CN107871814A

CN107871814A - 磁传感器

Info

Publication number: CN107871814A
Application number: CN201710892742.3A
Authority: CN
Inventors: 石田拓也
Original assignee: Asahi Kasei EMD Corp
Current assignee: Asahi Kasei Microdevices Corp
Priority date: 2016-09-28
Filing date: 2017-09-27
Publication date: 2018-04-03
Anticipated expiration: 2037-09-27
Also published as: JP2018059925A; JP7067886B2; KR102000348B1; KR20180035161A; CN107871814B; CN207250568U

Abstract

本发明提供一种能够抑制霍尔元件的偏置电压变动的磁传感器。本发明的磁传感器(100)具有霍尔元件(10)、第一面(51)和第二面(52)。霍尔元件(10)具有基板(10)和形成在基板(10)上的活性层(12)。第一面(51)为使基板(11)侧为下侧时成为最上侧的面。第二面(52)为使基板(11)侧为下侧时成为最下侧的面。第一面(51)与活性层(12)的靠第一面(51)侧的面之间的距离(D)为100μm以下。第一面(51)的算术平均粗糙度(Ra)为1μm以上且为20μm以下。

Description

磁传感器

技术领域

本发明涉及一种磁传感器。

背景技术

近年来，伴随着电子设备的小型化，电子零件也在向小型化、薄型化发展。特别是对磁传感器而言，多数情况下是传感器的厚度影响着电子设备的厚度，因此，迫切需要使封装薄型化。

关于使磁传感器薄型化，例如，专利文献1中提出了下述内容：将封装做成无基岛构造(省略了用于载置霍尔元件的基岛部的构造)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016－21549号公报

发明内容

发明要解决的问题

磁传感器具有：霍尔元件，其具有基板和形成在基板上的活性层；第一面，其为使基板侧为下侧时成为最上侧的面；及第二面，其为使基板侧为下侧时成为最下侧的面。为了使磁传感器薄型化，期望的是，缩短霍尔元件的上表面与磁传感器的第一面之间的距离，但当该距离被缩短时，外部的光就变得容易到达霍尔元件的上表面。相伴于此，存在下述可能性：因光激发导致霍尔元件的偏置电压Vu变动。

本发明的课题在于，提供一种能够抑制霍尔元件的偏置电压变动的磁传感器。

用于解决问题的方案

为了解决上述课题，本发明的一技术方案的磁传感器具有：霍尔元件，其具有基板和形成在所述基板上的活性层；第一面，其为使基板侧为下侧时成为最上侧的面；及第二面，其为使基板侧为下侧时成为最下侧的面，第一面与活性层的靠第一面侧的面之间的距离为100μm以下，第一面的算术平均粗糙度(Ra)为1μm以上且为20μm以下。

发明的效果

采用本发明的一技术方案，能够提供一种能够抑制霍尔元件的偏置电压变动的磁传感器。

附图说明

图1的(a)是表示实施方式的磁传感器的立体图，图1的(b)是表示实施方式的磁传感器的俯视图，图1的(c)是表示沿图1的(b)中的C－C截面所对应的剖视图，图1的(d)是表示实施方式的磁传感器的仰视图。

图2是表示实施方式的磁传感器的霍尔元件部分的放大剖视图。

图3是表示构成实施方式的磁传感器的霍尔元件的俯视图。

图4是按工序顺序来说明实施方式的磁传感器的制造方法的俯视图。

图5是按工序顺序来说明实施方式的磁传感器的制造方法中的树脂密封工序以及其之后的工序的图。

附图标记说明

100、磁传感器；10、霍尔元件；10a、霍尔元件的与基板相反那一侧的面；10b、霍尔元件的侧面；11、基板；12、活性层；12A、活性层的上表面(靠第一面侧的面)；13a～13d、电极；21～24、引线端子；21a～24a、引线端子的上表面；21b～24b、引线端子的内侧面；21c～24c、引线端子的外侧面；21d～24d、引线端子的外侧面；21e～24e、引线端子的下表面；31～34、金属细线；40、绝缘层；50、密封部；51、第一面；52、第二面；60、外饰镀层。

