JPH04257246A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH04257246A JPH04257246A JP1816791A JP1816791A JPH04257246A JP H04257246 A JPH04257246 A JP H04257246A JP 1816791 A JP1816791 A JP 1816791A JP 1816791 A JP1816791 A JP 1816791A JP H04257246 A JPH04257246 A JP H04257246A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser mark
- package
- resin
- sattin
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体チップが樹脂封止
された樹脂封止型半導体装置に関し、特に、レーザーに
よってマークを捺印するレーザーマーク対応梨地パッケ
ージ表面を有する樹脂封止型半導体装置に関するもので
ある。
された樹脂封止型半導体装置に関し、特に、レーザーに
よってマークを捺印するレーザーマーク対応梨地パッケ
ージ表面を有する樹脂封止型半導体装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体チップ表面の電極をリード
フレームのリードに配線し、その配線部と半導体チップ
部を樹脂モールドによって封止して構成される樹脂封止
型半導体装置のマーク捺印方式は、梨地パッケージ表面
に銀マークインクを転写している。最近では、コストが
安価で品質向上のため、レーザーによるマーク捺印方式
が導入されている。このレーザーマークは従来の梨地パ
ッケージ表面または鏡面のパッケージ表面に捺印されて
いる。
フレームのリードに配線し、その配線部と半導体チップ
部を樹脂モールドによって封止して構成される樹脂封止
型半導体装置のマーク捺印方式は、梨地パッケージ表面
に銀マークインクを転写している。最近では、コストが
安価で品質向上のため、レーザーによるマーク捺印方式
が導入されている。このレーザーマークは従来の梨地パ
ッケージ表面または鏡面のパッケージ表面に捺印されて
いる。
【０００３】樹脂封止型半導体装置のパッケージは樹脂
に含まれている顔料のカーボンによって黒くなっており
、従来の銀マークインクの視認性は、銀マークインクと
梨地パッケージ表面の色差によって得られている。また
、レーザーマークの視認性は、樹脂に含まれているシリ
カがレーザーに焼き付けられ表面が溶けて失透し白くな
って、梨地パッケージ表面と色差をつくることで得られ
ている。
に含まれている顔料のカーボンによって黒くなっており
、従来の銀マークインクの視認性は、銀マークインクと
梨地パッケージ表面の色差によって得られている。また
、レーザーマークの視認性は、樹脂に含まれているシリ
カがレーザーに焼き付けられ表面が溶けて失透し白くな
って、梨地パッケージ表面と色差をつくることで得られ
ている。
【０００４】図２は従来の樹脂封止型半導体装置の表面
の断面曲線図であり、Ａはレーザーマーク捺印された梨
地パッケージ表面曲線図、ＢはＡのｄ部拡大図、ＣはＡ
のｅ部拡大図である。図２のＡにおいて、ｄ部は梨地パ
ッケージ表面部１、ｅ部はレーザーマーク部表面２を示
している。この梨地パッケージ表面部１は、図２のＢに
示すように、最大表面粗さＲ１ ｍａｘが８μｍ〜１２
μｍで、平均表面粗さピッチＰ１ は１０μｍ〜２０μ
ｍであり、また、レーザーマーク部表面２は、図２のＣ
に示すように、最大表面粗さＲ２ ｍａｘが約８μｍで
、平均表面粗さピッチＰ２ は約１０μｍである。
の断面曲線図であり、Ａはレーザーマーク捺印された梨
地パッケージ表面曲線図、ＢはＡのｄ部拡大図、ＣはＡ
のｅ部拡大図である。図２のＡにおいて、ｄ部は梨地パ
ッケージ表面部１、ｅ部はレーザーマーク部表面２を示
している。この梨地パッケージ表面部１は、図２のＢに
示すように、最大表面粗さＲ１ ｍａｘが８μｍ〜１２
μｍで、平均表面粗さピッチＰ１ は１０μｍ〜２０μ
ｍであり、また、レーザーマーク部表面２は、図２のＣ
に示すように、最大表面粗さＲ２ ｍａｘが約８μｍで
、平均表面粗さピッチＰ２ は約１０μｍである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように上記従来の
構成では、レーザーマーク部表面２に油脂分などが付着
すると失透していたシリカが再び透明に戻り、レーザー
マーク部表面２は梨地パッケージ表面１同様黒くなって
色差が得られなくなる。また、図２のＢに示すように、
梨地パッケージ表面部１の最大表面粗さＲ１ ｍａｘと
平均表面粗さピッチＰ１ は、図２のＣに示すパッケー
ジ上に捺印されたレーザーマーク部表面２の最大表面粗
さＲ２ ｍａｘと平均表面粗さピッチＰ２ に比べて同
程度であるため、レーザーマーク捺印上のパッケージ断
面曲線は図２のＡに示すようになり、曲線段差のみでし
か梨地パッケージ表面部１とレーザーマーク部表面２の
区別が困難であり、光の反射率によるコントラストが充
分に得られない。以上の点より、従来の梨地パッケージ
表面部１ではレーザーマークの視認性は悪くなるという
問題を有していた。
構成では、レーザーマーク部表面２に油脂分などが付着
すると失透していたシリカが再び透明に戻り、レーザー
マーク部表面２は梨地パッケージ表面１同様黒くなって
