JPH0438857A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH0438857A JPH0438857A JP2145720A JP14572090A JPH0438857A JP H0438857 A JPH0438857 A JP H0438857A JP 2145720 A JP2145720 A JP 2145720A JP 14572090 A JP14572090 A JP 14572090A JP H0438857 A JPH0438857 A JP H0438857A
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- JP
- Japan
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- resin
- color
- semiconductor device
- yellow
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- Prior art date
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- Pending
Links
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- 238000007789 sealing Methods 0.000 title abstract description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 32
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 32
- RSWGJHLUYNHPMX-ONCXSQPRSA-N abietic acid Chemical compound C([C@@H]12)CC(C(C)C)=CC1=CC[C@@H]1[C@]2(C)CCC[C@@]1(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-ONCXSQPRSA-N 0.000 abstract description 5
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 abstract description 4
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、樹脂封止型半導体装置に関する。
従来の樹脂封止型半導体装置は、半導体素子をリードフ
レームに搭載し、これを樹脂封止金型の内部に置き、熱
溶融した樹脂を圧力注入してその形状が出来上っていた
。このなめ、第３図の断面図に示すように、半導体装置
を形成する黒色樹脂２に外部リード１が取付けられた構
造となり、その色は最表面も内部も完全に同一の黒色を
していた。この表面に、半導体装１の名称などをレーザ
刻印した場合、その表面に文字などのレーザ切削部５が
形成される。
レームに搭載し、これを樹脂封止金型の内部に置き、熱
溶融した樹脂を圧力注入してその形状が出来上っていた
。このなめ、第３図の断面図に示すように、半導体装置
を形成する黒色樹脂２に外部リード１が取付けられた構
造となり、その色は最表面も内部も完全に同一の黒色を
していた。この表面に、半導体装１の名称などをレーザ
刻印した場合、その表面に文字などのレーザ切削部５が
形成される。
このように半導体装置の特性をその装置表面に表示する
場合、レーザーにて捺印され、文字となる部分にレーザ
ーにより深さ０．５〜５０μｍの清を掘ってレーザ切削
部５を形成するが、この清の内部の色と周辺部の色が同
じである為に文字としては非常に視認性が劣るものとな
る。この問題を解決するため、トーサー光の強度及び発
振波形を変化させてレーザーにて掘られた渭の底辺部を
変色させる方法もとられているが、この方法はレーザー
光の波形及び強度の管理が非常に難しく、またその樹脂
を変色させるには、レーザー光強層を極めて高いものと
する必要があるため、レーザー発振器としても非常に高
価なものとなる。
場合、レーザーにて捺印され、文字となる部分にレーザ
ーにより深さ０．５〜５０μｍの清を掘ってレーザ切削
部５を形成するが、この清の内部の色と周辺部の色が同
じである為に文字としては非常に視認性が劣るものとな
る。この問題を解決するため、トーサー光の強度及び発
振波形を変化させてレーザーにて掘られた渭の底辺部を
変色させる方法もとられているが、この方法はレーザー
光の波形及び強度の管理が非常に難しく、またその樹脂
を変色させるには、レーザー光強層を極めて高いものと
する必要があるため、レーザー発振器としても非常に高
価なものとなる。
本発明の目的は、このような欠点を除き、文字の視認性
を良くすると共に容易に加工できるようにした樹脂封止
半導体装置を提供することにある。
を良くすると共に容易に加工できるようにした樹脂封止
半導体装置を提供することにある。
本発明の樹脂封止型半導体装置の構成は、樹脂封止され
た半導体装置の最表層の樹脂の色と内部の樹脂の色とを
異らせることにより、その樹脂表面に文字などを切削し
たときに視認性をよくしたことを特徴とする。
た半導体装置の最表層の樹脂の色と内部の樹脂の色とを
異らせることにより、その樹脂表面に文字などを切削し
たときに視認性をよくしたことを特徴とする。
以下本発明を図面に基いて説明する。
第１図は本発明の第１の実施例を示す断面図である。こ
れは、内部の主要部を黒色樹脂２で形成しその周辺部に
１０１１ｍ以下の黄色樹脂３の層を設けたものである。
れは、内部の主要部を黒色樹脂２で形成しその周辺部に
１０１１ｍ以下の黄色樹脂３の層を設けたものである。
この場合、レーザ捺印器によるその表面を切削すると、
レーザー切削により黄色樹脂３の中に黒色樹脂露出部４
が設けられて文字などを明確に識別することができる。
レーザー切削により黄色樹脂３の中に黒色樹脂露出部４
が設けられて文字などを明確に識別することができる。
この場合、樹脂の色は内部と外部で明度の相対する色を
用いることが望ましい。
用いることが望ましい。
第２図は本発明の第２の実施例を示す断面図である。こ
の場合、黒色樹脂２を用いているので、内部、外部共に
樹脂の成分は同じであるが、刻印すべきその表面を樹脂
封止後に最表面から０．５〜１．０μｍ程度黄色に変色
させたものである。
の場合、黒色樹脂２を用いているので、内部、外部共に
樹脂の成分は同じであるが、刻印すべきその表面を樹脂
封止後に最表面から０．５〜１．０μｍ程度黄色に変色
させたものである。
従来は、内・外共同−成分の樹脂であり、かつその色も
最表面（０μｍ）と内部とが完全に同一の色であったが
、第１、第２の実施例共にレーザー光にて樹脂上に溝を
掘って、その清の色（黒色）と渭の周辺部の色（黄色）
を異らせ、表示文字を見やすくしたものである。
最表面（０μｍ）と内部とが完全に同一の色であったが
、第１、第２の実施例共にレーザー光にて樹脂上に溝を
掘って、その清の色（黒色）と渭の周辺部の色（黄色）
を異らせ、表示文字を見やすくしたものである。
以上説明したように本発明は、レーザーにて文字の溝を
掘った時に、その溝の色が周辺部と異なるため、特性等
を示す捺印の文字が極めて視認性の良いものとなり、さ
らにレーザー光によって変質をさせる必要がないため、
レーザー光の強度等の管理も容易になり、この面でのコ
ストダウンも量られる。さらに、溝は樹脂を変質させる
必要がなく、掘るだけで良いのでレーザー光の発振器の
選択範囲も広くなり、安価な装置を使用出来る。
掘った時に、その溝の色が周辺部と異なるため、特性等
