JP7067886B2

JP7067886B2 - 磁気センサ

Info

Publication number: JP7067886B2
Application number: JP2017186148A
Authority: JP
Inventors: 拓也石田
Original assignee: Asahi Kasei EMD Corp
Current assignee: Asahi Kasei EMD Corp
Priority date: 2016-09-28
Filing date: 2017-09-27
Publication date: 2022-05-16
Anticipated expiration: 2037-09-27
Also published as: KR20180035161A; CN207250568U; CN107871814B; JP2018059925A; KR102000348B1; CN107871814A

Description

この発明は、磁気センサに関する。

近年、電子機器の小型化に伴い、電子部品の小型・薄型化が進展している。特に、磁気センサでは、センサの厚さが電子機器の厚さに影響を与える場合が多いため、パッケージの薄型化が強く求められている。
磁気センサの薄型化に関し、例えば、特許文献１では、パッケージをアイランドレス構造（ホール素子を載置するためのアイランド部を省いた構造）にすることが提案されている。

特開２０１６－２１５４９号公報

磁気センサは、基板および基板上に形成された活性層を有するホール素子と、基板側を下側とした時に最上面となる第一面と、基板側を下側とした時に最下面となる第二面と、を備えている。磁気センサの薄型化のためには、ホール素子の上面と磁気センサの第一面との距離を短くすることが望ましいが、その距離が短くなると、外部の光がホール素子の上面まで到達しやすくなる。これに伴い、光励起によりホール素子のオフセット電圧Ｖｕが変動する可能性がある。
この発明の課題は、ホール素子のオフセット電圧変動が抑制できる磁気センサを提供することである。

上記課題を解決するために、この発明の一態様の磁気センサは、基板および前記基板上に形成された活性層を有するホール素子と、基板側を下側とした時に最上面となる第一面と、基板側を下側とした時に最下面となる第二面と、を備え、第一面と活性層の第一面側の面との距離が１００μｍ以下であり、第一面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１μｍ以上２０μｍ以下である。

この発明の一態様によれば、ホール素子のオフセット電圧変動が抑制できる磁気センサが提供される。

実施形態の磁気センサを示す斜視図（ａ）、平面図（ｂ）、（ｂ）のＣ－Ｃ断面に対応する断面図（ｃ）、底面図（ｄ）である。実施形態の磁気センサのホール素子部分を示す拡大断面図である。実施形態の磁気センサを構成するホール素子を示す平面図である。実施形態の磁気センサの製造方法を工程順に説明する平面図である。実施形態の磁気センサの製造方法の樹脂封止工程以降を工程順に説明する図である。

以下、この発明の実施形態について説明するが、この発明は以下に示す実施形態に限定されない。以下に示す実施形態では、この発明を実施するために技術的に好ましい限定がなされているが、この限定はこの発明の必須要件ではない。
なお、以下の説明で使用する図において、図示されている各部の寸法関係は、実際の寸法関係と異なる場合がある。

［磁気センサの構成］
図１および図２に示すように、この実施形態の磁気センサ１００は、ホール素子１０と、四個（複数）のリード端子２１～２４と、四本（複数）の金属細線３１～３４と、絶縁層４０と、合成樹脂製の封止部５０と、外装メッキ層６０とを有する。磁気センサ１００は、ホール素子１０を載置するためのアイランド部を有さない。つまり、磁気センサ１００はアイランドレス構造を有する。
図１（ａ）に示すように、磁気センサ１００は直方体の外観形状を有する。この直方体の内部に、ホール素子１０と、リード端子２１～２４と、金属細線３１～３４と、絶縁層４０が配置されている。封止部５０をなす合成樹脂は、これらの部品と直方体をなす六個の面との間を埋めるとともに、六個の面を形成している。つまり、封止部５０は、ホール素子１０の基板側を下側とした時に最上面となる第一面５１と、最下面となる第二面５２と、二対の側面５３，５４を有する。図１（ｂ）において、封止部５０は、第二面５２のみが表示されている。