色差が得られなくなる。また、図２のＢに示すように、
梨地パッケージ表面部１の最大表面粗さＲ１ ｍａｘと
平均表面粗さピッチＰ１ は、図２のＣに示すパッケー
ジ上に捺印されたレーザーマーク部表面２の最大表面粗
さＲ２ ｍａｘと平均表面粗さピッチＰ２ に比べて同
程度であるため、レーザーマーク捺印上のパッケージ断
面曲線は図２のＡに示すようになり、曲線段差のみでし
か梨地パッケージ表面部１とレーザーマーク部表面２の
区別が困難であり、光の反射率によるコントラストが充
分に得られない。以上の点より、従来の梨地パッケージ
表面部１ではレーザーマークの視認性は悪くなるという
問題を有していた。
【０００６】一方、パッケージ表面が鏡面の場合には、
充分な光の反射率によるコントラストが得られるが、封
止金型の製作コストが高くなるという問題を有していた
。本発明は上記従来の問題を解決するもので、レーザー
マークの視認性が良好で、かつ鏡面パッケージに比べて
封止金型の製作コストが安価な樹脂封止型半導体装置を
提供することを目的とするものである。
充分な光の反射率によるコントラストが得られるが、封
止金型の製作コストが高くなるという問題を有していた
。本発明は上記従来の問題を解決するもので、レーザー
マークの視認性が良好で、かつ鏡面パッケージに比べて
封止金型の製作コストが安価な樹脂封止型半導体装置を
提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体チップが樹
脂パッケージされ樹脂パッケージ表面にレーザーによっ
てマークを捺印可能な樹脂封止型半導体装置であって、
前記樹脂パッケージの表面を最大表面粗さ６μｍ未満、
平均表面粗さピッチ３０μｍ以上で構成したものである
。
に本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体チップが樹
脂パッケージされ樹脂パッケージ表面にレーザーによっ
てマークを捺印可能な樹脂封止型半導体装置であって、
前記樹脂パッケージの表面を最大表面粗さ６μｍ未満、
平均表面粗さピッチ３０μｍ以上で構成したものである
。
【０００８】
【作用】上記構成により、樹脂パッケージの最大表面粗
さおよび平均表面粗さピッチと、レーザーマーク部表面
の最大表面粗さおよび平均表面粗さピッチとの差を大き
くしたので、樹脂パッケージ表面とレーザーマーク部表
面の光の反射率に違いが生じて充分なコントラストが得
られ、鏡面パッケージ上のレーザーマーク同様にその視
認性が良好に保たれ、しかも、鏡面パッケージに比べて
封止金型の製作コストも安価なものとなる。
さおよび平均表面粗さピッチと、レーザーマーク部表面
の最大表面粗さおよび平均表面粗さピッチとの差を大き
くしたので、樹脂パッケージ表面とレーザーマーク部表
面の光の反射率に違いが生じて充分なコントラストが得
られ、鏡面パッケージ上のレーザーマーク同様にその視
認性が良好に保たれ、しかも、鏡面パッケージに比べて
封止金型の製作コストも安価なものとなる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
しながら説明する。なお、従来例と同一のものには同一
の符号を付してその説明を省略する。
しながら説明する。なお、従来例と同一のものには同一
の符号を付してその説明を省略する。
【００１０】図１は本発明の一実施例の樹脂封止型半導
体装置の表面の断面曲線図であり、Ａはレーザーマーク
が捺印された梨地パッケージの表面曲線図、ＢはＡのＤ
部拡大図、ＣはＡのＥ部拡大図である。図１のＡにおい
て、Ｄ部は梨地パッケージ表面部１１、Ｅ部はレーザー
マーク部表面２を示している。この梨地パッケージ表面
部１１は、図１のＢに示すように、最大表面粗さＲ１１
ｍａｘが６μｍ未満で、平均表面粗さピッチＰ１１が３
０μｍ以上の滑らかな状態になっている。このように、
レーザーマーク捺印上の梨地パッケージ表面の断面曲線
は、図１のＡに示すように、曲線段差だけでなく曲線の
粗さピッチに差異を設けることにより、レーザーマーク
部表面２と梨地パッケージ表面部１１を区別容易に構成
している。すなわち、レーザーマーク部表面２と梨地パ
ッケージ表面部１１の光の反射率の違いを顕著にするこ
とができる。
体装置の表面の断面曲線図であり、Ａはレーザーマーク
が捺印された梨地パッケージの表面曲線図、ＢはＡのＤ
部拡大図、ＣはＡのＥ部拡大図である。図１のＡにおい
て、Ｄ部は梨地パッケージ表面部１１、Ｅ部はレーザー
マーク部表面２を示している。この梨地パッケージ表面
部１１は、図１のＢに示すように、最大表面粗さＲ１１
ｍａｘが６μｍ未満で、平均表面粗さピッチＰ１１が３
０μｍ以上の滑らかな状態になっている。このように、
レーザーマーク捺印上の梨地パッケージ表面の断面曲線
は、図１のＡに示すように、曲線段差だけでなく曲線の
粗さピッチに差異を設けることにより、レーザーマーク
部表面２と梨地パッケージ表面部１１を区別容易に構成
している。すなわち、レーザーマーク部表面２と梨地パ
ッケージ表面部１１の光の反射率の違いを顕著にするこ
とができる。
【００１１】一方、半導体装置製造用封止金型のキャビ
ティ製作は放電加工で行っているが、本実施例の梨地パ
ッケージ表面部１１を得るために、この放電加工の後処
理にブラスト加工などを追加することによって、封止金
型のキャビテイ内面は、従来の封止金型のキャビテイ内
面より最大表面粗さを小さくし、表面粗さピッチを広く
することができる。このような加工で製作された封止金
型によって、樹脂封止された半導体装置のパッケージ表
