进行感光性糊剂D的涂布，除此以外，利用与实施例12同样的方法制作带有布线和电极的天线基板。在从箭头α、β的方向观察时的截面结构中，天线27与布线32A的重叠宽度分别为10μm、100μm。对于得到的带有布线和电极的天线基板，进行天线的形成性的评价、电极形成性的评价、耐弯折性的评价、及天线27与布线32A的电压差的评价。将评价结果示于表3。
实施例21
使用喷墨装置(Cluster Technology(株)制)将感光性糊剂D涂布于膜厚为50μm的PET膜上，使用干燥烘箱于100℃进行10分钟预烘烤。然后，使用曝光装置“PEM-8M”(商品名，Union光学(株)制)，以曝光量70mJ/cm2(以波长365nm换算)进行全光线曝光，用0.5％Na2CO3溶液进行30秒浸渍显影，以超纯水进行冲洗后，使用干燥烘箱于140℃进行30分钟固化，形成图23A所示的布线32A及布线·电极33，制作带有布线及电极的基板。接着，利用丝网印刷在带有布线及电极的基板上涂布感光性糊剂A，使用干燥烘箱于100℃进行10分钟预烘烤。然后，使用曝光装置“PEM-8M”(商品名，Union光学(株)制)，以曝光量70mJ/cm2(以波长365nm换算)进行全光线曝光，用0.5％Na2CO3溶液进行30秒浸渍显影，以超纯水进行冲洗后，使用干燥烘箱于140℃进行30分钟固化，制作天线28，并制作图23B所示的带有布线和电极的天线基板。将制作条件示于表2。在天线28与布线32A的连接部36中，将从图23B中的箭头α、β的方向观察时的截面结构分别示于图23C、图23D。如图23C、图23D所示，天线28与布线32A重叠，在图23C、图23D中，天线28与布线32A的重叠宽度分别为10μm、100μm。对于得到的带有布线和电极的天线基板，进行天线的形成性的评价、电极形成性的评价、耐弯折性的评价、及天线28与布线32A的电压差的评价。将评价结果示于表3。
实施例22
在表2所示的制作条件下，在布线32A及布线·电极33的形成中使用感光性糊剂D，使用喷墨装置(Cluster Technology(株)制)进行感光性糊剂D的涂布，除此以外，利用与实施例14同样的方法制作带有布线和电极的天线基板。在从箭头α、β的方向观察时的截面结构中，天线27与布线32A的重叠宽度分别为100μm、100μm。对于得到的带有布线和电极的天线基板，进行天线的形成性的评价、电极形成性的评价、耐弯折性的评价、及天线27与布线32A的电压差的评价。将评价结果示于表3。
实施例23
利用丝网印刷将感光性糊剂A涂布于膜厚为50μm的PET膜上，使用干燥烘箱于100℃进行10分钟预烘烤。然后，使用曝光装置“PEM-8M”(商品名，Union光学(株)制)，以曝光量70mJ/cm2(以波长365nm换算)进行全光线曝光，用0.5％Na2CO3溶液进行30秒浸渍显影，以超纯水进行冲洗后，使用干燥烘箱于140℃进行30分钟固化，形成天线28，从而制作图24A所示的天线基板。接着，使用喷墨装置(Cluster Technology(株)制)将感光性糊剂D涂布于天线基板上，使用干燥烘箱于100℃进行10分钟预烘烤。然后，使用曝光装置“PEM-8M”(商品名，Union光学(株)制)，以曝光量70mJ/cm2(以波长365nm换算)进行全光线曝光，用0.5％Na2CO3溶液进行30秒浸渍显影，以超纯水进行冲洗后，使用干燥烘箱于140℃进行30分钟固化，形成布线32A及布线·电极33，从而制作图24B所示的带有布线和电极的天线基板。将制作条件示于表2。在天线28与布线32A的连接部36中，将从图24B中的箭头α、β的方向观察时的截面结构分别示于图24C、图24D。如图24C、图24D所示，天线28与布线32A重叠，在图24C、图24D中，天线28与布线32A的重叠宽度分别为100μm、100μm。对于得到的带有布线和电极的天线基板，进行天线的形成性的评价、电极形成性的评价、耐弯折性的评价、及天线28与布线32A的电压差的评价。将评价结果示于表3。
实施例24
使用环氧系粘接剂并利用干式层压法，将厚度为10μm的经压延的铝箔37粘接于厚度为50μm的PET膜上，制作层叠体。在以所述方式得到的层叠体上，将抗蚀油墨凹版印刷成图25A所示的图案。图案部分的截面成为抗蚀层38/铝箔37/PET膜。印刷后，使用照射线量为480W/cm2的紫外线灯照射15秒，使抗蚀油墨固化，从而形成抗蚀层38。将得到的层叠体于40℃温度浸渍于35％的氯化铁水溶液中5分钟，由此进行铝箔的蚀刻，形成根据规定的图案而成的天线39。需要说明的是，线宽、线间隔的设计值分别设为600μm、400μm。然后，将该层叠体于20℃温度浸渍于1％的氢氧化钠水溶液中10秒，由此剥离抗蚀油墨层，制作图25B所示的天线基板。天线膜厚、线宽、线间隔的测定值分别为10μm、635μm、366μm。接着，使用喷墨装置(Cluster Technology(株)制)在天线基板上涂布感光性糊剂D，使用干燥烘箱于100℃进行10分钟预烘烤。然后，使用曝光装置“PEM-8M”(商品名，Union光学(株)制)，以曝光量70mJ/cm2(以波长365nm换算)进行全光线曝光，用0.5％Na2CO3溶液进行30秒浸渍显影，以超纯水进行冲洗后，使用干燥烘箱于140℃进行30分钟固化，形成布线32A及布线·电极33，从而制作图25C所示的带有布线和电极的天线基板。将制作条件示于表2。对于天线39与布线32A的连接部36，将从图25C中的箭头α、β的方向观察时的截面结构分别示于图25D、图25E。如图25D、图25E所示，天线39与布线32A重叠，在图25D、图25E中，天线39与布线32A的重叠宽度分别为100μm、100μm。对于得到的带有布线和电极的天线基板，进行天线的形成性的评价、电极形成性的评价、耐弯折性的评价、及天线39与布线32A的电压差的评价。将评价结果示于表3。