具体实施方式

下面，说明本发明的实施方式，但本发明不限定于下面所示的实施方式。在下面所示的实施方式中，为了实施本发明，限定了技术上较为优选的内容，但该限定的内容并不是本发明的必要条件。

另外，在下面的说明所使用的附图中，所图示的各部分的尺寸关系有时与实际的尺寸关系有所不同。

磁传感器的结构

如图1和图2所示，本实施方式的磁传感器100具有：霍尔元件10、四个(多个)引线端子21～24、四根(多根)金属细线31～34、绝缘层40、合成树脂制的密封部50和外饰镀层60。磁传感器100不具有用于载置霍尔元件10的基岛部。即，磁传感器100为无基岛构造。

如图1的(a)所示，磁传感器100的外观形状为长方体。在该长方体的内部配置有霍尔元件10、引线端子21～24、金属细线31～34和绝缘层40。构成密封部50的合成树脂填补在上述这些零件与构成长方体的六个面之间，并且形成了六个面。即，密封部50具有：第一面51，其为使霍尔元件10的基板侧为下侧时成为最上侧的面；第二面52，其为使霍尔元件10的基板侧为下侧时成为最下侧的面；及一对侧面53和一对侧面54这两对侧面。在图1的(b)中，仅图示了密封部50的第二面52。

霍尔元件

如图2和图3所示，霍尔元件10具有：基板11；活性层(磁感应部)12，其形成在基板11上，该活性层是由半导体薄膜构成的；及四个(多个)电极13a～13d，它们与活性层12电连接。另外，图2所示的霍尔元件10的截面与沿图3中的A－A截面相当。

基板11例如为半绝缘性的砷化镓(GaAs)基板。而且，还能够将硅(Si)基板等半导体基板、铁素体基板等具有聚磁效果的基板用作基板11。

活性层12例如为由含锑化铟(InSb)、砷化镓等化合物半导体的材料形成的薄膜。在本实施方式中，活性层12具有形成在基板10上的导电层12a和形成在导电层12a上的表面层12b。导电层12a例如为n型GaAs层，表面层12b例如为导电性低于导电层12a的导电性的GaAs层。

如图3所示，活性层12的俯视形状为正方形，四个电极13a～13d的俯视形状为比构成活性层12的正方形的四等分之一稍小一些的正方形。电极13a～13d分别配置在构成活性层12的正方形被四等分之后得到的各区域中。

如图2和图3所示，电极13a～13d均具有第一金属膜131和第二金属膜132。第一金属膜131形成在活性层12上，与活性层12直接接触。第一金属膜131的俯视形状为三角形，配置在活性层12的四个角处。另外，第一金属膜131的俯视形状不限定于三角形。

第二金属膜132隔着绝缘膜14形成在活性层12的上方和第一金属膜131的上方。绝缘膜14在第一金属膜131的上方处具有开口部14a，第一金属膜131与第二金属膜132借助位于开口部14a内的金属相连接。由此，四个电极13a～13d与活性层12电连接。

霍尔元件10的厚度t例如为100μm以下。

引线端子

引线端子21～24是用于使磁传感器100与外部构成电连接的端子。如图1的(b)所示，从俯视角度观察时，引线端子21～24配置在霍尔元件10周围。

如图1的(a)～图1的(d)所示，引线端子21～24具有：上表面(靠第一面51侧的面)21a～24a、内侧面21b～24b、与密封部50的侧面53处于同一面的外侧面21c～24c、与密封部50的侧面54处于同一面的外侧面21d～24d、与密封部50的第二面52处于同一面的下表面21e～24e和缺口部21f～24f。缺口部21f～24f是呈使引线端子21～24的下半部分缺失一块儿的形状的部分，缺口部21f～24f处于靠密封部50的侧面54那一侧。