面は、従来の梨地パッケージ表面よりも前述したような
最大表面粗さの小さい、かつ表面粗さピッチの広いパッ
ケージ表面となる。また、この封止金型は、鏡面仕上げ
を行ったキャビテイ内面を持つ封止金型よりも製作コス
トが安価であり、レーザーマークの視認性を良好にする
ための封止金型の製作コストを抑えることができる。
ティ製作は放電加工で行っているが、本実施例の梨地パ
ッケージ表面部１１を得るために、この放電加工の後処
理にブラスト加工などを追加することによって、封止金
型のキャビテイ内面は、従来の封止金型のキャビテイ内
面より最大表面粗さを小さくし、表面粗さピッチを広く
することができる。このような加工で製作された封止金
型によって、樹脂封止された半導体装置のパッケージ表
面は、従来の梨地パッケージ表面よりも前述したような
最大表面粗さの小さい、かつ表面粗さピッチの広いパッ
ケージ表面となる。また、この封止金型は、鏡面仕上げ
を行ったキャビテイ内面を持つ封止金型よりも製作コス
トが安価であり、レーザーマークの視認性を良好にする
ための封止金型の製作コストを抑えることができる。
【００１２】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、レーザー
マーク部表面と樹脂パッケージ表面の状態に差異を設け
ることにより、従来のようにレーザーマーク部表面に油
脂分が付着して色差を失っても、光の反射率の違いによ
って鏡面パッケージ上のレーザーマーク同様にその視認
性を良好に保つことができ、しかも、鏡面パッケージに
比べて封止金型の製作コストを安価にすることができる
ものである。
マーク部表面と樹脂パッケージ表面の状態に差異を設け
ることにより、従来のようにレーザーマーク部表面に油
脂分が付着して色差を失っても、光の反射率の違いによ
って鏡面パッケージ上のレーザーマーク同様にその視認
性を良好に保つことができ、しかも、鏡面パッケージに
比べて封止金型の製作コストを安価にすることができる
ものである。
【図１】本発明の一実施例の樹脂封止型半導体装置の表
面の断面曲線図であり、Ａはレーザーマーク捺印された
梨地パッケージの表面曲線図、ＢはＡのＤ部拡大図、Ｃ
はＡのＥ部拡大図である。
面の断面曲線図であり、Ａはレーザーマーク捺印された
梨地パッケージの表面曲線図、ＢはＡのＤ部拡大図、Ｃ
はＡのＥ部拡大図である。
【図２】従来の樹脂封止型半導体装置の表面の断面曲線
図であり、Ａはレーザーマーク捺印された梨地パッケー
ジの表面曲線図、ＢはＡのｄ部拡大図、ＣはＡのｅ部拡
大図である。
図であり、Ａはレーザーマーク捺印された梨地パッケー
ジの表面曲線図、ＢはＡのｄ部拡大図、ＣはＡのｅ部拡
大図である。
２ レーザーマーク部表面
１１ 梨地パッケージ表面部
Claims (1)
- 【請求項１】半導体チップが樹脂パッケージされ樹脂パ
ッケージ表面にレーザーによってマークを捺印可能な樹
脂封止型半導体装置であって、前記樹脂パッケージの表
面を最大表面粗さ６μｍ未満、平均表面粗さピッチ３０
μｍ以上で構成した樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1816791A JPH04257246A (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1816791A JPH04257246A (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04257246A true JPH04257246A (ja) | 1992-09-11 |
Family
ID=11964054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1816791A Pending JPH04257246A (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04257246A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5663104A (en) * | 1994-06-03 | 1997-09-02 | Rohm Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device for power supply use |
| JP2018059925A (ja) * | 2016-09-28 | 2018-04-12 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 磁気センサ |
-
1991
- 1991-02-12 JP JP1816791A patent/JPH04257246A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5663104A (en) * | 1994-06-03 | 1997-09-02 | Rohm Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device for power supply use |
| JP2018059925A (ja) * | 2016-09-28 | 2018-04-12 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 磁気センサ |
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