CN107910336A - 阵列基板及其制造方法及显示屏 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种阵列基板，其包括显示区、以及位于所述显示区外侧的非显示区；所述非显示区包括：柔性衬底，表面设有若干个凹槽；以及外围金属走线，位于所述凹槽内。上述阵列基板，柔性衬底表面设有凹槽，外围金属走线位于凹槽内，使得外围金属走线处的柔性衬底的厚度减小，减少了弯曲过程柔性衬底对外围金属走线的挤压；另外，弯曲时凹槽的设置还能有效释放柔性衬底的应力；从而有效防止外围金属走线的断裂，提高阵列基板的可靠性。本发明还提供一种显示屏和一种阵列基板的制造方法。

Description

阵列基板及其制造方法及显示屏
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是一种阵列基板及其制造方法及显示屏。
背景技术
显示屏包括显示区(AA区)以及非显示区(非AA区)，为了达到某些功能，会要求非显示区能够弯折。例如为了实现窄边框化，将非显示区弯折到屏体的背面，从而减少边框宽度。
但是，目前的显示屏，在非显示区的弯折过程中，非显示区中的外围金属走线易断裂，从而造成屏体不良。
发明内容
基于此，有必要提供一种能够有效防止外围金属走线断裂的阵列基板。
一种阵列基板，包括显示区、以及位于所述显示区外侧的非显示区；
所述非显示区包括：
柔性衬底，表面设有若干个凹槽；
以及外围金属走线，位于所述凹槽内。
上述阵列基板，柔性衬底表面设有凹槽，外围金属走线位于凹槽内，使得外围金属走线处的柔性衬底的厚度减小，减少了弯曲过程柔性衬底对外围金属走线的挤压；另外，弯曲时凹槽的设置还能有效释放柔性衬底的应力；从而有效防止外围金属走线的断裂，提高阵列基板的可靠性。
在其中一个实施例中，若干个所述凹槽的深度不完全相同。
在其中一个实施例中，所述非显示区还包括形成于所述凹槽底壁与所述外围金属走线之间的应力缓冲层。
在其中一个实施例中，所述应力缓冲层上布设有若干个通孔或盲孔。
在其中一个实施例中，所述外围金属走线的宽度小于所述凹槽的宽度，且所述外围金属走线位于所述凹槽的中间位置，所述非显示区还包括形成于所述凹槽内的缓冲带，用以填满所述凹槽内外围金属走线两侧的空间。
在其中一个实施例中，所述柔性衬底包括柔性衬底主体层，以及形成于所述柔性衬底主体层的靠近所述外围金属走线的表面的柔性衬底表层。
在其中一个实施例中，所述柔性衬底表层的厚度等于所述凹槽的深度。
本发明还提供一种显示屏。
一种显示屏，包括本发明提供的阵列基板。
上述显示屏包括本发明提供的阵列基板，阵列基板的非显示区的结构可以有效防止外围金属走线的断裂，从而能够更好的保证讯号的传递，延长显示屏的使用寿命。
本发明还提供一种阵列基板的制造方法。
一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板的非显示区的制造方法包括：
在柔性衬底的表面形成若干个凹槽；
在所述凹槽内形成外围金属走线。
在其中一个实施例中，在所述柔性衬底的表面形成若干个所述凹槽的操作为：
提供柔性衬底主体层；
在所述柔性衬底主体层上形成图案化的柔性衬底表层，以使柔性衬底表层的镂空区域与所述柔性衬底主体层构成所述凹槽。
通过上述阵列基板的制造方法制得的阵列基板，一方面，凹槽使得外围金属走线处的柔性衬底的厚度减小，减少了弯曲过程柔性衬底对外围金属走线的挤压；另外，弯曲时凹槽的设置还能有效释放柔性衬底的应力；从而有效防止外围金属走线的断裂。
附图说明
图1为本发明实施例一的阵列基板的截面示意图。
图2为图1所示阵列基板的非显示区的截面示意图。
图3为图1所示阵列基板的非显示区的俯视图。
图4为本发明实施例二的阵列基板的非显示区的截面示意图。
图5为本发明实施例三的阵列基板的非显示区的截面示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
如图1至图3所示，本发明实施例一提供的阵列基板100，包括显示区110、以及位于显示区外侧的非显示区120。
其中，显示区110(即AA区)为阵列基板100中与像素单元对应的区域，在显示区110中设有薄膜晶体管以及电容器等用于驱动像素单元的电子元件。本发明对于显示区110的具体结构没有特殊限制，可以采用本领域技术人员认为合适的各种结构，在此不再赘述。
非显示区120(即非AA区)围绕在显示区110周围。当然，非显示区120也可以仅存在于显示区110的一个或多个侧边的外侧。
非显示区120包括柔性衬底121以及外围金属走线123。具体的，柔性衬底121表面设有若干个凹槽1211，外围金属走线123位于凹槽1211内。
本实施例中，柔性衬底121包括一层柔性基板。当然，柔性衬底121还可以包括叠加的多层柔性基板。
本实施例中，凹槽1211的截面呈矩形。需要说明的是，凹槽1211的截面不限于矩形，还可以呈其他规则或不规则的形状，如梯形等。
凹槽1211使得外围金属走线123处的柔性衬底121的厚度减小，减少了弯曲过程柔性衬底121对外围金属走线123的挤压；另外，弯曲时凹槽1211的设置还能有效释放柔性衬底121的应力；从而有效防止外围金属走线123的断裂。
需要说明的是，凹槽1211的位置根据外围金属走线123的位置进行设置。本实施例中，若干个凹槽1211纵横交错，呈栅格状排列。
本实施例中，若干个所述凹槽1211的深度相同，适用于非显示区120各位置弯曲程度基本相同的情况。
