JP2018059925A - 磁気センサ - Google Patents
磁気センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018059925A JP2018059925A JP2017186148A JP2017186148A JP2018059925A JP 2018059925 A JP2018059925 A JP 2018059925A JP 2017186148 A JP2017186148 A JP 2017186148A JP 2017186148 A JP2017186148 A JP 2017186148A JP 2018059925 A JP2018059925 A JP 2018059925A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic sensor
- hall element
- substrate
- sensor according
- sealing portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 78
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 32
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 17
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims description 17
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 61
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000012765 fibrous filler Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N52/00—Hall-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N52/00—Hall-effect devices
- H10N52/101—Semiconductor Hall-effect devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/0052—Manufacturing aspects; Manufacturing of single devices, i.e. of semiconductor magnetic sensor chips
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/07—Hall effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N52/00—Hall-effect devices
- H10N52/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N52/00—Hall-effect devices
- H10N52/80—Constructional details
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
【解決手段】この発明の磁気センサ100は、ホール素子10と第一面51と第二面52を備える。ホール素子10は、基板10および基板10上に形成された活性層12を有する。第一面51は、基板11側を下側とした時に最上面となる面である。第二面52は、基板11側を下側とした時に最下面となる面である。第一面51と活性層12の第一面51側の面との距離Dが100μm以下である。第一面51の算術平均粗さ(Ra)が1μm以上20μm以下である。
【選択図】図2
Description
磁気センサの薄型化に関し、例えば、特許文献1では、パッケージをアイランドレス構造(ホール素子を載置するためのアイランド部を省いた構造)にすることが提案されている。
この発明の課題は、ホール素子のオフセット電圧変動が抑制できる磁気センサを提供することである。
なお、以下の説明で使用する図において、図示されている各部の寸法関係は、実際の寸法関係と異なる場合がある。
図1および図2に示すように、この実施形態の磁気センサ100は、ホール素子10と、四個(複数)のリード端子21〜24と、四本(複数)の金属細線31〜34と、絶縁層40と、合成樹脂製の封止部50と、外装メッキ層60とを有する。磁気センサ100は、ホール素子10を載置するためのアイランド部を有さない。つまり、磁気センサ100はアイランドレス構造を有する。
図1(a)に示すように、磁気センサ100は直方体の外観形状を有する。この直方体の内部に、ホール素子10と、リード端子21〜24と、金属細線31〜34と、絶縁層40が配置されている。封止部50をなす合成樹脂は、これらの部品と直方体をなす六個の面との間を埋めるとともに、六個の面を形成している。つまり、封止部50は、ホール素子10の基板側を下側とした時に最上面となる第一面51と、最下面となる第二面52と、二対の側面53,54を有する。図1(b)において、封止部50は、第二面52のみが表示されている。
図2および図3に示すように、ホール素子10は、基板11と、基板11上に形成された半導体薄膜で構成される活性層(磁気感受部)12と、活性層12と電気的に接続された四個(複数)の電極13a〜13dとを有する。なお、図2に示すホール素子10の断面は、図3のA−A断面に相当する。
基板11は、例えば、半絶縁性のガリウムヒ素(GaAs)基板である。また、基板11としては、シリコン(Si)基板などの半導体基板や、フェライト基板などの磁気を収束する効果のある基板を用いることもできる。