引线端子21～24例如是由铜(Cu)或铜合金、铁(Fe)或含铁的合金等金属材料形成的，特别优选为铜制。也可以对引线端子21～24的上表面21a～24a或下表面21e～24e的一部分进行蚀刻(即半蚀刻)处理。而且，也可以对引线端子21～24的上表面21a～24a和下表面21e～24e中的至少一者中的一部分实施镀银(Ag)、或镀镍(Ni)－钯(Pd)－金(Au)。

金属细线

如图1的(b)所示，金属细线31～34分别将引线端子21～24和霍尔元件10所具有的电极13a～13d之间电连接起来。具体地讲，金属细线31将引线端子21和电极13a连接起来，金属细线32将引线端子22和电极13b连接起来，金属细线33将引线端子23和电极13c连接起来，金属细线34将引线端子24和电极13d连接起来。

金属细线31～34例如是由金、银或铜形成的。

绝缘层

绝缘层40是以与霍尔元件10的基板11的整个背面(靠第二面52侧的面)相接触的状态进行配置的。即，基板11的整个背面被绝缘层40所覆盖。绝缘层40的背面40a与密封部50的第二面52处于同一面内。即，绝缘层40的背面40a是从第二面52暴露出来的面。

绝缘层40例如是由向环氧树脂等热固化树脂中加填料做成的材料形成的。在绝缘层40由含填料的合成树脂材料形成的情况下，绝缘层40的覆盖着霍尔元件10的背面的部分的厚度由填料尺寸来决定。该厚度例如为2μm以上，但从保护霍尔元件10的观点出发，优选为10μm以上且为30μm以下。作为填料的材质，优选为二氧化硅(SiO₂)、矾土(Al₂O₃)等陶瓷材料。

另外，就“填料尺寸”而言，在为球状填料的情况下，“填料尺寸”是指球的直径大小，在为呈球体破碎后的形状的填料的情况下，“填料尺寸”是指球体破碎前在径向上最大的部分的尺寸，在为纤维状填料的情况下，“填料尺寸”是指纤维截面的长径大小。

密封部

如图1的(c)和图2所示，密封部50覆盖着霍尔元件10的与基板相反那一侧的面10a、霍尔元件10的侧面10b、绝缘层40的侧面40b、电极13a～13d、引线端子21～24的上表面(靠第一面51侧的面)21a～24a、引线端子21～24的内侧面(与霍尔元件10的侧面10b相对的面)21b～24b、缺口部21f～24f和金属细线31～34。

引线端子21～24的外侧面21c～24c与密封部50的侧面53处于同一面。引线端子21～24的外侧面21d～24d与密封部50的侧面54处于同一面。引线端子21～24的下表面21e～24e与密封部50的第二面52处于同一面。

图2所示的距离D即密封部50的第一面51与活性层12的上表面(靠第一面51侧的面)12A之间的距离为100μm以下。而且，密封部50的第一面51与活性层12的上表面12A之间的距离优选为1μm以上且为100μm以下。在此，密封部50的第一面51与活性层12的上表面12A之间的距离是指从密封部50的第一面51中的距离活性层12最近的位置至活性层12之间的最短尺寸。

而且，第一面51的算术平均粗糙度(Ra)为1μm以上且为20μm以下。在此，算术平均粗糙度(Ra)是以JIS B0601－1994规格为准测得的算术平均粗糙度Ra。另外，严格地讲，距离D是呈凹凸状的第一面51中的凹部的底面中的最低位置与活性层12的上表面12A之间的距离。

将在对磁传感器100进行回流焊时能够耐得住高温的树脂用作用于构成密封部50的合成树脂。作为能够被使用的树脂，能够列举出例如环氧树脂等热固化树脂、テフロン(注册商标)。密封部50既可以是由一种合成树脂形成的，也可以是由两种以上的合成树脂形成的。