＜ホール素子＞
図２および図３に示すように、ホール素子１０は、基板１１と、基板１１上に形成された半導体薄膜で構成される活性層（磁気感受部）１２と、活性層１２と電気的に接続された四個（複数）の電極１３ａ～１３ｄとを有する。なお、図２に示すホール素子１０の断面は、図３のＡ－Ａ断面に相当する。
基板１１は、例えば、半絶縁性のガリウムヒ素（ＧａＡｓ）基板である。また、基板１１としては、シリコン（Ｓｉ）基板などの半導体基板や、フェライト基板などの磁気を収束する効果のある基板を用いることもできる。

活性層１２は、例えば、インジウムアンチモン（ＩｎＳｂ）やガリウムヒ素などの化合物半導体を含む材料で形成された薄膜である。この例では、活性層１２が、基板１０上に形成された導電層１２ａと、導電層１２ａ上に形成された表面層１２ｂとを備えている。導電層１２ａは例えばｎ型ＧａＡｓ層であり、表面層１２ｂは、例えば、導電層１２ａよりも導電性の低いＧａＡｓ層である。
図３に示すように、活性層１２の平面形状は正方形であり、四個の電極１３ａ～１３ｄの平面形状は、活性層１２をなす正方形の四分の一より少し小さい正方形である。電極１３ａ～１３ｄは、活性層１２をなす正方形が四等分された各領域にそれぞれ配置されている。

図２および図３に示すように、電極１３ａ～１３ｄは、それぞれ第一金属膜１３１と第二金属膜１３２とを備えている。第一金属膜１３１は活性層１２上に形成され、活性層１２と直接接触している。第一金属膜１３１の平面形状は三角形であって、活性層１２の四隅に配置されている。なお、第一金属膜１３１の平面形状は三角形に限定されない。
第二金属膜１３２は、絶縁膜１４を介して活性層１２上および第一金属膜１３１上に形成されている。絶縁膜１４は、第一金属膜１３１上に開口部１４ａを有し、開口部１４ａ内の金属を介して第一金属膜１３１と第二金属膜１３２が接続されている。このようにして、四個の電極１３ａ～１３ｄが活性層１２と電気的に接続されている。
ホール素子１０の厚さｔは、例えば１００μｍ以下である。

＜リード端子＞
リード端子２１～２４は、磁気センサ１００と外部との電気的接続を得るための端子である。図１（ｂ）に示すように、リード端子２１～２４は、平面視でホール素子１０の周囲に配置されている。
図１（ａ）～（ｄ）に示すように、リード端子２１～２４は、上面（第一面５１側の面）２１ａ～２４ａと、内側面２１ｂ～２４ｂと、封止部５０の側面５３と同一面となる外側面２１ｃ～２４ｃと、封止部５０の側面５４と同一面となる外側面２１ｄ～２４ｄと、封止部５０の第二面５２と同一面となる下面２１ｅ～２４ｅと、切欠き部２１ｆ～２４ｆを有する。切欠き部２１ｆ～２４ｆは、リード端子２１～２４の下半分が欠けている形状の部分であり、封止部５０の側面５４側に存在する。

リード端子２１～２４は、例えば、銅（Ｃｕ）または銅合金、鉄（Ｆｅ）または鉄を含む合金等の金属材料で形成され、特に銅製であることが好ましい。リード端子２１～２４の上面２１ａ～２４ａまたは下面２１ｅ～２４ｅの一部がエッチング（即ち、ハーフエッチング）されていてもよい。また、リード端子２１～２４の上面２１ａ～２４ａおよび下面２１ｅ～２４ｅの少なくとも一方の一部に、銀（Ａｇ）めっき、またはニッケル（Ｎｉ）－パラジウム（Ｐｄ）－金（Ａｕ）めっきが施されていてもよい。

＜金属細線＞
図１（ｂ）に示すように、金属細線３１～３４は、ホール素子１０が有する電極１３ａ～１３ｄと、リード端子２１～２４とを、それぞれ電気的に接続している。具体的には、金属細線３１がリード端子２１と電極１３ａとを接続し、金属細線３２がリード端子２２と電極１３ｂとを接続し、金属細線３３がリード端子２３と電極１３ｃとを接続し、金属細線３４がリード端子２４と電極１３ｄとを接続している。
金属細線３１～３４は、例えば、金、銀、または銅で形成されている。