实施例25
使用环氧系粘接剂并利用干式层压法，将厚度为10μm的经压延的铝箔37粘接于厚度为50μm的PET膜上，制作层叠体。在以所述方式得到的层叠体上，将抗蚀油墨凹版印刷成图26A所示的图案。图案部分的截面成为抗蚀层38/铝箔37/PET膜。印刷后，使用照射线量为480W/cm2的紫外线灯照射15秒，使抗蚀油墨固化，从而形成抗蚀层38。将得到的层叠体于40℃温度浸渍于35％的氯化铁水溶液中5分钟，由此进行铝箔的蚀刻，形成根据规定的图案而成的天线39和布线32A的一部分(32A-1)。需要说明的是，线宽、线间隔、布线32A-1的宽度的设计值分别设为600μm、400μm、200μm。然后，将该层叠体于20℃温度浸渍于1％的氢氧化钠水溶液中10秒，由此剥离抗蚀油墨层，制作图26B所示的带有布线的天线基板。天线膜厚、线宽、线间隔、布线32A-1的膜厚、宽度的测定值分别为10μm、634μm、364μm、10μm、212μm。接着，使用喷墨装置(Cluster Technology(株)制)在带有布线的天线基板上涂布感光性糊剂D，使用干燥烘箱于100℃进行10分钟预烘烤。然后，使用曝光装置“PEM-8M”(商品名，Union光学(株)制)，以曝光量70mJ/cm2(以波长365nm换算)进行全光线曝光，用0.5％Na2CO3溶液进行30秒浸渍显影，以超纯水进行冲洗后，使用干燥烘箱于140℃进行30分钟固化，形成布线32A的一部分(32A-2)及布线·电极33，制作图26C所示的带有布线和电极的天线基板。将制作条件示于表2。对于布线32A-1与布线32A-2的连接部40，将从图26C中的箭头α、β的方向观察时的截面结构分别示于图26D、图26E。如图26D、图26E所示，布线32A-1与布线32A-2重叠，在图26D、图26E中，布线32A-1与布线32A-2的重叠宽度分别为100μm、100μm。对于得到的带有布线和电极的天线基板，进行天线的形成性的评价、电极形成性的评价、耐弯折性的评价、及天线39与布线32A-2的电压差的评价。将评价结果示于表3。
实施例26
使用环氧系粘接剂并利用干式层压法，将厚度为10μm的经压延的铝箔37粘接于厚度为50μm的PET膜上，制作层叠体。在以所述方式得到的层叠体上，将抗蚀油墨凹版印刷成图27A所示的图案。图案部分的截面成为抗蚀层38/铝箔37/PET膜。印刷后，使用照射线量为480W/cm2的紫外线灯照射15秒，使抗蚀油墨固化，从而形成抗蚀层38。需要说明的是，线宽、线间隔的设计值分别设为1000μm、100μm。将得到的层叠体于40℃温度浸渍于35％的氯化铁水溶液中5分钟，由此进行铝箔的蚀刻，形成根据规定的图案而成的天线41。然后，将该层叠体于20℃温度浸渍于1％的氢氧化钠水溶液中10秒，由此剥离抗蚀油墨层，制作图27B所示的天线基板。天线膜厚、线宽、线间隔的测定值分别为10μm、1054μm、91μm。接着，使用喷墨装置(Cluster Technology(株)制)在天线基板上涂布感光性糊剂D，使用干燥烘箱于100℃进行10分钟预烘烤。然后，使用曝光装置“PEM-8M”(商品名，Union光学(株)制)，以曝光量70mJ/cm2(以波长365nm换算)进行全光线曝光，用0.5％Na2CO3溶液进行30秒浸渍显影，以超纯水进行冲洗后，使用干燥烘箱于140℃进行30分钟固化，制作布线32A及布线·电极33，从而制作图27C所示的带有布线和电极的天线基板。将制作条件示于表2。对于天线41与布线32A的连接部36，将从图27C中的箭头α、β的方向观察时的截面结构分别示于图27D、图27E。如图27D、图27E所示，天线41与布线32A重叠，在图27D、图27E中，天线41与布线32A的重叠宽度分别为100μm、100μm。对于得到的带有布线和电极的天线基板，进行天线的形成性的评价、电极形成性的评价、耐弯折性的评价、及天线41与布线32A的电压差的评价。将评价结果示于表3。
实施例27
使用环氧系粘接剂并利用干式层压法，将厚度为10μm的经压延的铝箔37粘接于厚度为50μm的PET膜上，制作层叠体。在以所述方式得到的层叠体上，将抗蚀油墨凹版印刷成图28A所示的图案。图案部分的截面成为抗蚀层38/铝箔37/PET膜。印刷后，使用照射线量为480W/cm2的紫外线灯照射15秒，使抗蚀油墨固化，从而形成抗蚀层38。将得到的层叠体于40℃温度浸渍于35％的氯化铁水溶液中5分钟，由此进行铝箔的蚀刻，形成根据规定的图案而成的天线41和布线32A的一部分(32A-1)。需要说明的是，线宽、线间隔、布线32A-1的宽度的设计值分别设为1000μm、100μm、200μm。然后，将该层叠体于20℃温度浸渍于1％的氢氧化钠水溶液中10秒，由此剥离抗蚀油墨层，制作图28B所示的带有布线的天线基板。天线膜厚、线宽、线间隔、布线32A-1的膜厚、宽度的测定值分别为10μm、1056μm、93μm、10μm、211μm。接着，使用喷墨装置(Cluster Technology(株)制)在带有布线的天线基板上涂布感光性糊剂D，使用干燥烘箱于100℃进行10分钟预烘烤。然后，使用曝光装置“PEM-8M”(商品名，Union光学(株)制)，以曝光量70mJ/cm2(以波长365nm换算)进行全光线曝光，用0.5％Na2CO3溶液进行30秒浸渍显影，以超纯水进行冲洗后，使用干燥烘箱于140℃进行30分钟固化，形成布线32A的一部分(32A-2)及布线·电极33，从而制作图28C所示的带有布线和电极的天线基板。将制作条件示于表2。对于布线32A-1与布线32A-2的连接部40，将从图28C中的箭头α、β的方向观察时的截面结构分别示于图28D、图28E。如图28D、图28E所示，布线32A-1与布线32A-2重叠，在图28D、图28E中，布线32A-1与布线32A-2的重叠宽度分别为100μm、100μm。对于得到的带有布线和电极的天线基板，进行天线的形成性的评价、电极形成性的评价、耐弯折性的评价、及天线41与布线32A-2的电压差的评价。将评价结果示于表3。