図3に示すように、活性層12の平面形状は正方形であり、四個の電極13a〜13dの平面形状は、活性層12をなす正方形の四分の一より少し小さい正方形である。電極13a〜13dは、活性層12をなす正方形が四等分された各領域にそれぞれ配置されている。
第二金属膜132は、絶縁膜14を介して活性層12上および第一金属膜131上に形成されている。絶縁膜14は、第一金属膜131上に開口部14aを有し、開口部14a内の金属を介して第一金属膜131と第二金属膜132が接続されている。このようにして、四個の電極13a〜13dが活性層12と電気的に接続されている。
ホール素子10の厚さtは、例えば100μm以下である。
リード端子21〜24は、磁気センサ100と外部との電気的接続を得るための端子である。図1(b)に示すように、リード端子21〜24は、平面視でホール素子10の周囲に配置されている。
図1(a)〜(d)に示すように、リード端子21〜24は、上面(第一面51側の面)21a〜24aと、内側面21b〜24bと、封止部50の側面53と同一面となる外側面21c〜24cと、封止部50の側面54と同一面となる外側面21d〜24dと、封止部50の第二面52と同一面となる下面21e〜24eと、切欠き部21f〜24fを有する。切欠き部21f〜24fは、リード端子21〜24の下半分が欠けている形状の部分であり、封止部50の側面54側に存在する。
図1(b)に示すように、金属細線31〜34は、ホール素子10が有する電極13a〜13dと、リード端子21〜24とを、それぞれ電気的に接続している。具体的には、金属細線31がリード端子21と電極13aとを接続し、金属細線32がリード端子22と電極13bとを接続し、金属細線33がリード端子23と電極13cとを接続し、金属細線34がリード端子24と電極13dとを接続している。
金属細線31〜34は、例えば、金、銀、または銅で形成されている。
絶縁層40は、ホール素子10の基板11の裏面(第二面52側の面)全体に接触状態で配置されている。つまり、絶縁層40により基板11の裏面全体が覆われている。絶縁層40の裏面40aは封止部50の第二面52と同一面内にある。つまり、絶縁層40の裏面40aが第二面52から露出する面である。
絶縁層40は、例えば、エポキシ樹脂などの熱硬化型樹脂にフィラーを含む材料で形成されている。絶縁層40がフィラー入りの合成樹脂材料で形成されている場合、絶縁層40がホール素子10の裏面を覆っている部分の厚さは、フィラーの寸法で決まる。この厚さは例えば2μm以上とするが、ホール素子10の保護の観点から10μm以上30μm以下とすることが好ましい。フィラーの材質としては、シリ力(SiO2)やアルミナ(Al2O3)等のセラミックスが好ましい。
なお、「フィラーの寸法」とは、球状のフィラーの場合は球の直径であり、球体が破砕された形状を有するフィラーの場合は、元の球体の径方向で最も大きい部分の寸法であり、繊維状のフィラーの場合は繊維断面の長径である。
図1(c)および図2に示すように、封止部50は、ホール素子10の基板とは反対側の面10aと側面10b、絶縁層40の側面40b、電極13a〜13d、リード端子21〜24の上面(第一面51側の面)21a〜24aと内側面(ホール素子10の側面10bと対向する面)21b〜24bと切欠き部21f〜24f、および金属細線31〜34を覆っている。
リード端子21〜24の外側面21c〜24cは、封止部50の側面53と同一面にある。リード端子21〜24の外側面21d〜24dは、封止部50の側面54と同一面にある。リード端子21〜24の下面21e〜24eは、封止部50の第二面52と同一面にある。
また、第一面51の算術平均粗さ(Ra)は1μm以上20μm以下である。ここで、算術平均粗さ(Ra)は、JIS B0601−1994規格に準じて測定された算術平均粗さRaである。なお、距離Dは、厳密には、凹凸状の第一面51で凹部の底面のうちの一番低い位置と、活性層12の上面12Aとの距離である。
封止部50をなす合成樹脂としては、磁気センサ100をリフローハンダ付けする時の高熱に耐えられる樹脂を用いる。使用可能な樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、テフロン(登録商標)が挙げられる。封止部50は、1種類の合成樹脂で形成されていてもよいし、2種類以上の合成樹脂で形成されていてもよい。
外装メッキ層60は、封止部50の第二面52と同一面にあるリード端子21〜24の下面(裏面)21e〜24eに形成されている。外装めっき層60は、例えば、スズ(Sn)で形成されている。
この実施形態の磁気センサ100を用いて磁気(磁界)を検出する場合には、例えば、リード端子21を電源電位(+)に接続すると共に、リード端子22を接地電位(GND)に接続して、リード端子21からリード端子22に電流を流す。そして、リード端子23,24間の電位差V1−V2(=ホール出力電圧VH)を測定する。また、測定されたホール出力電圧VHの大きさから磁界の大きさを検出し、ホール出力電圧VHの正負から磁界の向きを検出する。
この実施形態の磁気センサ100は、封止部50の第一面51の算術平均粗さ(Ra)が1μm以上20μm以下である。また、封止部50をなす合成樹脂が球状のフィラー58を含み、含まれるフィラー58の直径の最大値は50μmである。これにより、従来品(第一面51のRaが1μm未満かつ20μmを超え、封止部50に含まれる球状フィラーの直径の最大値が50μmを超える磁気センサ)と比較して、封止部50の光透過率を低くできる。
以上のことから、この実施形態の磁気センサ100によれば、従来品と比較して、ホール素子10のオフセット電圧の変動を小さくすることができる。
以上のことから、この実施形態の磁気センサ100によれば、より高いホール素子10のオフセット電圧の変動抑制効果を得ることができる。
また、フィラー58の含有率が高いほど封止部50の光透過率を低くできるため、封止部50をなす合成樹脂中のフィラー58の含有率は70体積%以上99体積%以下とすることがより好ましい。