＜絶縁層＞
絶縁層４０は、ホール素子１０の基板１１の裏面（第二面５２側の面）全体に接触状態で配置されている。つまり、絶縁層４０により基板１１の裏面全体が覆われている。絶縁層４０の裏面４０ａは封止部５０の第二面５２と同一面内にある。つまり、絶縁層４０の裏面４０ａが第二面５２から露出する面である。
絶縁層４０は、例えば、エポキシ樹脂などの熱硬化型樹脂にフィラーを含む材料で形成されている。絶縁層４０がフィラー入りの合成樹脂材料で形成されている場合、絶縁層４０がホール素子１０の裏面を覆っている部分の厚さは、フィラーの寸法で決まる。この厚さは例えば２μｍ以上とするが、ホール素子１０の保護の観点から１０μｍ以上３０μｍ以下とすることが好ましい。フィラーの材質としては、シリ力（ＳｉＯ₂）やアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）等のセラミックスが好ましい。
なお、「フィラーの寸法」とは、球状のフィラーの場合は球の直径であり、球体が破砕された形状を有するフィラーの場合は、元の球体の径方向で最も大きい部分の寸法であり、繊維状のフィラーの場合は繊維断面の長径である。

＜封止部＞
図１（ｃ）および図２に示すように、封止部５０は、ホール素子１０の基板とは反対側の面１０ａと側面１０ｂ、絶縁層４０の側面４０ｂ、電極１３ａ～１３ｄ、リード端子２１～２４の上面（第一面５１側の面）２１ａ～２４ａと内側面（ホール素子１０の側面１０ｂと対向する面）２１ｂ～２４ｂと切欠き部２１ｆ～２４ｆ、および金属細線３１～３４を覆っている。
リード端子２１～２４の外側面２１ｃ～２４ｃは、封止部５０の側面５３と同一面にある。リード端子２１～２４の外側面２１ｄ～２４ｄは、封止部５０の側面５４と同一面にある。リード端子２１～２４の下面２１ｅ～２４ｅは、封止部５０の第二面５２と同一面にある。

図２に示す距離Ｄ、すなわち、封止部５０の第一面５１と活性層１２の上面（第一面５１側の面）１２Ａとの距離は、１００μｍ以下である。また、封止部５０の第一面５１と活性層１２の上面１２Ａとの距離は、１μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。ここで、封止部５０の第一面５１と活性層１２の上面１２Ａとの距離とは、封止部５０の第一面５１の最も活性層１２に近い位置から、活性層１２までの最も短い寸法をいう。
また、第一面５１の算術平均粗さ（Ｒａ）は１μｍ以上２０μｍ以下である。ここで、算術平均粗さ（Ｒａ）は、ＪＩＳＢ０６０１－１９９４規格に準じて測定された算術平均粗さＲａである。なお、距離Ｄは、厳密には、凹凸状の第一面５１で凹部の底面のうちの一番低い位置と、活性層１２の上面１２Ａとの距離である。
封止部５０をなす合成樹脂としては、磁気センサ１００をリフローハンダ付けする時の高熱に耐えられる樹脂を用いる。使用可能な樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、テフロン（登録商標）が挙げられる。封止部５０は、１種類の合成樹脂で形成されていてもよいし、２種類以上の合成樹脂で形成されていてもよい。

図２に示すように、封止部５０をなす合成樹脂は、セラミックスで形成されたフィラー５８を含んでいる。フィラー５８をなすセラミックスとしては、シリカやアルミナ等が挙げられる。また、封止部５０をなす合成樹脂に含まれるフィラー５８の寸法は、１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。また、フィラー５８は、球状であることが好ましい。封止部５０をなす合成樹脂中のフィラー５８の含有率は、５０体積％以上９９体積％以下の範囲にある。

＜外装メッキ層＞
外装メッキ層６０は、封止部５０の第二面５２と同一面にあるリード端子２１～２４の下面（裏面）２１ｅ～２４ｅに形成されている。外装めっき層６０は、例えば、スズ（Ｓｎ）で形成されている。