比较例1
利用丝网印刷将感光性糊剂A涂布于膜厚为50μm的PET膜上，使用干燥烘箱于100℃进行10分钟预烘烤。然后，使用干燥烘箱于140℃进行30分钟固化，制作图22A所示的天线基板。将制作条件示于表2。对于得到的天线基板，进行天线的形成性、及耐弯折性的评价。将评价结果示于表3。
比较例2～3
在表2所示的制作条件下，利用与比较例1同样的方法制作天线基板。对于得到的天线基板，进行天线的形成性、及耐弯折性的评价。将评价结果示于表3。
比较例4
利用丝网印刷将感光性糊剂A涂布于膜厚为50μm的PET膜上，使用干燥烘箱于100℃进行10分钟预烘烤。然后，使用干燥烘箱于140℃进行30分钟固化，制作图24A所示的天线基板。将制作条件示于表2。对于得到的天线基板，进行天线的形成性、及耐弯折性的评价。将评价结果示于表2。线间隔的设计值设为100μm，但得到的天线基板中，线间隔为0μm，2个图案相连接。
比较例5
利用丝网印刷将感光性糊剂B涂布于膜厚为50μm的PET膜上，使用干燥烘箱于100℃进行10分钟预烘烤。然后，使用干燥烘箱于140℃进行30分钟固化，制作图22B所示的带有布线和电极的天线基板。将制作条件示于表2。对于得到的带有布线和电极的天线基板，进行天线的形成性、耐弯折性的评价、及天线27与布线32A的电压差的评价。将评价结果示于表3。布线宽度的设计值设为50μm，但得到的布线的宽度为104μm，与设计值有较大偏差。另外，电极间的距离的设计值设为20μm，但得到的电极间的距离为0μm，2个电极相连接。
Figure GDA0003026143780000591
Figure GDA0003026143780000601
实施例28
利用丝网印刷将感光性糊剂A涂布于膜厚为50μm的PET膜上，使用干燥烘箱于100℃进行10分钟预烘烤。然后，使用曝光装置“PEM-8M”(商品名，Union光学(株)制)，以曝光量70mJ/cm2(以波长365nm换算)进行全光线曝光，用0.5％Na2CO3溶液进行30秒浸渍显影，以超纯水进行冲洗后，使用干燥烘箱于140℃进行30分钟固化，形成天线27，从而制作图29A所示的天线基板。需要说明的是，天线膜厚、线宽、线间隔分别为3.9μm、610μm、391μm。
接着，使用喷墨装置(Cluster Technology(株)制)在天线基板上涂布感光性糊剂D，使用干燥烘箱于100℃进行10分钟预烘烤。然后，使用曝光装置“PEM-8M”(商品名，Union光学(株)制)，以曝光量70mJ/cm2(以波长365nm换算)进行全光线曝光，用0.5％Na2CO3溶液进行30秒浸渍显影，以超纯水进行冲洗后，使用干燥烘箱于140℃进行30分钟固化，形成布线32A、布线32B、源电极42、漏电极43，从而制作图29B所示的带有布线和电极的天线基板。这一对源电极42、漏电极43的宽度均为1000μm，电极间的距离为10μm，布线32A、32B的宽度为10μm，布线·电极的膜厚为0.18μm。
接着，使用喷墨装置(Cluster Technology(株)制)，在源·漏电极间滴加400pl半导体溶液A而形成半导体层44，在加热板上于氮气流下，于150℃进行30分钟的热处理。接着，将绝缘层溶液B旋转涂布(800rpm×20秒)于上述形成有源电极42、漏电极43、半导体层44的带有布线和电极的天线基板上，于120℃进行5分钟热处理后，再次旋转涂布(800rpm×20秒)绝缘层溶液B，在氮气流下于200℃热处理30分钟，从而形成膜厚为400nm的绝缘层45。在其上旋转涂布(1000rpm×20秒)光致抗蚀剂(商品名“LC100-10cP”，Rohm and Haas(株)制)，于100℃进行10分钟加热干燥。使用曝光装置“PEM-8M”(商品名，Union光学(株)制)，对形成的光致抗蚀剂膜以曝光量100mJ/cm2(以波长365nm换算)进行全光线曝光，使用作为2.38质量％的四甲基氢氧化铵水溶液的ELM-D(商品名，三菱瓦斯化学(株)制)喷淋显影70秒，接着用水洗涤30秒。然后，使用蚀刻液SEA-5(商品名，关东化学(株)制)蚀刻处理5分钟，然后用水洗涤30秒。在AZ Remover100(商品名，AZ Electronic Materials(株)制)中浸渍5分钟而剥离抗蚀剂，用水洗涤30秒后，于120℃加热干燥20分钟，由此在漏电极43上形成接触孔。使用喷墨装置(Cluster Technology(株)制)，将感光性糊剂D涂布于形成有接触孔的绝缘层45上，使用干燥烘箱于100℃进行10分钟预烘烤。然后，使用曝光装置“PEM-8M”(商品名，Union光学(株)制)，以曝光量70mJ/cm2(以波长365nm换算)进行全光线曝光，用0.5％Na2CO3溶液进行30秒浸渍显影，以超纯水进行冲洗后，使用干燥烘箱于140℃进行30分钟固化，形成栅电极46，从而制作整流元件47。在图29C中示出得到的带有整流元件的天线基板100。