如图2所示，构成密封部50的合成树脂含有由陶瓷材料形成的填料58。作为构成填料58的陶瓷材料，能够列举出二氧化硅、矾土等。而且，构成密封部50的合成树脂所含的填料58的尺寸优选为1μm以上且为50μm以下。而且，填料58优选为球状。构成密封部50的合成树脂中的填料58的含有率的范围是50体积百分比以上且为99体积百分比以下。

外饰镀层

外饰镀层60形成在引线端子21～24的、与密封部50的第二面52处于同一面的下表面(背面)21e～24e。外饰镀层60例如是由锡(Sn)形成的。

操作

在使用本实施方式的磁传感器100来检测磁(磁场)的情况下，例如，将引线端子21连接于电源电位(+)，并且，将引线端子22连接于接地电位(GND)，从而使电流从引线端子21流向引线端子22。然后，测量引线端子23和引线端子24之间的电位差V1－V2(＝霍尔输出电压VH)。再根据所测得的霍尔输出电压VH的大小来检测磁场大小，并根据霍尔输出电压VH的正负来检测磁场方向。

作用、效果

本实施方式的磁传感器100的密封部50的第一面51的算术平均粗糙度(Ra)为1μm以上且为20μm以下。而且，构成密封部50的合成树脂含有球状的填料58，所含的填料58的直径的最大值为50μm。由此，与现有产品(第一面51的算术平均粗糙度Ra小于1μm或大于20μm且密封部50所含的球状填料的直径的最大值大于50μm的磁传感器)相比，本实施方式的磁传感器100能够降低密封部50的透光率。

根据上述内容可知，与现有产品相比，采用本实施方式的磁传感器100，能够减小霍尔元件10的偏置电压的变动。

而且，一般来讲，当为了使磁传感器薄型化、小型化而减小树脂层的厚度(减小到100μm以下，优选减小到1μm以上且为100μm以下，例如减小到85μm左右)时，来自外部的光会变得容易到达活性层，从而导致偏置电压的变动变大。然而，在本实施方式的磁传感器100中，由于密封部50的第一面51的算术平均粗糙度(Ra)为1μm以上且为20μm以下，因此，会使来自外部的光在密封部50的第一面51处散射，从而，使得该来自外部的光难以到达活性层12的效果会得到进一步提高。

根据上述内容可知，采用本实施方式的磁传感器100，能够获得更高的、抑制霍尔元件10的偏置电压变动的效果。

另外，与含有其他形状(球体破碎后的形状、纤维状等)的填料的情况相比，通过含有球状的填料58，能够降低密封部50的透光率。而且，所含的填料58的尺寸的最大值越小，密封部50的透光率就越低。当构成密封部50的合成树脂所含的填料58的尺寸的最大值为20μm时，密封部50的成形性变得较为良好，因此是更加优选的。

而且，由于填料58的含有率越高，密封部50的透光率就越低，因此，更加优选的是，构成密封部50的合成树脂中的填料58的含有率为70体积百分比以上且为99体积百分比以下。

而且，密封部50的第一面51的算术平均粗糙度(Ra)优选为2μm以上。另外，密封部50的第一面51的算术平均粗糙度(Ra)越大，光在第一面51处的散射量就越多，光就越难以从第一面51进入密封部50内。

然而，有时，当密封部50的第一面51的算术平均粗糙度(Ra)过大时，密封部50的成形性会降低。有时，例如在使用在表面设有凹凸的模具通过模压成形来形成密封部50的情况下，当凹凸过大时，存在树脂无法进入模具的凹部，从而导致密封部50的成形性降低否认情况。因此，密封部50的第一面51的算术平均粗糙度(Ra)更优选为2μm以上且为20μm以下，进一步优选为2μm以上且为15μm以下。