当然，若非显示区120的各位置的弯曲程度不同，或者因金属走线的角度等原因造成即使弯曲程度相同也可能导致外围金属走线123断裂的情况，可以通过改变凹槽1211的深度以适应不同的弯曲状况，从而避免外围金属走线123的断裂。即若干个凹槽1211的深度也可以不完全相同。
另外一个实施例中，非显示区120还可以包括形成于柔性衬底131的靠近外围金属走线的表面的封装层，用以防止水氧等氧化外围金属走线133。
如图4所示，本发明实施例二提供的阵列基板，与阵列基板100不同的是，非显示区130还包括形成于凹槽1311底壁与外围金属走线133之间的应力缓冲层135。应力缓冲层135进一步有效的减缓柔性衬底131对外围金属走线133的挤压，更有效的防止外围金属走线133的断裂。所述应力缓冲层135可以是有机物层或其他可以起应力缓冲作用的材料层。
本实施例中，应力缓冲层135上布设若干个通孔1351。弯曲时，通孔1351可释放应力缓冲层135上的应力，从而更进一步的减缓对外围金属走线133的挤压。当然，也可以在应力缓冲层135上设置若干个盲孔，同样能在弯曲时起到释放应力缓冲层135上的应力的作用。
进一步的，外围金属走线133的宽度小于凹槽1311的宽度，且外围金属走线133位于凹槽1311的中间位置。非显示区130还包括形成于凹槽1311内的缓冲带137，用以填满凹槽1311内外围金属走线133两侧的空间。缓冲带137的设置，包裹外围金属走线133两侧，有效减缓了弯曲过程柔性衬底131对外围金属走线133两侧的挤压。所述缓冲带137可以由有机物或其他可以起应力缓冲作用的材料构成。
需要说明的是，可以根据非显示区130的弯曲情况，仅设置应力缓冲层135，或仅设置缓冲带137。
如图5所示，本发明实施例三提供的阵列基板。与阵列基板100不同的是，非显示区140的柔性衬底141包括柔性衬底主体层1413以及形成于柔性衬底主体层1413的靠近外围金属走线143的表面的柔性衬底表层1415。
具体的，柔性衬底主体层1413包括至少一层柔性基板；柔性衬底表层1415包括至少一层柔性基板。
本实施例中，柔性衬底表层1415的厚度等于凹槽1411的深度。具体的，可以通过掩膜板等方式在柔性衬底主体层1413的表面形成图案化的柔性衬底表层1415，柔性衬底表层1415的镂空区域与柔性衬底主体层1413构成凹槽1411。
当然，本实施例中，也可以在凹槽1411的底壁与外围金属走线143之间形成应力缓冲层，进一步有效的减缓柔性衬底141对外围金属走线143的挤压，更有效的防止外围金属走线143的断裂。当然，也可以在应力缓冲层上设置若干个通孔或盲孔，弯曲时，通孔或盲孔都可释放应力缓冲层上的应力，从而更进一步的减缓对外围金属走线143的挤压，更有效的防止外围金属走线143的断裂。
同样的，也可以在凹槽1411内形成缓冲带，用以填满凹槽1411内外围金属走线143两侧的空间。缓冲带的设置，包裹外围金属走线143两侧，有效减缓了弯曲过程柔性衬底141对外围金属走线143两侧的挤压。
本发明提供一种显示屏，包括本发明提供的阵列基板。
需要说明的是，显示屏除了阵列基板，还包括其它器件，其它器件的具体结构以及器件之间的连接关系均可以采用本领域技术人员所公知的结构，此处不再赘述。
本发明提供的阵列基板的非显示区的结构可以有效防止外围金属走线的断裂，从而能够更好的保证讯号的传递，延长显示屏的使用寿命。
本发明提供了一种阵列基板的制造方法。阵列基板的非显示区的制造方法具体的包括如下步骤：
S1，在柔性衬底的表面形成若干个凹槽。
具体的，可以通过刻蚀等方式直接在柔性衬底的表面形成凹槽。
在另外一个实施例中，柔性衬底包括柔性衬底主体层和柔性衬底表层。柔性衬底主体层包括至少一层柔性基板；柔性衬底表层包括至少一层柔性基板。在柔性衬底的表面形成若干个凹槽的操作为：
提供柔性衬底主体层；
在柔性衬底主体层上形成图案化的柔性衬底表层，以使柔性衬底表层的镂空区域与柔性衬底主体层构成凹槽。
具体的，可以通过掩膜板等方式在柔性衬底主体层上形成图案化的柔性衬底表层。
需要说明的是，若在柔性衬底上形成有无机膜层或平坦化层等，可以在步骤S1前，通过刻蚀等方式将柔性衬底上的无机膜层或平坦化层等膜层去掉。
S2，在凹槽内形成外围金属走线。
需要说明的是，阵列基板包括显示区和非显示区，显示区的制造方法可采用本领域技术人员所公知的制造方法，此处不再赘述。
通过上述阵列基板的制造方法制得的阵列基板，一方面，凹槽使得外围金属走线处的柔性衬底的厚度减小，减少了弯曲过程柔性衬底对外围金属走线的挤压；另外，弯曲时凹槽的设置还能有效释放柔性衬底的应力；从而有效防止外围金属走线的断裂。
需要说明的是，若非显示区包括形成于凹槽底壁与外围金属走线之间的应力缓冲层，则阵列基板的非显示区的制造方法还包括步骤SX，在凹槽的底壁形成应力缓冲层。步骤SX在步骤S1之后，且在步骤S2之前进行。
同样的，若非显示区包括形成于凹槽内的用以填满凹槽内外围金属走线两侧的空间的缓冲带，则阵列基板的非显示区的制造方法还包括步骤SY，在凹槽内的外围金属走线的两侧形成缓冲带。步骤SY在步骤S2之后进行。
上述阵列基板，由于非显示区域刻蚀掉了无机膜层，避免了弯曲时由于无机膜层的断裂导致外围金属走线的断裂；并且在柔性衬底表面设有凹槽，外围金属走线位于凹槽内，使得外围金属走线处的柔性衬底的厚度减小，减少了弯曲过程柔性衬底对外围金属走线的挤压；另外，弯曲时凹槽的设置还能有效释放柔性衬底的应力；从而有效防止外围金属走线的断裂，提高阵列基板的可靠性。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括显示区、以及位于所述显示区外侧的非显示区；
所述非显示区包括：