对上述整流元件47的电流-电压特性进行测定。在测定中使用半导体特性评价系统4200-SCS型(Keithley Instruments(株)制)，利用将源电极42设为输入、将漏电极43及栅电极46设为输出的2端子法进行。测定在大气中(气温20℃，湿度35％)中实施，确认到获得整流作用。接着，使用上述带有整流元件的天线基板来构成图29D所示的整流电路。电容器102的容量值为300[pF]。将上述天线27的一端γ连接于输入端子101，将上述整流元件47的漏电极43连接于电容器102及输出端子103。电容器102的相反侧的电极与接地电位电连接。将交流电压(电压振幅10[V]，频率10MHz)输入至输入端子101时，被输出端子103输出的直流电压的平均值为2.5[V]，偏差为0.8[V]。
实施例29
使用半导体溶液B来代替半导体溶液A，除此以外，与实施例28同样地制作带有整流元件的天线基板100。为了对得到的带有整流元件的天线基板100进行评价，以与实施例28同样的方式构成整流电路。将交流电压(电压振幅10[V])输入至输入端子101时，被输出端子103输出的直流电压的平均值为4.9[V]，偏差为0.3[V]。
实施例30
使用喷墨装置(Cluster Technology(株)制)将感光性糊剂D涂布于膜厚为50μm的PET膜上，使用干燥烘箱于100℃进行10分钟预烘烤。然后，使用曝光装置“PEM-8M”(商品名，Union光学(株)制)，以曝光量70mJ/cm2(以波长365nm换算)进行全光线曝光，用0.5％Na2CO3溶液进行30秒浸渍显影，以超纯水进行冲洗后，使用干燥烘箱于140℃进行30分钟固化，形成布线32A、布线32B、源电极42、漏电极43，制作图30A所示的带有布线和电极的基板。这一对源电极42、漏电极43的宽度均为1000μm，电极间的距离为10μm，布线32A、32B的宽度为10μm，布线·电极的膜厚为0.19μm。
接着，利用丝网印刷将感光性糊剂A涂布于带有布线和电极的基板上，使用干燥烘箱于100℃进行10分钟预烘烤。然后，使用曝光装置“PEM-8M”(商品名，Union光学(株)制)，以曝光量70mJ/cm2(以波长365nm换算)进行全光线曝光，用0.5％Na2CO3溶液进行30秒浸渍显影，以超纯水进行冲洗后，使用干燥烘箱于140℃进行30分钟固化，形成天线27，从而制作图30B所示的带有布线和电极的天线基板。需要说明的是，天线膜厚、线宽、线间隔分别为3.8μm、611μm、394μm。
接着，使用喷墨装置(Cluster Technology(株)制)在源·漏电极间滴加400pl半导体溶液B而形成半导体层44，在加热板上于氮气流下，于150℃进行30分钟的热处理。接着，将绝缘层溶液B旋转涂布(800rpm×20秒)于上述形成有源电极42、漏电极43、半导体层44的带有布线和电极的天线基板上，于120℃进行5分钟热处理后，再次旋转涂布(800rpm×20秒)绝缘层溶液B，在氮气流下于200℃热处理30分钟，由此形成膜厚为400nm的绝缘层45。在其上旋转涂布(1000rpm×20秒)光致抗蚀剂(商品名“LC100-10cP”，Rohm and Haas(株)制)，于100℃加热干燥10分钟。使用曝光装置“PEM-8M”(商品名，Union光学(株)制)，对形成的光致抗蚀剂膜以曝光量100mJ/cm2(以波长365nm换算)进行全光线曝光，使用作为2.38质量％的四甲基氢氧化铵水溶液的ELM-D(商品名，三菱瓦斯化学(株)制)喷淋显影70秒，接着用水洗涤30秒。然后，使用蚀刻液SEA-5(商品名，关东化学(株)制)蚀刻处理5分钟，然后用水洗涤30秒。浸渍于AZ Remover100(商品名，AZ Electronic Materials(株)制)中5分钟而剥离抗蚀剂，用水洗涤30秒后，于120℃加热干燥20分钟，由此形成接触孔。使用喷墨装置(Cluster Technology(株)制)，将感光性糊剂D涂布于形成有接触孔的绝缘层45上，使用干燥烘箱于100℃进行10分钟预烘烤。然后，使用曝光装置“PEM-8M”(商品名，Union光学(株)制)，以曝光量70mJ/cm2(以波长365nm换算)进行全光线曝光，用0.5％Na2CO3溶液进行30秒浸渍显影，以超纯水进行冲洗后，使用干燥烘箱于140℃进行30分钟固化，形成栅电极46，从而制作整流元件47。在图30C中示出得到的带有整流元件的天线基板100。
接着，使用上述带有整流元件的天线基板100构成图30D所示的整流电路。电容器102的容量值为300[pF]。将上述天线27的一端γ连接于输入端子101，将上述整流元件47的漏电极43连接于电容器102及输出端子103。电容器102的相反侧的电极与接地电位电连接。将交流电压(电压振幅10[V]，频率10MHz)输入至输入端子101时，被输出端子103输出的直流电压的平均值为4.9[V]，偏差为0.2[V]。
实施例31
使用环氧系粘接剂并利用干式层压法，将厚度为10μm的经压延的铝箔37粘接于厚度为50μm的PET膜上，制作层叠体。在以所述方式得到的层叠体上，将抗蚀油墨凹版印刷成图31A所示的图案。图案部分的截面成为抗蚀层38/铝箔37/PET膜。印刷后，使用照射线量为480W/cm2的紫外线灯照射15秒，使抗蚀油墨固化，从而形成抗蚀层38。将得到的层叠体于40℃温度浸渍于35％的氯化铁水溶液中5分钟，由此进行铝箔的蚀刻，形成根据规定的图案而成的天线39。然后，将该层叠体于20℃温度浸渍于1％的氢氧化钠水溶液中10秒，由此剥离抗蚀油墨层，从而制作图31B所示的天线基板。天线膜厚、线宽、线间隔分别为10μm、638μm、361μm。
接着，使用喷墨装置(Cluster Technology(株)制)在天线基板上涂布感光性糊剂D，使用干燥烘箱于100℃进行10分钟预烘烤。然后，使用曝光装置“PEM-8M”(商品名，Union光学(株)制)，以曝光量70mJ/cm2(以波长365nm换算)进行全光线曝光，用0.5％Na2CO3溶液进行30秒浸渍显影，以超纯水进行冲洗后，使用干燥烘箱于140℃进行30分钟固化，形成布线32A、布线32B、源电极42、漏电极43，从而制作图31C所示的带有布线和电极的天线基板。这一对源电极42、漏电极43的宽度均为1000μm，电极间的距离为10μm，布线32A、32B的宽度为10μm，布线·电极的膜厚为0.18μm。