しかしながら、封止部50の第一面51の算術平均粗さ(Ra)が大きすぎると、封止部50の成形性が低下する場合がある。例えば、表面に凹凸を設けた金型を用いたモールド成形にて封止部50を形成する場合、凹凸が大きすぎると金型の凹部に樹脂が入り込まず、封止部50の成形性が低下する場合がある。このため、封止部50の第一面51の算術平均粗さ(Ra)は、2μm以上20μm以下であることがより好ましく、2μm以上15μm以下であることがさらに好ましい。
図4および図5を用いて、実施形態の磁気センサ100の製造方法を説明する。
先ず、図4(a)に示すリードフレーム120を用意する。リードフレーム120は、リード部121〜124を有する。リード部121〜123は、平面視で隣り合う磁気センサ100の二個または四個のリード端子を含む形状を有する。リード部124は、磁気センサ100の一つのリード端子を含む形状を有する。図5に示すように、リードフレーム120は、リード部121〜124の各リード端子の切欠き部21f〜24fに対応する位置に、切欠き部120fを有する。
なお、リード部122とリード部124をリードフレーム120の外縁に沿って接続する接続部と、各リード部121〜124をダイシングラインLに沿って接続する接続部は図示されていない。
なお、ホール素子配置領域に絶縁ペーストを塗布し、その上に絶縁層40が形成されていないホール素子10を配置して絶縁ペーストを硬化させることで、絶縁層40を形成してもよい。その場合は、完成後の磁気センサ100において、ホール素子10の裏面の一部が封止部50から露出することがないように、絶縁ペーストの塗布条件(例えば、塗布する範囲、塗布する厚さ等)を調整する。
次に、図4(d)の状態の接合体81を金型内に入れて、接合体81の上面側に封止部50を形成する。具体的には、先ず、図5(a)に示すように、下型91と上型92を備え、上型92の下面92aの算術平均粗さ(Ra)が1μm以上20μm以下に加工された金型90を用意する。
次に、図5(a)の状態の上型92と下型91との空間に溶融樹脂を流し込んだ後に、上型92を下降させて溶融樹脂に圧縮力を加えることにより、上型92の下面と下型91の上面との間隔を図2の距離Dの設定値に合わせる。その後、冷却することで、封止部50を形成する。図5(b)はこの状態を示す。
次に、封止部50の第二面52と同一面にあるリードフレーム120の面に、外装めっきを施す。これにより、リード端子21〜24の下面(裏面)21e〜24eに外装めっき層60が形成され、複数の磁気センサ100が結合された結合体1001が得られる。図5(d)はこの状態を示す。
この実施形態の製造方法によれば、封止部50の第一面51の算術平均粗さ(Ra)を1μm以上20μm以下にすることが容易に行える。
実施形態の製法では、封止部50の第一面51の算術平均粗さ(Ra)を1μm以上20μm以下にするために、上型92の下面92aの表面粗さが上記範囲に加工された金型90を用いて樹脂を成形する方法で、封止部50を形成しているが、他の方法を採用してもよい。
例えば、通常の金型を用い、成形後に封止部50の第一面51を加工する方法でも、封止部50の第一面51の算術平均粗さ(Ra)を1μm以上20μm以下にすることができる。この加工方法としては、研磨紙や砥石で物理的に研磨する方法や、スラリー(微細シリカ、微細プラスチック等の研磨剤と水等の液体を混合したもの)を高速噴射する方法(液体ホーニング方法)が挙げられる。
実施形態の磁気センサ100は封止部50を有するが、封止部50が無く、ホール素子10の基板11とは反対側の面10aの上方は空間であり、この空間と外部を区画する天井板を有する磁気センサも、この発明の一態様に含まれる。この場合、天井板の外面(ホール素子とは反対側の面)が磁気センサの第一面に相当し、天井板の外面と活性層の上面12Aとの距離が100μm以下であり、天井板の外面の算術平均粗さ(Ra)が1μm以上20μm以下である。
この発明の一態様の磁気センサにおいて、第一面と活性層の第一面側の面との距離は、1μm以上100μm以下であることが好ましい。
<実施例1>
実施形態の磁気センサ100の一例を実施形態に記載された方法で作製した。
リードフレーム120は、Cu板の全面にNi−Pd−Auめっき層を施した板を、各リード部121〜124となる部分を含む形状に加工することにより作製した。耐熱性フィルム80としてはポリイミドフィルムを用いた。
絶縁層40の厚さは10μmとした。厚さtが90μmで基板11がGaAs基板であるホール素子10を用いた。金属細線31〜34としてはAu線を用いた。封止部50用の合成樹脂としては、日立化成(株)製の「CEL9221」を用いた。この樹脂は、球体のフィラーを87体積%以上99体積%以下含有する。また、含有するフィラーの最大直径は20μmである。
得られた磁気センサ100の封止部50の第一面51の算術平均粗さ(Ra)(JIS B0601−1994規格に準じて測定された算術平均粗さRa)を、キーエンス製の形状測定顕微鏡「VK−9510」を用いて測定した。算術平均粗さ(Ra)は、封止部50の第一面51の中央部の縦200μm×横200μmの範囲で測定した。得られた磁気センサ100の封止部50の第一面51の算術平均粗さ(Ra)は、2.31μmであった。
厚さtが120μmで基板11がGaAs基板であるホール素子10を用いた。封止部用の合成樹脂としては、フィラーの最大直径が55μmである点以外は実施例1で用いたものと同じものを用いた。封止部の形成は、下型と対向する下面の算術平均粗さ(Ra)が1μm未満の上型を用い、磁気センサの厚さTが230μmとなるように設定して行った。これにより、距離Dは100μmに設定される。これら以外の点は実施例1と同じ方法で磁気センサを作製した。
得られた磁気センサの封止部の第一面の算術平均粗さ(Ra)を、実施例1と同じ方法で測定したところ、0.69μmであった。