柔性衬底，表面设有若干个凹槽；
以及外围金属走线，位于所述凹槽内。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，若干个所述凹槽的深度不完全相同。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述非显示区还包括形成于所述凹槽底壁与所述外围金属走线之间的应力缓冲层。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述应力缓冲层上布设有若干个通孔或盲孔。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述外围金属走线的宽度小于所述凹槽的宽度，且所述外围金属走线位于所述凹槽的中间位置，所述非显示区还包括形成于所述凹槽内的缓冲带，用以填满所述凹槽内外围金属走线两侧的空间。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述柔性衬底包括柔性衬底主体层，以及形成于所述柔性衬底主体层的靠近所述外围金属走线的表面的柔性衬底表层。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述柔性衬底表层的厚度等于所述凹槽的深度。
8.一种显示屏，其特征在于，包括权利要求1至7任一项所述的阵列基板。
9.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阵列基板的非显示区的制造方法包括：
在柔性衬底的表面形成若干个凹槽；
在所述凹槽内形成外围金属走线。
10.根据权利要求9所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述柔性衬底的表面形成若干个所述凹槽的操作为：
提供柔性衬底主体层；
在所述柔性衬底主体层上形成图案化的柔性衬底表层，以使柔性衬底表层的镂空区域与所述柔性衬底主体层构成所述凹槽。
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Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108682391A (zh) * 2018-05-03 2018-10-19 昆山国显光电有限公司 显示面板、显示装置及制备方法
CN108766247A (zh) * 2018-07-18 2018-11-06 昆山国显光电有限公司 显示面板和显示面板的制作方法
CN109037278A (zh) * 2018-07-23 2018-12-18 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及显示装置
CN109285463A (zh) * 2018-12-12 2019-01-29 昆山国显光电有限公司 一种显示面板和显示装置
CN109830503A (zh) * 2019-01-08 2019-05-31 云谷（固安）科技有限公司 柔性显示面板
WO2019105011A1 (zh) * 2017-11-30 2019-06-06 云谷（固安）科技有限公司 阵列基板及显示屏
WO2019105012A1 (zh) * 2017-11-30 2019-06-06 昆山国显光电有限公司 阵列基板及其制造方法及显示屏
CN109920332A (zh) * 2019-02-28 2019-06-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性阵列基板、其制备方法及显示面板
CN110109299A (zh) * 2019-04-09 2019-08-09 深圳市华星光电技术有限公司 一种显示面板的线路结构及其制造方法
CN111029374A (zh) * 2019-11-21 2020-04-17 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管显示面板及其制造方法
CN111276495A (zh) * 2020-02-12 2020-06-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制备方法
CN111524466A (zh) * 2020-06-11 2020-08-11 厦门通富微电子有限公司 一种显示装置的制备方法
CN111524465A (zh) * 2020-06-11 2020-08-11 厦门通富微电子有限公司 一种显示装置的制备方法
CN111524464A (zh) * 2020-06-11 2020-08-11 厦门通富微电子有限公司 一种显示装置
CN111564107A (zh) * 2020-06-11 2020-08-21 厦门通富微电子有限公司 一种显示装置的制备方法
CN111640881A (zh) * 2020-06-17 2020-09-08 昆山国显光电有限公司 阵列基板及其制备方法
CN112309836A (zh) * 2019-08-01 2021-02-02 京东方科技集团股份有限公司 一种背板及其制备方法、背光模组和显示装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111540757B (zh) * 2020-05-07 2024-03-05 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120291275A1 (en) * 2011-05-19 2012-11-22 Korea Institute Of Machinery & Materials Method of forming metal interconnection line on flexible substrate