接着，使用喷墨装置(Cluster Technology(株)制)，在源·漏电极间滴加400pl半导体溶液B而形成半导体层44，在加热板上于氮气流下，于150℃进行30分钟的热处理。接着，将绝缘层溶液B旋转涂布(800rpm×20秒)于上述形成有源电极42、漏电极43、半导体层44的带有布线和电极的天线基板上，于120℃进行5分钟热处理后，再次旋转涂布(800rpm×20秒)绝缘层溶液B，在氮气流下于200℃热处理30分钟，由此形成膜厚为400nm的绝缘层45。在其上旋转涂布(1000rpm×20秒)光致抗蚀剂(商品名“LC100-10cP”，Rohm and Haas(株)制)，于100℃加热干燥10分钟。使用曝光装置“PEM-8M”(商品名，Union光学(株)制)，将形成的光致抗蚀剂膜以曝光量100mJ/cm2(以波长365nm换算)进行全光线曝光，使用作为2.38质量％的四甲基氢氧化铵水溶液的ELM-D(商品名，三菱瓦斯化学(株)制)喷淋显影70秒，接着用水洗涤30秒。然后，使用蚀刻液SEA-5(商品名，关东化学(株)制)蚀刻处理5分钟，然后用水洗涤30秒。在AZ Remover100(商品名，AZ Electronic Materials(株)制)中浸渍5分钟而剥离抗蚀剂，用水洗涤30秒后，于120℃加热干燥20分钟，从而形成接触孔。使用喷墨装置(Cluster Technology(株)制)，将感光性糊剂D涂布于形成有接触孔的绝缘层45上，使用干燥烘箱于100℃进行10分钟预烘烤。然后，使用曝光装置“PEM-8M”(商品名，Union光学(株)制)，以曝光量70mJ/cm2(以波长365nm换算)进行全光线曝光，用0.5％Na2CO3溶液进行30秒浸渍显影，以超纯水进行冲洗后，使用干燥烘箱于140℃进行30分钟固化，形成栅电极46，从而制作整流元件47。在图31D中示出得到的带有整流元件的天线基板100。
接着，使用上述带有整流元件的天线基板100构成图31E所示的整流电路。电容器102的容量值为300[pF]。将上述天线39的一端γ连接于输入端子101，将上述整流元件47的漏电极43连接于电容器102及输出端子103。电容器102的相反侧的电极与接地电位电连接。将交流电压(电压振幅10[V]，频率10MHz)输入至输入端子101时，被输出端子103输出的直流电压的平均值为4.8[V]，偏差为0.5[V]。
实施例32
使用环氧系粘接剂并利用干式层压法，将厚度为10μm的经压延的铝箔37粘接于厚度为50μm的PET膜上，制作层叠体。在以所述方式得到的层叠体上，将抗蚀油墨凹版印刷成图32A所示的图案。图案部分的截面成为抗蚀层38/铝箔37/PET膜。印刷后，使用照射线量为480W/cm2的紫外线灯照射15秒，使抗蚀油墨固化，从而形成抗蚀层38。将得到的层叠体于40℃温度浸渍于35％的氯化铁水溶液中5分钟，由此进行铝箔的蚀刻，形成根据规定的图案而成的天线39与布线32A的一部分(32A-1)。天线膜厚、线宽、线间隔、布线32A-1的膜厚、宽度分别为10μm、632μm、367μm、10μm、214μm。然后，将该层叠体于20℃温度浸渍于1％的氢氧化钠水溶液中10秒，由此剥离抗蚀油墨层，制作图32B所示的带有布线的天线基板。
接着，使用喷墨装置(Cluster Technology(株)制)，将感光性糊剂D涂布于带有布线的天线基板上，使用干燥烘箱于100℃进行10分钟预烘烤。然后，使用曝光装置“PEM-8M”(商品名，Union光学(株)制)，以曝光量70mJ/cm2(以波长365nm换算)进行全光线曝光，用0.5％Na2CO3溶液进行30秒浸渍显影，以超纯水进行冲洗后，使用干燥烘箱于140℃进行30分钟固化，形成布线32A的一部分(32A-2)、布线32B、源电极42、漏电极43，制作图32C所示的带有布线和电极的天线基板。这一对源电极42、漏电极43的宽度均为1000μm，电极间的距离为10μm，布线32A-2和32B的宽度为10μm，布线32A-2和32B的膜厚、及电极的膜厚为0.19μm。
接着，使用喷墨装置(Cluster Technology(株)制)，在源·漏电极间滴加400pl半导体溶液B而形成半导体层44，在加热板上于氮气流下，于150℃进行30分钟的热处理。接着，将绝缘层溶液B旋转涂布(800rpm×20秒)于上述形成有源电极42、漏电极43、半导体层44的带有布线和电极的天线基板上，于120℃热处理5分钟后，再次旋转涂布(800rpm×20秒)绝缘层溶液B，在氮气流下于200℃热处理30分钟，由此形成膜厚为400nm的绝缘层45。在其上旋转涂布(1000rpm×20秒)光致抗蚀剂(商品名“LC100-10cP”，Rohm and Haas(株)制)，于100℃加热干燥10分钟。使用曝光装置“PEM-8M”(商品名，Union光学(株)制)，对形成的光致抗蚀剂膜以曝光量100mJ/cm2(以波长365nm换算)进行全光线曝光，使用作为2.38质量％的四甲基氢氧化铵水溶液的ELM-D(商品名，三菱瓦斯化学(株)制)喷淋显影70秒，接着用水洗涤30秒。然后，使用蚀刻液SEA-5(商品名，关东化学(株)制)蚀刻处理5分钟，然后用水洗涤30秒。在AZ Remover100(商品名，AZ Electronic Materials(株)制)中浸渍5分钟而剥离抗蚀剂，用水洗涤30秒后，于120℃加热干燥20分钟，由此形成接触孔。使用喷墨装置(Cluster Technology(株)制)，将感光性糊剂D涂布于形成有接触孔的绝缘层45上，使用干燥烘箱于100℃进行10分钟预烘烤。然后，使用曝光装置“PEM-8M”(商品名，Union光学(株)制)，以曝光量70mJ/cm2(以波长365nm换算)进行全光线曝光，用0.5％Na2CO3溶液进行30秒浸渍显影，以超纯水进行冲洗后，使用干燥烘箱于140℃进行30分钟固化，形成栅电极46，从而制作整流元件47。在图32D中示出得到的带有整流元件的天线基板100。