を示す捺印の文字が極めて視認性の良いものとなり、さ
らにレーザー光によって変質をさせる必要がないため、
レーザー光の強度等の管理も容易になり、この面でのコ
ストダウンも量られる。さらに、溝は樹脂を変質させる
必要がなく、掘るだけで良いのでレーザー光の発振器の
選択範囲も広くなり、安価な装置を使用出来る。
また、第２の実施例の場合は、封止後に表面のみを酸化
させるだけでよいので、樹脂を選択することにより、極
めて容易に作られることになる。
させるだけでよいので、樹脂を選択することにより、極
めて容易に作られることになる。
第１図、第２図は本発明の第１および第２の実施例を示
す断面図、第３図は従来の半導体装置の一例を示す断面
図である。 １・・・外部リード、２・・・黒色樹脂、３・・・黄色
樹脂、３ａ・・黄変色層、４・・・黒色樹脂露出部、５
・・・レーザー切削部。
す断面図、第３図は従来の半導体装置の一例を示す断面
図である。 １・・・外部リード、２・・・黒色樹脂、３・・・黄色
樹脂、３ａ・・黄変色層、４・・・黒色樹脂露出部、５
・・・レーザー切削部。
Claims (1)
- 樹脂封止された半導体装置の最表層の樹脂の色と内部
の樹脂の色とを異らせることにより、その樹脂表面に文
字などを切削したときに視認性をよくしたことを特徴と
する樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2145720A JPH0438857A (ja) | 1990-06-04 | 1990-06-04 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2145720A JPH0438857A (ja) | 1990-06-04 | 1990-06-04 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0438857A true JPH0438857A (ja) | 1992-02-10 |
Family
ID=15391573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2145720A Pending JPH0438857A (ja) | 1990-06-04 | 1990-06-04 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0438857A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5698899A (en) * | 1995-11-30 | 1997-12-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device with first and second sealing resins |
| WO1999009592A1 (fr) * | 1997-08-13 | 1999-02-25 | Citizen Watch Co., Ltd. | Assemblage semi-conducteur du type flip et son procede de fabrication |
| US6036326A (en) * | 1997-02-25 | 2000-03-14 | Fujitsu Takamisawa Component Limited | Illuminated resinous button key with optical means for highlighting character formed on the key |
| JP2007012756A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| US8164201B2 (en) | 2005-06-29 | 2012-04-24 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with front and back side resin layers having different thermal expansion coefficient and elasticity modulus |
| JP2018207278A (ja) * | 2017-06-02 | 2018-12-27 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子 |
-
1990
- 1990-06-04 JP JP2145720A patent/JPH0438857A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5698899A (en) * | 1995-11-30 | 1997-12-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device with first and second sealing resins |
| US6036326A (en) * | 1997-02-25 | 2000-03-14 | Fujitsu Takamisawa Component Limited | Illuminated resinous button key with optical means for highlighting character formed on the key |
| WO1999009592A1 (fr) * | 1997-08-13 | 1999-02-25 | Citizen Watch Co., Ltd. | Assemblage semi-conducteur du type flip et son procede de fabrication |
| JP2007012756A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| US8164201B2 (en) | 2005-06-29 | 2012-04-24 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with front and back side resin layers having different thermal expansion coefficient and elasticity modulus |
| US8664779B2 (en) | 2005-06-29 | 2014-03-04 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with front and back side resin layers having different thermal expansion coefficient and elasticity modulus |
| US8723339B2 (en) | 2005-06-29 | 2014-05-13 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with front and back side resin layers having different thermal expansion coefficient and elasticity modulus |
| JP2018207278A (ja) * | 2017-06-02 | 2018-12-27 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子 |
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