CN204302629U (zh) * 2014-12-31 2015-04-29 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及显示装置
CN105144418A (zh) * 2013-02-01 2015-12-09 乐金显示有限公司 柔性显示基板、柔性有机发光显示装置及其制造方法
CN105612589A (zh) * 2013-12-27 2016-05-25 Lg化学株式会社 导电膜及其制造方法
CN106252380A (zh) * 2016-08-31 2016-12-21 上海天马有机发光显示技术有限公司 柔性显示面板及装置
CN206685061U (zh) * 2017-04-27 2017-11-28 昆山国显光电有限公司 一种柔性基板及显示装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100846711B1 (ko) * 2007-03-13 2008-07-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN100498448C (zh) * 2007-07-23 2009-06-10 友达光电股份有限公司 具有边框信号线路的显示基板、显示面板及其制造方法
KR20130013515A (ko) * 2011-07-28 2013-02-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN104376899B (zh) * 2014-10-14 2017-01-11 业成光电（深圳）有限公司 电子装置、触控屏、透明导电膜及透明导电膜的制备方法
WO2016088394A1 (ja) * 2014-12-04 2016-06-09 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置および電子機器
US9412692B2 (en) * 2015-01-13 2016-08-09 Winbond Electronics Corp. Flexible microsystem structure
KR102385233B1 (ko) * 2015-08-06 2022-04-12 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN106876259B (zh) 2015-12-11 2019-12-13 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种柔性导电线及设置有所述柔性导电性的柔性背板
KR102409200B1 (ko) * 2017-06-01 2022-06-15 엘지디스플레이 주식회사 터치전극을 포함하는 표시장치 및 그의 제조방법
CN109859624B (zh) * 2017-11-30 2021-04-20 昆山国显光电有限公司 阵列基板及其制备方法及显示屏
CN107910336B (zh) * 2017-11-30 2019-07-02 昆山国显光电有限公司 阵列基板及其制造方法及显示屏
CN207517287U (zh) * 2017-11-30 2018-06-19 云谷（固安）科技有限公司 阵列基板及显示屏

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120291275A1 (en) * 2011-05-19 2012-11-22 Korea Institute Of Machinery & Materials Method of forming metal interconnection line on flexible substrate
CN105144418A (zh) * 2013-02-01 2015-12-09 乐金显示有限公司 柔性显示基板、柔性有机发光显示装置及其制造方法
CN105612589A (zh) * 2013-12-27 2016-05-25 Lg化学株式会社 导电膜及其制造方法
CN204302629U (zh) * 2014-12-31 2015-04-29 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及显示装置
CN106252380A (zh) * 2016-08-31 2016-12-21 上海天马有机发光显示技术有限公司 柔性显示面板及装置
CN206685061U (zh) * 2017-04-27 2017-11-28 昆山国显光电有限公司 一种柔性基板及显示装置

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10985195B2 (en) 2017-11-30 2021-04-20 Kunshan Go-Visionox Opto-Electronics Co., Ltd. Array substrates and methods for manufacturing thereof and display screens