接着，使用上述带有整流元件的天线基板100构成图32E所示的整流电路。电容器102的容量值为300[pF]。将上述天线39的一端γ连接于输入端子101，将上述整流元件47的漏电极43连接于电容器102及输出端子103。电容器102的相反侧的电极与接地电位电连接。将交流电压(电压振幅10[V]，频率10MHz)输入至输入端子101时，被输出端子103输出的直流电压的平均值为4.9[V]，偏差为0.3[V]。
附图标记说明
1 涂布膜
2 与天线相对应的掩模图案
3 与天线相对应的图案
4 与天线相对应的掩模图案
5 与布线相对应的掩模图案
6 与电极相对应的掩模图案
7 涂布膜
8 与天线相对应的图案
9A 和与天线相对应的图案连接的与布线相对应的图案
9B 和与电极相对应的图案连接的与布线相对应的图案
10 与电极相对应的图案
11 用于形成与天线相对应的图案的涂布膜
12 用于形成与布线相对应的图案及与电极相对应的图案的涂布膜
13 天线
14A 与天线连接的布线
14B 与电极连接的布线
15 电极
16 布线与涂布膜的连接部
17 用于形成与天线相对应的图案及与布线相对应的图案的涂布膜
18 用于形成与电极相对应的图案的涂布膜
19 天线
20 天线与涂布膜的连接部
21 绝缘基板
22 源电极
23 漏电极
24 半导体层
25 栅绝缘膜
26 栅电极
27 天线
28 天线
29 金属圆柱
30 天线基板、或带有布线和电极的天线基板
32A 与天线连接的布线
32A-1 与天线一并形成的布线
32A-2 与天线另行形成的布线
32B 与电极连接的布线
33 布线·电极
34 电极
35 导电糊膜
36 天线与布线的连接部
37 铝箔
38 抗蚀层
39 天线
40 布线的连接部
41 天线
42 源电极
43 漏电极
44 半导体层
45 绝缘层
46 栅电极
47 整流元件
100 带有整流元件的天线基板
101 输入端子
102 电容器
103 输出端子。

Claims (14)

1.带有布线和电极的天线基板的制造方法，其包括以下工序：
(1)在绝缘基板上，使用含有导电体和感光性有机成分的感光性糊剂而形成涂布膜的工序；
(2-A)利用光刻将所述涂布膜加工成与天线相对应的图案的工序，(2-B)利用光刻将所述涂布膜加工成与布线相对应的图案的工序，(2-C)利用光刻将所述涂布膜加工成与电极相对应的图案的工序；
(3-A)使与天线相对应的图案固化而得到天线的工序，(3-B)使与布线相对应的图案固化而得到布线的工序，(3-C)使与电极相对应的图案固化而得到电极的工序，
以与天线相对应的图案和与布线相对应的图案的连接部成为连续相的方式，将所述(2-A)工序和所述(2-B)工序一并进行，或者，将所述(2-A)工序、所述(2-B)工序及所述(2-C)工序一并进行，所述电极作为构成电容器或TFT的电极而使用。
2.如权利要求1所述的带有布线和电极的天线基板的制造方法，其中，所述(1)工序包括以下的(1-A)工序及(1-B)工序：
(1-A)在绝缘基板上，使用含有导电体和感光性有机成分的第一感光性糊剂而形成第一涂布膜的工序；
(1-B)在绝缘基板上，使用含有导电体和感光性有机成分的第二感光性糊剂而形成第二涂布膜的工序；
所述(2-A)工序是利用光刻将所述第一涂布膜加工成与天线相对应的图案的工序，所述(2-B)工序包括利用光刻将所述第二涂布膜加工成与布线相对应的图案的工序，所述(2-C)工序包括利用光刻将所述第二涂布膜加工成与电极相对应的图案的工序。
3.如权利要求1所述的带有布线和电极的天线基板的制造方法，其中，所述(1)工序包括以下的(1-A)工序及(1-B)工序：
(1-A)在绝缘基板上，使用含有导电体和感光性有机成分的第一感光性糊剂而形成第一涂布膜的工序；
(1-B)在绝缘基板上，使用含有导电体和感光性有机成分的第二感光性糊剂而形成第二涂布膜的工序；
所述(2-A)工序是利用光刻将所述第一涂布膜加工成与天线相对应的图案的工序，所述(2-B)工序包括利用光刻将所述第一涂布膜加工成与布线相对应的图案的工序，所述(2-C)工序包括利用光刻将所述第二涂布膜加工成与电极相对应的图案的工序。
4.如权利要求2或3所述的带有布线和电极的天线基板的制造方法，其中，在所述(1-B)工序中，以与天线的一部分相重叠的方式形成第二涂布膜。
5.如权利要求1～3中任一项所述的带有布线和电极的天线基板的制造方法，其中，天线的膜厚为1～10μm，布线和电极的膜厚均为0.05～1.0μm。
6.如权利要求2或3所述的带有布线和电极的天线基板的制造方法，其中，在所述(1-B)工序中，利用分配器涂布法、喷墨涂布法、静电涂布法中的任一种方法形成涂布膜。
7.带有布线和电极的天线基板的制造方法，其包括以下工序：
(1-P)在形成有天线的绝缘基板上，使用含有导电体和感光性有机成分的感光性糊剂而形成涂布膜的工序；
(2-P-B)利用光刻将所述涂布膜加工成与布线相对应的图案的工序，(2-P-C)利用光刻将所述涂布膜加工成与电极相对应的图案的工序；
(3-P-B)使与布线相对应的图案固化而得到布线的工序，(3-P-C)使与电极相对应的图案固化而得到电极的工序，