実施例1および比較例1の磁気センサに、白色LED(SEIWA製:SDPW32J0C0000)からの光と、ハロゲンランプ(岩崎電気製:JCR12V50W20H)の光を照射して、光励起によるオフセット電圧(Vu)の変動が生じるかどうかを確認した。各ランプとも、照射条件は、照度60000lux、照射時間30秒である。
その結果、比較例1では両ランプでVu変動が認められたが、実施例1では両ランプで変動Vuが認められなかった。
実施例1の磁気センサ100では、封止部50の第一面51の表面粗さが粗いことで、封止部50の第一面51側から磁気センサ100に入射しようとする光の多くが、第一面51で散乱された。これにより、外部から封止部50内に入る光が少なくなった。また、封止部50に含まれるフィラー58の最大直径が20μmと小さいことで、封止部50内に入った光の多くがフィラー58で散乱された。その結果、ホール素子10の活性層12に外部の光が到達することが阻害された。
10 ホール素子
10a ホール素子の基板とは反対側の面
10b ホール素子の側面
11 基板
12 活性層
12A 活性層の上面(第一面側の面)
13a〜13d 電極
21〜24 リード端子
21a〜24a リード端子の上面
21b〜24b リード端子の内側面
21c〜24c リード端子の外側面
21d〜24d リード端子の外側面
21e〜24e リード端子の下面
31〜34 金属細線
40 絶縁層
50 封止部
51 第一面
52 第二面
60 外装メッキ層
Claims (13)
- 基板および前記基板上に形成された活性層を有するホール素子と、
前記基板側を下側とした時に最上面となる第一面と、
前記基板側を下側とした時に最下面となる第二面と、
を備え、
前記第一面と前記活性層の前記第一面側の面との距離が100μm以下であり、前記第一面の算術平均粗さ(Ra)が1μm以上20μm以下である磁気センサ。 - 前記ホール素子の前記基板とは反対側の面を覆う封止部を備え、前記封止部は前記第一面を有する請求項1記載の磁気センサ。
- 前記ホール素子は、前記活性層の前記第一面側に形成されて前記活性層と電気的に接続された複数の電極を備える請求項1または2記載の磁気センサ。
- 前記活性層は半導体薄膜で構成され、
平面視で前記ホール素子の周囲に配置された複数のリード端子と、
前記ホール素子の前記複数の電極と前記複数のリード端子とを、それぞれ電気的に接続する複数の金属細線と、
を備え、
前記ホール素子の側面、前記リード端子の前記第一面側の面と前記側面と対向する面、および前記複数の金属細線が、前記封止部で覆われている請求項3記載の磁気センサ。 - 前記封止部は、合成樹脂を含む材料で形成されている請求項2〜4のいずれか一項に記載の磁気センサ。
- 前記合成樹脂はフィラーを含有する請求項5記載の磁気センサ。
- 前記フィラーの寸法は1μm以上50μm以下である請求項6記載の磁気センサ。
- 前記フィラーは球状である請求項6または7記載の磁気センサ。
- 前記合成樹脂中の前記フィラーの含有率は50体積%以上99体積%以下である請求項6〜8のいずれか一項に記載の磁気センサ。
- 前記ホール素子の厚さは100μm以下である請求項1〜9のいずれか一項に記載の磁気センサ。
- 前記第一面と前記第二面との距離が200μm以下である請求項1〜10のいずれか一項に記載の磁気センサ。
- 前記基板の前記第二面側の面が絶縁層で覆われている請求項1〜11のいずれか一項に記載の磁気センサ。
- 前記絶縁層は、前記第二面から露出する面を有する請求項12記載の磁気センサ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016190153 | 2016-09-28 | ||
JP2016190153 | 2016-09-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018059925A true JP2018059925A (ja) | 2018-04-12 |
JP7067886B2 JP7067886B2 (ja) | 2022-05-16 |
Family
ID=61752957
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017186148A Active JP7067886B2 (ja) | 2016-09-28 | 2017-09-27 | 磁気センサ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7067886B2 (ja) |
KR (1) | KR102000348B1 (ja) |
CN (2) | CN107871814B (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102000348B1 (ko) * | 2016-09-28 | 2019-07-15 | 아사히 가세이 일렉트로닉스 가부시끼가이샤 | 자기 센서 |
KR102170383B1 (ko) | 2018-12-27 | 2020-10-27 | 주식회사 오킨스전자 | 플립칩 자기 센서 패키지 및 그 제조 방법 |
US11605778B2 (en) * | 2019-02-07 | 2023-03-14 | Lake Shore Cryotronics, Inc. | Hall effect sensor with low offset and high level of stability |
CN111261595A (zh) * | 2020-01-20 | 2020-06-09 | 上海艾为电子技术股份有限公司 | 一种无基岛框架封装结构及其制备方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61269338A (ja) * | 1985-05-24 | 1986-11-28 | Hitachi Ltd | 樹脂封止半導体装置およびその製造に用いるモ−ルド型 |