WO2019105011A1 (zh) * 2017-11-30 2019-06-06 云谷（固安）科技有限公司 阵列基板及显示屏
WO2019105012A1 (zh) * 2017-11-30 2019-06-06 昆山国显光电有限公司 阵列基板及其制造方法及显示屏
US10818702B2 (en) 2017-11-30 2020-10-27 Yungu (Gu' An) Technology Co., Ltd. Array substrates and display screens
CN108682391B (zh) * 2018-05-03 2020-10-20 昆山国显光电有限公司 显示面板、显示装置及制备方法
CN108682391A (zh) * 2018-05-03 2018-10-19 昆山国显光电有限公司 显示面板、显示装置及制备方法
CN108766247A (zh) * 2018-07-18 2018-11-06 昆山国显光电有限公司 显示面板和显示面板的制作方法
CN108766247B (zh) * 2018-07-18 2023-12-22 昆山国显光电有限公司 显示面板和显示面板的制作方法
CN109037278A (zh) * 2018-07-23 2018-12-18 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及显示装置
US11152586B2 (en) 2018-07-23 2021-10-19 Yungu (Gu'an) Technology Co., Ltd. Display panels having pixel circuits in grooved substrate
CN109285463A (zh) * 2018-12-12 2019-01-29 昆山国显光电有限公司 一种显示面板和显示装置
CN109285463B (zh) * 2018-12-12 2024-05-14 昆山国显光电有限公司 一种显示面板和显示装置
CN109830503A (zh) * 2019-01-08 2019-05-31 云谷（固安）科技有限公司 柔性显示面板
US10916718B2 (en) 2019-02-28 2021-02-09 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Flexible array substrate, method for manufacturing same, and display panel
CN109920332A (zh) * 2019-02-28 2019-06-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性阵列基板、其制备方法及显示面板
CN110109299A (zh) * 2019-04-09 2019-08-09 深圳市华星光电技术有限公司 一种显示面板的线路结构及其制造方法
CN112309836A (zh) * 2019-08-01 2021-02-02 京东方科技集团股份有限公司 一种背板及其制备方法、背光模组和显示装置
CN112309836B (zh) * 2019-08-01 2022-10-28 京东方科技集团股份有限公司 一种背板及其制备方法、背光模组和显示装置
US11742467B2 (en) 2019-08-01 2023-08-29 Boe Technology Group Co., Ltd. Backplane, preparation method with dual damascene steps
CN111029374A (zh) * 2019-11-21 2020-04-17 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管显示面板及其制造方法
CN111276495B (zh) * 2020-02-12 2022-06-07 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制备方法
CN111276495A (zh) * 2020-02-12 2020-06-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制备方法
CN111564107A (zh) * 2020-06-11 2020-08-21 厦门通富微电子有限公司 一种显示装置的制备方法
CN111524464A (zh) * 2020-06-11 2020-08-11 厦门通富微电子有限公司 一种显示装置
CN111524465A (zh) * 2020-06-11 2020-08-11 厦门通富微电子有限公司 一种显示装置的制备方法
CN111524466A (zh) * 2020-06-11 2020-08-11 厦门通富微电子有限公司 一种显示装置的制备方法
CN111640881A (zh) * 2020-06-17 2020-09-08 昆山国显光电有限公司 阵列基板及其制备方法

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TW201839479A (zh) 2018-11-01
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