制造方法

使用图4和图5来说明实施方式的磁传感器100的制造方法。

首先，准备图4的(a)所示的引线框120。引线框120具有引线部121～124。从俯视角度观察时，引线部121～123呈包含相邻的磁传感器100中的两个或四个引线端子的形状。引线部124呈包含磁传感器100的一个引线端子的形状。如图5所示，引线框120在引线部121～124的、与各引线端子的缺口部21f～24f相对应的位置具有缺口部120f。

另外，未图示下述部分：将引线部122和引线部124沿着引线框120的外缘连接起来的连接部和将各引线部121～124沿着切割线L连接起来的连接部。

接着，将例如为聚酰亚胺制的耐热膜80贴在引线框120的背面，从而，利用耐热膜80从引线框120的背面侧将引线框120的没有引线部121～124的部分(贯通区域)封起来。将在其中一面具有绝缘粘接层的膜用作耐热膜80，利用该粘接层将耐热膜80和引线框120接合起来。即，获得由耐热膜80和引线框120构成的接合体81。图4的(b)表示该工序完成后的状态。

接着，准备在基板11的背面形成有绝缘层40的霍尔元件10，将霍尔元件10配置在接合体81的上表面(耐热膜80的粘接层)的霍尔元件配置区域(被引线端子21～24围起来的区域)(即，进行片接合)。图4的(c)表示该工序完成后的状态。

另外，也可以是，将绝缘膏涂布在霍尔元件配置区域，然后将未形成有绝缘层40的霍尔元件10配置在该绝缘膏上，并使绝缘膏固化，从而来形成绝缘层40。在该情况下，为了防止在制成后的磁传感器100中，霍尔元件10的背面的一部分从密封部50暴露出来，要对绝缘膏的涂布条件(例如要涂布的范围、要涂布的厚度等)进行调整。

接着，分别将金属细线31～34各自的一端连接于各引线端子21～24，并分别将金属细线31～34各自的另一端连接于电极13a～13d(即，进行引线接合)。图4的(d)表示该工序完成后的状态。

接着，将呈图4的(d)的状态的接合体81放入模具内，在接合体81的上表面侧形成密封部50。具体地讲，首先，如图5的(a)所示，准备模具90，该模具90具有下模91和上模92，上模92的下表面92a的算术平均粗糙度(Ra)已被加工为1μm以上且为20μm以下。

接着，将呈图4的(d)的状态的接合体81配置在模具90内。具体地讲，使金属细线31～34侧朝上地将接合体81载置在下模91上，将上模92以与金属细线31～34隔开规定间隔的方式配置在该金属细线31～34的上侧。此时，将上模92的下表面与下模91的上表面之间的间隔设定为大于图2中的距离D的设定值(大于0μm且小于或等于100μm)的尺寸。图5的(a)表示此状态。

接着，使熔化状态的树脂流入呈图5的(a)的状态的上模92和下模91之间的空间，之后，使上模92下降，对熔化状态的树脂施加压缩力，从而，使上模92的下表面与下模91的上表面之间的间隔符合图2中的距离D的设定值。之后，进行冷却，从而形成密封部50。图5的(b)表示此状态。

接着，将形成有密封部50的接合体81从模具90中取出，之后，将耐热膜80从接合体81揭下来。由此，获得由多个传感器前身(形成外饰镀层60之前的磁传感器100)结合起来构成的结合体1000。图5的(c)和图4的(e)表示此状态。上模92的下表面92a的凹凸已被转印到所获得的结合体1000的密封部50的第一面51。

接着，对引线框120的、与密封部50的第二面52处于同一面的面实施外饰镀敷。由此，获得在引线端子21～24的下表面(背面)21e～24e形成外饰镀层60，且结合有多个磁传感器100的结合体1001。图5的(d)表示此状态。

接着，将切割带93贴在密封部50的第一面51，之后，使切割带93朝下侧地将结合体1001设置在切割装置上，并沿着图4的(e)所示的切割线L将结合体1001切断。由此，获得多个磁传感器100。图5的(e)表示此状态。

制造方法的效果

采用本实施方式的制造方法，能够容易地使密封部50的第一面51的算术平均粗糙度(Ra)为1μm以上且为20μm以下。

备注

在实施方式的制造方法中，为了使密封部50的第一面51的算术平均粗糙度(Ra)为1μm以上且为20μm以下，通过下述方法来形成了密封部50：使用上模92的下表面92a的表面粗糙度已被加工为上述范围的模具90来对树脂进行成形，但可以采用其他方法。

例如通过下述方法：使用普通模具进行成形，在成形之后再对密封部50的第一面51进行加工，也能够使密封部50的第一面51的算术平均粗糙度(Ra)为1μm以上且为20μm以下。作为该加工方法，能够列举出下述方法：用研磨纸、磨石进行物理研磨的方法、高速喷射浆料(将微细二氧化硅、微细塑料等研磨剂和水等液体混合起来得到的物质)的方法(液体珩磨方法)。

实施方式的磁传感器100具有无基岛构造，在霍尔元件10的基板11的背面具有绝缘层40，但是，本发明还能够应用于含基岛构造的磁传感器、无基岛构造且不具有绝缘层40的磁传感器。

实施方式的磁传感器100具有密封部50，但是，下述这种磁传感器也被包含在本发明的一技术方案中：该磁传感器不具有密封部50，在该磁传感器中，霍尔元件10的与基板11相反那一侧的面10a的上方为空间，该磁传感器具有用于将该空间与外部划分开的顶板。在该情况下，顶板的外表面(与霍尔元件所处的一侧相反那一侧的面)相当于磁传感器的第一面，顶板的外表面与活性层的上表面12A之间的距离为100μm以下，顶板的外表面的算术平均粗糙度(Ra)为1μm以上且为20μm以下。

在本发明的一技术方案的磁传感器中，第一面与活性层的靠第一面侧的面之间的距离优选为1μm以上且为100μm以下。

实施例

下面，说明本发明的实施例和比较例。

实施例1

按照实施方式所述的方法制成实施方式的磁传感器100的一例。

通过下述过程制成引线框120：在Cu板的整个面形成Ni－Pd－Au镀层，然后将该板加工成包含待成为各引线部121～124的部分的形状。将聚酰亚胺膜用作耐热膜80。

将绝缘层40的厚度做成为10μm。使用厚度t为90μm且基板11为GaAs基板的霍尔元件10。将Au线用作金属细线31～34。将日立化成(株)制的“CEL9221”用作密封部50用的合成树脂。该树脂含有87体积百分比以上且为99体积百分比以下的球体填料。而且，所含的填料的最大直径为20μm。

设定为磁传感器100的厚度T为185μm，以该条件形成了密封部50。由此，距离D被设定为85μm。

利用基恩士制的测量形状用的显微镜“VK－9510”来测量所获得的磁传感器100的密封部50的第一面51的算术平均粗糙度(Ra)(以JIS B0601－1994规格为准测得的算术平均粗糙度Ra)。针对密封部50的第一面51的中央部处的长200μm×宽200μm的范围测量了算术平均粗糙度(Ra)。所获得的磁传感器100的密封部50的第一面51的算术平均粗糙度(Ra)为2.31μm。

比较例1

使用厚度t为120μm且基板11为GaAs基板的霍尔元件10。将除了填料的最大直径为55μm这方面之外其他方面均与实施例1中所使用的合成树脂相同的合成树脂用作密封部用的合成树脂。使用与下模相对的下表面的算术平均粗糙度(Ra)小于1μm的上模，并设定为磁传感器的厚度T为230μm，以该条件形成了密封部。由此，距离D被设定为100μm。利用除了上述这些方面之外其他方面均与实施例1相同的方法制成磁传感器。

利用与实施例1相同的方法测量所获得的磁传感器的密封部的第一面的算术平均粗糙度(Ra)后发现，该所获得的磁传感器的密封部的第一面的算术平均粗糙度(Ra)为0.69μm。

磁传感器的评价

对实施例1的磁传感器和比较例1的磁传感器照射来自白色LED(SEIWA制：SDPW32J0C0000)的光和卤素灯(岩崎电气制：JCR12V50W20H)的光，并确认是否发生了因光激发导致偏置电压(Vu)变动的情况。各盏灯的照射条件均为：照度为60000lux，照射时间为30秒。

其结果，在比较例1中，确认为两盏灯的情况下都发生了偏置电压Vu变动的情况，而在实施例1中，确认为两盏灯的情况下都未发生偏置电压Vu变动的情况。

作为获得上述这样的结果的理由，考虑为下述内容。

在实施例1的磁传感器100中，由于密封部50的第一面51的表面粗糙度较大，因此，从密封部50的第一面51侧欲入射到磁传感器100中的光中的大部分光在第一面51处发生了散射。由此，从外部进入密封部50内的光变少。而且，由于密封部50所含的填料58的最大直径为20μm，较小，因此，已进入到密封部50内的光中的大部分光在填料58处发生了散射。其结果，阻挡了外部的光到达霍尔元件10的活性层12。

与实施例1的磁传感器100相比，在比较例1的磁传感器中，密封部的第一面的表面粗糙度的粗糙程度较小，密封部所含的填料的最大直径较大，因此，光在第一面处发生散射的量以及光在填料处发生散射的量较少。其结果，使得外部的光到达了霍尔元件10的活性层12。

Claims

1.一种磁传感器，其特征在于，

该磁传感器具有：

霍尔元件，其具有基板和形成在所述基板上的活性层；

第一面，其为使所述基板侧为下侧时成为最上侧的面；及

第二面，其为使所述基板侧为下侧时成为最下侧的面，

所述第一面与所述活性层的靠所述第一面侧的面之间的距离为100μm以下，所述第一面的算术平均粗糙度Ra为1μm以上且为20μm以下。

2.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，

该磁传感器具有密封部，该密封部覆盖着所述霍尔元件的与所述基板相反那一侧的面，所述密封部具有所述第一面。

3.根据权利要求1或2所述的磁传感器，其特征在于，

所述霍尔元件具有多个电极，该多个电极形成在所述活性层的靠所述第一面那一侧，该多个电极与所述活性层电连接。

4.根据权利要求3所述的磁传感器，其特征在于，

所述活性层由半导体薄膜构成，

该磁传感器具有：

多个引线端子，从俯视角度观察时，它们配置在所述霍尔元件周围；及

多根金属细线，它们分别将所述多个引线端子和所述霍尔元件的所述多个电极之间电连接起来，

所述霍尔元件的侧面、所述引线端子的靠所述第一面侧的面、所述引线端子的与所述霍尔元件的侧面相对的面和所述多根金属细线被所述密封部所覆盖。

5.根据权利要求2～4中任一项所述的磁传感器，其特征在于，

所述密封部是由含合成树脂的材料形成的。

6.根据权利要求5所述的磁传感器，其特征在于，

所述合成树脂含有填料。

7.根据权利要求6所述的磁传感器，其特征在于，

所述填料的尺寸为1μm以上且为50μm以下。

8.根据权利要求6或7所述的磁传感器，其特征在于，

所述填料为球状。

9.根据权利要求6～8中任一项所述的磁传感器，其特征在于，

所述合成树脂中的所述填料的含有率为50体积百分比以上且为99体积百分比以下。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的磁传感器，其特征在于，

所述霍尔元件的厚度为100μm以下。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的磁传感器，其特征在于，

所述第一面与所述第二面之间的距离为200μm以下。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的磁传感器，其特征在于，

所述基板的靠所述第二面侧的面被绝缘层所覆盖。

13.根据权利要求12所述的磁传感器，其特征在于，

所述绝缘层具有从所述第二面暴露出来的面。