JPH04257246A (ja) * | 1991-02-12 | 1992-09-11 | Matsushita Electron Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
JP2002110722A (ja) * | 2000-10-03 | 2002-04-12 | Nitto Denko Corp | 半導体チップの樹脂封止方法及び半導体チップ樹脂封止用離型フィルム |
JP2004074713A (ja) * | 2002-08-21 | 2004-03-11 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体モールド用離型シート |
JP2007067205A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Rohm Co Ltd | モールド型電子部品 |
JP2010087123A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置およびその製造方法 |
JP2012151466A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-08-09 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2013093403A (ja) * | 2011-10-25 | 2013-05-16 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の印字方法 |
JP2015090350A (ja) * | 2013-11-07 | 2015-05-11 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 磁気センサ及び磁気センサ装置、磁気センサの製造方法 |
JP2016021549A (ja) * | 2014-06-17 | 2016-02-04 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | ホールセンサ |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4257246B2 (ja) | 2004-03-29 | 2009-04-22 | 株式会社第一興商 | 高カロリー消費を促す利用者別カラオケメドレー生成システム |
KR101747059B1 (ko) * | 2011-06-21 | 2017-07-11 | 카티바, 인크. | Oled 마이크로 공동 및 버퍼 층을 위한 물질과 그 생산 방법 |
CN107195772B (zh) * | 2014-06-17 | 2019-06-25 | 旭化成微电子株式会社 | 霍尔传感器 |
KR102000348B1 (ko) * | 2016-09-28 | 2019-07-15 | 아사히 가세이 일렉트로닉스 가부시끼가이샤 | 자기 센서 |
-
2017
- 2017-09-26 KR KR1020170124366A patent/KR102000348B1/ko active IP Right Review Request
- 2017-09-27 CN CN201710892742.3A patent/CN107871814B/zh active Active
- 2017-09-27 JP JP2017186148A patent/JP7067886B2/ja active Active
- 2017-09-27 CN CN201721251655.1U patent/CN207250568U/zh not_active Withdrawn - After Issue
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61269338A (ja) * | 1985-05-24 | 1986-11-28 | Hitachi Ltd | 樹脂封止半導体装置およびその製造に用いるモ−ルド型 |
JPH04257246A (ja) * | 1991-02-12 | 1992-09-11 | Matsushita Electron Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
JP2002110722A (ja) * | 2000-10-03 | 2002-04-12 | Nitto Denko Corp | 半導体チップの樹脂封止方法及び半導体チップ樹脂封止用離型フィルム |
JP2004074713A (ja) * | 2002-08-21 | 2004-03-11 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体モールド用離型シート |
JP2007067205A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Rohm Co Ltd | モールド型電子部品 |
JP2010087123A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置およびその製造方法 |
JP2012151466A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-08-09 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2013093403A (ja) * | 2011-10-25 | 2013-05-16 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の印字方法 |
JP2015090350A (ja) * | 2013-11-07 | 2015-05-11 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 磁気センサ及び磁気センサ装置、磁気センサの製造方法 |