以与布线相对应的图案和所述天线的连接部成为连续相的方式，将所述(2-P-B)工序及所述(2-P-C)工序一并进行，所述电极作为构成电容器或TFT的电极而使用。
8.如权利要求7所述的带有布线和电极的天线基板的制造方法，其中，在所述(1-P)工序中，以与天线的一部分相重叠的方式形成涂布膜。
9.如权利要求7或8所述的带有布线和电极的天线基板的制造方法，其中，所述形成有天线的绝缘基板的制造方法包括将导电体贴附于绝缘基板的工序。
10.如权利要求1或7所述的带有布线和电极的天线基板的制造方法，其中，所述感光性有机成分中包含具有氨基甲酸酯基的化合物。
11.如权利要求1或7所述的带有布线和电极的天线基板的制造方法，其中，所述绝缘基板包含选自聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚苯砜、环烯烃聚合物、聚酰胺或聚酰亚胺中的至少一种树脂。
12.RFID器件的制造方法，其包括以下工序：
(1)在绝缘基板上，使用含有导电体和感光性有机成分的感光性糊剂而形成涂布膜的工序；
(2-A)利用光刻将所述涂布膜加工成与天线相对应的图案的工序，(2-B)利用光刻将所述涂布膜加工成与布线相对应的图案的工序，(2-C)利用光刻将所述涂布膜加工成与电极相对应的图案的工序；
(3-A)使与天线相对应的图案固化而得到天线的工序，(3-B)使与布线相对应的图案固化而得到布线的工序，(3-C)使与电极相对应的图案固化而得到电极的工序；
(4-S)在得到的带有布线和电极的天线基板的电极上或电极间，形成半导体层的工序，
其中，以与天线相对应的图案和与布线相对应的图案的连接部成为连续相的方式，将所述(2-A)工序和所述(2-B)工序一并进行，或者，将所述(2-A)工序、所述(2-B)工序及所述(2-C)工序一并进行，所述电极作为构成电容器或TFT的电极而使用。
13.RFID器件的制造方法，其包括以下工序：
(1-P)在形成有天线的绝缘基板上，使用含有导电体和感光性有机成分的感光性糊剂而形成涂布膜的工序；
(2-P-B)利用光刻将所述涂布膜加工成与布线相对应的图案的工序，(2-P-C)利用光刻将所述涂布膜加工成与电极相对应的图案的工序；
(3-P-B)使与布线相对应的图案固化而得到布线的工序，(3-P-C)使与电极相对应的图案固化而得到电极的工序；
(4-S)在得到的带有布线和电极的天线基板的电极上或电极间，形成半导体层的工序，
以与布线相对应的图案和所述天线的连接部成为连续相的方式，将所述(2-P-B)工序及所述(2-P-C)工序一并进行，所述电极作为构成电容器或TFT的电极而使用。
14.如权利要求12或13所述的RFID器件的制造方法，其中，在所述(4-S)工序中包括涂布包含碳纳米管的溶液的工序。
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11824264B2 (en) 2016-04-20 2023-11-21 Novasolix, Inc. Solar antenna array fabrication
JP7082976B2 (ja) * 2016-11-14 2022-06-09 アルマ マータ ストゥディオルム－ウニベルシータ ディ ボローニャ 感応性電界効果デバイス及びその製造方法
WO2018225748A1 (ja) * 2017-06-08 2018-12-13 Jsr株式会社 組成物、硬化膜の製造方法及び電子部品
US11616453B2 (en) 2017-11-02 2023-03-28 Toray Industries, Inc. Integrated circuit, method for manufacturing same, and radio communication device using same
FR3073307B1 (fr) * 2017-11-08 2021-05-28 Oberthur Technologies Dispositif de securite tel qu'une carte a puce
CN111602293B (zh) 2018-01-18 2022-08-30 株式会社村田制作所 带天线基板以及天线模块
JP7190694B2 (ja) * 2018-12-06 2022-12-16 株式会社マルアイ Ｒｆｉｄの導電性パターンの製造方法
JP7434898B2 (ja) * 2018-12-25 2024-02-21 東レ株式会社 無線通信装置の製造方法、無線通信装置および無線通信装置の集合体
WO2020170925A1 (ja) 2019-02-21 2020-08-27 東レ株式会社 電界効果型トランジスタ、その製造方法およびそれを用いた無線通信装置
KR20220042060A (ko) * 2019-08-01 2022-04-04 도레이 카부시키가이샤 감광성 수지 조성물, 감광성 시트, 경화막, 경화막의 제조 방법, 층간 절연막 및 전자 부품
US11669709B2 (en) * 2020-03-02 2023-06-06 Avery Dennison Retail Information Services Llc Controlled energy adsorption by self-limiting heating for curing processes
CN111293415A (zh) * 2020-04-10 2020-06-16 江苏科睿坦电子科技有限公司 一种新型基材pps薄膜的rfid标签天线及其制作方法
KR20230137881A (ko) * 2021-01-26 2023-10-05 도레이 카부시키가이샤 감광성 수지 조성물, 경화막, 전자 부품, 안테나 소자,반도체 패키지 및 화합물
TW202336133A (zh) * 2021-12-20 2023-09-16 日商東京應化工業股份有限公司 光硬化性組合物及圖案形成方法
WO2023224787A1 (en) * 2022-05-19 2023-11-23 Novasolix, Inc. Solar antenna array fabrication
TWI826021B (zh) * 2022-09-29 2023-12-11 永豐泰科技企業有限公司 手術室器械電子識別帶製法及製品

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1336725A (zh) * 2000-01-26 2002-02-20 Tdk株式会社 电子元件及其制造方法
CN1421879A (zh) * 2001-11-26 2003-06-04 株式会社村田制作所 电感元件及其电感值调整方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08316080A (ja) * 1995-05-19 1996-11-29 Toko Inc 高周波インダクタの製造方法
JP3438704B2 (ja) * 2000-07-14 2003-08-18 株式会社村田製作所 導体パターンおよび該導体パターンを備えた電子部品
JP3614152B2 (ja) * 2001-08-07 2005-01-26 株式会社村田製作所 感光性導電ペースト、それを用いた回路基板及びセラミック多層基板の製造方法
JP4012019B2 (ja) 2002-08-30 2007-11-21 大日本印刷株式会社 アンテナ配線パターンの形成方法
JP4444683B2 (ja) * 2004-02-10 2010-03-31 株式会社日立製作所 コイル状アンテナを有する半導体チップ及びこれを用いた通信システム
JP4239848B2 (ja) 2004-02-16 2009-03-18 富士ゼロックス株式会社 マイクロ波用アンテナおよびその製造方法
US7977253B2 (en) * 2004-08-31 2011-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US7622338B2 (en) 2004-08-31 2009-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
EP1817796B1 (en) * 2004-11-30 2013-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2008041766A (ja) * 2006-08-02 2008-02-21 Bridgestone Corp Ｆｐｃ、ｒｆｉｄ用タグ及びその製造方法
JP2008189758A (ja) 2007-02-02 2008-08-21 Toyo Ink Mfg Co Ltd 導電性インキ、導電回路および非接触型メディア
KR20100016643A (ko) 2007-04-19 2010-02-12 바스프 에스이 기판 상에 패턴을 형성하는 방법 및 그에 의해 형성된 전자 장치
JP2010008578A (ja) * 2008-06-25 2010-01-14 Central Glass Co Ltd 感光性導電ペースト
CN101718953A (zh) * 2008-10-09 2010-06-02 北京印刷学院 一种制作射频识别(rfid)标签天线的紫外光固化银导电浆料
EP2366271B1 (en) 2008-11-25 2019-03-20 Thin Film Electronics ASA Printed antennas, methods of printing an antenna, and devices including the printed antenna
JP5501114B2 (ja) 2010-06-25 2014-05-21 東洋アルミニウム株式会社 Ｉｃカード・タグ用アンテナ回路構成体とその製造方法
JP5828851B2 (ja) * 2013-03-01 2015-12-09 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 感光性ペースト
JP2015005794A (ja) 2013-06-19 2015-01-08 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 アンテナ
GB201319263D0 (en) * 2013-10-31 2013-12-18 Montanuniversit T Leoben Method of manufacturing an electrically conductive or semiconductive structure and electronic device comprising the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1336725A (zh) * 2000-01-26 2002-02-20 Tdk株式会社 电子元件及其制造方法
CN1421879A (zh) * 2001-11-26 2003-06-04 株式会社村田制作所 电感元件及其电感值调整方法

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