［動作］
この実施形態の磁気センサ１００を用いて磁気（磁界）を検出する場合には、例えば、リード端子２１を電源電位（＋）に接続すると共に、リード端子２２を接地電位（ＧＮＤ）に接続して、リード端子２１からリード端子２２に電流を流す。そして、リード端子２３，２４間の電位差Ｖ１－Ｖ２（＝ホール出力電圧ＶＨ）を測定する。また、測定されたホール出力電圧ＶＨの大きさから磁界の大きさを検出し、ホール出力電圧ＶＨの正負から磁界の向きを検出する。

［作用、効果］
この実施形態の磁気センサ１００は、封止部５０の第一面５１の算術平均粗さ（Ｒａ）が１μｍ以上２０μｍ以下である。また、封止部５０をなす合成樹脂が球状のフィラー５８を含み、含まれるフィラー５８の直径の最大値は５０μｍである。これにより、従来品（第一面５１のＲａが１μｍ未満かつ２０μｍを超え、封止部５０に含まれる球状フィラーの直径の最大値が５０μｍを超える磁気センサ）と比較して、封止部５０の光透過率を低くできる。
以上のことから、この実施形態の磁気センサ１００によれば、従来品と比較して、ホール素子１０のオフセット電圧の変動を小さくすることができる。

また、一般的に、磁気センサの薄型化・小型化のために樹脂層の厚さを小さくする（１００μｍ以下、好ましくは１μｍ以上１００μｍ以下、例えば８５μｍ程度）と、外部からの光が活性層に到達しやすくなり、オフセット電圧の変動が大きくなる。しかしながら、この実施形態の磁気センサ１００では、封止部５０の第一面５１の算術平均粗さ（Ｒａ）を１μｍ以上２０μｍ以下としているため、外部からの光を封止部５０の第一面５１で散乱させて活性層１２に届きにくくする効果がより高くなる。
以上のことから、この実施形態の磁気センサ１００によれば、より高いホール素子１０のオフセット電圧の変動抑制効果を得ることができる。

なお、球状のフィラー５８を含むことで、他の形状（球体が破砕された形状、繊維状等）のフィラーを含む場合よりも、封止部５０の光透過率を低くできる。また、含まれるフィラー５８の寸法の最大値が小さいほど、封止部５０の光透過率を低くできる。封止部５０をなす合成樹脂に含まれるフィラー５８の寸法の最大値が２０μｍであると、封止部５０の成形性が良好になるため、より好ましい。
また、フィラー５８の含有率が高いほど封止部５０の光透過率を低くできるため、封止部５０をなす合成樹脂中のフィラー５８の含有率は７０体積％以上９９体積％以下とすることがより好ましい。

また、封止部５０の第一面５１の算術平均粗さ（Ｒａ）は２μｍ以上であることが好ましい。なお、封止部５０の第一面５１の算術平均粗さ（Ｒａ）が大きいほど第一面５１での光散乱量が多くなって、第一面５１から封止部５０内に光が入りにくくなる。
しかしながら、封止部５０の第一面５１の算術平均粗さ（Ｒａ）が大きすぎると、封止部５０の成形性が低下する場合がある。例えば、表面に凹凸を設けた金型を用いたモールド成形にて封止部５０を形成する場合、凹凸が大きすぎると金型の凹部に樹脂が入り込まず、封止部５０の成形性が低下する場合がある。このため、封止部５０の第一面５１の算術平均粗さ（Ｒａ）は、２μｍ以上２０μｍ以下であることがより好ましく、２μｍ以上１５μｍ以下であることがさらに好ましい。

［製法］
図４および図５を用いて、実施形態の磁気センサ１００の製造方法を説明する。
先ず、図４（ａ）に示すリードフレーム１２０を用意する。リードフレーム１２０は、リード部１２１～１２４を有する。リード部１２１～１２３は、平面視で隣り合う磁気センサ１００の二個または四個のリード端子を含む形状を有する。リード部１２４は、磁気センサ１００の一つのリード端子を含む形状を有する。図５に示すように、リードフレーム１２０は、リード部１２１～１２４の各リード端子の切欠き部２１ｆ～２４ｆに対応する位置に、切欠き部１２０ｆを有する。
なお、リード部１２２とリード部１２４をリードフレーム１２０の外縁に沿って接続する接続部と、各リード部１２１～１２４をダイシングラインＬに沿って接続する接続部は図示されていない。

次に、リードフレーム１２０の裏面に、例えばポリイミド製の耐熱性フィルム８０を貼り付けて、リードフレーム１２０のリード部１２１～１２４がない部分（貫通領域）を裏面側から耐熱性フィルム８０で塞ぐ。耐熱性フィルム８０として、一方の面に絶縁性の粘着層を有するものを使用し、この粘着層で耐熱性フィルム８０とリードフレーム１２０を接合する。つまり、耐熱性フィルム８０とリードフレーム１２０との接合体８１を得る。図４（ｂ）は、この工程後の状態を示す。

次に、基板１１の裏面に絶縁層４０が形成されたホール素子１０を用意し、接合体８１の上面（耐熱性フィルム８０の粘着層）のホール素子配置領域（リード端子２１～２４で囲まれた領域）に、ホール素子１０を配置する（即ち、ダイボンディングを行う）。図４（ｃ）は、この工程後の状態を示す。
なお、ホール素子配置領域に絶縁ペーストを塗布し、その上に絶縁層４０が形成されていないホール素子１０を配置して絶縁ペーストを硬化させることで、絶縁層４０を形成してもよい。その場合は、完成後の磁気センサ１００において、ホール素子１０の裏面の一部が封止部５０から露出することがないように、絶縁ペーストの塗布条件（例えば、塗布する範囲、塗布する厚さ等）を調整する。

次に、金属細線３１～３４の一端を各リード端子２１～２４にそれぞれ接続し、金属細線３１～３４の他端を電極１３ａ～１３ｄにそれぞれ接続する（即ち、ワイヤーボンディングを行う）。図４（ｄ）は、この工程後の状態を示す。
次に、図４（ｄ）の状態の接合体８１を金型内に入れて、接合体８１の上面側に封止部５０を形成する。具体的には、先ず、図５（ａ）に示すように、下型９１と上型９２を備え、上型９２の下面９２ａの算術平均粗さ（Ｒａ）が１μｍ以上２０μｍ以下に加工された金型９０を用意する。

次に、金型９０内に図４（ｄ）の状態の接合体８１を配置する。具体的には、金属細線３１～３４側を上に向けて、接合体８１を下型９１の上に載せ、金属細線３１～３４の上側に所定の間隔を開けて上型９２を配置する。その際に、上型９２の下面と下型９１の上面との間隔を、図２の距離Ｄの設定値（１００μｍ以下）より大きな寸法に設定する。図５（ａ）はこの状態を示す。
次に、図５（ａ）の状態の上型９２と下型９１との空間に溶融樹脂を流し込んだ後に、上型９２を下降させて溶融樹脂に圧縮力を加えることにより、上型９２の下面と下型９１の上面との間隔を図２の距離Ｄの設定値に合わせる。その後、冷却することで、封止部５０を形成する。図５（ｂ）はこの状態を示す。

次に、封止部５０が形成された接合体８１を金型９０から取り出した後、接合体８１から耐熱性フィルム８０を剥離する。これにより、複数のセンサ前躯体（外装メッキ層６０を形成する前の磁気センサ１００）が結合された結合体１０００が得られる。図５（ｃ）および図４（ｅ）はこの状態を示す。得られた結合体１０００の封止部５０の第一面５１には、上型９２の下面９２ａの凹凸が転写されている。
次に、封止部５０の第二面５２と同一面にあるリードフレーム１２０の面に、外装めっきを施す。これにより、リード端子２１～２４の下面（裏面）２１ｅ～２４ｅに外装めっき層６０が形成され、複数の磁気センサ１００が結合された結合体１００１が得られる。図５（ｄ）はこの状態を示す。

次に、封止部５０の第一面５１にダイシングテープ９３を貼り付けた後、ダイシングテープ９３を下側にして結合体１００１をダイシング装置に設置し、図４（ｅ）に示すダイシングラインＬに沿って結合体１００１を切断する。これにより、複数の磁気センサ１００が得られる。図５（ｅ）はこの状態を示す。

［製法の効果］
この実施形態の製造方法によれば、封止部５０の第一面５１の算術平均粗さ（Ｒａ）を１μｍ以上２０μｍ以下にすることが容易に行える。

［備考］
実施形態の製法では、封止部５０の第一面５１の算術平均粗さ（Ｒａ）を１μｍ以上２０μｍ以下にするために、上型９２の下面９２ａの表面粗さが上記範囲に加工された金型９０を用いて樹脂を成形する方法で、封止部５０を形成しているが、他の方法を採用してもよい。
例えば、通常の金型を用い、成形後に封止部５０の第一面５１を加工する方法でも、封止部５０の第一面５１の算術平均粗さ（Ｒａ）を１μｍ以上２０μｍ以下にすることができる。この加工方法としては、研磨紙や砥石で物理的に研磨する方法や、スラリー（微細シリカ、微細プラスチック等の研磨剤と水等の液体を混合したもの）を高速噴射する方法（液体ホーニング方法）が挙げられる。

実施形態の磁気センサ１００は、アイランドレス構造を有し、ホール素子１０の基板１１の裏面に絶縁層４０を有するが、この発明は、アイランド構造の磁気センサや、アイランドレス構造で絶縁層４０を有さない磁気センサにも適用できる。
実施形態の磁気センサ１００は封止部５０を有するが、封止部５０が無く、ホール素子１０の基板１１とは反対側の面１０ａの上方は空間であり、この空間と外部を区画する天井板を有する磁気センサも、この発明の一態様に含まれる。この場合、天井板の外面（ホール素子とは反対側の面）が磁気センサの第一面に相当し、天井板の外面と活性層の上面１２Ａとの距離が１００μｍ以下であり、天井板の外面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１μｍ以上２０μｍ以下である。
この発明の一態様の磁気センサにおいて、第一面と活性層の第一面側の面との距離は、１μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。

以下、この発明の実施例および比較例について説明する。
＜実施例１＞
実施形態の磁気センサ１００の一例を実施形態に記載された方法で作製した。
リードフレーム１２０は、Ｃｕ板の全面にＮｉ－Ｐｄ－Ａｕめっき層を施した板を、各リード部１２１～１２４となる部分を含む形状に加工することにより作製した。耐熱性フィルム８０としてはポリイミドフィルムを用いた。
絶縁層４０の厚さは１０μｍとした。厚さｔが９０μｍで基板１１がＧａＡｓ基板であるホール素子１０を用いた。金属細線３１～３４としてはＡｕ線を用いた。封止部５０用の合成樹脂としては、日立化成（株）製の「ＣＥＬ９２２１」を用いた。この樹脂は、球体のフィラーを８７体積％以上９９体積％以下含有する。また、含有するフィラーの最大直径は２０μｍである。

封止部５０の形成は、磁気センサ１００の厚さＴが１８５μｍとなるように設定して行った。これにより、距離Ｄは８５μｍに設定される。
得られた磁気センサ１００の封止部５０の第一面５１の算術平均粗さ（Ｒａ）（ＪＩＳＢ０６０１－１９９４規格に準じて測定された算術平均粗さＲａ）を、キーエンス製の形状測定顕微鏡「ＶＫ－９５１０」を用いて測定した。算術平均粗さ（Ｒａ）は、封止部５０の第一面５１の中央部の縦２００μｍ×横２００μｍの範囲で測定した。得られた磁気センサ１００の封止部５０の第一面５１の算術平均粗さ（Ｒａ）は、２．３１μｍであった。

＜比較例１＞
厚さｔが１２０μｍで基板１１がＧａＡｓ基板であるホール素子１０を用いた。封止部用の合成樹脂としては、フィラーの最大直径が５５μｍである点以外は実施例１で用いたものと同じものを用いた。封止部の形成は、下型と対向する下面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１μｍ未満の上型を用い、磁気センサの厚さＴが２３０μｍとなるように設定して行った。これにより、距離Ｄは１００μｍに設定される。これら以外の点は実施例１と同じ方法で磁気センサを作製した。
得られた磁気センサの封止部の第一面の算術平均粗さ（Ｒａ）を、実施例１と同じ方法で測定したところ、０．６９μｍであった。

＜磁気センサの評価＞
実施例１および比較例１の磁気センサに、白色ＬＥＤ（ＳＥＩＷＡ製：ＳＤＰＷ３２Ｊ０Ｃ００００）からの光と、ハロゲンランプ（岩崎電気製：ＪＣＲ１２Ｖ５０Ｗ２０Ｈ）の光を照射して、光励起によるオフセット電圧（Ｖｕ）の変動が生じるかどうかを確認した。各ランプとも、照射条件は、照度６００００ｌｕｘ、照射時間３０秒である。
その結果、比較例１では両ランプでＶｕ変動が認められたが、実施例１では両ランプで変動Ｖｕが認められなかった。

このような結果が得られた理由としては、以下のことが考えられる。
実施例１の磁気センサ１００では、封止部５０の第一面５１の表面粗さが粗いことで、封止部５０の第一面５１側から磁気センサ１００に入射しようとする光の多くが、第一面５１で散乱された。これにより、外部から封止部５０内に入る光が少なくなった。また、封止部５０に含まれるフィラー５８の最大直径が２０μｍと小さいことで、封止部５０内に入った光の多くがフィラー５８で散乱された。その結果、ホール素子１０の活性層１２に外部の光が到達することが阻害された。

比較例１の磁気センサでは、実施例１の磁気センサ１００と比較して、封止部の第一面の表面粗さの程度が小さく、封止部に含まれるフィラーの最大直径が大きいため、第一面での光散乱およびフィラーによる光散乱が少なかった。その結果、ホール素子１０の活性層１２に外部の光が到達した。

１００磁気センサ
１０ホール素子
１０ａホール素子の基板とは反対側の面
１０ｂホール素子の側面
１１基板
１２活性層
１２Ａ活性層の上面（第一面側の面）
１３ａ～１３ｄ電極
２１～２４リード端子
２１ａ～２４ａリード端子の上面
２１ｂ～２４ｂリード端子の内側面
２１ｃ～２４ｃリード端子の外側面
２１ｄ～２４ｄリード端子の外側面
２１ｅ～２４ｅリード端子の下面
３１～３４金属細線
４０絶縁層
５０封止部
５１第一面
５２第二面
６０外装メッキ層

Claims

基板および前記基板上に形成された活性層を有するホール素子と、
前記基板側を下側とした時に最上面となる第一面と、
前記基板側を下側とした時に最下面となる第二面と、
を備え、
前記ホール素子の前記基板とは反対側の面を覆う封止部を備え、前記封止部は前記第一面を有し、
前記封止部は、合成樹脂を含む材料で形成され、
前記合成樹脂はフィラーを含有し、
前記フィラーの寸法は１μｍ以上５０μｍ以下であり、
前記フィラーは球状であり、
前記第一面と前記活性層の前記第一面側の面との距離が８５μｍ以下であり、前記第一面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１μｍ以上２０μｍ以下である磁気センサ。
前記ホール素子は、前記活性層の前記第一面側に形成されて前記活性層と電気的に接続された複数の電極を備える請求項１記載の磁気センサ。
前記活性層は半導体薄膜で構成され、
平面視で前記ホール素子の周囲に配置された複数のリード端子と、
前記ホール素子の前記複数の電極と前記複数のリード端子とを、それぞれ電気的に接続する複数の金属細線と、
を備え、
前記ホール素子の側面、前記リード端子の前記第一面側の面と前記側面と対向する面、および前記複数の金属細線が、前記封止部で覆われている請求項２記載の磁気センサ。
前記ホール素子の厚さは１００μｍ以下である請求項１～３のいずれか一項に記載の磁気センサ。
前記第一面と前記第二面との距離が２００μｍ以下である請求項１～４のいずれか一項
に記載の磁気センサ。
前記基板の前記第二面側の面が絶縁層で覆われている請求項１～５のいずれか一項に記載の磁気センサ。
前記絶縁層は、前記第二面から露出する面を有する請求項６記載の磁気センサ。