JP2016021549A (ja) * | 2014-06-17 | 2016-02-04 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | ホールセンサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7067886B2 (ja) | 2022-05-16 |
CN207250568U (zh) | 2018-04-17 |
KR20180035161A (ko) | 2018-04-05 |
KR102000348B1 (ko) | 2019-07-15 |
CN107871814B (zh) | 2021-02-12 |
CN107871814A (zh) | 2018-04-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7067886B2 (ja) | 磁気センサ | |
US7687893B2 (en) | Semiconductor package having leadframe with exposed anchor pads | |
US8981575B2 (en) | Semiconductor package structure | |
US8736030B2 (en) | Quad flat non-leaded package structure with electromagnetic interference shielding function and method for fabricating the same | |
TW201644024A (zh) | 晶片封裝結構及其製造方法 | |
WO2017041689A1 (zh) | 传感芯片封装组件和具有该传感芯片封装组件的电子设备 | |
JP6370071B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US9978695B1 (en) | Semiconductor device including leadframe with a combination of leads and lands and method | |
TWM556934U (zh) | 具有接點溝槽的預成形導線架 | |
US10090228B1 (en) | Semiconductor device with leadframe configured to facilitate reduced burr formation | |
US6396129B1 (en) | Leadframe with dot array of silver-plated regions on die pad for use in exposed-pad semiconductor package | |
TWM558999U (zh) | 發光封裝元件 | |
TW201539695A (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
TW201349414A (zh) | 具微機電元件之封裝結構及其製法 | |
US20110108967A1 (en) | Semiconductor chip grid array package and method for fabricating same | |
JP6718754B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP7086413B2 (ja) | パワー半導体の表面実装パッケージ構造 | |
US10566268B1 (en) | Package to die connection system and method therefor | |
TWI654780B (zh) | 發光元件及發光元件之製造方法 | |
US20150084171A1 (en) | No-lead semiconductor package and method of manufacturing the same | |
JP2016162964A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
JP6869602B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2018074067A (ja) | 半導体装置 | |
CN207250569U (zh) | 半导体装置 | |
JP6837314B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200716 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210526 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210720 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210917 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220111 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220314 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220405 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220428 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7067886 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |